JPH04329691A - 導体ぺーストおよび配線基板 - Google Patents
導体ぺーストおよび配線基板Info
- Publication number
- JPH04329691A JPH04329691A JP12845591A JP12845591A JPH04329691A JP H04329691 A JPH04329691 A JP H04329691A JP 12845591 A JP12845591 A JP 12845591A JP 12845591 A JP12845591 A JP 12845591A JP H04329691 A JPH04329691 A JP H04329691A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide
- conductor
- weight
- glass
- content
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 title claims abstract description 138
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 31
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 20
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 87
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 43
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 17
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims description 17
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910020617 PbO—B2O3—SiO2 Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract description 22
- 230000032683 aging Effects 0.000 abstract description 16
- 238000004898 kneading Methods 0.000 abstract description 3
- 238000009736 wetting Methods 0.000 abstract description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 18
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 18
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 16
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 13
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 7
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 6
- 229910016265 Bi2 O Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 4
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 3
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- 229910016264 Bi2 O3 Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 2
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018663 Mn O Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001260 Pt alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000287 alkaline earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010344 co-firing Methods 0.000 description 2
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 2
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 2
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 2
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Chemical compound O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910018404 Al2 O3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019830 Cr2 O3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017344 Fe2 O3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019639 Nb2 O5 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 1
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- FJWGYAHXMCUOOM-QHOUIDNNSA-N [(2s,3r,4s,5r,6r)-2-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-dinitrooxy-2-(nitrooxymethyl)-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-trinitrooxy-2-(nitrooxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-3-yl]oxy-3,5-dinitrooxy-6-(nitrooxymethyl)oxan-4-yl] nitrate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](O[N+]([O-])=O)[C@H]1O[N+]([O-])=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](O[N+]([O-])=O)[C@H](O[N+]([O-])=O)[C@@H](CO[N+]([O-])=O)O1)O[N+]([O-])=O)CO[N+](=O)[O-])[C@@H]1[C@@H](CO[N+]([O-])=O)O[C@@H](O[N+]([O-])=O)[C@H](O[N+]([O-])=O)[C@H]1O[N+]([O-])=O FJWGYAHXMCUOOM-QHOUIDNNSA-N 0.000 description 1
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 238000007718 adhesive strength test Methods 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002431 foraging effect Effects 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052845 zircon Inorganic materials 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路等の素
子を実装する配線基板に外部導体を形成するための導体
ペーストと、この導体ペーストによって外部導体を形成
した配線基板とに関する。
子を実装する配線基板に外部導体を形成するための導体
ペーストと、この導体ペーストによって外部導体を形成
した配線基板とに関する。
【0002】
【従来の技術】近年、基板材料と導体とを約1000℃
以下の低温で同時焼成して得られる配線基板の開発が進
