JP2017178774A - ビスマス系無鉛ガラス組成物 - Google Patents
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Abstract
Description
下記特許文献1には、プラスチックフィルム基材上に、透明導電層、有機発光媒体層、陰極層を順次積層し、接着層を介して金属箔が積層された有機EL素子の構造が提案されているが、かかるプラスチックフィルム基材は水分バリア性の点で満足するものではない。
また下記特許文献2には、ステンレス基材上にポリイミド樹脂から成る平坦化層を設けたフレキシブルデバイス用基板が提案されているが、ポリイミド樹脂の吸水性が高いことから、やはり水分バリア性の点で満足するものではない。
更に下記特許文献3には、ステンレス基材上にシリカ系ガラスを製膜したフレキシブル太陽電池基板が提案されているが、シリカ系ガラスは一般にステンレスに比べて熱膨張係数が小さく、ステンレス基材に対する密着性に欠けると共に、シリカ系ガラスは曲げ加工や衝撃に弱いという問題を有している。
本発明者等は、ガラス層表面に形成されるこれらの微小欠陥についてその発生原因を研究した結果、ガラス層表面に形成されるこれらの微小欠陥は、ガラスからの結晶の発生や、気泡の破裂痕、樹脂の分解物等を原因として形成され、特にはじきは気泡の破裂痕やガラスの結晶化などによるガラス層の乱れを基点とした表面張力の影響により発生することが分かった。
本発明のビスマス系無鉛ガラス組成物においては、
1.SiO2及び/又はAl2O3を含有し、前記SiO2の含有量が0〜2重量%、Al2O3の含有量が0〜1重量%の量(ただし、SiO2及びAl2O3の両方がゼロの場合を含まない)であること、
2.CuO及び/又はNiOを含有し、前記CuOの含有量が0〜2重量%、NiOの含有量が0〜2重量%の量(CuO及びNiOの両方がゼロの場合を含まない)であること、
3.Y2O3、ZrO2、La2O3、CeO2、TiO2、CoO、Fe2O3の何れかを1.5重量%以下(ゼロを含まない)の量で含有すること、
が好適である。
しかも金属基材との密着性に優れていると共に、薄層でもブツやはじきの発生がないことから、フレキシブルデバイス用基板などの有機EL関連用の基板に好適に使用できる。
また本発明のビスマス系無鉛ガラス組成物は、密な構造で水分の透過を完全に防ぐことが可能であることから、金属基板を用いた電子デバイス用の絶縁層として優れた水分バリア性を発現することが可能である。
本発明のビスマス系無鉛ガラス組成物は、Bi2O3を70〜84重量%、ZnOを10〜12重量%、B2O3を6〜12重量%の量で含有することが重要な特徴であり、これらの成分が上記範囲で含有され、共晶点周辺の範囲にあることにより、結晶化しにくいガラスが形成される。
また、ZnOは、ガラスを安定化し、ガラス溶融時に失透を抑制するための成分であり、10〜12重量%、特に10.5〜11重量%の量で含有されていることが好適である。上記範囲よりもZnOの含有量が少ないと、ガラスの耐久性が低下すると共に、失透しやすくなる。またガラス転移温度が高くなり、焼成されたガラスの平滑性が低下する。一方上記範囲よりもZnOの含有量が多いと、結晶化が促進され、ブツやはじき発生のおそれがあると共に、耐久性が低下する。
更にB2O3はガラスネットワークを形成する成分であり、6〜12重量%、特に6〜7重量%の量で含有されていることが好適である。上記範囲よりB2O3の含有量が少ないと、ガラスが不安定になって耐久性が低下すると共に、焼成時に結晶化しやすくなり、ブツやはじき発生のおそれがある。その一方上記範囲よりもB2O3の含有量が多いと、耐水性が低下する。
SiO2は、B2O3と共にガラスネットワークを形成し、ガラスを更に安定化させることが可能になる。SiO2の配合量は、2重量%以下、特に1.2〜1.5重量%の範囲にあることが好適である。上記範囲よりもSiO2の配合量が多いと、上記範囲で配合した場合に比してガラスの溶融性が低下するおそれがある。
また、Al2O3を配合することにより、ガラスを更に安定化することが可能になる。Al2O3の配合量は1重量%以下、特に0.4〜0.6重量%の範囲であることが好適である。上記範囲よりもAl2O3の配合量が多いと、上記範囲で配合した場合に比してガラスの溶融性が低下するおそれがある。
CuOを2重量%以下、特に1.3〜1.6重量%の量で配合することにより、ガラスの溶融性が向上される。上記範囲よりもCuOの配合量が多いと、金属基材への密着性が低下するおそれがある。
またNiOを2重量%以下、特に1.3〜1.6重量%の量で配合することにより、CuOを配合した場合と同様に、ガラスの溶融性が向上される。上記範囲よりもNiOの配合量が多いと、金属基材への密着性が低下するおそれがある。
Y2O3、ZrO2、La2O3、CeO2、TiO2、CoO、Fe2O3の何れかを上記量で含有することにより、ガラスの耐久性を向上することができるが、上記範囲よりもこれらの成分の配合量が多くなると、却ってガラスの耐久性を低下させるおそれがある。尚、これらの成分は、複数種を組み合わせで使用することも可能であるが、その場合には、合計量が1.5重量%以下であることが好ましい。
本発明のビスマス系無鉛ガラス組成物ペーストは、上述したガラス組成物の粉体及びビヒクルから成り、ガラス組成物粉体の平均粒径は20μm以下であることが重要な特徴である。
ガラス組成物粉体と共にペーストを構成するビヒクルは、ペーストの粘性を調整するために用いられ、有機バインダを溶剤に溶解して調製される。
ガラス組成物ペーストは、上述したガラス組成物粉体を30〜80重量%、有機バインダを0〜10重量%(ゼロを含まない)、溶媒を10〜70重量%の量で含有することが好適である。上記範囲よりもガラス組成物粉体の量が少ない場合には、ペースト粘度が低くなり、所望厚みのガラス層の形成が難しくなり、その一方上記範囲よりもガラス組成物粉体の量が多い場合には、ペースト粘度が高くなりすぎて塗工性に劣るようになる。また上記範囲よりも有機バインダの量が少ない場合には、塗工性に劣るようになり、その一方上記範囲よりも有機バインダの量が多いと、焼成後に有機物の未焼成物が残留するおそれがある。更に上記範囲よりも溶媒の量が少ない場合には、ペースト粘度が高くなりすぎて塗工性に劣るようになり、その一方上記範囲よりも溶媒の量が多いと、ペースト粘度が低くなりすぎ、所望厚みのガラス層の形成が困難になる。
また溶剤は用いる有機バインダによって適宜選択され、これに限定されないが、セルロース系樹脂の場合は、水、ターピネオール、ブチルカルビトールアセテート、エチルカルビトールアセテート等;アクリル系樹脂の場合は、メチルエチルケトン、ターピネオール、ブチルカルビトールアセテート、エチルカルビトールアセテート等;脂肪族ポリオレフィン系カーボネートの場合は、炭酸プロピレン、トリアセチン等;の溶媒を用いることができる。
ガラス組成物粉体は、上述したガラス組成物を混合し、800〜1200℃の温度で加熱して溶融ガラス化し、急冷してガラスフリットを得た後、これを粉砕することにより得られる。粉砕方法としては、JET粉砕、ラピッドミル粉砕、ボールミル粉砕等従来公知の方法を挙げることができる。
本発明においては、ガラス組成物粉体の平均粒径が20μm以下、好ましくは1〜10μm、より好ましくは1〜5μmの範囲にあることが、平滑なガラス表面を得る上で重要であり、このような微細な粉体を得るためには、上記粉砕方法の中でもJET粉砕によることが好適である。
尚、本発明においてガラス組成物粉体の平均粒径は、レーザ回折・散乱法による測定値である。
混合・分散の方法は、撹拌翼を備えた回転式の混合機やビーズミル、ペイントシェイカー、ロールミル、メノウ乳鉢、超音波等による分散方法を例示できるが、好適には、ビーズミル、ペイントシェイカー、ロールミルによって、混合・分散することが望ましい。
また、ガラス組成物ペーストには、必要に応じて、公知の増粘剤、分散剤等を公知の処方に従って添加することもできる。
本発明のガラス組成物ペーストは、ガラス基板、セラミックス基板、アルミニウム基板、ステンレス基板、鋼板及びNiをはじめとする各種めっき鋼板、チタン基板等の基板に、例えばバーコーター、ダイコーター、ロールコーター、グラビアコーター、スクリーン印刷、オフセット印刷、アプリケーター等によって塗工することができる。
塗工されたガラスペーストは、80〜180℃の温度で乾燥する。乾燥後、必要により、脱バインダ処理を行う。脱バインダ処理は、180〜450℃の温度で10分以上加熱することが好ましい。
乾燥後、必要により脱バインダ処理に賦された塗工面を、550〜900℃、好適には650〜850℃の温度で、10〜300秒間、焼成することによりガラス層が形成される。上記範囲よりも焼成温度が低い場合には、上記範囲にある場合に比して溶融が不十分になるおそれがあり、一方上記範囲よりも焼成温度が高い場合には、上記範囲にある場合に比して基板に影響を与えるおそれがある。
ガラス組成物:表1に示す組成のビスマス系ガラス組成物を用いた。
ビヒクル:有機バインダとしてメチルセルロース、溶媒として水から成り、これらが1:99の重量比で配合されて成るビヒクルを用いた。
表1に示すガラス組成物粉体と、ビヒクルを重量比が50:50になるように乳鉢で混合し、セラミック製ロールにて分散処理を行ない、ガラス層形成用ガラスペーストを作成した。
基板として、Niめっき鋼板を用い、アルコールに浸したガーゼで表面を拭き取り、脱脂した後、熱処理されたNiめっき層上に、バーコーターで焼成後の膜厚が20μmになるようにガラスペーストを塗布し、塗膜を形成した。次いで、電気炉を用いて、乾燥(温度:120℃、時間:20分)、焼成(温度:750℃、時間:15秒)を行い、フレキシブルデバイス用基板を作成した。
形成されたガラス層について、ガラス膜中のはじきの有無、結晶化(ブツ)の有無について、下記のように評価した。結果を表1に示す。
尚、評価基準は以下の通りである。
[はじきの判断基準]
100×100mmサイズのフレキシブルデバイス用基板につき、目視確認できるはじきの有無を以下の評価基準で評価した。
◎:はじきは皆無
○:はじき個数5個未満
△:はじき個数が5個以上10個未満
×:はじき個数が10個以上
[結晶化]
100×100mmサイズのフレキシブルデバイス用基板につき、目視で確認できる結晶化の有無で判断した。
Claims (5)
- Bi2O3を70〜84重量%、ZnOを10〜12重量%、B2O3を6〜12重量%の量で含有することを特徴とするビスマス系無鉛ガラス組成物。
- SiO2及び/又はAl2O3を含有し、SiO2の含有量が0〜2重量%、Al2O3の含有量が0〜1重量%の量(SiO2及びAl2O3の両方がゼロの場合を含まない)である請求項1記載のビスマス系無鉛ガラス組成物。
- CuO及び/又はNiOを含有し、CuOの含有量が0〜2重量%、NiOの含有量が0〜2重量%の量(CuO及びNiOの両方がゼロの場合を含まない)である請求項1又は2記載のビスマス系無鉛ガラス組成物。
- Y2O3、ZrO2、La2O3、CeO2、TiO2、CoO、Fe2O3の何れかを1.5重量%以下(ゼロを含まない)の量で含有する請求項1〜3の何れかに記載のビスマス系無鉛ガラス組成物。
- 請求項1〜4の何れかに記載のガラス組成物の粉体及びビヒクルから成るビスマス系無鉛ガラス組成物ペーストであって、前記ガラス組成物粉体の平均粒径が20μm以下であることを特徴とするビスマス系無鉛ガラス組成物ペースト。
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