JP3680683B2 - 絶縁体磁器組成物 - Google Patents
絶縁体磁器組成物 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3680683B2 JP3680683B2 JP2000060799A JP2000060799A JP3680683B2 JP 3680683 B2 JP3680683 B2 JP 3680683B2 JP 2000060799 A JP2000060799 A JP 2000060799A JP 2000060799 A JP2000060799 A JP 2000060799A JP 3680683 B2 JP3680683 B2 JP 3680683B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic
- weight
- insulator
- glass powder
- powder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000012212 insulator Substances 0.000 title claims description 45
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 36
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 title claims description 27
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 127
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 52
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 44
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 11
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910020068 MgAl Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910000287 alkaline earth metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 9
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 claims description 5
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 33
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 16
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 12
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 12
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 9
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 229910017309 Mo—Mn Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000011363 dried mixture Substances 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052574 oxide ceramic Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011224 oxide ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000013001 point bending Methods 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000009774 resonance method Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
- H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
- H01L23/15—Ceramic or glass substrates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/14—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/03—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on magnesium oxide, calcium oxide or oxide mixtures derived from dolomite
- C04B35/04—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on magnesium oxide, calcium oxide or oxide mixtures derived from dolomite based on magnesium oxide
- C04B35/053—Fine ceramics
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/44—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on aluminates
- C04B35/443—Magnesium aluminate spinel
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
- H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
- H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/1517—Multilayer substrate
- H01L2924/15192—Resurf arrangement of the internal vias
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/16—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor
- H05K1/162—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor incorporating printed capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4611—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards
- H05K3/4626—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials
- H05K3/4629—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials laminating inorganic sheets comprising printed circuits, e.g. green ceramic sheets
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
- Y10T428/24917—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.] including metal layer
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
- Y10T428/24926—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.] including ceramic, glass, porcelain or quartz layer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば多層回路基板に用いられる絶縁体磁器組成物に関し、より詳細には、半導体素子や各種電子部品を搭載するための複合多層回路基板に好適に用いることができ、銅や銀などの導体材料と同時焼成可能な絶縁体磁器組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器の高速化及び高周波化が進んでいる。また、電子機器に搭載される電子部品においても、高速化及び高集積化が求められており、さらに高密度実装化が要求されている。上記のような要求に応えるために、従来より、半導体素子や各種電子部品を搭載するための基板として、多層回路基板が用いられている。多層回路基板では、基板内に導体回路や電子部品機能素子が内臓されており、電子機器の小型化を進めることができる。
