JP2000331872A - 積層コンデンサおよびその製造方法 - Google Patents
積層コンデンサおよびその製造方法Info
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- JP2000331872A JP2000331872A JP11144689A JP14468999A JP2000331872A JP 2000331872 A JP2000331872 A JP 2000331872A JP 11144689 A JP11144689 A JP 11144689A JP 14468999 A JP14468999 A JP 14468999A JP 2000331872 A JP2000331872 A JP 2000331872A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 積層コンデンサにおける導体端縁部への電界
集中を緩和し、高周波での低損失化を実現できる積層コ
ンデンサとその製造法を提供する。 【解決手段】 誘電体３とその誘電体に挟まれた内部導
体１とを備えた積層コンデンサにおいて、内部導体の端
縁部近傍の誘電体中に、誘電体より誘電率の低い低誘電
率部または中空部からなる電界集中緩和部２を設ける。
集中を緩和し、高周波での低損失化を実現できる積層コ
ンデンサとその製造法を提供する。 【解決手段】 誘電体３とその誘電体に挟まれた内部導
体１とを備えた積層コンデンサにおいて、内部導体の端
縁部近傍の誘電体中に、誘電体より誘電率の低い低誘電
率部または中空部からなる電界集中緩和部２を設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、積層コンデンサ、
特に高周波で損失の小さい積層コンデンサに関する。
特に高周波で損失の小さい積層コンデンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】積層コンデンサは、誘電体と内部導体が
交互に積層された素体を有し、その素体の両端面に、内
部導体が交互に接続している外部導体が設けられた構造
を有する。積層コンデンサの誘電体としては、セラミッ
クスや有機フィルムなどが用いられている。それらの材
質としては、通常、均一で気孔などのない緻密なものが
用いられている。
交互に積層された素体を有し、その素体の両端面に、内
部導体が交互に接続している外部導体が設けられた構造
を有する。積層コンデンサの誘電体としては、セラミッ
クスや有機フィルムなどが用いられている。それらの材
質としては、通常、均一で気孔などのない緻密なものが
用いられている。
【０００３】一方、近年移動体通信の使用周波数や、パ
ソコンのＣＰＵ周辺回路の高周波化が進んでいる。その
ため、従来のコンデンサでは、高い使用周波数での損失
が大きいため、発熱や電池の短寿命化などさまざまな問
題が発生していた。
ソコンのＣＰＵ周辺回路の高周波化が進んでいる。その
ため、従来のコンデンサでは、高い使用周波数での損失
が大きいため、発熱や電池の短寿命化などさまざまな問
題が発生していた。
【０００４】高周波でのコンデンサの損失を小さくする
方法としてさまざまな検討がなされている。その中で、
特開平１０−９７９４６号公報では、内部導体を誘電体
に挟んだ対にすることが提案されている。
方法としてさまざまな検討がなされている。その中で、
特開平１０−９７９４６号公報では、内部導体を誘電体
に挟んだ対にすることが提案されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
１０−９７９４６号公報に開示の方法の場合、導体端縁
部への電界集中を避けることができず、低損失化に限界
があった。
１０−９７９４６号公報に開示の方法の場合、導体端縁
部への電界集中を避けることができず、低損失化に限界
があった。
【０００６】上記の課題に鑑み、本発明は、内部導体端
縁部への電解集中を緩和し、コンデンサの損失を小さく
することを目的とする。
縁部への電解集中を緩和し、コンデンサの損失を小さく
することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明は以下の構成とするものである。
め、本発明は以下の構成とするものである。
【０００８】すなわち、誘電体と前記誘電体に挟まれた
内部導体より少なくとも構成された積層コンデンサにお
いて、前記内部導体の端縁部周辺の前記誘電体中に、前