められている。このような低温焼成配線基板の基板材料
は、アルミナーガラス複合体を主成分としたものである
。一方、導体材料は、従来のWやMoに代り、導通抵抗
が低いAg系の材料の使用が可能となっている。
以下の低温で同時焼成して得られる配線基板の開発が進
められている。このような低温焼成配線基板の基板材料
は、アルミナーガラス複合体を主成分としたものである
。一方、導体材料は、従来のWやMoに代り、導通抵抗
が低いAg系の材料の使用が可能となっている。
【0003】このような配線基板の内部導体としてはA
gが用いられているが、外部導体は実装部品と半田付け
されるので、外部導体には半田濡れ性が良好であること
が要求され、主にAg合金系材料が用いられている。
gが用いられているが、外部導体は実装部品と半田付け
されるので、外部導体には半田濡れ性が良好であること
が要求され、主にAg合金系材料が用いられている。
【0004】また、半田後の接着強度は、初期において
も経時後においても十分高いことが必要である。一般に
エージング劣化は、半田中のSnのAg中への拡散が原
因であるとされているが、長時間にわたり、高温にさら
されるような場合にも、十分な装着強度を示すエージン
グ特性に優れたものであることが必要とされる。
も経時後においても十分高いことが必要である。一般に
エージング劣化は、半田中のSnのAg中への拡散が原
因であるとされているが、長時間にわたり、高温にさら
されるような場合にも、十分な装着強度を示すエージン
グ特性に優れたものであることが必要とされる。
【0005】ところで、導体ペーストは一般に、Ag系
等の導体金属粉末とガラスフリットを含む無機結合剤と
をビヒクル中に分散して得られている。
等の導体金属粉末とガラスフリットを含む無機結合剤と
をビヒクル中に分散して得られている。
【0006】そこで、半田濡れ性と接着強度とを向上さ
せるために、外部導体用の導体組成物における無機結合
剤に対し種々の提案がなされている(特公昭62−32
562号、特開昭63−207001号、特開昭64−
86404号、特開平1−298090号等)。
せるために、外部導体用の導体組成物における無機結合
剤に対し種々の提案がなされている(特公昭62−32
562号、特開昭63−207001号、特開昭64−
86404号、特開平1−298090号等)。
【0007】ところで、このような配線基板は、通常、
基板材料のグリーンシートに内部導体パターンを形成後
、これを積層して焼成したのち、外部導体パターンを形
成して焼成し、さらに抵抗体パターンを形成して焼成し
て作製される。そして、抵抗体パターンは、導電体ない
し抵抗体粒子とガラスフリットを含む無機結合剤とをビ
ヒクル中に分散した抵抗体組成物を印刷して形成されて
いる。
基板材料のグリーンシートに内部導体パターンを形成後
、これを積層して焼成したのち、外部導体パターンを形
成して焼成し、さらに抵抗体パターンを形成して焼成し
て作製される。そして、抵抗体パターンは、導電体ない
し抵抗体粒子とガラスフリットを含む無機結合剤とをビ
ヒクル中に分散した抵抗体組成物を印刷して形成されて
いる。
【0008】このように、焼成後の外部導体パターンに
抵抗体パターンを印刷、焼成すると、導体中のガラスと
抵抗体中のガラスとが反応して、導体のガラスが押し出
されるブリードアウト現象が生じてしまい、抵抗体の電
気特性に悪影響を及ぼしてしまうという問題がある。特
に、配線パターンを微細にし、かつ膜厚を薄くした高密
度配線基板では、このブリードアウト現象によりショー
トが生じやすい。
抵抗体パターンを印刷、焼成すると、導体中のガラスと
抵抗体中のガラスとが反応して、導体のガラスが押し出
されるブリードアウト現象が生じてしまい、抵抗体の電
気特性に悪影響を及ぼしてしまうという問題がある。特
に、配線パターンを微細にし、かつ膜厚を薄くした高密
度配線基板では、このブリードアウト現象によりショー
トが生じやすい。
【0009】さらには、ブリードアウトにより導体内の
ガラスの組成ずれが生じ、導体の接着強度が低下する。 また、エージングないし負荷エージングにより、導体の
接着強度が低下し、使用中に接点不良等を起こす危険性
があり、信頼性が低下する。
ガラスの組成ずれが生じ、導体の接着強度が低下する。 また、エージングないし負荷エージングにより、導体の
接着強度が低下し、使用中に接点不良等を起こす危険性
があり、信頼性が低下する。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、ブリ
ードアウト現象が防止され、接着強度、特にエージング
後の接着強度が高く、しかも半田濡れ性に優れる導体ペ
ーストと、このような導体ペーストを用いた配線基板と
を提供することにある。
ードアウト現象が防止され、接着強度、特にエージング
後の接着強度が高く、しかも半田濡れ性に優れる導体ペ
ーストと、このような導体ペーストを用いた配線基板と
を提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
(1)〜(11)の本発明により達成される。
(1)〜(11)の本発明により達成される。
【0012】(1) AgとPdおよび/またはPt
とを含有する導体と、Bi酸化物と、B酸化物と、Si
酸化物と、Pb酸化物と、Ti、Zr、V、Nb、Cr
、Mn、Fe、Co、Ni、CuおよびAlから選ばれ
る1種以上の金属酸化物とを含有し、前記B酸化物、S
i酸化物およびPb酸化物全体の前記導体に対する含有
量が体積比で0.5〜6%であり、前記金属酸化物の前
記導体に対する含有量が体積比で500ppm 〜8%
であり、実質的にZn酸化物を含有しないことを特徴と
する導体ペースト。
とを含有する導体と、Bi酸化物と、B酸化物と、Si
酸化物と、Pb酸化物と、Ti、Zr、V、Nb、Cr
、Mn、Fe、Co、Ni、CuおよびAlから選ばれ
る1種以上の金属酸化物とを含有し、前記B酸化物、S
i酸化物およびPb酸化物全体の前記導体に対する含有
量が体積比で0.5〜6%であり、前記金属酸化物の前
記導体に対する含有量が体積比で500ppm 〜8%
であり、実質的にZn酸化物を含有しないことを特徴と
する導体ペースト。
【0013】(2) 前記Bi酸化物の前記導体に対
する含有量が体積比で10〜30%である上記(1)に
記載の導体ペースト。
する含有量が体積比で10〜30%である上記(1)に
記載の導体ペースト。
【0014】(3) 前記Bi酸化物、B酸化物、S
i酸化物、Pb酸化物および金属酸化物の一部または全
部がガラスフリットとして含有される上記(1)または
(2)に記載の導体ペースト。
i酸化物、Pb酸化物および金属酸化物の一部または全
部がガラスフリットとして含有される上記(1)または
(2)に記載の導体ペースト。
【0015】(4) 前記Bi酸化物が酸化物粒子と
して含有される上記(1)ないし(3)のいずれかに記
載の導体ペースト。
して含有される上記(1)ないし(3)のいずれかに記
載の導体ペースト。
【0016】(5) 前記B酸化物、Si酸化物およ
びPb酸化物がPbO−B2 O3 −SiO2 系ガ
ラスのガラスフリットとして含有され、前記PbO−B
2 O3 −SiO2 系ガラスのガラスフリットの前
記導体に対する体積比が酸化物換算で0.5〜6%であ
る上記(1)ないし(4)のいずれかに記載の導体ペー
スト。
びPb酸化物がPbO−B2 O3 −SiO2 系ガ
ラスのガラスフリットとして含有され、前記PbO−B
2 O3 −SiO2 系ガラスのガラスフリットの前
記導体に対する体積比が酸化物換算で0.5〜6%であ
る上記(1)ないし(4)のいずれかに記載の導体ペー
スト。
【0017】(6) 前記B酸化物、Si酸化物およ
びPb酸化物と、前記金属酸化物の一部または全部とが
、PbO−B2 O3 −SiO2 −α系ガラスのガ
ラスフリットとして含有され、前記PbO−B2 O3
−SiO2 −α系ガラスのガラスフリットの前記導
体に対する体積比が酸化物換算で0.5〜6%であり、
前記αが、Ti、Zr、V、Nb、Cr、Mn、Fe、
Co、Ni、CuおよびAlから選ばれる1種以上の金
属酸化物である上記(1)ないし(4)のいずれかに記
載の導体ペースト。
びPb酸化物と、前記金属酸化物の一部または全部とが
、PbO−B2 O3 −SiO2 −α系ガラスのガ
ラスフリットとして含有され、前記PbO−B2 O3
−SiO2 −α系ガラスのガラスフリットの前記導
体に対する体積比が酸化物換算で0.5〜6%であり、
前記αが、Ti、Zr、V、Nb、Cr、Mn、Fe、
Co、Ni、CuおよびAlから選ばれる1種以上の金
属酸化物である上記(1)ないし(4)のいずれかに記
載の導体ペースト。
【0018】(7) 前記導体中のPdの含有量が5
〜30重量%である上記(1)ないし(6)のいずれか
