JP2002163928A

JP2002163928A - ガラス組成物およびこれを用いた厚膜ペースト

Info

Publication number: JP2002163928A
Application number: JP2001278037A
Authority: JP
Inventors: Tetsuya Tanaka; 哲也田中; Yoshio Ota; 能生太田; Mikio Yamazoe; 幹夫山添
Original assignee: Shoei Chemical Inc
Current assignee: Shoei Chemical Inc
Priority date: 2000-09-14
Filing date: 2001-09-13
Publication date: 2002-06-07
Anticipated expiration: 2021-09-13
Also published as: JP4423832B2

Abstract

(57)【要約】【課題】軟化点が低く、有害成分を含まず、非酸化性
雰囲気中700〜800℃程度の低温度域で焼成しても脱バイ
ンダ性が良好で、緻密で優れた特性を有する厚膜を形成
することができるペーストの調製に適したガラス組成物
を提供する。【解決手段】下記酸化物に換算した含有量がそれぞ
れ、ＢａＯ 35〜60重量％、Ｂ₂Ｏ₃ 5〜35重量％、
ＺｎＯ 0〜12重量％、ＭｎＯ₂ 2〜22重量％、Ａ
ｌ₂Ｏ₃ 0〜18重量％、ＳｉＯ₂ 0〜11重量％、Ｌ
ｉ₂Ｏ、Ｎａ₂ＯおよびＫ₂Ｏから選択された１または２
以上 0〜8重量％、Ｃｕ₂Ｏ、ＳｎＯ₂、Ｆｅ₂Ｏ₃お
よびＣｏ₃Ｏ₄から選択された１または２以上0〜10重量
％であり、かつ鉛を含まないガラス組成物。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、非酸化性雰囲気中
で焼成される厚膜ペーストに用いられるガラス組成物に
関する。また、このガラス組成物を用いた厚膜ペース
ト、例えば回路や電子部品を構成する導体層、抵抗体
層、絶縁体層、誘電体層、保護層などを形成するための
厚膜ペーストに関する。

【０００２】

【従来の技術】エレクトロニクス分野において、電子回
路や抵抗、コンデンサ、ＩＣパッケージ等の電子部品を
製造するために、ガラス粉末を含む導体ペーストや抵抗
ペースト、誘電体ペーストなどの厚膜ペーストが使用さ
れている。これらはガラス粉末を単独で、またはこれに
無機フィラー、すなわち金属や合金、金属酸化物などの
金属化合物もしくはセラミックス等からなる導電性粉
末、絶縁性粉末あるいは半導体粉末を混合し、必要に応
じてその他の添加剤と共に、ビヒクル中に均一に分散さ
せてペースト状としたものである。この厚膜ペーストを
セラミック基板やガラス基板、誘電体等に印刷または塗
布した後、高温で焼成することによって導体層や抵抗体
層、誘電体層、絶縁体層等の厚膜が形成される。

【０００３】回路や電子部品においては、導体材料とし
て通常、銀、金、白金、パラジウム等の貴金属や銅、ニ
ッケル、コバルト、鉄、アルミニウム、モリブデン、タ
ングステン等の卑金属、またはこれらの合金、混合物な
どが使用されている。このうち特に卑金属は、焼成時に
酸化し易いため、非酸化性雰囲気中、即ち窒素や水素−
窒素などの不活性雰囲気中もしくは還元性雰囲気中で焼
成が行われる。しかしこのような酸素の少ない雰囲気に
おいて厚膜ペーストを焼成する場合、ビヒクルとして用
いられるバインダ樹脂や溶剤などの有機成分が酸化分解
しにくく、燃焼、分解、飛散（以下「脱バインダ」とい
う。）が十分に行われないため、閉じ込められたビヒク
ル分解物が高温でガス化し、気泡を生じて焼成膜の緻密
性が損なわれたり、一部がカーボンとなって膜中に残っ
たりし、様々な問題を生じている。

【０００４】特にセラミック積層電子部品の端子電極
を、無機結合剤としてガラス粉末を含む卑金属導体ペー
ストを比較的低温で焼付することにより形成する場合、
脱バインダ性は重要な課題である。例えば積層セラミッ
クコンデンサでは、チタン酸バリウム、酸化チタン、鉛
を含む複合ペロブスカイト等からなる未焼成のセラミッ
ク誘電体層と、ニッケルや銅などの卑金属内部電極ペー
スト層とを交互に複数層積層し、高温で同時焼成してコ
ンデンサ素体を得、この素体の外表面に銅粉末とガラス
粉末を主成分とする導体ペーストを塗布し、窒素雰囲気
中で焼付して端子電極が形成される。通常の厚膜導体形
成に用いられる銅導体ペーストは、800〜950℃程度の比
較的高温で焼成されるのが普通であるが、コンデンサの
場合、窒素雰囲気中において高温で焼成すると、誘電体
セラミックの脱酸素現象が起こり、機械的強度が低下し
たり、酸素欠損を生じることによってコンデンサの誘電
体特性の劣化を引き起こしたりするので、より低温、望
ましくは700〜750℃程度の温度で焼付することが要求さ
れている。しかしこのような条件では有機物がより分解
しにくい上に、低融ガラスを用いるのでビヒクルが分解
飛散する前に電極が緻密化してしまい、熱分解性の良い
アクリル樹脂などを用いたとしてもカーボンが膜中に残
りやすい。残留カーボンは、ガラスの流動と電極の焼結
を阻害するため、電極の緻密性や素体との接着性を損な
い、特性劣化や信頼性の低下を引き起こす。従って脱バ
インダ性が優れ、800℃以下の低温焼成によっても接着
性の優れた銅端子電極を形成しうる銅ペーストが求めら
れている。

【０００５】一方、アルミナ等通常のセラミック基板上
に、銅、ニッケルや銅−ニッケルなどの卑金属導体材料
を用いた厚膜回路を製造する場合には、基板との接着強
度の他、導体においては半田濡れ性、導電性、抵抗体に
おいては適切な抵抗特性および安定性、また絶縁層の場
合は緻密性、所定の誘電率と熱膨張係数、絶縁特性等要
求される諸特性をすべて満足するために、通常800〜950
℃程度で焼付を行うことが必要とされる。しかし低温焼
成用ペーストに用いられる低軟化点ガラスは、高温で焼
成するとガラスの粘度が下がり過ぎて膜表面まで移行し
てしまう。このためガラス滲みを起こしたり、また導体
においては半田濡れ性やめっき付き性が損なわれたりす
る。また基板に対する接着強度も不十分になる。

【０００６】更に、このような卑金属導体材料を用いた
厚膜回路や電子部品の形成には、非酸化性雰囲気で高温
焼成したとき還元されにくいガラスを用いる必要があ
る。しかし従来厚膜ペーストに多く使用される鉛含有ガ
ラスフリットは、ＰｂＯ成分が還元されやすい。しかも
鉛は人体に有害であり、また環境汚染の問題を引き起こ
す。従って鉛を含有せず、かつ基板との接着強度が大き
く、優れた特性を有する厚膜が得られる非還元性ガラス
が求められる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、軟化
点が低く、鉛等の有害な成分を含まず、非酸化性雰囲気
中700〜800℃程度の低温度域で焼成しても脱バインダ性
が良好であり、かつ緻密で優れた特性を有する導体、抵
抗体、絶縁体、誘電体等の厚膜を形成することができ、
特に積層セラミックコンデンサ端子電極形成用導体ペー
ストの無機バインダとして適したガラス組成物を提供す
ることである。また本発明の他の目的は、低軟化点を示
しながら、800〜950℃程度の高温で焼成した場合にも、
基板との十分な接着強度を有し、膜の緻密性、電気特性
の優れた導体層、抵抗体層、絶縁体層、誘電体層等を形
成することのできる、鉛を含有しないガラス組成物を提
供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は、下記酸化物に
換算した含有量がそれぞれ、ＢａＯ 35〜60重量％、
Ｂ₂Ｏ₃ 5〜35重量％、ＺｎＯ 0〜12重量％、Ｍｎ
Ｏ₂ 2〜22重量％、Ａｌ₂Ｏ₃ 0〜18重量％、Ｓｉ
Ｏ₂ 0〜11重量％、Ｌｉ₂Ｏ、Ｎａ₂ＯおよびＫ₂Ｏか
ら選択された１または２以上 0〜8重量％、Ｃｕ
₂Ｏ、ＳｎＯ₂、Ｆｅ₂Ｏ₃およびＣｏ₃Ｏ₄から選択された
１または２以上0〜10重量％であり、かつ鉛を含まない
ガラス組成物を要旨とするものである。また本発明は、
下記酸化物に換算した含有量がそれぞれ、ＢａＯ 35〜
60重量％、Ｂ₂Ｏ₃ 5〜35重量％、ＺｎＯ 0〜12
重量％、ＭｎＯ₂ 2〜22重量％、Ａｌ₂Ｏ₃ 0〜18重
量％、ＳｉＯ₂ 0〜11重量％、Ｌｉ₂Ｏ、Ｎａ₂Ｏ
およびＫ₂Ｏから選択された１または２以上 0〜8重量
％、Ｃｕ₂Ｏ、ＳｎＯ₂、Ｆｅ₂Ｏ₃およびＣｏ₃Ｏ₄から
選択された１または２以上0〜10重量％、ＴｉＯ₂ 1
〜25重量％、ＺｒＯ₂ 0〜5重量％であり、かつ鉛を
含まないガラス組成物を要旨とするものである。更に本
発明は、このガラス組成物粉末を含む厚膜ペーストを要
旨とするものである。

【０００９】

【発明の実施の形態】本発明のガラス組成物は軟化点が
低く、800℃以下の低温での焼成に適している。特に軟
化点が600℃以下であることが望ましい。またこのガラ
スを含む厚膜ペーストは、非酸化性雰囲気中で焼成した
とき、550〜750℃の低温度域でも優れた脱バインダ性を
有している。これはガラス成分として含まれるＭｎＯ₂
やＣｏ₃Ｏ₄の酸素放出効果により、膜が焼結緻密化する
前にビヒクルが速やかに分解し、除去されるためと考え
られる。従って700〜800℃の低温で焼成しても、残留カ
ーボンに基づく焼結阻害や特性劣化を起こさず、緻密な
膜が形成される。

【００１０】またこのガラスは、銅に対して適度な反応
性を有するという特徴を有している。このため、特に銅
系ペーストに使用した場合は、有機物の分解飛散が完了
した直後にガラスが軟化流動し、銅粒子間に分散して銅
粒子の焼結を促進するものと考えられる。

【００１１】従って特に積層セラミックコンデンサ端子
電極形成用銅含有ペーストに使用された場合、焼成過程
において低融性、脱バインダ性、銅との反応性を発揮
し、これらの複合効果により、非酸化性雰囲気中におい
て800℃以下の低温で焼成した場合でも、緻密で導電
性、半田濡れ性、めっき付き性および誘電体や内部電極
との接合性の優れた電極膜が得られる。これによりセラ
ミック誘電体の特性を劣化させることなく、端子電極を
形成することができるようになる。

【００１２】更に本発明のガラスは、アルミナ等のセラ
ミック基板との接着強度が大きい。これは焼成時、界面
に強固な構造の中間相を作り、この中間相が膜と基板間
の熱膨脹係数の差、および基板と膜とが直接接触するこ
とによるひずみを吸収するため、結果として強い接着強
度が得られると考えられる。また、ガラス成分として、
Ａｌ₂Ｏ₃とスピネル構造体を形成するようなＣｏ、Ｃ
ｕ、Ｚｎなどの酸化物が存在すると、接着強度は更に向
上する。

【００１３】また通常、低軟化点のガラスフリットを含
有する導体ペーストや抵抗体ペーストを比較的高温の80
0〜950℃で焼付けする場合、ガラスの粘度が低すぎると
焼結が進み過ぎ、過度に流動性を増したガラスが毛管力
により導電性粒子間の間隙を通って膜表面まで移行して
くるため、ガラス滲みを起こしたり、導体においては半
田濡れ性や接着性が低下したりする。しかし本発明のガ
ラスは、焼成温度に対するガラスの粘度の変化を表わす
カーブの勾配が緩やかであり、800〜950℃の高温におい
てもガラスの粘度が過度に低下しないため、膜表面まで
ガラスは移行してこない。この粘度カーブは、更にガラ
スに適度な結晶性を付与することで緩和でき、これによ
りガラス粘度の過度の低下を抑制することができる。従
って本発明のガラスは、アルミナ等のセラミック基板上
やコンデンサ等の誘電体層上に高温で焼成する場合は、
望ましくは焼成により結晶化するような組成を選択する
ことにより、ガラス滲みを起こしたり半田濡れ性を阻害
したりすることなく、接着性の優れた導体や抵抗体を形
成することができる。

【００１４】次に、本発明における鉛を含有しない低軟
化点ガラス組成物の組成範囲について説明する。なお、
以下の記載において、％は特記しない限り重量百分率を
表わすものである。ＢａＯは融剤として働き、ガラスの
流動性を向上させる効果がある。その含有量が35％未満
の場合、軟化点が高くなりすぎて流動性が悪くなり、低
温焼成が困難になる。60％を超えると、ガラスの耐酸性
が低下する。そのため形成された厚膜をめっき処理する
場合、めっき液が膜中に浸透し、膜構造の劣化を起こし
望ましくない。好ましくは40〜55％である。

【００１５】Ｂ₂Ｏ₃は、網目形成酸化物であり、かつ、
フラックスとして用いられる。含有量が5％より少ない
とガラスの流動性が悪くなって低温焼成が困難になる。
35％より多いとガラスの耐酸性が悪くなるため、めっき
液の浸透により膜構造が劣化する。好ましくは8〜30％
である。ＺｎＯは、Ｂ₂Ｏ₃と一体となって網目構造を形
成する。また基板との接着強度を向上させる。好ましく
は3％以上であるが、高温ではＺｎ成分の昇華が起こり
易いため、含有量が多くなると焼成後のガラス組成が配
合組成からずれるほか、昇華したＺｎ成分から生じたＺ
ｎＯの堆積に起因する、ステイン現象を起こす傾向があ
るので、10％までとすることが望ましい。

【００１６】Ｍｎ成分はガラス中で２価もしくは３価で
存在し、窒素雰囲気中において上記価数が変わることに
より酸素を放出し、ペースト中のビヒクル残渣のカーボ
ンと結び付いてＣＯ₂として膜外に飛散させる効果をも
つと考えられる。また、銅金属との反応性を高める作用
も有すると考えられる。配合量がＭｎＯ₂換算で22％よ
り多いと、ガラスの製造工程において失透してくるため
安定なガラスが得られない。その含有量は好ましくは2
〜13％である。

【００１７】Ａｌ₂Ｏ₃は、ＳｉＯ₂ と同様にガラスの
耐酸性を良好にするが、18％より多いとガラスが失透し
てくる。耐酸性が要求される場合には、好ましくは2〜9
％の範囲で配合される。ＳｉＯ₂は網目形成酸化物であ
り、ガラス化範囲を広げる効果と耐酸性を向上させる効
果がある。11％より多いと軟化点が上昇して低温焼成が
困難になり、またガラスの粘度が上昇するため脱バイン
ダ性も悪い。好ましくは2〜10％の範囲で配合される。

【００１８】Ｌｉ₂Ｏ、Ｎａ₂Ｏ、Ｋ₂Ｏは網目修飾酸化
物であり、ガラスの軟化点を下げる効果がある。またア
ルミナ等のセラミック基板と反応することにより、基板
との接着強度を向上させる効果を有する。その含有量が
8％より多いと耐酸性が低下し、電極膜にめっき液が浸
透し膜構造が劣化する。その含有量は合計で0〜8％、好
ましくは2〜6％の範囲である。

【００１９】Ｃｕ、Ｓｎ、ＦｅまたはＣｏの酸化物は、
銅との反応性を高める効果がある。従って特に銅系ペー
ストの場合、これらの酸化物を含有させることにより、
有機物の分解飛散が完了した直後に銅粒子の焼結を促進
すると考えられる。好ましくは2〜9％の範囲である。

【００２０】ＴｉＯ₂は、軟化点を上昇させることなく
ガラス化範囲を広げる効果がある。またガラスの耐酸性
を向上させ、めっき液の浸透による膜構造の変化を抑制
する。これはガラス中に極めて微細な結晶を均一に析出
するためと考えられ、形成された厚膜をめっき処理する
場合や、その他耐酸性が要求される用途には、25％まで
の範囲、望ましくは1〜25％の範囲で配合することがで
きる。含有量が25％を超えると失透しやすくなる。特に
5〜15％の範囲が好ましい。

【００２１】ＺｒＯ₂もＴｉＯ₂と同様に耐酸性を向上さ
せる効果があるが、含有量が多いと軟化点が上昇するの
で、配合量は5％までとし、好ましくは3％までの範囲と
する。本発明のガラス組成物にはこの他、特性に影響の
ない範囲で少量の他の酸化物、例えばＣａＯ、ＳｒＯ等
を含有させることができる。

【００２２】本発明のガラスは、各成分の原料化合物を
混合、溶融、急冷、粉砕する通常の方法の他、ゾルゲル
法、噴霧熱分解法、アトマイズ法等の方法で製造するこ
とができる。特にこの組成のガラスは、噴霧熱分解法に
よって微細で粒度の揃った球状のガラス粉末を得ること
ができ、厚膜ペーストに使用する際粉砕処理を行う必要
がないので好ましい。

【００２３】本発明に係わる厚膜ペーストの特徴は、上
記特定のガラス組成物を用いたことにあり、その他の構
成成分については特に限定されるものではない。本発明
の厚膜ペーストは、上記ガラス組成物を単独で、または
目的、用途に応じて導電性粉末、絶縁性粉末、半導体粉
末、また場合によっては酸化剤などの無機フィラー成分
を適宜配合し、樹脂バインダ、溶剤等を含むビヒクル中
に分散させることにより製造される。ガラスと無機フィ
ラーの配合比率に特に限定はなく、目的、用途に応じて
通常使用される範囲で適宜調整される。

【００２４】無機フィラーとしては、導体ペーストの場
合、銅、ニッケル、コバルト、鉄などの金属粉末、これ
らの金属を含む合金粉末や複合粉末などの導電性粉末が
使用される。このほか必要に応じて、無機結合剤や添加
剤として通常添加されるような金属酸化物、セラミック
などを配合してもよい。積層コンデンサの電極を形成す
る場合には、好ましくは銅、ニッケル、コバルトやこれ
らを含む合金から選ばれる１種又は２種以上の導電性粉
末が用いられ、また誘電体層と同組成の誘電体粉末など
が添加されることもある。

【００２５】抵抗ペーストの場合、銅、ニッケルなどの
金属粉末やこれらを含む合金粉末、複合粉末の他、酸化
錫等の金属酸化物や金属硼化物、金属珪化物等などの導
電性粉末もしくは半導体粉末が使用される。この他抵抗
値やＴＣＲ、ＥＳＤ等の抵抗特性を調整するために通常
使用される添加剤を、適宜選択して配合することができ
る。

【００２６】誘電体ペーストには、本発明のガラス組成
物は単独でも用いられるが、熱膨張係数の調整や、誘電
率、絶縁抵抗、耐電圧その他の電気的特性調整のための
金属酸化物、セラミック等の絶縁性または強誘電体フィ
ラーを、また本発明の効果を妨げない範囲で他のガラス
などを配合してもよい。

【００２７】ビヒクルは特に限定されず、アクリル樹
脂、セルロ−ス系等通常使用されるような樹脂バインダ
を水性または有機系の溶剤に溶解または分散させたもの
を、目的、用途により適宜選定使用すればよい。必要に
より可塑剤、分散剤、界面活性剤、酸化剤、金属有機化
合物等を添加することができる。ビヒクルの配合比率も
限定はなく、無機成分をペースト中に保持し得る適切な
量で、用途や塗布方法に応じて適宜調整される。

【００２８】

【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて詳細に説明
する。実施例１ガラス組成物試料は次のようにして調製した。表１に示
す酸化物組成になるように原料を調合し、白金ルツボを
用いて約1150℃で溶融し、次いでグラファイト上に流出
させて空冷して得たガラスをアルミナボ−ルで微粉砕し
て、ガラス粉末Ａ〜J、Ｕ〜Ｚを得た。Ｕ〜Ｚは本発明
の範囲外のものである。それぞれのガラス粉末につき、
熱分析によりガラス転移点（Ｔｇ）、軟化点（Ｔｓ）お
よび結晶化温度（Ｔｃ）を測定し、表１に示した。

【００２９】また上記ガラス粉末と、アクリル樹脂系バ
インダをテルピネオールに溶解したビヒクルとを３本ロ
−ルミルで混練してガラスペーストを作成し、このペー
ストをアルミナ基板上にスクリ−ン印刷し、窒素雰囲気
中550℃、600℃、650℃、700℃、800℃の各温度で焼成
し脱バインダ性を調べた。結果は残留カーボンに基づく
灰黒色化現象の有無により評価し、いずれの焼成温度に
おいても灰黒色化が見られなかったものを○、それ以外
を×として、表１に併せて示した。表１から明らかなよ
うに、本発明のガラスペーストは低温でも灰黒色化現象
が起こっておらず、脱バインダ性が極めて優れている。

【００３０】

【表１】

【００３１】実施例２ガラス粉末としてそれぞれ実施例１のガラスＡ〜Ｆ、Ｕ
〜Ｘを用い、Ｃｕ粉末100重量部とガラス粉末10.0重量
部を、アクリル樹脂および有機溶剤からなるビヒクルと
共に混練して試料番号１〜10の導体ペーストを製造し
た。試料番号7〜10は本発明の範囲外のものである。

【００３２】得られた導体ペーストを、それぞれＮｉ内
部電極を有する積層セラミックコンデンサ素体の外表面
に塗布し、窒素雰囲気中において750℃で焼成して端子
電極を形成した。このコンデンサの外部電極の断面を走
査型電子顕微鏡で観察し、緻密性および内部電極との接
合性を評価し、その結果を表２に示した。なお膜の緻密
性は、該電極膜が乾燥時に比べて収縮しており、かつ焼
成膜の気孔率が10％以下であるものを○、それ以外を×
とした。内部電極との接合性は、内部電極と確実に接合
しているものを○、それ以外を×とした。表２から明ら
かなように、本発明の導体ペーストによって緻密で接着
性の良い優れた端子電極が形成される。

【００３３】実施例３ガラス粉末としてそれぞれ実施例１のガラスＧ、Ｈを用
い、Ｃｕ粉末100重量部とガラス粉末10.0重量部を、ア
クリル樹脂および有機溶剤からなるビヒクルと共に混練
して試料番号11〜12の導体ペーストを製造した。得られ
た導体ペーストを用いて、実施例２と同様にしてＮｉ内
部電極を有する積層セラミックコンデンサの端子電極を
形成し、膜の緻密性および内部電極との接合性を評価
し、その結果を表２に併せて示した。

【００３４】更に、このガラスＧ、Ｈの耐酸性を調べる
ため、ガラス粉末に前記ビヒクルを混合してガラスペー
ストとし、アルミナ基板上に塗布し、700℃、750℃およ
び800℃で焼成してガラス厚膜試料を作製した。それぞ
れの試料を硫酸錫と硫酸の混合溶液に常温で30分間浸漬
した後、ブラシを使ってこすりながら充分に水洗し、乾
燥して膜の重量を測定することにより、膜の残存率を測
定した。いずれも95％以上の残存率を示し、耐酸性は極
めて良好であった。

【００３５】

【表２】

【００３６】実施例４ガラス粉末としてそれぞれ実施例１のガラスＩ、Ｊ、
Ｙ、Ｚを用い、Ｃｕ粉末、Ｎｉ粉末、Ｃｕ−Ｎｉ合金粉
末から選択される導電性粉末100重量部と、ガラス粉末
6.0重量部とを、エチルセルロースおよび有機溶剤から
なるビヒクルと共に混練して試料番号13〜18の抵抗ペー
ストを製造した。但し試料番号17〜18は本発明の範囲外
のものである。

【００３７】得られた抵抗ペーストを、Ｃｕ電極を形成
したアルミナ基板上にそれぞれ２mm×２mmの正方形パタ
ーンでスクリーン印刷し、窒素雰囲気中において900℃
で焼成して厚膜抵抗体を形成した。それぞれ焼成膜厚、
抵抗値を測定し、また抵抗体にリード線を半田付けして
引張り強度を測定することにより基板との接合強度を調
べ、結果を表３に示した。表３から明らかなように、本
発明のガラスを用いた抵抗ペーストによって得られた厚
膜抵抗体は、非常に優れた特性を有していた。

【００３８】

【表３】

【００３９】

【発明の効果】本発明のガラス組成物は、低軟化点でか
つ鉛等の有害な成分を含まず、厚膜ペースト用ガラスと
して優れた特性を有する。このガラスを用いた厚膜ペー
ストは、非酸化性雰囲気中800℃以下の低温度域で焼成
した場合でも、有機成分を完全に除去することができ、
緻密で優れた特性を有する厚膜が形成される。また800
〜950℃程度の高温で焼成した場合にも、接着性、電気
特性の優れた厚膜素子を製造することができる。

【００４０】従って、特に積層セラミックコンデンサの
銅含有端子電極を、誘電体が還元されない700〜750℃と
いう低温で焼付け形成できるほか、アルミナ等の通常の
基板上に接着強度、電気特性、半田濡れ性、めっき付き
性等の優れた導体層や、抵抗体層を形成するのに好適で
あるが、これ以外の導体層、抵抗体層、誘電体層を形成
するために使用できることは言うまでもない。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｂ 1/22 Ｈ０１Ｂ 1/22 Ａ 3/00 3/00 ＡＦターム(参考） 4G062 AA09 BB01 BB05 BB08 DA01 DA02 DA03 DA04 DB01 DB02 DB03 DB04 DC03 DC04 DC05 DD01 DE01 DE02 DE03 DE04 DF01 EA01 EA02 EA03 EB01 EB02 EB03 EC01 EC02 EC03 ED01 EE01 EE02 EF01 EF02 EG05 EG06 FA01 FA10 FB01 FB02 FB03 FB04 FC01 FC02 FC03 FD01 FE01 FE02 FE03 FF01 FG01 FH01 FJ01 FK01 FL01 GA01 GA10 GB01 GC01 GD01 GE01 HH01 HH03 HH04 HH05 HH07 HH09 HH10 HH11 HH12 HH13 HH15 HH17 HH20 JJ01 JJ03 JJ05 JJ07 JJ10 KK01 KK03 KK05 KK07 KK10 MM08 MM23 MM31 MM34 NN24 NN26 NN40 PP11 PP12 5G301 DA02 DA06 DA10 DA36 DA38 DA39 DA40 DD01 5G303 AA07 AB20 BA07 BA12 CA02 CA03 CB01 CB02 CB03 CB09 CB11 CB13 CB14 CB16 CB18 CB20 CB30 CB31 CB35 CB38 CB39

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】下記酸化物に換算した含有量がそれぞ
れ、ＢａＯ 35〜60重量％、Ｂ₂Ｏ₃ 5〜35重量％、Ｚ
ｎＯ 0〜12重量％、ＭｎＯ₂ 2〜22重量％、Ａｌ₂Ｏ₃ 0〜18重量％、
ＳｉＯ₂ 0〜11重量％、Ｌｉ₂Ｏ、Ｎａ₂ＯおよびＫ₂
Ｏから選択された１または２以上 0〜8重量％、Ｃ
ｕ₂Ｏ、ＳｎＯ₂、Ｆｅ₂Ｏ₃およびＣｏ₃Ｏ₄から選択され
た１または２以上0〜10重量％であり、かつ鉛を含まな
いガラス組成物。
【請求項２】下記酸化物に換算した含有量がそれぞ
れ、ＢａＯ 35〜60重量％、Ｂ₂Ｏ₃ 5〜35重量％、Ｚ
ｎＯ 0〜12重量％、ＭｎＯ₂ 2〜22重量％、Ａｌ₂Ｏ₃ 0〜18重量％、
ＳｉＯ₂ 0〜11重量％、Ｌｉ₂Ｏ、Ｎａ₂ＯおよびＫ₂
Ｏから選択された１または２以上 0〜8重量％、Ｃ
ｕ₂Ｏ、ＳｎＯ₂、Ｆｅ₂Ｏ₃およびＣｏ₃Ｏ₄から選択され
た１または２以上0〜10重量％、ＴｉＯ₂ 1〜25重量
％、ＺｒＯ₂ 0〜5重量％であり、かつ鉛を含まない
ガラス組成物。
【請求項３】請求項１または２に記載されたガラス組
成物粉末を含む厚膜ペースト。
【請求項４】請求項１または２に記載されたガラス組
成物粉末と無機フィラー粉末を含む厚膜ペースト。
【請求項５】無機フィラー粉末が導電性粉末、絶縁性
粉末および半導体粉末から選ばれた１種または２種以上
である請求項４に記載された厚膜ペースト。
【請求項６】導電性粉末が銅粉末、ニッケル粉末、コ
バルト粉末およびこれらの金属を含む合金粉末から選ば
れた１種または２種以上を含むものである請求項５に記
載された厚膜ペースト。
【請求項７】厚膜ペーストが積層セラミックコンデン
サ端子電極用導体ペーストである請求項６に記載された
厚膜ペースト。
【請求項８】絶縁性粉末が金属酸化物粉末およびセラ
ミックス粉末から選ばれた１種または２種以上である請
求項５ないし７のいずれかに記載された厚膜ペースト。