記誘電体より誘電率の低い低誘電率部を設けた積層コン
デンサとする。
内部導体より少なくとも構成された積層コンデンサにお
いて、前記内部導体の端縁部周辺の前記誘電体中に、前
記誘電体より誘電率の低い低誘電率部を設けた積層コン
デンサとする。
【０００９】また、誘電体と前記誘電体に挟まれた内部
導体より少なくとも構成された積層コンデンサにおい
て、前記内部導体の端縁部周辺の前記誘電体中に、中空
部を設けたこと積層コンデンサとする。
導体より少なくとも構成された積層コンデンサにおい
て、前記内部導体の端縁部周辺の前記誘電体中に、中空
部を設けたこと積層コンデンサとする。
【００１０】また、前記誘電体はセラミックスを主成分
とし、前記内部導体はＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、およびＰｄの
うちの少なくともひとつの金属を主成分とした積層コン
デンサとする。
とし、前記内部導体はＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、およびＰｄの
うちの少なくともひとつの金属を主成分とした積層コン
デンサとする。
【００１１】また、前記低誘電率部は酸化アルミニウ
ム、酸化マグネシウム、および酸化ケイ素のうちの少な
くともひとつを主成分とした積層コンデンサとする。
ム、酸化マグネシウム、および酸化ケイ素のうちの少な
くともひとつを主成分とした積層コンデンサとする。
【００１２】また、誘電体シートおよび内部導体を形成
した誘電体シートを積層し、焼成する積層コンデンサの
製造方法であって、前記内部導体を形成した誘電体シー
トの上方あるいは下方に積層される誘電体シート上の前
記内部導体の端縁部周辺の位置に、熱処理により分解・
蒸発する成分からなる中空部形成用ペーストを印刷して
中空部形成用シートを形成する工程と、前記中空部形成
用シートおよび前記内部導体を形成した誘電体シートを
含む複数の誘電体シートを積層、焼成し、前記中空部形
成ペーストを分解・蒸発させて中空部を形成する工程と
を含む積層コンデンサの製造方法とする。
した誘電体シートを積層し、焼成する積層コンデンサの
製造方法であって、前記内部導体を形成した誘電体シー
トの上方あるいは下方に積層される誘電体シート上の前
記内部導体の端縁部周辺の位置に、熱処理により分解・
蒸発する成分からなる中空部形成用ペーストを印刷して
中空部形成用シートを形成する工程と、前記中空部形成
用シートおよび前記内部導体を形成した誘電体シートを
含む複数の誘電体シートを積層、焼成し、前記中空部形
成ペーストを分解・蒸発させて中空部を形成する工程と
を含む積層コンデンサの製造方法とする。
【００１３】また、誘電体シートおよび内部導体を形成
した誘電体シートを積層し、焼成する積層コンデンサの
製造方法であって、前記内部導体を形成した誘電体シー
トの上方あるいは下方に積層される誘電体シート上の前
記内部導体の端縁部周辺の位置に、酸化アルミニウム、
酸化マグネシウム、および酸化ケイ素のうちの少なくと
もひとつを主成分とする低誘電率部形成用ペーストを印
刷して低誘電率部形成用シートを形成する工程と、前記
低誘電率部形成用シートおよび前記内部導体を形成した
誘電体シートを含む複数の誘電体シートを積層し、焼成
する工程とを含む積層コンデンサの製造方法とする。
した誘電体シートを積層し、焼成する積層コンデンサの
製造方法であって、前記内部導体を形成した誘電体シー
トの上方あるいは下方に積層される誘電体シート上の前
記内部導体の端縁部周辺の位置に、酸化アルミニウム、
酸化マグネシウム、および酸化ケイ素のうちの少なくと
もひとつを主成分とする低誘電率部形成用ペーストを印
刷して低誘電率部形成用シートを形成する工程と、前記
低誘電率部形成用シートおよび前記内部導体を形成した
誘電体シートを含む複数の誘電体シートを積層し、焼成
する工程とを含む積層コンデンサの製造方法とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【００１５】図１に、本発明の積層コンデンサを示す。
内部導体１は、誘電体３に挟まれており、内部導体１の
端縁部の近傍には、電界集中緩和部２が形成されてい
る。電界集中緩和部２は、中空部あるいは低誘電率材料
が充填された低誘電率部により構成することができる。
内部導体１は、素子の両端面において、交互に端子電極
４に接続されている。
内部導体１は、誘電体３に挟まれており、内部導体１の
端縁部の近傍には、電界集中緩和部２が形成されてい
る。電界集中緩和部２は、中空部あるいは低誘電率材料
