JP2969237B2 - コンデンサー内蔵基板及びその製造方法 - Google Patents
コンデンサー内蔵基板及びその製造方法Info
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-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、コンデンサー内蔵基
板及びその製造方法に関するもので、コンデンサーとＩ
Ｃとが組み合わせられたコンデンサー付きＩＣパッケー
ジ等に好適に利用される。
板及びその製造方法に関するもので、コンデンサーとＩ
Ｃとが組み合わせられたコンデンサー付きＩＣパッケー
ジ等に好適に利用される。
【０００２】
【従来の技術】絶縁基板にコンデンサーを内蔵すること
ができれば、絶縁基板表面にチップコンデンサーを搭載
するものに比べて装置全体の占める体積が小さくなり、
装置の高密度化、小型化を達成することができる。ま
た、ＩＣを搭載する絶縁基板にあっては、ＩＣとコンデ
ンサー間の配線長が短くて済むので、低インダクタンス
となり、電源ノイズ、グランドノイズなどの低減効果が
大きくなる。従来、セラミック誘電体材料及びセラミッ
ク絶縁材料としては、チタン酸バリウム及びアルミナが
それぞれよく知られており、汎用されている。
ができれば、絶縁基板表面にチップコンデンサーを搭載
するものに比べて装置全体の占める体積が小さくなり、
装置の高密度化、小型化を達成することができる。ま
た、ＩＣを搭載する絶縁基板にあっては、ＩＣとコンデ
ンサー間の配線長が短くて済むので、低インダクタンス
となり、電源ノイズ、グランドノイズなどの低減効果が
大きくなる。従来、セラミック誘電体材料及びセラミッ
ク絶縁材料としては、チタン酸バリウム及びアルミナが
それぞれよく知られており、汎用されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、一般的なセラ
ミック誘電体材料、例えばチタン酸バリウムなどは、高
誘電率でありコンデンサーとしての機能はよいが、熱膨
張係数が８×１０-6／℃以上と半導体シリコン（ＩＣ）
よりかなり大きく、強度も６５０ｋｇ／ｃｍ2程度で決
して高くないため、ＩＣを搭載する絶縁基板との兼用に
は適さない。また、アルミナは、高強度ではあるもの
の、熱膨張係数が６〜８×１０-6／℃と大きいうえ、誘
電率が１０〜１４と低いため、これを誘電体層として用
いても小さい容量のコンデンサーしか得られない。従っ
て、熱膨張係数、強度及び誘電率の３特性を兼備する材
料は知られていなかった。
ミック誘電体材料、例えばチタン酸バリウムなどは、高
誘電率でありコンデンサーとしての機能はよいが、熱膨
張係数が８×１０-6／℃以上と半導体シリコン（ＩＣ）
よりかなり大きく、強度も６５０ｋｇ／ｃｍ2程度で決
して高くないため、ＩＣを搭載する絶縁基板との兼用に
は適さない。また、アルミナは、高強度ではあるもの
の、熱膨張係数が６〜８×１０-6／℃と大きいうえ、誘
電率が１０〜１４と低いため、これを誘電体層として用
いても小さい容量のコンデンサーしか得られない。従っ
て、熱膨張係数、強度及び誘電率の３特性を兼備する材
料は知られていなかった。
【０００４】本発明の目的は、このような状況におい
て、Ｓｉに近い熱膨張係数、高強度及び高誘電率の３特
性を兼備して、コンデンサーと絶縁基板との両機能を発
揮できるコンデンサー内蔵基板とその製造方法を提供す
ることにある。
て、Ｓｉに近い熱膨張係数、高強度及び高誘電率の３特
性を兼備して、コンデンサーと絶縁基板との両機能を発
揮できるコンデンサー内蔵基板とその製造方法を提供す
ることにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】その手段は、絶縁体中に
コンデンサーが一体的に内蔵されているものにおいて、
前記コンデンサーの誘電体層が炭化珪素ＳｉＣを１３〜
３０重量％含有する窒化珪素Ｓｉ3Ｎ4系セラミックスで
あることを特徴とするコンデンサー内蔵基板にある。
コンデンサーが一体的に内蔵されているものにおいて、
前記コンデンサーの誘電体層が炭化珪素ＳｉＣを１３〜
