JP3528037B2 - ガラスセラミック基板の製造方法 - Google Patents
ガラスセラミック基板の製造方法Info
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- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
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- H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ガラスセラミック
絶縁材料と銀系の導体材料とを所定の焼成温度にて同時
焼成してなるガラスセラミック基板に関するものであ
る。
絶縁材料と銀系の導体材料とを所定の焼成温度にて同時
焼成してなるガラスセラミック基板に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、携帯電話端末やコンピュータ等の
電子機器に対する小型化、高機能化、高信頼化、低コス
ト化への要求が極めて大きく、これに応じて半導体ＩＣ
等の電子部品は、高密度集積化、高速化の方向へめざま
しく発展している。これに伴って、各種電子部品を搭載
する基板材料及びそれに用いる導体材料に対しても、ア
ルミナ基板材料やタングステン導体材料以上の特性が求
められている。
電子機器に対する小型化、高機能化、高信頼化、低コス
ト化への要求が極めて大きく、これに応じて半導体ＩＣ
等の電子部品は、高密度集積化、高速化の方向へめざま
しく発展している。これに伴って、各種電子部品を搭載
する基板材料及びそれに用いる導体材料に対しても、ア
ルミナ基板材料やタングステン導体材料以上の特性が求
められている。
【０００３】特に、アルミナは誘電率が大きいために配
線パターンを伝搬する信号の遅延が問題となることがあ
り、また、シリコン等との熱膨張係数の差が大きいの
で、熱サイクルによる信頼性の劣化が生じることがあっ
た。さらに、アルミナは焼結温度が高いために、導体材
料としてタングステンやモリブデン等の高融点金属を用
いる必要があるが、これらの高融点金属は固有抵抗が高
く、高密度配線化が難しい等の問題があった。
線パターンを伝搬する信号の遅延が問題となることがあ
り、また、シリコン等との熱膨張係数の差が大きいの
で、熱サイクルによる信頼性の劣化が生じることがあっ
た。さらに、アルミナは焼結温度が高いために、導体材
料としてタングステンやモリブデン等の高融点金属を用
いる必要があるが、これらの高融点金属は固有抵抗が高
く、高密度配線化が難しい等の問題があった。
【０００４】そこで、導体（配線）パターンの微細化、
信号の高周波化に伴い、１０００℃以下で焼成可能なガ
ラスセラミック材料を基板材料とし、固有抵抗が小さな
銅、銀、金、白金、銀−パラジウム合金等の低融点金属
を導体材料として用いたガラスセラミック多層回路基板
の実用化が試みられている。
信号の高周波化に伴い、１０００℃以下で焼成可能なガ
ラスセラミック材料を基板材料とし、固有抵抗が小さな
銅、銀、金、白金、銀−パラジウム合金等の低融点金属
を導体材料として用いたガラスセラミック多層回路基板
の実用化が試みられている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、これらの導
体材料のうち、金や白金は、大気中で焼成可能であるも
のの、材料コストが高く、また、銅は、還元性雰囲気の
厳密な管理のもとで焼成を行う必要があるために焼成コ
ストが高い等の問題を有している。そこで、比較的材料
コストが低く、大気雰囲気中の焼成が可能であって焼成
コストが低い銀系の導体材料が広く用いられるようにな
っている。
体材料のうち、金や白金は、大気中で焼成可能であるも
のの、材料コストが高く、また、銅は、還元性雰囲気の
厳密な管理のもとで焼成を行う必要があるために焼成コ
ストが高い等の問題を有している。そこで、比較的材料
コストが低く、大気雰囲気中の焼成が可能であって焼成
コストが低い銀系の導体材料が広く用いられるようにな
っている。
【０００６】しかしながら、銀、銀−パラジウム合金等
の銀系の導体材料は、他の導体材料に比べて拡散し易い
ので、拡散した銀同士が接触して配線間で短絡を起こす
ことが有り、得られる配線基板の信頼性が不安定になる
ことがある。また、拡散した銀によって銀コロイドが生
成し、銀コロイドによる基板の変色が生じて、基板の品
位が劣化することがある。特に、ガラスセラミック多層
回路基板においては、そのガラス成分中に銀が拡散し易
いため、銀の拡散を抑制することが大きな課題である。
の銀系の導体材料は、他の導体材料に比べて拡散し易い
ので、拡散した銀同士が接触して配線間で短絡を起こす
ことが有り、得られる配線基板の信頼性が不安定になる
ことがある。また、拡散した銀によって銀コロイドが生
成し、銀コロイドによる基板の変色が生じて、基板の品
位が劣化することがある。特に、ガラスセラミック多層
回路基板においては、そのガラス成分中に銀が拡散し易
いため、銀の拡散を抑制することが大きな課題である。
【０００７】本発明は、上述した実情に鑑みてなされた
ものであり、その目的は、銀系の導体材料における銀の
拡散を抑制し、信頼性が高く、高品位のガラスセラミッ
ク基板を提供することにある。
ものであり、その目的は、銀系の導体材料における銀の
拡散を抑制し、信頼性が高く、高品位のガラスセラミッ
ク基板を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、ガラス
セラミック絶縁材料と銀系の導体材料とを所定の焼成温
度にて同時焼成することにより、銀系の表層導体パター
ン及び／又は内層導体パターンを備えるガラスセラミッ
ク基板を製造するガラスセラミック基板の製造方法にお
いて、前記ガラスセラミック絶縁材料に、常温にて安定
若しくは準安定に存在し、前記焼成温度にて前記銀系の
導体材料よりも容易に酸化物を形成する金属を添加する
ことを特徴とするガラスセラミック基板の製造方法に係
るものである。また、本発明は、ガラスセラミック絶縁
層と銀系の導体層とを複数層積み重ねてなり、銀系の表
層導体パターン及び／又は内層導体パターンを備えるガ
ラスセラミック基板の製造方法において、銀系の導体材
料を有機ビヒクルと共に混合、分散して、銀系導体ペー
ストを作製する工程と、ガラス成分、セラミック成分、
および常温にて安定若しくは準安定に存在し、７００℃
〜９６０℃にて前記銀系の導体材料よりも容易に酸化物
を形成する金属を混合することにより、ガラスセラミッ
ク絶縁材料を作製する工程と、前記ガラスセラミック絶
縁材料を有機ビヒクルと共に混合、分散してスラリーを
作製し、前記スラリーをシート状に成形してセラミック
グリーンシートを作製する工程と、前記セラミックグリ
ーンシート上に前記銀系導体ペーストを印刷して、導体
パターンを形成する工程と、前記導体パターンが形成さ
れた前記セラミックグリーンシートを積み重ね、７００
℃〜９６０℃にて焼成する工程と、を備えることを特徴
とするガラスセラミック基板の製造方法に係るものであ
る。
セラミック絶縁材料と銀系の導体材料とを所定の焼成温
度にて同時焼成することにより、銀系の表層導体パター
ン及び／又は内層導体パターンを備えるガラスセラミッ
ク基板を製造するガラスセラミック基板の製造方法にお
いて、前記ガラスセラミック絶縁材料に、常温にて安定
若しくは準安定に存在し、前記焼成温度にて前記銀系の
導体材料よりも容易に酸化物を形成する金属を添加する
ことを特徴とするガラスセラミック基板の製造方法に係
るものである。また、本発明は、ガラスセラミック絶縁
層と銀系の導体層とを複数層積み重ねてなり、銀系の表
層導体パターン及び／又は内層導体パターンを備えるガ
ラスセラミック基板の製造方法において、銀系の導体材
料を有機ビヒクルと共に混合、分散して、銀系導体ペー
ストを作製する工程と、ガラス成分、セラミック成分、
および常温にて安定若しくは準安定に存在し、７００℃
〜９６０℃にて前記銀系の導体材料よりも容易に酸化物
を形成する金属を混合することにより、ガラスセラミッ
ク絶縁材料を作製する工程と、前記ガラスセラミック絶
縁材料を有機ビヒクルと共に混合、分散してスラリーを
作製し、前記スラリーをシート状に成形してセラミック
グリーンシートを作製する工程と、前記セラミックグリ
ーンシート上に前記銀系導体ペーストを印刷して、導体
パターンを形成する工程と、前記導体パターンが形成さ
れた前記セラミックグリーンシートを積み重ね、７００
℃〜９６０℃にて焼成する工程と、を備えることを特徴
とするガラスセラミック基板の製造方法に係るものであ
る。
【０００９】また、本発明のガラスセラミック基板の製
造方法は、前記金属が、アルミニウム、ニッケル、銅、
亜鉛及びガリウムからなる群より選ばれる少なくとも１
種であることを特徴とする。
造方法は、前記金属が、アルミニウム、ニッケル、銅、
亜鉛及びガリウムからなる群より選ばれる少なくとも１
種であることを特徴とする。
【００１０】また、本発明のガラスセラミック基板の製
造方法は、前記金属が銅であることを特徴とする。
造方法は、前記金属が銅であることを特徴とする。
【００１１】また、本発明のガラスセラミック基板の製
造方法は、前記金属の添加量が、前記ガラスセラミック
絶縁材料に対して３重量％以下であることを特徴とす
る。
造方法は、前記金属の添加量が、前記ガラスセラミック
絶縁材料に対して３重量％以下であることを特徴とす
る。
【００１２】また、本発明のガラスセラミック基板の製
造方法は、前記ガラスセラミック絶縁材料におけるガラ
ス成分が、珪酸塩ガラス、ホウ珪酸塩ガラスおよびＣａ
Ｏ−ＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3−Ｂ2Ｏ3系ガラスからなる群よ
り選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする。
造方法は、前記ガラスセラミック絶縁材料におけるガラ
ス成分が、珪酸塩ガラス、ホウ珪酸塩ガラスおよびＣａ
Ｏ−ＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3−Ｂ2Ｏ3系ガラスからなる群よ
り選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする。
【００１３】また、本発明のガラスセラミック基板の製
造方法は、前記ガラスセラミック絶縁材料におけるセラ
ミック成分が、アルミナ、シリカ、ジルコニア、フォル
ステライト、アノーサイト及びウォラストナイトからな
る群より選ばれる少なくとも１種であることを特徴とす
る。
造方法は、前記ガラスセラミック絶縁材料におけるセラ
ミック成分が、アルミナ、シリカ、ジルコニア、フォル
ステライト、アノーサイト及びウォラストナイトからな
る群より選ばれる少なくとも１種であることを特徴とす
る。
【００１４】また、本発明のガラスセラミック基板の製
造方法は、前記ガラスセラミック絶縁材料におけるガラ
ス成分とセラミック成分との重量比が１０：９０〜１０
０：０であることを特徴とする。
造方法は、前記ガラスセラミック絶縁材料におけるガラ
ス成分とセラミック成分との重量比が１０：９０〜１０
０：０であることを特徴とする。
【００１５】
【００１６】本発明のガラスセラミック基板の製造方法
によれば、前記ガラスセラミック絶縁材料に、常温にて
安定若しくは準安定に存在し、かつ、銀の融点以下であ
る７００℃〜９６０℃程度の焼成温度にて銀系の導体材
料よりも容易に酸化物を形成する金属が添加されている
ので、例えば大気等の非還元性雰囲気中、前記焼成温度
で焼成を行うに際し、銀系の導体材料の酸化が抑制さ
れ、その拡散が抑えられることにより、信頼性が高く高
品位のガラスセラミック基板が得られる。これは、前記
金属が導体パターンとなる前記銀系の導体材料よりも容
易に酸化され、この銀系の導体材料に対して還元材とし
て作用することによるものである。
によれば、前記ガラスセラミック絶縁材料に、常温にて
安定若しくは準安定に存在し、かつ、銀の融点以下であ
る７００℃〜９６０℃程度の焼成温度にて銀系の導体材
料よりも容易に酸化物を形成する金属が添加されている
ので、例えば大気等の非還元性雰囲気中、前記焼成温度
で焼成を行うに際し、銀系の導体材料の酸化が抑制さ
れ、その拡散が抑えられることにより、信頼性が高く高
品位のガラスセラミック基板が得られる。これは、前記
金属が導体パターンとなる前記銀系の導体材料よりも容
易に酸化され、この銀系の導体材料に対して還元材とし
て作用することによるものである。
【００１７】
【発明の実施の形態】まず、図１を参照に、本発明のガ
ラスセラミック基板の製造方法により得られるガラスセ
ラミック基板について、その実施の形態例を説明する。
ラスセラミック基板の製造方法により得られるガラスセ
ラミック基板について、その実施の形態例を説明する。
【００１８】本実施の形態によるガラスセラミック基板
１は、絶縁性のガラスセラミック層２ａ、２ｂ、２ｃ、
２ｄ、２ｅ、２ｆ及び２ｇと銀系の導体材料による導体
パターンとを積層してなる多層回路基板である。ガラス
セラミック基板１の両主面には、電極パッド、配線パタ
ーン等の表層導体パターン３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄ、３
ｅ及び３ｆが形成されており、また、ガラスセラミック
基板１の内部には、ストリップライン等の配線パター
ン、コイルやコンデンサ等の電極パターンとしての内層
導体パターン４が形成されている。そして、内層導体パ
ターン同士、或いは、内層導体パターンと表層導体パタ
ーンとは、ビアホール５を介して電気的に接続されてい
る。
１は、絶縁性のガラスセラミック層２ａ、２ｂ、２ｃ、
２ｄ、２ｅ、２ｆ及び２ｇと銀系の導体材料による導体
パターンとを積層してなる多層回路基板である。ガラス
セラミック基板１の両主面には、電極パッド、配線パタ
ーン等の表層導体パターン３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄ、３
ｅ及び３ｆが形成されており、また、ガラスセラミック
基板１の内部には、ストリップライン等の配線パター
ン、コイルやコンデンサ等の電極パターンとしての内層
導体パターン４が形成されている。そして、内層導体パ
ターン同士、或いは、内層導体パターンと表層導体パタ
ーンとは、ビアホール５を介して電気的に接続されてい
る。
【００１９】さらに、ガラスセラミック基板１の一方主
面には、チップコンデンサ等のチップ部品６、半導体Ｉ
Ｃ７が直接或いはワイヤ８を介して表層導体パターン３
ｂ、３ｃにそれぞれ接続されており、ガラスセラミック
基板１の他方主面には、厚膜抵抗体９ａ、９ｂがそれぞ
れ表層導体パターン３ｅ、３ｆ上に形成されている。
面には、チップコンデンサ等のチップ部品６、半導体Ｉ
Ｃ７が直接或いはワイヤ８を介して表層導体パターン３
ｂ、３ｃにそれぞれ接続されており、ガラスセラミック
基板１の他方主面には、厚膜抵抗体９ａ、９ｂがそれぞ
れ表層導体パターン３ｅ、３ｆ上に形成されている。
【００２０】そして、表層導体パターン３ａ〜３ｆ及び
内層導体パターン４は、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｔ
等の銀系の導体材料で形成されており、ガラスセラミッ
ク層２ａ〜２ｇは、ガラス成分とセラミック成分とから
なるガラスセラミック絶縁材料に、常温にて安定若しく
は準安定に存在し、かつ、７００℃〜９６０℃程度の焼
成温度にて酸化物を形成する金属が添加されてなる混合
材料を、非還元性雰囲気中、前記焼成温度にて焼成して
なる絶縁性のガラスセラミック層である。
内層導体パターン４は、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｔ
等の銀系の導体材料で形成されており、ガラスセラミッ
ク層２ａ〜２ｇは、ガラス成分とセラミック成分とから
なるガラスセラミック絶縁材料に、常温にて安定若しく
は準安定に存在し、かつ、７００℃〜９６０℃程度の焼
成温度にて酸化物を形成する金属が添加されてなる混合
材料を、非還元性雰囲気中、前記焼成温度にて焼成して
なる絶縁性のガラスセラミック層である。
【００２１】従って、焼成処理を経たガラスセラミック
基板１において、銀系の導体材料で形成された表層導体
パターン及び内層導体パターンは、ガラスセラミック絶
縁材料中の前記金属によって酸化が抑制されており、そ
の拡散が抑えられた、配線や電極間の短絡の危険性が少
なく、信頼性に優れた導体パターンである。また、銀コ
ロイドの生成による基板の変色が抑えられているので、
高品位のガラスセラミック基板１である。
基板１において、銀系の導体材料で形成された表層導体
パターン及び内層導体パターンは、ガラスセラミック絶
縁材料中の前記金属によって酸化が抑制されており、そ
の拡散が抑えられた、配線や電極間の短絡の危険性が少
なく、信頼性に優れた導体パターンである。また、銀コ
ロイドの生成による基板の変色が抑えられているので、
高品位のガラスセラミック基板１である。
【００２２】特に、ガラスセラミック基板１において
は、基板全体に占める基板材料の体積比や重量比が大き
いので、ガラスセラミック絶縁材料中に上述した金属を
添加しても、強度や誘電率等の基板特性に殆ど影響を与
えることが無い。これに対して、例えば、導体材料中に
上述した金属を含有させる場合、含有させる金属の絶対
量に限界があるため、添加割合を極めて多くしなければ
同等の効果を期待できず、また、酸化物が導体パターン
中に混入していると配線の抵抗が高くなる。
は、基板全体に占める基板材料の体積比や重量比が大き
いので、ガラスセラミック絶縁材料中に上述した金属を
添加しても、強度や誘電率等の基板特性に殆ど影響を与
えることが無い。これに対して、例えば、導体材料中に
上述した金属を含有させる場合、含有させる金属の絶対
量に限界があるため、添加割合を極めて多くしなければ
同等の効果を期待できず、また、酸化物が導体パターン
中に混入していると配線の抵抗が高くなる。
【００２３】なお、焼成後のガラスセラミック層２ａ〜
２ｇには、添加した前記金属の酸化物が存在することに
なる。この金属酸化物は、金属イオンの形態で酸素と共
にガラス成分中に溶け込んでおり、特に、金属として銅
を用いた場合には、Ｃｕ2+の青色が観察される。
２ｇには、添加した前記金属の酸化物が存在することに
なる。この金属酸化物は、金属イオンの形態で酸素と共
にガラス成分中に溶け込んでおり、特に、金属として銅
を用いた場合には、Ｃｕ2+の青色が観察される。
【００２４】次に、図１に示したガラスセラミック基板
の製造方法例を説明する。
の製造方法例を説明する。
【００２５】まず、所定量のガラス粉末、セラミック粉
末及び上述した金属粉末を有機ビヒクルと共に混合、分
散して、ガラスセラミック層用のスラリーを作製する。
そして、このスラリーをドクターブレード法等によって
シート状に成形し、ガラスセラミック層用のセラミック
グリーンシートを作製する。また、銀系の導体材料を有
機ビヒクルと共に混合、分散して、銀系導体ペーストを
作製する。
末及び上述した金属粉末を有機ビヒクルと共に混合、分
散して、ガラスセラミック層用のスラリーを作製する。
そして、このスラリーをドクターブレード法等によって
シート状に成形し、ガラスセラミック層用のセラミック
グリーンシートを作製する。また、銀系の導体材料を有
機ビヒクルと共に混合、分散して、銀系導体ペーストを
作製する。
【００２６】次いで、得られたセラミックグリーンシー
ト上に銀系導体ペーストをスクリーン印刷し、所定の導
体パターンを作製する。また、セラミックグリーンシー
トには、必要に応じて、ビアホールを作製する。このビ
アホールは銀系導体ペーストによって作製してもよい。
ト上に銀系導体ペーストをスクリーン印刷し、所定の導
体パターンを作製する。また、セラミックグリーンシー
トには、必要に応じて、ビアホールを作製する。このビ
アホールは銀系導体ペーストによって作製してもよい。
【００２７】次いで、所定の導体パターンが形成された
セラミックグリーンシートを積み重ね、圧着した後、７
００℃〜９６０℃程度にて焼成する。さらに、チップ部
品６及び半導体ＩＣ７を搭載し、厚膜抵抗体９ａ及び９
ｄを印刷することによって、表層導体パターン３ａ〜３
ｆ及び内層導体パターン５を有し、絶縁性のガラスセラ
ミック層２ａ〜２ｇを積層してなるガラスセラミック基
板１が得られる。
セラミックグリーンシートを積み重ね、圧着した後、７
００℃〜９６０℃程度にて焼成する。さらに、チップ部
品６及び半導体ＩＣ７を搭載し、厚膜抵抗体９ａ及び９
ｄを印刷することによって、表層導体パターン３ａ〜３
ｆ及び内層導体パターン５を有し、絶縁性のガラスセラ
ミック層２ａ〜２ｇを積層してなるガラスセラミック基
板１が得られる。
【００２８】なお、本発明のガラスセラミック基板の製
造方法においては、上述したようなセラミックグリーン
シート法の他、厚膜印刷法を用いてもよい。
造方法においては、上述したようなセラミックグリーン
シート法の他、厚膜印刷法を用いてもよい。
【００２９】次に、本発明のガラスセラミック基板の製
造方法をさらに詳細に説明する。
造方法をさらに詳細に説明する。
【００３０】まず、本発明のガラスセラミック基板の製
造方法は、ガラスセラミック絶縁材料と銀系の導体材料
とを所定の焼成温度にて同時焼成することにより、銀系
の表層導体パターン及び／又は内層導体パターンを備え
るガラスセラミック基板を製造するガラスセラミック基
板の製造方法において、前記ガラスセラミック絶縁材料
に、常温にて安定若しくは準安定に存在し、前記焼成温
度にて前記銀系の導体材料よりも容易に酸化物を形成す
る金属を添加することを特徴とする。また、本発明のガ
ラスセラミック基板の製造方法は、ガラスセラミック絶
縁層と銀系の導体層とを複数層積み重ねてなり、銀系の
表層導体パターン及び／又は内層導体パターンを備える
ガラスセラミック基板の製造方法において、銀系の導体
材料を有機ビヒクルと共に混合、分散して、銀系導体ペ
ーストを作製する工程と、ガラス成分、セラミック成
分、および常温にて安定若しくは準安定に存在し、７０
０℃〜９６０℃にて前記銀系の導体材料よりも容易に酸
化物を形成する金属を混合することにより、ガラスセラ
ミック絶縁材料を作製する工程と、前記ガラスセラミッ
ク絶縁材料を有機ビヒクルと共に混合、分散してスラリ
ーを作製し、前記スラリーをシート状に成形してセラミ
ックグリーンシートを作製する工程と、前記セラミック
グリーンシート上に前記銀系導体ペーストを印刷して、
導体パターンを形成する工程と、前記導体パターンが形
成された前記セラミックグリーンシートを積み重ね、７
００℃〜９６０℃にて焼成する工程と、を備えることを
特徴とする。
造方法は、ガラスセラミック絶縁材料と銀系の導体材料
とを所定の焼成温度にて同時焼成することにより、銀系
の表層導体パターン及び／又は内層導体パターンを備え
るガラスセラミック基板を製造するガラスセラミック基
板の製造方法において、前記ガラスセラミック絶縁材料
に、常温にて安定若しくは準安定に存在し、前記焼成温
度にて前記銀系の導体材料よりも容易に酸化物を形成す
る金属を添加することを特徴とする。また、本発明のガ
ラスセラミック基板の製造方法は、ガラスセラミック絶
縁層と銀系の導体層とを複数層積み重ねてなり、銀系の
表層導体パターン及び／又は内層導体パターンを備える
ガラスセラミック基板の製造方法において、銀系の導体
材料を有機ビヒクルと共に混合、分散して、銀系導体ペ
ーストを作製する工程と、ガラス成分、セラミック成
分、および常温にて安定若しくは準安定に存在し、７０
０℃〜９６０℃にて前記銀系の導体材料よりも容易に酸
化物を形成する金属を混合することにより、ガラスセラ
ミック絶縁材料を作製する工程と、前記ガラスセラミッ
ク絶縁材料を有機ビヒクルと共に混合、分散してスラリ
ーを作製し、前記スラリーをシート状に成形してセラミ
ックグリーンシートを作製する工程と、前記セラミック
グリーンシート上に前記銀系導体ペーストを印刷して、
導体パターンを形成する工程と、前記導体パターンが形
成された前記セラミックグリーンシートを積み重ね、７
００℃〜９６０℃にて焼成する工程と、を備えることを
特徴とする。
【００３１】ここで、銀の融点は９６２℃であるので、
前記焼成温度は特に７００℃〜９６０℃程度であってよ
い。また、アルカリ金属やアルカリ土類金属は常温大気
中で不安定であり、酸化の度合いが激しいので、前記ガ
ラスセラミック絶縁材料中に添加する金属としては、常
温大気中にて安定若しくは準安定状態に存在することが
必要である。また、前記銀系の導体材料は、ワイヤボン
ディング用電極パッド、半田付け用電極パッド、グラン
ド電極、コンデンサ用電極、コイル用電極、ストリップ
ライン等の種々の表層導体パターン及び内層導体パター
ンに用いてよい。また、本発明により得られるガラスセ
ラミック基板は、ハイブリッドＩＣ用の回路基板や、電
圧制御発振器やＰＬＬモジュール等の各種高周波モジュ
ール用の回路基板の他、セラミックパッケージ、チップ
コンデンサ、チップコイル、ＬＣフィルタ、チップディ
レイライン等の種々のセラミック電子部品に用いること
ができる。
前記焼成温度は特に７００℃〜９６０℃程度であってよ
い。また、アルカリ金属やアルカリ土類金属は常温大気
中で不安定であり、酸化の度合いが激しいので、前記ガ
ラスセラミック絶縁材料中に添加する金属としては、常
温大気中にて安定若しくは準安定状態に存在することが
必要である。また、前記銀系の導体材料は、ワイヤボン
ディング用電極パッド、半田付け用電極パッド、グラン
ド電極、コンデンサ用電極、コイル用電極、ストリップ
ライン等の種々の表層導体パターン及び内層導体パター
ンに用いてよい。また、本発明により得られるガラスセ
ラミック基板は、ハイブリッドＩＣ用の回路基板や、電
圧制御発振器やＰＬＬモジュール等の各種高周波モジュ
ール用の回路基板の他、セラミックパッケージ、チップ
コンデンサ、チップコイル、ＬＣフィルタ、チップディ
レイライン等の種々のセラミック電子部品に用いること
ができる。
【００３２】本発明のガラスセラミック基板の製造方法
において、前記金属は、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケ
ル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）及びガリウム
（Ｇａ）からなる群より選ばれる少なくとも１種である
ことが望ましい。
において、前記金属は、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケ
ル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）及びガリウム
（Ｇａ）からなる群より選ばれる少なくとも１種である
ことが望ましい。
【００３３】これらの金属は、常温大気中にて安定若し
くは準安定であって、かつ、７００℃〜９６０℃程度の
焼成温度では容易に酸化物となる金属である。なお、前
記金属としては、熱力学的に酸化の速度が遅く、広範囲
にわたって効果が持続する点で、特に銅であることが望
ましい。
くは準安定であって、かつ、７００℃〜９６０℃程度の
焼成温度では容易に酸化物となる金属である。なお、前
記金属としては、熱力学的に酸化の速度が遅く、広範囲
にわたって効果が持続する点で、特に銅であることが望
ましい。
【００３４】そして、これらの金属の添加量は、ガラス
成分とセラミック成分とからなるガラスセラミック絶縁
材料に対して、３重量％以下であることが望ましい。前
記金属の添加量が３重量％を超えると、金属の酸化膨張
によって基板の焼結性が低下することがあり、また、基
板密度、基板強度が低下して信頼性に悪影響を与えるこ
とがある。なお、金属の添加量は、銀系導体材料の酸化
を十分に抑制し、基板強度を保持できることから、０．
０１重量％〜１．０重量％がより一層望ましい。
成分とセラミック成分とからなるガラスセラミック絶縁
材料に対して、３重量％以下であることが望ましい。前
記金属の添加量が３重量％を超えると、金属の酸化膨張
によって基板の焼結性が低下することがあり、また、基
板密度、基板強度が低下して信頼性に悪影響を与えるこ
とがある。なお、金属の添加量は、銀系導体材料の酸化
を十分に抑制し、基板強度を保持できることから、０．
０１重量％〜１．０重量％がより一層望ましい。
【００３５】また、本発明のガラスセラミック基板の製
造方法において、前記ガラスセラミック絶縁材料におけ
るガラス成分は、珪酸塩ガラス、ホウ珪酸塩ガラス、及
び、ＣａＯ−ＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3−Ｂ2Ｏ3系ガラスから
なる群より選ばれる少なくとも１種であることが望まし
い。
造方法において、前記ガラスセラミック絶縁材料におけ
るガラス成分は、珪酸塩ガラス、ホウ珪酸塩ガラス、及
び、ＣａＯ−ＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3−Ｂ2Ｏ3系ガラスから
なる群より選ばれる少なくとも１種であることが望まし
い。
【００３６】また、前記ガラスセラミック絶縁材料にお
けるセラミック成分は、アルミナ、シリカ、ジルコニ
ア、フォルステライト（Forsterite）、アノーサイト
（Anorthite）及びウォラストナイト（Wollastonite）
からなる群よる選ばれる少なくとも１種であることが望
ましい。これらのセラミック成分（セラミックフィラ
ー）は、比較的安価であって、かつ、電気的特性に悪影
響を及ぼしにくい材料である。
けるセラミック成分は、アルミナ、シリカ、ジルコニ
ア、フォルステライト（Forsterite）、アノーサイト
（Anorthite）及びウォラストナイト（Wollastonite）
からなる群よる選ばれる少なくとも１種であることが望
ましい。これらのセラミック成分（セラミックフィラ
ー）は、比較的安価であって、かつ、電気的特性に悪影
響を及ぼしにくい材料である。
【００３７】また、前記ガラスセラミック絶縁材料にお
いては、ガラス成分とセラミック成分との重量比が１
０：９０〜１００：０であることが望ましい。上述した
重量比よりもセラミック成分に対するガラス成分の量が
少なすぎると、銀の融点（９６２℃）以下での焼成が困
難になる。
いては、ガラス成分とセラミック成分との重量比が１
０：９０〜１００：０であることが望ましい。上述した
重量比よりもセラミック成分に対するガラス成分の量が
少なすぎると、銀の融点（９６２℃）以下での焼成が困
難になる。
【００３８】
【００３９】
【００４０】
【実施例】以下、本発明を具体的な実施例について説明
する。
する。
【００４１】まず、Ｒ2Ｏ（但し、Ｒは、Ｎａ又は
Ｋ）、Ｒ’Ｏ（但し、Ｒ’は、Ｍｇ又はＣａ）、Ａｌ2
Ｏ3、ＳｉＯ2、Ｂ2Ｏ3のうち、少なくともＳｉＯ2を含
む粉末を所定の比で混合し、白金るつぼ中で溶融、混合
した後、急冷して各種のガラスを得た。なお、得られた
各種のガラスは下記表1に示す組成のものである。その
後、得られた各種のガラスをボールミルにより平均粒径
１．２〜２．４μｍになるまで粉砕して、ガラスセラミ
ック絶縁材料用のガラス粉末を得た。
Ｋ）、Ｒ’Ｏ（但し、Ｒ’は、Ｍｇ又はＣａ）、Ａｌ2
Ｏ3、ＳｉＯ2、Ｂ2Ｏ3のうち、少なくともＳｉＯ2を含
む粉末を所定の比で混合し、白金るつぼ中で溶融、混合
した後、急冷して各種のガラスを得た。なお、得られた
各種のガラスは下記表1に示す組成のものである。その
後、得られた各種のガラスをボールミルにより平均粒径
１．２〜２．４μｍになるまで粉砕して、ガラスセラミ
ック絶縁材料用のガラス粉末を得た。
【００４２】
【表１】
【００４３】次いで、ガラスセラミック絶縁材料用のガ
ラス粉末に各種セラミック粉末を所定量混合し、さらに
所定量の各種金属粉末を加えて混合粉末を調製した。そ
して、得られた混合粉末１００重量部に対して、ブチラ
ール系バインダ８重量部、ジオクチルフタレート２重量
部、分散材１重量部、エタノール３０重量部、トルエン
３０重量部をそれぞれ添加し、ボールミルで２４時間混
合してガラスセラミック層用のスラリーを得た。さら
に、ガラスセラミック層用のスラリーを真空脱泡した
後、ドクターブレード法によって厚さ１００μｍのセラ
ミックグリーンシートを作製した。
ラス粉末に各種セラミック粉末を所定量混合し、さらに
所定量の各種金属粉末を加えて混合粉末を調製した。そ
して、得られた混合粉末１００重量部に対して、ブチラ
ール系バインダ８重量部、ジオクチルフタレート２重量
部、分散材１重量部、エタノール３０重量部、トルエン
３０重量部をそれぞれ添加し、ボールミルで２４時間混
合してガラスセラミック層用のスラリーを得た。さら
に、ガラスセラミック層用のスラリーを真空脱泡した
後、ドクターブレード法によって厚さ１００μｍのセラ
ミックグリーンシートを作製した。
【００４４】次いで、そのセラミックグリーンシート上
に銀を主成分とする導電性ペーストを所定の導体パター
ンに印刷したものを１０枚積層し、５００ｋｇｆｃ
ｍ-2、６０℃で熱圧着して積層体を得た。そして、この
積層体を４００℃で脱脂後、大気中、８６０℃、３０分
間焼成を行い、ガラスセラミック多層回路基板を得た。
なお、上述したガラス粉末の種類及び添加量、セラミッ
ク粉末の種類、並びに、金属粉末の種類及び添加量を下
記表２Ａ及び表２Ｂに示す。
に銀を主成分とする導電性ペーストを所定の導体パター
ンに印刷したものを１０枚積層し、５００ｋｇｆｃ
ｍ-2、６０℃で熱圧着して積層体を得た。そして、この
積層体を４００℃で脱脂後、大気中、８６０℃、３０分
間焼成を行い、ガラスセラミック多層回路基板を得た。
なお、上述したガラス粉末の種類及び添加量、セラミッ
ク粉末の種類、並びに、金属粉末の種類及び添加量を下
記表２Ａ及び表２Ｂに示す。
【００４５】
【表２Ａ】
【００４６】
【表２Ｂ】
【００４７】そして、得られたガラスセラミック多層回
路基板の断面を研磨し、光学顕微鏡による観察で変色の
確認を行い、また、ＷＤＸ（波長分散型Ｘ線分析法）に
基づいて、銀の拡散距離を測定した。さらに、併せて、
基板の密度及び抗折強度を測定した。変色の有無、銀の
拡散距離、基板の密度及び強度について、下記表３Ａ及
び表３Ｂにそれぞれの測定結果を示す。
路基板の断面を研磨し、光学顕微鏡による観察で変色の
確認を行い、また、ＷＤＸ（波長分散型Ｘ線分析法）に
基づいて、銀の拡散距離を測定した。さらに、併せて、
基板の密度及び抗折強度を測定した。変色の有無、銀の
拡散距離、基板の密度及び強度について、下記表３Ａ及
び表３Ｂにそれぞれの測定結果を示す。
【００４８】
【表３Ａ】
【００４９】
【表３Ｂ】
【００５０】例１〜例１４のガラスセラミック多層回路
基板では、ガラスセラミック絶縁材料中に、常温にて安
定若しくは準安定であって焼成時に酸化物となる金属が
含有されていないので、銀コロイドによる基板の変色が
生じていた。これは、導体パターン中の銀が拡散したこ
とによるものである。
基板では、ガラスセラミック絶縁材料中に、常温にて安
定若しくは準安定であって焼成時に酸化物となる金属が
含有されていないので、銀コロイドによる基板の変色が
生じていた。これは、導体パターン中の銀が拡散したこ
とによるものである。
【００５１】これに対して、例１５〜例５４のガラスセ
ラミック多層回路基板では、銀コロイドによる変色が生
じていない。これは、焼成時に、ガラスセラミック絶縁
材料中に含有した前記金属が銀の還元材として作用し、
従って、銀の酸化が抑制され、その拡散が抑えられて、
銀コロイドによる基板の変色が生じなかったものと思わ
れる。
ラミック多層回路基板では、銀コロイドによる変色が生
じていない。これは、焼成時に、ガラスセラミック絶縁
材料中に含有した前記金属が銀の還元材として作用し、
従って、銀の酸化が抑制され、その拡散が抑えられて、
銀コロイドによる基板の変色が生じなかったものと思わ
れる。
【００５２】また、例１５〜例２２から、焼成時に酸化
物となる金属の添加量は、ガラスセラミック絶縁材料に
対して３重量％以下であることが、基板の密度及び強度
に優れるので望ましいことが分かる。例えば、例２２の
ように前記金属の添加量が３重量％を上回ると、基板の
強度が低下する傾向にあった。これは、前記金属の酸化
膨張により基板の焼結性が低下したことによるものと思
われる。また、銀の酸化及び拡散を十分に抑制し、か
つ、基板の強度に優れることから、前記金属の添加量
は、０．０１重量％〜１．０重量％がより一層望ましい
ことが分かる。
物となる金属の添加量は、ガラスセラミック絶縁材料に
対して３重量％以下であることが、基板の密度及び強度
に優れるので望ましいことが分かる。例えば、例２２の
ように前記金属の添加量が３重量％を上回ると、基板の
強度が低下する傾向にあった。これは、前記金属の酸化
膨張により基板の焼結性が低下したことによるものと思
われる。また、銀の酸化及び拡散を十分に抑制し、か
つ、基板の強度に優れることから、前記金属の添加量
は、０．０１重量％〜１．０重量％がより一層望ましい
ことが分かる。
【００５３】また、例２３〜例４３のいずれも、銀の酸
化及び拡散を抑制して信頼性が高く、かつ、基板強度の
大きなガラスセラミック多層回路基板が得られている
が、基板強度と焼成温度とをバランスよく両立させるこ
とができることから、前記ガラス粉末の割合は１０重量
％以上が望ましいことが分かる。
化及び拡散を抑制して信頼性が高く、かつ、基板強度の
大きなガラスセラミック多層回路基板が得られている
が、基板強度と焼成温度とをバランスよく両立させるこ
とができることから、前記ガラス粉末の割合は１０重量
％以上が望ましいことが分かる。
【００５４】また、例４４〜例４７のように、常温にて
安定若しくは準安定であって焼成時に酸化物となる金属
粉末として、ニッケル粉末、亜鉛粉末、アルミニウム粉
末、ガリウム粉末を用いた場合も、銅粉末を用いた場合
と同様に、銀の拡散が抑えられ、かつ、基板強度に優れ
た信頼性の高いガラスセラミック多層回路基板が得られ
ることが分かる。
安定若しくは準安定であって焼成時に酸化物となる金属
粉末として、ニッケル粉末、亜鉛粉末、アルミニウム粉
末、ガリウム粉末を用いた場合も、銅粉末を用いた場合
と同様に、銀の拡散が抑えられ、かつ、基板強度に優れ
た信頼性の高いガラスセラミック多層回路基板が得られ
ることが分かる。
【００５５】また、例４８〜例５２のように、セラミッ
ク粉末として、シリカ粉末、ジルコニア粉末、フォルス
テライト粉末、アノーサイト粉末、又は、ウォラストナ
イト粉末を用いた場合も、アルミナ粉末を用いた場合と
同様に、銀の拡散が抑えられ、かつ、基板強度に優れた
信頼性の高いガラスセラミック多層回路基板が得られる
ことが分かる。
ク粉末として、シリカ粉末、ジルコニア粉末、フォルス
テライト粉末、アノーサイト粉末、又は、ウォラストナ
イト粉末を用いた場合も、アルミナ粉末を用いた場合と
同様に、銀の拡散が抑えられ、かつ、基板強度に優れた
信頼性の高いガラスセラミック多層回路基板が得られる
ことが分かる。
【００５６】また、例５３及び例５４のように、ガラス
粉末として、珪酸塩ガラス粉末やホウ珪酸塩ガラス粉末
を用いた場合も、ＣａＯ−ＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3−Ｂ2Ｏ3
系ガラス粉末を用いた場合と同様に、銀の拡散が抑えら
れ、かつ、基板強度に優れた信頼性の高いガラスセラミ
ック多層回路基板が得られることが分かる。
粉末として、珪酸塩ガラス粉末やホウ珪酸塩ガラス粉末
を用いた場合も、ＣａＯ−ＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3−Ｂ2Ｏ3
系ガラス粉末を用いた場合と同様に、銀の拡散が抑えら
れ、かつ、基板強度に優れた信頼性の高いガラスセラミ
ック多層回路基板が得られることが分かる。
【００５７】
【発明の効果】本発明のガラスセラミック基板の製造方
法によれば、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｔ等の銀系の
導体材料の酸化を抑制することができ、従って、その拡
散が抑えられることにより、配線間の短絡の危険性が少
なく、色むらが抑えられ、信頼性の高いガラスセラミッ
ク基板が得られる。
法によれば、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｔ等の銀系の
導体材料の酸化を抑制することができ、従って、その拡
散が抑えられることにより、配線間の短絡の危険性が少
なく、色むらが抑えられ、信頼性の高いガラスセラミッ
ク基板が得られる。
【図１】本発明のガラスセラミック基板の製造方法によ
り得られるガラスセラミック基板による実施の形態例の
概略断面図である。
り得られるガラスセラミック基板による実施の形態例の
概略断面図である。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平10−338546（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−92497（ＪＰ，Ａ)
特開 昭63−201036（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−112856（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−29350（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C04B 37/02 - 37/04
H05K 1/03 - 3/46
Claims (8)
- 【請求項１】 ガラスセラミック絶縁材料と銀系の導体
材料とを所定の焼成温度にて同時焼成することにより、
銀系の表層導体パターン及び／又は内層導体パターンを
備えるガラスセラミック基板を製造するガラスセラミッ
ク基板の製造方法において、 前記ガラスセラミック絶縁材料に、常温にて安定若しく
は準安定に存在し、前記焼成温度にて前記銀系の導体材
料よりも容易に酸化物を形成する金属を添加することを
特徴とする、ガラスセラミック基板の製造方法。 - 【請求項２】 ガラスセラミック絶縁層と銀系の導体層
とを複数層積み重ねてなり、銀系の表層導体パターン及
び／又は内層導体パターンを備えるガラスセラミック基
板の製造方法において、 銀系の導体材料を有機ビヒクルと共に混合、分散して、
銀系導体ペーストを作製する工程と、 ガラス成分、セラミック成分、および常温にて安定若し
くは準安定に存在し、７００℃〜９６０℃にて前記銀系
の導体材料よりも容易に酸化物を形成する金属を混合す
ることにより、ガラスセラミック絶縁材料を作製する工
程と、 前記ガラスセラミック絶縁材料を有機ビヒクルと共に混
合、分散してスラリーを作製し、前記スラリーをシート
状に成形してセラミックグリーンシートを作製する工程
と、 前記セラミックグリーンシート上に前記銀系導体ペース
トを印刷して、導体パターンを形成する工程と、 前記導体パターンが形成された前記セラミックグリーン
シートを積み重ね、７００℃〜９６０℃にて焼成する工
程と、 を備えることを特徴とするガラスセラミック基板の製造
方法。 - 【請求項３】 前記金属が、アルミニウム、ニッケル、
銅、亜鉛及びガリウムからなる群より選ばれる少なくと
も１種であることを特徴とする、請求項１または請求項
２に記載のガラスセラミック基板の製造方法。 - 【請求項４】 前記金属が銅であることを特徴とする、
請求項１または請求項２に記載のガラスセラミック基板
の製造方法。 - 【請求項５】 前記金属の添加量が、前記ガラスセラミ
ック絶縁材料に対して３重量％以下であることを特徴と
する、請求項１または請求項２に記載のガラスセラミッ
ク基板の製造方法。 - 【請求項６】 前記ガラスセラミック絶縁材料における
ガラス成分が、珪酸塩ガラス、ホウ珪酸塩ガラス及びＣ
ａＯ−ＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3−Ｂ2Ｏ3系ガラスからなる群
より選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする、
請求項１または請求項２に記載のガラスセラミック基板
の製造方法。 - 【請求項７】 前記ガラスセラミック絶縁材料における
セラミック成分が、アルミナ、シリカ、ジルコニア、フ
ォルステライト、アノーサイト、及びウォラストナイト
からなる群より選ばれる少なくとも１種であることを特
徴とする、請求項１または請求項２に記載のガラスセラ
ミック基板の製造方法。 - 【請求項８】 前記ガラスセラミック絶縁材料における
ガラス成分とセラミック成分との重量比が１０：９０〜
１００：０であることを特徴とする、請求項１または請
求項２に記載のガラスセラミック基板の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36701598A JP3528037B2 (ja) | 1998-12-24 | 1998-12-24 | ガラスセラミック基板の製造方法 |
| US09/443,230 US6414247B1 (en) | 1998-12-24 | 1999-11-18 | Glass ceramic board |
| DE19961537A DE19961537B4 (de) | 1998-12-24 | 1999-12-20 | Verfahren zur Herstellung einer Glaskeramiktafel |
| IT1999TO001144A IT1311273B1 (it) | 1998-12-24 | 1999-12-23 | Piatra di vetro ceramica. |
| CNB991274180A CN1181710C (zh) | 1998-12-24 | 1999-12-24 | 玻璃陶瓷板的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36701598A JP3528037B2 (ja) | 1998-12-24 | 1998-12-24 | ガラスセラミック基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000185978A JP2000185978A (ja) | 2000-07-04 |
| JP3528037B2 true JP3528037B2 (ja) | 2004-05-17 |
Family
ID=18488258
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP36701598A Expired - Lifetime JP3528037B2 (ja) | 1998-12-24 | 1998-12-24 | ガラスセラミック基板の製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JP3528037B2 (ja) |
| CN (1) | CN1181710C (ja) |
| DE (1) | DE19961537B4 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| KR20020091785A (ko) * | 2001-05-31 | 2002-12-06 | 니혼도꾸슈도교 가부시키가이샤 | 전자부품 및 이것을 사용한 이동체 통신장치 |
| US7439202B2 (en) | 2004-03-01 | 2008-10-21 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Glass ceramic composition, glass-ceramic sintered body, and monolithic ceramic electronic component |
| US7417001B2 (en) | 2004-03-01 | 2008-08-26 | Murata Manufacturing Co., Ltd | Glass ceramic composition, glass-ceramic sintered body, and monolithic ceramic electronic component |
| US7351674B2 (en) | 2004-03-01 | 2008-04-01 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Insulating ceramic composition, insulating ceramic sintered body, and mulitlayer ceramic electronic component |
| US7368408B2 (en) | 2004-03-01 | 2008-05-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Glass-ceramic composition, glass-ceramic sintered body, and monolithic ceramic electronic component |
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| KR100624943B1 (ko) * | 2004-10-28 | 2006-09-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 배터리 팩의 보호회로기판 |
| JP4701761B2 (ja) * | 2005-03-15 | 2011-06-15 | パナソニック株式会社 | セラミック多層基板およびそれを用いたパワーアンプモジュール |
| JP4843823B2 (ja) * | 2005-07-29 | 2011-12-21 | 田中貴金属工業株式会社 | 絶縁ペースト |
| JP3982563B2 (ja) * | 2005-08-29 | 2007-09-26 | 株式会社村田製作所 | セラミック電子部品及びその製造方法 |
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| US20080311360A1 (en) * | 2006-12-18 | 2008-12-18 | Koa Corporation | Thick film circuit component and method for manufacturing the same |
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| JP2011040604A (ja) * | 2009-08-12 | 2011-02-24 | Murata Mfg Co Ltd | 積層型セラミック電子部品およびその製造方法 |
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