が充填された低誘電率部により構成することができる。
内部導体１は、素子の両端面において、交互に端子電極
４に接続されている。
【００１６】内部導体１の層数は二層以上であればよ
く、特に限定されない。内部導体１の材質は、導電率の
高いＡｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｄ、あるいはそれらを主成分
とする合金が望ましいが、特に限定されない。ここで、
主成分とは、特性を支配できる成分を意味し、通常、全
成分に対して略５０ｗｔ％以上含まれる成分である。誘
電体３としては、セラミックスあるいは有機フィルムな
どが望ましいが、特に限定されない。セラミックスとし
ては、ＢａＴｉＯ3系、Ｂａ−Ｎｄ−Ｔｉ−Ｏ系、Ｐｂ
ペロブスカイト系、Ｂｉ−Ｎｂ−Ｏ系などが望ましい。
端子電極としては、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｇ−Ｐｔ、Ａｇ−Ｐ
ｄなどが望ましいが、特に限定されない。また、端子電
極の表面は、場合によりＮｉ、半田、スズ、金などでメ
ッキされる。
く、特に限定されない。内部導体１の材質は、導電率の
高いＡｇ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｄ、あるいはそれらを主成分
とする合金が望ましいが、特に限定されない。ここで、
主成分とは、特性を支配できる成分を意味し、通常、全
成分に対して略５０ｗｔ％以上含まれる成分である。誘
電体３としては、セラミックスあるいは有機フィルムな
どが望ましいが、特に限定されない。セラミックスとし
ては、ＢａＴｉＯ3系、Ｂａ−Ｎｄ−Ｔｉ−Ｏ系、Ｐｂ
ペロブスカイト系、Ｂｉ−Ｎｂ−Ｏ系などが望ましい。
端子電極としては、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｇ−Ｐｔ、Ａｇ−Ｐ
ｄなどが望ましいが、特に限定されない。また、端子電
極の表面は、場合によりＮｉ、半田、スズ、金などでメ
ッキされる。
【００１７】低誘電率部２を形成する材料としては、ア
ルミナ、フォルステライト、コージエライト、ガラス、
樹脂などを主成分とするものが望ましいが、比誘電率が
周辺の誘電体よりも低ければ種類を問わない。
ルミナ、フォルステライト、コージエライト、ガラス、
樹脂などを主成分とするものが望ましいが、比誘電率が
周辺の誘電体よりも低ければ種類を問わない。
【００１８】次に、図１のような構成の積層コンデンサ
を製造する方法について、実施の形態の一例を図２及び
図３を参照して説明する。図２は、各部を形成する素材
の準備状態を示す断面図、図３は製造の工程を示す工程
図である。
を製造する方法について、実施の形態の一例を図２及び
図３を参照して説明する。図２は、各部を形成する素材
の準備状態を示す断面図、図３は製造の工程を示す工程
図である。
【００１９】なお、電界集中緩和部２として中空部を形
成する場合、中空部形成用ペーストとしては、カーボン
ペースト、樹脂ペーストなどを用いるのが望ましい。低
誘電率部を形成する場合、前述の、アルミナ、フォルス
テライト、コージエライト、ガラスなどを主成分とする
ペーストを用いるのが望ましい。ペーストの印刷法はス
クリーン印刷、メタルマスク印刷、グラビアオフセット
印刷などが望ましい。
成する場合、中空部形成用ペーストとしては、カーボン
ペースト、樹脂ペーストなどを用いるのが望ましい。低
誘電率部を形成する場合、前述の、アルミナ、フォルス
テライト、コージエライト、ガラスなどを主成分とする
ペーストを用いるのが望ましい。ペーストの印刷法はス
クリーン印刷、メタルマスク印刷、グラビアオフセット
印刷などが望ましい。
【００２０】図２に示すように、誘電体セラミックスの
グリーンシート３ａを準備する（図３の工程３１）。グ
リーンシート３ａ上に、内部導体を形成するペースト１
ａを、スクリーン印刷法にて所定のパターンに印刷した
ものを４枚準備する（工程３２ａ）。同時に、電界集中
緩和部２を形成するペースト２ａを、スクリーン印刷法
にて所定のパターンに印刷した誘電体グリーンシートを
６枚準備する（工程３２ｂ）。
グリーンシート３ａを準備する（図３の工程３１）。グ
リーンシート３ａ上に、内部導体を形成するペースト１
ａを、スクリーン印刷法にて所定のパターンに印刷した
ものを４枚準備する（工程３２ａ）。同時に、電界集中
緩和部２を形成するペースト２ａを、スクリーン印刷法
にて所定のパターンに印刷した誘電体グリーンシートを
