JP2001247360A - 絶縁体磁器、セラミック多層基板、セラミック電子部品及び積層セラミック電子部品 - Google Patents
絶縁体磁器、セラミック多層基板、セラミック電子部品及び積層セラミック電子部品Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 １０００℃以下の低温焼成により得ることが
でき、ＡｇやＣｕとの共焼結が可能であり、Ｑ値が高
く、機械的強度に優れ、高周波用途に適した絶縁体磁器
を得る。 【解決手段】 ＭｇＯ−ＭｇＡｌ2 Ｏ4 系セラミックス
とホウ珪酸系ガラスとを混合・焼成してなる絶縁体磁器
であって、主たる結晶相として、ＭｇＡｌ2Ｏ4 結晶相
と、Ｍｇ3 Ｂ2 Ｏ6 結晶相及びＭｇ2 Ｂ2 Ｏ5 結晶相の
少なくとも１種とが析出されている絶縁体磁器。
でき、ＡｇやＣｕとの共焼結が可能であり、Ｑ値が高
く、機械的強度に優れ、高周波用途に適した絶縁体磁器
を得る。 【解決手段】 ＭｇＯ−ＭｇＡｌ2 Ｏ4 系セラミックス
とホウ珪酸系ガラスとを混合・焼成してなる絶縁体磁器
であって、主たる結晶相として、ＭｇＡｌ2Ｏ4 結晶相
と、Ｍｇ3 Ｂ2 Ｏ6 結晶相及びＭｇ2 Ｂ2 Ｏ5 結晶相の
少なくとも１種とが析出されている絶縁体磁器。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、多層回路基板など
に用いられる絶縁体磁器に関し、より詳細には、半導体
素子や各種電子部品を搭載した複合多層回路基板などに
好適に用いられ、銅や銀などの導体材料と同時焼成可能
な高周波用絶縁体磁器、該絶縁体磁器を用いたセラミッ
ク多層基板、セラミック電子部品及び積層セラミック電
子部品に関する。
に用いられる絶縁体磁器に関し、より詳細には、半導体
素子や各種電子部品を搭載した複合多層回路基板などに
好適に用いられ、銅や銀などの導体材料と同時焼成可能
な高周波用絶縁体磁器、該絶縁体磁器を用いたセラミッ
ク多層基板、セラミック電子部品及び積層セラミック電
子部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の高速化及び高周波化が
進んでいる。また、電子機器に搭載される電子部品にお
いても、高速化及び高集積化が求められており、さらに
高密度実装化が要求されている。上記のような要求に応
えるために、従来より、半導体素子や各種電子部品を搭
載するための基板として、多層回路基板が用いられてい
る。多層回路基板では、基板内に導体回路や電子部品機
能素子が内臓されており、電子機器の小型化を進めるこ
とができる。
進んでいる。また、電子機器に搭載される電子部品にお
いても、高速化及び高集積化が求められており、さらに
高密度実装化が要求されている。上記のような要求に応
えるために、従来より、半導体素子や各種電子部品を搭
載するための基板として、多層回路基板が用いられてい
る。多層回路基板では、基板内に導体回路や電子部品機
能素子が内臓されており、電子機器の小型化を進めるこ
とができる。
【０００３】上記多層回路基板を構成する材料として
は、従来、アルミナが多用されている。アルミナの焼成
温度は１５００〜１６００℃と比較的高い。従って、ア
ルミナからなる多層回路基板に内蔵されている導体回路
材料としては、通常、Ｍｏ、Ｍｏ−Ｍｎ、Ｗなどの高融
点金属を用いなければならなかった。ところが、これら
の高融点金属は電気抵抗が高いという問題があった。
は、従来、アルミナが多用されている。アルミナの焼成
温度は１５００〜１６００℃と比較的高い。従って、ア
ルミナからなる多層回路基板に内蔵されている導体回路
材料としては、通常、Ｍｏ、Ｍｏ−Ｍｎ、Ｗなどの高融
点金属を用いなければならなかった。ところが、これら
の高融点金属は電気抵抗が高いという問題があった。
【０００４】従って、上記高融点金属よりも電気抵抗が
低く、かつ安価な金属、例えば銅などを導体材料として
用いることが強く求められている。銅を導体材料として
用いることを可能とするために、１０００℃以下の低温
で焼成され得るガラスセラミックスや結晶化ガラスなど
を用いることが提案されている（例えば、特開平５−２
３８７７４号公報）。
低く、かつ安価な金属、例えば銅などを導体材料として
用いることが強く求められている。銅を導体材料として
用いることを可能とするために、１０００℃以下の低温
で焼成され得るガラスセラミックスや結晶化ガラスなど
を用いることが提案されている（例えば、特開平５−２
３８７７４号公報）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た公知の低温焼成可能な基板材料は機械的強度が低く、
Ｑ値が低く、さらに析出結晶相の種類及び比率が焼成プ
ロセスにより影響を受け易いという問題があった。
た公知の低温焼成可能な基板材料は機械的強度が低く、
Ｑ値が低く、さらに析出結晶相の種類及び比率が焼成プ
ロセスにより影響を受け易いという問題があった。
【０００６】本発明の目的は、上述した従来技術の欠点
を解消し、低温の焼成で得ることができ、銀や銅などの
比較的低融点の導体材料と同時に焼成でき、機械的強度
に優れ、Ｑ値が高く、かつ析出結晶相の種類や比率によ
る影響を受け難い絶縁体磁器を提供することにある。
を解消し、低温の焼成で得ることができ、銀や銅などの
比較的低融点の導体材料と同時に焼成でき、機械的強度
に優れ、Ｑ値が高く、かつ析出結晶相の種類や比率によ
る影響を受け難い絶縁体磁器を提供することにある。
【０００７】本発明の他の目的は、上記絶縁体磁器を用
いて構成されており、機械的強度に優れ、Ｑ値が高く、
析出結晶相の種類や比率による影響を受け難い、セラミ
ック多層基板、セラミック電子部品及び積層セラミック
電子部品を提供することにある。
いて構成されており、機械的強度に優れ、Ｑ値が高く、
析出結晶相の種類や比率による影響を受け難い、セラミ
ック多層基板、セラミック電子部品及び積層セラミック
電子部品を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本願発明者は、上記課題
を解決するために鋭意検討した結果、主たる結晶相とし
て、ＭｇＡｌ2 Ｏ4 結晶相、Ｍｇ3 Ｂ2 Ｏ6 結晶相及び
／またはＭｇ2 Ｂ2 Ｏ 5 結晶相を析出させれば、より高
いＱ値及びより高い信頼性を得ることが可能になること
を見出し、本発明をなすに至った。これは、主たる結晶
相として、ＭｇＡｌ2 Ｏ4 結晶相に加えて、Ｍｇ3 Ｂ2
Ｏ6 結晶相及び／またはＭｇ2 Ｂ2 Ｏ5結晶相を析出さ
せることにより、ガラス中のホウ素が安定化され、従っ
て、信頼性及び焼結性が高められることによる。
を解決するために鋭意検討した結果、主たる結晶相とし
て、ＭｇＡｌ2 Ｏ4 結晶相、Ｍｇ3 Ｂ2 Ｏ6 結晶相及び
／またはＭｇ2 Ｂ2 Ｏ 5 結晶相を析出させれば、より高
いＱ値及びより高い信頼性を得ることが可能になること
を見出し、本発明をなすに至った。これは、主たる結晶
相として、ＭｇＡｌ2 Ｏ4 結晶相に加えて、Ｍｇ3 Ｂ2
Ｏ6 結晶相及び／またはＭｇ2 Ｂ2 Ｏ5結晶相を析出さ
せることにより、ガラス中のホウ素が安定化され、従っ
て、信頼性及び焼結性が高められることによる。
【０００９】すなわち、本発明の広い局面によれば、Ｍ
ｇＯ−ＭｇＡｌ2 Ｏ4 系セラミックスとホウ珪酸系ガラ
スとを混合・焼成してなる絶縁体磁器であって、主たる
結晶相として、ＭｇＡｌ2 Ｏ4 結晶相と、Ｍｇ3 Ｂ2 Ｏ
6 結晶相及びＭｇ2 Ｂ2 Ｏ5結晶相の少なくとも１種と
が析出されていることを特徴とする絶縁体磁器が提供さ
れる。
ｇＯ−ＭｇＡｌ2 Ｏ4 系セラミックスとホウ珪酸系ガラ
スとを混合・焼成してなる絶縁体磁器であって、主たる
結晶相として、ＭｇＡｌ2 Ｏ4 結晶相と、Ｍｇ3 Ｂ2 Ｏ
6 結晶相及びＭｇ2 Ｂ2 Ｏ5結晶相の少なくとも１種と
が析出されていることを特徴とする絶縁体磁器が提供さ
れる。
【００１０】本発明において、上記ホウ珪酸系ガラス
は、酸化ホウ素、酸化ケイ素、酸化マグネシウム及びア
ルカリ金属酸化物を含むことが望ましい。ＭｇＯ−Ｍｇ
Ａｌ2Ｏ4 と、少なくとも酸化ホウ素（Ｂ2 Ｏ3 ）、酸
化ケイ素（ＳｉＯ2 ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、
アルカリ金属酸化物（Ｎａ2 Ｏ、Ｋ2 Ｏ、Ｌｉ2 Ｏな
ど）を含むガラス組成物とを組み合わせることにより、
主たる結晶相として、ＭｇＡｌ2 Ｏ4 結晶相と、Ｍｇ3
Ｂ2 Ｏ6 及び／またはＭｇ2 Ｂ2 Ｏ5 結晶相とを析出さ
せることができ、高いＱ値を得ることができる。
は、酸化ホウ素、酸化ケイ素、酸化マグネシウム及びア
ルカリ金属酸化物を含むことが望ましい。ＭｇＯ−Ｍｇ
Ａｌ2Ｏ4 と、少なくとも酸化ホウ素（Ｂ2 Ｏ3 ）、酸
化ケイ素（ＳｉＯ2 ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、
アルカリ金属酸化物（Ｎａ2 Ｏ、Ｋ2 Ｏ、Ｌｉ2 Ｏな
ど）を含むガラス組成物とを組み合わせることにより、
主たる結晶相として、ＭｇＡｌ2 Ｏ4 結晶相と、Ｍｇ3
Ｂ2 Ｏ6 及び／またはＭｇ2 Ｂ2 Ｏ5 結晶相とを析出さ
せることができ、高いＱ値を得ることができる。
【００１１】この場合、前記ホウ珪酸系ガラスは、酸化
ホウ素Ｂ2 Ｏ3 換算で１５〜６５重量％、酸化ケイ素Ｓ
ｉＯ2 換算で８〜５０重量％、酸化マグネシウムＭｇＯ
換算で１０〜４５重量％、アルカリ金属酸化物Ｒ2 Ｏ
（Ｒアルカリ金属）換算で０〜２０重量％の範囲で含む
ことが望ましい。
ホウ素Ｂ2 Ｏ3 換算で１５〜６５重量％、酸化ケイ素Ｓ
ｉＯ2 換算で８〜５０重量％、酸化マグネシウムＭｇＯ
換算で１０〜４５重量％、アルカリ金属酸化物Ｒ2 Ｏ
（Ｒアルカリ金属）換算で０〜２０重量％の範囲で含む
ことが望ましい。
【００１２】ホウ珪酸系ガラス中における酸化ホウ素が
Ｂ2 Ｏ3 換算で１５重量％より少ないと、系に含まれる
ＭｇＯに対して酸化ホウ素の量が少なくなり、Ｍｇ3 Ｂ
2 Ｏ 6 及び／またはＭｇ2 Ｂ2 Ｏ5 結晶相の析出量が少
なくなり、高い信頼性及び良好な焼結性を得ることがで
きなくなることがある。
Ｂ2 Ｏ3 換算で１５重量％より少ないと、系に含まれる
ＭｇＯに対して酸化ホウ素の量が少なくなり、Ｍｇ3 Ｂ
2 Ｏ 6 及び／またはＭｇ2 Ｂ2 Ｏ5 結晶相の析出量が少
なくなり、高い信頼性及び良好な焼結性を得ることがで
きなくなることがある。
【００１３】また、上記酸化ホウ素の含有割合が６５重
量％より多いと、ガラスの耐湿性が低下することがあ
る。ガラス中の酸化ケイ素がＳｉＯ2 換算で８重量％よ
り少ないと、ガラスの化学的安定性が低くなるおそれが
あり、５０重量％より多いと、溶融温度が高くなり、ま
た焼結性が低下することがある。
量％より多いと、ガラスの耐湿性が低下することがあ
る。ガラス中の酸化ケイ素がＳｉＯ2 換算で８重量％よ
り少ないと、ガラスの化学的安定性が低くなるおそれが
あり、５０重量％より多いと、溶融温度が高くなり、ま
た焼結性が低下することがある。
【００１４】ガラス中の酸化マグネシウムがＭｇＯ換算
で１０重量％より少ないと、結晶化が進まないことがあ
り、４５重量％より多いと、ガラス作製時に結晶化が起
こり、焼結性が低下することがある。
で１０重量％より少ないと、結晶化が進まないことがあ
り、４５重量％より多いと、ガラス作製時に結晶化が起
こり、焼結性が低下することがある。
【００１５】上記ガラス中のアルカリ金属酸化物は、ガ
ラスの溶融温度を低下させるように作用する。しかしな
がら、アルカリ金属酸化物の含有割合が２０重量％を超
えると、Ｑ値を低下させることがある。
ラスの溶融温度を低下させるように作用する。しかしな
がら、アルカリ金属酸化物の含有割合が２０重量％を超
えると、Ｑ値を低下させることがある。
【００１６】本発明において、系に含まれる酸化マグネ
シウムと酸化ホウ素の比を調整することにより、Ｍｇ3
Ｂ2 Ｏ6 またはＭｇ2 Ｂ2 Ｏ5 結晶相を選択的に析出さ
せることができる。すなわち、モル比で、ＭｇＯ：Ｂ2
Ｏ3 ＝３：１よりも、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）が過
剰であると、Ｍｇ3 Ｂ2 Ｏ6 結晶相を析出させることが
できる。
シウムと酸化ホウ素の比を調整することにより、Ｍｇ3
Ｂ2 Ｏ6 またはＭｇ2 Ｂ2 Ｏ5 結晶相を選択的に析出さ
せることができる。すなわち、モル比で、ＭｇＯ：Ｂ2
Ｏ3 ＝３：１よりも、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）が過
剰であると、Ｍｇ3 Ｂ2 Ｏ6 結晶相を析出させることが
できる。
【００１７】他方、ＭｇＯ：Ｂ2 Ｏ3 ＝３：１よりも、
Ｂ2 Ｏ3 が過剰である場合には、Ｍｇ2 Ｂ2 Ｏ5 結晶相
を選択的に析出させることができる。また、ＭｇＯ：Ｂ
2 Ｏ3 ＝３：１付近では、Ｍｇ3 Ｂ2 Ｏ6 及びＭｇ2 Ｂ
2 Ｏ 5 結晶相が混在することになる。
Ｂ2 Ｏ3 が過剰である場合には、Ｍｇ2 Ｂ2 Ｏ5 結晶相
を選択的に析出させることができる。また、ＭｇＯ：Ｂ
2 Ｏ3 ＝３：１付近では、Ｍｇ3 Ｂ2 Ｏ6 及びＭｇ2 Ｂ
2 Ｏ 5 結晶相が混在することになる。
【００１８】また、上記ホウ珪酸系ガラスは、０〜２０
重量％の酸化アルミニウムをさらに含んでいることが望
ましく、酸化アルミニウムを含有することにより、ガラ
スの化学的安定性が高められる。もっとも、酸化アルミ
ニウムの上記含有割合が２０重量％を超えると、十分な
焼結性の得られないことがある。
重量％の酸化アルミニウムをさらに含んでいることが望
ましく、酸化アルミニウムを含有することにより、ガラ
スの化学的安定性が高められる。もっとも、酸化アルミ
ニウムの上記含有割合が２０重量％を超えると、十分な
焼結性の得られないことがある。
【００１９】上記ホウ珪酸系ガラスは、３０重量％以下
の割合で酸化亜鉛を含んでいることが望ましい。酸化亜
鉛（ＺｎＯ）が上記割合で含有されると、ガラスの溶融
温度が低くなり、上記絶縁体磁器をより低い温度におけ
る焼成により得ることができる。また、上記酸化亜鉛の
含有割合が３０重量％を超えると、ガラスの化学的安定
性が低下することがある。
の割合で酸化亜鉛を含んでいることが望ましい。酸化亜
鉛（ＺｎＯ）が上記割合で含有されると、ガラスの溶融
温度が低くなり、上記絶縁体磁器をより低い温度におけ
る焼成により得ることができる。また、上記酸化亜鉛の
含有割合が３０重量％を超えると、ガラスの化学的安定
性が低下することがある。
【００２０】また、上記ホウ珪酸系ガラスは、０〜１０
重量％の割合で酸化銅をさらに含んでいることが望まし
い。酸化銅（ＣｕＯ）が含有されることにより、より低
温の焼成により、上記絶縁体磁器を得ることができる。
また、上記酸化銅の含有割合が１０重量％を超えると、
Ｑ値が低下することがある。
重量％の割合で酸化銅をさらに含んでいることが望まし
い。酸化銅（ＣｕＯ）が含有されることにより、より低
温の焼成により、上記絶縁体磁器を得ることができる。
また、上記酸化銅の含有割合が１０重量％を超えると、
Ｑ値が低下することがある。
【００２１】上記ＭｇＯ−ＭｇＡｌ2 Ｏ4 系セラミック
スと、ホウ珪酸系ガラスとの割合は、重量比で２０：８
０〜８０：２０の範囲とすることが望ましい。上記セラ
ミックスの含有割合が２０重量％以下である場合には、
Ｑ値が低くなる傾向があり、８０重量％を超えると、９
００〜１０００℃の温度での焼成では、得られた絶縁体
磁器が十分に緻密化しないことがある。
スと、ホウ珪酸系ガラスとの割合は、重量比で２０：８
０〜８０：２０の範囲とすることが望ましい。上記セラ
ミックスの含有割合が２０重量％以下である場合には、
Ｑ値が低くなる傾向があり、８０重量％を超えると、９
００〜１０００℃の温度での焼成では、得られた絶縁体
磁器が十分に緻密化しないことがある。
【００２２】また、ＭｇＯ−ＭｇＡｌ2 Ｏ4 系セラミッ
クスは、ｘＭｇＯ−ｙＭｇＡｌ2 Ｏ 4 と重量比で表した
場合、ｘ，ｙが、１０≦ｘ≦９０、かつ１０≦ｙ＜９０
（但し、ｘ＋ｙ＝１００）を満足していることが望まし
い。
クスは、ｘＭｇＯ−ｙＭｇＡｌ2 Ｏ 4 と重量比で表した
場合、ｘ，ｙが、１０≦ｘ≦９０、かつ１０≦ｙ＜９０
（但し、ｘ＋ｙ＝１００）を満足していることが望まし
い。
【００２３】ＭｇＯの重量百分率を示すｘを１０〜９０
の範囲としたのは、ｘが９０より大きいと、ＭｇＯの耐
湿性に問題が生じることがあるためである。また、１０
より小さいと、１０００℃以下で焼成するためには、高
価なガラスの添加量が多くなるおそれがあるためであ
る。
の範囲としたのは、ｘが９０より大きいと、ＭｇＯの耐
湿性に問題が生じることがあるためである。また、１０
より小さいと、１０００℃以下で焼成するためには、高
価なガラスの添加量が多くなるおそれがあるためであ
る。
【００２４】また、前記焼結体では、５〜８０重量％の
ＭｇＡｌ2 Ｏ4 結晶相、５〜７０重量％のＭｇ3 Ｂ2 Ｏ
6 結晶相及び／またはＭｇ2 Ｂ2 Ｏ5 結晶相がそれぞれ
析出していることが望ましい。このような範囲であれ
ば、高い信頼性、良好な焼結性、十分な機械的強度、高
いＱ値を得ることができる。ＭｇＡｌ2 Ｏ4 結晶相の割
合が５重量％未満の場合には、絶縁体磁器の強度が低く
なることがあり、８０重量％を超えると、１０００℃以
下の焼成では緻密化しないことがある。
ＭｇＡｌ2 Ｏ4 結晶相、５〜７０重量％のＭｇ3 Ｂ2 Ｏ
6 結晶相及び／またはＭｇ2 Ｂ2 Ｏ5 結晶相がそれぞれ
析出していることが望ましい。このような範囲であれ
ば、高い信頼性、良好な焼結性、十分な機械的強度、高
いＱ値を得ることができる。ＭｇＡｌ2 Ｏ4 結晶相の割
合が５重量％未満の場合には、絶縁体磁器の強度が低く
なることがあり、８０重量％を超えると、１０００℃以
下の焼成では緻密化しないことがある。
【００２５】Ｍｇ3 Ｂ2 Ｏ6 及び／またはＭｇ2 Ｂ2 Ｏ
5 結晶相が５重量％未満の場合には、酸化マグネシウム
（ＭｇＯ）と酸化ホウ素（Ｂ2 Ｏ3 ）との反応が十分に
進まず、焼結性や信頼性が低下し、Ｑ値が低くなること
がある。また、Ｍｇ3 Ｂ2 Ｏ 6 及び／またはＭｇ2 Ｂ2
Ｏ5 結晶相が７０重量％よりも多く析出させるには、高
価なガラスの添加量を増やす必要があり、コストが高く
つくことになる。
5 結晶相が５重量％未満の場合には、酸化マグネシウム
（ＭｇＯ）と酸化ホウ素（Ｂ2 Ｏ3 ）との反応が十分に
進まず、焼結性や信頼性が低下し、Ｑ値が低くなること
がある。また、Ｍｇ3 Ｂ2 Ｏ 6 及び／またはＭｇ2 Ｂ2
Ｏ5 結晶相が７０重量％よりも多く析出させるには、高
価なガラスの添加量を増やす必要があり、コストが高く
つくことになる。
【００２６】なお、本発明においては、上記ガラスとし
ては、ガラス組成物を７００〜１０００℃の温度で仮焼
することにより得られた混合物を用いてもよい。また、
本発明においては、得られる絶縁体磁器の測定周波数１
０ＧＨｚにおけるＱ値は４００以上であることが望まし
い。１０ＧＨｚにおけるＱ値が４００以上の場合には、
高周波帯、例えば１ＧＨｚ以上の周波数域で用いられる
回路基板に好適に用いることができる。
ては、ガラス組成物を７００〜１０００℃の温度で仮焼
することにより得られた混合物を用いてもよい。また、
本発明においては、得られる絶縁体磁器の測定周波数１
０ＧＨｚにおけるＱ値は４００以上であることが望まし
い。１０ＧＨｚにおけるＱ値が４００以上の場合には、
高周波帯、例えば１ＧＨｚ以上の周波数域で用いられる
回路基板に好適に用いることができる。
【００２７】本発明に係るセラミック多層基板は、本発
明に係る絶縁体磁器からなる絶縁性セラミック層を含む
セラミック板と、該セラミック板の絶縁性セラミック層
内に形成された複数の内部電極とを備える。
明に係る絶縁体磁器からなる絶縁性セラミック層を含む
セラミック板と、該セラミック板の絶縁性セラミック層
内に形成された複数の内部電極とを備える。
【００２８】本発明に係るセラミック積層基板の特定の
局面では、前記絶縁性セラミック層の少なくとも片面
に、該絶縁性セラミック層よりも誘電率が高い第２のセ
ラミック層が積層されている。
局面では、前記絶縁性セラミック層の少なくとも片面
に、該絶縁性セラミック層よりも誘電率が高い第２のセ
ラミック層が積層されている。
【００２９】本発明に係るセラミック多層基板のさらに
特定の局面では、前記複数の内部電極が、前記絶縁性セ
ラミック層の少なくとも一部を介して積層されて積層コ
ンデンサが構成されている。
特定の局面では、前記複数の内部電極が、前記絶縁性セ
ラミック層の少なくとも一部を介して積層されて積層コ
ンデンサが構成されている。
【００３０】本発明の別の特定の局面では、複数の内部
電極が、前記絶縁性セラミック層の少なくとも一部を介
して積層されてコンデンサを構成しているコンデンサ用
内部電極と、互いに接続されて積層インダクタを構成し
ているコイル導体とが備えられる。
電極が、前記絶縁性セラミック層の少なくとも一部を介
して積層されてコンデンサを構成しているコンデンサ用
内部電極と、互いに接続されて積層インダクタを構成し
ているコイル導体とが備えられる。
【００３１】本発明のセラミック電子部品は、本発明に
係るセラミック多層基板と、該セラミック多層基板上に
実装されており、上記複数の内部電極と共に回路を構成
している少なくとも１つの電子部品とを備える。
係るセラミック多層基板と、該セラミック多層基板上に
実装されており、上記複数の内部電極と共に回路を構成
している少なくとも１つの電子部品とを備える。
【００３２】本発明に係るセラミック電子部品の特定の
局面では、前記電子部品素子を囲繞するように前記セラ
ミック多層基板に固定されたキャップがさらに備えられ
る。該キャップとしては、好ましくは導電性キャップが
用いられる。
局面では、前記電子部品素子を囲繞するように前記セラ
ミック多層基板に固定されたキャップがさらに備えられ
る。該キャップとしては、好ましくは導電性キャップが
用いられる。
【００３３】本発明に係るセラミック電子部品の特定の
局面では、前記セラミック多層基板の下面にのみ形成さ
れた複数の外部電極と、前記外部電極に電気的に接続さ
れており、かつ前記内部電極または電子部品素子に電気
的に接続された複数のスルーホール導体がさらに備えら
れる。
局面では、前記セラミック多層基板の下面にのみ形成さ
れた複数の外部電極と、前記外部電極に電気的に接続さ
れており、かつ前記内部電極または電子部品素子に電気
的に接続された複数のスルーホール導体がさらに備えら
れる。
【００３４】本発明に係る積層セラミック電子部品は、
本発明に係る絶縁体磁器からなるセラミック焼結体と、
前記セラミック焼結体内に配置された複数の内部電極
と、前記セラミック焼結体の外表面に形成されており、
いずれかの内部電極に電気的に接続されている複数の外
部電極とを備えることを特徴とする。
本発明に係る絶縁体磁器からなるセラミック焼結体と、
前記セラミック焼結体内に配置された複数の内部電極
と、前記セラミック焼結体の外表面に形成されており、
いずれかの内部電極に電気的に接続されている複数の外
部電極とを備えることを特徴とする。
【００３５】本発明に係る積層セラミック電子部品の特
定の局面では、前記複数の内部電極がセラミック層を介
して重なり合うように配置されており、それによってコ
ンデンサユニットが構成されている。
定の局面では、前記複数の内部電極がセラミック層を介
して重なり合うように配置されており、それによってコ
ンデンサユニットが構成されている。
【００３６】本発明に係る積層セラミック電子部品のさ
らに特定の局面では、前記複数の内部電極が、前記コン
デンサユニットを構成している内部電極に加えて、互い
に接続されて積層インダクタユニットを構成している複
数のコイル導体を有する。
らに特定の局面では、前記複数の内部電極が、前記コン
デンサユニットを構成している内部電極に加えて、互い
に接続されて積層インダクタユニットを構成している複
数のコイル導体を有する。
【００３７】
【発明の実施の形態】以下、先ず、本発明に係る絶縁体
磁器についての具体的な実施例を説明し、さらに、本発
明に係るセラミック多層基板、セラミック電子部品及び
積層セラミック電子部品の構造的な実施例を説明するこ
とにより、本発明を明らかにする。
磁器についての具体的な実施例を説明し、さらに、本発
明に係るセラミック多層基板、セラミック電子部品及び
積層セラミック電子部品の構造的な実施例を説明するこ
とにより、本発明を明らかにする。
【００３８】原料粉末としてＭｇ（ＯＨ）2 とＡｌ2 Ｏ
3 の粉末を用い、これらからなる最終的な焼結体を、各
酸化物の重量比で示される下記の組成式 ｘＭｇＯ−ｙＭｇＡｌ2 Ｏ4 で表したとき、前記ｘ，ｙが １０≦ｘ≦９０ １０≦ｙ≦９０ ｘ＋ｙ＝１００ を満足するように各粉末を秤量し、１６時間湿式混合し
た後、乾燥し、この混合物を１４００℃、２時間仮焼し
た後、粉砕した。
3 の粉末を用い、これらからなる最終的な焼結体を、各
酸化物の重量比で示される下記の組成式 ｘＭｇＯ−ｙＭｇＡｌ2 Ｏ4 で表したとき、前記ｘ，ｙが １０≦ｘ≦９０ １０≦ｙ≦９０ ｘ＋ｙ＝１００ を満足するように各粉末を秤量し、１６時間湿式混合し
た後、乾燥し、この混合物を１４００℃、２時間仮焼し
た後、粉砕した。
【００３９】上記磁器組成物をセラミック成分として２
０〜８０重量％となるよう秤量し、この粉末と表１に示
す組成のガラスとを混合し、適量のバインダを加えて造
粒し、これを２００ＭＰａの圧力の下で成形して直径１
２ｍｍ×厚さ７ｍｍの円柱成形体を得た。この成形体を
大気中９００℃〜１０００℃で２時間焼成して絶縁体磁
器試料を得た。この試料を用いて誘電体共振器法によっ
て１０ＧＨｚにおける比誘電率、Ｑ値を測定した。実施
例の結果を表２に示す。
０〜８０重量％となるよう秤量し、この粉末と表１に示
す組成のガラスとを混合し、適量のバインダを加えて造
粒し、これを２００ＭＰａの圧力の下で成形して直径１
２ｍｍ×厚さ７ｍｍの円柱成形体を得た。この成形体を
大気中９００℃〜１０００℃で２時間焼成して絶縁体磁
器試料を得た。この試料を用いて誘電体共振器法によっ
て１０ＧＨｚにおける比誘電率、Ｑ値を測定した。実施
例の結果を表２に示す。
【００４０】また、別途作製した短冊状の絶縁体磁器試
料について、ＪＩＳ Ｃ ２１４１に準じて３点曲げ試
験を行い、抗折強度を評価した。実施例１の試料では２
９０ＭＰａと高い強度を示した。
料について、ＪＩＳ Ｃ ２１４１に準じて３点曲げ試
験を行い、抗折強度を評価した。実施例１の試料では２
９０ＭＰａと高い強度を示した。
【００４１】また、上記絶縁体磁器について、粉末ＸＲ
Ｄ（Ｘ線回折法）により分析し、ＭｇＡｌ2 Ｏ4 結晶
相、Ｍｇ3 Ｂ2 Ｏ6 結晶相、及びＭｇ2 Ｂ2 Ｏ5 結晶相
の存在を測定した。結果を表２に結晶相として示す。
Ｄ（Ｘ線回折法）により分析し、ＭｇＡｌ2 Ｏ4 結晶
相、Ｍｇ3 Ｂ2 Ｏ6 結晶相、及びＭｇ2 Ｂ2 Ｏ5 結晶相
の存在を測定した。結果を表２に結晶相として示す。
【００４２】表２において、ＫＯはＭｇ3 Ｂ2 Ｏ6 を、
ＳＰはＭｇＡｌ2 Ｏ4 を、ＳＵはＭｇ2 Ｂ2 Ｏ5 、ＭＧ
はＭｇＯを示す。
ＳＰはＭｇＡｌ2 Ｏ4 を、ＳＵはＭｇ2 Ｂ2 Ｏ5 、ＭＧ
はＭｇＯを示す。
【００４３】
【表１】
【００４４】
【表２】
【００４５】また、上記ＸＲＤの分析結果の代表例とし
て、試料番号１１及び１４で得られた絶縁体磁器の回折
チャートを下記の図１及び図２に示す。図１及び図２に
おいて○印がＭｇＡｌ2 Ｏ4 結晶相に基づくピークを、
△印がＭｇ3 Ｂ2 Ｏ6 結晶相に基づくピークを、×印が
Ｍｇ2 Ｂ2 Ｏ5 結晶相に基づくピークであることを示
す。
て、試料番号１１及び１４で得られた絶縁体磁器の回折
チャートを下記の図１及び図２に示す。図１及び図２に
おいて○印がＭｇＡｌ2 Ｏ4 結晶相に基づくピークを、
△印がＭｇ3 Ｂ2 Ｏ6 結晶相に基づくピークを、×印が
Ｍｇ2 Ｂ2 Ｏ5 結晶相に基づくピークであることを示
す。
【００４６】表２より以下のことがわかる。先ず、主た
る結晶相として、ＭｇＡｌ2 Ｏ4 結晶相、Ｍｇ3 Ｂ2 Ｏ
6 結晶相及び／またはＭｇ2 Ｂ2 Ｏ5 結晶相が析出する
と、１０ＧＨｚにおけるＱ値が４００以上の試料が得ら
れる。
る結晶相として、ＭｇＡｌ2 Ｏ4 結晶相、Ｍｇ3 Ｂ2 Ｏ
6 結晶相及び／またはＭｇ2 Ｂ2 Ｏ5 結晶相が析出する
と、１０ＧＨｚにおけるＱ値が４００以上の試料が得ら
れる。
【００４７】ホウ珪酸系ガラス中に含まれるアルカリ土
類金属をＭｇに限定することで、さらに高いＱ値が得ら
れる。また、ホウ珪酸系ガラスが酸化ホウ素をＢ2 Ｏ3
換算で１５〜６５重量％、酸化ケイ素をＳｉＯ2 換算で
８〜５０重量％、酸化マグネシウムをＭｇＯ換算で１０
〜４５重量％、アルカリ金属酸化物を酸化物換算で０〜
２０重量％含むとさらに高いＱ値を示す。
類金属をＭｇに限定することで、さらに高いＱ値が得ら
れる。また、ホウ珪酸系ガラスが酸化ホウ素をＢ2 Ｏ3
換算で１５〜６５重量％、酸化ケイ素をＳｉＯ2 換算で
８〜５０重量％、酸化マグネシウムをＭｇＯ換算で１０
〜４５重量％、アルカリ金属酸化物を酸化物換算で０〜
２０重量％含むとさらに高いＱ値を示す。
【００４８】ホウ珪酸系ガラスが、０〜２０重量％の酸
化アルミニウムをさらに含む場合は、高いＱ値を示し、
かつ、ガラスが化学的安定性を増し取り扱いが容易にな
る。ホウ珪酸系ガラスが、０〜３０重量％の酸化亜鉛を
さらに含む場合、さらに高いＱ値を示す。
化アルミニウムをさらに含む場合は、高いＱ値を示し、
かつ、ガラスが化学的安定性を増し取り扱いが容易にな
る。ホウ珪酸系ガラスが、０〜３０重量％の酸化亜鉛を
さらに含む場合、さらに高いＱ値を示す。
【００４９】ホウ珪酸系ガラスが、０〜１０重量％の酸
化銅をさらに含む場合は、Ｑ値も高く、焼結性も良いも
のが得られた。他方、試料番号３０のものは、ガラス添
加量が８０重量％より多く、焼結体中の非晶質相が多く
なり、ＳＵまたはＫＯが析出していないため、Ｑ値が低
下する。
化銅をさらに含む場合は、Ｑ値も高く、焼結性も良いも
のが得られた。他方、試料番号３０のものは、ガラス添
加量が８０重量％より多く、焼結体中の非晶質相が多く
なり、ＳＵまたはＫＯが析出していないため、Ｑ値が低
下する。
【００５０】また、試料番号３１のものは、ガラス添加
量が２０重量％より少なく、Ｍｇ3Ｂ2 Ｏ6 やＭｇ2 Ｂ
2 Ｏ5 の析出が見られず、ＭｇＯが主たる結晶相である
ため、１０００℃以下の焼成温度では十分緻密化せず、
高いＱ値を得ることができない。
量が２０重量％より少なく、Ｍｇ3Ｂ2 Ｏ6 やＭｇ2 Ｂ
2 Ｏ5 の析出が見られず、ＭｇＯが主たる結晶相である
ため、１０００℃以下の焼成温度では十分緻密化せず、
高いＱ値を得ることができない。
【００５１】また、試料番号２９のものでは、ホウ珪酸
系ガラスではなく、ガラスが化学的に不安定であり、シ
ート成形を行うことが困難で、評価用の試料を作製する
ことができない。
系ガラスではなく、ガラスが化学的に不安定であり、シ
ート成形を行うことが困難で、評価用の試料を作製する
ことができない。
【００５２】次に、本発明に係る絶縁体磁器を用いたセ
ラミック多層基板、セラミック電子部品及び積層セラミ
ック電子部品の構造的な実施例を説明する。図３は、本
発明の一実施例としてのセラミック多層基板を含むセラ
ミック電子部品としてのセラミック多層モジュールを示
す断面図であり、図４はその分解斜視図である。
ラミック多層基板、セラミック電子部品及び積層セラミ
ック電子部品の構造的な実施例を説明する。図３は、本
発明の一実施例としてのセラミック多層基板を含むセラ
ミック電子部品としてのセラミック多層モジュールを示
す断面図であり、図４はその分解斜視図である。
【００５３】セラミック多層モジュール１は、セラミッ
ク多層基板２を用いて構成されている。セラミック多層
基板２では、本発明に係る絶縁体磁器からなる絶縁性セ
ラミック層３ａ，３ｂ間に例えばチタン酸バリウムにガ
ラスを加えてなる誘電率の高い誘電性セラミック層４が
挟まれている。
ク多層基板２を用いて構成されている。セラミック多層
基板２では、本発明に係る絶縁体磁器からなる絶縁性セ
ラミック層３ａ，３ｂ間に例えばチタン酸バリウムにガ
ラスを加えてなる誘電率の高い誘電性セラミック層４が
挟まれている。
【００５４】誘電性セラミック層４内には、複数の内部
電極５が誘電性セラミック層４の一部を介して隣り合う
ように配置されており、それによって積層コンデンサユ
ニットＣ１，Ｃ２が構成されている。
電極５が誘電性セラミック層４の一部を介して隣り合う
ように配置されており、それによって積層コンデンサユ
ニットＣ１，Ｃ２が構成されている。
【００５５】また、絶縁性セラミック層３ａ，３ｂ及び
誘電性セラミック層４には、複数のビアホール電極６，
６ａや内部配線が形成されている。他方、セラミック多
層基板２の上面には、電子部品素子９〜１１が実装され
ている。電子部品素子９〜１１としては、半導体デバイ
ス、チップ型積層コンデンサなどの適宜の電子部品素子
を用いることができる。上記ビアホール電極６及び内部
配線により、これらの電子部品素子９〜１１と、コンデ
ンサユニットＣ１，Ｃ２とが電気的に接続されて本実施
例に係るセラミック多層モジュール１の回路を構成して
いる。
誘電性セラミック層４には、複数のビアホール電極６，
６ａや内部配線が形成されている。他方、セラミック多
層基板２の上面には、電子部品素子９〜１１が実装され
ている。電子部品素子９〜１１としては、半導体デバイ
ス、チップ型積層コンデンサなどの適宜の電子部品素子
を用いることができる。上記ビアホール電極６及び内部
配線により、これらの電子部品素子９〜１１と、コンデ
ンサユニットＣ１，Ｃ２とが電気的に接続されて本実施
例に係るセラミック多層モジュール１の回路を構成して
いる。
【００５６】また、上記セラミック多層基板２の上面に
は、導電性キャップ８が固定されている。導電性キャッ
プ８は、セラミック多層基板２を上面から下面に向かっ
て貫いているビアホール電極６に電気的に接続されてい
る。また、セラミック多層基板２の下面に外部電極７，
７が形成されており、外部電極７，７が上記ビアホール
電極６，６ａに電気的に接続されている。また、他の外
部電極については図示を省略しているが、上記外部電極
７と同様に、セラミック多層基板２の下面にのみ形成さ
れている。また、他の外部電極は、上述した内部配線を
介して、電子部品素子９〜１１やコンデンサユニットＣ
１，Ｃ２と電気的に接続されている。
は、導電性キャップ８が固定されている。導電性キャッ
プ８は、セラミック多層基板２を上面から下面に向かっ
て貫いているビアホール電極６に電気的に接続されてい
る。また、セラミック多層基板２の下面に外部電極７，
７が形成されており、外部電極７，７が上記ビアホール
電極６，６ａに電気的に接続されている。また、他の外
部電極については図示を省略しているが、上記外部電極
７と同様に、セラミック多層基板２の下面にのみ形成さ
れている。また、他の外部電極は、上述した内部配線を
介して、電子部品素子９〜１１やコンデンサユニットＣ
１，Ｃ２と電気的に接続されている。
【００５７】このように、セラミック多層基板２の下面
にのみ外部と接続するための外部電極７を形成すること
により、セラミック積層モジュールを、下面側を利用し
てプリント回路基板などに容易に表面実装することがで
きる。
にのみ外部と接続するための外部電極７を形成すること
により、セラミック積層モジュールを、下面側を利用し
てプリント回路基板などに容易に表面実装することがで
きる。
【００５８】また、本実施例では、キャップ８が導電性
材料からなり、外部電極７にビアホール電極６ａを介し
て電気的に接続されているので、電子部品素子９〜１１
を導電性キャップ８により電磁シールドすることができ
る。もっとも、キャップ８は、必ずしも導電性材料で構
成されている必要はない。
材料からなり、外部電極７にビアホール電極６ａを介し
て電気的に接続されているので、電子部品素子９〜１１
を導電性キャップ８により電磁シールドすることができ
る。もっとも、キャップ８は、必ずしも導電性材料で構
成されている必要はない。
【００５９】本実施例のセラミック多層モジュール１で
は、上記絶縁性セラミック層３ａ，３ｂが、本発明に係
る絶縁体磁器を用いているので誘電率が低く、かつＱ値
も高いので、高周波用途に適したセラミック多層モジュ
ール１を提供することができる。加えて、上記絶縁性セ
ラミック層３ａ，３ｂが機械的強度に優れているので、
機械的強度においても優れたセラミック多層モジュール
１を構成することができる。
は、上記絶縁性セラミック層３ａ，３ｂが、本発明に係
る絶縁体磁器を用いているので誘電率が低く、かつＱ値
も高いので、高周波用途に適したセラミック多層モジュ
ール１を提供することができる。加えて、上記絶縁性セ
ラミック層３ａ，３ｂが機械的強度に優れているので、
機械的強度においても優れたセラミック多層モジュール
１を構成することができる。
【００６０】なお、上記セラミック多層基板２は、周知
のセラミック積層一体焼成技術を用いて容易に得ること
ができる。すなわち、先ず、本発明に係る絶縁体磁器材
料を主体とするセラミックグリーンシートを用意し、内
部電極５、外部配線及びビアホール電極６，６ａなどを
構成するための電極パターンを印刷し、積層する。さら
に、上下に絶縁性セラミック層３ａ，３ｂを形成するた
めのセラミックグリーンシート上に外部配線及びビアホ
ール電極６，６ａを構成するための電極パターンを形成
したものを適宜の枚数積層し、厚み方向に加圧する。こ
のようにして得られた積層体を焼成することにより、容
易にセラミック多層基板２を得ることができる。
のセラミック積層一体焼成技術を用いて容易に得ること
ができる。すなわち、先ず、本発明に係る絶縁体磁器材
料を主体とするセラミックグリーンシートを用意し、内
部電極５、外部配線及びビアホール電極６，６ａなどを
構成するための電極パターンを印刷し、積層する。さら
に、上下に絶縁性セラミック層３ａ，３ｂを形成するた
めのセラミックグリーンシート上に外部配線及びビアホ
ール電極６，６ａを構成するための電極パターンを形成
したものを適宜の枚数積層し、厚み方向に加圧する。こ
のようにして得られた積層体を焼成することにより、容
易にセラミック多層基板２を得ることができる。
【００６１】積層コンデンサユニットＣ１，Ｃ２では、
静電容量を取り出すための厚み方向に隣り合う内部電極
５，５間に高誘電率の絶縁性セラミック層が配置されて
いることになるので、比較的小さな面積の内部電極で大
きな静電容量を得ることができ、それによっても小型化
を進めることができる。
静電容量を取り出すための厚み方向に隣り合う内部電極
５，５間に高誘電率の絶縁性セラミック層が配置されて
いることになるので、比較的小さな面積の内部電極で大
きな静電容量を得ることができ、それによっても小型化
を進めることができる。
【００６２】図５〜図７は、本発明の第２の構造的な実
施例としての積層セラミック電子部品を説明するための
分解斜視図、外観斜視図及び回路図である。図６に示す
この積層セラミック電子部品２０は、ＬＣフィルタであ
る。セラミック焼結体２１内に、後述のようにインダク
タンスＬ及び静電容量Ｃを構成する回路が構成されてい
る。セラミック焼結体２１が、本発明に係る絶縁体磁器
を用いて構成されている。また、セラミック焼結体２１
の外表面には、外部電極２３ａ，２３ｂ，２４ａ，２４
ｂが形成されており、外部電極２３ａ，２３ｂ，２４
ａ，２４ｂ間には、図７に示すＬＣ共振回路が構成され
ている。
施例としての積層セラミック電子部品を説明するための
分解斜視図、外観斜視図及び回路図である。図６に示す
この積層セラミック電子部品２０は、ＬＣフィルタであ
る。セラミック焼結体２１内に、後述のようにインダク
タンスＬ及び静電容量Ｃを構成する回路が構成されてい
る。セラミック焼結体２１が、本発明に係る絶縁体磁器
を用いて構成されている。また、セラミック焼結体２１
の外表面には、外部電極２３ａ，２３ｂ，２４ａ，２４
ｂが形成されており、外部電極２３ａ，２３ｂ，２４
ａ，２４ｂ間には、図７に示すＬＣ共振回路が構成され
ている。
【００６３】次に、上記セラミック焼結体２１内の構成
を、図５を参照しつつ製造方法を説明することにより明
らかにする。まず、本発明に係る絶縁体磁器材料に、有
機ビヒクルを添加し、セラミックスラリーを得る。この
セラミックスラリーを、適宜のシート成形法により形成
し、セラミックグリーンシートを得る。このようにして
得られたセラミックグリーンシートを乾燥した後所定の
大きさに打ち抜き、矩形のセラミックグリーンシート２
１ａ〜２１ｍを用意する。
を、図５を参照しつつ製造方法を説明することにより明
らかにする。まず、本発明に係る絶縁体磁器材料に、有
機ビヒクルを添加し、セラミックスラリーを得る。この
セラミックスラリーを、適宜のシート成形法により形成
し、セラミックグリーンシートを得る。このようにして
得られたセラミックグリーンシートを乾燥した後所定の
大きさに打ち抜き、矩形のセラミックグリーンシート２
１ａ〜２１ｍを用意する。
【００６４】次に、セラミックグリーンシート２１ａ〜
２１ｍに、ビアホール電極２８を構成するための貫通孔
を必要に応じて形成する。さらに、導電ペーストをスク
リーン印刷することにより、コイル導体２６ａ，２６
ｂ、コンデンサ用内部電極２７ａ〜２７ｃ、コイル導体
２６ｃ，２６ｄを形成すると共に、上記ビアホール２８
用貫通孔に導電ペーストを充填し、ビアホール電極２８
を形成する。
２１ｍに、ビアホール電極２８を構成するための貫通孔
を必要に応じて形成する。さらに、導電ペーストをスク
リーン印刷することにより、コイル導体２６ａ，２６
ｂ、コンデンサ用内部電極２７ａ〜２７ｃ、コイル導体
２６ｃ，２６ｄを形成すると共に、上記ビアホール２８
用貫通孔に導電ペーストを充填し、ビアホール電極２８
を形成する。
【００６５】しかる後、セラミックグリーンシート２１
ａ〜２１ｍを図示の向きに積層し、厚み方向に加圧し積
層体を得る。得られた積層体を焼成し、セラミック焼結
体２１を得る。
ａ〜２１ｍを図示の向きに積層し、厚み方向に加圧し積
層体を得る。得られた積層体を焼成し、セラミック焼結
体２１を得る。
【００６６】上記のようにして得られたセラミック焼結
体２１に、図６に示したように外部電極２３ａ〜２４ｂ
を、導電ペーストの塗布・焼き付け、蒸着、メッキもし
くはスパッタリングなどの薄膜形成法等により形成す
る。このようにして、積層セラミック電子部品２０を得
ることができる。
体２１に、図６に示したように外部電極２３ａ〜２４ｂ
を、導電ペーストの塗布・焼き付け、蒸着、メッキもし
くはスパッタリングなどの薄膜形成法等により形成す
る。このようにして、積層セラミック電子部品２０を得
ることができる。
【００６７】図５から明らかなように、コイル導体２６
ａ，２６ｂにより、図７に示すインダクタンスユニット
Ｌ１が、コイル導体２６ｃ，２６ｄによりインダクタン
スユニットＬ２が構成され、内部電極２７ａ〜２７ｃに
よりコンデンサＣが構成される。
ａ，２６ｂにより、図７に示すインダクタンスユニット
Ｌ１が、コイル導体２６ｃ，２６ｄによりインダクタン
スユニットＬ２が構成され、内部電極２７ａ〜２７ｃに
よりコンデンサＣが構成される。
【００６８】本実施例の積層セラミック電子部品２０で
は、上記のようにＬＣフィルタが構成されているが、セ
ラミック焼結体２１が本発明に係る絶縁体磁器を用いて
構成されているので、第１の実施例のセラミック多層基
板２と同様に、低温焼成により得ることができ、従って
内部電極としての上記コイル導体２６ａ〜２６ｃやコン
デンサ用内部電極２７ａ〜２７ｃとして、銅、銀、金な
どの低融点金属を用いてセラミックスと一体焼成するこ
とができる。加えて、比誘電率が高く、かつ高周波にお
けるＱ値が高く、高周波用途に適したＬＣフィルタを構
成することができる。また、上記絶縁体磁器の機械的強
度が高いため、機械的強度においても優れたＬＣフィル
タを提供することができる。
は、上記のようにＬＣフィルタが構成されているが、セ
ラミック焼結体２１が本発明に係る絶縁体磁器を用いて
構成されているので、第１の実施例のセラミック多層基
板２と同様に、低温焼成により得ることができ、従って
内部電極としての上記コイル導体２６ａ〜２６ｃやコン
デンサ用内部電極２７ａ〜２７ｃとして、銅、銀、金な
どの低融点金属を用いてセラミックスと一体焼成するこ
とができる。加えて、比誘電率が高く、かつ高周波にお
けるＱ値が高く、高周波用途に適したＬＣフィルタを構
成することができる。また、上記絶縁体磁器の機械的強
度が高いため、機械的強度においても優れたＬＣフィル
タを提供することができる。
【００６９】
【発明の効果】本発明に係る絶縁体磁器では、ＭｇＯ−
ＭｇＡｌ2 Ｏ4 系セラミックスとホウ珪酸系ガラスとを
混合・焼成してなる絶縁体磁器において、主たる結晶相
として、ＭｇＡｌ2 Ｏ4 結晶相と、Ｍｇ3 Ｂ2 Ｏ6 結晶
相及びＭｇ2 Ｂ2 Ｏ5 結晶相のうち少なくとも１種の結
晶相とが析出されているので、１０００℃以下の低温の
焼成で得ることができ、Ｑ値が高くかつ機械的強度に優
れた絶縁体磁器を提供することが可能となる。従って、
ＣｕやＡｇなどの低抵抗でありかつ安価な金属を共焼結
することができるので、セラミック多層基板や積層セラ
ミック電子部品において、内部電極材料としてこれらの
金属を用いることができる。よって、機械的強度が高
く、高いＱ値を有し、さらに安価なセラミック多層基板
や積層セラミック電子部品を提供することが可能とな
る。
ＭｇＡｌ2 Ｏ4 系セラミックスとホウ珪酸系ガラスとを
混合・焼成してなる絶縁体磁器において、主たる結晶相
として、ＭｇＡｌ2 Ｏ4 結晶相と、Ｍｇ3 Ｂ2 Ｏ6 結晶
相及びＭｇ2 Ｂ2 Ｏ5 結晶相のうち少なくとも１種の結
晶相とが析出されているので、１０００℃以下の低温の
焼成で得ることができ、Ｑ値が高くかつ機械的強度に優
れた絶縁体磁器を提供することが可能となる。従って、
ＣｕやＡｇなどの低抵抗でありかつ安価な金属を共焼結
することができるので、セラミック多層基板や積層セラ
ミック電子部品において、内部電極材料としてこれらの
金属を用いることができる。よって、機械的強度が高
く、高いＱ値を有し、さらに安価なセラミック多層基板
や積層セラミック電子部品を提供することが可能とな
る。
【００７０】上記ホウ珪酸系ガラスが、酸化ホウ素、酸
化ケイ素、酸化マグネシウム及びアルカリ金属酸化物を
含む場合には、主たる結晶相として、ＭｇＡｌ2 Ｏ4 結
晶相と、Ｍｇ3 Ｂ2 Ｏ6 結晶相及び／またはＭｇ2 Ｂ2
Ｏ5 結晶相とがより確実に析出し、高いＱ値を得ること
ができる。
化ケイ素、酸化マグネシウム及びアルカリ金属酸化物を
含む場合には、主たる結晶相として、ＭｇＡｌ2 Ｏ4 結
晶相と、Ｍｇ3 Ｂ2 Ｏ6 結晶相及び／またはＭｇ2 Ｂ2
Ｏ5 結晶相とがより確実に析出し、高いＱ値を得ること
ができる。
【００７１】上記ホウ珪酸系ガラスが、酸化ホウ素、酸
化ケイ素、酸化マグネシウム及びアルカリ金属酸化物を
上記特定の割合で含む場合には、機械的強度に優れ、か
つＱ値の高い絶縁体磁器をより安定に提供することがで
きる。
化ケイ素、酸化マグネシウム及びアルカリ金属酸化物を
上記特定の割合で含む場合には、機械的強度に優れ、か
つＱ値の高い絶縁体磁器をより安定に提供することがで
きる。
【００７２】上記ホウ珪酸系ガラスが、酸化アルミニウ
ムを２０重量％の割合で含む場合には、ホウ珪酸系ガラ
スの化学的安定性が高められ、１０００℃以下の低温焼
成で本発明に係る絶縁体磁器をより安定に得ることがで
きる。
ムを２０重量％の割合で含む場合には、ホウ珪酸系ガラ
スの化学的安定性が高められ、１０００℃以下の低温焼
成で本発明に係る絶縁体磁器をより安定に得ることがで
きる。
【００７３】上記ホウ珪酸系ガラスが３０重合％以下の
割合で酸化亜鉛を含む場合には、ガラスの溶融温度が下
がり、より一層低温の焼成で得られる絶縁体磁器を得る
ことができる。
割合で酸化亜鉛を含む場合には、ガラスの溶融温度が下
がり、より一層低温の焼成で得られる絶縁体磁器を得る
ことができる。
【００７４】ホウ珪酸系ガラスが、１０重量％以下の割
合で酸化銅を含む場合には、Ｑ値の低下を招くことな
く、より低温の焼成で本発明に係る絶縁体磁器を得るこ
とができる。
合で酸化銅を含む場合には、Ｑ値の低下を招くことな
く、より低温の焼成で本発明に係る絶縁体磁器を得るこ
とができる。
【００７５】ＭｇＯ−ＭｇＡｌ2 Ｏ4 系セラミックスと
ホウ珪酸系ガラスとの重量比が、２０：８０〜８０：２
０の範囲であれば、Ｑ値が高く、１０００℃以下の低温
焼成で十分に緻密化され得る絶縁体磁器を提供すること
ができる。
ホウ珪酸系ガラスとの重量比が、２０：８０〜８０：２
０の範囲であれば、Ｑ値が高く、１０００℃以下の低温
焼成で十分に緻密化され得る絶縁体磁器を提供すること
ができる。
【００７６】ＭｇＯ−ＭｇＡｌ2 Ｏ4 系セラミックス
が、ｘＭｇＯ−ｙＭｇＡｌ2 Ｏ4 と表された場合、ｘが
１０〜９０、ｙが１０〜９０の範囲にある場合、１００
０℃以下の低温焼成で十分に緻密な絶縁体磁器を得るこ
とができ、ガラス添加量を必要以上に多くせずとも焼成
でき、高いＱ値を確実に得ることができる。
が、ｘＭｇＯ−ｙＭｇＡｌ2 Ｏ4 と表された場合、ｘが
１０〜９０、ｙが１０〜９０の範囲にある場合、１００
０℃以下の低温焼成で十分に緻密な絶縁体磁器を得るこ
とができ、ガラス添加量を必要以上に多くせずとも焼成
でき、高いＱ値を確実に得ることができる。
【００７７】本発明において、絶縁体磁器が、５〜８０
重量％のＭｇＡｌ2 Ｏ4 結晶相と、５〜７０重量％のＭ
ｇ3 Ｂ2 Ｏ6 結晶相及び／またはＭｇ2 Ｂ2 Ｏ5 結晶相
がそれぞれ析出している場合には、焼結性が良好であ
り、信頼性に優れた絶縁体磁器を提供することができ
る。
重量％のＭｇＡｌ2 Ｏ4 結晶相と、５〜７０重量％のＭ
ｇ3 Ｂ2 Ｏ6 結晶相及び／またはＭｇ2 Ｂ2 Ｏ5 結晶相
がそれぞれ析出している場合には、焼結性が良好であ
り、信頼性に優れた絶縁体磁器を提供することができ
る。
【００７８】本発明に係るセラミック多層基板は、本発
明に係る絶縁体磁器からなる絶縁性セラミック層を含む
セラミック板を備えるので、低温で焼成でき、内部電極
構成材料としてＡｇやＣｕなどの低抵抗であり、かつ安
価な金属を用いることができる。しかも、該絶縁性セラ
ミック層は、機械的強度が高く、かつＱ値が高いので、
高周波用途に適したセラミック多層基板を提供し得る。
明に係る絶縁体磁器からなる絶縁性セラミック層を含む
セラミック板を備えるので、低温で焼成でき、内部電極
構成材料としてＡｇやＣｕなどの低抵抗であり、かつ安
価な金属を用いることができる。しかも、該絶縁性セラ
ミック層は、機械的強度が高く、かつＱ値が高いので、
高周波用途に適したセラミック多層基板を提供し得る。
【００７９】なお、上記第１，第２の構造的実施例で
は、セラミック多層モジュール１及びＬＣフィルタを構
成する積層セラミック電子部品２０を例にとり説明した
が、本発明に係るセラミック電子部品及び積層セラミッ
ク電子部品はこれらの構造に限定されるものではない。
すなわち、マルチチップモジュール用セラミック多層基
板、ハイブリッドＩＣ用セラミック多層基板などの各種
セラミック多層基板、あるいはこれらのセラミック多層
基板に電子部品素子を搭載した様々なセラミック電子部
品、さらに、チップ型積層コンデンサやチップ型積層誘
電体アンテナなどの様々なチップ型積層電子部品に適用
することができる。
は、セラミック多層モジュール１及びＬＣフィルタを構
成する積層セラミック電子部品２０を例にとり説明した
が、本発明に係るセラミック電子部品及び積層セラミッ
ク電子部品はこれらの構造に限定されるものではない。
すなわち、マルチチップモジュール用セラミック多層基
板、ハイブリッドＩＣ用セラミック多層基板などの各種
セラミック多層基板、あるいはこれらのセラミック多層
基板に電子部品素子を搭載した様々なセラミック電子部
品、さらに、チップ型積層コンデンサやチップ型積層誘
電体アンテナなどの様々なチップ型積層電子部品に適用
することができる。
【００８０】セラミック多層基板において、絶縁性セラ
ミック層の少なくとも片面に、該絶縁性セラミック層よ
りも高誘電率の第２のセラミック層が積層されている場
合には、第２のセラミック層の組成及び積層形態を工夫
することにより、強度や耐環境特性を、要求に応じて適
宜調整することができる。
ミック層の少なくとも片面に、該絶縁性セラミック層よ
りも高誘電率の第２のセラミック層が積層されている場
合には、第２のセラミック層の組成及び積層形態を工夫
することにより、強度や耐環境特性を、要求に応じて適
宜調整することができる。
【００８１】複数の内部電極が絶縁性セラミック層の少
なくとも一部を介して積層されて積層コンデンサが構成
されている場合には、本発明に係る絶縁体磁器の誘電率
が低く、Ｑ値が高いので、高周波用途に適している。
なくとも一部を介して積層されて積層コンデンサが構成
されている場合には、本発明に係る絶縁体磁器の誘電率
が低く、Ｑ値が高いので、高周波用途に適している。
【００８２】さらに、本発明に係る絶縁体磁器は機械的
強度が高いので、機械的強度に優れた積層コンデンサを
構成することができる。複数の内部電極が積層コンデン
サを構成する複数の内部電極と、互いに接続されて積層
インダクタを構成する複数のコイル導体とを有する場合
には、本発明に係る絶縁体磁器が上記のように誘電率が
低く、高周波で高いＱ値を有し、機械的強度が高いの
で、高周波用途に適した小型のＬＣ共振回路を容易に構
成することができる。
強度が高いので、機械的強度に優れた積層コンデンサを
構成することができる。複数の内部電極が積層コンデン
サを構成する複数の内部電極と、互いに接続されて積層
インダクタを構成する複数のコイル導体とを有する場合
には、本発明に係る絶縁体磁器が上記のように誘電率が
低く、高周波で高いＱ値を有し、機械的強度が高いの
で、高周波用途に適した小型のＬＣ共振回路を容易に構
成することができる。
【００８３】本発明に係るセラミック多層基板上に少な
くとも１つの電子部品素子が積層された本発明に係るセ
ラミック電子部品では、上記電子部品素子とセラミック
多層基板内の回路構成とを利用して、高周波用途に適し
た、小型の様々なセラミック電子部品を提供することが
できる。
くとも１つの電子部品素子が積層された本発明に係るセ
ラミック電子部品では、上記電子部品素子とセラミック
多層基板内の回路構成とを利用して、高周波用途に適し
た、小型の様々なセラミック電子部品を提供することが
できる。
【００８４】電子部品素子を囲繞するようにセラミック
多層基板にキャップが固定されている場合には、キャッ
プにより電子部品素子を保護することができ、耐湿性等
に優れたセラミック電子部品を提供することができる。
多層基板にキャップが固定されている場合には、キャッ
プにより電子部品素子を保護することができ、耐湿性等
に優れたセラミック電子部品を提供することができる。
【００８５】キャップとして導電性キャップを用いた場
合には、囲繞されている電子部品素子を電磁シールドす
ることができる。セラミック多層基板の下面にのみ外部
電極が形成されている場合には、プリント回路基板など
にセラミック多層基板の下面側から容易に表面実装する
ことができる。
合には、囲繞されている電子部品素子を電磁シールドす
ることができる。セラミック多層基板の下面にのみ外部
電極が形成されている場合には、プリント回路基板など
にセラミック多層基板の下面側から容易に表面実装する
ことができる。
【００８６】本発明に係る積層セラミック電子部品で
は、本発明に係る絶縁体磁器内に複数の内部電極が形成
されているので、低温で焼成でき、内部電極構成材料と
してＡｇやＣｕなどの低抵抗でありかつ安価な金属を用
いることができる。しかも、絶縁体磁器においては、誘
電率が低く、Ｑ値が高いので、高周波用途に適した積層
コンデンサを提供し得る。また、上記絶縁体磁器は機械
的強度が高いので、機械的強度に優れた積層コンデンサ
を構成することができる。
は、本発明に係る絶縁体磁器内に複数の内部電極が形成
されているので、低温で焼成でき、内部電極構成材料と
してＡｇやＣｕなどの低抵抗でありかつ安価な金属を用
いることができる。しかも、絶縁体磁器においては、誘
電率が低く、Ｑ値が高いので、高周波用途に適した積層
コンデンサを提供し得る。また、上記絶縁体磁器は機械
的強度が高いので、機械的強度に優れた積層コンデンサ
を構成することができる。
【００８７】本発明に係る積層セラミック電子部品にお
いて、複数の内部電極が積層コンデンサを構成している
場合には、本発明に係る絶縁体磁器の誘電率が低く、Ｑ
値が高いので、高周波用途に適している。
いて、複数の内部電極が積層コンデンサを構成している
場合には、本発明に係る絶縁体磁器の誘電率が低く、Ｑ
値が高いので、高周波用途に適している。
【００８８】本発明に係る積層セラミック電子部品にお
いて、複数の内部電極が、積層コンデンサを構成してい
る内部電極と、積層インダクタを構成しているコイル導
体とを有する場合には、本発明に係る絶縁体磁器が、機
械的強度に優れており、上記のように誘電率が低く、高
周波で高いＱ値を有するので、機械的強度が高く、高周
波用途に適した小型のＬＣ共振回路を容易に構成するこ
とができる。
いて、複数の内部電極が、積層コンデンサを構成してい
る内部電極と、積層インダクタを構成しているコイル導
体とを有する場合には、本発明に係る絶縁体磁器が、機
械的強度に優れており、上記のように誘電率が低く、高
周波で高いＱ値を有するので、機械的強度が高く、高周
波用途に適した小型のＬＣ共振回路を容易に構成するこ
とができる。
【図１】本発明の実施例としての試料番号１１の絶縁体
磁器のＸＲＤスペクトルを示す図。
磁器のＸＲＤスペクトルを示す図。
【図２】本発明の実施例としての試料番号１４の絶縁体
磁器のＸＲＤスペクトルを示す図。
磁器のＸＲＤスペクトルを示す図。
【図３】本発明の一実施例としてのセラミック多層基板
を用いたセラミック電子部品としてのセラミック積層モ
ジュールを示す縦断面図。
を用いたセラミック電子部品としてのセラミック積層モ
ジュールを示す縦断面図。
【図４】図３に示したセラミック多層モジュールの分解
斜視図。
斜視図。
【図５】本発明の第２の実施例の積層セラミック電子部
品を製造するのに用いられたセラミックグリーンシート
及びその上に形成されている電極パターンを説明するた
めの分解斜視図。
品を製造するのに用いられたセラミックグリーンシート
及びその上に形成されている電極パターンを説明するた
めの分解斜視図。
【図６】本発明の第２の実施例に係る積層セラミック電
子部品を示す斜視図。
子部品を示す斜視図。
【図７】図６に示した積層セラミック電子部品の回路構
成を示す図。
成を示す図。
１…セラミック積層モジュール ２…セラミック多層基板 ３ａ，３ｂ…絶縁性セラミック層 ４…第２のセラミック層としての誘電性セラミック層 ５，５…内部電極 ６，６ａ…ビアホール電極 ７…外部電極 ８…導電性キャップ ９〜１１…電子部品素子 ２０…積層セラミック電子部品 ２１…セラミック焼結体 ２３ａ，２３ｂ，２４ａ，２４ｂ…外部電極 ２６ａ〜２６ｄ…コイル導体 ２７ａ〜２７ｃ…コンデンサ用内部電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｇ 4/12 ３５８ Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｈ ５Ｅ０８２ 4/40 Ｃ０４Ｂ 35/44 １０１ ５Ｅ３４６ Ｈ０１Ｌ 23/15 35/16 Ｚ ５Ｇ３０３ Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｈ０１Ｇ 4/40 ３２１Ａ Ｈ０１Ｌ 23/14 Ｃ Ｆターム(参考） 4G001 BA01 BA02 BA03 BA04 BA06 BA85 BB41 BB85 BC03 BD23 BE01 4G030 AA01 AA02 AA07 AA31 AA32 AA35 AA36 AA37 BA09 BA12 CA03 4G031 AA01 AA03 AA28 AA29 AA30 BA09 BA12 CA03 5E001 AB03 AC09 AC10 AE00 AE02 AE03 AE04 AF06 AH01 AH05 AH09 AJ01 AJ02 AZ01 5E070 AA05 AB01 BA01 CB03 CB08 CB13 CB17 DA17 DB02 EA01 5E082 AA01 AB03 BB05 BC19 DD08 EE04 EE23 EE26 EE35 FG06 FG26 FG27 FG54 GG10 GG25 GG26 GG28 JJ03 JJ15 JJ21 JJ23 LL02 MM22 MM24 PP03 5E346 CC16 CC21 GG28 5G303 AA01 AA05 AB08 AB12 AB15 BA12 CA03 CB01 CB02 CB14 CB16 CB17 CB20 CB30 CB38
Claims (20)
- 【請求項１】 ＭｇＯ−ＭｇＡｌ2 Ｏ4 系セラミックス
とホウ珪酸系ガラスとを混合・焼成してなる絶縁体磁器
であって、主たる結晶相として、ＭｇＡｌ2Ｏ4 結晶相
と、Ｍｇ3 Ｂ2 Ｏ6 結晶相及びＭｇ2 Ｂ2 Ｏ5 結晶相の
少なくとも１種とが析出していることを特徴とする、絶
縁体磁器。 - 【請求項２】 前記ホウ珪酸系ガラスが、酸化ホウ素、
酸化ケイ素、酸化マグネシウム及びアルカリ金属酸化物
を含む、請求項１に記載の絶縁体磁器。 - 【請求項３】 前記ホウ珪酸系ガラスが、酸化ホウ素を
Ｂ2 Ｏ3 換算で１５〜６５重量％、酸化ケイ素をＳｉＯ
2 換算で８〜５０重量％、酸化マグネシウムをＭｇＯ換
算で１０〜４５重量％及びアルカリ金属酸化物を酸化物
換算で０〜２０重量％含む、請求項２に記載の絶縁体磁
器。 - 【請求項４】 前記ホウ珪酸系ガラスが、２０重量％以
下の割合で酸化アルミニウムをさらに含む、請求項２ま
たは３に記載の絶縁体磁器。 - 【請求項５】 前記ホウ珪酸系ガラスが、３０重量％以
下の割合で酸化亜鉛をさらに含む、請求項２〜４のいず
れかに記載の絶縁体磁器。 - 【請求項６】 前記ホウ珪酸系ガラスが、１０重量％以
下の割合で酸化銅をさらに含む、請求項２〜５のいずれ
かに記載の絶縁体磁器。 - 【請求項７】 前記ＭｇＯ−ＭｇＡｌ2 Ｏ4 系セラミッ
クスと前記ホウ珪酸系ガラスとが、重量比で２０：８０
〜８０：２０の割合で配合されている、請求項１〜６の
いずれかに記載の絶縁体磁器。 - 【請求項８】 前記ＭｇＯ−ＭｇＡｌ2 Ｏ4 系セラミッ
クスを、ｘＭｇＯ−ｙＭｇＡｌ2 Ｏ4 と表した場合、重
量比でｘ，ｙが、それぞれ、１０≦ｘ≦９０かつ１０≦
ｙ≦９０（但し、ｘ＋ｙ＝１００）を満足する、請求項
１〜７のいずれかに記載の絶縁体磁器。 - 【請求項９】 ５〜８０重量％のＭｇＡｌ2 Ｏ4 結晶
相、５〜７０重量％のＭｇ3 Ｂ2 Ｏ6 結晶相及び／また
はＭｇ2 Ｂ2 Ｏ5 結晶相がそれぞれ析出されている、請
求項１〜８のいずれかに記載の絶縁体磁器。 - 【請求項１０】 請求項１〜９のいずれかに記載の絶縁
体磁器からなる絶縁性セラミック層を含むセラミック板
と、 前記セラミック板の絶縁性セラミック層内に形成された
複数の内部電極とを備えることを特徴とする、セラミッ
ク多層基板。 - 【請求項１１】 前記絶縁性セラミック層の少なくとも
片面に、該絶縁性セラミック層よりも誘電率が高い第２
のセラミック層が積層されている、請求項１０に記載の
セラミック多層基板。 - 【請求項１２】 前記複数の内部電極が、前記絶縁性セ
ラミック層の少なくとも一部を介して積層されて積層コ
ンデンサが構成されている、請求項１０または１１に記
載のセラミック多層基板。 - 【請求項１３】 複数の内部電極が、前記絶縁性セラミ
ック層の少なくとも一部を介して積層されてコンデンサ
を構成しているコンデンサ用内部電極と、互いに接続さ
れて積層インダクタを構成しているコイル導体とを備え
る、請求項１１または１２に記載のセラミック多層基
板。 - 【請求項１４】 請求項１１〜１３のいずれかに記載の
セラミック多層基板と、 前記セラミック多層基板上に実装されており、前記複数
の内部電極と共に回路を構成している少なくとも１つの
電子部品素子とを備えることを特徴とする、セラミック
電子部品。 - 【請求項１５】 前記電子部品素子を囲繞するように前
記セラミック多層基板に固定されたキャップをさらに備
える、請求項１４に記載のセラミック電子部品。 - 【請求項１６】 前記キャップが導電性キャップであ
る、請求項１５に記載のセラミック電子部品。 - 【請求項１７】 前記セラミック多層基板の下面にのみ
形成された複数の外部電極と、 前記外部電極に電気的に接続されており、かつ前記内部
電極または電子部品素子に電気的に接続された複数のス
ルーホール導体をさらに備えることを特徴とする、請求
項１４〜１６のいずれかに記載の電子部品。 - 【請求項１８】 請求項１〜９のいずれかに記載の絶縁
体磁器からなるセラミック焼結体と、 前記セラミック焼結体内に配置された複数の内部電極
と、 前記セラミック焼結体の外表面に形成されており、いず
れかの内部電極に電気的に接続されている複数の外部電
極とを備えることを特徴とする、積層セラミック電子部
品。 - 【請求項１９】 前記複数の内部電極がセラミック層を
介して重なり合うように配置されており、それによって
コンデンサユニットが構成されている、請求項１８に記
載の積層セラミック電子部品。 - 【請求項２０】 前記複数の内部電極が、前記コンデン
サユニットを構成している内部電極に加えて、互いに接
続されて積層インダクタユニットを構成している複数の
コイル導体を有する、請求項１９に記載の積層セラミッ
ク電子部品。
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| JP2000060800A JP3680684B2 (ja) | 2000-03-06 | 2000-03-06 | 絶縁体磁器、セラミック多層基板、セラミック電子部品及び積層セラミック電子部品 |
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| JPH11163534A (ja) | 低温焼成多層基板 |
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