３０重量％含有する窒化珪素Ｓｉ3Ｎ4系セラミックスで
あることを特徴とするコンデンサー内蔵基板にある。
【０００６】また、このようなコンデンサー内蔵基板の
望ましい製造方法は、次の各工程を備えることを特徴と
する。 （ａ）絶縁性セラミックスを主成分とする絶縁体シート
を形成する工程。 （ｂ）炭化珪素ＳｉＣを１３〜３０重量％（以下、「重
量」を省く）と、残部窒化珪素Ｓｉ3Ｎ4及び焼結助剤を
含む秤量物を混合し、シート状に成形し、誘電体シート
を形成する工程。 （ｃ）前記絶縁体シート及び誘電体シートの少なくとも
いずれかに、メタライズインクを用いて電極パターンを
印刷する工程。 （ｄ）次いで少なくとも１枚の絶縁体シート及び少なく
とも１枚の誘電体シートを積層し、焼成して一体化する
工程。
望ましい製造方法は、次の各工程を備えることを特徴と
する。 （ａ）絶縁性セラミックスを主成分とする絶縁体シート
を形成する工程。 （ｂ）炭化珪素ＳｉＣを１３〜３０重量％（以下、「重
量」を省く）と、残部窒化珪素Ｓｉ3Ｎ4及び焼結助剤を
含む秤量物を混合し、シート状に成形し、誘電体シート
を形成する工程。 （ｃ）前記絶縁体シート及び誘電体シートの少なくとも
いずれかに、メタライズインクを用いて電極パターンを
印刷する工程。 （ｄ）次いで少なくとも１枚の絶縁体シート及び少なく
とも１枚の誘電体シートを積層し、焼成して一体化する
工程。
【０００７】ここで、炭化珪素ＳｉＣは、α型、β型い
ずれでもよい。窒化珪素Ｓｉ３Ｎ４系セラミックスと
は、アルミナ、イットリア、マグネシア等公知の焼結助
剤を炭化珪素よりも多くない量で含有する焼結体であっ
て、サイアロンでもよい。絶縁体シートの成分となるセ
ラミックスは、熱膨張係数が誘電体シートの焼結体のそ
れと近いものが望ましく、例えば窒化珪素を主成分と
し、副成分として焼結助剤のほかに焼結助剤機能を越え
る量のアルミナを含有させ熱膨張係数を調整したものが
挙げられる。
ずれでもよい。窒化珪素Ｓｉ３Ｎ４系セラミックスと
は、アルミナ、イットリア、マグネシア等公知の焼結助
剤を炭化珪素よりも多くない量で含有する焼結体であっ
て、サイアロンでもよい。絶縁体シートの成分となるセ
ラミックスは、熱膨張係数が誘電体シートの焼結体のそ
れと近いものが望ましく、例えば窒化珪素を主成分と
し、副成分として焼結助剤のほかに焼結助剤機能を越え
る量のアルミナを含有させ熱膨張係数を調整したものが
挙げられる。
【０００８】メタライズインクとは、例えば、Ｗ、Ｍ
ｏ、Ｍｎ等の高融点金属のペーストであり、特にＷペー
ストが好ましい。そして、このＷペーストは、焼成時に
シートあるいはペースト中に含まれる有機質バインダー
中のカーボンと反応してＷＣとして存在する。そして、
Ｗが窒化珪素と反応して熱膨張係数の高いＷ珪化物とな
るのを防止するためにＷＣとして存在させておくのが望
ましい。また、最初から炭化物ペースト叉は炭化物を含
有するペーストを用いてもよい。電極パターンの形状
は、特に限定されず、通常シートの主面のほぼ全面に印
刷される。
ｏ、Ｍｎ等の高融点金属のペーストであり、特にＷペー
ストが好ましい。そして、このＷペーストは、焼成時に
シートあるいはペースト中に含まれる有機質バインダー
中のカーボンと反応してＷＣとして存在する。そして、
Ｗが窒化珪素と反応して熱膨張係数の高いＷ珪化物とな
るのを防止するためにＷＣとして存在させておくのが望
ましい。また、最初から炭化物ペースト叉は炭化物を含
有するペーストを用いてもよい。電極パターンの形状
は、特に限定されず、通常シートの主面のほぼ全面に印
刷される。
【０００９】尚、絶縁体シート及び誘電体シートが複数
枚であって、電極パターンがシート間に多数形成されて
いる場合は、予めシートに貫通孔を打ち抜いておき、そ
こにメタライズインクを充填しておくことにより、焼成
後にシート間の電気的接続を図ることができる。
枚であって、電極パターンがシート間に多数形成されて
いる場合は、予めシートに貫通孔を打ち抜いておき、そ
こにメタライズインクを充填しておくことにより、焼成
後にシート間の電気的接続を図ることができる。
【００１０】
【作用】コンデンサーを構成するセラミックス中の窒化