６枚準備する（工程３２ｂ）。
【００２１】次に、これらのグリーンシートを、素子断
面が、図１のようになるように重ねて、加圧し、個片に
切断する（工程３３）。次に、切断した素子を焼成する
（工程３４）。次に、素子の両端面に端子電極形成用の
ペーストを塗布し、焼成する（工程３５）。
面が、図１のようになるように重ねて、加圧し、個片に
切断する（工程３３）。次に、切断した素子を焼成する
（工程３４）。次に、素子の両端面に端子電極形成用の
ペーストを塗布し、焼成する（工程３５）。
【００２２】
【実施例】誘電体としては、Ｂｉ−Ｃａ−Ｎｂ−Ｏ系セ
ラミックス（比誘電率５７）を用いた。誘電体セラミッ
クスのグリーンシート上に、内部導体として種々のペー
ストを、スクリーン印刷法にて所定のパターンに印刷し
たものを、４枚準備した。
ラミックス（比誘電率５７）を用いた。誘電体セラミッ
クスのグリーンシート上に、内部導体として種々のペー
ストを、スクリーン印刷法にて所定のパターンに印刷し
たものを、４枚準備した。
【００２３】電界集中緩和部として低誘電率部を形成す
る場合はアルミナペーストあるいはマグネシアペースト
を、中空部を形成する場合はカーボンペーストを、スク
リーン印刷法にて所定のパターンに印刷した誘電体グリ
ーンシートを６枚準備した。
る場合はアルミナペーストあるいはマグネシアペースト
を、中空部を形成する場合はカーボンペーストを、スク
リーン印刷法にて所定のパターンに印刷した誘電体グリ
ーンシートを６枚準備した。
【００２４】これらのグリーンシートを、素子断面が、
図１のようになるように重ねて、加圧し、個片に切断し
た。切断した素子をジルコニア製のさやに並べ、焼成し
た。焼成温度は９００℃とした。素子の両端面にＡｇペ
ーストを塗布し、８５０℃で焼き付けた。素子の大きさ
は、１．６×０．８×０．５ｍｍとした。１ＧＨｚでの
容量とＱ値をインピーダンス・アナライザにより測定し
た。比較例として、低誘電率部および中空部を形成しな
いものも作成した。結果を表１に示す。
図１のようになるように重ねて、加圧し、個片に切断し
た。切断した素子をジルコニア製のさやに並べ、焼成し
た。焼成温度は９００℃とした。素子の両端面にＡｇペ
ーストを塗布し、８５０℃で焼き付けた。素子の大きさ
は、１．６×０．８×０．５ｍｍとした。１ＧＨｚでの
容量とＱ値をインピーダンス・アナライザにより測定し
た。比較例として、低誘電率部および中空部を形成しな
いものも作成した。結果を表１に示す。
【００２５】
【表１】
【００２６】表１から、本発明の積層コンデンサは従来
の構造のものより、高いＱ値を有することがわかる。
の構造のものより、高いＱ値を有することがわかる。
【００２７】
【発明の効果】本発明の積層コンデンサよれば、内部導
体の端縁部周辺に中空部あるいは低誘電率部が形成され
ているため、内部導体端縁部への電界集中を緩和でき、
高周波での損失を低減できる。
体の端縁部周辺に中空部あるいは低誘電率部が形成され
ているため、内部導体端縁部への電界集中を緩和でき、
高周波での損失を低減できる。
【図１】 本発明の一実施形態における積層コンデンサ
の断面図
の断面図
【図２】 図１の積層コンデンサの製造工程における各
部を形成する素材の準備状態を示す断面図
部を形成する素材の準備状態を示す断面図
【図３】 図１の積層コンデンサの製造の工程を示す工
程図
程図
１ 内部導体 ２ 電界集中緩和部 ３ 誘電体 ４ 端子電極
Claims (6)
- 【請求項１】 誘電体と前記誘電体に挟まれた内部導体
とを備えた積層コンデンサにおいて、前記内部導体の端
縁部近傍の前記誘電体中に、前記誘電体より誘電率の低
い低誘電率部を設けたことを特徴とする積層コンデン
サ。 - 【請求項２】 誘電体と前記誘電体に挟まれた内部導体
とを備えた積層コンデンサにおいて、前記内部導体の端
縁部周辺の前記誘電体中に、中空部を設けたことを特徴
とする積層コンデンサ。 - 【請求項３】 前記誘電体はセラミックスを主成分と
し、前記内部導体はＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、およびＰｄのう
ちの少なくとも一種の金属を主成分とする請求項１ある
いは２記載の積層コンデンサ。 - 【請求項４】 前記低誘電率部は、酸化アルミニウム、
酸化マグネシウム、および酸化ケイ素のうちの少なくと
も一種を主成分とする請求項１記載の積層コンデンサ。 - 【請求項５】 誘電体シートおよび内部導体を形成した
誘電体シートを積層し、焼成する積層コンデンサの製造
方法であって、前記内部導体を形成した誘電体シートの
上方あるいは下方に積層される誘電体シート上の前記内
部導体の端縁部近傍に、熱処理により分解・蒸発する成
分からなる中空部形成用ペーストを印刷して中空部形成
用シートを形成する工程と、前記中空部形成用シートお
よび前記内部導体を形成した誘電体シートを含む複数の
誘電体シートを積層、焼成し、前記中空部形成ペースト
を分解・蒸発させて中空部を形成する工程とを含む積層
コンデンサの製造方法。 - 【請求項６】 誘電体シートおよび内部導体を形成した
誘電体シートを積層し、焼成する積層コンデンサの製造
方法であって、前記内部導体を形成した誘電体シートの
上方あるいは下方に積層される誘電体シート上の前記内
部導体の端縁部近傍に、酸化アルミニウム、酸化マグネ
シウム、および酸化ケイ素のうちの少なくとも一種を主
成分とする低誘電率部形成用ペーストを印刷して低誘電
率部形成用シートを形成する工程と、前記低誘電率部形
成用シートおよび前記内部導体を形成した誘電体シート
を含む複数の誘電体シートを積層し、焼成する工程とを
含む積層コンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11144689A JP2000331872A (ja) | 1999-05-25 | 1999-05-25 | 積層コンデンサおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11144689A JP2000331872A (ja) | 1999-05-25 | 1999-05-25 | 積層コンデンサおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000331872A true JP2000331872A (ja) | 2000-11-30 |
Family
ID=15367982
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11144689A Pending JP2000331872A (ja) | 1999-05-25 | 1999-05-25 | 積層コンデンサおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000331872A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108630651A (zh) * | 2017-03-20 | 2018-10-09 | 格芯公司 | 具有浮岛的片上电容器 |
| JP2019176025A (ja) * | 2018-03-28 | 2019-10-10 | Tdk株式会社 | 積層型電子部品の製造方法 |
| JP7360827B2 (ja) | 2019-07-01 | 2023-10-13 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサ及びその製造方法 |
-
1999
- 1999-05-25 JP JP11144689A patent/JP2000331872A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108630651A (zh) * | 2017-03-20 | 2018-10-09 | 格芯公司 | 具有浮岛的片上电容器 |
| CN108630651B (zh) * | 2017-03-20 | 2021-12-17 | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 | 具有浮岛的片上电容器 |
| JP2019176025A (ja) * | 2018-03-28 | 2019-10-10 | Tdk株式会社 | 積層型電子部品の製造方法 |
| JP6996388B2 (ja) | 2018-03-28 | 2022-01-17 | Tdk株式会社 | 積層型電子部品の製造方法 |
| JP7360827B2 (ja) | 2019-07-01 | 2023-10-13 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサ及びその製造方法 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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