JPH04280496A - コンデンサ内蔵セラミック多層回路基板及びその製造方法 - Google Patents
コンデンサ内蔵セラミック多層回路基板及びその製造方法Info
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- JPH04280496A JPH04280496A JP3069021A JP6902191A JPH04280496A JP H04280496 A JPH04280496 A JP H04280496A JP 3069021 A JP3069021 A JP 3069021A JP 6902191 A JP6902191 A JP 6902191A JP H04280496 A JPH04280496 A JP H04280496A
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Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，容量の大きいコンデン
サを内蔵し，セラミック誘電体層とセラミック絶縁体層
との同時焼成が可能な，コンデンサ内蔵セラミック多層
回路基板及びその製造方法に関する。
サを内蔵し，セラミック誘電体層とセラミック絶縁体層
との同時焼成が可能な，コンデンサ内蔵セラミック多層
回路基板及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来技術】近年，ＬＳＩを搭載するためのセラミック
多層回路基板（パッケージ）においては，回路基板を構
成するセラミック材料の誘電率を活用して，内部のコン
デンサを形成したコンデンサ内蔵セラミック多層回路基
板の要求が強まっている。そこで，例えばセラミック誘
電体層と電極とからなるコンデンサを，セラミック絶縁
体層間に積層した，コンデンサ内蔵セラミック多層回路
基板として用いることが多い（図１参照）。上記セラミ
ック絶縁体層及びセラミック誘電体層は，一般に高純度
のアルミナ系材料が用いられている。また，上記電極は
，タングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ）などにより
形成されている。
多層回路基板（パッケージ）においては，回路基板を構
成するセラミック材料の誘電率を活用して，内部のコン
デンサを形成したコンデンサ内蔵セラミック多層回路基
板の要求が強まっている。そこで，例えばセラミック誘
電体層と電極とからなるコンデンサを，セラミック絶縁
体層間に積層した，コンデンサ内蔵セラミック多層回路
基板として用いることが多い（図１参照）。上記セラミ
ック絶縁体層及びセラミック誘電体層は，一般に高純度
のアルミナ系材料が用いられている。また，上記電極は
，タングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ）などにより
形成されている。
【０００３】
【解決しようとする課題】しかしがら，上記従来技術に
おいては，次のような問題点がある。即ち，高品位のＬ
ＳＩ搭載用基板（パッケージ）としては，上記コンデン
サの容量が，未だ不充分である。即ち，上記コンデンサ
の容量は，主として上記セラミック誘電体層の誘電率（
ε）によって定まる。しかし，上記アルミナ系材料は，
誘電率が約９程度であることから，アルミナを誘電体層
とした場合のコンデンサ容量は比較的小さなものとなる
。そこで，コンデンサの容量を大きくする第１の方法と
して，上記セラミック誘電体層の厚みを出来るだけ薄く
することが考えられる。しかし，この方法によれば，セ
ラミック誘電体層の厚みを３０μｍ以下にすると，その
絶縁耐圧特性が低下してしまう。
おいては，次のような問題点がある。即ち，高品位のＬ
ＳＩ搭載用基板（パッケージ）としては，上記コンデン
サの容量が，未だ不充分である。即ち，上記コンデンサ
の容量は，主として上記セラミック誘電体層の誘電率（
ε）によって定まる。しかし，上記アルミナ系材料は，
誘電率が約９程度であることから，アルミナを誘電体層
とした場合のコンデンサ容量は比較的小さなものとなる
。そこで，コンデンサの容量を大きくする第１の方法と
して，上記セラミック誘電体層の厚みを出来るだけ薄く
することが考えられる。しかし，この方法によれば，セ
ラミック誘電体層の厚みを３０μｍ以下にすると，その
絶縁耐圧特性が低下してしまう。
【０００４】一方，コンデンサの容量を大きくする第２
の方法としては，上記セラミック誘電体層の材料を，高
誘電率材料に変更することが考えられる。しかし，アル
ミナと同時焼成できる適当な材料がなく問題となってい
た。そこで，発明者らは，約１６００℃という，アルミ
ナと同等かそれ以上の高温で焼成可能なセラミック材料
の中で，比較的誘導率の高い炭化珪素（ε≒４０）を誘
電体層として用いることを検討した。しかし，炭化珪素
は，２０００℃以上という極めて高い湿度で，しかも中
性雰囲気中において焼成しなければならない。そのため
，アルミナのグリーンシート間に直接炭化珪素のグリー
ンシートを積層し，同時焼成することができないという
，問題点があった。本発明は，かかる従来の問題点に鑑
みてなされたもので，容量の大きいコンデンサを内蔵し
，炭化珪素とアルミナとの同時焼成が可能な，コンデン
サ内蔵セラミック多層回路基板及びその製造方法を提供
しようとするものである。
の方法としては，上記セラミック誘電体層の材料を，高
誘電率材料に変更することが考えられる。しかし，アル
ミナと同時焼成できる適当な材料がなく問題となってい
た。そこで，発明者らは，約１６００℃という，アルミ
ナと同等かそれ以上の高温で焼成可能なセラミック材料
の中で，比較的誘導率の高い炭化珪素（ε≒４０）を誘
電体層として用いることを検討した。しかし，炭化珪素
は，２０００℃以上という極めて高い湿度で，しかも中
性雰囲気中において焼成しなければならない。そのため
，アルミナのグリーンシート間に直接炭化珪素のグリー
ンシートを積層し，同時焼成することができないという
，問題点があった。本発明は，かかる従来の問題点に鑑
みてなされたもので，容量の大きいコンデンサを内蔵し
，炭化珪素とアルミナとの同時焼成が可能な，コンデン
サ内蔵セラミック多層回路基板及びその製造方法を提供
しようとするものである。
【０００５】
【課題の解決手段】本発明は，複数のセラミック絶縁体
層を積層すると共にその間に上記セラミック絶縁体層よ
りも誘電率の大きいセラミック誘電体層と電極とからな
る，コンデンサを内蔵したセラミック多層回路基板にお
いて，上記セラミック絶縁体層はアルミナ系材料よりな
り，また上記セラミック誘電体層は炭化珪素とガラスと
アルミナとの混合材料よりなることを特徴とするコンデ
ンサ内蔵セラミック多層回路基板にある。上記セラミッ
ク絶縁体層は，アルミナ系材料よりなり，複数層形成す
る。また，アルミナ系材料としては，例えばα−Ａｌ２
Ｏ３ を９０％以上含有するものが用いられる。
層を積層すると共にその間に上記セラミック絶縁体層よ
りも誘電率の大きいセラミック誘電体層と電極とからな
る，コンデンサを内蔵したセラミック多層回路基板にお
いて，上記セラミック絶縁体層はアルミナ系材料よりな
り，また上記セラミック誘電体層は炭化珪素とガラスと
アルミナとの混合材料よりなることを特徴とするコンデ
ンサ内蔵セラミック多層回路基板にある。上記セラミッ
ク絶縁体層は，アルミナ系材料よりなり，複数層形成す
る。また，アルミナ系材料としては，例えばα−Ａｌ２
Ｏ３ を９０％以上含有するものが用いられる。
【０００６】上記コンデンサは，上記セラミック絶縁体
層間に，セラミック誘電体層と電極とを交互に積層して
１層以上形成する（図１参照）。上記セラミック誘電体
層は，炭化珪素とガラスとアルミナとの混合材料よりな
る。また，上記炭化珪素としては，例えばＡｌ２ Ｏ３
・ＭｇＯ・ＳｉＯ２ 系の高融点のガラスを，炭化珪
素（ＳｉＣ）粉末の表面に，予めコーティングしたもの
を用いる。そのため，上記混合材料としては，例えば上
記高融点のガラスを被覆（コート）したＳｉＣ粉末と，
α−Ａｌ２ Ｏ３ 粉末との混合物を用いる。 上記
電極は，タングステンやモリブデンが一般にも用いられ
，例えばタングステン（Ｗ）の微粉末を含有するペース
トを印刷して，その後焼成することにより形成する。
層間に，セラミック誘電体層と電極とを交互に積層して
１層以上形成する（図１参照）。上記セラミック誘電体
層は，炭化珪素とガラスとアルミナとの混合材料よりな
る。また，上記炭化珪素としては，例えばＡｌ２ Ｏ３
・ＭｇＯ・ＳｉＯ２ 系の高融点のガラスを，炭化珪
素（ＳｉＣ）粉末の表面に，予めコーティングしたもの
を用いる。そのため，上記混合材料としては，例えば上
記高融点のガラスを被覆（コート）したＳｉＣ粉末と，
α−Ａｌ２ Ｏ３ 粉末との混合物を用いる。 上記
電極は，タングステンやモリブデンが一般にも用いられ
，例えばタングステン（Ｗ）の微粉末を含有するペース
トを印刷して，その後焼成することにより形成する。
【０００７】また，上記コンデンサ内蔵セラミック多層
回路基板を製造する方法としては，次の方法がある。即
ち，アルミナ系材料からなる第１のグリーンシートを準
備すると共に，予めガラスをコートした炭化珪素とアル
ミナとの混合材料からなる第２のグリーンシートを準備
し，該第２のグリーンシートに電極を形成し，上記第１
のグリーンシートの間に上記第２のグリーンシートを１
層以上積層し，その後両グリーンシートを熱圧着し，そ
の後還元性雰囲気中で同時焼成することを特徴とするコ
ンデンサ内蔵セラミック多層回路基板の製造方法である
。
回路基板を製造する方法としては，次の方法がある。即
ち，アルミナ系材料からなる第１のグリーンシートを準
備すると共に，予めガラスをコートした炭化珪素とアル
ミナとの混合材料からなる第２のグリーンシートを準備
し，該第２のグリーンシートに電極を形成し，上記第１
のグリーンシートの間に上記第２のグリーンシートを１
層以上積層し，その後両グリーンシートを熱圧着し，そ
の後還元性雰囲気中で同時焼成することを特徴とするコ
ンデンサ内蔵セラミック多層回路基板の製造方法である
。
【０００８】上記第１及び第２のグリーンシートは，例
えばドクターブレード法により，第１のグリーンシート
は厚み０．１〜１．０ｍｍ，第２のグリーンシートは厚
み５０μｍに成形する。そして，上記電極を表面に形成
した第２のグリーンシートを複数枚積層し，その上下両
面に第１のグリーンシートを積層する。次いで，還元性
雰囲気中において，例えば１４００〜１６５０℃で，同
時焼成する。
えばドクターブレード法により，第１のグリーンシート
は厚み０．１〜１．０ｍｍ，第２のグリーンシートは厚
み５０μｍに成形する。そして，上記電極を表面に形成
した第２のグリーンシートを複数枚積層し，その上下両
面に第１のグリーンシートを積層する。次いで，還元性
雰囲気中において，例えば１４００〜１６５０℃で，同
時焼成する。
【０００９】
【作用及び効果】本発明のコンデンサ内蔵セラミック多
層回路基板においては，コンデンサを形成するセラミッ
ク誘電体層として，炭化珪素とガラスとアルミナとより
成る混合材料を用いている。そして，上記炭化珪素は，
誘電率がアルミナ系材料の約４倍の高誘電材料である。 即ち，炭化珪素の誘電率は約４０であるのに対し，アル
ミナ系材料の誘電率は約９である。
層回路基板においては，コンデンサを形成するセラミッ
ク誘電体層として，炭化珪素とガラスとアルミナとより
成る混合材料を用いている。そして，上記炭化珪素は，
誘電率がアルミナ系材料の約４倍の高誘電材料である。 即ち，炭化珪素の誘電率は約４０であるのに対し，アル
ミナ系材料の誘電率は約９である。
【００１０】そのため，上記炭化珪素とガラスとアルミ
ナとの混合材料よりなるセラミック誘電体層は，従来の
アルミナ系材料単体からなるセラミック誘電体層よりも
，誘電率がおおよそ倍増することになる。したがって，
本発明によれば，アルミナと同時焼成が可能で，しかも
容量の大きいコンデンサを内蔵したセラミック多層回路
基板を提供することができる。また，上記製造方法の発
明においては，炭化珪素をガラスにより，予めコートし
ているため，通常のアルミナ製回路基板を焼成する，微
量水分を含む還元性雰囲気中においても，炭化珪素が酸
化することなく，両グリーンシートを一体的に容易に焼
結することができる。
ナとの混合材料よりなるセラミック誘電体層は，従来の
アルミナ系材料単体からなるセラミック誘電体層よりも
，誘電率がおおよそ倍増することになる。したがって，
本発明によれば，アルミナと同時焼成が可能で，しかも
容量の大きいコンデンサを内蔵したセラミック多層回路
基板を提供することができる。また，上記製造方法の発
明においては，炭化珪素をガラスにより，予めコートし
ているため，通常のアルミナ製回路基板を焼成する，微
量水分を含む還元性雰囲気中においても，炭化珪素が酸
化することなく，両グリーンシートを一体的に容易に焼
結することができる。
【００１１】即ち，上記炭化珪素は，これを単体で焼成
するには，前記のごとく，中性雰囲気下で２０００℃以
上の焼成温度を必要とする。これに対し，本発明では，
約１６００℃で焼成することができる。そのため，誘電
率の大きい炭化珪素を用いた第２のグリーンシートと，
アルミナ系材料よりなる第１のグリーンシートとを，容
易に一体的に同時焼成することが可能となる。したがっ
て，上記製造方法によれば，上記のごとき優れた効果を
有する，コンデンサ内蔵セラミック多層回路基板を容易
に得ることができる。
するには，前記のごとく，中性雰囲気下で２０００℃以
上の焼成温度を必要とする。これに対し，本発明では，
約１６００℃で焼成することができる。そのため，誘電
率の大きい炭化珪素を用いた第２のグリーンシートと，
アルミナ系材料よりなる第１のグリーンシートとを，容
易に一体的に同時焼成することが可能となる。したがっ
て，上記製造方法によれば，上記のごとき優れた効果を
有する，コンデンサ内蔵セラミック多層回路基板を容易
に得ることができる。
【００１２】
【実施例】実施例１
本発明の実施例にかかるコンデンサ内蔵セラミック多層
回路基板につき，図１を用いて説明する。即ち，本例の
コンデンサ内蔵セラミック多層回路基板は，上部に３層
下部に１層のセラミック絶縁体層２を積層すると共に，
その間に４層のコンデンサ１を内蔵したものである。ま
た，該コンデンサ１の各層は上記セラミック絶縁体層２
よりも誘電率の大きいセラミック誘電体層１１と電極１
２とからなる。そして，上記セラミック絶縁体層２はア
ルミナ系材料よりなり，また上記セラミック誘電体層１
１は炭化珪素とガラスとアルミナとの混合材料よりなり
，また上記電極１２はタングステン系材料よりなる。
回路基板につき，図１を用いて説明する。即ち，本例の
コンデンサ内蔵セラミック多層回路基板は，上部に３層
下部に１層のセラミック絶縁体層２を積層すると共に，
その間に４層のコンデンサ１を内蔵したものである。ま
た，該コンデンサ１の各層は上記セラミック絶縁体層２
よりも誘電率の大きいセラミック誘電体層１１と電極１
２とからなる。そして，上記セラミック絶縁体層２はア
ルミナ系材料よりなり，また上記セラミック誘電体層１
１は炭化珪素とガラスとアルミナとの混合材料よりなり
，また上記電極１２はタングステン系材料よりなる。
【００１３】上記セラミック誘電体層１１は，平均厚み
が約５０μｍの平板状のグリーンシート上に，電極１２
をスクリーン印刷し形成してある。即ち，上記電極１２
は，タングステン系材料粉末を含有するペーストを用い
て，スクリーン印刷により形成し，これを上記セラミッ
ク絶縁体層及びセラミック誘電体層と同時焼成したもの
である。そして，上記電極１２を形成したセラミック誘
電体層１１を，上記セラミック絶縁体層２中に４枚積層
して上記コンデンサ１を形成してある。また，上方側に
積層したセラミック絶縁体層２の表面には，導体回路５
のパターンが形成してある。該導体回路５もタングステ
ン（Ｗ）粉末を含有するペーストを用いて，スクリーン
印刷により形成してある。
が約５０μｍの平板状のグリーンシート上に，電極１２
をスクリーン印刷し形成してある。即ち，上記電極１２
は，タングステン系材料粉末を含有するペーストを用い
て，スクリーン印刷により形成し，これを上記セラミッ
ク絶縁体層及びセラミック誘電体層と同時焼成したもの
である。そして，上記電極１２を形成したセラミック誘
電体層１１を，上記セラミック絶縁体層２中に４枚積層
して上記コンデンサ１を形成してある。また，上方側に
積層したセラミック絶縁体層２の表面には，導体回路５
のパターンが形成してある。該導体回路５もタングステ
ン（Ｗ）粉末を含有するペーストを用いて，スクリーン
印刷により形成してある。
【００１４】そして，上記セラミック絶縁体層２の間に
，セラミック誘電体層１１と電極１２とからなるコンデ
ンサ１を積層する。また，上記コンデンサ１とその上方
側に積層したセラミック絶縁体層２には導体を有するス
ルーホール４を有する。また，該スルーホール４は，入
出力用の外部端子６１と接続されている。また，上記コ
ンデンサ１の上方側のセラミック絶縁体層２には，半導
体チップ（ＬＳＩ）７を搭載するための凹部９を形成す
る。そして，該凹部９には，半導体チップ７を搭載する
。上記半導体チップ７は，ボンディングワイヤー８を介
して，上記導体回路５に接続する。
，セラミック誘電体層１１と電極１２とからなるコンデ
ンサ１を積層する。また，上記コンデンサ１とその上方
側に積層したセラミック絶縁体層２には導体を有するス
ルーホール４を有する。また，該スルーホール４は，入
出力用の外部端子６１と接続されている。また，上記コ
ンデンサ１の上方側のセラミック絶縁体層２には，半導
体チップ（ＬＳＩ）７を搭載するための凹部９を形成す
る。そして，該凹部９には，半導体チップ７を搭載する
。上記半導体チップ７は，ボンディングワイヤー８を介
して，上記導体回路５に接続する。
【００１５】次に，作用効果につき説明する。本例のコ
ンデンサ内蔵セラミック多層回路基板においては，コン
デンサ１を形成するセラミック誘電体層１１として，炭
化珪素とガラスとアルミナとよりなる混合材料を用いて
いる。そして，上記炭化珪素は，誘電率がアルミナ系材
料の約４倍の高誘電材料である。即ち，炭化珪素の誘電
率は約４０であるのに対し，アルミナ系材料の誘電率は
約９である。そのため，上記セラミック誘電体層１１は
，従来のアルミナ系材料からなるセラミック誘電体層に
比し，誘電率が約２０に倍増することになる。
ンデンサ内蔵セラミック多層回路基板においては，コン
デンサ１を形成するセラミック誘電体層１１として，炭
化珪素とガラスとアルミナとよりなる混合材料を用いて
いる。そして，上記炭化珪素は，誘電率がアルミナ系材
料の約４倍の高誘電材料である。即ち，炭化珪素の誘電
率は約４０であるのに対し，アルミナ系材料の誘電率は
約９である。そのため，上記セラミック誘電体層１１は
，従来のアルミナ系材料からなるセラミック誘電体層に
比し，誘電率が約２０に倍増することになる。
【００１６】実施例２
本例は，上記実施例１にかかるコンデンサ内蔵セラミッ
ク多層回路基板の製造方法を示すものである。なお，上
記図１を参照して説明する。即ち，まずアルミナ系材料
からなる第１のグリーンシートを準備する。次に，予め
ガラスをコートした炭化珪素とアルミナとの混合材料か
らなる第２のグリーンシートを準備する。次いで，上記
第２のグリーンシートの表面に，タングステン系材料か
らなる電極を形成する。そして，上記第１のグリーンシ
ートの間に，上記第２のグリーンシートを４層積層する
。次いで，両グリーンシートを熱圧着し，その後還元性
雰囲気中約１６００℃で同時焼成する。
ク多層回路基板の製造方法を示すものである。なお，上
記図１を参照して説明する。即ち，まずアルミナ系材料
からなる第１のグリーンシートを準備する。次に，予め
ガラスをコートした炭化珪素とアルミナとの混合材料か
らなる第２のグリーンシートを準備する。次いで，上記
第２のグリーンシートの表面に，タングステン系材料か
らなる電極を形成する。そして，上記第１のグリーンシ
ートの間に，上記第２のグリーンシートを４層積層する
。次いで，両グリーンシートを熱圧着し，その後還元性
雰囲気中約１６００℃で同時焼成する。
【００１７】上記に関して，これを詳述すれば，まず図
１に示すごとく，セラミック誘電体層１１は上記第２の
グリーンシートにより形成する。該グリーンシートを作
成するに当たっては，厚みが約５０μｍの平板状のシー
ト基板を，ドクターブレード法により成形する。また，
該グリーンシートの材料は，予めガラスをコートした炭
化珪素とアルミナとを，略等量づつ混合した混合材料で
ある。また，Ａｌ２ Ｏ３ ・ＭｇＯ・ＳｉＯ２ 系の
高融点ガラスとＳｉＣ粉末との混合物を中性雰囲気中の
約１５００℃で焼成してガラス化した後，粉砕すること
によって，ガラスコートしたＳｉＣ粉末を調整する。次
に，上記のガラスコートした炭化珪素５０重量部と，ア
ルミナ５０重量部とを混合して，第２のグリーンシート
の構成材料である混合材料を得る。
１に示すごとく，セラミック誘電体層１１は上記第２の
グリーンシートにより形成する。該グリーンシートを作
成するに当たっては，厚みが約５０μｍの平板状のシー
ト基板を，ドクターブレード法により成形する。また，
該グリーンシートの材料は，予めガラスをコートした炭
化珪素とアルミナとを，略等量づつ混合した混合材料で
ある。また，Ａｌ２ Ｏ３ ・ＭｇＯ・ＳｉＯ２ 系の
高融点ガラスとＳｉＣ粉末との混合物を中性雰囲気中の
約１５００℃で焼成してガラス化した後，粉砕すること
によって，ガラスコートしたＳｉＣ粉末を調整する。次
に，上記のガラスコートした炭化珪素５０重量部と，ア
ルミナ５０重量部とを混合して，第２のグリーンシート
の構成材料である混合材料を得る。
【００１８】そして，上記混合材料に有機バインダーと
溶剤等を混合し，ドクターブレード法により，第２のグ
リーンシートを作成する。次に，上記第２のグリーンシ
ートの表面には，図１に示すごとく，タングステン系材
料を用いて，スクリーン印刷法により電極１２を印刷す
る。この電極１２は，後述のごとく，第１及び第２のグ
リーンシートと同時焼成される時に，メタライズされて
強固な焼結物となる。
溶剤等を混合し，ドクターブレード法により，第２のグ
リーンシートを作成する。次に，上記第２のグリーンシ
ートの表面には，図１に示すごとく，タングステン系材
料を用いて，スクリーン印刷法により電極１２を印刷す
る。この電極１２は，後述のごとく，第１及び第２のグ
リーンシートと同時焼成される時に，メタライズされて
強固な焼結物となる。
【００１９】一方，セラミック絶縁体層２は，上記第１
のグリーンシートにより形成する。該グリーンシートを
作成するに当たっては，厚みが約０．５ｍｍの平板状の
基板を，ドクターブレード法により形成する。また，上
記第１のグリーンシートは，アルミナ系材料を用いて形
成する。また，該第１のグリーンシートの表面には，Ｗ
ペーストを用いてスクリーン印刷法により，導体回路５
を形成する。そして，図１に示すごとく，上記第１のグ
リーンシートの間に，上記第２のグリーンシートを４層
積層し，これらを熱圧着する。また，上記第１のグリー
ンシートの上方側と第２のグリーンシートにはスルーホ
ール４を形成するための穴明けを行う。また，該スルー
ホール４の上方には，入出力用の外部端子６１を形成す
るためのターミナル部を形成する。
のグリーンシートにより形成する。該グリーンシートを
作成するに当たっては，厚みが約０．５ｍｍの平板状の
基板を，ドクターブレード法により形成する。また，上
記第１のグリーンシートは，アルミナ系材料を用いて形
成する。また，該第１のグリーンシートの表面には，Ｗ
ペーストを用いてスクリーン印刷法により，導体回路５
を形成する。そして，図１に示すごとく，上記第１のグ
リーンシートの間に，上記第２のグリーンシートを４層
積層し，これらを熱圧着する。また，上記第１のグリー
ンシートの上方側と第２のグリーンシートにはスルーホ
ール４を形成するための穴明けを行う。また，該スルー
ホール４の上方には，入出力用の外部端子６１を形成す
るためのターミナル部を形成する。
【００２０】その後，還元性雰囲気中で，第１及び第２
のグリーンシートの積層物を，約１６００℃で一体的に
同時焼成する。これにより，上記第１のグリーンシート
と第２のグリーンシートとを一体的に，かつ同時焼成し
て，図１に示すごとく，コンデンサ１を内蔵したＬＳＩ
パッケージとしてのコンデンサ内蔵セラミック多層回路
基板を得た。
のグリーンシートの積層物を，約１６００℃で一体的に
同時焼成する。これにより，上記第１のグリーンシート
と第２のグリーンシートとを一体的に，かつ同時焼成し
て，図１に示すごとく，コンデンサ１を内蔵したＬＳＩ
パッケージとしてのコンデンサ内蔵セラミック多層回路
基板を得た。
【００２１】次に，作用効果につき説明する。即ち，本
例においては，アルミナ系材料からなる第１のグリーン
シートと，予めガラスをコートした炭化珪素とアルミナ
との混合材料からなる第２のグリーンシートとを用いて
いる。そのため，炭化珪素を酸化させることなく，容易
に焼成することができる。即ち，上記炭化珪素は，これ
を単体で焼結するには，中性雰囲気で２０００℃以上の
極めて高い焼成温度を必要とする。そのため，炭化珪素
単体からなるセラミック誘電体層を，アルミナ系材料か
らなるセラミック絶縁体層で挟着したサンドイッチ構造
物を焼成することは困難であった。これに対し，本発明
では予めガラスをコートした炭化珪素とアルミナとの混
合材料からなる第２のグリーンシートを用いているので
約１６００℃という比較的低温で焼結することができる
。このように，本例の製造方法によれば，誘電率の大き
いコンデンサを内蔵し，セラミック誘電体層とセラミッ
ク絶縁体層との同時焼成が可能な，コンデンサ内蔵セラ
ミック多層回路基板を容易に得ることができる。
例においては，アルミナ系材料からなる第１のグリーン
シートと，予めガラスをコートした炭化珪素とアルミナ
との混合材料からなる第２のグリーンシートとを用いて
いる。そのため，炭化珪素を酸化させることなく，容易
に焼成することができる。即ち，上記炭化珪素は，これ
を単体で焼結するには，中性雰囲気で２０００℃以上の
極めて高い焼成温度を必要とする。そのため，炭化珪素
単体からなるセラミック誘電体層を，アルミナ系材料か
らなるセラミック絶縁体層で挟着したサンドイッチ構造
物を焼成することは困難であった。これに対し，本発明
では予めガラスをコートした炭化珪素とアルミナとの混
合材料からなる第２のグリーンシートを用いているので
約１６００℃という比較的低温で焼結することができる
。このように，本例の製造方法によれば，誘電率の大き
いコンデンサを内蔵し，セラミック誘電体層とセラミッ
ク絶縁体層との同時焼成が可能な，コンデンサ内蔵セラ
ミック多層回路基板を容易に得ることができる。
【図１】実施例１にかかるコンデンサ内蔵セラミック多
層回路基板の断面図。
層回路基板の断面図。
１．．．コンデンサ，
１１．．．セラミック誘電体層，
１２．．．電極，
２．．．セラミック絶縁体層，
４．．．スルーホール，
５．．．導体回路，
６１．．．外部端子，
Claims (2)
- 【請求項１】 複数のセラミック絶縁体層を積層する
と共にその間に上記セラミック絶縁体層よりも誘電率の
大きいセラミック誘電体層と電極とからなる，コンデン
サを内蔵したセラミック多層回路基板において，上記セ
ラミック絶縁体層はアルミナ系材料よりなり，また上記
セラミック誘電体層は炭化珪素とガラスとアルミナとの
混合材料よりなることを特徴とするコンデンサ内蔵セラ
ミック多層回路基板。 - 【請求項２】 アルミナ系材料からなる第１のグリー
ンシートを準備すると共に，予めガラスをコートした炭
化珪素とアルミナとの混合材料からなる第２のグリーン
シートを準備し，該第２のグリーンシートに電極を形成
し，上記第１のグリーンシートの間に上記第２のグリー
ンシートを１層以上積層し，その後両グリーンシートを
熱圧着し，その後還元性雰囲気中で同時焼成することを
特徴とするコンデンサ内蔵セラミック多層回路基板の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3069021A JPH04280496A (ja) | 1991-03-07 | 1991-03-07 | コンデンサ内蔵セラミック多層回路基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3069021A JPH04280496A (ja) | 1991-03-07 | 1991-03-07 | コンデンサ内蔵セラミック多層回路基板及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04280496A true JPH04280496A (ja) | 1992-10-06 |
Family
ID=13390516
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3069021A Pending JPH04280496A (ja) | 1991-03-07 | 1991-03-07 | コンデンサ内蔵セラミック多層回路基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04280496A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0725438A2 (en) * | 1995-02-02 | 1996-08-07 | Shinko Electric Industries Co. Ltd. | Capacitor built-in type substrate |
| EP0929207A3 (en) * | 1998-01-06 | 2000-03-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multi-layer ceramic substrate and method for producing the same |
| WO2015033704A1 (ja) * | 2013-09-05 | 2015-03-12 | 株式会社村田製作所 | コンデンサ内蔵電子部品 |
-
1991
- 1991-03-07 JP JP3069021A patent/JPH04280496A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0725438A2 (en) * | 1995-02-02 | 1996-08-07 | Shinko Electric Industries Co. Ltd. | Capacitor built-in type substrate |
| EP0725438A3 (en) * | 1995-02-02 | 1997-02-12 | Shinko Electric Ind Co | Built-in capacity substrate |
| EP0929207A3 (en) * | 1998-01-06 | 2000-03-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multi-layer ceramic substrate and method for producing the same |
| US6153290A (en) * | 1998-01-06 | 2000-11-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multi-layer ceramic substrate and method for producing the same |
| WO2015033704A1 (ja) * | 2013-09-05 | 2015-03-12 | 株式会社村田製作所 | コンデンサ内蔵電子部品 |
| JP5725268B1 (ja) * | 2013-09-05 | 2015-05-27 | 株式会社村田製作所 | コンデンサ内蔵電子部品 |
| US9668353B2 (en) | 2013-09-05 | 2017-05-30 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic component with built-in capacitor |
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