【０００３】
上記多層回路基板を構成する材料としては、従来、アルミナが多用されている。
アルミナの焼成温度は１５００〜１６００℃と比較的高い。従って、アルミナからなる多層回路基板に内蔵されている導体回路材料としては、通常、Ｍｏ、Ｍｏ−Ｍｎ、Ｗなどの高融点金属を用いなければならなかった。ところが、これらの高融点金属は電気抵抗が高いという問題があった。
【０００４】
従って、上記高融点金属よりも電気抵抗が低く、かつ安価な金属、例えば銅などを導体材料として用いることが強く求められている。銅を導体材料として用いることを可能とするために、１０００℃以下の低温で焼成され得るガラスセラミックスや結晶化ガラスなどを用いることが提案されている（例えば、特開平５−２３８７７４号公報）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した公知の低温焼成可能な基板材料は高い機械的強度、高Ｑ値を共に満足するものが得られ難いという問題があった。
【０００６】
本発明の目的は、上述した従来技術の欠点を解消し、低温で焼成することができ、銀や銅などの比較的低融点の導体材料と同時に焼成でき、機械的強度に優れ、Ｑ値が高く、高周波特性に優れた絶縁体磁器を与える絶縁体磁器組成物を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、本発明に係る絶縁体磁器組成物は、（Ａ）ＭｇＯ−ＭｇＡｌ2Ｏ4 系セラミック粉末と、（Ｂ）酸化ケイ素をＳｉＯ2 換算で１３〜５０重量％、酸化ホウ素をＢ2Ｏ3 換算で３〜６０重量％、酸化アルミニウムをＡｌ2Ｏ3 換算で０〜２０重量％、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯ及びＭｇＯからなる群から選択した少なくとも１種のアルカリ土類金属酸化物を、１０〜４０重量％の割合でこれらを含むガラス粉末（ただし、アルカリ土類金属酸化物を４０重量％含むものを除く）とを含むことを特徴とする。
【０００９】
なお、上記ガラス粉末１００重量％において、酸化ケイ素は、ＳｉＯ2 換算で、１３〜５０重量％、好ましくは２０〜３０重量％を占める。酸化ケイ素の含有量が１３重量％以下では、得られる焼結体の結晶化度が低くなり、Ｑ値が低下する。逆に、酸化ケイ素の含有量が５０重量％を超えると、ガラスの溶融温度が高くなる。
【００１０】
また、上記ガラス粉末１００重量％において、酸化ホウ素はＢ2Ｏ3 換算で３〜６０重量％、好ましくは３０〜６０重量％を占める。酸化ホウ素は、主に融剤として作用する。酸化ホウ素の含有量がＢ2Ｏ3 換算で３重量％未満では、溶融温度が高くなり過ぎ、逆に、６０重量％を超えると、得られる焼結体の耐湿性が低下する。
【００１１】
さらに、上記ガラス粉末１００重量％において、酸化アルミニウムは、Ａｌ2Ｏ3 換算で０〜２０重量％を占める。なお、酸化アルミニウム含有量は、Ａｌ2Ｏ3 換算で０重量％であってもよい。すなわち、酸化アルミニウムは、必ずしも含まれずともよい。
【００１２】
従って、酸化アルミニウムが含まれない本発明に係る絶縁体磁器組成物は、上記（Ａ）ＭｇＯ−ＭｇＡｌ2Ｏ4 系セラミック粉末と、（Ｂ）酸化ケイ素をＳｉＯ2 換算で１３〜５０重量％、及び酸化ホウ素をＢ2Ｏ3 換算で３〜６０重量％の割合で酸化ケイ素及び酸化ホウ素を含むガラス粉末とを含む絶縁体磁器組成物と表される。
【００１３】
なお、上記酸化アルミニウムを含有させる場合、含有量がＡｌ2Ｏ3 換算で２０重量％を超えると、緻密な焼結体が得られず、Ｑ値が小さくなる。また、酸化アルミニウムを含有させる場合のその下限値については、Ａｌ2Ｏ3 換算で０重量％を超える範囲となる。
【００１４】
本発明において、上記ガラス粉末は、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯ及びＭｇＯからなる群から選択した少なくとも１種のアルカリ土類金属酸化物を、上記ガラス粉末全体の１０〜４０重量％を占めるようにさらに含む。より好ましくは、ガラス粉末全体の２０〜３０重量％を占めるように上記アルカリ土類金属酸化物が添加される。
【００１５】
上記アルカリ土類金属酸化物は、ガラス作製時の溶融温度を低下させる作用を有し、かつ結晶化ガラス中の結晶構成成分としても作用する。上記アルカリ土類金属酸化物の含有割合が１０重量％未満では、溶融温度が高くなることがあり、４０重量％を超えると、結晶の析出量が多くなり、基板強度が低下する。
【００１６】
また、本発明の他の局面では、上記ガラス粉末は、Ｌｉ2Ｏ、Ｋ2Ｏ及びＮａ2Ｏからなる群から選択した少なくとも１種のアルカリ金属酸化物をガラス粉末全体の１０重量％以下の割合で、さらに好ましくは、２〜５重量％の割合で含むことが望ましい。アルカリ金属酸化物は、ガラス作製時の溶融温度を低下させる作用を有する。アルカリ金属酸化物の含有割合が１０重量％を超えると、Ｑ値が低下するおそれがある。
【００１７】
本発明において、上記絶縁体磁器組成物は、好ましくは、酸化亜鉛をＺｎＯ換算で１５重量％以下、より好ましくは１０重量％以下の割合で含むことが望ましい。酸化亜鉛は、焼成温度を低下させる作用を有する。もっとも、酸化亜鉛の含有割合がＺｎＯ換算で１５重量％を超えると、最終的に緻密な焼結体が得られないことがある。
なお、上記酸化亜鉛は、ガラス成分として含有されていてもよい。
【００１８】
本発明においては、酸化銅がＣｕＯ換算で全体の３重量％以下の割合で、より好ましくは、２重量％以下の割合で添加されていることが望ましい。酸化銅は、焼成温度を下げる作用を有する。もっとも、酸化銅の含有割合が３重量％を超えると、Ｑ値を低下させることがある。
【００１９】
本発明の特定の局面では、前記ＭｇＯ−ＭｇＡｌ2Ｏ4 系セラミック粉末の重量比組成式を、ｘＭｇＯ−ｙＭｇＡｌ2Ｏ4 と表したとき、前記ｘ，ｙは、１０≦ｘ≦９０、１０≦ｙ≦９０（但しｘ＋ｙ＝１００）をそれぞれ満足するように構成することが望ましい。ＭｇＯの重量百分率を示すｘを１〜９０の範囲としたのは、ｘが９０より大きいと、ＭｇＯの耐湿性に問題が生じることがあるためである。また、１０より小さいと、１０００℃以下で焼成するためには、高価なガラスの添加量が多くなるおそれがあるためである。
【００２０】
また、本発明においては、好ましくは、上記セラミック粉末とガラス粉末とは、重量比で、セラミック粉末：ガラス粉末＝２０：８０〜８０：２０の割合で配合されていることが望ましく、より好ましくは、４０：６０〜６０：４０である。上記範囲よりもセラミック粉末の配合割合が高くなると、焼結体の密度が小さくなることがあり、上記範囲よりガラス粉末の配合割合が高くなると、Ｑ値が小さくなることがある。
【００２１】
本発明の他の特定の局面では、本発明に係る絶縁体磁器組成物を焼成することにより得られる絶縁体磁器が提供される。この場合、上記絶縁体磁器組成物を１０００℃以下の低温で焼成することにより上記絶縁体磁器が得られるので、銅や銀などの低融点金属と共に上記絶縁体磁器組成物を同時焼成することができる。従って、これらの低融点金属からなる導体材料を用いたセラミック多層基板などに本発明に係る絶縁体磁器を好適に用いることができる。
【００２２】
特に、セラミック粉末として高周波帯で高いＱ（Ｑ×ｆ値≧７００００ＧＨｚａｔ１４ＧＨｚ）のＭｇＯ−ＭｇＡｌ2Ｏ4 系材料が用いられているので、ガラス粉末の添加量を少なくしたとしても、１０００℃以下の温度で調製することができ、かつ高いＱ値を有する絶縁体磁器をえることができる。
【００２３】
なお、本発明により得られる絶縁体磁器は、測定周波数１０ＧＨｚのＱ値が４００以上を満足することが望ましい。Ｑ値が４００以上の場合には、近年における高周波帯の回路素子基板として用いることができる。
なお、上記ガラス粉末としては、ガラス組成物を７００〜１４００℃で仮焼したものを用いてもよい。
【００３４】
【発明の実施の形態】
以下、先ず、本発明に係る絶縁体磁器についての具体的な実施例を説明し、さらに、本発明に係るセラミック多層基板、セラミック電子部品及び積層セラミック電子部品の構造的な実施例を説明することにより、本発明を明らかにする。
【００３５】
原料粉末としてＭｇ（ＯＨ）2 粉末と、Ａｌ2Ｏ3 粉末とを用い、最終的に得られる焼結体が重量比組成でｘＭｇＯ−ｙＭｇＡｌ2Ｏ4 と表されるときのｘ及びｙが、１０≦ｘ≦９０かつ１０≦ｙ≦９０（但し、ｘ＋ｙ＝１００）を満足するように上記両粉末を秤量し、１６時間湿式混合した後、乾燥した。乾燥された混合物を１４００℃で２時間仮焼した後粉砕した。
【００３６】
次に、下記の表２に示すように、上記のようにして仮焼された原料２０〜８０重量％と、下記の表１に示す組成のガラス粉末（焼結助剤）と、ＺｎＯ及びＣｕＯを下記の表２に示すように適宜の割合で配合し、適量のバインダを加えて造粒した。造粒された試料番号１〜５２の各混合物を、２００ＭＰａの圧力の下で成形し、直径１２ｍｍ×厚さ７ｍｍの円柱状成形体を得た。
【００３７】
上記成形体を大気中で９００〜１０００℃の温度で２時間焼成し、表２及び表３の試料番号１〜５２の円柱状の各絶縁体磁器を得た。
上記のようにして得た各円柱状絶縁体磁器を用い、両端短絡型誘電体共振法により共振周波数（１０ＧＨｚ）における比誘電率εr 、及びＱ値を測定した。結果を下記の表２，表３に示す。
【００３８】
また、上記円柱状絶縁体磁器について、ＪＩＳ Ｒ１６０１に準じて３点曲げ試験を行い、抗折強度を評価した。試料番号２〜７，９〜２９，３９〜４０，４２〜５２の試料では、相対密度が９８％以上であり、２００ＭＰａの高い抗折強度を示した。
【００３９】
【表１】
【００４０】
【表２】
【００４１】
【表３】
【００４２】
試料番号１では、ＭｇＯを含まないため、また、試料番号８では、ＭｇＡｌ2Ｏ4 を含まないため、いずれの場合においても相対密度が９６％と低く、かつＱ値も３５０と低かった。
【００４３】
試料番号３０〜３２では、表１のガラスＧを用いたため、相対密度が９７％以下であり、Ｑ値が３８０以下であった。
同様に、試料番号３３，３４及び試料番号３５〜３７、試料番号３８及び試料番号４１では、それぞれ、表１のガラスＨ，Ｉ，Ｊ，Ｌを用いたため、相対密度が９７％以下と低く、かつＱ値が３８０以下と低かった。
【００４４】
すなわち、本発明の範囲外の試料の絶縁体磁器では、１０００℃以下の低温で焼成した場合、相対密度が９７％以下と低く、かつＱ値が３８０以下と低かった。
【００４５】
これに対して、本発明に属する絶縁体磁器では、１０００℃以下の低温で焼成した場合であっても、相対密度が９８％以上と高く、すなわち機械的強度に優れており（２００ＭＰａ以上）、さらに比誘電率が小さく、しかも測定周波数１０ＧＨｚにおけるＱ値は４００以上と高い値を示した。従って、高周波用電子部品に最適な低温で焼成し得る絶縁体磁器組成物を提供し得ることがわかる。
【００４６】
次に、本発明に係る絶縁体磁器組成物を焼成して得られた絶縁体磁器を用いたセラミック多層基板、セラミック電子部品及び積層セラミック電子部品の構造的な実施例を説明する。
図１は、セラミック多層基板を含むセラミック電子部品としてのセラミック多層モジュールを示す断面図であり、図２はその分解斜視図である。
【００４７】
セラミック多層モジュール１は、セラミック多層基板２を用いて構成されている。
セラミック多層基板２では、本発明に係る絶縁体磁器組成物からなる絶縁性セラミック層３ａ，３ｂ間に、例えばチタン酸バリウムにガラスを加えてなる相対的に誘電率の高い誘電性セラミック層４が挟まれている。
【００４８】
誘電性セラミック層４内には、複数の内部電極５が誘電性セラミック層４の一を介して隣り合うように配置されており、それによって積層コンデンサユニットＣ１，Ｃ２が構成されている。
また、絶縁性セラミック層３ａ，３ｂ及び誘電性セラミック層４には、複数のビアホール電極６，６ａや内部配線が形成されている。
【００４９】
他方、セラミック多層基板２の上面には、電子部品素子９〜１１が実装されている。電子部品素子９〜１１としては、半導体デバイス、チップ型積層コンデンサなどの適宜の電子部品素子を用いることができる。上記ビアホール電極６及び内部配線により、これらの電子部品素子９〜１１と、コンデンサユニットＣ１，Ｃ２とが電気的に接続されて本実施例に係るセラミック多層モジュール１の回路を構成している。
【００５０】
また、上記セラミック多層基板２の上面には、導電性キャップ８が固定されている。導電性キャップ８は、セラミック多層基板２を上面から下面に向かって貫いているビアホール電極６に電気的に接続されている。また、セラミック多層基板２の下面に外部電極７，７が形成されており、外部電極７，７が上記ビアホール電極６，６ａに電気的に接続されている。また、他の外部電極については図示を省略しているが、上記外部電極７と同様に、セラミック多層基板２の下面にのみ形成されている。また、他の外部電極は、上述した内部配線を介して、電子部品素子９〜１１やコンデンサユニットＣ１，Ｃ２と電気的に接続されている。
【００５１】
このように、セラミック多層基板２の下面にのみ外部と接続するための外部電極７を形成することにより、セラミック積層モジュールを、下面側を利用してプリント回路基板などに容易に表面実装することができる。
【００５２】
また、キャップ８が導電性材料からなり、外部電極７にビアホール電極６ａを介して電気的に接続されているので、電子部品素子９〜１１を導電性キャップ８により電磁シールドすることができる。もっとも、キャップ８は、必ずしも導電性材料で構成されている必要はない。
【００５３】
セラミック多層モジュール１では、上記絶縁性セラミック層３ａ，３ｂが本発明に係る絶縁体磁器を用いているので誘電率が低く、かつＱ値も高いので、高周波用途に適したセラミック多層モジュール１を提供することができる。加えて、上記絶縁性セラミック層３ａ，３ｂが機械的強度に優れているので、機械的強度においても優れたセラミック多層モジュール１を構成することができる。
【００５４】
なお、上記セラミック多層基板２は、周知のセラミック積層一体焼成技術を用いて容易に得ることができる。すなわち、先ず、本発明に係る絶縁体磁器材料を主体とするセラミックグリーンシートを用意し、内部電極５、外部配線及びビアホール電極６，６ａなどを構成するための電極パターンを印刷し、積層する。さらに、上下に絶縁性セラミック層３ａ，３ｂを形成するためのセラミックグリーンシート上に外部配線及びビアホール電極６，６ａを構成するための電極パターンを形成したものを適宜の枚数積層し、厚み方向に加圧する。このようにして得られた積層体を焼成することにより、容易にセラミック多層基板２を得ることができる。
【００５５】
図３〜図５は、第２の構造的な例としての積層セラミック電子部品を説明するための分解斜視図、外観斜視図及び回路図である。
図４に示すこの積層セラミック電子部品２０は、ＬＣフィルタである。セラミック焼結体２１内に、後述のようにインダクタンスＬ及び静電容量Ｃを構成する回路が構成されている。セラミック焼結体２１が、本発明に係る絶縁体磁器を用いて構成されている。また、セラミック焼結体２１の外表面には、外部電極２３ａ，２３ｂ，２４ａ，２４ｂが形成されており、外部電極２３ａ，２３ｂ，２４ａ，２４ｂ間には、図５に示すＬＣ共振回路が構成されている。
【００５６】
次に、上記セラミック焼結体２１内の構成を、図３を参照しつつ製造方法を説明することにより明らかにする。
まず、本発明に係る絶縁体磁器材料に、有機ビヒクルを添加し、セラミックスラリーを得る。このセラミックスラリーを、適宜のシート成形法により形成し、セラミックグリーンシートを得る。このようにして得られたセラミックグリーンシートを乾燥した後所定の大きさに打ち抜き、矩形のセラミックグリーンシート２１ａ〜２１ｍを用意する。
【００５７】
次に、セラミックグリーンシート２１ａ〜２１ｍに、ビアホール電極２８を構成するための貫通孔を必要に応じて形成する。さらに、導電ペーストをスクリーン印刷することにより、コイル導体２６ａ，２６ｂ、コンデンサ用内部電極２７ａ〜２７ｃ、コイル導体２６ｃ，２６ｄを形成すると共に、上記ビアホール２８用貫通孔に導電ペーストを充填し、ビアホール電極２８を形成する。
【００５８】
しかる後、セラミックグリーンシート２１ａ〜２１ｍを図示の向きに積層し、厚み方向に加圧し積層体を得る。
得られた積層体を焼成し、セラミック焼結体２１を得る。
【００５９】
上記のようにして得られたセラミック焼結体２１に、図４に示したように外部電極２３ａ〜２４ｂを、導電ペーストの塗布・焼き付け、蒸着、メッキもしくはスパッタリングなどの薄膜形成法等により形成する。このようにして、積層セラミック電子部品２０を得ることができる。
【００６０】
図３から明らかなように、コイル導体２６ａ，２６ｂにより、図５に示すインダクタンスユニットＬ１が、コイル導体２６ｃ，２６ｄによりインダクタンスユニットＬ２が構成され、内部電極２７ａ〜２７ｃによりコンデンサＣが構成される。
【００６１】
積層セラミック電子部品２０では、上記のようにＬＣフィルタが構成されているが、セラミック焼結体２１が本発明に係る絶縁体磁器を用いて構成されているので、セラミック多層基板２と同様に、低温焼成により得ることができ、従って内部電極としての上記コイル導体２６ａ〜２６ｃやコンデンサ用内部電極２７ａ〜２７ｃとして、銅、銀、金などの低融点金属を用いてセラミックスと一体焼成することができる。加えて、高周波におけるＱ値が高く、高周波用途に適したＬＣフィルタを構成することができる。また、上記絶縁体磁器の機械的強度が高いため、機械的強度においても優れたＬＣフィルタを提供することができる。
【００６２】
なお、上記第１，第２の構造例では、セラミック多層モジュール１及びＬＣフィルタを構成する積層セラミック電子部品２０を例にとり説明したが、セラミック電子部品及び積層セラミック電子部品はこれらの構造に限定されるものではない。すなわち、マルチチップモジュール用セラミック多層基板、ハイブリッドＩＣ用セラミック多層基板などの各種セラミック多層基板、あるいはこれらのセラミック多層基板に電子部品素子を搭載した様々なセラミック電子部品、さらに、チップ型積層コンデンサやチップ型積層誘電体アンテナなどの様々なチップ型積層電子部品に適用することができる。
【００６３】
【発明の効果】
本発明に係る絶縁体磁器組成物では、ＭｇＯ−ＭｇＡｌ2Ｏ4 系セラミックス粉末と上記特定の組成のガラス粉末とを含むので、１０００℃以下の低温で焼成することができる。従って、銅や銀などの低融点金属からなる導体材料と同時に焼成することができるので、これらの導体材料を内部電極等に用いることができるので、低温焼成により得ることができるセラミック多層基板に好適に本発明に係る絶縁体磁器組成物を用いることができ、かつ多層基板などのコストを低減することができる。加えて、本発明に係る絶縁体磁器組成物を焼成することにより得られた絶縁体磁器は、高周波帯において高いＱ値を示すので、高いＱ値を有する高周波用多層基板などを提供することができる。
【００６４】
本発明において、前記ガラス粉末が、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯ及びＭｇＯからなる群から選択した少なくとも１種のアルカリ土類金属酸化物を、前記ガラス粉末成分１００重量部に対し、１０〜４０重量部の割合でさらに含む場合は、ガラス粉末作製時の溶融温度を低下させることができ、本発明に係る絶縁体磁器組成物の調製コストを低減することができる。
【００６５】
また、前記ガラス粉末が、Ｌｉ2Ｏ、Ｋ2Ｏ及びＮａ2Ｏからなる群から選択した少なくとも１種のアルカリ金属酸化物を、ガラス粉末全体の１０重量％以下の割合で含む場合には、同じくガラス粉末作製時の溶融温度を低下させることができ、ガラス粉末調製コストを低減することができると共に、Ｑ値の低下を抑制することができる。
【００６６】
さらに、前記絶縁体磁器組成物が、酸化亜鉛をＺｎＯ換算で１５重量％以下の割合で含む場合には、絶縁体磁器組成物の焼成温度を低下させることができると共に、緻密て焼結体を得ることを可能とする。
【００６７】
また、酸化銅をＣｕＯ換算で全体の３重量％以下の割合で含有する場合には、同じく焼成温度を低下させることができ、かつＱ値の高い絶縁体磁器を得ることができる。
【００６８】
前記ＭｇＯ−ＭｇＡｌ2Ｏ4 系セラミック粉末の重量比組成式を、ｘＭｇＯ−ｙＭｇＡｌ2Ｏ4 と表したとき、前記ｘ，ｙは、１０≦ｘ≦９０、１０≦ｙ≦９０（但しｘ＋ｙ＝１００）をそれぞれ満足する場合には、低温で焼成して、緻密な焼結体を得ることができ、かつ低温で焼成した場合であっても、ガラス粉末使用量を低減することができ、低い誘電率及び高周波帯におけるＱ値の高い絶縁体磁器を確実に得ることができる。
【００６９】
前記セラミック粉末と前記ガラス粉末とが、重量比で、セラミック粉末：ガラス粉末＝２０：８０〜８０：２０の割合で含む場合には、より緻密な絶縁体磁器を得ることができ、かつガラス粉末の使用によりＱ値の低下を抑制することができる。
【００７０】
本発明の絶縁体磁器組成物により得られる絶縁体磁器は、本発明に係る絶縁体磁器組成物を焼成することにより得られるので、低温の焼成で得られ、従って、絶縁体磁器のコストを低減することができる。加えて、この絶縁体磁器は、機械的強度に優れ、かつ高いＱ値及び低い誘電率を示す。従って、例えばセラミック基板やセラミック多層基板に用いた場合、機械的強度に優れ、Ｑ値の高いセラミック基板やセラミック多層基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例としてのセラミック多層基板を用いたセラミック電子部品としてのセラミック積層モジュールを示す縦断面図。
【図２】図１に示したセラミック多層モジュールの分解斜視図。
【図３】本発明の第２の実施例の積層セラミック電子部品を製造するのに用いられたセラミックグリーンシート及びその上に形成されている電極パターンを説明するための分解斜視図。
【図４】本発明の第２の実施例に係る積層セラミック電子部品を示す斜視図。
【図５】図４に示した積層セラミック電子部品の回路構成を示す図。
【符号の説明】
１…セラミック積層モジュール
２…セラミック多層基板
３ａ，３ｂ…絶縁性セラミック層
４…第２のセラミック層としての誘電性セラミック層
５，５…内部電極
６，６ａ…ビアホール電極
７…外部電極
８…導電性キャップ
９〜１１…電子部品素子
２０…積層セラミック電子部品
２１…セラミック焼結体
２３ａ，２３ｂ，２４ａ，２４ｂ…外部電極
２６ａ〜２６ｄ…コイル導体
２７ａ〜２７ｃ…コンデンサ用内部電極
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば多層回路基板に用いられる絶縁体磁器組成物に関し、より詳細には、半導体素子や各種電子部品を搭載するための複合多層回路基板に好適に用いることができ、銅や銀などの導体材料と同時焼成可能な絶縁体磁器組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器の高速化及び高周波化が進んでいる。また、電子機器に搭載される電子部品においても、高速化及び高集積化が求められており、さらに高密度実装化が要求されている。上記のような要求に応えるために、従来より、半導体素子や各種電子部品を搭載するための基板として、多層回路基板が用いられている。多層回路基板では、基板内に導体回路や電子部品機能素子が内臓されており、電子機器の小型化を進めることができる。
【０００３】
上記多層回路基板を構成する材料としては、従来、アルミナが多用されている。
アルミナの焼成温度は１５００〜１６００℃と比較的高い。従って、アルミナからなる多層回路基板に内蔵されている導体回路材料としては、通常、Ｍｏ、Ｍｏ−Ｍｎ、Ｗなどの高融点金属を用いなければならなかった。ところが、これらの高融点金属は電気抵抗が高いという問題があった。
【０００４】
従って、上記高融点金属よりも電気抵抗が低く、かつ安価な金属、例えば銅などを導体材料として用いることが強く求められている。銅を導体材料として用いることを可能とするために、１０００℃以下の低温で焼成され得るガラスセラミックスや結晶化ガラスなどを用いることが提案されている（例えば、特開平５−２３８７７４号公報）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述した公知の低温焼成可能な基板材料は高い機械的強度、高Ｑ値を共に満足するものが得られ難いという問題があった。
【０００６】
本発明の目的は、上述した従来技術の欠点を解消し、低温で焼成することができ、銀や銅などの比較的低融点の導体材料と同時に焼成でき、機械的強度に優れ、Ｑ値が高く、高周波特性に優れた絶縁体磁器を与える絶縁体磁器組成物を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、本発明に係る絶縁体磁器組成物は、（Ａ）ＭｇＯ−ＭｇＡｌ2Ｏ4 系セラミック粉末と、（Ｂ）酸化ケイ素をＳｉＯ2 換算で１３〜５０重量％、酸化ホウ素をＢ2Ｏ3 換算で３〜６０重量％、酸化アルミニウムをＡｌ2Ｏ3 換算で０〜２０重量％、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯ及びＭｇＯからなる群から選択した少なくとも１種のアルカリ土類金属酸化物を、１０〜４０重量％の割合でこれらを含むガラス粉末（ただし、アルカリ土類金属酸化物を４０重量％含むものを除く）とを含むことを特徴とする。
【０００９】
なお、上記ガラス粉末１００重量％において、酸化ケイ素は、ＳｉＯ2 換算で、１３〜５０重量％、好ましくは２０〜３０重量％を占める。酸化ケイ素の含有量が１３重量％以下では、得られる焼結体の結晶化度が低くなり、Ｑ値が低下する。逆に、酸化ケイ素の含有量が５０重量％を超えると、ガラスの溶融温度が高くなる。
【００１０】
また、上記ガラス粉末１００重量％において、酸化ホウ素はＢ2Ｏ3 換算で３〜６０重量％、好ましくは３０〜６０重量％を占める。酸化ホウ素は、主に融剤として作用する。酸化ホウ素の含有量がＢ2Ｏ3 換算で３重量％未満では、溶融温度が高くなり過ぎ、逆に、６０重量％を超えると、得られる焼結体の耐湿性が低下する。
【００１１】
さらに、上記ガラス粉末１００重量％において、酸化アルミニウムは、Ａｌ2Ｏ3 換算で０〜２０重量％を占める。なお、酸化アルミニウム含有量は、Ａｌ2Ｏ3 換算で０重量％であってもよい。すなわち、酸化アルミニウムは、必ずしも含まれずともよい。
【００１２】
従って、酸化アルミニウムが含まれない本発明に係る絶縁体磁器組成物は、上記（Ａ）ＭｇＯ−ＭｇＡｌ2Ｏ4 系セラミック粉末と、（Ｂ）酸化ケイ素をＳｉＯ2 換算で１３〜５０重量％、及び酸化ホウ素をＢ2Ｏ3 換算で３〜６０重量％の割合で酸化ケイ素及び酸化ホウ素を含むガラス粉末とを含む絶縁体磁器組成物と表される。
【００１３】
なお、上記酸化アルミニウムを含有させる場合、含有量がＡｌ2Ｏ3 換算で２０重量％を超えると、緻密な焼結体が得られず、Ｑ値が小さくなる。また、酸化アルミニウムを含有させる場合のその下限値については、Ａｌ2Ｏ3 換算で０重量％を超える範囲となる。
【００１４】
本発明において、上記ガラス粉末は、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯ及びＭｇＯからなる群から選択した少なくとも１種のアルカリ土類金属酸化物を、上記ガラス粉末全体の１０〜４０重量％を占めるようにさらに含む。より好ましくは、ガラス粉末全体の２０〜３０重量％を占めるように上記アルカリ土類金属酸化物が添加される。
【００１５】
上記アルカリ土類金属酸化物は、ガラス作製時の溶融温度を低下させる作用を有し、かつ結晶化ガラス中の結晶構成成分としても作用する。上記アルカリ土類金属酸化物の含有割合が１０重量％未満では、溶融温度が高くなることがあり、４０重量％を超えると、結晶の析出量が多くなり、基板強度が低下する。
【００１６】
また、本発明の他の局面では、上記ガラス粉末は、Ｌｉ2Ｏ、Ｋ2Ｏ及びＮａ2Ｏからなる群から選択した少なくとも１種のアルカリ金属酸化物をガラス粉末全体の１０重量％以下の割合で、さらに好ましくは、２〜５重量％の割合で含むことが望ましい。アルカリ金属酸化物は、ガラス作製時の溶融温度を低下させる作用を有する。アルカリ金属酸化物の含有割合が１０重量％を超えると、Ｑ値が低下するおそれがある。
【００１７】
本発明において、上記絶縁体磁器組成物は、好ましくは、酸化亜鉛をＺｎＯ換算で１５重量％以下、より好ましくは１０重量％以下の割合で含むことが望ましい。酸化亜鉛は、焼成温度を低下させる作用を有する。もっとも、酸化亜鉛の含有割合がＺｎＯ換算で１５重量％を超えると、最終的に緻密な焼結体が得られないことがある。
なお、上記酸化亜鉛は、ガラス成分として含有されていてもよい。
【００１８】
本発明においては、酸化銅がＣｕＯ換算で全体の３重量％以下の割合で、より好ましくは、２重量％以下の割合で添加されていることが望ましい。酸化銅は、焼成温度を下げる作用を有する。もっとも、酸化銅の含有割合が３重量％を超えると、Ｑ値を低下させることがある。
【００１９】
本発明の特定の局面では、前記ＭｇＯ−ＭｇＡｌ2Ｏ4 系セラミック粉末の重量比組成式を、ｘＭｇＯ−ｙＭｇＡｌ2Ｏ4 と表したとき、前記ｘ，ｙは、１０≦ｘ≦９０、１０≦ｙ≦９０（但しｘ＋ｙ＝１００）をそれぞれ満足するように構成することが望ましい。ＭｇＯの重量百分率を示すｘを１〜９０の範囲としたのは、ｘが９０より大きいと、ＭｇＯの耐湿性に問題が生じることがあるためである。また、１０より小さいと、１０００℃以下で焼成するためには、高価なガラスの添加量が多くなるおそれがあるためである。
【００２０】
また、本発明においては、好ましくは、上記セラミック粉末とガラス粉末とは、重量比で、セラミック粉末：ガラス粉末＝２０：８０〜８０：２０の割合で配合されていることが望ましく、より好ましくは、４０：６０〜６０：４０である。上記範囲よりもセラミック粉末の配合割合が高くなると、焼結体の密度が小さくなることがあり、上記範囲よりガラス粉末の配合割合が高くなると、Ｑ値が小さくなることがある。
【００２１】
本発明の他の特定の局面では、本発明に係る絶縁体磁器組成物を焼成することにより得られる絶縁体磁器が提供される。この場合、上記絶縁体磁器組成物を１０００℃以下の低温で焼成することにより上記絶縁体磁器が得られるので、銅や銀などの低融点金属と共に上記絶縁体磁器組成物を同時焼成することができる。従って、これらの低融点金属からなる導体材料を用いたセラミック多層基板などに本発明に係る絶縁体磁器を好適に用いることができる。
【００２２】
特に、セラミック粉末として高周波帯で高いＱ（Ｑ×ｆ値≧７００００ＧＨｚａｔ１４ＧＨｚ）のＭｇＯ−ＭｇＡｌ2Ｏ4 系材料が用いられているので、ガラス粉末の添加量を少なくしたとしても、１０００℃以下の温度で調製することができ、かつ高いＱ値を有する絶縁体磁器をえることができる。
【００２３】
なお、本発明により得られる絶縁体磁器は、測定周波数１０ＧＨｚのＱ値が４００以上を満足することが望ましい。Ｑ値が４００以上の場合には、近年における高周波帯の回路素子基板として用いることができる。
なお、上記ガラス粉末としては、ガラス組成物を７００〜１４００℃で仮焼したものを用いてもよい。
【００３４】
【発明の実施の形態】
以下、先ず、本発明に係る絶縁体磁器についての具体的な実施例を説明し、さらに、本発明に係るセラミック多層基板、セラミック電子部品及び積層セラミック電子部品の構造的な実施例を説明することにより、本発明を明らかにする。
【００３５】
原料粉末としてＭｇ（ＯＨ）2 粉末と、Ａｌ2Ｏ3 粉末とを用い、最終的に得られる焼結体が重量比組成でｘＭｇＯ−ｙＭｇＡｌ2Ｏ4 と表されるときのｘ及びｙが、１０≦ｘ≦９０かつ１０≦ｙ≦９０（但し、ｘ＋ｙ＝１００）を満足するように上記両粉末を秤量し、１６時間湿式混合した後、乾燥した。乾燥された混合物を１４００℃で２時間仮焼した後粉砕した。
【００３６】
次に、下記の表２に示すように、上記のようにして仮焼された原料２０〜８０重量％と、下記の表１に示す組成のガラス粉末（焼結助剤）と、ＺｎＯ及びＣｕＯを下記の表２に示すように適宜の割合で配合し、適量のバインダを加えて造粒した。造粒された試料番号１〜５２の各混合物を、２００ＭＰａの圧力の下で成形し、直径１２ｍｍ×厚さ７ｍｍの円柱状成形体を得た。
【００３７】
上記成形体を大気中で９００〜１０００℃の温度で２時間焼成し、表２及び表３の試料番号１〜５２の円柱状の各絶縁体磁器を得た。
上記のようにして得た各円柱状絶縁体磁器を用い、両端短絡型誘電体共振法により共振周波数（１０ＧＨｚ）における比誘電率εr 、及びＱ値を測定した。結果を下記の表２，表３に示す。
【００３８】
また、上記円柱状絶縁体磁器について、ＪＩＳ Ｒ１６０１に準じて３点曲げ試験を行い、抗折強度を評価した。試料番号２〜７，９〜２９，３９〜４０，４２〜５２の試料では、相対密度が９８％以上であり、２００ＭＰａの高い抗折強度を示した。
【００３９】
【表１】
【表２】
【表３】
試料番号１では、ＭｇＯを含まないため、また、試料番号８では、ＭｇＡｌ2Ｏ4 を含まないため、いずれの場合においても相対密度が９６％と低く、かつＱ値も３５０と低かった。
【００４３】
試料番号３０〜３２では、表１のガラスＧを用いたため、相対密度が９７％以下であり、Ｑ値が３８０以下であった。
同様に、試料番号３３，３４及び試料番号３５〜３７、試料番号３８及び試料番号４１では、それぞれ、表１のガラスＨ，Ｉ，Ｊ，Ｌを用いたため、相対密度が９７％以下と低く、かつＱ値が３８０以下と低かった。
【００４４】
すなわち、本発明の範囲外の試料の絶縁体磁器では、１０００℃以下の低温で焼成した場合、相対密度が９７％以下と低く、かつＱ値が３８０以下と低かった。
【００４５】
これに対して、本発明に属する絶縁体磁器では、１０００℃以下の低温で焼成した場合であっても、相対密度が９８％以上と高く、すなわち機械的強度に優れており（２００ＭＰａ以上）、さらに比誘電率が小さく、しかも測定周波数１０ＧＨｚにおけるＱ値は４００以上と高い値を示した。従って、高周波用電子部品に最適な低温で焼成し得る絶縁体磁器組成物を提供し得ることがわかる。
【００４６】
次に、本発明に係る絶縁体磁器組成物を焼成して得られた絶縁体磁器を用いたセラミック多層基板、セラミック電子部品及び積層セラミック電子部品の構造的な実施例を説明する。
図１は、セラミック多層基板を含むセラミック電子部品としてのセラミック多層モジュールを示す断面図であり、図２はその分解斜視図である。
【００４７】
セラミック多層モジュール１は、セラミック多層基板２を用いて構成されている。
セラミック多層基板２では、本発明に係る絶縁体磁器組成物からなる絶縁性セラミック層３ａ，３ｂ間に、例えばチタン酸バリウムにガラスを加えてなる相対的に誘電率の高い誘電性セラミック層４が挟まれている。
【００４８】
誘電性セラミック層４内には、複数の内部電極５が誘電性セラミック層４の一を介して隣り合うように配置されており、それによって積層コンデンサユニットＣ１，Ｃ２が構成されている。
また、絶縁性セラミック層３ａ，３ｂ及び誘電性セラミック層４には、複数のビアホール電極６，６ａや内部配線が形成されている。
【００４９】
他方、セラミック多層基板２の上面には、電子部品素子９〜１１が実装されている。電子部品素子９〜１１としては、半導体デバイス、チップ型積層コンデンサなどの適宜の電子部品素子を用いることができる。上記ビアホール電極６及び内部配線により、これらの電子部品素子９〜１１と、コンデンサユニットＣ１，Ｃ２とが電気的に接続されて本実施例に係るセラミック多層モジュール１の回路を構成している。
【００５０】
また、上記セラミック多層基板２の上面には、導電性キャップ８が固定されている。導電性キャップ８は、セラミック多層基板２を上面から下面に向かって貫いているビアホール電極６に電気的に接続されている。また、セラミック多層基板２の下面に外部電極７，７が形成されており、外部電極７，７が上記ビアホール電極６，６ａに電気的に接続されている。また、他の外部電極については図示を省略しているが、上記外部電極７と同様に、セラミック多層基板２の下面にのみ形成されている。また、他の外部電極は、上述した内部配線を介して、電子部品素子９〜１１やコンデンサユニットＣ１，Ｃ２と電気的に接続されている。
【００５１】
このように、セラミック多層基板２の下面にのみ外部と接続するための外部電極７を形成することにより、セラミック積層モジュールを、下面側を利用してプリント回路基板などに容易に表面実装することができる。
【００５２】
また、キャップ８が導電性材料からなり、外部電極７にビアホール電極６ａを介して電気的に接続されているので、電子部品素子９〜１１を導電性キャップ８により電磁シールドすることができる。もっとも、キャップ８は、必ずしも導電性材料で構成されている必要はない。
【００５３】
セラミック多層モジュール１では、上記絶縁性セラミック層３ａ，３ｂが本発明に係る絶縁体磁器を用いているので誘電率が低く、かつＱ値も高いので、高周波用途に適したセラミック多層モジュール１を提供することができる。加えて、上記絶縁性セラミック層３ａ，３ｂが機械的強度に優れているので、機械的強度においても優れたセラミック多層モジュール１を構成することができる。
【００５４】
なお、上記セラミック多層基板２は、周知のセラミック積層一体焼成技術を用いて容易に得ることができる。すなわち、先ず、本発明に係る絶縁体磁器材料を主体とするセラミックグリーンシートを用意し、内部電極５、外部配線及びビアホール電極６，６ａなどを構成するための電極パターンを印刷し、積層する。さらに、上下に絶縁性セラミック層３ａ，３ｂを形成するためのセラミックグリーンシート上に外部配線及びビアホール電極６，６ａを構成するための電極パターンを形成したものを適宜の枚数積層し、厚み方向に加圧する。このようにして得られた積層体を焼成することにより、容易にセラミック多層基板２を得ることができる。
【００５５】
図３〜図５は、第２の構造的な例としての積層セラミック電子部品を説明するための分解斜視図、外観斜視図及び回路図である。
図４に示すこの積層セラミック電子部品２０は、ＬＣフィルタである。セラミック焼結体２１内に、後述のようにインダクタンスＬ及び静電容量Ｃを構成する回路が構成されている。セラミック焼結体２１が、本発明に係る絶縁体磁器を用いて構成されている。また、セラミック焼結体２１の外表面には、外部電極２３ａ，２３ｂ，２４ａ，２４ｂが形成されており、外部電極２３ａ，２３ｂ，２４ａ，２４ｂ間には、図５に示すＬＣ共振回路が構成されている。
【００５６】
次に、上記セラミック焼結体２１内の構成を、図３を参照しつつ製造方法を説明することにより明らかにする。
まず、本発明に係る絶縁体磁器材料に、有機ビヒクルを添加し、セラミックスラリーを得る。このセラミックスラリーを、適宜のシート成形法により形成し、セラミックグリーンシートを得る。このようにして得られたセラミックグリーンシートを乾燥した後所定の大きさに打ち抜き、矩形のセラミックグリーンシート２１ａ〜２１ｍを用意する。
【００５７】
次に、セラミックグリーンシート２１ａ〜２１ｍに、ビアホール電極２８を構成するための貫通孔を必要に応じて形成する。さらに、導電ペーストをスクリーン印刷することにより、コイル導体２６ａ，２６ｂ、コンデンサ用内部電極２７ａ〜２７ｃ、コイル導体２６ｃ，２６ｄを形成すると共に、上記ビアホール２８用貫通孔に導電ペーストを充填し、ビアホール電極２８を形成する。
【００５８】
しかる後、セラミックグリーンシート２１ａ〜２１ｍを図示の向きに積層し、厚み方向に加圧し積層体を得る。
得られた積層体を焼成し、セラミック焼結体２１を得る。
【００５９】
上記のようにして得られたセラミック焼結体２１に、図４に示したように外部電極２３ａ〜２４ｂを、導電ペーストの塗布・焼き付け、蒸着、メッキもしくはスパッタリングなどの薄膜形成法等により形成する。このようにして、積層セラミック電子部品２０を得ることができる。
【００６０】
図３から明らかなように、コイル導体２６ａ，２６ｂにより、図５に示すインダクタンスユニットＬ１が、コイル導体２６ｃ，２６ｄによりインダクタンスユニットＬ２が構成され、内部電極２７ａ〜２７ｃによりコンデンサＣが構成される。
【００６１】
積層セラミック電子部品２０では、上記のようにＬＣフィルタが構成されているが、セラミック焼結体２１が本発明に係る絶縁体磁器を用いて構成されているので、セラミック多層基板２と同様に、低温焼成により得ることができ、従って内部電極としての上記コイル導体２６ａ〜２６ｃやコンデンサ用内部電極２７ａ〜２７ｃとして、銅、銀、金などの低融点金属を用いてセラミックスと一体焼成することができる。加えて、高周波におけるＱ値が高く、高周波用途に適したＬＣフィルタを構成することができる。また、上記絶縁体磁器の機械的強度が高いため、機械的強度においても優れたＬＣフィルタを提供することができる。
【００６２】
なお、上記第１，第２の構造例では、セラミック多層モジュール１及びＬＣフィルタを構成する積層セラミック電子部品２０を例にとり説明したが、セラミック電子部品及び積層セラミック電子部品はこれらの構造に限定されるものではない。すなわち、マルチチップモジュール用セラミック多層基板、ハイブリッドＩＣ用セラミック多層基板などの各種セラミック多層基板、あるいはこれらのセラミック多層基板に電子部品素子を搭載した様々なセラミック電子部品、さらに、チップ型積層コンデンサやチップ型積層誘電体アンテナなどの様々なチップ型積層電子部品に適用することができる。
【００６３】
【発明の効果】
本発明に係る絶縁体磁器組成物では、ＭｇＯ−ＭｇＡｌ2Ｏ4 系セラミックス粉末と上記特定の組成のガラス粉末とを含むので、１０００℃以下の低温で焼成することができる。従って、銅や銀などの低融点金属からなる導体材料と同時に焼成することができるので、これらの導体材料を内部電極等に用いることができるので、低温焼成により得ることができるセラミック多層基板に好適に本発明に係る絶縁体磁器組成物を用いることができ、かつ多層基板などのコストを低減することができる。加えて、本発明に係る絶縁体磁器組成物を焼成することにより得られた絶縁体磁器は、高周波帯において高いＱ値を示すので、高いＱ値を有する高周波用多層基板などを提供することができる。
【００６４】
本発明において、前記ガラス粉末が、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯ及びＭｇＯからなる群から選択した少なくとも１種のアルカリ土類金属酸化物を、前記ガラス粉末成分１００重量部に対し、１０〜４０重量部の割合でさらに含む場合は、ガラス粉末作製時の溶融温度を低下させることができ、本発明に係る絶縁体磁器組成物の調製コストを低減することができる。
【００６５】
また、前記ガラス粉末が、Ｌｉ2Ｏ、Ｋ2Ｏ及びＮａ2Ｏからなる群から選択した少なくとも１種のアルカリ金属酸化物を、ガラス粉末全体の１０重量％以下の割合で含む場合には、同じくガラス粉末作製時の溶融温度を低下させることができ、ガラス粉末調製コストを低減することができると共に、Ｑ値の低下を抑制することができる。
【００６６】
さらに、前記絶縁体磁器組成物が、酸化亜鉛をＺｎＯ換算で１５重量％以下の割合で含む場合には、絶縁体磁器組成物の焼成温度を低下させることができると共に、緻密て焼結体を得ることを可能とする。
【００６７】
また、酸化銅をＣｕＯ換算で全体の３重量％以下の割合で含有する場合には、同じく焼成温度を低下させることができ、かつＱ値の高い絶縁体磁器を得ることができる。
【００６８】
前記ＭｇＯ−ＭｇＡｌ2Ｏ4 系セラミック粉末の重量比組成式を、ｘＭｇＯ−ｙＭｇＡｌ2Ｏ4 と表したとき、前記ｘ，ｙは、１０≦ｘ≦９０、１０≦ｙ≦９０（但しｘ＋ｙ＝１００）をそれぞれ満足する場合には、低温で焼成して、緻密な焼結体を得ることができ、かつ低温で焼成した場合であっても、ガラス粉末使用量を低減することができ、低い誘電率及び高周波帯におけるＱ値の高い絶縁体磁器を確実に得ることができる。
【００６９】
前記セラミック粉末と前記ガラス粉末とが、重量比で、セラミック粉末：ガラス粉末＝２０：８０〜８０：２０の割合で含む場合には、より緻密な絶縁体磁器を得ることができ、かつガラス粉末の使用によりＱ値の低下を抑制することができる。
【００７０】
本発明の絶縁体磁器組成物により得られる絶縁体磁器は、本発明に係る絶縁体磁器組成物を焼成することにより得られるので、低温の焼成で得られ、従って、絶縁体磁器のコストを低減することができる。加えて、この絶縁体磁器は、機械的強度に優れ、かつ高いＱ値及び低い誘電率を示す。従って、例えばセラミック基板やセラミック多層基板に用いた場合、機械的強度に優れ、Ｑ値の高いセラミック基板やセラミック多層基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例としてのセラミック多層基板を用いたセラミック電子部品としてのセラミック積層モジュールを示す縦断面図。
【図２】図１に示したセラミック多層モジュールの分解斜視図。
【図３】本発明の第２の実施例の積層セラミック電子部品を製造するのに用いられたセラミックグリーンシート及びその上に形成されている電極パターンを説明するための分解斜視図。
【図４】本発明の第２の実施例に係る積層セラミック電子部品を示す斜視図。
【図５】図４に示した積層セラミック電子部品の回路構成を示す図。
【符号の説明】
１…セラミック積層モジュール
２…セラミック多層基板
３ａ，３ｂ…絶縁性セラミック層
４…第２のセラミック層としての誘電性セラミック層
５，５…内部電極
６，６ａ…ビアホール電極
７…外部電極
８…導電性キャップ
９〜１１…電子部品素子
２０…積層セラミック電子部品
２１…セラミック焼結体
２３ａ，２３ｂ，２４ａ，２４ｂ…外部電極
２６ａ〜２６ｄ…コイル導体
２７ａ〜２７ｃ…コンデンサ用内部電極
Claims (6)
- （Ａ）ＭｇＯ−ＭｇＡｌ2Ｏ4 系セラミック粉末と、
（Ｂ）酸化ケイ素をＳｉＯ2 換算で１３〜５０重量％、酸化ホウ素をＢ2Ｏ3 換算で３〜６０重量％、酸化アルミニウムをＡｌ2Ｏ3 換算で０〜２０重量％、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯ及びＭｇＯからなる群から選択した少なくとも１種のアルカリ土類金属酸化物を、１０〜４０重量％の割合でこれらを含むガラス粉末（ただし、アルカリ土類金属酸化物を４０重量％含むものを除く）とを含む絶縁体磁器組成物。 - 前記ガラス粉末が、Ｌｉ2Ｏ、Ｋ2Ｏ及びＮａ2Ｏからなる群から選択した少なくとも１種のアルカリ金属酸化物を、ガラス粉末全体の１０重量％以下の割合で含む、請求項１に記載の絶縁体磁器組成物。
- 酸化亜鉛をＺｎＯ換算で全体の１５重量％以下の割合で含むことを特徴とする、請求項１または２に記載の絶縁体磁器組成物。
- 酸化銅をＣｕＯ換算で全体の３重量％以下の割合で含有する、請求項１〜３のいずれかに記載の絶縁体磁器組成物。
- 前記ＭｇＯ−ＭｇＡｌ2Ｏ4 系セラミック粉末の重量比組成式を、
ｘＭｇＯ−ｙＭｇＡｌ2Ｏ4
と表したとき、前記ｘ，ｙは、１０≦ｘ≦９０、１０≦ｙ≦９０（但しｘ＋ｙ＝１００）をそれぞれ満足する、請求項１〜４に記載の絶縁体磁器組成物。 - 前記セラミック粉末と前記ガラス粉末とが、重量比で、セラミック粉末：ガラス粉末＝２０：８０〜８０：２０の割合で含まれている、請求項１〜５のいずれかに記載の絶縁体磁器組成物。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000060799A JP3680683B2 (ja) | 2000-03-06 | 2000-03-06 | 絶縁体磁器組成物 |
| US09/789,375 US6403200B2 (en) | 2000-03-06 | 2001-02-20 | Insulator ceramic composition |
| GB0104705A GB2360037B (en) | 2000-03-06 | 2001-02-26 | Insulator ceramic composition, multilayer ceramic substrate and ceramic electronic parts |
| CNB011109610A CN1209771C (zh) | 2000-03-06 | 2001-03-06 | 绝缘体陶瓷组合物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000060799A JP3680683B2 (ja) | 2000-03-06 | 2000-03-06 | 絶縁体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001247359A JP2001247359A (ja) | 2001-09-11 |
| JP3680683B2 true JP3680683B2 (ja) | 2005-08-10 |
Family
ID=18581051
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000060799A Expired - Lifetime JP3680683B2 (ja) | 2000-03-06 | 2000-03-06 | 絶縁体磁器組成物 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6403200B2 (ja) |
| JP (1) | JP3680683B2 (ja) |
| CN (1) | CN1209771C (ja) |
| GB (1) | GB2360037B (ja) |
Families Citing this family (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3709752B2 (ja) * | 1999-01-26 | 2005-10-26 | 株式会社村田製作所 | 誘電体セラミック組成物及びセラミック多層基板 |
| GB2365007B (en) | 2000-07-21 | 2002-06-26 | Murata Manufacturing Co | Insulative ceramic compact |
| JP3680713B2 (ja) * | 2000-07-21 | 2005-08-10 | 株式会社村田製作所 | 絶縁体磁器、セラミック多層基板、セラミック電子部品及び積層セラミック電子部品 |
| KR100519422B1 (ko) * | 2001-03-28 | 2005-10-07 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 절연체 세라믹 조성물 및 그것을 이용한 절연체 세라믹 |
| JP3843912B2 (ja) | 2001-10-22 | 2006-11-08 | 株式会社村田製作所 | 多層回路基板用ガラスセラミック材料および多層回路基板 |
| KR100400234B1 (ko) * | 2001-11-15 | 2003-10-01 | 삼성전자주식회사 | 송수신용 수동소자와 그 집적모듈 |
| EP1353542B1 (en) * | 2001-12-25 | 2018-05-16 | Ngk Spark Plug Co., Ltd | Process for production of multilayered wiring board |
| JP2003212668A (ja) * | 2002-01-28 | 2003-07-30 | Sanyo Electric Co Ltd | セラミック積層体およびその製造方法 |
| JP4534413B2 (ja) * | 2002-09-19 | 2010-09-01 | 株式会社村田製作所 | 高周波部品用低誘電率磁器組成物の製造方法 |
| KR100515679B1 (ko) * | 2003-01-10 | 2005-09-23 | 엘지전자 주식회사 | 저온 동시소성 세라믹 조성물 |
| US20050003244A1 (en) * | 2003-07-01 | 2005-01-06 | Ai-Quoc Pham | Direct hydrocarbon fuel cell system |
| US7169723B2 (en) * | 2003-11-12 | 2007-01-30 | Federal-Mogul World Wide, Inc. | Ceramic with improved high temperature electrical properties for use as a spark plug insulator |
| JP4806952B2 (ja) * | 2005-04-12 | 2011-11-02 | 東ソー株式会社 | 透光性セラミックス |
| JP2008031005A (ja) * | 2006-07-31 | 2008-02-14 | Murata Mfg Co Ltd | 多層セラミック基板および多層セラミック基板作製用複合グリーンシート |
| JP4618383B2 (ja) | 2008-05-12 | 2011-01-26 | Ｔｄｋ株式会社 | 誘電体磁器組成物、積層複合電子部品、積層コモンモードフィルタ、積層セラミックコイルおよび積層セラミックコンデンサ |
| CN101492294B (zh) * | 2009-02-17 | 2011-11-16 | 同济大学 | 介电可调微波陶瓷介质材料及其制备方法 |
| JP2011035170A (ja) * | 2009-07-31 | 2011-02-17 | Olympus Corp | 多層積層回路 |
| KR20110019536A (ko) * | 2009-08-20 | 2011-02-28 | 삼성전기주식회사 | 세라믹 기판 및 그 제조방법 |
| CN102153342B (zh) * | 2010-12-27 | 2013-02-06 | 南京工业大学 | 一种复合掺杂改性的Y2Ti2O7微波介质陶瓷材料 |
| CN102173785B (zh) * | 2011-01-21 | 2012-12-19 | 天津大学 | 一种宽工作温区热稳定型复合介质陶瓷的制备方法 |
| CN102173782B (zh) * | 2011-03-11 | 2013-07-10 | 西安交通大学 | 钼基钛基温度稳定型微波介质陶瓷材料及其制备方法 |
| JP5929321B2 (ja) * | 2012-03-01 | 2016-06-01 | Tdk株式会社 | 積層型コイル部品 |
| JP5929052B2 (ja) * | 2011-09-07 | 2016-06-01 | Tdk株式会社 | 積層型コイル部品 |
| KR101550591B1 (ko) | 2011-09-07 | 2015-09-07 | 티디케이가부시기가이샤 | 적층형 코일 부품 |
| JP5929322B2 (ja) * | 2012-03-01 | 2016-06-01 | Tdk株式会社 | 積層型コイル部品 |
| KR101525698B1 (ko) * | 2013-12-05 | 2015-06-03 | 삼성전기주식회사 | 적층형 전자부품 및 그 제조방법 |
| CN107207353A (zh) * | 2014-11-10 | 2017-09-26 | 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司 | 烧结陶瓷部件及其形成方法 |
| JP6635126B2 (ja) * | 2016-01-13 | 2020-01-22 | 株式会社村田製作所 | ガラスセラミック焼結体、ガラスセラミック組成物、積層セラミックコンデンサ及び積層セラミックコンデンサの製造方法 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3899340A (en) * | 1973-11-29 | 1975-08-12 | Corning Glass Works | High elastic modulus glass-ceramic articles |
| US4355114A (en) * | 1979-11-05 | 1982-10-19 | Rca Corporation | Partially devitrified porcelain containing BaO.2MgO.2SiO2 and 2MgO.B2 O3 crystalline phases obtained from alkali metal free divalent metal oxide borosilicate glass |
| JPS6050003B2 (ja) | 1982-09-20 | 1985-11-06 | 日本電気株式会社 | 絶縁性セラミツクペ−スト用無機組成物 |
| SU1217851A1 (ru) | 1984-12-26 | 1986-03-15 | Предприятие П/Я Г-4816 | Керамический материал |
| US5079194A (en) * | 1990-10-11 | 1992-01-07 | Aluminum Company Of America | Crystal growth inhibitor for glassy low dielectric inorganic composition |
| US5256470A (en) * | 1990-10-11 | 1993-10-26 | Aluminum Company Of America | Crystal growth inhibitor for glassy low dielectric inorganic composition |
| JP3096136B2 (ja) | 1992-02-22 | 2000-10-10 | 日本山村硝子株式会社 | 低温焼成基板用ガラス組成物およびそれから得られる基板 |
| US6329715B1 (en) * | 1996-09-20 | 2001-12-11 | Tdk Corporation | Passive electronic parts, IC parts, and wafer |
| JP3687443B2 (ja) | 1999-10-12 | 2005-08-24 | 株式会社村田製作所 | 低温焼成セラミック組成物及びセラミック多層基板 |
-
2000
- 2000-03-06 JP JP2000060799A patent/JP3680683B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-02-20 US US09/789,375 patent/US6403200B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-02-26 GB GB0104705A patent/GB2360037B/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-03-06 CN CNB011109610A patent/CN1209771C/zh not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20010031690A1 (en) | 2001-10-18 |
| GB2360037A (en) | 2001-09-12 |
| GB2360037B (en) | 2002-03-27 |
| GB0104705D0 (en) | 2001-04-11 |
| CN1209771C (zh) | 2005-07-06 |
| JP2001247359A (ja) | 2001-09-11 |
| CN1312565A (zh) | 2001-09-12 |
| US6403200B2 (en) | 2002-06-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3680683B2 (ja) | 絶縁体磁器組成物 | |
| JP3680765B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP5056528B2 (ja) | 絶縁体セラミック組成物およびそれを用いた絶縁体セラミック | |
| JP3680713B2 (ja) | 絶縁体磁器、セラミック多層基板、セラミック電子部品及び積層セラミック電子部品 | |
| JP3680684B2 (ja) | 絶縁体磁器、セラミック多層基板、セラミック電子部品及び積層セラミック電子部品 | |
| JP4371141B2 (ja) | 絶縁体セラミック組成物、絶縁性セラミック焼結体および積層型セラミック電子部品 | |
| KR100434415B1 (ko) | 절연성 세라믹 조성물 | |
| JP3680715B2 (ja) | 絶縁体磁器組成物 | |
| JP2001114554A (ja) | 低温焼成セラミック組成物及びセラミック多層基板 | |
| JP3903781B2 (ja) | 複合積層セラミック電子部品及びその製造方法 | |
| JP2001106571A (ja) | 誘電体セラミック組成物及びセラミック電子部品 | |
| JP3680714B2 (ja) | 絶縁体磁器組成物 | |
| JP3697975B2 (ja) | 誘電体磁器組成物、セラミック多層基板、セラミック電子部品及び積層セラミック電子部品 | |
| JP4077625B2 (ja) | 低温焼成磁器組成物および低温焼成磁器の製造方法 | |
| JP4540297B2 (ja) | 低温焼成磁器組成物および低温焼成磁器並びに配線基板 | |
| JP4395320B2 (ja) | 低温焼成磁器組成物および低温焼成磁器並びに配線基板 | |
| JP2003212648A (ja) | 絶縁体磁器、セラミック多層基板、セラミック電子部品、および積層セラミック電子部品 | |
| JP4044752B2 (ja) | 低温焼成磁器組成物および低温焼成磁器の製造方法 | |
| JP4129384B2 (ja) | 誘電体磁器およびそれを用いた多層配線基板 | |
| JPH11163534A (ja) | 低温焼成多層基板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041112 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041221 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050218 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050426 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050509 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 3680683 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090527 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090527 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100527 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100527 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110527 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120527 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120527 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130527 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130527 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140527 Year of fee payment: 9 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |