JP4371141B2 - 絶縁体セラミック組成物、絶縁性セラミック焼結体および積層型セラミック電子部品 - Google Patents

Description

この発明は、絶縁体セラミック組成物に関するもので、特に、低温での焼成が可能なようにガラス成分を含む絶縁体セラミック組成物、それを焼成して得られる絶縁性セラミック焼結体、およびこの絶縁性セラミック焼結体を用いて構成される積層型セラミック電子部品に関するものである。

電子機器の小型化を可能にする有効な手段の１つとして、電子機器において多機能電子部品を用いることが行なわれている。多機能電子部品としては、たとえばセラミック多層モジュールがある。

セラミック多層モジュールは、多層セラミック基板を備えている。多層セラミック基板の内部には、電気的接続機能を果たしたりコンデンサやインダクタなどの受動素子を構成したりするための配線導体が内蔵され、また、多層セラミック基板上には、種々の電子部品が搭載される。

このようなことから、セラミック多層モジュールは、小型でありながら、多機能化を図ることができ、これを用いることによって、電子機器の小型化が可能になる。

また、電子機器に対しては、上述したような小型化に加えて、高周波化に対する要望も高まっている。このような背景の下、高周波領域で用いられるセラミック多層モジュールにあっては、そこに備える多層セラミック基板が高周波特性に優れていることが望まれる。より具体的には、多層セラミック基板において積層構造を与える絶縁性セラミック層を構成する絶縁性セラミック焼結体が高周波特性に優れていることが望まれる。

このような要望を満たし得る絶縁性セラミック焼結体を得るための絶縁体セラミック組成物として、たとえば特開２０００−３４４５７１号公報（特許文献１）に記載されたものがある。特許文献１では、フォルステライトとチタン酸カルシウムとスピネルとを含む３成分系の絶縁体セラミック組成物が開示されている。特許文献１によれば、この絶縁体セラミック組成物は、より好ましい組成範囲において、周波数［ＧＨｚ］／誘電損失（ｔａｎδ）で表されるＱｆ値として、３８０００ＧＨｚ以上の値を示し、誘電率の温度係数として−８０〜＋４０ｐｐｍ・℃^−１の値を示す、とされている。

前述したセラミック多層モジュールに備える多層セラミック基板を製造しようとする場合、焼成工程が実施される。そして、この焼成工程では、多層セラミック基板に設けられる配線導体も同時に焼成されることになる。

セラミック多層モジュールを高周波領域で問題なく用いることができるようにするには、まず、多層セラミック基板に備える配線導体を電気抵抗の低いものとしなければならない。そのため、配線導体に含まれる導電成分として、電気抵抗が低い、たとえば銅または銀のような金属を用いる必要がある。

しかしながら、これら銅や銀のような金属は、その融点が比較的低い。そのため、これらの金属を含む配線導体と同時に焼成して、多層セラミック基板を得るには、多層セラミック基板に備える絶縁性セラミック層を構成するための絶縁体セラミック組成物は、たとえば１０００℃以下といった低温で焼成できるものでなければならない。

これに関連して、特許文献１に記載された絶縁体セラミック組成物の場合には、１１４０〜１６００℃の焼成温度が開示されていて、１０００℃以下の温度での焼成が可能であるという条件を満たすことができない。

また、多層セラミック基板において、高周波化に対応し、かつ配線導体の高密度化を可能にするには、そこに備える絶縁性セラミック層の低誘電率化が必要である。なお、特許文献１では、そこに開示された絶縁体セラミック組成物を焼成して得られた絶縁性セラミック焼結体の比誘電率の具体的数値については開示されていない。
特開２０００−３４４５７１号公報

そこで、この発明の目的は、１０００℃以下の温度で焼成することが可能であり、かつ比誘電率が低く、さらに高周波特性に優れた、より具体的には、共振周波数の温度特性を小さく制御することが可能であり、さらに高いＱｆ値を得ることができる、絶縁体セラミック組成物を提供しようとすることである。

この発明の他の目的は、上述の絶縁体セラミック組成物を焼成して得られる絶縁性セラミック焼結体、およびこの絶縁性セラミック焼結体を用いて構成される積層型セラミック電子部品を提供しようとすることである。

この発明に係る絶縁体セラミック組成物は、上述した技術的課題を解決するため、フォルステライトを主成分とする第１のセラミック粉末と、チタン酸ストロンチウムを主成分とするセラミック粉末および酸化チタンを主成分とするセラミック粉末からなる群より選ばれる少なくとも１種からなる第２のセラミック粉末と、ホウケイ酸ガラス粉末とを含み、ホウケイ酸ガラスは、リチウムをＬｉ₂Ｏ換算で３〜１５重量％、マグネシウムをＭｇＯ換算で３０〜５０重量％、ホウ素をＢ₂Ｏ₃換算で１５〜３０重量％、ケイ素をＳｉＯ₂換算で１０〜３５重量％、亜鉛をＺｎＯ換算で６〜２０重量％、および、アルミニウムをＡｌ₂Ｏ₃換算で０〜１５重量％含むことを特徴としている。

この発明に係る絶縁体セラミック組成物において、ホウケイ酸ガラス粉末を３〜２０重量％含むことが好ましい。

また、第１のセラミック粉末を７０重量％以上含み、かつ第２のセラミック粉末を６重量％以上かつ２５重量％以下含むことが好ましい。

この発明に係る絶縁体セラミック組成物は、酸化銅（ＣｕＯ）を主成分とする酸化銅系セラミック粉末、酸化鉄（Ｆｅ_２Ｏ_３）を主成分とする酸化鉄系セラミック粉末および酸化マンガン（ＭｎＯ_２）を主成分とする酸化マンガン系セラミック粉末の少なくとも１種からなる第３のセラミック粉末をさらに含むことが好ましい。この場合、第１のセラミック粉末、第２のセラミック粉末およびホウケイ酸ガラス粉末の合計量を１００重量部としたとき、酸化銅系セラミック粉末の含有量については０．５重量部以下、酸化鉄系セラミック粉末の含有量については１重量部以下、および酸化マンガン系セラミック粉末の含有量については２重量部以下に選ばれながら、第３のセラミック粉末の合計量については２．５重量部以下に選ばれる。

ホウケイ酸ガラスは、Ｌｉ_２（Ｍｇ，Ｚｎ）ＳｉＯ_４結晶相を析出し得る組成であることが好ましい。

フォルステライトは、ＭｇＯとＳｉＯ_２とのモル比が、ＭｇＯ／ＳｉＯ_２比で、１．９２〜２．０４のものであることが好ましい。この場合、第１のセラミック粉末は、フォルステライト以外の不純物量が５重量％以下であることがより好ましい。

また、第１のセラミック粉末の中心粒径Ｄ５０は１μｍ以下であることが好ましい。

第２のセラミック粉末としては、チタン酸ストロンチウムを主成分とするセラミック粉末および酸化チタンを主成分とするセラミック粉末の組み合わせを用いることが好ましい。この場合、チタン酸ストロンチウムを主成分とするセラミック粉末を６〜１３重量％含み、かつ酸化チタンを主成分とするセラミック粉末を０．５〜５．５重量％含むようにすることがより好ましい。

また、第２のセラミック粉末が、チタン酸ストロンチウムを主成分とするセラミック粉末を含む場合には、チタン酸ストロンチウムは、ＳｒＯとＴｉＯ_２とのモル比が、ＳｒＯ／ＴｉＯ_２比で、０．９２〜１．０５のものであることが好ましい。

上述の場合、チタン酸ストロンチウムを主成分とするセラミック粉末は、チタン酸ストロンチウム以外の不純物量が１重量％以下であることがより好ましく、また、チタン酸ストロンチウムを主成分とするセラミック粉末の比表面積が、１．５〜７．５ｍ^２／ｇであることがより好ましく、また、チタン酸ストロンチウムを主成分とするセラミック粉末は、当該セラミック粉末のＳｒＴｉＯ_３（２２２）面に対するＸ線回折ピークの積分強度が１０００以上であることがより好ましい。なお、積分強度は、結晶化度を規定するものである。

この発明は、また、上述した絶縁体セラミック組成物を１０００℃以下の温度で焼成することによって得られる、絶縁性セラミック焼結体にも向けられる。

また、この発明は、積層された複数の絶縁性セラミック層と、絶縁性セラミック層に関連して設けられる配線導体とを備える、積層型セラミック電子部品にも向けられる。この積層型セラミック電子部品において、絶縁性セラミック層が上述した絶縁性セラミック焼結体からなり、配線導体が銅または銀を主成分とすることを特徴としている。

この発明に係る積層型セラミック電子部品は、絶縁性セラミック層とともに積層された高誘電性セラミック層をさらに備えていてもよい。この場合、高誘電性セラミック層は、１５以上の比誘電率を有することが好ましい。

上記高誘電性セラミック層は、好ましくは、次のような高誘電率材料から構成される。

第１の実施態様では、高誘電率材料は、ｘ（Ｂａ_ａＣａ_ｂＳｒ_ｃ）Ｏ−ｙ｛（ＴｉＯ_２）_１−ｍ（ＺｒＯ_２）_ｍ｝−ｚＲｅ_２Ｏ_３（ただし、ｘ、ｙおよびｚの単位はモル％であって、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００であり、ａ＋ｂ＋ｃ＝１、０≦ｂ＋ｃ＜０．８、および０≦ｍ＜０．１５であり、Ｒｅは希土類元素の少なくとも１種である。）で表され、（Ｂａ_ａＣａ_ｂＳｒ_ｃ）Ｏと｛（ＴｉＯ_２）_１−ｍ（ＺｒＯ_２）_ｍ｝とＲｅ_２Ｏ_３とのモル組成比（ｘ，ｙ，ｚ）が、添付の図３に示す３元組成図において、点Ａ（７，８５，８）、点Ｂ（７，５９，３４）、点Ｃ（０，５９，４１）および点Ｄ（０，８５，１５）で囲まれる領域内（ただし、点Ａと点Ｂとを結ぶ線上は含まない。）にある、主成分と、ＳｉＯ_２系のガラスからなる、第１の副成分と、Ｍｎを含む、第２の副成分とを含む。そして、この高誘電体材料は、主成分を１００重量部としたとき、第１の副成分を０．１〜２５重量部含み、第２の副成分をＭｎ換算で０．５〜２０重量部含む。

上記第１の実施態様による高誘電体材料は、Ｌｉ_２Ｏをさらに含むことが好ましい。

第２の実施態様では、高誘電率材料は、ｘＢａＯ−ｙＴｉＯ_２−ｚＲｅＯ_３／２（ただし、ｘ、ｙおよびｚの単位はモル％であって、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００であり、８≦ｘ≦１８、５２．５≦ｙ≦６５および２０≦ｚ≦４０であり、Ｒｅは希土類元素の少なくとも１種である。）で表される、ＢａＯ−ＴｉＯ_２−ＲｅＯ_３／２系セラミック組成物と、１０〜２５重量％のＳｉＯ_２、１０〜４０重量％のＢ_２Ｏ_３、２５〜５５重量％のＭｇＯ、０〜２０重量％のＺｎＯ、０〜１５重量％のＡｌ_２Ｏ_３、０．５〜１０重量％のＬｉ_２Ｏおよび０〜１０重量％のＲＯ（ただし、Ｒは、Ｂａ、ＳｒおよびＣａのうちの少なくとも１種である。）を含む、ガラス組成物とを含む。

この発明に係る絶縁体セラミック組成物によれば、フォルステライトを主成分とする第１のセラミック粉末と、チタン酸ストロンチウムを主成分とするセラミック粉末および酸化チタンを主成分とするセラミック粉末からなる群より選ばれる少なくとも１種からなる第２のセラミック粉末と、特定的な組成に選ばれたホウケイ酸ガラス粉末とを含むので、後の説明から明らかになるように、１０００℃以下の温度で焼成することができ、この焼成によって得られた絶縁性セラミック焼結体は、化学的安定性に優れ、比誘電率が比較的低く、Ｑｆ値が高く、また、共振周波数の温度係数（τ_f）が安定している。

したがって、この発明に係る絶縁性セラミック焼結体をもって積層型セラミック電子部品を構成すれば、そこに備える配線導体の主成分として銅または銀を用いることができ、高周波用途に適した積層型セラミック電子部品とすることができる。

この発明に係る絶縁体セラミック組成物では、ホウケイ酸ガラスの含有量を２０重量％以下と減らすことができる。ホウケイ酸ガラスはコストが比較的高いものであるので、このように、ホウケイ酸ガラス粉末の含有量を減らすことができれば、コスト的に有利である。また、ホウケイ酸ガラス粉末の含有量が減ることにより、添加物としての第２のセラミック粉末とガラスとの反応の制御が行ないやすくなり、添加物によるτ_ｆの制御が容易になる。

この発明に係る絶縁体セラミック組成物が、前述したような含有量をもって、酸化銅（ＣｕＯ）を主成分とする酸化銅系セラミック粉末、酸化鉄（Ｆｅ_２Ｏ_３）を主成分とする酸化鉄系セラミック粉末および酸化マンガン（ＭｎＯ_２）を主成分とする酸化マンガン系セラミック粉末の少なくとも１種からなる第３のセラミック粉末をさらに含んでいると、１００００ＧＨｚ以上のＱｆ値を確実に得ることができるとともに、±３０ｐｐｍ・℃^{− １}以内の共振周波数の温度係数（τ_ｆ）を確実に得ることができる。

この発明に係る積層型セラミック電子部品が、絶縁性セラミック層とともに積層された高誘電性セラミック層をさらに備え、この高誘電性セラミック層が、１５以上の比誘電率を有していると、積層型セラミック電子部品の高性能化および小型化を図ることができる。

上記高誘電性セラミック層が、前述した第１または第２の実施態様に係る高誘電率材料から構成されると、絶縁性セラミック層と高誘電性セラミック層との間で各々の熱膨張係数を近似させることができるので、焼成後に比較的大きな応力が発生することがなく、絶縁性セラミック層と高誘電性セラミック層との間で良好な接合状態を得ることができる。

第１の実施態様に係る高誘電率材料がＬｉ_２Ｏをさらに含んでいると、絶縁性セラミック層にもリチウムを含有しているので、絶縁性セラミック層の材料と高誘電性セラミック層の材料との間で組成系をより近似させることができ、そのため、焼成工程において余分な反応が生じることを抑制できる。また、高誘電性セラミック層において、Ｌｉ_２Ｏの添加により、ガラスの軟化点が低下するため、少ないガラス量で焼結性を向上させることができ、その結果、比誘電率をさらに高めることができる。

また、第２の実施態様に係る高誘電率材料は、特に高周波帯で高いＱ値を有し、共振周波数の温度係数（τ _ｆ ）の調整が容易であるため、当該高誘電率材料からなる高誘電性セラミック層とこの発明に係る絶縁体セラミック組成物からなる絶縁性セラミック層とを組み合わせることにより、高周波帯において使用可能であって、共振器やフィルタなどの機能を有する電子部品を有利に実現することができる。

［図１］図１は、この発明に係る絶縁体セラミック組成物の用途となる積層型セラミック電子部品の一例としてのセラミック多層モジュール１を示す断面図である。
［図２］図２は、図１に示したセラミック多層モジュール１を分解して示す斜視図である。
［図３］図３は、図１に示したセラミック多層モジュール１に備える高誘電性セラミック層４を構成する高誘電率材料の好ましい例における主成分となる、ｘ（Ｂａ_ａＣａ_ｂＳｒ _ｃ）Ｏ−ｙ｛（ＴｉＯ_２）_１−ｍ（ＺｒＯ_２）_ｍ｝−ｚＲｅ_２Ｏ_３のモル組成比（ｘ，ｙ，ｚ）を示す３元組成図である。
［図４］図４は、この発明に係る絶縁体セラミック組成物の用途となる積層型セラミック電子部品の他の例としてのＬＣフィルタ２１の外観を示す斜視図である。
［図５］図５は、図４に示したＬＣフィルタ２１が与える等価回路図である。
［図６］図６は、図４に示したＬＣフィルタ２１を製造するにあたって焼成工程に付される中間製品としての生の積層体２２を分解して示す斜視図である。

符号の説明

１ セラミック多層モジュール
２ 多層セラミック基板
３ 絶縁性セラミック層
４ 高誘電性セラミック層
６ 内部導体膜
７，４３，４５，４６，５０，５２，５６，５７，５９ ビアホール導体
８ 外部導体膜
２１ ＬＣフィルタ
２３ 部品本体
２４〜２７ 端子電極
２８〜４０ セラミックグリーンシート
４１，４４，５８，６０ コイルパターン
４２，４８，４９，５４，５５，６１ 引出しパターン
４７，５１，５３ コンデンサパターン

この発明に係る絶縁体セラミック組成物は、フォルステライト（Ｍｇ₂ＳｉＯ₄）を主成分とする第１のセラミック粉末と、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ₃）を主成分とするセラミック粉末および酸化チタン（ＴｉＯ₂）を主成分とするセラミック粉末からなる群より選ばれる少なくとも１種からなる添加物としての第２のセラミック粉末と、ホウケイ酸ガラス粉末とを含むものであるが、特に、ホウケイ酸ガラスの組成に特徴がある。

ホウケイ酸ガラスは、リチウムをＬｉ_２Ｏ換算で３〜１５重量％、マグネシウムをＭｇＯ換算で３０〜５０重量％、ホウ素をＢ_２Ｏ_３換算で１５〜３０重量％、ケイ素をＳｉＯ _２換算で１０〜３５重量％、亜鉛をＺｎＯ換算で６〜２０重量％、および、アルミニウムをＡｌ_２Ｏ_３換算で０〜１５重量％含んでいる。このホウケイ酸ガラスは、特に、Ｌｉ_２（Ｍｇ，Ｚｎ）ＳｉＯ_４結晶相を析出し得る組成であることが、焼結体において、より高いＱ値およびより高い信頼性（耐湿性）を実現し得る点で好ましい。

ホウケイ酸ガラスに含まれるリチウムは、Ｌｉ_２（Ｍｇ，Ｚｎ）ＳｉＯ_４の構成成分となるもので、絶縁体セラミック組成物の焼結温度を下げるように作用する。ホウケイ酸ガラスにおいて、リチウムの含有量をＬｉ_２Ｏ換算で３〜１５重量％に限定したのは、３重量％未満であると、１０００℃以下の温度での緻密化が不可能であり、焼結体において、Ｌｉ_２（Ｍｇ，Ｚｎ）ＳｉＯ_４結晶相が析出せず、また、Ｑ値が低くなり、他方、１５重量％を超えると、焼結体において、Ｌｉ_２（Ｍｇ，Ｚｎ）ＳｉＯ_４結晶相が析出せず、Ｑ値が低く、化学的安定性も低くなるためである。リチウムの含有量に関して、Ｌｉ_２Ｏ換算で４〜１０重量％であることがより好ましく、これによって、焼結体のＱ値をより高くすることができる。

次に、ホウケイ酸ガラスに含まれるマグネシウムは、Ｌｉ_２（Ｍｇ，Ｚｎ）ＳｉＯ_４結晶相の構成成分となるもので、ガラス作製時の溶融温度を下げるように作用する。ホウケイ酸ガラスにおいて、マグネシウムの含有量をＭｇＯ換算で３０〜５０重量％に限定したのは、３０重量％未満であると、焼結体において、Ｌｉ_２（Ｍｇ，Ｚｎ）ＳｉＯ_４結晶相が析出せず、Ｑ値が低くなり、他方、５０重量％を超えると、ガラス化が困難または不可能になるためである。マグネシウムの含有量は、より好ましくは、ＭｇＯ換算で３０〜４５重量％とされる。これによって、焼結体のＱ値をより高くすることができる。

ホウケイ酸ガラスにおいて、ホウ素の含有量をＢ_２Ｏ_３換算で１５〜３０重量％に限定したのは、１５重量％未満であると、ガラスの溶融温度が高くなり、他方、３０重量％を超えると、焼結体において、耐湿性が低下し、結晶化度も低くなり、Ｑ値が低くなるためである。ホウ素の含有量は、より好ましくは、Ｂ_２Ｏ_３換算で１５〜２５重量％とされる。これによって、焼結体において、Ｑ値がより高くなり、また、ＣａＴｉＯ_３、ＳｒＴｉＯ_３およびＴｉＯ_２との反応性が低くなる。

ホウケイ酸ガラスに含まれるケイ素は、Ｌｉ_２（Ｍｇ，Ｚｎ）ＳｉＯ_４結晶相の構成成分となるものである。ホウケイ酸ガラスにおいて、ケイ素の含有量をＳｉＯ_２換算で１０〜３５重量％に限定したのは、１０重量％未満であると、焼結体の化学的安定性が低く、ガラス化しない場合もあり、他方、３５重量％を超えると、焼結体において、Ｌｉ_２（Ｍｇ，Ｚｎ）ＳｉＯ_４結晶相が析出しなくなり、Ｑ値が低くなるためである。ケイ素の含有量は、より好ましくは、ＳｉＯ_２に換算して１５〜３０重量％とされる。これによって、焼結体のＱ値をより高くすることができる。

ホウケイ酸ガラスに含まれる亜鉛は、Ｌｉ_２（Ｍｇ，Ｚｎ）ＳｉＯ_４結晶相の構成成分となるもので、焼結体のＱ値を上げる効果がある。ホウケイ酸ガラスにおいて、亜鉛の含有量をＺｎＯ換算で６〜２０重量％に限定したのは、６重量％未満であると、焼結体において、亜鉛がＬｉ_２（Ｍｇ，Ｚｎ）ＳｉＯ_４にならず、Ｑ値の低下や化学的安定性を低下させることがあり、他方、２０重量％を超えると、焼結体の化学的安定性が低くなるためである。

アルミニウムは、ホウケイ酸ガラスに含有されない場合もあるが、Ａｌ_２Ｏ_３換算で１５重量％以下の含有量をもって含有させることにより、焼結体の化学的安定性を向上させることができる。この発明に係る組成系の場合には、Ａｌ_２Ｏ_３はガラスの網目形成酸化物として働き、ガラスを失透しにくくする。なお、ガラスの失透とは、ガラスの製造時に結晶化をしてしまうことであり、一部が結晶化してしまったガラスを用いると、焼結性や電気的特性にばらつきが生じることになる。アルミニウムの含有量がＡｌ_２Ｏ_３換算で１５重量％を超えると、１０００℃以下の温度では緻密化しなくなり、焼結体の結晶化度が低下して、Ｑ値が低くなる。アルミニウムの含有量は、より好ましくは、Ａｌ_２Ｏ_３換算で１０重量％以下であることが好ましい。

この発明に係る絶縁体セラミック組成物において、ホウケイ酸ガラス粉末は、好ましくは、３〜２０重量％含むようにされる。

上述のように、ホウケイ酸ガラス粉末が３重量％以上含むことが好ましいとされたのは、３重量％未満であると、１０００℃以下の温度では緻密化しなくなることがあるからである。他方、ホウケイ酸ガラス粉末の好ましい含有量が２０重量％以下とされたのは、２０重量％を超えると、コストの高いガラス量が増えて、コスト的に不利になるからである。また、ガラス量が増えると、前述した結晶相の割合が相対的に減少する傾向にあり、得られた焼結体のＱ値が低くなることがある。

言い換えると、ホウケイ酸ガラス粉末の含有量は、３重量％以上であれば、より少ない方が好ましく、２０重量％以下の、たとえば１５重量％以下でも十分である。このように、ホウケイ酸ガラス粉末の含有量が減ると、添加物としての第２のセラミック粉末とガラスとの反応の制御が行ないやすくなり、添加物による共振周波数の温度特性の調整をより容易に行なえるようになる。

この発明に係る絶縁体セラミック組成物において、第１のセラミック粉末を７０重量％以上含み、かつ第２のセラミック粉末を６重量％以上かつ２５重量％以下含むことが好ましい。第１のセラミックの主成分となるフォルステライトは、−６０ｐｐｍ／℃のτ_fを有する。一方、第２のセラミックの主成分となるＳｒＴｉＯ₃は、＋１７００ｐｐｍ／℃のτ_f、同じくＴｉＯ₂は、＋４５０ｐｐｍ／℃のτ_fを有する。また、ホウケイ酸ガラスは、負のτ_fを有する。これらを用いて、±３０ｐｐｍ／℃以内のτ_fを得るために上記の調合が好ましい。

第１のセラミック粉末の主成分となるフォルステライトは、ＭｇＯとＳｉＯ_２とのモル比が、ＭｇＯ／ＳｉＯ_２比で、１．９２〜２．０４のものであることが好ましい。ＭｇＯ／ＳｉＯ_２比が１．９２未満または２．０４を超えると、焼結体の化学的安定性が劣化することがあるからである。また、第１のセラミック粉末は、フォルステライト（Ｍｇ_２ＳｉＯ_４）を主結晶相とするものであるが、その他には結晶相が存在しないか、あるいは、その他の結晶相として、ＳｉＯ_２（クォーツ）、ＭｇＯおよびＭｇＳｉＯ_３（ステアタイト）の少なくとも１種を微量に含有してもよい。

また、第１のセラミック粉末は、フォルステライト以外の不純物量が５重量％以下であることがより好ましい。不純物量が５重量％を超えると、焼結体のＱ値が低下し、さらには、化学的安定性が劣化することがあるからである。なお、不純物としては、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｂ_２Ｏ_３、ＣａＯ、Ｆｅ_２Ｏ_３、ＭｎＯ_２、ＮｉＯ、ＳｎＯ_２、ＳｒＯ、ＺｎＯ、Ｐ_２Ｏ_５、ＴｉＯ_２、ＺｒＯ_２、Ｌｉ_２Ｏ、Ｎａ_２Ｏ、Ｋ_２Ｏ等が挙げられる。

第１のセラミック粉末の中心粒径Ｄ５０は１μｍ以下であることが好ましい。この中心粒径Ｄ５０が１μｍを超えると、ホウケイ酸ガラス粉末の含有量が３〜２０重量％の範囲で緻密化しなくなることがあるからである。

添加物としての第２のセラミック粉末は、焼結体における共振周波数の温度特性を調整するように作用する。

第２のセラミック粉末に関して、ＣａＴｉＯ_３を主成分とするセラミック粉末が含有される場合、その含有量は１５重量％以下であることが好ましい。１５重量％を超えて含まれると、焼結体において、Ｑ値が低くなることがあり、また、比誘電率が高くなり、高周波帯における伝送速度に影響を及ぼすからである。

第２のセラミック粉末に関して、ＳｒＴｉＯ₃を主成分とするセラミック粉末を含む場合には、その含有量は１３重量％以下であることが好ましい。１３重量％を超えて含まれると、焼結体において、Ｑ値が低くなることがあり、また、比誘電率が高くなり、高周波帯における伝送速度に影響を及ぼすからである。

また、ＴｉＯ_２を主成分とするセラミック粉末は、結晶化度を上げる効果があるが、この効果を十分に発揮させるためには、０．３重量％以上含むことが好ましい。ただし、３０重量％を超えると、焼結体において、比誘電率が高くなり、高周波帯における伝送速度に影響を及ぼすため、このＴｉＯ_２系セラミック粉末の含有量は、３０重量％以下であることが好ましい。

なお、第２のセラミック粉末として、ＳｒＴｉＯ₃を主成分とするセラミック粉末およびＴｉＯ₂を主成分とするセラミック粉末の組み合わせを選択した場合、これらＳｒＴｉＯ₃およびＴｉＯ₂による共振周波数の温度特性の制御という役割に加えて、同等のτ_fに制御する場合、ＳｒＴｉＯ₃を用いた場合の方が、ＴｉＯ₂を用いた場合よりも、比誘電率を低くすることができる。ＴｉＯ₂については、ガラスの結晶化促進（すなわち、焼結体の高Ｑ化および耐湿性向上）に対する寄与度が大きくなる。

そして、ＳｒＴｉＯ_３とＴｉＯ_２との組み合わせを選択した場合、その他の特性を大きく劣化させることなく、焼結体の低誘電率化やガラスの結晶化促進を図るためには、その配合量を、絶縁体セラミック組成物全体に対して、ＳｒＴｉＯ_３系セラミック粉末については６〜１３重量％とし、ＴｉＯ_２系セラミック粉末については０．３〜５．５重量％とすることが好ましい。

ＳｒＴｉＯ_３系セラミック粉末が６重量％未満であると、焼結体の共振周波数の温度係数がマイナス側に大きくなってしまう傾向がある。他方、ＳｒＴｉＯ_３系セラミック粉末が１３重量％を超えると、焼結体のＱ値が低くなってしまう傾向がある。また、ＴｉＯ_２系セラミック粉末が０．３重量％未満であると、結晶相が析出しにくくなる傾向があり、他方、５．５重量％を超えると、焼結体の共振周波数の温度係数がプラス側に大きくなる傾向がある。

また、第２のセラミック粉末が、チタン酸ストロンチウムを主成分とするセラミック粉末を含む場合には、チタン酸ストロンチウムは、ＳｒＯとＴｉＯ_２とのモル比が、ＳｒＯ／ＴｉＯ_２比で、０．９２〜１．０５のものであることが好ましい。

ＳｒＯ／ＴｉＯ₂ 比が１．０５を超えると、未反応のＳｒＯが炭酸塩等の形で残留することがあり、Ｑ値の低下を招いたり、ガラス成分と反応して耐湿性を低下させたりすることがある。また、Ｓｒ₂ ＴｉＯ₄ 等の結晶相が析出することもある。Ｓｒ₂ ＴｉＯ₄ 等が析出すると、これの共振周波数の温度係数（τ _ｆ ）の絶対値は、ＳｒＴｉＯ₃ と比較すると、小さいため、系全体のτ _ｆ を調整するためには、添加量が増加してしまい、Ｑ値が低下することがある。

他方、ＳｒＯ／ＴｉＯ_２比が０．９２未満であると、ＳｒＴｉＯ_３とＴｉＯ_２とが析出することがある。この発明では、ＴｉＯ_２を別途添加することがあるため、ＳｒＴｉＯ_３およびＴｉＯ_２の各添加量を調整すれば、電気的特性上、何ら問題はないが、製造工程上、その都度、ＳｒＴｉＯ_３およびＴｉＯ_２の各添加量を調整することは、管理が煩雑になり、コストアップになることがある。

上述の場合、チタン酸ストロンチウムを主成分とするセラミック粉末は、チタン酸ストロンチウム以外の不純物量が１重量％以下であることがより好ましい。不純物としては、原料の段階で混入しているもの、あるいは製造工程の途中で混入するものがある。例としては、Ｎｂ_２Ｏ_５、Ｆｅ_２Ｏ_３、Ｎａ_２Ｏ等が挙げられる。これらの不純物は、単独でも総量でも１重量％を超えると、Ｑ値が低下することがある。

また、チタン酸ストロンチウムを主成分とするセラミック粉末の比表面積は、１．５〜７．５ｍ^２／ｇであることがより好ましい。比表面積が１．５ｍ^２／ｇ未満であると、焼結し難くなることがあり、他方、７．５ｍ^２／ｇを超えると、ガラスとの反応性が高くなり、Ｑ値が低下することがあるからである。

また、チタン酸ストロンチウムを主成分とするセラミック粉末は、当該セラミック粉末のＳｒＴｉＯ_３（２２２）面に対するＸ線回折ピークの積分強度が１０００以上であることがより好ましい。積分強度が１０００未満であると、ＳｒＴｉＯ_３の結晶性があまり高くなく、ガラスとの反応性が高くなり、Ｑ値が低下することがあるからである。

以上のような絶縁体セラミック組成物は、１０００℃以下の温度で焼成することができ、それによって得られた絶縁性セラミック焼結体は、積層型セラミック電子部品を構成するため、有利に用いられる。

この発明に係る絶縁体セラミック組成物は、上述した第１および第２のセラミック粉末ならびにホウケイ酸ガラス粉末に加えて、酸化銅（ＣｕＯ）を主成分とする酸化銅系セラミック粉末、酸化鉄（Ｆｅ_２Ｏ_３）を主成分とする酸化鉄系セラミック粉末および酸化マンガン（ＭｎＯ_２）を主成分とする酸化マンガン系セラミック粉末の少なくとも１種からなる第３のセラミック粉末をさらに含んでいてもよい。この場合、第１のセラミック粉末、第２のセラミック粉末およびホウケイ酸ガラス粉末の合計量を１００重量部としたとき、酸化銅系セラミック粉末の含有量については０．５重量部以下、酸化鉄系セラミック粉末の含有量については１重量部以下、および酸化マンガン系セラミック粉末の含有量については２重量部以下に選ばれながら、第３のセラミック粉末の合計量については２．５重量部以下に選ばれる。

上述のように、第３のセラミック粉末をさらに含んでいると、ホウケイ酸ガラス粉末の含有量を減らしても、十分に焼結した絶縁性セラミック焼結体を得ることが可能になるので、第１のセラミック粉末の含有量を相対的に増やすことができ、その結果、１００００ＧＨｚ以上のＱｆ値を確実に得ることができるとともに、±３０ｐｐｍ・℃^−１以内の共振周波数の温度係数（τ_ｆ）を確実に得ることができる。

図１は、この発明に係る絶縁体セラミック組成物の用途となる積層型セラミック電子部品の一例としてのセラミック多層モジュール１を示す断面図であり、図２は、図１に示したセラミック多層モジュール１を分解して示す斜視図である。

セラミック多層モジュール１は、多層セラミック基板２を備えている。多層セラミック基板２は、積層された複数の絶縁性セラミック層３および積層された複数の高誘電性セラミック層４を備え、複数の絶縁性セラミック層３は、複数の高誘電性セラミック層４を挟むように位置している。

絶縁性セラミック層３は、この発明に係る絶縁体セラミック組成物を焼成して得られる絶縁性セラミック焼結体から構成されるもので、たとえば１０以下といった比較的低い比誘電率を有している。

他方、高誘電性セラミック層４は、たとえばチタン酸バリウムにガラスを加えた組成を有していて、その比誘電率は１５以上、好ましくは３０以上とされる。

多層セラミック基板２は、種々の配線導体を備えている。配線導体としては、典型的には、セラミック層３および４間の特定の界面に沿って形成される内部導体膜６、セラミック層３および４の特定のものを貫通するように延びるビアホール導体７、および多層セラミック基板２の外表面上に形成される外部導体膜８がある。

上述の内部導体膜６のうち、高誘電性セラミック層４に関連して設けられるもののいくつかは、静電容量を与えるように配置され、それによってコンデンサ素子を構成している。

多層セラミック基板２の上面には、複数の電子部品９〜１７が搭載されている。図示された電子部品９〜１７のうち、たとえば、電子部品９はダイオードであり、電子部品１１は積層セラミックコンデンサであり、電子部品１６は半導体ＩＣである。これら電子部品９〜１７は、多層セラミック基板２の上面に形成された外部導体膜８の特定のものに電気的に接続されながら、多層セラミック基板２の内部に形成された配線導体とともに、セラミック多層モジュール１にとって必要な回路を構成している。

多層セラミック基板２の上面には、電子部品９〜１７をシールドするための導電性キャップ１８が固定されている。導電性キャップ１８は、前述したビアホール導体７の特定のものに電気的に接続されている。

また、セラミック多層モジュール１は、多層セラミック基板２の下面上に形成された外部導体膜８の特定のものを接続用端子として、図示しないマザーボード上に実装される。

セラミック多層モジュール１は、周知のセラミック積層一体焼成技術を用いて製造することができる。

すなわち、まず、絶縁性セラミック層３のためのセラミックグリーンシートが作製される。より具体的には、この発明に係る絶縁体セラミック組成物（すなわち、原料組成物）に、バインダ樹脂および溶剤からなる有機ビヒクルを添加し、セラミックスラリーを得る。このセラミックスラリーを、ドクターブレード法によってシート状に成形し、乾燥した後、所定の寸法に打ち抜くことによって、セラミックグリーンシートを得る。そして、このセラミックグリーンシートに、配線導体を形成するため、銅または銀を主成分とする導電性ペーストを、所望のパターンをもって付与する。

他方、高誘電性セラミック層４を構成する高誘電率材料のための高誘電体セラミック組成物を含むセラミックグリーンシートが作製される。より具体的には、高誘電体セラミック組成物として、たとえば、次の（１）〜（４）に列挙したもののいずれかが用意される。

（１）特開２００１−８０９５９号公報に記載されるようなｘ（Ｂａ_ａＣａ_ｂＳｒ_ｃ）Ｏ−ｙ｛（ＴｉＯ_２）_１−ｍ（ＺｒＯ_２）_ｍ｝−ｚＲｅ_２Ｏ_３（ただし、ｘ、ｙおよびｚの単位はモル％であって、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００であり、ａ＋ｂ＋ｃ＝１、０≦ｂ＋ｃ＜０．８、および０≦ｍ＜０．１５であり、Ｒｅは希土類元素の少なくとも１種である。）で表され、（Ｂａ_ａＣａ_ｂＳｒ_ｃ）Ｏと｛（ＴｉＯ_２）_１−ｍ（ＺｒＯ_２）_ｍ｝とＲｅ_２Ｏ _３とのモル組成比（ｘ，ｙ，ｚ）が、添付の図３に示す３元組成図において、点Ａ（７，８５，８）、点Ｂ（７，５９，３４）、点Ｃ（０，５９，４１）および点Ｄ（０，８５，１５）で囲まれる領域内（ただし、点Ａと点Ｂとを結ぶ線上は含まない。）にある、主成分と、ＳｉＯ_２系のガラスからなる、第１の副成分と、Ｍｎを含む、第２の副成分とを含むものであって、主成分を１００重量部としたとき、第１の副成分を０．１〜２５重量部含み、第２の副成分をＭｎ換算で０．５〜２０重量部含む、そのような高誘電体セラミック組成物。

（２）特開２００２−９７０７２号公報に記載されるようなｘＢａＯ−ｙＴｉＯ_２−ｚＲｅＯ_３／２（ただし、ｘ、ｙおよびｚの単位はモル％であって、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００であり、８≦ｘ≦１８、５２．５≦ｙ≦６５および２０≦ｚ≦４０であり、Ｒｅは希土類元素の少なくとも１種である。）で表される、ＢａＯ−ＴｉＯ_２−ＲｅＯ_３／２系セラミック組成物と、１０〜２５重量％のＳｉＯ_２、１０〜４０重量％のＢ_２Ｏ_３、２５〜５５重量％のＭｇＯ、０〜２０重量％のＺｎＯ、０〜１５重量％のＡｌ_２Ｏ_３、０．５〜１０重量％のＬｉ_２Ｏおよび０〜１０重量％のＲＯ（ただし、Ｒは、Ｂａ、ＳｒおよびＣａのうちの少なくとも１種である。）を含む、ガラス組成物とを含む、高誘電体セラミック組成物。

（３）特開平１１−３１０４５５号公報に記載されるようなＢａＯ−ＴｉＯ_２−ＲｅＯ _３／２−ＢｉＯ_３系セラミック粉末（ただし、Ｒｅは希土類元素）と、１３〜５０重量％のＳｉＯ_２、３〜３０重量％のＢ_２Ｏ_３、４０〜８０重量％のアルカリ土類金属酸化物および０．１〜１０重量％のＬｉ_２Ｏを含むガラス粉末との混合物からなる、高誘電体セラミック組成物。

（４）特開平１１−２２８２２２号公報に記載されるようなＢａＯ−ＴｉＯ_２−ＲｅＯ _３／２系セラミック粉末（ただし、Ｒｅは希土類元素）と、１３〜５０重量％のＳｉＯ_２、３〜３０重量％のＢ_２Ｏ_３、４０〜８０重量％のアルカリ土類金属酸化物および０．５〜１０重量％のＬｉ_２Ｏを含むガラス粉末との混合物からなる、高誘電体セラミック組成物。

なお、上記（１）の高誘電体セラミック組成物は、Ｌｉ_２Ｏをさらに含むことが好ましい。

次に、上記（１）〜（４）のいずれかの高誘電体セラミック組成物に、バインダ樹脂および溶剤からなる有機ビヒクルを添加し、セラミックスラリーを得る。このセラミックスラリーを、ドクターブレード法によってシート状に成形し、乾燥した後、所定の寸法に打ち抜くことによって、セラミックグリーンシートを得る。そして、このセラミックグリーンシートに、配線導体を形成するため、銅または銀を主成分とする導電性ペーストを、所望のパターンをもって付与する。

次に、上述のようにして得られた絶縁性セラミックグリーンシートおよび高誘電性セラミックグリーンシートを、それぞれ、所定の順序で所定の枚数積層し、次いで、厚み方向に加圧する。

次に、上述のようにして得られた生の積層体を１０００℃以下、たとえば８００〜１０００℃の温度で焼成することにより、多層セラミック基板２を得ることができる。ここで、焼成は、配線導体が銅を主成分とする場合、窒素雰囲気等の非酸化性雰囲気中で実施され、銀を主成分とする場合には、大気等の酸化性雰囲気中で実施される。

次に、多層セラミック基板２の表面に、半田付け等を適用して、電子部品９〜１７を搭載し、導電性キャップ１８を取り付けることによって、セラミック多層モジュール１が完成される。

以上のようなセラミック多層モジュール１によれば、多層セラミック基板２に備える絶縁性セラミック層３が、この発明に係る絶縁体セラミック組成物を用いて構成されており、さらに、配線導体６〜８が銅または銀等の比抵抗の小さい金属を主成分として形成されているので、絶縁性セラミック層３の比誘電率が低く、共振周波数の温度特性にも優れ、Ｑ値も高く、それゆえ、高周波用途に適し、かつ信頼性に優れたセラミック多層モジュール１を得ることができる。

図４ないし図６は、この発明に係る絶縁体セラミック組成物の用途となる積層型セラミック電子部品の他の例としてのＬＣフィルタ２１を説明するためのものである。ここで、図４は、ＬＣフィルタ２１の外観を示す斜視図であり、図５は、ＬＣフィルタ２１が与える等価回路図であり、図６は、ＬＣフィルタを製造するにあたって焼成工程に付される中間製品としての生の積層体２２を分解して示す斜視図である。

ＬＣフィルタ２１は、図４に示すように、複数の積層された絶縁性セラミック層をもって構成される積層構造物としての部品本体２３を備え、この部品本体２３の外表面上であって、各端部には、端子電極２４および２５が設けられ、各側面の中間部には、端子電極２６および２７が設けられている。

ＬＣフィルタ２１は、図５に示すように、端子電極２４および２５の間に直列接続された２つのインダクタンスＬ１およびＬ２を構成し、インダクタンスＬ１およびＬ２の接続点と端子電極２６および２７との間にキャパシタンスＣを構成するものである。

図６を参照して、生の積層体２２は、焼成されることによって部品本体２３となるべきもので、複数の積層されたセラミックグリーンシート２８〜４０を備えている。なお、セラミックグリーンシートの積層数は図示したものに限定されない。

セラミックグリーンシート２８〜４０の各々は、この発明に係る絶縁体セラミック組成物に、バインダ樹脂および溶剤からなる有機ビヒクルを添加し、これらを混合して得られたセラミックスラリーを、ドクターブレード法によってシート状に成形し、乾燥した後、所定の大きさに打ち抜くことによって得られたものである。

また、図５に示すようなインダクタンスＬ１およびＬ２ならびにキャパシタンスＣを与えるため、セラミックグリーンシート２８〜４０の特定のものに関連して、以下のような態様で配線導体が設けられる。

セラミックグリーンシート３０には、インダクタンスＬ１の一部を構成するコイルパターン４１が形成されるとともに、このコイルパターン４１の一方端から延びる引出しパターン４２が形成され、コイルパターン４１の他方端には、ビアホール導体４３が設けられる。

セラミックグリーンシート３１には、インダクタンスＬ１の一部を構成するコイルパターン４４が形成されるとともに、その一方端には、ビアホール導体４５が設けられる。コイルパターン４４の他方端は、前述したビアホール導体４３に接続される。

セラミックグリーンシート３２には、上述のビアホール導体４５に接続されるビアホール導体４６が設けられる。

セラミックグリーンシート３３には、キャパシタンスＣの一部を構成するコンデンサパターン４７が形成されるとともに、コンデンサパターン４７から延びる引出しパターン４８および４９が形成される。また、セラミックグリーンシート３３には、前述したビアホール導体４６に接続されるビアホール導体５０が設けられる。

セラミックグリーンシート３４には、キャパシタンスＣの一部を構成するコンデンサパターン５１が形成されるとともに、コンデンサパターン５１に接続されるビアホール導体５２が設けられる。コンデンサパターン５１は、前述したビアホール導体５０に接続される。

セラミックグリーンシート３５には、キャパシタンスＣの一部を構成するコンデンサパターン５３が形成されるとともに、このコンデンサパターン５３から延びる引出しパターン５４および５５が形成される。また、このセラミックグリーンシート３５には、前述したビアホール導体５２に接続されるビアホール導体５６が設けられる。

セラミックグリーンシート３６には、上述のビアホール導体５６に接続されるビアホール導体５７が設けられる。

セラミックグリーンシート３７には、インダクタンスＬ２の一部を構成するコイルパターン５８が形成されるとともに、その一方端には、ビアホール導体５９が設けられる。コイルパターン５８の他方端は、前述したビアホール導体５７に接続される。

セラミックグリーンシート３８には、インダクタンスＬ２の一部を構成するコイルパターン６０が形成されるとともに、このコイルパターン６０の一方端から延びる引出しパターン６１が形成される。コイルパターン６０の他方端は、前述したビアホール導体５９に接続される。

以上のような配線導体としての、コイルパターン４１、４４、５８および６０、引出しパターン４２、４８、４９、５４、５５および６１、ビアホール導体４３、４５、４６、５０、５２、５６、５７および５９、ならびにコンデンサパターン４７、５１および５３を形成するにあたっては、銅または銀を主成分とする導電性ペーストが用いられ、この導電性ペーストの付与のため、たとえばスクリーン印刷が適用される。

生の積層体２２を得るため、セラミックグリーンシート２８〜４０を、図６に示した順序で積層し、厚み方向に加圧することが行なわれる。

その後、生の積層体２２を１０００℃以下、たとえば８００〜１０００℃の温度で焼成することにより、図４に示した部品本体２３を得ることができる。ここで、焼成は、前述したセラミック多層モジュール１の場合と同様、配線導体が銅を主成分とする場合には、窒素雰囲気等の非酸化性雰囲気で実施され、銀を主成分とする場合には、大気等の酸化性雰囲気中で実施される。

次に、部品本体２３の外表面上に、端子電極２４〜２７が形成される。これら端子電極２４〜２７の形成のため、たとえば、銅または銀を主成分とする導電性ペーストの塗布および焼付け、または、蒸着、めっきもしくはスパッタリングなどの薄膜形成法等が適用される。

以上のようにして、ＬＣフィルタ２１を得ることができる。

なお、上記説明では、セラミックグリーンシート２８〜４０の各々が、この発明に係る絶縁体セラミック組成物を用いて作製されるとしたが、セラミックグリーンシート２８〜４０のうち、特にキャパシタンスＣの構成に直接寄与するセラミックグリーンシート３３および３４については、前述の図１に示したセラミック多層モジュール１に備える高誘電性セラミック層４を構成する高誘電率材料のための高誘電体セラミック組成物を用いて作製されることが好ましい。

この発明に係る絶縁体セラミック組成物の用途となる積層型セラミック電子部品は、図示したようなセラミック多層モジュール１やＬＣフィルタ２１に限定されるものではない。たとえば、マルチチップモジュール用多層セラミック基板、ハイブリッドＩＣ用多層セラミック基板などの各種多層セラミック基板、あるいはこれらの多層セラミック基板に電子部品を搭載した様々な複合電子部品、さらには、チップ型積層コンデンサやチップ型積層誘電体アンテナなどの様々なチップ型積層電子部品に対しても、この発明に係る絶縁体セラミック組成物を適用することができる。

次に、この発明に係る絶縁体セラミック組成物によって得られる特性を確認するため、ならびに、絶縁体セラミック組成物について、この発明の範囲、あるいはより好ましい範囲を求めるために実施した実験例について説明する。

（実験例１）
まず、絶縁体セラミック組成物に含まれるホウケイ酸ガラス粉末として、表１に示すような種々の組成のものを用意した。

表１において、「ガラス記号」に＊を付したものは、この発明の範囲外の組成を有するガラス粉末である。

表１に示したガラス粉末のうち、「ガラス化不可」または「ガラス化困難」であったガラスＧ８、Ｇ９およびＧ１３を除いて、平均粒径１〜２μｍになるまで粉砕し、絶縁体セラミック組成物のためのホウケイ酸ガラス粉末とした。

他方、絶縁体セラミック組成物に含まれる第１のセラミック粉末として、平均粒径（中心粒径Ｄ５０）０．８μｍのＭｇ_２ＳｉＯ_４粉末を用意するとともに、第２のセラミック粉末として、平均粒径１．５μｍのＣａＴｉＯ_３粉末、平均粒径１．５μｍのＳｒＴｉＯ _３粉末および平均粒径１．０μｍのＴｉＯ_２粉末をそれぞれ用意した。

次に、表２に示した各試料に係る絶縁体セラミック組成物を得るため、上述した第１のセラミック粉末とホウケイ酸ガラス粉末と第２のセラミック粉末とを混合した。

表２において、試料番号に＊を付したものは、この発明の範囲外の絶縁体セラミック組成物である。

また、表２において、「第１のセラミック量」の欄には、第１のセラミック粉末としてのＭｇ_２ＳｉＯ_４粉末の添加量が示されている。

また、「ホウケイ酸ガラス」における「種類」の欄には、表１の「ガラス記号」が示され、同じく「量」の欄には、ホウケイ酸ガラス粉末の添加量が示されている。

また、「第２のセラミック」における「種類」の欄には、第２のセラミック粉末として、ＣａＴｉＯ₃（＝ＣＴ）、ＳｒＴｉＯ₃（＝ＳＴ）およびＴｉＯ₂（＝Ｔ）のいずれが用いられたかが示され、同じく「量」の欄には、その添加量が示されている。なお、第２のセラミック粉末としてＣＴが用いられたものは、この発明の範囲外の参考例である。

次に、表２に示した各試料に係る絶縁体セラミック組成物１００重量部に対して、バインダとしてのアクリル系樹脂を２０重量部、および溶剤としてのメチルエチルケトンを３０重量部加えて造粒し、この粉末をプレス成形し、円柱状の成形体を得た。そして、成形体を、１０００℃以下の温度で焼成し、試料となる絶縁性セラミック焼結体を得た。

次に、表３に示すように、各試料について、比誘電率（ε_ｒ）、Ｑｆ値、共振周波数の温度係数（τ_ｆ）および化学的安定性を評価した。

なお、ε_ｒ、Ｑｆ値およびτ_ｆの測定には、誘電体共振器法を用い、測定周波数が１０ＧＨｚになるように試料寸法を調整した。また、化学的安定性は、ε_ｒおよびＱｆ値を評価した試料を用いて、ＰＣＴ（プレッシャークッカーテスト）を温度１２０℃および相対湿度９５％の条件下で１００時間行なった後にＱｆ値に著しい劣化がないかどうかを判断したもので、表３において、著しい劣化がなかった場合には、化学的安定性が良好であるとして、「○」で表し、著しい劣化があった場合には、化学的安定性が良好でないとして、「×」で表した。

表３においても、この発明の範囲外の試料番号には、＊が付されている。

表２および表３に示したこの発明の範囲内の試料は、表２の「ホウケイ酸ガラス」における「種類」の欄を参照すればわかるように、表１に示したこの発明の範囲内のホウケイ酸ガラスを含むとともに、第１のセラミック粉末としてのＭｇ_２ＳｉＯ_４粉末と第２のセラミック粉末としてのＣａＴｉＯ_３、ＳｒＴｉＯ_３およびＴｉＯ_２の少なくとも１種からなる粉末とを含んでいる。その結果、１０００℃以下の温度で焼成することができ、化学的安定性に優れ、高いＱｆ値を示し、また、安定したτ_ｆを示している。

これに対して、表１に示したガラスＧ１は、Ｌｉ_２Ｏが３重量％未満であり、そのため、これを用いた表２および表３の試料１では、１０００℃以下の温度で焼結しなかった。他方、ガラスＧ４は、Ｌｉ_２Ｏが１５重量％を超えており、そのため、これを用いた試料４では、Ｑｆ値が低くなり、化学的安定性も劣っていた。

ガラスＧ５は、ＭｇＯが３０重量％未満であり、そのため、これを用いた試料５では、Ｑｆ値が低くなった。他方、ガラスＧ８は、ＭｇＯが５０重量％を超えている。そのため、ガラス化できなかった。

ガラスＧ９は、Ｂ_２Ｏ_３が１５重量％未満であり、ガラス化が困難であった。他方、ガラスＧ１２は、Ｂ_２Ｏ_３が３０重量％を超えており、そのため、これを用いた試料１０では、Ｑｆ値が低く、化学的安定性も劣っていた。

ガラスＧ１３は、ＳｉＯ_２が１０重量％未満であり、そのため、ガラス化できなかった。他方、ガラスＧ１６は、ＳｉＯ_２が３５重量％を超えており、そのため、これを用いた試料１３では、Ｑｆ値が低かった。

ガラスＧ１７は、ＺｎＯが６重量％未満であり、そのため、これを用いた試料１４では、化学的安定性が劣っていた。他方、ガラスＧ２０は、ＺｎＯが２０重量％を超えており、そのため、これを用いた試料１７では、化学的安定性が劣っていた。

ガラスＧ２１は、Ａｌ_２Ｏ_３が１５重量％を超えており、そのため、これを用いた試料１８は、１０００℃以下の温度で焼結しなかった。

（実験例２）
絶縁体セラミック組成物に含まれる第１のセラミック粉末として、表４に示すようなＭｇＯ／ＳｉＯ_２モル比、不純物量および平均粒径（中心粒径Ｄ５０）を有する、フォルステライトを主成分とする種々のセラミック粉末を用意した。

なお、表４において、第１のセラミック「Ｆ４」からなるセラミック粉末は、実験例１において用いた第１のセラミック粉末に相当している。不純物量は、ＩＣＰ（プラズマ発光分光分析）によって測定した。第１のセラミック粉末に含まれる不純物は、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｂ_２Ｏ_３、ＣａＯ、Ｆｅ_２Ｏ_３、ＭｎＯ_２、ＮｉＯ、ＳｎＯ_２、ＳｒＯ、ＺｎＯ、Ｐ_２Ｏ_５、ＴｉＯ_２、ＺｒＯ_２、Ｌｉ_２Ｏ、Ｎａ_２Ｏおよび／またはＫ_２Ｏであった。

表４において、「第１のセラミック記号」に＊を付したものは、この発明の好ましい範囲から外れた条件を有する第１のセラミック粉末である。

表５に示した各試料に係る絶縁体セラミック組成物を得るため、上述の表４に示した第１のセラミック粉末のいずれかとホウケイ酸ガラス粉末と第２のセラミック粉末とを混合した。表５において、「第１のセラミック」における「種類」の欄には、表４の「第１のセラミック記号」が示され、同じく「量」の欄には、第１のセラミック粉末の添加量が示されている。

表５において、試料番号に＊を付したものは、表４に示したように、この発明の好ましい範囲から外れた条件を有する第１のセラミック粉末を用いた、この発明の好ましい範囲から外れた条件を有する絶縁体セラミック組成物である。

また、表５の「ホウケイ酸ガラス」の欄に示すように、この実験例２では、ホウケイ酸ガラス粉末として、表１に示したガラス「Ｇ２３」からなるもので、平均粒径１〜２μｍになるまで粉砕したものを用い、これを９．０重量％の添加量をもって混合した。

また、この実験例２では、第２のセラミック粉末として、表５の「第２のセラミック」における「種類」の欄に示すように、平均粒径１．５μｍのＳｒＴｉＯ_３（＝ＳＴ）粉末および平均粒径１．０μｍのＴｉＯ_２（＝Ｔ）粉末を用意し、同じく「量」の欄に示すように、ＳＴ粉末を８．５重量％、およびＴ粉末を１．５重量％といった各添加量をもって混合した。

なお、表５には、比較を容易にするため、表２に示した試料２９が再び示されている。

次に、表５に示した各試料に係る絶縁体セラミック組成物を用いて、実験例１の場合と同様にして、試料となる絶縁性セラミック焼結体を作製し、表６に示すように、各試料について、比誘電率（ε_ｒ）、Ｑｆ値、共振周波数の温度係数（τ_ｆ）および化学的安定性を評価した。

表６においても、この発明の好ましい範囲から外れた試料番号には、＊が付されている。

試料３５〜３７、３９および４０では、表４に示したように、第１のセラミック粉末Ｆ４を用いた試料２９の場合と同様、ＭｇＯ／ＳｉＯ_２モル比が１．９２〜２．０４の範囲にあり、不純物量が５重量％以下であり、かつ、平均粒径（中心粒径Ｄ５０）が１μｍ以下であるという条件を満足する、第１のセラミック粉末「Ｆ２」、「Ｆ３」、「Ｆ５」、「Ｆ７」および「Ｆ８」のいずれかを用いており、表６に示すように、試料２９に匹敵する評価結果が得られている。

これらに対して、試料３４では、ＭｇＯ／ＳｉＯ_２モル比が１．９２未満である第１のセラミック粉末「Ｆ１」を用いたので、化学的安定性が劣っていた。他方、試料３８では、ＭｇＯ／ＳｉＯ_２モル比が２．０４を超える第１のセラミック粉末「Ｆ６」を用いたので、化学的安定性が劣っていた。

試料４１では、不純物量が５重量％を超える第１のセラミック粉末「Ｆ９」を用いたので、Ｑｆ値が低く、また、化学的安定性が劣っていた。

試料４２では、平均粒径（中心粒径Ｄ５０）が１μｍを超える第１のセラミック粉末「Ｆ１０」を用いたので、１０００℃以下の温度で焼結しなかった。

（実験例３）
絶縁体セラミック組成物に含まれる第２のセラミック粉末の一部として、表７に示すようなＳｒＯ／ＴｉＯ_２モル比、不純物種類および量、比表面積ならびに積分強度を有する、ＳｒＴｉＯ_３を主成分とする平均粒径１．５μｍの種々のセラミック粉末を用意した。なお、表７に示した不純物量は、ＩＣＰ（プラズマ発光分光分析）によって測定した。また、積分強度は、粉末Ｘ線回折法により、ＳｒＴｉＯ_３（２２２）の回折ピークから求めた。Ｘ線回折測定装置は、ターゲットがＣｕであり、管電圧を５０ｋＶ、管電流を２５０ｍＡとし、連続測定でサンプリング幅を０．０２°とした。

表７において、「第２のセラミック記号」に＊を付したものは、この発明の好ましい範囲から外れた条件を有するＳｒＴｉＯ_３系セラミック粉末である。

表８に示した各試料に係る絶縁体セラミック組成物を得るため、表８の「第２のセラミック」における「種類」の欄に示すように、上述の表７に示したＳｒＴｉＯ_３系セラミック粉末「Ｓ１」〜「Ｓ１６」のいずれか、および平均粒径１．０μｍのＴｉＯ_２（＝Ｔ）粉末を、それぞれ、「量」の欄に記載の添加量となるように混合したものを、第２のセラミック粉末として用いた。

また、表８に示した各試料に係る絶縁体セラミック組成物を得るため、表８の「ホウケイ酸ガラス」における「種類」の欄に示すように、この実験例３では、ホウケイ酸ガラス粉末として、表１に示したガラス「Ｇ２３」からなるもので、平均粒径１〜２μｍになるまで粉砕したものを用い、これを、「量」の欄に示した添加量をもって混合した。

さらに、表８に示した各試料に係る絶縁体セラミック組成物を得るため、この実験例３では、第１のセラミック粉末として、実験例１の場合と同様、表４の第１のセラミック「Ｆ４」からなるものを用い、これを、表８に示した「第１のセラミック量」の欄に示した添加量をもって混合した。

表８において、試料番号に＊を付したものは、表７に示したように、この発明の好ましい範囲から外れた条件を有する第２のセラミック粉末を用いた、この発明の好ましい範囲から外れた条件を有する絶縁体セラミック組成物である。

次に、表８に示した各試料に係る絶縁体セラミック組成物を用いて、実験例１の場合と同様にして、試料となる絶縁性セラミック焼結体を作製し、表９に示すように、各試料について、比誘電率（ε_ｒ）、Ｑｆ値、共振周波数の温度係数（τ_ｆ）および化学的安定性を評価した。

表９においても、この発明の好ましい範囲から外れた試料番号には、＊が付されている。

試料５１〜５４、５６、６０〜６２および６５では、第２のセラミック粉末の一部となるＳｒＴｉＯ_３系セラミック粉末として、ＳｒＯ／ＴｉＯ_２モル比が０．９２〜１．０５の範囲にあり、不純物量が１重量％以下であり、比表面積が１．５〜７．５ｍ^２／ｇの範囲にあり、ＳｒＴｉＯ_３（２２２）面に対するＸ線回折ピークの積分強度が１０００以上であるという条件を満足する、表７に示した第２のセラミック粉末「Ｓ２」、「Ｓ３」、「Ｓ４」、「Ｓ５」、「Ｓ７」、「Ｓ１１」、「Ｓ１２」、「Ｓ１３」および「Ｓ１６」のいずれかを用いており、表９に示すように、良好な評価結果が得られている。

これらに対して、試料５０では、ＳｒＯ／ＴｉＯ_２モル比が１．０５を超える第２のセラミック粉末「Ｓ１」を用いたので、Ｑｆ値の低下を招き、また、化学的安定性が劣っていた。

他方、試料５５では、ＳｒＯ／ＴｉＯ_２モル比が０．９２未満である第２のセラミック粉末「Ｓ６」を用いている。この実験例３では、第２のセラミック粉末としてＴｉＯ_２を別途添加し、ＳｒＴｉＯ_３およびＴｉＯ_２の各添加量を調整しているため、特に問題となる特性はもたらされなかった。しかしながら、このような添加量の調整は、一般的に、比較的面倒である。

試料５７および５８では、不純物が１重量％を超える第２のセラミック粉末「Ｓ８」および「Ｓ９」をそれぞれ用いたので、Ｑ値が低下した。

試料５９では、比表面積が１．５ｍ^２／ｇ未満である第２のセラミック粉末「Ｓ１０」を用いたので、１０００℃以下の温度で焼結しなかった。他方、試料６３では、比表面積が７．５ｍ^２／ｇを超える第２のセラミック粉末「Ｓ１４」を用いたので、Ｑ値が低下した。

試料６４では、積分強度が１０００未満である第２のセラミック粉末「Ｓ１５」を用いたので、Ｑ値が低下し、また、化学的安定性が劣っていた。

（実験例４）
表１０に示した各試料に係る絶縁体セラミック組成物を得るため、第１セラミック粉末、ホウケイ酸ガラス粉末および第２のセラミック粉末を用意するとともに、第３のセラミック粉末を用意し、これらを混合した。

ここで、第１のセラミック粉末については、表１０において、「第１のセラミック」の「種類」の欄に示すように、表４に示した第１のセラミック粉末「Ｆ４」を用い、これを、「量」の欄に示すような添加量をもって混合した。

ホウケイ酸ガラス粉末については、表１０において、「ホウケイ酸ガラス」の「種類」の欄に示すように、表１に示したガラス「Ｇ６」または「Ｇ２３」を用い、これを、「量」の欄に示すような添加量をもって混合した。

第２のセラミック粉末については、表１０において、「第２のセラミック」の「種類」の欄に示すように、「ＣＴ」（すなわち、ＣａＴｉＯ₃）または「ＳＴ／Ｔ」（すなわち、ＳｒＴｉＯ₃／ＴｉＯ₂）を用い、これを、「量」の欄に示すような添加量をもって混合した。なお、第２のセラミック粉末としてＣＴが用いられたものは、この発明の範囲外の参考例である。

第３のセラミック粉末については、表１０の「第３のセラミック」の欄に示すように、ＣｕＯ、Ｆｅ_２Ｏ_３およびＭｎＯ_２の各粉末の少なくとも１種を、所定の添加量をもって混合した。ここで、ＣｕＯ粉末については、平均粒径１．１μｍのものを用い、Ｆｅ_２Ｏ _３粉末については、平均粒径０．９μｍのものを用い、ＭｎＯ_２粉末については、平均粒径１．２μｍのものを用いた。なお、表１０の「第３のセラミック」の欄に示された「ＣｕＯ」、「Ｆｅ_２Ｏ_３」および「ＭｎＯ_２」ならびに「総量」の各々についての添加量は、第１のセラミック粉末、ホウケイ酸ガラス粉末および第２のセラミック粉末の合計量１００重量部に対する重量比率をもって示されている。

表１０において、試料番号に＊を付したものは、第３のセラミック粉末の添加量について、この発明の好ましい範囲から外れた条件を有する絶縁体セラミック組成物である。

なお、表１０には、比較を容易にするため、表３に示した試料６および表２に示した試料２９が再び示されている。

次に、表１０に示した各試料に係る絶縁体セラミック組成物を用いて、実験例１の場合と同様にして、試料となる絶縁性セラミック焼結体を作製し、表１１に示すように、各試料について、比誘電率（ε_ｒ）、Ｑｆ値、共振周波数の温度係数（τ_ｆ）および化学的安定性を評価した。

表１１においても、表１０に示した第３のセラミック粉末の添加量について、この発明の好ましい範囲から外れた試料についての試料番号には、＊が付されている。

第３のセラミック粉末は焼結助剤として機能するもので、これを添加すれば、ホウケイ酸ガラス粉末の添加量を少なくすることができ、その分、第１のセラミック粉末の添加量を増加させることができる。その結果、第３のセラミック粉末を添加しない場合に比べて、Ｑｆ値を高めることができる。

より具体的には、表１１に示すように、試料６６、６７、６９、７０、７２、７３、７５および７６によれば、第３のセラミック粉末を含有していない試料６に比べて、ならびに、試料７８〜８０によれば、第３のセラミック粉末を含有していない試料２９に比べて、より高いＱｆ値、すなわち１００００ＧＨｚ以上のＱｆ値を得ることができた。また、±３０ｐｐｍ・℃^−１以内といった安定した共振周波数の温度係数（τ_ｆ）を得ることができた。

上記試料６６、６７、６９、７０、７２、７３、７５および７６ならびに試料７８〜８０は、第１のセラミック粉末、ホウケイ酸ガラス粉末および第２のセラミック粉末の合計量を１００重量部としたとき、ＣｕＯの含有量については０．５重量部以下、Ｆｅ_２Ｏ_３の含有量については１重量部以下、およびＭｎＯ_２の含有量については２重量部以下に選ばれながら、第３のセラミック粉末の合計量については２．５重量部以下に選ばれるという条件を満たしている。

これらに対して、試料６８、７１、７４および７７においては、第３のセラミック粉末が添加されたが、その添加量が上記した上限値を超えており、そのため、Ｑｆ値は、試料６の場合より、かえって低下した。

Claims (20)

1. フォルステライトを主成分とする第１のセラミック粉末と、
   チタン酸ストロンチウムを主成分とするセラミック粉末および酸化チタンを主成分とするセラミック粉末からなる群より選ばれる少なくとも１種からなる第２のセラミック粉末と、
   ホウケイ酸ガラス粉末と
   を含み、
   前記ホウケイ酸ガラスは、リチウムをＬｉ₂Ｏ換算で３〜１５重量％、マグネシウムをＭｇＯ換算で３０〜５０重量％、ホウ素をＢ₂Ｏ₃換算で１５〜３０重量％、ケイ素をＳｉＯ₂換算で１０〜３５重量％、亜鉛をＺｎＯ換算で６〜２０重量％、および、アルミニウムをＡｌ₂Ｏ₃換算で０〜１５重量％含む、
   絶縁体セラミック組成物。
2. 前記ホウケイ酸ガラス粉末を３〜２０重量％含む、請求項１に記載の絶縁体セラミック組成物。
3. 前記第１のセラミック粉末を７０重量％以上含み、かつ前記第２のセラミック粉末を６重量％以上かつ２５重量％以下含む、請求項１に記載の絶縁体セラミック組成物。
4. 酸化銅（ＣｕＯ）を主成分とする酸化銅系セラミック粉末、酸化鉄（Ｆｅ₂Ｏ₃）を主成分とする酸化鉄系セラミック粉末および酸化マンガン（ＭｎＯ₂）を主成分とする酸化マンガン系セラミック粉末の少なくとも１種からなる第３のセラミック粉末をさらに含み、
   前記第１のセラミック粉末、前記第２のセラミック粉末および前記ホウケイ酸ガラス粉末の合計量を１００重量部としたとき、前記酸化銅系セラミック粉末の含有量については０．５重量部以下、前記酸化鉄系セラミック粉末の含有量については１重量部以下、および前記酸化マンガン系セラミック粉末の含有量については２重量部以下に選ばれながら、前記第３のセラミック粉末の合計量については２．５重量部以下に選ばれる、請求項１に記載の絶縁体セラミック組成物。
5. 前記ホウケイ酸ガラスは、Ｌｉ₂（Ｍｇ，Ｚｎ）ＳｉＯ₄結晶相を析出し得る組成である、請求項１に記載の絶縁体セラミック組成物。
6. 前記フォルステライトは、ＭｇＯとＳｉＯ₂とのモル比が、ＭｇＯ／ＳｉＯ₂比で、１．９２〜２．０４のものである、請求項１に記載の絶縁体セラミック組成物。
7. 前記第１のセラミック粉末は、前記フォルステライト以外の不純物量が５重量％以下である、請求項６に記載の絶縁体セラミック組成物。
8. 前記第１のセラミック粉末の中心粒径Ｄ５０が１μｍ以下である、請求項１に記載の絶縁体セラミック組成物。
9. 前記第２のセラミック粉末が、前記チタン酸ストロンチウムを主成分とするセラミック粉末および前記酸化チタンを主成分とするセラミック粉末である、請求項１に記載の絶縁体セラミック組成物。
10. 前記チタン酸ストロンチウムを主成分とするセラミック粉末を６〜１３重量％含み、かつ前記酸化チタンを主成分とするセラミック粉末を０．５〜５．５重量％含む、請求項９に記載の絶縁体セラミック組成物。
11. 前記第２のセラミック粉末が、前記チタン酸ストロンチウムを主成分とするセラミック粉末を含み、前記チタン酸ストロンチウムは、ＳｒＯとＴｉＯ₂とのモル比が、ＳｒＯ／ＴｉＯ₂比で、０．９２〜１．０５のものである、請求項１に記載の絶縁体セラミック組成物。
12. 前記チタン酸ストロンチウムを主成分とするセラミック粉末は、前記チタン酸ストロンチウム以外の不純物量が１重量％以下である、請求項１１に記載の絶縁体セラミック組成物。
13. 前記チタン酸ストロンチウムを主成分とするセラミック粉末の比表面積が、１．５〜７．５ｍ²／ｇである、請求項１１に記載の絶縁体セラミック組成物。
14. 前記チタン酸ストロンチウムを主成分とするセラミック粉末は、当該セラミック粉末のＳｒＴｉＯ₃（２２２）面に対するＸ線回折ピークの積分強度が１０００以上である、請求項１１に記載の絶縁体セラミック組成物。
15. 請求項１ないし１４のいずれかに記載の絶縁体セラミック組成物を１０００℃以下の温度で焼成することによって得られる、絶縁性セラミック焼結体。
16. 積層された複数の絶縁性セラミック層と、前記絶縁性セラミック層に関連して設けられる配線導体とを備える、積層型セラミック電子部品であって、前記絶縁性セラミック層は請求項１５に記載の絶縁性セラミック焼結体からなり、前記配線導体は銅または銀を主成分とする、積層型セラミック電子部品。
17. 前記絶縁性セラミック層とともに積層された高誘電性セラミック層をさらに備え、前記高誘電性セラミック層は、１５以上の比誘電率を有する、請求項１６に記載の積層型セラミック電子部品。
18. 前記高誘電性セラミック層は、
    ｘ（Ｂａ_aＣａ_bＳｒ_c）Ｏ−ｙ｛（ＴｉＯ₂）_1-m（ＺｒＯ₂）_m｝−ｚＲｅ₂Ｏ₃（ただし、ｘ、ｙおよびｚの単位はモル％であって、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００であり、ａ＋ｂ＋ｃ＝１、０≦ｂ＋ｃ＜０．８、および０≦ｍ＜０．１５であり、Ｒｅは希土類元素の少なくとも１種である。）で表され、前記（Ｂａ_aＣａ_bＳｒ_c）Ｏと前記｛（ＴｉＯ₂）_1-m（ＺｒＯ₂）_m｝と前記Ｒｅ₂Ｏ₃とのモル組成比（ｘ，ｙ，ｚ）が、添付の図３に示す３元組成図において、点Ａ（７，８５，８）、点Ｂ（７，５９，３４）、点Ｃ（０，５９，４１）および点Ｄ（０，８５，１５）で囲まれる領域内（ただし、点Ａと点Ｂとを結ぶ線上は含まない。）にある、主成分と、
    ＳｉＯ₂系のガラスからなる、第１の副成分と、
    Ｍｎを含む、第２の副成分と
    を含む、高誘電体材料からなり、
    前記高誘電体材料は、前記主成分を１００重量部としたとき、前記第１の副成分を０．１〜２５重量部含み、前記第２の副成分をＭｎ換算で０．５〜２０重量部含む、
    請求項１７に記載の積層型セラミック電子部品。
19. 前記高誘電体材料は、Ｌｉ₂Ｏをさらに含む、請求項１８に記載の積層型セラミック電子部品。
20. 前記高誘電性セラミック層は、
    ｘＢａＯ−ｙＴｉＯ₂−ｚＲｅＯ_3/2（ただし、ｘ、ｙおよびｚの単位はモル％であって、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００であり、８≦ｘ≦１８、５２．５≦ｙ≦６５および２０≦ｚ≦４０であり、Ｒｅは希土類元素の少なくとも１種である。）で表される、ＢａＯ−ＴｉＯ₂−ＲｅＯ_3/2系セラミック組成物と、
    １０〜２５重量％のＳｉＯ₂、１０〜４０重量％のＢ₂Ｏ₃、２５〜５５重量％のＭｇＯ、０〜２０重量％のＺｎＯ、０〜１５重量％のＡｌ₂Ｏ₃、０．５〜１０重量％のＬｉ₂Ｏおよび０〜１０重量％のＲＯ（ただし、Ｒは、Ｂａ、ＳｒおよびＣａのうちの少なくとも１種である。）を含む、ガラス組成物と
    を含む、高誘電体材料からなる、
    請求項１７に記載の積層型セラミック電子部品。

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