JP3498200B2 - 積層セラミック複合部品 - Google Patents
積層セラミック複合部品Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、積層セラミック複
合部品に関し、特に、異なるセラミックスを積層し、一
体化してなる積層セラミック複合部品に関する。
合部品に関し、特に、異なるセラミックスを積層し、一
体化してなる積層セラミック複合部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化の要請などによ
り、電子部品の複合化が進みつつある。これら複合部品
として、例えば、インダクタとコンデンサを組み合わせ
た積層型のＬＣフィルタがある。このＬＣフィルタは、
一般に以下のようにして作製されている。すなわち、コ
イル電極パターンを形成した磁性体グリーンシートを積
層して得た成形体と、容量電極パターンを形成した低誘
電率誘電体グリーンシートを積層して得た成形体とを重
ね合わせた後、焼成して、磁性体と低誘電率誘電体とが
一体化した焼結体を得る。その後、この焼結体のコイル
電極及び容量電極が露出した部分に、外部電極を焼き付
けしてＬＣフィルタを得る。そして、磁性体グリーンシ
ート、低誘電率誘電体グリーンシートを得るためのセラ
ミック材料としては、９５０℃以下で焼結可能なものが
使用される。これは、磁性体中に形成されるコイルの直
流抵抗を下げる目的で、低比抵抗の銀系の電極を使用す
るためであり、具体的には、磁性体材料としては湿式合
成法による共沈原料が、また低誘電率誘電体材料として
は出発原料粉末を仮焼して粉砕した原料にガラス成分を
添加したものが用いられる。
り、電子部品の複合化が進みつつある。これら複合部品
として、例えば、インダクタとコンデンサを組み合わせ
た積層型のＬＣフィルタがある。このＬＣフィルタは、
一般に以下のようにして作製されている。すなわち、コ
イル電極パターンを形成した磁性体グリーンシートを積
層して得た成形体と、容量電極パターンを形成した低誘
電率誘電体グリーンシートを積層して得た成形体とを重
ね合わせた後、焼成して、磁性体と低誘電率誘電体とが
一体化した焼結体を得る。その後、この焼結体のコイル
電極及び容量電極が露出した部分に、外部電極を焼き付
けしてＬＣフィルタを得る。そして、磁性体グリーンシ
ート、低誘電率誘電体グリーンシートを得るためのセラ
ミック材料としては、９５０℃以下で焼結可能なものが
使用される。これは、磁性体中に形成されるコイルの直
流抵抗を下げる目的で、低比抵抗の銀系の電極を使用す
るためであり、具体的には、磁性体材料としては湿式合
成法による共沈原料が、また低誘電率誘電体材料として
は出発原料粉末を仮焼して粉砕した原料にガラス成分を
添加したものが用いられる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た積層セラミック複合部品においては、湿式合成法によ
る共沈原料は粒子が細かく活性に富むため、出発原料粉
末を仮焼して粉砕した原料にガラス成分を添加したもの
と比較して焼成収縮率が著しく大きい。このため、イン
ダクタンスとなる成形体とコンデンサとなる成形体を互
いに重ね合わせて焼成した場合、この焼成収縮率の違い
により、焼結体に反りや剥がれが生じるという問題があ
った。
た積層セラミック複合部品においては、湿式合成法によ
る共沈原料は粒子が細かく活性に富むため、出発原料粉
末を仮焼して粉砕した原料にガラス成分を添加したもの
と比較して焼成収縮率が著しく大きい。このため、イン
ダクタンスとなる成形体とコンデンサとなる成形体を互
いに重ね合わせて焼成した場合、この焼成収縮率の違い
により、焼結体に反りや剥がれが生じるという問題があ
った。
【０００４】本発明は、このような問題点を解決するた
めになされたものであり、反りや割れがない積層セラミ
ック複合部品を提供することを目的とする。
めになされたものであり、反りや割れがない積層セラミ
ック複合部品を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上述の問題点を解決する
ため本発明の積層セラミック複合部品は、磁性体セラミ
ックス、高誘電率誘電体セラミックス及び低誘電率誘電
体セラミックスの中から選ばれた少なくとも２つのセラ
ミックスを積層して形成した積層体を、前記少なくとも
２つのセラミックスよりも小さい収縮率を有する絶縁体
セラミックスで挟み込んで一体化したことを特徴とす
る。
ため本発明の積層セラミック複合部品は、磁性体セラミ
ックス、高誘電率誘電体セラミックス及び低誘電率誘電
体セラミックスの中から選ばれた少なくとも２つのセラ
ミックスを積層して形成した積層体を、前記少なくとも
２つのセラミックスよりも小さい収縮率を有する絶縁体
セラミックスで挟み込んで一体化したことを特徴とす
る。
【０００６】また、前記積層体が、前記少なくとも２つ
のセラミックスを、前記絶縁体セラミックスを介して積
層することにより形成されることを特徴とする。
のセラミックスを、前記絶縁体セラミックスを介して積
層することにより形成されることを特徴とする。
【０００７】本発明の積層セラミック複合部品によれ
ば、少なくとも２つのセラミックスを積層して形成した
積層体を一体化する際に、それら積層体を構成する少な
くとも２つのセラミックスよりも小さい収縮率を有する
絶縁体セラミックスで挟み込んで加圧することにより一
体化するため、積層体を構成する少なくとも２つのセラ
ミックスの収縮率を、積層体を挟み込んだ絶縁体セラミ
ックスの収縮率と同等にすることができる。
ば、少なくとも２つのセラミックスを積層して形成した
積層体を一体化する際に、それら積層体を構成する少な
くとも２つのセラミックスよりも小さい収縮率を有する
絶縁体セラミックスで挟み込んで加圧することにより一
体化するため、積層体を構成する少なくとも２つのセラ
ミックスの収縮率を、積層体を挟み込んだ絶縁体セラミ
ックスの収縮率と同等にすることができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施例を説明する。図１に、本発明に係る積層セラミック
複合部品の第１の実施例の斜視図を示す。積層セラミッ
ク複合部品１０は、コンデンサ（図示せず）を内蔵した
低誘電率誘電体セラミックス１１と、コイル（図示せ
ず）を内蔵した磁性体セラミックス１２とからなる積層
体１３を、積層体１３を構成する低誘電率誘電体セラミ
ックス１１及び磁性体セラミックス１２よりも小さい収
縮率を有する絶縁体セラミックス１４、１４で挟み込ん
だ成形体１５を備える。そして、その成形体１５の側面
には、外部端子１６，１６とグランド端子１７とが設け
られる。
施例を説明する。図１に、本発明に係る積層セラミック
複合部品の第１の実施例の斜視図を示す。積層セラミッ
ク複合部品１０は、コンデンサ（図示せず）を内蔵した
低誘電率誘電体セラミックス１１と、コイル（図示せ
ず）を内蔵した磁性体セラミックス１２とからなる積層
体１３を、積層体１３を構成する低誘電率誘電体セラミ
ックス１１及び磁性体セラミックス１２よりも小さい収
縮率を有する絶縁体セラミックス１４、１４で挟み込ん
だ成形体１５を備える。そして、その成形体１５の側面
には、外部端子１６，１６とグランド端子１７とが設け
られる。
【０００９】図２及び図３を用いて、図１に示す積層セ
ラミック複合部品１０の製造方法を説明する。
ラミック複合部品１０の製造方法を説明する。
【００１０】まず、酸化バリウム、酸化アルミニウム、
シリカの粉末を主材料とし、ほう酸を添加して焼結温度
を９００℃前後にした低誘電率誘電体セラミックス材
料、及び酸化鉄、酸化ニオジウム、酸化亜鉛の粉末を主
材料とし、ガラスを添加して焼結温度を８５０〜９００
℃にした磁性体セラミックス材料に、バインダ、可塑剤
及び溶剤等を所定の割合で混練して、ドクターブレード
法などにより低誘電率誘電体セラミックスシート１１ａ
〜１１ｄ及び磁性体セラミックスシート１２ａ〜１２ｄ
を形成する。
シリカの粉末を主材料とし、ほう酸を添加して焼結温度
を９００℃前後にした低誘電率誘電体セラミックス材
料、及び酸化鉄、酸化ニオジウム、酸化亜鉛の粉末を主
材料とし、ガラスを添加して焼結温度を８５０〜９００
℃にした磁性体セラミックス材料に、バインダ、可塑剤
及び溶剤等を所定の割合で混練して、ドクターブレード
法などにより低誘電率誘電体セラミックスシート１１ａ
〜１１ｄ及び磁性体セラミックスシート１２ａ〜１２ｄ
を形成する。
【００１１】次いで、低誘電率誘電体セラミックスシー
ト１１ｂ〜１１ｄ及び磁性体セラミックスシート１２
ａ，１２ｂに、パンチング加工によりビアホールを形成
した後、そのビアホール内に銅、銀、銀／パラジウム、
タングステン、白金などからなるペースト状の導電材を
充填し、ビアホール電極１８を形成する。
ト１１ｂ〜１１ｄ及び磁性体セラミックスシート１２
ａ，１２ｂに、パンチング加工によりビアホールを形成
した後、そのビアホール内に銅、銀、銀／パラジウム、
タングステン、白金などからなるペースト状の導電材を
充填し、ビアホール電極１８を形成する。
【００１２】次いで、低誘電率誘電体セラミックスシー
ト１１ｂ，１１ｃ及び磁性体セラミックスシート１２
ｂ，１２ｃに、スクリーン印刷により銅、銀、銀／パラ
ジウム、タングステン、白金などからなるペースト状の
導電体を印刷して、コンデンサ電極１９、グランド電極
２０、コイル電極２１，２１及び引出電極２２，２２を
形成する。
ト１１ｂ，１１ｃ及び磁性体セラミックスシート１２
ｂ，１２ｃに、スクリーン印刷により銅、銀、銀／パラ
ジウム、タングステン、白金などからなるペースト状の
導電体を印刷して、コンデンサ電極１９、グランド電極
２０、コイル電極２１，２１及び引出電極２２，２２を
形成する。
【００１３】次いで、低誘電率誘電体セラミックスシー
ト１１ａ〜１１ｄ及び磁性体セラミックスシート１２ａ
〜１２ｄを積層して積層体１３を形成した後、その積層
体１３を、図３に示すように、低誘電率誘電体セラミッ
クスシート１１ａ〜１１ｄ及び磁性体セラミックスシー
ト１２ａ〜１２ｄよりも収縮率が小さいアルミナシート
からなる絶縁体セラミックス１４，１４を介して、セラ
ミック焼結体などからなるブロック２３で挟み込む。次
いで、ブロック２３により、積層体１３を両主面方向か
ら加圧し、９００℃程度の温度で一体焼結することによ
り成形体１５を得る。
ト１１ａ〜１１ｄ及び磁性体セラミックスシート１２ａ
〜１２ｄを積層して積層体１３を形成した後、その積層
体１３を、図３に示すように、低誘電率誘電体セラミッ
クスシート１１ａ〜１１ｄ及び磁性体セラミックスシー
ト１２ａ〜１２ｄよりも収縮率が小さいアルミナシート
からなる絶縁体セラミックス１４，１４を介して、セラ
ミック焼結体などからなるブロック２３で挟み込む。次
いで、ブロック２３により、積層体１３を両主面方向か
ら加圧し、９００℃程度の温度で一体焼結することによ
り成形体１５を得る。
【００１４】次いで、図示していないが、成形体１５の
側面に、引出電極２２に接続される外部端子１６，１
６、グランド電極２０に接続されるグランド端子１７を
形成することにより、積層セラミック複合部品１０が完
成する。
側面に、引出電極２２に接続される外部端子１６，１
６、グランド電極２０に接続されるグランド端子１７を
形成することにより、積層セラミック複合部品１０が完
成する。
【００１５】上述の構成を備えた１ｃｍ角の積層セラミ
ック複合部品１０において、ｘ，ｙ，ｚ方向（図１）の
収縮率を測定した結果、ｘ方向：２％、ｙ方向：２％、
ｚ方向：４０％で、反りは約１０μｍ程度であった。ま
た、−５５℃、＋８５℃、１０００サイクルの熱衝撃試
験では、１００個中すべてに割れは見られなかった。
ック複合部品１０において、ｘ，ｙ，ｚ方向（図１）の
収縮率を測定した結果、ｘ方向：２％、ｙ方向：２％、
ｚ方向：４０％で、反りは約１０μｍ程度であった。ま
た、−５５℃、＋８５℃、１０００サイクルの熱衝撃試
験では、１００個中すべてに割れは見られなかった。
【００１６】一方、従来の構成の１ｃｍ角の積層セラミ
ック複合部品５０では、ｘ，ｙ，ｚ方向の収縮率はそれ
ぞれ、ｘ方向：１６％、ｙ方向：１６％、ｚ方向：１６
％で、反りは約１００μｍであった。また、−５５℃、
＋８５℃、１０００サイクルの熱衝撃試験では、１００
個中３７個に低誘電率誘電体セラミックス層と磁性体セ
ラミックス層との界面から割れが生じた。
ック複合部品５０では、ｘ，ｙ，ｚ方向の収縮率はそれ
ぞれ、ｘ方向：１６％、ｙ方向：１６％、ｚ方向：１６
％で、反りは約１００μｍであった。また、−５５℃、
＋８５℃、１０００サイクルの熱衝撃試験では、１００
個中３７個に低誘電率誘電体セラミックス層と磁性体セ
ラミックス層との界面から割れが生じた。
【００１７】上述の第１の実施例によれば、低誘電率誘
電体セラミックス及び磁性体セラミックスを積層して形
成した積層体を一体化する際に、積層体を構成する低誘
電率誘電体セラミックス及び磁性体セラミックスよりも
小さい収縮率を有する絶縁体セラミックスで挟み込んで
加圧することにより一体化するため、積層体を構成する
低誘電率誘電体セラミックス及び磁性体セラミックスの
収縮率を、積層体を挟み込んだ絶縁体セラミックスの収
縮率と同等にすることができる。
電体セラミックス及び磁性体セラミックスを積層して形
成した積層体を一体化する際に、積層体を構成する低誘
電率誘電体セラミックス及び磁性体セラミックスよりも
小さい収縮率を有する絶縁体セラミックスで挟み込んで
加圧することにより一体化するため、積層体を構成する
低誘電率誘電体セラミックス及び磁性体セラミックスの
収縮率を、積層体を挟み込んだ絶縁体セラミックスの収
縮率と同等にすることができる。
【００１８】したがって、積層体を構成する低誘電率誘
電体セラミックス及び磁性体セラミックスの収縮率の違
いによる反りを抑えることができ、その結果、低誘電率
誘電体セラミックス及び磁性体セラミックスの界面での
割れを防止することができる。
電体セラミックス及び磁性体セラミックスの収縮率の違
いによる反りを抑えることができ、その結果、低誘電率
誘電体セラミックス及び磁性体セラミックスの界面での
割れを防止することができる。
【００１９】図４に、本発明に係る積層セラミック複合
部品の第２の実施例の斜視図を示す。積層セラミック複
合部品２０は、第１の実施例の積層セラミック複合部品
１０と比較してコンデンサ（図示せず）を内蔵した低誘
電率誘電体セラミックス１１と、コイル（図示せず）を
内蔵した磁性体セラミックス１２とが低誘電率誘電体セ
ラミックス１１及び磁性体セラミックス１２よりも小さ
い収縮率を有する絶縁体セラミックス１４を介して積層
されてなる積層体２１を備え、その積層体２１を絶縁体
セラミックス１４，１４で挟み込んだ成形体２２を備え
る点で異なる。
部品の第２の実施例の斜視図を示す。積層セラミック複
合部品２０は、第１の実施例の積層セラミック複合部品
１０と比較してコンデンサ（図示せず）を内蔵した低誘
電率誘電体セラミックス１１と、コイル（図示せず）を
内蔵した磁性体セラミックス１２とが低誘電率誘電体セ
ラミックス１１及び磁性体セラミックス１２よりも小さ
い収縮率を有する絶縁体セラミックス１４を介して積層
されてなる積層体２１を備え、その積層体２１を絶縁体
セラミックス１４，１４で挟み込んだ成形体２２を備え
る点で異なる。
【００２０】積層セラミック複合部品２０は、図１に示
す積層セラミック複合部品１０の製造方法（図２、図
３）と同様の方法で製造される。すなわち、図２におい
て、低誘電率誘電体セラミックスシート１１ｄと磁性体
セラミックスシート１２ａとの間に絶縁体セラミックス
１４を挿入すればよい。
す積層セラミック複合部品１０の製造方法（図２、図
３）と同様の方法で製造される。すなわち、図２におい
て、低誘電率誘電体セラミックスシート１１ｄと磁性体
セラミックスシート１２ａとの間に絶縁体セラミックス
１４を挿入すればよい。
【００２１】上述の構成を備えた１ｃｍ角の積層セラミ
ック複合部品２０において、ｘ，ｙ，ｚ方向（図１）の
収縮率を測定した結果、ｘ方向：１％、ｙ方向：１％、
ｚ方向：４０％で、反りは約１０μｍ程度であり、第１
の実施例の積層セラミック複合部品１０（図１）と比較
して、ｘ−ｙ方向、すなわち面方向の収縮率が約１％減
少している。
ック複合部品２０において、ｘ，ｙ，ｚ方向（図１）の
収縮率を測定した結果、ｘ方向：１％、ｙ方向：１％、
ｚ方向：４０％で、反りは約１０μｍ程度であり、第１
の実施例の積層セラミック複合部品１０（図１）と比較
して、ｘ−ｙ方向、すなわち面方向の収縮率が約１％減
少している。
【００２２】上述の第２の実施例によれば、低誘電率誘
電体セラミックスと磁性体セラミックスとを低誘電率誘
電体セラミックス及び磁性体セラミックスよりも小さい
収縮率を有する絶縁体セラミックスを介して積層して積
層体を形成しているため、低誘電率誘電体セラミックス
と磁性体セラミックスとの面方向の収縮率の差を、絶縁
体セラミックスに吸収させることができる。
電体セラミックスと磁性体セラミックスとを低誘電率誘
電体セラミックス及び磁性体セラミックスよりも小さい
収縮率を有する絶縁体セラミックスを介して積層して積
層体を形成しているため、低誘電率誘電体セラミックス
と磁性体セラミックスとの面方向の収縮率の差を、絶縁
体セラミックスに吸収させることができる。
【００２３】したがって、積層体を構成する低誘電率誘
電体セラミックス及び磁性体セラミックスの収縮率の違
いによる反りをより抑えることができ、その結果、低誘
電率誘電体セラミックス及び磁性体セラミックスの界面
での割れをさらに防止することができる。
電体セラミックス及び磁性体セラミックスの収縮率の違
いによる反りをより抑えることができ、その結果、低誘
電率誘電体セラミックス及び磁性体セラミックスの界面
での割れをさらに防止することができる。
【００２４】なお、上述の第１及び第２の実施例では、
積層セラミック複合部品が、磁性体セラミックスと低誘
電率誘電体セラミックスとからなる場合について説明し
たが、本発明はこれらのみに限定されるものではない。
すなわち、磁性体セラミックスと高誘電率誘電体セラミ
ックス、高誘電率誘電体セラミックスと低誘電率誘電体
セラミックス、磁性体セラミックスと高誘電率誘電体セ
ラミックスと低誘電率誘電体セラミックスとからなる場
合についても同様の効果が得られる。
積層セラミック複合部品が、磁性体セラミックスと低誘
電率誘電体セラミックスとからなる場合について説明し
たが、本発明はこれらのみに限定されるものではない。
すなわち、磁性体セラミックスと高誘電率誘電体セラミ
ックス、高誘電率誘電体セラミックスと低誘電率誘電体
セラミックス、磁性体セラミックスと高誘電率誘電体セ
ラミックスと低誘電率誘電体セラミックスとからなる場
合についても同様の効果が得られる。
【００２５】
【発明の効果】請求項１の積層セラミック複合部品によ
れば、少なくとも２つのセラミックスを積層して形成し
た積層体を一体化する際に、それら積層体を構成する少
なくとも２つのセラミックスよりも小さい収縮率を有す
る絶縁体セラミックスで挟み込んで加圧することにより
一体化するため、積層体を構成する少なくとも２つのセ
ラミックスの収縮率を、積層体を挟み込んだ絶縁体セラ
ミックスの収縮率と同等にすることができる。
れば、少なくとも２つのセラミックスを積層して形成し
た積層体を一体化する際に、それら積層体を構成する少
なくとも２つのセラミックスよりも小さい収縮率を有す
る絶縁体セラミックスで挟み込んで加圧することにより
一体化するため、積層体を構成する少なくとも２つのセ
ラミックスの収縮率を、積層体を挟み込んだ絶縁体セラ
ミックスの収縮率と同等にすることができる。
【００２６】したがって、積層体を構成する少なくとも
２つのセラミックスの収縮率の違いによる反りを抑える
ことができ、その結果、少なくとも２つのセラミックス
の界面での割れを防止することができる。
２つのセラミックスの収縮率の違いによる反りを抑える
ことができ、その結果、少なくとも２つのセラミックス
の界面での割れを防止することができる。
【００２７】請求項２の積層セラミック複合部品によれ
ば、少なくとも２つのセラミックスを、少なくとも２つ
のセラミックスよりも小さい収縮率を有する絶縁体セラ
ミックスを介して積層して積層体を形成しているため、
少なくとも２つのセラミックスの面方向の収縮率の差
を、絶縁体セラミックスに吸収させることができる。
ば、少なくとも２つのセラミックスを、少なくとも２つ
のセラミックスよりも小さい収縮率を有する絶縁体セラ
ミックスを介して積層して積層体を形成しているため、
少なくとも２つのセラミックスの面方向の収縮率の差
を、絶縁体セラミックスに吸収させることができる。
【００２８】したがって、積層体を構成する少なくとも
２つのセラミックスの収縮率の違いによる反りをより抑
えることができ、その結果、少なくとも２つのセラミッ
クスの界面での割れをさらに防止することができる。
２つのセラミックスの収縮率の違いによる反りをより抑
えることができ、その結果、少なくとも２つのセラミッ
クスの界面での割れをさらに防止することができる。
【図１】本発明の積層セラミック複合部品に係る第１の
実施例の斜視図である。
実施例の斜視図である。
【図２】図１の積層セラミック複合部品を構成する積層
体の分解斜視図である。
体の分解斜視図である。
【図３】図１の積層セラミック複合部品を構成する成形
体の製造方法を示す斜視図である。
体の製造方法を示す斜視図である。
【図４】本発明の積層セラミック複合部品に係る第２の
実施例の斜視図である。
実施例の斜視図である。
１０、２０ 積層セラミック複合部品
１１、１２ セラミックス（低誘電率誘電体セラミ
ックス、磁性体セラミックス） １３ 積層体 １４ 絶縁体セラミックス
ックス、磁性体セラミックス） １３ 積層体 １４ 絶縁体セラミックス
Claims (2)
- 【請求項１】 磁性体セラミックス、高誘電率誘電体セ
ラミックス及び低誘電率誘電体セラミックスの中から選
ばれた少なくとも２つのセラミックスを積層して形成し
た積層体を、前記少なくとも２つのセラミックスよりも
小さい収縮率を有する絶縁体セラミックスで挟み込んで
一体化したことを特徴とする積層セラミック複合部品。 - 【請求項２】 前記積層体が、前記少なくとも２つのセ
ラミックスを、前記絶縁体セラミックスを介して積層す
ることにより形成されることを特徴とする請求項１に記
載の積層セラミック複合部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21180397A JP3498200B2 (ja) | 1997-08-06 | 1997-08-06 | 積層セラミック複合部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21180397A JP3498200B2 (ja) | 1997-08-06 | 1997-08-06 | 積層セラミック複合部品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1155058A JPH1155058A (ja) | 1999-02-26 |
| JP3498200B2 true JP3498200B2 (ja) | 2004-02-16 |
Family
ID=16611870
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21180397A Expired - Lifetime JP3498200B2 (ja) | 1997-08-06 | 1997-08-06 | 積層セラミック複合部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3498200B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| ATE532188T1 (de) | 2001-02-23 | 2011-11-15 | Ibm | Verbindungen mit riesenmagnetwiderstand und spinpolarisiertem tunneln, ihre herstellung und verwendung |
| KR100471151B1 (ko) * | 2002-09-19 | 2005-03-10 | 삼성전기주식회사 | 적층형 ｌｃ 필터 |
| WO2008004557A1 (fr) | 2006-07-03 | 2008-01-10 | Hitachi Metals, Ltd. | Circuit en dérivation, circuit haute fréquence et module haute fréquence |
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1997
- 1997-08-06 JP JP21180397A patent/JP3498200B2/ja not_active Expired - Lifetime
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