珪素が、主として機械的強度を高める。また、炭化珪素
が、主として誘電率を高める。そして、窒化珪素と炭化
珪素とが熱膨張量を相殺し合って、全体の熱膨張率をＳ
ｉのそれに近いものとする。但し、炭化珪素含有量が１
３％に満たないと誘電率が誘電体層として機能するほど
十分高くならず、他方、３０％を越えると絶縁抵抗が１
０8Ωｍ未満となり、好ましくない。
珪素が、主として機械的強度を高める。また、炭化珪素
が、主として誘電率を高める。そして、窒化珪素と炭化
珪素とが熱膨張量を相殺し合って、全体の熱膨張率をＳ
ｉのそれに近いものとする。但し、炭化珪素含有量が１
３％に満たないと誘電率が誘電体層として機能するほど
十分高くならず、他方、３０％を越えると絶縁抵抗が１
０8Ωｍ未満となり、好ましくない。
【００１１】
【実施例】［誘電体層の特性評価］純度９９．９％、平
均粒径０．９μｍのβ型窒化珪素、純度９９．９％、平
均粒径２．１μｍの酸化イットリウム及び純度９９．９
％、平均粒径０．９μｍのβ型炭化珪素を表１に示す組
成割合で秤量し、ボールミルを用いてアセトン中で２４
時間混合し、乾燥造粒後、温度１７００℃、圧力２００
ｋｇ／ｃｍ2、保持時間３０分の条件でホットプレスす
ることによって、大きさ３５×３５×３．５ｍｍの焼結
体Ｎｏ．１〜８を製造した。
均粒径０．９μｍのβ型窒化珪素、純度９９．９％、平
均粒径２．１μｍの酸化イットリウム及び純度９９．９
％、平均粒径０．９μｍのβ型炭化珪素を表１に示す組
成割合で秤量し、ボールミルを用いてアセトン中で２４
時間混合し、乾燥造粒後、温度１７００℃、圧力２００
ｋｇ／ｃｍ2、保持時間３０分の条件でホットプレスす
ることによって、大きさ３５×３５×３．５ｍｍの焼結
体Ｎｏ．１〜８を製造した。
【００１２】
【表１】 これら焼結体の熱膨張係数、抗折強度、比誘電率及び絶
縁抵抗を測定した結果を表２に示す。特に変化の著しい
抗折強度及び比誘電率と炭化珪素含有量との関係をそれ
ぞれ図３及び図４に示す。
縁抵抗を測定した結果を表２に示す。特に変化の著しい
抗折強度及び比誘電率と炭化珪素含有量との関係をそれ
ぞれ図３及び図４に示す。
【００１３】
【表２】 表２の焼結体Ｎｏ．１〜５を対比すれば、本発明範囲内
のＮｏ．２〜４は、熱膨張係数が２．８〜２．９×１０
-6／℃とシリコンのそれに近く、抗折強度が６４〜約８
０ｋｇ／ｍｍ2と高く、しかも誘電率が１８以上と高
い。従って、このような焼結体を絶縁体中に誘電体層と
して一体的に内蔵させると、内蔵された絶縁体は、絶縁
容器及びコンデンサーとしての両機能を発揮することが
明らかである。これに対して、Ｎｏ．１は、炭化珪素の
含有量に乏しいため、誘電率が１４．６と低く、また、
Ｎｏ．５は、炭化珪素の含有量が過剰であるため、絶縁
抵抗が低くなりすぎた。
のＮｏ．２〜４は、熱膨張係数が２．８〜２．９×１０
-6／℃とシリコンのそれに近く、抗折強度が６４〜約８
０ｋｇ／ｍｍ2と高く、しかも誘電率が１８以上と高
い。従って、このような焼結体を絶縁体中に誘電体層と
して一体的に内蔵させると、内蔵された絶縁体は、絶縁
容器及びコンデンサーとしての両機能を発揮することが
明らかである。これに対して、Ｎｏ．１は、炭化珪素の
含有量に乏しいため、誘電率が１４．６と低く、また、
Ｎｏ．５は、炭化珪素の含有量が過剰であるため、絶縁
抵抗が低くなりすぎた。
【００１４】尚、Ｎｏ．３、６〜８の対比により、焼結
助剤としてのイットリアの量は、炭化珪素よりも多くな
いほうが望ましいことが判った。焼結助剤が過剰になる
と、窒化珪素や炭化珪素本来の強度特性が失われて、焼
結助剤の強度に支配されてしまうからである。
助剤としてのイットリアの量は、炭化珪素よりも多くな
いほうが望ましいことが判った。焼結助剤が過剰になる
と、窒化珪素や炭化珪素本来の強度特性が失われて、焼
結助剤の強度に支配されてしまうからである。
【００１５】［コンデンサー内蔵基板の構造例及び製造
例］本発明の一実施例に係わるコンデンサー内蔵基板の
断面図及び分解斜視図をそれぞれ図１及び図２に示す。
コンデンサー内蔵基板１は、絶縁基板２，３よりなる絶
縁体部と、絶縁基板２と絶縁基板３の間に挟まれて絶縁
体部と一体的に形成されているコンデンサー部４とから
なる。絶縁基板２，３は、厚さ０．２ｍｍの窒化珪素−
イットリア−アルミナ系のセラミックスであり、その絶
縁抵抗は、およそ１０14Ωｃｍ以上、抗折強度は、４
０．５ｋｇ／ｍｍ2、熱膨張係数は、３．１×１０-6／
℃である。
例］本発明の一実施例に係わるコンデンサー内蔵基板の
断面図及び分解斜視図をそれぞれ図１及び図２に示す。
コンデンサー内蔵基板１は、絶縁基板２，３よりなる絶
縁体部と、絶縁基板２と絶縁基板３の間に挟まれて絶縁
体部と一体的に形成されているコンデンサー部４とから
なる。絶縁基板２，３は、厚さ０．２ｍｍの窒化珪素−
イットリア−アルミナ系のセラミックスであり、その絶
縁抵抗は、およそ１０14Ωｃｍ以上、抗折強度は、４
０．５ｋｇ／ｍｍ2、熱膨張係数は、３．１×１０-6／
℃である。
【００１６】コンデンサー部４は、誘電体層５，６、各
誘電体層を挟み且つ絶縁基板によって覆われている電極
７，８，９及びこれら電極を外部回路と接続させるため
の導電孔１０，１１で構成されている。誘電体層５，６
は、厚さ２４μｍの本発明の組成を満たす窒化珪素−炭
化珪素系セラミックスである。電極７，８，９の材質
は、Ｗであり、その面積は、９００ｍｍ2、電極間距離
は、誘電体層の厚さに依存するため２４μｍとなってい
る。導電孔１０，１１は、電極と同じ材質のもので、直
径が０．２５ｍｍとなっている。
誘電体層を挟み且つ絶縁基板によって覆われている電極
７，８，９及びこれら電極を外部回路と接続させるため
の導電孔１０，１１で構成されている。誘電体層５，６
は、厚さ２４μｍの本発明の組成を満たす窒化珪素−炭
化珪素系セラミックスである。電極７，８，９の材質
は、Ｗであり、その面積は、９００ｍｍ2、電極間距離
は、誘電体層の厚さに依存するため２４μｍとなってい
る。導電孔１０，１１は、電極と同じ材質のもので、直
径が０．２５ｍｍとなっている。
【００１７】コンデンサー内蔵基板１は、次の方法で製
造された。まず、純度９９．９％、平均粒径０．９μｍ
のβ型窒化珪素５０％、純度９９．９％、平均粒径２．
１μｍの酸化イットリウム１０％及び純度９９．９％、
平均粒径０．７μｍの酸化アルミニウム４０％を秤量
し、バインダ及び溶剤を添加して混合し、ドクターブレ
ードにて厚さ０．４ｍｍのグリーンシートを２枚成形し
た。これらを絶縁体シートとする。
造された。まず、純度９９．９％、平均粒径０．９μｍ
のβ型窒化珪素５０％、純度９９．９％、平均粒径２．
１μｍの酸化イットリウム１０％及び純度９９．９％、
平均粒径０．７μｍの酸化アルミニウム４０％を秤量
し、バインダ及び溶剤を添加して混合し、ドクターブレ
ードにて厚さ０．４ｍｍのグリーンシートを２枚成形し
た。これらを絶縁体シートとする。
【００１８】別途、純度９９．９％、平均粒径０．９μ
ｍのβ型窒化珪素７０％、純度９９．９％、平均粒径
２．１μｍの酸化イットリウム１０％及び純度９９．９
％、平均粒径０．９μｍのβ型炭化珪素２０％を秤量
し、バインダ及び溶剤を添加して混合し、ドクターブレ
ードにて厚さ５０μｍのグリーンシートを２枚成形し
た。これらを誘電体シートとする。尚、絶縁体シート及
び誘電体シートには、直径０．２５ｍｍの２つの貫通孔
を打ち抜いておいた。
ｍのβ型窒化珪素７０％、純度９９．９％、平均粒径
２．１μｍの酸化イットリウム１０％及び純度９９．９
％、平均粒径０．９μｍのβ型炭化珪素２０％を秤量
し、バインダ及び溶剤を添加して混合し、ドクターブレ
ードにて厚さ５０μｍのグリーンシートを２枚成形し
た。これらを誘電体シートとする。尚、絶縁体シート及
び誘電体シートには、直径０．２５ｍｍの２つの貫通孔
を打ち抜いておいた。
【００１９】次に１枚の絶縁体シート及び２枚の誘電体
シートのそれぞれの一主面上に大きさ３０×３０ｍｍの
電極パターンをＷペーストにて印刷した。また、貫通孔
にも同じＷペーストを充填した。但し、各グリーンシー
トの一の貫通孔の周辺部には、貫通孔中のＷペーストと
電極パターンとがつながらないように未印刷部（図２の
白抜き部分）を設けておいた。この未印刷部の外周の直
径は、０．５ｍｍとした。
シートのそれぞれの一主面上に大きさ３０×３０ｍｍの
電極パターンをＷペーストにて印刷した。また、貫通孔
にも同じＷペーストを充填した。但し、各グリーンシー
トの一の貫通孔の周辺部には、貫通孔中のＷペーストと
電極パターンとがつながらないように未印刷部（図２の
白抜き部分）を設けておいた。この未印刷部の外周の直
径は、０．５ｍｍとした。
【００２０】電極パターンが印刷された絶縁体シート、
誘電体シート及び印刷されていない他の絶縁体シート
を、電極パターンを上にして積み重ね、温度１７００
℃、圧力２００ｋｇ／ｃｍ2、保持時間３０分の条件で
ホットプレスすることによって、コンデンサー内蔵基板
１を製造した。絶縁体シート、誘電体シート、電極パタ
ーン及び貫通孔は、それぞれ絶縁基板、誘電層、電極及
び導電孔となった。Ｗペーストは、残留カーボンと反応
してＷＣに変化していた。
誘電体シート及び印刷されていない他の絶縁体シート
を、電極パターンを上にして積み重ね、温度１７００
℃、圧力２００ｋｇ／ｃｍ2、保持時間３０分の条件で
ホットプレスすることによって、コンデンサー内蔵基板
１を製造した。絶縁体シート、誘電体シート、電極パタ
ーン及び貫通孔は、それぞれ絶縁基板、誘電層、電極及
び導電孔となった。Ｗペーストは、残留カーボンと反応
してＷＣに変化していた。
【００２１】上記コンデンサー内蔵基板１につき、導電
孔１０と導電孔１１との間の電気容量を測定したとこ
ろ、２０ｐＦ／ｍｍ2であった。比較のために絶縁体及
び誘電層の主成分がアルミナであることと、焼成雰囲気
がＨ2Ｏを含む（Ｎ2＋Ｈ2）ガスの還元雰囲気であるこ
とのほかは上記製造方法と同じ条件で比較用のコンデン
サー内蔵基板を製造し、電気容量を測定したところ、２
ｐＦ／ｍｍ2であった。従って、本発明コンデンサー内
蔵基板によれば、同じ体積でアルミナ基板の１０倍の容
量が得られることが判った。更に本実施例では、ホット
プレス焼成によって基板を製造するため、誘電体層の厚
さ方向だけに焼成収縮がおき、厚さがシート厚の約２分
の１に薄くなり、大きな容量が得られる。
孔１０と導電孔１１との間の電気容量を測定したとこ
ろ、２０ｐＦ／ｍｍ2であった。比較のために絶縁体及
び誘電層の主成分がアルミナであることと、焼成雰囲気
がＨ2Ｏを含む（Ｎ2＋Ｈ2）ガスの還元雰囲気であるこ
とのほかは上記製造方法と同じ条件で比較用のコンデン
サー内蔵基板を製造し、電気容量を測定したところ、２
ｐＦ／ｍｍ2であった。従って、本発明コンデンサー内
蔵基板によれば、同じ体積でアルミナ基板の１０倍の容
量が得られることが判った。更に本実施例では、ホット
プレス焼成によって基板を製造するため、誘電体層の厚
さ方向だけに焼成収縮がおき、厚さがシート厚の約２分
の１に薄くなり、大きな容量が得られる。
【００２２】以上、本発明のコンデンサー形成部のみを
実施例により説明したが、もちろん通常のコンデンサー
内蔵基板と同様に、コンデンサー部の上面叉は下面に絶
縁層（Ｓｉ3Ｎ4−Ｙ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3系）を積層し、信号
配線層等を多層配線したり、更に基板の表面にはＩＣ等
を搭載するためのパッドあるいはボードに接続するため
のピン，リードなどを形成することもできる。
実施例により説明したが、もちろん通常のコンデンサー
内蔵基板と同様に、コンデンサー部の上面叉は下面に絶
縁層（Ｓｉ3Ｎ4−Ｙ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3系）を積層し、信号
配線層等を多層配線したり、更に基板の表面にはＩＣ等
を搭載するためのパッドあるいはボードに接続するため
のピン，リードなどを形成することもできる。
【００２３】
【発明の効果】基板体積のかなりの部分を占める誘電体
層の熱膨張係数が、半導体シリコンのそれに近いので、
基板表面にシリコンチップを搭載してもチップの剥離を
未然に防止することができる。また、コンデンサー部を
絶縁体部の内部に一体的に含めているので、装置の小型
化及び高密度化を図ることができるほか、シリコンチッ
プを搭載した場合のチップとコンデンサー間の配線長が
短くなり、インダクタンスを低減することができる。
層の熱膨張係数が、半導体シリコンのそれに近いので、
基板表面にシリコンチップを搭載してもチップの剥離を
未然に防止することができる。また、コンデンサー部を
絶縁体部の内部に一体的に含めているので、装置の小型
化及び高密度化を図ることができるほか、シリコンチッ
プを搭載した場合のチップとコンデンサー間の配線長が
短くなり、インダクタンスを低減することができる。
【図１】本発明の一実施例に係わるコンデンサー内蔵基
板の縦断面図である。
板の縦断面図である。
【図２】上記コンデンサー内蔵基板の分解斜視図であ
る。
る。
【図３】誘電体層中の炭化珪素含有量と抗折強度との関
係を示すグラフである。
係を示すグラフである。
【図４】誘電体層中の炭化珪素含有量と誘電率との関係
を示すグラフである。
を示すグラフである。
１ コンデンサー内蔵基板 ２，３ 絶縁基板 ４ コンデンサー部 ５，６ 誘電体層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭59−3810（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−104261（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 23/15 H01B 3/12 336 H01G 4/12 358 H01L 23/12
Claims (2)
- 【請求項１】 絶縁体中にコンデンサーが一体的に内蔵
されているものにおいて、前記コンデンサーの誘電体層
が炭化珪素ＳｉＣを１３〜３０重量％含有する窒化珪素
Ｓｉ ３ Ｎ ４ 系セラミックスであることを特徴とするコン
デンサー内蔵基板。 - 【請求項２】 次の各工程を備えることを特徴とするコ
ンデンサー内蔵基板の製造方法。 （ａ）絶縁性セラミックスを主成分とする絶縁体シート
を形成する工程。 （ｂ）炭化珪素ＳｉＣを１３〜３０重量％と、残部窒化
珪素Ｓｉ3Ｎ4及び焼結助剤を含む秤量物を混合し、シー
ト状に成形し、誘電体シートを形成する工程。 （ｃ）前記絶縁体シート及び誘電体シートの少なくとも
いずれかに、メタライズインクを用いて電極パターンを
印刷する工程。 （ｄ）次いで少なくとも１枚の絶縁体シート及び少なく
とも１枚の誘電体シートを積層し、焼成して一体化する
工程。
Priority Applications (2)
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|---|---|---|---|
| JP4203122A JP2969237B2 (ja) | 1992-07-06 | 1992-07-06 | コンデンサー内蔵基板及びその製造方法 |
| US08/080,107 US5400210A (en) | 1992-07-06 | 1993-06-23 | Substrate having a built-in capacitor and process for producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4203122A JP2969237B2 (ja) | 1992-07-06 | 1992-07-06 | コンデンサー内蔵基板及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0629420A JPH0629420A (ja) | 1994-02-04 |
| JP2969237B2 true JP2969237B2 (ja) | 1999-11-02 |
Family
ID=16468771
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4203122A Expired - Fee Related JP2969237B2 (ja) | 1992-07-06 | 1992-07-06 | コンデンサー内蔵基板及びその製造方法 |
Country Status (2)
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|---|---|
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| JP (1) | JP2969237B2 (ja) |
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| US6549395B1 (en) * | 1997-11-14 | 2003-04-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd | Multilayer capacitor |
| US6072690A (en) | 1998-01-15 | 2000-06-06 | International Business Machines Corporation | High k dielectric capacitor with low k sheathed signal vias |
| SE515032C2 (sv) * | 1998-09-09 | 2001-06-05 | Ericsson Telefon Ab L M | Elektronikanordning innefattande en komponentbärare samt dylik komponentbärare och en metod för framställning av anordningen |
| US6191934B1 (en) * | 1998-10-02 | 2001-02-20 | Sarnoff Corporation & Co., Ltd. | High dielectric constant embedded capacitors |
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| US6171988B1 (en) | 1999-07-30 | 2001-01-09 | International Business Machines Corporation | Low loss glass ceramic composition with modifiable dielectric constant |
| KR100373398B1 (ko) * | 1999-08-09 | 2003-02-25 | 한국전자통신연구원 | 수동소자 내장형 멀티칩모듈 기판 및 그 제조방법 |
| JP3489728B2 (ja) * | 1999-10-18 | 2004-01-26 | 株式会社村田製作所 | 積層コンデンサ、配線基板および高周波回路 |
| US6327134B1 (en) | 1999-10-18 | 2001-12-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multi-layer capacitor, wiring board, and high-frequency circuit |
| KR100669354B1 (ko) * | 1999-10-22 | 2007-01-16 | 삼성전자주식회사 | 반도체 집적 회로의 패드 구조 |
| JP2001189234A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-10 | Tdk Corp | 積層コンデンサ |
| DE10313891A1 (de) * | 2003-03-27 | 2004-10-14 | Epcos Ag | Elektrisches Vielschichtbauelement |
| JP2005310814A (ja) * | 2004-04-16 | 2005-11-04 | Alps Electric Co Ltd | キャパシタ内蔵基板 |
| TWI269321B (en) * | 2005-07-27 | 2006-12-21 | Ind Tech Res Inst | Symmetrical capacitor |
| DE102010004051B9 (de) * | 2010-01-05 | 2023-06-07 | Tdk Electronics Ag | Formkörper, Heizungsvorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines Formkörpers |
| WO2015041127A1 (ja) * | 2013-09-20 | 2015-03-26 | 株式会社村田製作所 | コンデンサモジュール、および、電力変換装置 |
| EP2887074B1 (en) * | 2013-12-18 | 2020-11-25 | 3M Innovative Properties Company | Voltage sensor |
| KR101867982B1 (ko) | 2016-07-20 | 2018-06-18 | 삼성전기주식회사 | 커패시터 및 그 실장 기판 |
| JP6889399B2 (ja) * | 2017-08-08 | 2021-06-18 | 大日本印刷株式会社 | 貫通電極基板 |
| TWI683326B (zh) * | 2018-09-21 | 2020-01-21 | 矽品精密工業股份有限公司 | 線路化電容結構 |
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|---|---|---|---|---|
| JPS5332233B1 (ja) * | 1968-12-25 | 1978-09-07 | ||
| JPS495392A (ja) * | 1972-04-28 | 1974-01-18 | ||
| US3880493A (en) * | 1973-12-28 | 1975-04-29 | Burroughs Corp | Capacitor socket for a dual-in-line package |
| JPS5332233A (en) * | 1976-09-07 | 1978-03-27 | Nissan Motor Co Ltd | Exhaust gas re-circulation control means for electronically controlled fuel injection engine |
| FR2456388A1 (fr) * | 1979-05-10 | 1980-12-05 | Thomson Brandt | Microboitier de circuit electronique, et circuit hybride comportant un tel microboitier |
| US4485182A (en) * | 1982-07-28 | 1984-11-27 | Ibiden Kabushiki Kaisha | Powder composition for producing sintered ceramic |
| JPS6022346A (ja) * | 1983-07-18 | 1985-02-04 | Ngk Spark Plug Co Ltd | コンデンサ付き半導体パツケ−ジの製造方法 |
| JPH02141471A (ja) * | 1988-11-22 | 1990-05-30 | Nippon Oil & Fats Co Ltd | 還元再酸化型半導体磁器コンデンサ内蔵用磁器基板及びその製造方法 |
| JP2784545B2 (ja) * | 1989-10-31 | 1998-08-06 | 京セラ株式会社 | 複合回路基板用誘電体磁器組成物 |
-
1992
- 1992-07-06 JP JP4203122A patent/JP2969237B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-06-23 US US08/080,107 patent/US5400210A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0629420A (ja) | 1994-02-04 |
| US5400210A (en) | 1995-03-21 |
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |