TW201641461A - 介電物帶組合物 - Google Patents

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馬克 查林沃思
雷恩 皮爾森
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Abstract

本發明提供一種適於在電子裝置中使用之介電物帶。一種介電物粉漿組合物包括：有機媒劑；及介電物玻璃組合物，其包括基於該玻璃組合物之100%總重量的至少約20wt%且不超過約50wt%之二氧化矽、基於該玻璃組合物之100%總重量的至少約10wt%且不超過約50wt%之鹼金屬氧化物；以及至少約1wt%且不超過約10wt%之至少一種過渡金屬氧化物。本發明亦提供一種形成電子裝置之方法。該方法包含以下步驟：將至少一個介電物帶施加至基板之至少一個非平坦表面；及使該至少一個介電物帶經受一或多個熱處理步驟以形成介電物層。

Description

介電物帶組合物
本發明針對於較佳係無鉛之介電物帶。特定而言，該等帶用於形成介電物層以用於電子總成及裝置中之熱管理。
傳統金屬芯印刷電路板(PCB)由於其自電子組件(舉例而言，諸如LED)耗散熱之能力而用於多種應用中。金屬芯PCB(MCPCB)通常由基底金屬(通常係鋁、銅或其之合金)形成，該基底金屬充當散熱體以自PCB之整體電子組件耗散熱。金屬芯通常由於其耗散熱之優越能力而用作對常見FR4板(纖維玻璃/環氧樹脂組合物材料)或CEM3電路板(聚四氟乙烯)之替代方案。
在結構上，MCPCB之PCB必須附接至散熱體以便允許散熱體自PCB耗散熱。某些習用散熱體取決於特定應用所需要之幾何結構而在其表面上具有凹入部。具有凹入部之散熱體可形成製造障礙，如PCB必須以機械方式(諸如利用螺絲)附接至散熱體。此增加MCPCB之材料及製造成本且亦在PCB與散熱體之間形成多個熱阻層，因此降低散熱體自PCB之電子組件耗散熱之能力。
一種將PCB直接施加至散熱體上之方法係透過厚膜處理(諸如藉由使用厚膜膏之絲網印刷)，藉此將介電物層及導電層(或其他熱或電子層)直接施加至散熱體。然而，此等厚膜膏並不適合於應用於具有凹入腔之散熱體，此乃因絲網印刷需要應用於實質上平坦表面。
如此，需要將介電物層(及導電層)直接施加至具有帶有凹入腔之表面或其他非平坦表面之散熱體的經改良方法。允許將介電物組合物直接施加至具有凹入腔之散熱體之方法將降低材料及製造成本，同時維持散熱體之熱耗散性質。
本發明之態樣提供一種厚膜介電物帶，該厚膜介電物帶可直接施加至基板或外殼(舉例而言，具有不平整表面(例如，凹入腔)之基板或外殼)，且該厚膜介電物帶展現適合熱耗散、電效能及至下伏基板之黏附性，同時亦維持高濕度位準下之耐久性。本發明之介電物帶組合物藉由在較少製造步驟中將各種厚膜材料(諸如導體、電阻器、介電物及諸如此類)施加至基板而允許混合厚膜電路之高效形成。
本發明提供一種適合於形成帶之介電物粉漿組合物，該介電物粉漿組合物包括：有機媒劑；介電物玻璃組合物；及基於該介電物粉漿組合物之100%總重量的至少約1wt%且不超過約10wt%之至少一種過渡金屬氧化物。該介電物玻璃組合物包括基於該玻璃組合物之100%總重量的至少約20wt%且不超過約50wt%之二氧化矽及基於該玻璃組合物之100%總重量的至少約10wt%且不超過約50wt%之鹼金屬氧化物。
本發明進一步提供一種製備介電物帶之方法，該方法包括以下步驟：(a)將介電物粉漿組合物施加至背襯膜之至少一個表面；(b)自該介電物粉漿組合物移除溶劑；及(c)視情況移除該背襯膜。該介電物粉漿組合物包括：有機媒劑，其包括溶劑；介電物玻璃組合物；及基於該介電物粉漿組合物之100%總重量的至少約1wt%且不超過約10wt%之至少一種過渡金屬氧化物。該介電物玻璃組合物包括基於該玻璃組合物之100%總重量的至少約20wt%且不超過約50wt%之二氧化矽及基於該玻璃組合物之100%總重量的至少約10wt%且不超過 約50wt%之鹼金屬氧化物。
本發明亦針對於一種形成電子裝置之方法，該方法包括以下步驟：將至少一個介電物帶施加至基板之至少一個非平坦表面；及使該至少一個介電物帶經受一或多個熱處理步驟以形成介電物層。
圖1繪示施加至實例1中所闡述之鋁基板之帶之示意圖。
如本文中所陳述，本發明針對於適合於在電子裝置中使用之介電物組合物。在一項實施例中，介電物組合物形成為介電物帶，該介電物帶可直接施加至基板，諸如具有不平整表面(諸如，具有凹入腔之表面)之基板。
本發明之介電物帶通常包括被處理成背襯膜上之帶之介電物粉漿組合物。一旦將粉漿組合物施加至背襯膜達到規定厚度，便可然後將該粉漿組合物乾燥以移除有機溶劑組分(下文中所論述)。可然後將所得介電物帶直接施加至基板，其中背襯膜仍附接或背襯膜可在將該介電物帶施加至該基板之前移除。
在較佳實施例中，介電物帶由粉漿組合物形成，該粉漿組合物包括有機媒劑及介電物玻璃料。較佳地，該粉漿組合物進一步包括至少一種過渡金屬氧化物。所得介電物帶較佳地具有充足絕緣電阻及擊穿電壓，使得該所得介電物帶將電路之電子組件與金屬基板(例如，散熱體)電隔離。介電物帶較佳地良好黏附至基板(特定而言，含有凹入腔之基板)，且展現在具有高濕度及高溫(舉例而言，在85℃/85%相對濕度下)之環境中之耐久性。
玻璃料組合物
粉漿組合物之玻璃料較佳地包含(若干)氧化物，該(等)氧化物為玻璃組合物提供特定特性，諸如特定電性質及熱性質。在一項實施例 中，粉漿組合物較佳地包含基於粉漿組合物之100%總重量的至少約30wt%、較佳地至少約40wt%且最佳地至少約45wt%之玻璃料組合物。同時，粉漿組合物較佳地包含基於粉漿組合物之100%總重量的不超過約80wt%且較佳地不超過約70wt%之介電物玻璃。
在一項實施例中，介電物玻璃料具有約13ppm/℃至20ppm/℃之熱膨脹係數(CTE)。當將介電物帶(其包含本文中所陳述之介電物玻璃料)直接施加至基板時，較佳地，該介電物帶具有小於或等於基板之CTE之CTE，使得當總成經受加熱及後續冷卻時，材料以類似速率膨脹及收縮且較不可能破裂或彎曲。在一項實施例中，介電物帶之CTE並非顯著小於基板之CTE，以便避免可產生破裂或彎曲之過度應力。
如本文中所陳述，使用熱機械分析器(TMA)來量測CTE。當取決於玻璃轉變溫度時，通常在50℃至200℃之間以10℃/分鐘之加熱速率來量測CTE。首先，添加約0.5克至1克(基於3.05g/cm3之密度)之玻璃粉末以填充6mm(內徑)之丸粒模具。使用Carver液壓機(由印第安納州沃巴什之Carver公司製造)，用約130 lbs至150 lbs(2950psi至3425psi)之力壓製粉末達60秒。使用TA儀器TMA Q400em(由特拉華州紐卡斯爾之TA Instruments製造)及對應通用分析2000軟體，量測丸粒高度且在空氣(低於玻璃轉變溫度)中用0.2牛頓之所施加探針力以10℃/分鐘之速率將丸粒自50℃預焙燒至200℃。允許丸粒冷卻至40℃。重新量測丸粒高度且然後以5℃/分鐘之速率將丸粒加熱至約600℃(剛好超過軟化點)之溫度。然後由軟體計算CTE。
介電物玻璃料之另一特性係玻璃轉變溫度(Tg)。在材料之Tg處，非晶物質自剛性固體變換成部分移動之過冷熔體。介電物玻璃料之所要Tg係較佳地不超過約500℃且最佳地不超過約450℃。同時，介電物玻璃料之Tg係較佳地至少約320℃、較佳地至少約350℃。可使用SDT Q600儀器及對應通用分析2000軟體(兩者皆可自特拉華州紐卡斯爾之 TA Instruments-Waters有限責任公司獲得)、藉由差示掃描量熱法(DSC)來判定玻璃轉變溫度。將約20mg至30mg之量之樣本稱量至精確度為約0.01mg之樣本盤中。將空參考盤及樣本盤放置於設備中，關閉烘箱，且開始量測。自25℃之開始溫度至約600℃之結束溫度採用10℃/min之加熱速率。使用上文所闡述之軟體將DSC信號中之第一步階評估為玻璃轉變溫度Tg，且將所判定開始值視為Tg之溫度。
介電物玻璃料之再一特性係玻璃軟化溫度。玻璃軟化溫度標記玻璃材料開始軟化超出某一任意柔軟度之溫度或可在不永久變形之情況下處置玻璃之最大溫度。介電物玻璃料之玻璃軟化溫度係較佳地不超過約475℃且最佳地不超過約450℃。如本文中所陳述，以與CTE(上文所陳述)相同之方式量測玻璃軟化溫度。具體而言，可在相同測試參數下由TA儀器TMA Q400em裝備及對應軟體計算軟化溫度。軟化溫度錶示材料經歷自增加(膨脹)尺寸改變至降低尺寸之急劇改變的開始溫度。
介電物玻璃料粒子可展現多種大小及表面積。用以表徵玻璃組合物粒子之大小之一種方式係中位粒子直徑(d50)。中位粒子直徑(d50)係熟習此項技術者所習知之粒子特性。d50係粒子大小分佈之中位直徑或中值。其係累積分佈中之50%處的粒子直徑之值。較佳地，玻璃組合物粒子之中位粒子直徑(d50)係至少約0.5μm且較佳地至少約1μm。同時，d50係較佳地不超過約8μm、較佳地不超過約6μm且最佳地不超過約5μm。在最佳實施例中，介電物玻璃粒子之d50係2μm至5μm。混合物中之玻璃料粒子之最大粒子大小係較佳地約10μm。
可經由雷射繞射、動態光散射、成像、電泳光散射、粒子沈降或此項技術中已知之任何其他方法來量測粒子大小分佈。如本文中所陳述，使用連接至具有LA-910軟體程式之電腦之Horiba LA-910雷射繞射粒子大小分析器來判定玻璃料粒子之中位粒子直徑。自LA-910 手冊選擇玻璃料粒子之相對折射率且將該相對折射率輸入至軟體程式中。用去離子水或異丙醇(IPA)填充測試室達到槽上之恰當填充線。然後藉由使用軟體程式中之循環及攪動功能來使溶液循環。在一分鐘之後，將溶液排洩。將此額外重複一次以確保自該室清潔任何殘餘材料。然後用去離子水或IPA第三次填充該室且允許該室循環及攪動達一分鐘。藉由使用軟體中之消隱功能來消除溶液中之任何背景粒子。緩慢地將玻璃粉末(乾燥或分散於水或IPA中)添加至測試室中之溶液，直至透射比條(bar)在軟體程式中之恰當區中為止。一旦透射比處於正確位準，便開始超音波攪動且運行達30秒以防止聚結。在已停止超音波攪動之後，運行雷射繞射分析且量測玻璃料組分之粒子大小分佈並將該粒子大小分佈給定為d50。
在一項實施例中，介電物玻璃料包含二氧化矽及一或多種鹼金屬氧化物。當玻璃經受潮濕環境(舉例而言，具有至少85%相對濕度之環境)時，二氧化矽賦予介電物玻璃料充足耐久性。此增強併入有介電物帶之電子裝置之耐久性，該介電物帶係在外部使用且曝露於多種天氣要素。鹼金屬氧化物為玻璃料提供其熱膨脹係數(CTE)之有益增加。
仔細地平衡二氧化矽與鹼金屬氧化物組分，此乃因高二氧化矽含量減小CTE且鹼金屬氧化物含量對耐久性有不利影響。因此，玻璃料較佳地包含充足量之二氧化矽以賦予介電物組合物耐久性。在一項實施例中，玻璃料包含基於玻璃組合物之100%總重量的至少約20wt%且較佳地不超過50wt%之二氧化矽。同時，玻璃料較佳地包含基於介電物玻璃組合物之100%總重量的至少約10wt%且較佳地不超過約50wt%之鹼金屬氧化物。在一項實施例中，鹼金屬氧化物包含氧化鈉(例如，Na2O)、氧化鉀(例如，K2O)及氧化鋰(例如，Li2O)中之至少一者。
在較佳實施例中，玻璃料係無鉛的或實質上無鉛的(舉例而言，含有基於玻璃料組合物之100%總重量的小於0.5wt%之鉛)。在另一實施例中，玻璃料係無鉍的、無硼的或兩者兼具(舉例而言，含有基於玻璃料組合物之100%總重量的總共小於1wt%之鉍及硼)。
玻璃料亦可包含其他氧化物，諸如賦予玻璃經改良電效能、黏附性及耐久性之彼等氧化物。適合氧化物包含(但不限於)金屬氧化物或類金屬氧化物，諸如氧化釩、氧化鋁、氧化鈦、氧化鋇、氧化銻、氧化鋅、氧化錳、氧化磷、氧化鈣及其組合。此等氧化物或其組合較佳地(總共)以基於玻璃料組合物之100%總重量的至少約10wt%、較佳地至少約20wt%且最佳地至少約30wt%之量存在於介電物玻璃組合物中。同時，額外氧化物係基於玻璃料組合物之100%總重量較佳地不超過約60wt%且最佳地不超過約50wt%。
在較佳實施例中，基於玻璃之100%總重量，玻璃料包括以下各項：小於約1wt%之Al2O3；約1wt%至5wt%之BaO；約1wt%至5wt%之P2O5；約5wt%至15wt%之K2O；約25wt%至40wt%之SiO2；約15wt%至25wt%之Na2O；約15wt%至25wt%之TiO2；約1wt%至5wt%之Sb2O3；小於約1wt%之Bi2O3；小於約1wt%之B2O3；小於約1wt%之CaO；約1wt%至5wt%之Li2O；約3wt%至10wt%之V2O5；約小於約1wt%之ZnO。
有機媒劑
粉漿組合物進一步包括有機媒劑。有機媒劑提供透過其將介電物玻璃料形成為介電物帶組合物之介質。其賦予粉漿組合物所要黏度及流變性，此允許將粉漿滾動鑄造且附接至背襯膜。在介電物粉漿組合物中使用之有機媒劑可包含溶劑、黏結劑及其他添加劑(例如，表面活性劑、塑化劑及觸變劑)之組合以針對給定應用產生所要流動性質、乾燥行為及生坯強度。最低限度，有機媒劑包含至少一種黏結劑 (例如，聚合有機黏結劑)。有機聚合物黏結劑促進將玻璃料與有機媒劑之粉漿(或漿液)處理成帶。
在一項實施例中，介電物粉漿組合物包含基於粉漿組合物之100%總重量的至少約10wt%、較佳地至少約10wt%且最佳地至少約15wt%之有機媒劑。同時，粉漿組合物包含基於粉漿組合物之100%總重量的不超過約40wt%、較佳地不超過約35wt%且最佳地不超過約30wt%之有機媒劑。
在一項實施例中，有機媒劑包含具有固化溫度之至少一種黏結劑，該固化溫度與基板之熱處理溫度相容。較佳黏結劑係聚合黏結劑、單體黏結劑及係聚合物與單體之組合之黏結劑。在較佳實施例中，使用熱塑性黏結劑。較佳熱塑性黏結劑包含丙烯酸樹脂及聚乙烯丁醛樹脂。黏結劑可以基於有機媒劑之100%總重量的至少約20wt%、較佳地至少約30wt%且最佳地至少約40wt%之量存在於有機媒劑中。同時，黏結劑較佳地以基於有機媒劑之100%總重量的不超過約80wt%、較佳地不超過約70wt%之量存在。
粉漿組合物之有機媒劑亦包含一或多種溶劑。可使用此項技術中已知之任何溶劑。較佳溶劑包含(但不限於)甲基乙基酮(MEK)、甲基異丁基酮(MIBK)、甲醇、乙醇及異丙醇(IPA)。溶劑並無特定限制，只要其為粉漿組合物提供充足黏度及流變性以便能夠形成介電物帶即可。在較佳實施例中，溶劑具有小於150℃、較佳地小於120℃之沸點。
在一項實施例中，有機媒劑包括基於介電物帶之100%總重量的至少約20wt%、較佳地至少約25wt%之總溶劑。同時，該(等)溶劑可以基於有機媒劑之100%總重量的不超過約70wt%、較佳地不超過約60wt%之量存在。
有機媒劑亦可包括一或多種添加劑。媒劑中之較佳添加劑係不 同於前述媒劑組分且有助於介電物粉漿組合物之有利黏度及流變性之彼等添加劑。另外，較佳添加劑為所得介電物帶提供撓性及/或強度。較佳添加劑包含(但不限於)表面活性劑、塑化劑、觸變劑、黏度調節劑、穩定劑、無機添加劑、增稠劑、硬化劑、稀釋劑、乳化劑、分散劑、pH調節劑及其任何組合。
塑化劑增加粉漿組合物之可塑性、流動性及撓性，從而允許較高效施加至背襯膜，此乃因塑化劑使帶具較小脆性且較易於處置。可使用與其他媒劑組分相容的此項技術中已知之任何塑化劑。在一項實施例中，將酞酸丁基苄基酯、聚氧乙烯芳基醚或環氧化樹脂酸辛酯用作塑化劑。塑化劑可以基於有機媒劑之100%總重量的至少約0.1wt%、較佳地至少約1wt%之量存在。同時，塑化劑較佳地以基於有機媒劑之100%總重量的不超過約15wt%、較佳地不超過約12wt%之量存在。
觸變劑較佳地用於調整粉漿組合物(尤其係針對具有低黏度之粉漿)之流變性以產生較均勻鑄造。觸變劑亦誘發剪切稀化行為，該剪切稀化行為導致經改良可印刷性。可使用與其他媒劑組分相容的此項技術中已知之任何觸變劑。較佳觸變劑包含(但不限於)羧酸衍生物、較佳地脂肪酸衍生物或其組合。較佳脂肪酸衍生物包含(但不限於)飽和脂肪酸及不飽和脂肪酸，例如，C8至C20脂肪酸(諸如C9H19COOH(癸酸)、C11H23COOH(月桂酸)、C13H27COOH(肉豆蔻酸)、C15H31COOH(棕櫚酸)、C17H35COOH(硬脂酸)、C18H34O2(油酸)、C18H32O2(亞麻油酸)或其組合)。此內容脈絡中包括脂肪酸之較佳組合係蓖麻油。額外觸變劑包含(但不限於)Thixatrol® ST、Thixatrol® PLUS及Thixatrol® MAX(由Elementis Specialties公司製造)。在較佳實施例中，介電物組合物包含至少一種觸變劑，諸如可自德克薩斯州奧斯汀之BYK Additives公司獲得之RYK®-410(其含有1-甲基-2-吡咯啶 酮及氯化鋰)。此等組分可併入有溶劑及/或溶劑/黏結劑混合物，或該等組分可直接添加至粉漿組合物中。若存在，則觸變劑較佳地係基於有機媒劑之100%總重量的至少約0.1wt%且較佳地不超過約10wt%。
在一項實施例中，介電物粉漿組合物具有足以在背襯膜上且最後在基板上形成層之黏度。使用Brookfield® DV-III型可程式化流變計來量測黏度。具體而言，使用#03心軸在16oz.罐中對樣本進行量測，且該量測在一分鐘之後以20RPM進行。根據一項實施例，介電物粉漿組合物具有至少約500cPs、較佳地至少約700cPs且最佳地至少約800cPs之黏度。同時，介電物粉漿組合物較佳地具有不超過約2000cPs且較佳地不超過約1900cPs之黏度。在最佳實施例中，介電物粉漿組合物具有介於900cPs與1600cPs之間的黏度。
在一項實施例中，所得介電物帶組合物具有足以提供介電物帶層之所要電效能及經焙燒膜厚度之固體含量(亦即，總無機組分)。根據一項實施例，介電物帶具有基於介電物帶組合物之總重量的至少約50%、較佳地至少60%且更佳地至少70%之固體含量。同時，該帶較佳地具有不超過約90%之固體含量。為了量測固體含量，量測用於特定應用之未經塗佈基板(例如，鋼或鋁)之重量。將大約1克之帶施加至基板。再次量測經塗佈基板之重量。將塗佈帶之基板放置於處於約150℃之盒式烘箱中且將該基板乾燥達約15分鐘至30分鐘。根據給定應用之所要焙燒量變曲線焙燒經塗佈零件。再次量測經焙燒塗佈之基板之最終重量。然後分別自塗佈帶之基板之重量及自經焙燒塗佈之基板之重量減去未經塗佈基板之重量以計算濕潤帶及經焙燒帶之重量。藉由將經焙燒帶重量除以濕潤帶重量來計算固體含量(以%表示)。亦可藉由TGA(熱重分析)判定固體含量。在此方法中，將少量之濕潤帶(例如，至少20mg)添加至氧化鋁坩堝。以預定義速率將坩堝加熱至 所要峰值溫度，該預定義速率取決於帶之組合物而通常係約10℃/分鐘或20℃/分鐘。在峰值溫度下剩餘之所計算殘餘物表示帶之固體含量。
添加劑
根據一項實施例，介電物粉漿組合物亦可包含不同於玻璃料及有機媒劑之添加劑。較佳添加劑有助於所得介電物帶之黏附效能、電效能及耐久性。此項技術中已知之所有添加劑可用作介電物粉漿組合物中之添加劑。較佳添加劑包含(但不限於)塑化劑、溶劑及表面活性劑、不同於有機媒劑組分之所有前述添加劑以及無機添加劑。
介電物粉漿組合物較佳地包含至少一種表面活性劑。在此項技術中已知且在本發明之內容脈絡中被視為適合之所有表面活性劑可用作有機媒劑中之表面活性劑。較佳表面活性劑包含(但不限於)基於直鏈、支鏈、芳香族鏈、氟化鏈、矽氧烷鏈、聚醚鏈及其組合之彼等表面活性劑。較佳表面活性劑包含(但不限於)單鏈式、雙鏈式或多鏈式。適合表面活性劑包含(但不限於)非離子型、陰離子型、陽離子型、兩親性或兩性離子化合物。較佳表面活性劑包含(但不限於)聚合或單體表面活性劑或者其混合物。在一項實施例中，有機媒劑包含非鄰苯二甲酸酯表面活性劑。在一項實施例中，表面活性劑可具有顏料親和基團，較佳地係具有顏料親和基團之羥基官能羧酸酯(例如，由BYK USA公司製造之DISPERBYK®表面活性劑)。表面活性劑可以基於介電物粉漿組合物之100%總重量的至少約0.1wt%、較佳地至少約1wt%之量存在。同時，表面活性劑較佳地以基於介電物粉漿組合物之100%總重量的不超過約15wt%、較佳地不超過約10wt%且最佳地不超過約5wt%之量存在。
較佳無機添加劑包含(但不限於)過渡金屬(諸如鎳、鋯、鈦、錳、錫、釕、鈷、鐵、銅、鉻、鎢、鉬、鋅)及其氧化物。在較佳實 施例中，粉漿組合物包含至少一種過渡金屬氧化物。粉漿組合物可包括氧化鈦作為除玻璃料組合物之外的不同添加劑。在一項實施例中，介電物粉漿組合物包含基於粉漿組合物之100%總重量的至少約1wt%(較佳地至少約2wt%且最佳地至少約3wt%)且較佳地不超過約10wt%(更佳地不超過約8wt%)之氧化鈦。
粉漿組合物亦可包含鹼性金屬與鹼土金屬及其氧化物、後過渡金屬(諸如硼、矽、鍺、碲、釓、鉛、鉍及銻)、稀土金屬(諸如鑭及鈰)、氧化物、混合金屬氧化物、錯合物、由彼等氧化物形成之非晶或部分結晶玻璃或者其中之至少兩者之任何組合。
在較佳實施例中，介電物粉漿組合物包含約52wt%之玻璃料、約6wt%之TiO2添加劑、約19wt%之有機媒劑及約23wt%之有機添加劑，該等有機添加劑包含溶劑及(若干)表面活性劑。
形成介電物帶
為了形成介電物帶，使用用於製備有機媒劑之技術中已知之任何方法來組合有機媒劑之組分。該方法較佳地產生均質分散之組合物。然後根據此項技術中之任何已知方法(舉例而言，諸如利用混合器)將玻璃料粒子及(若干)添加劑(若存在)與有機媒劑混合在一起，且然後將其碾磨以形成分散均勻之低黏度組合物，該組合物被稱為粉漿組合物。
然後將粉漿組合物施加至背襯膜之至少一個表面以形成介電物帶。在一項實施例中，將粉漿組合物滾動鑄造至背襯膜上。在此方法中，將背襯膜固持於輥上，且當在平臺上方將帶傳送至另一空輥時，使用固定高度之刀片將粉漿組合物施加至背襯膜。當將具有介電物粉漿組合物之背襯膜包裹至第二輥上時同時發生乾燥。可使用在其各側中之至少一者上包含釋放劑之任何適合背襯膜。適合背襯膜包含(但不限於)聚酯膜、塗佈矽之聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜(諸如，由 Hansung Systems製造之彼等塗佈矽之聚對苯二甲酸乙二酯膜)及釋放襯裡(諸如，由Saint-Gobain Performance Plastics製造之彼等釋放襯裡)。
在一項實施例中，粉漿組合物以至少約100mm且較佳地不超過約200mm(較佳地不超過約180mm且更佳不超過約170mm)之厚度施加至背襯膜之至少一個表面。在一項實施例中，該厚度係約100mm至約150mm。
然後將所得介電物帶乾燥以移除存在於有機媒劑中之揮發性有機組分(亦即，溶劑)，藉此形成介電物生坯帶。在一項實施例中，在至少約50℃且不超過約100℃之溫度下使用高氣流與輻射熱之組合執行乾燥達至少10分鐘至15分鐘。然而，可採用此項技術中已知之任何乾燥方法。此時，可自介電物帶移除(諸如藉由剝落)背襯膜。在另一實施例中，背襯膜可保持附接至介電物帶直至將介電物帶施加至基板為止。
形成介電物層
介電物帶可用於形成電子裝置中之介電物層。電子裝置通常由基板及具有特定電及/或熱性質的施加至基板之多種層組成。可使用熟習此項技術者所知曉且適合於在任何特定電子應用中使用之任何基板。可基於諸如溫度限定、電或機械性質之因素來選擇適合基板。介電物帶之CTE較佳地小於或等於基板之CTE以便避免在加熱/冷卻期間破裂或彎曲。在一項實施例中，基板具有至少約10ppm/K之CTE。同時，基板較佳地具有不超過約25ppm/K之CTE。較佳地，基板係鋁或鋼。
可使用此項技術中已知之任何方法(諸如藉由壓製)將介電物帶直接施加至基板之至少一個表面。在一項實施例中，可以一個層或多個層(亦即，堆疊式)施加介電物帶以形成具有所要厚度之介電物層。如 本文中所陳述，可將介電物帶直接施加至基板，甚至施加於不平整(亦即，非平坦)表面(諸如凹入腔)內。在一項實施例中，可使用任何已知施加方法將電子電路直接施加至介電物帶之經曝露表面以形成電子裝置。
在較佳實施例中，介電物帶然後經歷層壓製程。在一項實施例中，可使用單軸向或等靜層壓製程。在單軸向製程中，提供具有兩個扁平鋼板之單軸向壓機。將規定力及溫度(取決於帶組合物)施加至帶達一段時間以允許層壓。在等靜製程中，提供等靜壓機，其中在指定溫度下在兩側上將均勻力施加至整個介電物帶。當使用等靜壓機時，應將零件密封於真空密封袋中。在一項實施例中，在介於自約60℃至100℃之範圍內之溫度下、在約500psi至5,000psi之壓力下進行層壓製程達約2分鐘至15分鐘。
一旦將該(等)帶層壓，包含基板及施加至基板之介電物帶層的整個總成便可經歷至少一個熱處理步驟。在進一步實施例中，基板、介電物帶層及所施加電子電路可一起經歷熱處理。在鋁基板之情況下，可在空氣或氮氣氣氛中以至少約500℃、較佳地至少約550℃且最佳地至少約580℃之溫度焙燒總成。當使用鋁基板時，焙燒溫度較佳地不超過鋁之熔化溫度(例如，約620℃)。在鋼基板之情況下，可在空氣或氮氣氣氛中以至少約500℃之溫度焙燒總成。同時，焙燒溫度係較佳地不超過約1,000℃。較佳地以峰值溫度焙燒總成達至少約2分鐘至3分鐘、較佳地至少約5分鐘至7分鐘，但不超過約25分鐘且較佳地不超過約20分鐘。
在較佳實施例中，經焙燒厚膜介電物層具有至少約30μm、較佳地至少約40μm且最佳地至少約45μm之厚度。同時，經焙燒厚膜介電物層較佳地具有不超過約80μm、較佳地不超過約75μm且最佳地不超過約70μm之厚度。
本發明之介電物帶可用於形成多種電子裝置(舉例而言，諸如電路、太陽能電池、LED、顯示器、電容器、電阻器或其任何組合)。在一項實施例中，該等電子裝置可藉由移印方法而施加至介電物層。介電物層起作用以自電子組件朝向基板耗散熱。以此方式，可延長電子裝置之壽命。
量測介電物層之效能
可評估經乾燥介電物層之強度及電效能以確保該等經乾燥介電物層將滿足特殊應用標準。以視覺方式評估經乾燥介電物層之強度。首先，觀察介電物帶自背襯膜剝離之能力。若介電物帶能夠自背襯膜完全剝離而不具有任何結構缺陷(諸如，破裂)，則將該介電物帶視為具有良好強度。若介電物帶過多地黏附至背襯膜使得該介電物帶無法作為一個整體帶剝離，則該介電物帶具有低強度。
可根據本文中之實例中所陳述之參數來量測介電物層之電效能。現將結合以下非限制性實例來闡述本發明。
實例 實例1
利用PET背襯膜製備三個例示性介電物帶。該三個帶具有160μm至170μm之生坯厚度(在乾燥之後)。將每一帶層壓至2.25”×2.25”×0.090”鋁基板(3003等級)上。在層壓期間在負載下以變化之溫度、壓力及時間執行實驗以取得對鋁基板上之所得生坯帶之品質之影響。
使用0.25”鋁板來固持鋁基板。將帶放置至乾淨鋁基板上，其中背襯膜面向上。將0.05”橡膠墊子放置於基板之頂部上，其中該帶施加至該基板。將該等板放置於兩個真空袋中，將該等真空袋置於70℃及1250psi下之等靜壓機中達10分鐘。允許零件冷卻，將零件自袋中移除，並移除背襯膜。此在圖1中示意性地展示。所有經乾燥膜展現良好耐久性，此乃因容易地移除背襯膜且在介電物帶中不存在任何結 構缺陷。
然後在三種不同條件下焙燒基板。在每一情形中，經焙燒膜厚度係80mm。以視覺方式評估經焙燒介電物膜以判定其強度。
在條件1下焙燒之介電物帶展現在經焙燒膜中不存在任何視覺缺陷(例如，破裂、線斷裂、鼓泡)。在條件2下焙燒之介電物帶展現經焙燒膜中之某種程度之缺陷，使得該介電物帶具有平均強度。在條件3下焙燒之介電物帶展現在經焙燒膜中幾乎不存在視覺缺陷。如此，判定條件1及條件3針對此實例之特定參數產生最佳經焙燒膜。
實例2
利用PET背襯膜製備另一例示性介電物帶。該帶具有105μm之生坯厚度(在乾燥之後)。根據實例1中所陳述之參數將該帶層壓至2”×2”鋁基板(3003等級)上。在約150℃下將該基板乾燥達十分鐘且隨後在約580℃下將該基板焙燒達約4分鐘至5分鐘。該帶之經焙燒膜厚度係約50μm至55μm。
使經焙燒基板經受電測試。使用由加利福尼亞州波威之Vitrek公司製造之Vitrek介電物測試器進行擊穿電壓與絕緣電阻測試。以VDC單位或VAC單位量測擊穿電壓。藉由將電極附接至導體(其施加至介電物帶)且將另一電極附接至鋁基板而製備典型測試處方。以每秒100 伏特之轉動速率將電壓施加至頂部導體直至記錄短路或擊穿電壓為止。較佳地，大於每Mil 1,000伏特之擊穿電壓及至少109Ω之絕緣電阻在工業中被視為可接受的。
使用可自Zwick GmbH & Co.KG獲得之Zwick Roell Z25測試站機器根據標準拉力測試來量測介電物帶之黏附效能。為了製備測試試樣，首先以超音波方式清潔測試鉛(由電鍍焊料之銅60/40錫形成)。將測試墊(80mil導電黏附墊)沈積至測試試件上。將測試鉛形成為牧羊杖型件(Shepherds Crooks)且將測試鉛附接至試件上之導電墊。將測試試件浸漬於經輕度活化松香銲劑(RMA)、未經活化松香銲劑(R)或經活化松香銲劑(RA)中。在約230℃下將零件浸漬於錫鉛焊料(例如，Sn62/Pb38/Ag2、Sn63/Pb37)中或在約250℃下將零件浸漬於無鉛焊料(例如，稱為SAC之Sn96.5/Ag3/Cu0.5、Sn95/Ag5)中。將零件浸沒於焊料中達三秒至五秒以完全塗佈墊。在用軟刷輕柔地清潔之前，使用適當溶劑(較佳地丙酮)清潔焊料接頭達幾分鐘。通常，約4 lbf或更大之拉力在工業中係較佳的。
亦將經焙燒基板放置於設定於85℃之溫度及85%之相對濕度(85℃/85 RH)之濕度室中達150個小時之週期以量測高溫/高濕度位準下之耐久性。基板亦在約150℃之溫度下經歷熱老化達約150個小時。最後，在熱循環測試中，基板經歷經增加溫度(150℃)之100次循環達約150個小時。
下文之表2中陳述電效能及黏附結果。表2中之擊穿電壓及絕緣電阻值係自測試期間所獲取之35個資料點求平均，電容、%耗散因數及K值係自測試期間所獲取之10個資料點求平均，且黏附值係自測試期間所獲取之12個資料點求平均。
熟習此項技術者將依據前述說明書明瞭本發明之此等及其他優點。因此，熟習此項技術者應認識到，可在不背離本發明之寬廣發明性概念之情況下對上文所闡述實施例做出改變或修改。僅出於圖解說明目的而闡述任何特定實施例之特定尺寸。因此，應理解，本發明並非限制於本文中所闡述之特定實施例，而是意欲包含在本發明之範疇及精神內之所有改變及修改。

Claims (21)

  1. 一種適合於形成帶之介電物粉漿組合物，其包括：(a)有機媒劑；及(b)介電物玻璃組合物，其包括：(i)基於該玻璃組合物之100%總重量的至少約20wt%且不超過約50wt%之二氧化矽，(ii)基於該玻璃組合物之100%總重量的至少約10wt%且不超過約50wt%之鹼金屬氧化物，以及(c)基於該介電物粉漿組合物之100%總重量的至少約1wt%且不超過約10wt%之至少一種過渡金屬氧化物。
  2. 如請求項1之介電物粉漿組合物，其中該介電物粉漿組合物包括基於該介電物粉漿組合物之100%總重量的至少約30wt%且不超過約80wt%之介電物玻璃組合物。
  3. 如請求項1或2之介電物粉漿組合物，其中該介電物玻璃組合物具有約13ppm/℃至20ppm/℃之熱膨脹係數。
  4. 如前述請求項中任一項之介電物粉漿組合物，其中該介電物玻璃組合物具有至少約320℃且不超過約500℃之玻璃轉變溫度。
  5. 如前述請求項中任一項之介電物粉漿組合物，其中該介電物玻璃組合物具有不超過約475℃之玻璃軟化溫度。
  6. 如前述請求項中任一項之介電物粉漿組合物，其中該介電物玻璃組合物係無鉛的。
  7. 如前述請求項中任一項之介電物粉漿組合物，其中該介電物玻璃組合物以具有至少約0.5μm且不超過約8μm之中位粒子直徑之玻璃料之形式提供。
  8. 如前述請求項中任一項之介電物粉漿組合物，其中該有機媒劑 以基於該介電物粉漿組合物之100%總重量的至少約10wt%且不超過約40wt%之量存在。
  9. 如前述請求項中任一項之介電物粉漿組合物，其中該介電物粉漿組合物具有至少約70%且不超過約90%之固體含量。
  10. 如前述請求項中任一項之介電物粉漿組合物，其中該至少一種過渡金屬氧化物包含氧化鈦。
  11. 一種製備介電物帶之方法，其包括：(a)將介電物粉漿組合物施加至背襯膜之至少一個表面，該介電物粉漿組合物包括：(i)有機媒劑，其包括溶劑，(ii)介電物玻璃組合物，其包括：1.基於該玻璃組合物之100%總重量的至少約20wt%且不超過約50wt%之二氧化矽，2.基於該玻璃組合物之100%總重量的至少約10wt%且不超過約50wt%之鹼金屬氧化物，及(iii)基於該介電物粉漿組合物之100%總重量的至少約1wt%且不超過約10wt%之至少一種過渡金屬氧化物；(b)自該介電物粉漿組合物移除該溶劑；及(c)視情況移除該背襯膜。
  12. 如請求項11之方法，其中以自約100μm至約200μm之厚度將該介電物粉漿組合物施加至該背襯膜之該表面。
  13. 一種形成電子裝置之方法，其包括：(a)將至少一個介電物帶施加至基板之至少一個非平坦表面；及(b)使該至少一個介電物帶經受一或多個熱處理步驟以形成介電物層。
  14. 如請求項13之方法，其中以堆疊配置將複數個介電物帶施加至該基板之該非平坦表面。
  15. 如請求項13或14之方法，其進一步包括在該熱處理步驟之前層壓該至少一個介電物帶。
  16. 如請求項13至15之方法，其中該基板係鋁或鋼。
  17. 如請求項13至16之方法，其中該介電物帶進一步包含附接至其表面之背襯膜，該背襯膜係在將該至少一個介電物帶施加至該基板之該至少一個非平坦表面之後被移除。
  18. 如請求項13至17之方法，其中至少一或多個熱處理步驟以針對鋁基板小於620℃之溫度及針對鋼基板小於1,000℃之溫度在空氣或氮氣氣氛中執行。
  19. 一種電子裝置，其藉由如請求項13至18中任一項之方法而製備。
  20. 如請求項19之電子裝置，其中該電子裝置選自電路、太陽能電池、LED、顯示器、電容器、電阻器及其任何組合。
  21. 如請求項19或20之電子裝置，其中電路施加至介電物帶之表面，使得該介電物帶將熱自該電路耗散至該基板且提供該電路與該基板之間的電絕緣。
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Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62287658A (ja) * 1986-06-06 1987-12-14 Hitachi Ltd セラミックス多層回路板
EP0376670B1 (en) * 1988-12-27 1995-08-09 Kabushiki Kaisha Toshiba A high-dielectric constant ceramic composite and ceramic capacitor elements
US6197480B1 (en) * 1995-06-12 2001-03-06 Toray Industries, Inc. Photosensitive paste, a plasma display, and a method for the production thereof
JPH11228222A (ja) * 1997-12-11 1999-08-24 Murata Mfg Co Ltd 誘電体磁器組成物及びそれを用いたセラミック電子部品
US6835682B2 (en) 2002-06-04 2004-12-28 E. I. Du Pont De Nemours And Company High thermal expansion glass and tape composition
JP4371141B2 (ja) * 2004-03-01 2009-11-25 株式会社村田製作所 絶縁体セラミック組成物、絶縁性セラミック焼結体および積層型セラミック電子部品
KR100616677B1 (ko) * 2005-04-11 2006-08-28 삼성전기주식회사 유전체용 글라스 프릿트, 유전체 자기조성물, 적층세라믹커패시터 및 그 제조방법
US7666328B2 (en) * 2005-11-22 2010-02-23 E. I. Du Pont De Nemours And Company Thick film conductor composition(s) and processing technology thereof for use in multilayer electronic circuits and devices
US20090004366A1 (en) * 2007-06-28 2009-01-01 Asahi Glass Company Limited Process for producing electrode-formed glass substrate
IT1401220B1 (it) * 2010-07-15 2013-07-12 Metallux Sa Sensore e metodo di fabbricazione.
EP2952486A1 (en) 2014-06-03 2015-12-09 Heraeus Precious Metals North America Conshohocken LLC Dielectric glass composition

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