に記載の導体ペースト。
〜30重量%である上記(1)ないし(6)のいずれか
に記載の導体ペースト。
【0019】(8) 前記導体中のPtの含有量が0
.5〜5重量%である上記(1)ないし(7)のいずれ
かに記載の導体ペースト。
.5〜5重量%である上記(1)ないし(7)のいずれ
かに記載の導体ペースト。
【0020】(9) 上記(1)ないし(8)のいず
れかに記載の導体ペーストを用いて外部導体を形成した
ことを特徴とする配線基板。
れかに記載の導体ペーストを用いて外部導体を形成した
ことを特徴とする配線基板。
【0021】(10) 前記外部導体は、アルカリ土
類金属を含むガラスと、Al2 O3 の骨材とを含有
する基板上に形成されている上記(9)に記載の配線基
板。
類金属を含むガラスと、Al2 O3 の骨材とを含有
する基板上に形成されている上記(9)に記載の配線基
板。
【0022】(11) 前記外部導体と接してガラス
を含有する抵抗体を有する上記(9)または(10)に
記載の配線基板。
を含有する抵抗体を有する上記(9)または(10)に
記載の配線基板。
【0023】
【作用】本発明の導体ペーストは、Bi酸化物と、B酸
化物と、Si酸化物と、Pb酸化物と、Ti、Zr、V
、Nb、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、CuおよびA
lから選ばれる1種以上の金属酸化物とをそれぞれ所定
量含有し、しかも、Zn酸化物を実質的に含有しない。
化物と、Si酸化物と、Pb酸化物と、Ti、Zr、V
、Nb、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、CuおよびA
lから選ばれる1種以上の金属酸化物とをそれぞれ所定
量含有し、しかも、Zn酸化物を実質的に含有しない。
【0024】このような導体ペーストは、基板中のアル
カリ土類金属酸化物、Al2 O3 、SiO2 、B
2 O3 等と反応し、基板と外部導体との界面近傍の
基板構成成分を結晶化させる。この結果、基板と外部導
体間に、例えばSrAl2 Si2 O8 等の結晶を
有する針状結晶物が形成され、基板と外部導体間の接着
強度、特にエージング後の接着強度が向上する。
カリ土類金属酸化物、Al2 O3 、SiO2 、B
2 O3 等と反応し、基板と外部導体との界面近傍の
基板構成成分を結晶化させる。この結果、基板と外部導
体間に、例えばSrAl2 Si2 O8 等の結晶を
有する針状結晶物が形成され、基板と外部導体間の接着
強度、特にエージング後の接着強度が向上する。
【0025】また、本発明の導体ペーストは、所定の金
属酸化物を所定量含むことにより、針状結晶物の析出を
促進するため、外部導体中のガラスのブリードアウト現
象の発生が防止される。また、外部導体のパターンを例
えば200μm以下の細線パターンとしてその膜厚も薄
くした高密度配線基板においてもショートの発生を有効
に防止できる。
属酸化物を所定量含むことにより、針状結晶物の析出を
促進するため、外部導体中のガラスのブリードアウト現
象の発生が防止される。また、外部導体のパターンを例
えば200μm以下の細線パターンとしてその膜厚も薄
くした高密度配線基板においてもショートの発生を有効
に防止できる。
【0026】また、本発明の導体ペーストは、ガラスフ
リット等の無機結合剤が基板成分と過不足なく反応する
ため、外部導体表面の無機結合剤の浮きが無くなり、半
田濡れ性が向上する。
リット等の無機結合剤が基板成分と過不足なく反応する
ため、外部導体表面の無機結合剤の浮きが無くなり、半
田濡れ性が向上する。
【0027】
【具体的構成】以下、本発明の具体的構成について詳細
に説明する。
に説明する。
【0028】本発明の導体ペーストは、導体の基本組成
となるAgとPdおよび/またはPtと、無機結合剤と
、ビヒクルとを含有する。すなわち、導体として、Ag
−Pd、Ag−Pt、Ag−Pd−Ptのいずれかの合
金を含有する。
となるAgとPdおよび/またはPtと、無機結合剤と
、ビヒクルとを含有する。すなわち、導体として、Ag
−Pd、Ag−Pt、Ag−Pd−Ptのいずれかの合
金を含有する。
【0029】このように、Ag合金を用いることによっ
て、Ag単独とするよりも、Pdの場合、耐マイグレー
ション性、耐半田喰われ性が向上する効果が得られ、P
tの場合は、少量の添加より半田濡れ性が向上する効果
が得られる。
て、Ag単独とするよりも、Pdの場合、耐マイグレー
ション性、耐半田喰われ性が向上する効果が得られ、P
tの場合は、少量の添加より半田濡れ性が向上する効果
が得られる。
【0030】このようなAg合金におけるAg、Pd、
Ptの割合は、目的に応じて適宜決定されるが、Ag−
Pd合金では、Pdの含有率を5〜30重量%とするこ
とが好ましい。Pd含有率が5重量%未満であると、P
d添加の効果が得られず、また30重量%を超えると導
体の導電性が悪くなるからである。
Ptの割合は、目的に応じて適宜決定されるが、Ag−
Pd合金では、Pdの含有率を5〜30重量%とするこ
とが好ましい。Pd含有率が5重量%未満であると、P
d添加の効果が得られず、また30重量%を超えると導
体の導電性が悪くなるからである。
【0031】また、Ag−Pt合金では、Ptの含有率
を0.5〜5重量%とすることが好ましい。Pt含有率
が0.5重量%未満であると、Pt添加の効果が得られ
ず、また5重量%を超えると導体の導電性が悪くなるか
らである。
を0.5〜5重量%とすることが好ましい。Pt含有率
が0.5重量%未満であると、Pt添加の効果が得られ
ず、また5重量%を超えると導体の導電性が悪くなるか
らである。
【0032】また、Ag−Pd−Pt合金では、Pdの
含有率を5〜30重量%とし、Ptの含有率を0.5〜
5重量%とすることが好ましい。このような含有率とす
ることによってPd、Pt添加の効果を得ることができ
、導体の導電性も十分とすることができる。
含有率を5〜30重量%とし、Ptの含有率を0.5〜
5重量%とすることが好ましい。このような含有率とす
ることによってPd、Pt添加の効果を得ることができ
、導体の導電性も十分とすることができる。
【0033】本発明の導体ペーストは、ペーストないし
スラリー状であり、このような状態ではAgとPdおよ
び/またはPtとが別個に存在していてもよい。この場
合、後の焼成によりAg合金となる。
スラリー状であり、このような状態ではAgとPdおよ
び/またはPtとが別個に存在していてもよい。この場
合、後の焼成によりAg合金となる。
【0034】このようなAg合金、あるいは、上記のよ
うにAg合金となる金属は、通常、ペースト中に粒子と
して存在する。
うにAg合金となる金属は、通常、ペースト中に粒子と
して存在する。
【0035】Ag合金粒子の平均粒径は、0.01〜1
0μm 程度とするのが好ましい。その理由は、平均粒
径が0.01μm 未満であると導体の収縮率が大きく
なりすぎ、また10μm を超えると導体ペーストの印
刷性、分散性が悪くなるからである。
0μm 程度とするのが好ましい。その理由は、平均粒
径が0.01μm 未満であると導体の収縮率が大きく
なりすぎ、また10μm を超えると導体ペーストの印
刷性、分散性が悪くなるからである。
【0036】また、Ag合金となる金属の粒子では、A
g粒子、Pd粒子、Pt粒子ともに、平均粒径は0.0
1〜10μm 程度とするのが好ましい。その理由は、
平均粒径が0.01μm 未満であると上記Ag合金粒
子の場合と同様、収縮率の点で不十分となり、また10
μm を超えるとPdの添加による耐マイグレーション
性の改善効果等が小さくなるからである。
g粒子、Pd粒子、Pt粒子ともに、平均粒径は0.0
1〜10μm 程度とするのが好ましい。その理由は、
平均粒径が0.01μm 未満であると上記Ag合金粒
子の場合と同様、収縮率の点で不十分となり、また10
μm を超えるとPdの添加による耐マイグレーション
性の改善効果等が小さくなるからである。
【0037】本発明の導体ペーストの無機結合剤には、
Bi酸化物と、B酸化物と、Si酸化物と、Pb酸化物
と、Ti、Zr、V、Nb、Cr、Mn、Fe、Co、
Ni、CuおよびAlから選ばれる1種以上の金属酸化
物とが含まれ、これらは、ガラスフリットおよび/また
は酸化物粒子として含有される。
Bi酸化物と、B酸化物と、Si酸化物と、Pb酸化物
と、Ti、Zr、V、Nb、Cr、Mn、Fe、Co、
Ni、CuおよびAlから選ばれる1種以上の金属酸化
物とが含まれ、これらは、ガラスフリットおよび/また
は酸化物粒子として含有される。
【0038】この場合、Zn酸化物は、ガラスフリット
としても酸化物粒子としても実質的に含有されない。Z
n酸化物が含まれていると針状結晶物の析出が妨げられ
、接着強度、特にエージング後の接着強度が低下し、し
かも半田濡れ性が悪くなり、さらには半田喰われが生じ
る。
としても酸化物粒子としても実質的に含有されない。Z
n酸化物が含まれていると針状結晶物の析出が妨げられ
、接着強度、特にエージング後の接着強度が低下し、し
かも半田濡れ性が悪くなり、さらには半田喰われが生じ
る。
【0039】なお、実質的に含有しないとは、全く含有
しない場合のほか、不可避的不純物等として入ってくる
場合を含むものとする。
しない場合のほか、不可避的不純物等として入ってくる
場合を含むものとする。
【0040】導体ペーストの無機結合剤中の酸化物全体
(ガラスフリット+酸化物粒子)に対するガラスフリッ
トの体積比は酸化物換算で5〜25%、特に10〜20
%が好ましい。前記範囲未満では外部導体の接着強度、
特にエージング後の接着強度が低下し、前記範囲を超え
るとブリードアウト現象が生じ、また半田濡れ性が悪く
なる。
(ガラスフリット+酸化物粒子)に対するガラスフリッ
トの体積比は酸化物換算で5〜25%、特に10〜20
%が好ましい。前記範囲未満では外部導体の接着強度、
特にエージング後の接着強度が低下し、前記範囲を超え
るとブリードアウト現象が生じ、また半田濡れ性が悪く
なる。
【0041】前記酸化物が酸化物粒子として含有される
場合、Bi酸化物としてはBi2 O3 、B酸化物と
してはB2 O3 、Si酸化物としてはSiO2 、
Pb酸化物としてはPbO、Ti酸化物としてはTiO
2 、Zr酸化物としてはZrO2 、V酸化物として
はV2 O3 、V2 O5 、Nb酸化物としてはN
b2 O3 、Nb2 O5、Cr酸化物としてはCr
O、Cr2 O3 、Mn酸化物としてはMnO、Mn
O2 、Fe酸化物としてはFe2 O3 、Co酸化
物としてはCoO、Ni酸化物としてはNiO、Cu酸
化物としてはCuO、Al酸化物としてはAl2 O3
がそれぞれ好ましい。
場合、Bi酸化物としてはBi2 O3 、B酸化物と
してはB2 O3 、Si酸化物としてはSiO2 、
Pb酸化物としてはPbO、Ti酸化物としてはTiO
2 、Zr酸化物としてはZrO2 、V酸化物として
はV2 O3 、V2 O5 、Nb酸化物としてはN
b2 O3 、Nb2 O5、Cr酸化物としてはCr
O、Cr2 O3 、Mn酸化物としてはMnO、Mn
O2 、Fe酸化物としてはFe2 O3 、Co酸化
物としてはCoO、Ni酸化物としてはNiO、Cu酸
化物としてはCuO、Al酸化物としてはAl2 O3
がそれぞれ好ましい。
【0042】また、酸化物粒子の平均粒径は0.1〜1
0μm 程度が好ましい。前記範囲未満では、粉砕時の
不純物の混入が著しくなり、前記範囲を超えると印刷性
が悪化する傾向にある。
0μm 程度が好ましい。前記範囲未満では、粉砕時の
不純物の混入が著しくなり、前記範囲を超えると印刷性
が悪化する傾向にある。
【0043】また、前記酸化物がガラスフリットとして
含有される場合、ガラスフリットの平均粒径は0.1〜
10μm 程度が好ましい。前記範囲未満では粉砕時の
不純物混入が著しくなり、前記範囲を超えると印刷性が
悪くなる傾向にある。
含有される場合、ガラスフリットの平均粒径は0.1〜
10μm 程度が好ましい。前記範囲未満では粉砕時の
不純物混入が著しくなり、前記範囲を超えると印刷性が
悪くなる傾向にある。
【0044】Bi酸化物の前記導体に対する含有量は体
積比で10〜30%、特に15〜25%が好ましい。
積比で10〜30%、特に15〜25%が好ましい。
【0045】前記範囲未満では、外部導体と接している
基板の表層部の結晶化が十分でなく、外部導体の接着強
度、特にエージング後の接着強度が不十分である。前記
範囲を超えると、ブリードアウト現象が発生し、また半
田濡れ性が悪くなる。
基板の表層部の結晶化が十分でなく、外部導体の接着強
度、特にエージング後の接着強度が不十分である。前記
範囲を超えると、ブリードアウト現象が発生し、また半
田濡れ性が悪くなる。
【0046】Bi酸化物は酸化物粒子として含有される
ことが好ましい。
ことが好ましい。
【0047】Ti、Zr、V、Nb、Cr、Mn、Fe
、Co、Ni、CuおよびAlから選らればれる1種以
上の金属酸化物の前記導体に対する含有量は体積比で5
00ppm 〜8%、好ましくは900ppm 〜8%
、特に好ましくは1000ppm 〜6%である。
、Co、Ni、CuおよびAlから選らればれる1種以
上の金属酸化物の前記導体に対する含有量は体積比で5
00ppm 〜8%、好ましくは900ppm 〜8%
、特に好ましくは1000ppm 〜6%である。
【0048】このような金属酸化物を添加することによ
り、外部導体の接着強度、特にエージング後の接着強度
が向上し、しかもブリードアウト現象を防止できる。こ
の場合、含有量が前記範囲未満では、前記の添加による
効果が得られず、前記範囲を超えるとエージンブ後の接
着強度が低下し、また半田濡れ性が悪くなる。
り、外部導体の接着強度、特にエージング後の接着強度
が向上し、しかもブリードアウト現象を防止できる。こ
の場合、含有量が前記範囲未満では、前記の添加による
効果が得られず、前記範囲を超えるとエージンブ後の接
着強度が低下し、また半田濡れ性が悪くなる。
【0049】なお、前記金属酸化物の中ではMn酸化物
および/またはAl酸化物が好適であり、Mn酸化物は
ガラスフリットとして含有されることが好ましい。
および/またはAl酸化物が好適であり、Mn酸化物は
ガラスフリットとして含有されることが好ましい。
【0050】B酸化物、Si酸化物およびPb酸化物全
体の前記導体に対する含有量は体積比で0.5〜6%、
好ましくは1〜5%である。
体の前記導体に対する含有量は体積比で0.5〜6%、
好ましくは1〜5%である。
【0051】含有量が前記範囲未満では外部導体と接し
ている基板の表層部の結晶化が十分でなく、外部導体の
接着強度、特にエージング後の接着強度が不十分である
。前記範囲を超えると、ブリードアウト現象が発生し、
また半田濡れ性が悪くなる。
ている基板の表層部の結晶化が十分でなく、外部導体の
接着強度、特にエージング後の接着強度が不十分である
。前記範囲を超えると、ブリードアウト現象が発生し、
また半田濡れ性が悪くなる。
【0052】この場合、B酸化物の導体に対する含有量
は体積比で0.2〜2.5%、特に0.4〜2.0%が
好ましい。前記範囲未満では結晶化が不十分であり、前
記範囲を超えるとブリードアウト現象を助長する。
は体積比で0.2〜2.5%、特に0.4〜2.0%が
好ましい。前記範囲未満では結晶化が不十分であり、前
記範囲を超えるとブリードアウト現象を助長する。
【0053】また、Si酸化物の導体に対する含有量は
体積比で0.1〜1.5%、特に0.3〜1.5%が好
ましい。前記範囲未満では、結晶化が不十分であり、前
記範囲を超えるとブリードアウト現象を助長する。
体積比で0.1〜1.5%、特に0.3〜1.5%が好
ましい。前記範囲未満では、結晶化が不十分であり、前
記範囲を超えるとブリードアウト現象を助長する。
【0054】また、Pb酸化物の導体に対する含有量は
体積比で0.2〜2.0%、特に0.3〜1.5%が好
ましい。前記範囲未満では、基板内への十分な拡散が得
られず、高い強度が得られない。前記範囲を超えると、
ブリードアウト現象を助長する。
体積比で0.2〜2.0%、特に0.3〜1.5%が好
ましい。前記範囲未満では、基板内への十分な拡散が得
られず、高い強度が得られない。前記範囲を超えると、
ブリードアウト現象を助長する。
【0055】B酸化物、Si酸化物およびPb酸化物は
、通常、PbO−B2 O3 −SiO2 系ガラスの
ガラスフリットとして含有される。
、通常、PbO−B2 O3 −SiO2 系ガラスの
ガラスフリットとして含有される。
【0056】この場合、PbO−B2 O3 −SiO
2 系ガラスのガラスフリットの前記導体に対する体積
比は酸化物換算で0.5〜6%、特に1〜5%が好まし
い。
2 系ガラスのガラスフリットの前記導体に対する体積
比は酸化物換算で0.5〜6%、特に1〜5%が好まし
い。
【0057】また、ガラスはブリードアウト現象の防止
効果が高い等の点で軟化点が450℃以上、特に500
℃以上、例えば450〜600℃程度のものが好ましく
、主成分となる酸化物の割合は下記のものが好ましい。
効果が高い等の点で軟化点が450℃以上、特に500
℃以上、例えば450〜600℃程度のものが好ましく
、主成分となる酸化物の割合は下記のものが好ましい。
【0058】PbO:50〜70重量%、特に、55〜
65重量% B2 O3 :15〜28%重量%、特に、18〜25
重量% SiO2 :9〜16重量%、特に、11〜15重量%
65重量% B2 O3 :15〜28%重量%、特に、18〜25
重量% SiO2 :9〜16重量%、特に、11〜15重量%
【0059】また、前記金属酸化物がガラスフリットし
て含有される場合、通常PbO−B2 O3 −SiO
2 −α系ガラスのガラスフリットとして含有される。 この場合αは、Ti、Zr、V、Nb、Cr、Mn、F
e、Co、Ni、CuおよびAlから選ばれる1種以上
の金属酸化物である。
て含有される場合、通常PbO−B2 O3 −SiO
2 −α系ガラスのガラスフリットとして含有される。 この場合αは、Ti、Zr、V、Nb、Cr、Mn、F
e、Co、Ni、CuおよびAlから選ばれる1種以上
の金属酸化物である。
【0060】PbO−B2 O3 −SiO2 −α系
ガラスのガラスフリットの前記導体に対する体積比は酸
化物換算で0.5〜6%、特に1〜5%が好ましい。
ガラスのガラスフリットの前記導体に対する体積比は酸
化物換算で0.5〜6%、特に1〜5%が好ましい。
【0061】また、ガラスはブリードアウト現象の防止
効果が高い等の点で、軟化点が500℃以上、例えば5
00〜600℃程度のものが好ましく、主成分となる酸
化物の割合は下記のものが好ましい。
効果が高い等の点で、軟化点が500℃以上、例えば5
00〜600℃程度のものが好ましく、主成分となる酸
化物の割合は下記のものが好ましい。
【0062】PbO:50〜70重量%、特に、55〜
65重量% B2 O3 :15〜28%重量%、特に、18〜25
重量% SiO2 :9〜16重量%、特に、11〜15重量%
α:0.1〜20重量%、特に4〜15重量%
65重量% B2 O3 :15〜28%重量%、特に、18〜25
重量% SiO2 :9〜16重量%、特に、11〜15重量%
α:0.1〜20重量%、特に4〜15重量%
【006
3】本発明に用いるビヒクルとしては、エチルセルロー
ス、ニトロセルロース、アクリル系樹脂等のバインダー
、テルピネオール、ブチルカルビトール等の溶剤、その
他分散剤、活性剤等が挙げられ、これらのうち任意のも
のが目的に応じて適宜添加される。なお、一般に、ペー
スト中の上記ビヒクルの含有率は、10〜70重量%程
度である。
3】本発明に用いるビヒクルとしては、エチルセルロー
ス、ニトロセルロース、アクリル系樹脂等のバインダー
、テルピネオール、ブチルカルビトール等の溶剤、その
他分散剤、活性剤等が挙げられ、これらのうち任意のも
のが目的に応じて適宜添加される。なお、一般に、ペー
スト中の上記ビヒクルの含有率は、10〜70重量%程
度である。
【0064】本発明の導体ペーストは、前記Ag合金粒
あるいはAg粒とPd粒および/またはPt粒の金属粒
と、前記の無機結合剤とを混合し、これにバインダー、
溶剤等のビヒクルを加え、これらを混練してスラリー化
することにより得ることができる。ここで、ペースト組
成物の粘度は、3万〜30万cps 程度に調製してお
くのがよい。
あるいはAg粒とPd粒および/またはPt粒の金属粒
と、前記の無機結合剤とを混合し、これにバインダー、
溶剤等のビヒクルを加え、これらを混練してスラリー化
することにより得ることができる。ここで、ペースト組
成物の粘度は、3万〜30万cps 程度に調製してお
くのがよい。
【0065】本発明の導体ペーストは、基板上に所定の
パターンに印刷されて焼成するなどして使用される。
パターンに印刷されて焼成するなどして使用される。
【0066】このように、本発明の導体組成物を用いて
外部導体とした多層配線基板の一構成例が図1に示され
ている。図1は、多層配線基板の部分断面図である。
外部導体とした多層配線基板の一構成例が図1に示され
ている。図1は、多層配線基板の部分断面図である。
【0067】同図に示すように、多層配線基板1は、複
数の層を積層し、焼成により一体化した絶縁体の基板4
を有し、この基板4の内部には、所定パターンの内部導
体2が形成され、この内部導体2が基板4の表面に露出
した部分に外部導体3が形成されている。
数の層を積層し、焼成により一体化した絶縁体の基板4
を有し、この基板4の内部には、所定パターンの内部導
体2が形成され、この内部導体2が基板4の表面に露出
した部分に外部導体3が形成されている。
【0068】基板4の構成材料としては、内部導体2等
とともに同時焼成可能なものとして、アルミナ−ホウケ
イ酸ガラス、アルミナ−鉛ホウケイ酸ガラス、アルミナ
−ホウケイ酸バリウムガラス、アルミナ−ホウケイ酸カ
ルシウムガラス、アルミナ−ホウケイ酸ストロンチウム
ガラス、アルミナ−ホウケイ酸マグネシウムガラス等の
酸化物骨材とガラスとを含む低温焼結材料が好ましい。
とともに同時焼成可能なものとして、アルミナ−ホウケ
イ酸ガラス、アルミナ−鉛ホウケイ酸ガラス、アルミナ
−ホウケイ酸バリウムガラス、アルミナ−ホウケイ酸カ
ルシウムガラス、アルミナ−ホウケイ酸ストロンチウム
ガラス、アルミナ−ホウケイ酸マグネシウムガラス等の
酸化物骨材とガラスとを含む低温焼結材料が好ましい。
【0069】そして特に主成分となる酸化物の割合が下
記のとおりのガラスを含むものが好ましい。
記のとおりのガラスを含むものが好ましい。
【0070】SiO2 :46〜65重量%B2 O3
:0.5〜8%重量% アルカリ土類金属酸化物、特にMgO、CaO、SrO
およびBaOの1種以上:25〜45重量%
:0.5〜8%重量% アルカリ土類金属酸化物、特にMgO、CaO、SrO
およびBaOの1種以上:25〜45重量%
【0071
】このような基板材料において、ガラスの含有率は50
〜70重量%程度が好ましい。
】このような基板材料において、ガラスの含有率は50
〜70重量%程度が好ましい。
【0072】内部導体2は、通常多層配線され、基板4
の厚さ方向に形成されたスルーホール5を介して互いに
導通されている。
の厚さ方向に形成されたスルーホール5を介して互いに
導通されている。
【0073】外部導体3は、基板4の表面に形成され、
チップインダクタ、チップコンデンサ等のチップ部品や
半導体集積回路素子、ダイオード等の素子等の表面実装
部品7を半田6により半田付けするためのパッドとして
用いられ、あるいは抵抗体8への導通用として用いられ
る。なお、表面を覆うように絶縁被覆層が形成されてい
てもよい。
チップインダクタ、チップコンデンサ等のチップ部品や
半導体集積回路素子、ダイオード等の素子等の表面実装
部品7を半田6により半田付けするためのパッドとして
用いられ、あるいは抵抗体8への導通用として用いられ
る。なお、表面を覆うように絶縁被覆層が形成されてい
てもよい。
【0074】本発明の導体ペーストは、上記外部導体3
を形成するのに適用される。
を形成するのに適用される。
【0075】なお、内部導体2は、導電性が良いことを
優先させる点でAgを主体とする導体、特にAgとする
のが好ましい。内部導体用ペーストは、導体と、導体に
対し、5〜10重量%程度のガラスフリットとを含有す
る。
優先させる点でAgを主体とする導体、特にAgとする
のが好ましい。内部導体用ペーストは、導体と、導体に
対し、5〜10重量%程度のガラスフリットとを含有す
る。
【0076】また、内部導体2の膜厚は、通常5〜20
μm 程度、外部導体3の膜厚は、通常5〜20μm
程度とされる。そして、内部導体および外部導体の導通
抵抗は、その組成にもよるが、一般的に、前者は2〜1
0mΩ/□、後者は、10〜30mΩ/□程度とするの
がよい。
μm 程度、外部導体3の膜厚は、通常5〜20μm
程度とされる。そして、内部導体および外部導体の導通
抵抗は、その組成にもよるが、一般的に、前者は2〜1
0mΩ/□、後者は、10〜30mΩ/□程度とするの
がよい。
【0077】さらに、抵抗体8は、酸化ルテニウム、鉛
ルテニウムパイロクロア等の抵抗体とガラスフリットと
を含有する。抵抗体粒子の粒径は、0.05〜0.5μ
m 程度とし、この抵抗体8に対し、ガラスフリットの
含有量は35〜95重量%程度である。
ルテニウムパイロクロア等の抵抗体とガラスフリットと
を含有する。抵抗体粒子の粒径は、0.05〜0.5μ
m 程度とし、この抵抗体8に対し、ガラスフリットの
含有量は35〜95重量%程度である。
【0078】ガラスフリットは、一般にPbO45〜6
0重量%、B2 O3 10〜20重量%、SiO2
20〜30重量%、ZnO0〜8重量%程度、軟化点4
50〜600℃程度とし、ガラスフリット中、非晶質ガ
ラスが90重量%以上含有される。そして、このような
抵抗体中のガラスフリットに対し、本発明に従い、ブリ
ードアウト現象が良好に防止されるものである。
0重量%、B2 O3 10〜20重量%、SiO2
20〜30重量%、ZnO0〜8重量%程度、軟化点4
50〜600℃程度とし、ガラスフリット中、非晶質ガ
ラスが90重量%以上含有される。そして、このような
抵抗体中のガラスフリットに対し、本発明に従い、ブリ
ードアウト現象が良好に防止されるものである。
【0079】このような多層配線基板は、例えば以下の
ようにして製造する。
ようにして製造する。
【0080】まず、基板材料となるグリーンシートを作
製する。
製する。
【0081】このグリーンシートは、基板の原材料であ
るアルミナ粉末等の骨材とガラス粉末(例えば、ホウケ
イ酸ガラス)とを所定量混合し、これにバインダー樹脂
、溶剤等を加え、これらを混練してスラリー化し、例え
ばドクターブレード法により0.1〜0.3mm程度の
厚さのグリーンシートを所定枚数作製する。
るアルミナ粉末等の骨材とガラス粉末(例えば、ホウケ
イ酸ガラス)とを所定量混合し、これにバインダー樹脂
、溶剤等を加え、これらを混練してスラリー化し、例え
ばドクターブレード法により0.1〜0.3mm程度の
厚さのグリーンシートを所定枚数作製する。
【0082】次いで、グリーンシートにパンチングマシ
ーンや金型プレスを用いてスルーホール5を形成し、そ
の後、内部導体用ペーストを各グリーンシート上に例え
ばスクリーン印刷法により印刷し、所定パターンの内部
導体を形成するとともにスルーホール5内に充填する。
ーンや金型プレスを用いてスルーホール5を形成し、そ
の後、内部導体用ペーストを各グリーンシート上に例え
ばスクリーン印刷法により印刷し、所定パターンの内部
導体を形成するとともにスルーホール5内に充填する。
【0083】次いで、各グリーンシートを重ね合せ、熱
プレス(約40〜120℃、50〜1000Kgf/c
m2)を加えてグリーンシートの積層体とし、必要に応
じて脱バインダー処理、切断用溝の形成等を行なう。
プレス(約40〜120℃、50〜1000Kgf/c
m2)を加えてグリーンシートの積層体とし、必要に応
じて脱バインダー処理、切断用溝の形成等を行なう。
【0084】その後、グリーンシートの積層体を通常空
気中で800〜1000℃程度の温度で焼成、一体化し
、基板4に内部導体が形成された多層配線基板を得る。
気中で800〜1000℃程度の温度で焼成、一体化し
、基板4に内部導体が形成された多層配線基板を得る。
【0085】そして、外部導体用ペーストをスクリーン
印刷法等により印刷し、焼成して外部導体3を形成する
。さらに、抵抗体材料ペーストを印刷して焼成し、抵抗
体8を形成する。なお、これら外部導体3や抵抗体8は
基板4と一体同時焼成して形成してもよい。ただし、基
板を焼成後、基板上に印刷、焼成するときには、接着強
度が低いものとなるが、本発明の適用により接着強度は
きわめて高いものとなる。
印刷法等により印刷し、焼成して外部導体3を形成する
。さらに、抵抗体材料ペーストを印刷して焼成し、抵抗
体8を形成する。なお、これら外部導体3や抵抗体8は
基板4と一体同時焼成して形成してもよい。ただし、基
板を焼成後、基板上に印刷、焼成するときには、接着強
度が低いものとなるが、本発明の適用により接着強度は
きわめて高いものとなる。
【0086】その後、所定の表面実装部品7を外部導体
3に半田付けし、必要に応じ、絶縁被覆層を形成して図
1に示す多層配線基板1が得られる。
3に半田付けし、必要に応じ、絶縁被覆層を形成して図
1に示す多層配線基板1が得られる。
【0087】なお、基板も上記グリーンシート法に代り
印刷法により作製してもよい。
印刷法により作製してもよい。
【0088】以上では、本発明を多層配線基板に適用し
た場合の例を説明したが、本発明は、これに限らず、同
時焼成配線基板のような単層の基板等にも適用すること
ができる。
た場合の例を説明したが、本発明は、これに限らず、同
時焼成配線基板のような単層の基板等にも適用すること
ができる。
【0089】
【実施例】以下、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明
をさらに詳細に説明する。
をさらに詳細に説明する。
【0090】(1)導体ペーストの作製平均粒径10μ
m のAg:86重量部と、平均粒径1μm のPd:
14重量部と、ビヒクルとしてエチルセルロース系樹脂
および高沸点溶剤(テルピネオール):20〜40重量
部と、前記AgおよびPdに対し体積比で下記の配合比
の組成物とを混練して導体ペーストNo.1〜4を得た
。
m のAg:86重量部と、平均粒径1μm のPd:
14重量部と、ビヒクルとしてエチルセルロース系樹脂
および高沸点溶剤(テルピネオール):20〜40重量
部と、前記AgおよびPdに対し体積比で下記の配合比
の組成物とを混練して導体ペーストNo.1〜4を得た
。
【0091】導体ペーストNo.1(本発明)Bi2
O3 (平均粒径3μm ):20体積%Al2 O3
(平均粒径3μm ):4体積%ガラスフリット(平
均粒径8μm ):3体積%ガラスフリットの軟化点は
530℃であり、ガラス組成は、PbO:60重量%、
B2 O3 :20重量%、SiO2 12重量%、M
nO:8重量%とした。
O3 (平均粒径3μm ):20体積%Al2 O3
(平均粒径3μm ):4体積%ガラスフリット(平
均粒径8μm ):3体積%ガラスフリットの軟化点は
530℃であり、ガラス組成は、PbO:60重量%、
B2 O3 :20重量%、SiO2 12重量%、M
nO:8重量%とした。
【0092】導体ペーストNo.2(比較)Bi2 O
3 (平均粒径3μm ):16体積%Al2 O3
(平均粒径3μm ):1体積%ガラスフリット(平均
粒径8μm ):19体積%ガラスフリットの軟化点は
530℃であり、ガラス組成は、PbO:60重量%、
B2 O3 :20重量%、SiO2 12重量%、M
nO:8重量%とした。
3 (平均粒径3μm ):16体積%Al2 O3
(平均粒径3μm ):1体積%ガラスフリット(平均
粒径8μm ):19体積%ガラスフリットの軟化点は
530℃であり、ガラス組成は、PbO:60重量%、
B2 O3 :20重量%、SiO2 12重量%、M
nO:8重量%とした。
【0093】導体ペーストNo.3(比較)Bi2 O
3 (平均粒径3μm ):20体積%ガラスフリット
(平均粒径8μm ):3体積%ガラスフリットの軟化
点は460℃であり、ガラス組成は、PbO:65重量
%、B2 O3 :22重量%、SiO2 :13重量
%とした。
3 (平均粒径3μm ):20体積%ガラスフリット
(平均粒径8μm ):3体積%ガラスフリットの軟化
点は460℃であり、ガラス組成は、PbO:65重量
%、B2 O3 :22重量%、SiO2 :13重量
%とした。
【0094】導体ペーストNo.4(比較)Bi2 O
3 (平均粒径3μm ):20体積%Al2 O3
(平均粒径3μm ):8体積%ガラスフリット(平均
粒径8μm ):3体積%ガラスフリットの軟化点は5
70℃であり、ガラス組成は、PbO:51重量%、B
2 O3 :17重量%、SiO2 11重量%、Mn
O:21重量%とした。
3 (平均粒径3μm ):20体積%Al2 O3
(平均粒径3μm ):8体積%ガラスフリット(平均
粒径8μm ):3体積%ガラスフリットの軟化点は5
70℃であり、ガラス組成は、PbO:51重量%、B
2 O3 :17重量%、SiO2 11重量%、Mn
O:21重量%とした。
【0095】導体ペーストNo.5(比較)Bi2 O
3 (平均粒径3μm ):20体積%Al2 O3
(平均粒径3μm ):4体積%ガラスフリット(平均
粒径8μm ):3体積%ガラスフリットの軟化点は5
80℃であり、ガラス組成は、PbO:50重量%、B
2 O3 :20重量%、SiO2 11重量%、Mn
O:10重量%、ZnO:9重量%とした。
3 (平均粒径3μm ):20体積%Al2 O3
(平均粒径3μm ):4体積%ガラスフリット(平均
粒径8μm ):3体積%ガラスフリットの軟化点は5
80℃であり、ガラス組成は、PbO:50重量%、B
2 O3 :20重量%、SiO2 11重量%、Mn
O:10重量%、ZnO:9重量%とした。
【0096】前記各導体ペースト中のガラスフリットの
含有量は、ガラスそのもののAgおよびPdに対する体
積比であるため、酸化物粒子およびガラスフリットの酸
化物換算でのAgおよびPdに対する体積比を表1に示
す。
含有量は、ガラスそのもののAgおよびPdに対する体
積比であるため、酸化物粒子およびガラスフリットの酸
化物換算でのAgおよびPdに対する体積比を表1に示
す。
【0097】
【表1】
【0098】(2)グリーンシートの作製Al2 O3
:40重量%、ガラス粉末:60重量%の組成で厚さ
100〜300μmのグリーンシートを作製した。この
場合、ガラス組成は、SiO2 :59重量%、B2
O3 :4重量%、SrO:31重量%、CaO:4重
量%、MgO:2重量%とした。
:40重量%、ガラス粉末:60重量%の組成で厚さ
100〜300μmのグリーンシートを作製した。この
場合、ガラス組成は、SiO2 :59重量%、B2
O3 :4重量%、SrO:31重量%、CaO:4重
量%、MgO:2重量%とした。
【0099】(3)抵抗体ペーストの作製平均粒径0.
1μmのRuO2 :9.1重量%、ガラス粉末77.
8重量%、添加剤としてZrSiO4 :4.1重量%
、TCR調整剤としてCuOとMnOとNb2 O5
とを合計で9重量%を用いて抵抗体ペーストを作製した
。ガラス組成は、PbO:47.8重量%、B2 O3
:16.7重量%、SiO2 :27.8重量%、Z
nO:5重量%、Al2 O3 :5.2重量%の非晶
質ガラスを用いた。
1μmのRuO2 :9.1重量%、ガラス粉末77.
8重量%、添加剤としてZrSiO4 :4.1重量%
、TCR調整剤としてCuOとMnOとNb2 O5
とを合計で9重量%を用いて抵抗体ペーストを作製した
。ガラス組成は、PbO:47.8重量%、B2 O3
:16.7重量%、SiO2 :27.8重量%、Z
nO:5重量%、Al2 O3 :5.2重量%の非晶
質ガラスを用いた。
【0100】(4)配線基板の作製
前記のグリーンシートにAg内部導体形成後、熱プレス
により積層してグリーンシート積層体を得た。その後、
この積層体を脱脂後、空気中で温度900℃で同時焼成
した配線基板を得た。
により積層してグリーンシート積層体を得た。その後、
この積層体を脱脂後、空気中で温度900℃で同時焼成
した配線基板を得た。
【0101】この配線基板にスクリーン印刷により、導
体ペーストを、縮率15%にて、焼成後の寸法が2mm
×2mm、膜厚12±2μmのパッドになるように印刷
し、空気中で850℃で焼成し外部導体を形成した。
体ペーストを、縮率15%にて、焼成後の寸法が2mm
×2mm、膜厚12±2μmのパッドになるように印刷
し、空気中で850℃で焼成し外部導体を形成した。
【0102】得られた各基板について、外部導体の初期
およびエージング後の接着強度、外部導体の半田濡れ性
を以下のようにして調べた。
およびエージング後の接着強度、外部導体の半田濡れ性
を以下のようにして調べた。
【0103】(a)接着強度試験
デュポン社の剥離試験に準じた。被着した導体膜の横方
向に直径0.8mmの銅線をのばし導体膜に重なる部分
について半田付けし、その半田付けの終わる一端からの
びた銅線を導体膜被着面にほぼ垂直でかつ導体膜を剥離
する方向に引っ張り試験機を用いて引っ張り、剥離した
時の荷重を読んだ。エージングは、150℃の恒温槽に
72時間放置し、同様に荷重を読んだ。
向に直径0.8mmの銅線をのばし導体膜に重なる部分
について半田付けし、その半田付けの終わる一端からの
びた銅線を導体膜被着面にほぼ垂直でかつ導体膜を剥離
する方向に引っ張り試験機を用いて引っ張り、剥離した
時の荷重を読んだ。エージングは、150℃の恒温槽に
72時間放置し、同様に荷重を読んだ。
【0104】(b)半田濡れ性
各サンプルを230℃の溶融半田に約5秒間浸漬し、パ
ッドの濡れ面積率により評価した。
ッドの濡れ面積率により評価した。
【0105】また、上記と同じ配線基板上に導体ペース
トを印刷し、焼成し、巾200μm、厚さ15μmの細
線パターンの外部導体層を形成した。この後、さらにこ
の外部導体層上の先端部に前記の抵抗体ペーストを用い
て外部導体層より広巾に印刷し、上記と同様に焼成した
。
トを印刷し、焼成し、巾200μm、厚さ15μmの細
線パターンの外部導体層を形成した。この後、さらにこ
の外部導体層上の先端部に前記の抵抗体ペーストを用い
て外部導体層より広巾に印刷し、上記と同様に焼成した
。
【0106】この配線基板を用いてブリードアウト現象
の発生の有無を以下のようにして調べた。
の発生の有無を以下のようにして調べた。
【0107】(c)ブリードアウト現象の発生の有無光
学顕微鏡により、抵抗体近傍の細線導体パターン端部を
観察し、下記の4段階で評価した。この評価については
◎、△、×、××で示す。
学顕微鏡により、抵抗体近傍の細線導体パターン端部を
観察し、下記の4段階で評価した。この評価については
◎、△、×、××で示す。
【0108】◎ ブリードアウト全くなし△
10μm以下の距離にブリードアウト観察×
50μm以下の距離にブリードアウト観察×× 5
0μmを超える距離にブリードアウト観察
10μm以下の距離にブリードアウト観察×
50μm以下の距離にブリードアウト観察×× 5
0μmを超える距離にブリードアウト観察
【0109】
これらの結果は表2に示されるとおりである。なお、表
2には外部導体の抵抗値も併記する。
これらの結果は表2に示されるとおりである。なお、表
2には外部導体の抵抗値も併記する。
【0110】
【表2】
【0111】表2に示される結果から本発明の効果が明
らかである。
らかである。
【0112】なお、各サンプルの外部導体と接している
基板の界面を走査型電子顕微鏡(SEM)にて観察した
ところNo.1には長さ10〜20μm の針状結晶物
が析出しており、X線回析によりSrAl2 Si2O
8 の結晶物であることが分かった。
基板の界面を走査型電子顕微鏡(SEM)にて観察した
ところNo.1には長さ10〜20μm の針状結晶物
が析出しており、X線回析によりSrAl2 Si2O
8 の結晶物であることが分かった。
【0113】No.2、No.4にも針状結晶物が析出
していたが、No.2の場合、ブリードアウトが激しく
、No.4は、半田濡れ不良が生じた。また、No.5
には少量の針状結晶物が析出していたが、結晶化が不十
分であるためエージング後の接着強度が低い。一方、N
o.3は、そのような針状結晶物は確認されなかった。
していたが、No.2の場合、ブリードアウトが激しく
、No.4は、半田濡れ不良が生じた。また、No.5
には少量の針状結晶物が析出していたが、結晶化が不十
分であるためエージング後の接着強度が低い。一方、N
o.3は、そのような針状結晶物は確認されなかった。
【0114】また、この他サンプルNo.1においてA
gおよびPdをAg:99重量部およびPt:1重量部
、またはAg:85.1重量部、Pd:13.9重量部
およびPt:1.0重量部にかえた各サンプル、PbO
−B2 O3 −SiO2 −MnOガラスのガラスフ
リットをPbO−B2 O3 −SiO2 ガラス(P
bO:65重量%、B2 O3 :22重量%、SiO
2 :13重量%、軟化点460℃)のガラスフリット
にかえ、MnOを酸化物粒子で添加した各サンプル、さ
らにはTi、Zr、V、Nb、Cr、Mn、Fe、Co
、Ni、CuおよびAlから選ばれる1種以上の金属酸
化物を、金属酸化物粒子として添加した各サンプル、ガ
ラスフリットとして添加した各サンプルを作製し、前記
と同様の評価を行なったところ同等の結果が得られた。
gおよびPdをAg:99重量部およびPt:1重量部
、またはAg:85.1重量部、Pd:13.9重量部
およびPt:1.0重量部にかえた各サンプル、PbO
−B2 O3 −SiO2 −MnOガラスのガラスフ
リットをPbO−B2 O3 −SiO2 ガラス(P
bO:65重量%、B2 O3 :22重量%、SiO
2 :13重量%、軟化点460℃)のガラスフリット
にかえ、MnOを酸化物粒子で添加した各サンプル、さ
らにはTi、Zr、V、Nb、Cr、Mn、Fe、Co
、Ni、CuおよびAlから選ばれる1種以上の金属酸
化物を、金属酸化物粒子として添加した各サンプル、ガ
ラスフリットとして添加した各サンプルを作製し、前記
と同様の評価を行なったところ同等の結果が得られた。
【0115】
【発明の効果】本発明の外部導体は、半田濡れ性が良好
で、かつ初期およびエージング後の基板との接着強度が
高い。またブリードアウト現象の発生を防止することが
でき、配線間のショートや電気特性の劣化を防止するこ
とができる。
で、かつ初期およびエージング後の基板との接着強度が
高い。またブリードアウト現象の発生を防止することが
でき、配線間のショートや電気特性の劣化を防止するこ
とができる。
【図1】本発明の導体ペーストを用いて作製した多層配
線基板の部分断面図である。
線基板の部分断面図である。
1 多層配線基板
2 内部導体
3 外部導体
4 基板
5 スルーホール
6 半田
7 表面実装部品
8 抵抗体
Claims (11)
- 【請求項1】 AgとPdおよび/またはPtとを含
有する導体と、Bi酸化物と、B酸化物と、Si酸化物
と、Pb酸化物と、Ti、Zr、V、Nb、Cr、Mn
、Fe、Co、Ni、CuおよびAlから選ばれる1種
以上の金属酸化物とを含有し、前記B酸化物、Si酸化
物およびPb酸化物全体の前記導体に対する含有量が体
積比で0.5〜6%であり、前記金属酸化物の前記導体
に対する含有量が体積比で500ppm 〜8%であり
、実質的にZn酸化物を含有しないことを特徴とする導
体ペースト。 - 【請求項2】 前記Bi酸化物の前記導体に対する含
有量が体積比で10〜30%である請求項1に記載の導
体ペースト。 - 【請求項3】 前記Bi酸化物、B酸化物、Si酸化
物、Pb酸化物および金属酸化物の一部または全部がガ
ラスフリットとして含有される請求項1または2に記載
の導体ペースト。 - 【請求項4】 前記Bi酸化物が酸化物粒子として含
有される請求項1ないし3のいずれかに記載の導体ペー
スト。 - 【請求項5】 前記B酸化物、Si酸化物およびPb
酸化物がPbO−B2O3 −SiO2 系ガラスのガ
ラスフリットとして含有され、前記PbO−B2 O3
−SiO2 系ガラスのガラスフリットの前記導体に
対する体積比が酸化物換算で0.5〜6%である請求項
1ないし4のいずれかに記載の導体ペースト。 - 【請求項6】 前記B酸化物、Si酸化物およびPb
酸化物と、前記金属酸化物の一部または全部とが、Pb
O−B2 O3 −SiO2 −α系ガラスのガラスフ
リットとして含有され、前記PbO−B2O3 −Si
O2 −α系ガラスのガラスフリットの前記導体に対す
る体積比が酸化物換算で0.5〜6%であり、前記αが
、Ti、Zr、V、Nb、Cr、Mn、Fe、Co、N
i、CuおよびAlから選ばれる1種以上の金属酸化物
である請求項1ないし4のいずれかに記載の導体ペース
ト。 - 【請求項7】 前記導体中のPdの含有量が5〜30
重量%である請求項1ないし6のいずれかに記載の導体
ペースト。 - 【請求項8】 前記導体中のPtの含有量が0.5〜
5重量%である請求項1ないし7のいずれかに記載の導
体ペースト。 - 【請求項9】 請求項1ないし8のいずれかに記載の
導体ペーストを用いて外部導体を形成したことを特徴と
する配線基板。 - 【請求項10】 前記外部導体は、アルカリ土類金属
を含むガラスと、Al2 O3 の骨材とを含有する基
板上に形成されている請求項9に記載の配線基板。 - 【請求項11】 前記外部導体と接してガラスを含有
する抵抗体を有する請求項9または10に記載の配線基
板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12845591A JP2898121B2 (ja) | 1991-05-01 | 1991-05-01 | 導体ぺーストおよび配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12845591A JP2898121B2 (ja) | 1991-05-01 | 1991-05-01 | 導体ぺーストおよび配線基板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04329691A true JPH04329691A (ja) | 1992-11-18 |
JP2898121B2 JP2898121B2 (ja) | 1999-05-31 |
Family
ID=14985135
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12845591A Expired - Fee Related JP2898121B2 (ja) | 1991-05-01 | 1991-05-01 | 導体ぺーストおよび配線基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2898121B2 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999021193A1 (fr) * | 1997-10-16 | 1999-04-29 | Tdk Corporation | Pate conductrice et elements de circuit irreversibles formes par utilisation de cette pate |
KR20010067050A (ko) * | 1999-08-06 | 2001-07-12 | 사토 히로시 | 적층인덕터와 그 제조방법 |
JP2003023233A (ja) * | 2001-07-05 | 2003-01-24 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | 低温焼成セラミック回路基板 |
WO2008099594A1 (ja) * | 2007-02-16 | 2008-08-21 | Panasonic Corporation | 多層セラミック基板とその製造方法 |
US8298448B2 (en) | 2008-03-31 | 2012-10-30 | Mitsubishi Electric Corporation | Low temperature co-fired ceramic circuit board |
CN110405379A (zh) * | 2018-04-27 | 2019-11-05 | 哈尔滨工业大学 | 一种Ag-CuO-B2O3钎料、其制备方法及利用其连接蓝宝石的方法 |
-
1991
- 1991-05-01 JP JP12845591A patent/JP2898121B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999021193A1 (fr) * | 1997-10-16 | 1999-04-29 | Tdk Corporation | Pate conductrice et elements de circuit irreversibles formes par utilisation de cette pate |
US6110569A (en) * | 1997-10-16 | 2000-08-29 | Tdk Corporation | Conductive paste and non-reciprocal device using the same |
KR20010067050A (ko) * | 1999-08-06 | 2001-07-12 | 사토 히로시 | 적층인덕터와 그 제조방법 |
JP2003023233A (ja) * | 2001-07-05 | 2003-01-24 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | 低温焼成セラミック回路基板 |
JP4711158B2 (ja) * | 2001-07-05 | 2011-06-29 | 株式会社村田製作所 | 低温焼成セラミック回路基板 |
WO2008099594A1 (ja) * | 2007-02-16 | 2008-08-21 | Panasonic Corporation | 多層セラミック基板とその製造方法 |
US8298448B2 (en) | 2008-03-31 | 2012-10-30 | Mitsubishi Electric Corporation | Low temperature co-fired ceramic circuit board |
CN110405379A (zh) * | 2018-04-27 | 2019-11-05 | 哈尔滨工业大学 | 一种Ag-CuO-B2O3钎料、其制备方法及利用其连接蓝宝石的方法 |
CN110405379B (zh) * | 2018-04-27 | 2020-11-13 | 哈尔滨工业大学 | 一种Ag-CuO-B2O3钎料、其制备方法及利用其连接蓝宝石的方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2898121B2 (ja) | 1999-05-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6610621B2 (en) | Glass-ceramic composition for ceramic electronic part, ceramic electronic part, and method for manufacturing multilayer ceramic electronic part | |
JP3209089B2 (ja) | 導電性ペースト | |
KR100345031B1 (ko) | 전자장치 및 그 제조방법 | |
US4766010A (en) | Process for manufacturing dielectric layers formed from ceramic compositions containing inorganic peroxide and electronic devices including said layers | |
US5665459A (en) | Low-temperature fired ceramic circuit substrate and thick-film paste for use in fabrication thereof | |
EP1717858A1 (en) | Thick film conductor paste compositions for LTCC tape in microwave applications | |
US6436316B2 (en) | Conductive paste and printed wiring board using the same | |
US6414247B1 (en) | Glass ceramic board | |
US6338893B1 (en) | Conductive paste and ceramic printed circuit substrate using the same | |
US7261841B2 (en) | Thick film conductor case compositions for LTCC tape | |
JP2898121B2 (ja) | 導体ぺーストおよび配線基板 | |
EP1744327A1 (en) | High thermal cycle conductor system | |
JP2002163928A (ja) | ガラス組成物およびこれを用いた厚膜ペースト | |
JP3785903B2 (ja) | 多層基板及びその製造方法 | |
US6037045A (en) | Thick-film paste and ceramic circuit substrate using the same | |
US7731812B2 (en) | Thick film conductor case compositions for LTCC tape | |
EP0704864B1 (en) | Resistor on a ceramic circuit board | |
US5261950A (en) | Composition for metalizing ceramics | |
JP2989936B2 (ja) | ガラスフリット、抵抗体ペーストおよび配線基板 | |
JPH04328207A (ja) | 導体組成物および配線基板 | |
JPH05221686A (ja) | 導体ペースト組成物および配線基板 | |
JPS61274399A (ja) | 多層セラミック基板用組成物および多層セラミック基板の製造方法 | |
JPH11284296A (ja) | 配線基板 | |
JPH06334351A (ja) | 導体ペーストおよびそれを用いたセラミック多層配線基板 | |
JP4646362B2 (ja) | 導体組成物およびこれを用いた配線基板 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19990219 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |