JP3358589B2 - セラミック基板用組成物、グリーンシートおよびセラミック回路部品 - Google Patents

セラミック基板用組成物、グリーンシートおよびセラミック回路部品

Info

Publication number
JP3358589B2
JP3358589B2 JP16064299A JP16064299A JP3358589B2 JP 3358589 B2 JP3358589 B2 JP 3358589B2 JP 16064299 A JP16064299 A JP 16064299A JP 16064299 A JP16064299 A JP 16064299A JP 3358589 B2 JP3358589 B2 JP 3358589B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
weight
ceramic
composition
ceramic substrate
powder
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP16064299A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2000351668A (ja
Inventor
和雄 岸田
晃 白鳥
修 横倉
洋 鷹木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Priority to JP16064299A priority Critical patent/JP3358589B2/ja
Priority to US09/550,826 priority patent/US6376055B1/en
Priority to DE60004924T priority patent/DE60004924T2/de
Priority to EP00109591A priority patent/EP1059271B1/en
Publication of JP2000351668A publication Critical patent/JP2000351668A/ja
Priority to US09/930,010 priority patent/US6448195B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3358589B2 publication Critical patent/JP3358589B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/10—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on aluminium oxide
    • C04B35/111—Fine ceramics
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C14/00—Glass compositions containing a non-glass component, e.g. compositions containing fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like, dispersed in a glass matrix
    • C03C14/004—Glass compositions containing a non-glass component, e.g. compositions containing fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like, dispersed in a glass matrix the non-glass component being in the form of particles or flakes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
    • C03C8/14—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
    • H01L23/15—Ceramic or glass substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/901—Printed circuit
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
    • Y10T428/24917—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.] including metal layer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
    • Y10T428/24926—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.] including ceramic, glass, porcelain or quartz layer

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、セラミック基板
用組成物、グリーンシートおよびセラミック回路部品に
関するもので、特に、１０００℃以下の低温で焼結させ
ることが可能なセラミック基板用組成物、ならびにそれ
を用いて構成されるグリーンシートおよび多層集積回路
部品、厚膜ハイブリッド回路部品などのセラミック回路
部品に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】現在、セラミック基板の主流はアルミナ
基板である。しかし、アルミナ基板を得るためには、約
１６００℃という高温で焼成しなければならないため、
アルミナ基板をもってたとえば多層回路部品を構成する
場合には、内部の導体において高融点の金属を用いなけ
ればならない。ところが、高融点金属は、一般に、高抵
抗であるため、高周波化および高速化の進む多層回路部
品のための導体としてはふさわしくない。
【０００３】そこで、Ａｕ、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｇ−
Ｐｔ、Ｃｕなどの低抵抗の金属を内部導体として使用す
ることを可能にする、焼成温度が１０００℃以下のガラ
スセラミック基板が注目され、種々開発されている。
【０００４】たとえば、特公平３−５３２６９号公報で
は、重量基準で５０〜６４％のガラス粉末と５０〜３５
％のＡｌ2 Ｏ3 粉末とを混合して、８００〜１０００℃
で焼結し得る低温焼結セラミック基板が記載されてい
る。
【０００５】しかしながら、上述のようなガラス仕込み
量が５０％以上の基板の場合、焼成後の基板中の結晶質
割合が少なくなり、基板の誘電損失が低くなったり、高
い機械的強度が得られにくい、という問題がある。ま
た、焼成後の基板表面に厚膜電極や厚膜抵抗を焼き付け
る場合に、残存するガラスの影響で基板が歪みやすい、
という問題もある。
【０００６】上述のような問題の解決方法として、出発
原料のガラス粉末の組成を焼結後に結晶化しやすいもの
とし、焼結後の基板中の結晶質割合を高くすることが考
えられる。しかし、ガラス仕込み量が５０％以上の場合
のように、出発原料中のガラス割合が多い基板では、焼
成中のガラスの結晶化によって生じる基板内の歪みの影
響が大きく、焼結後の基板に反りなどの変形や割れが発
生しやすい、という問題がある。
【０００７】また、特公平４−４２３４９号公報では、
重量基準で１０〜５５％のＭＯ（ただし、Ｍは、Ｃａ、
Ｍｇ）と０〜３０％のＡｌ2 Ｏ3 と４５〜７０％のＳｉ
Ｏ2と０〜３０％のＢ2 Ｏ3 とからなるガラス粉末を４
０〜５０％と、Ａｌ2 Ｏ3 粉末を６０〜５０％とを混合
して、１１００℃以下で焼成するようにされた、低温焼
成セラミック組成物が記載されている。また、同公報に
は、出発原料中のＡｌ 2 Ｏ3 粉末の割合を増やすことに
より、２６００〜３２００ｋｇｆ／ｃｍ2 （２５５〜３
１４ＭＰａ）の抗折強度が得られることが記載されてい
る。
【０００８】しかしながら、上述のような抗折強度は、
従来から回路基板として使われているアルミナ基板の抗
折強度（３５０ＭＰａ前後）に比べて低い値であり、さ
らに高い強度が望まれる。
【０００９】また、同公報記載の基板の熱膨張係数は、
４．０から５．７ｐｐｍ／℃となっている。従来は、
３．５ｐｐｍ／℃の熱膨張係数を有するシリコンチップ
（ＩＣ）を直接搭載することを前提として、基板の熱膨
張係数も低い方が好ましいと考えられてきた。しかしな
がら、アンダーフィルなどの緩衝材を用いて応力緩和を
行なう搭載方法の発達などにより、セラミック基板とシ
リコンチップとの熱膨張係数のミスマッチがそれほど大
きな問題ではなくなってきている。また、以前予想され
ていたほど、シリコンチップの大型化は進んでいない。
【００１０】このような状況では、セラミック基板をよ
り大型のマザーボードとなる樹脂基板へ接合した場合
の、セラミック基板と樹脂基板との熱膨張係数のミスマ
ッチの方が、むしろ大きな影響を及ぼすことになる。た
とえば、代表的なガラスエポキシ（ＦＲ−４）の場合、
１４〜１６ｐｐｍ／℃の熱膨張係数を有し、アラミド繊
維補強エポキシの場合、約８ｐｐｍ／℃の熱膨張係数を
有する。そして、セラミック基板と樹脂基板との熱膨張
係数のミスマッチの度合いが大きいと、両者の間の接続
の信頼性が失われる、という問題に遭遇する。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】そこで、この発明の目
的は、上述したような問題を解決し得る、セラミック基
板用組成物、ならびにそれを用いて構成されるグリーン
シートおよびセラミック回路部品を提供しようとするこ
とである。
【００１２】より具体的には、この発明によれば、Ａ
ｕ、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｔ、Ｃｕなどの低抵抗
の金属を内部導体として用いることを可能にする、焼成
温度が１０００℃以下の電子回路用セラミック基板のた
めの組成物が提供され、この組成物を焼成して得られた
セラミック基板によれば、３００ＭＰａ以上の抗折強度
と１４００以上のＱ値（１ＭＨｚ）と６．０ｐｐｍ／℃
以上の熱膨張係数とを実現することが可能になる。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上述した技術的課題を解
決するため、この発明に係るセラミック基板用組成物
は、第１の局面では、５〜１７．５重量％のＢ2 Ｏ3 、
２８〜４４重量％のＳｉＯ2 、０〜２０重量％のＡｌ2
Ｏ3 、および３６〜５０重量％のＣａＯからなるホウケ
イ酸系ガラス粉末とセラミック粉末とを混合したもので
あり、ホウケイ酸系ガラス粉末を４０〜４９重量％、お
よびセラミック粉末を６０〜５１重量％それぞれ含有す
ることを特徴としている。この発明に係るセラミック基
板用組成物は、第２の局面では、５〜１７．５重量％の
Ｂ 2 Ｏ 3 、２８〜４４重量％のＳｉＯ 2 、０〜２０重量
％のＡｌ 2 Ｏ 3 、および３６〜５０重量％のＭＯ（ただ
し、ＭＯは、ＣａＯと、ＭｇＯおよびＢａＯから選ばれ
た少なくとも１種とからなる。）からなるホウケイ酸系
ガラス粉末とセラミック粉末とを混合したものであり、
ホウケイ酸系ガラス粉末を４０〜４９重量％、およびセ
ラミック粉末を６０〜５１重量％それぞれ含有し、焼成
後にウォーラストナイトの結晶相が析出し得るものであ
ることを特徴としている。
【００１４】この発明に係るセラミック基板用組成物
は、好ましくは、焼結後の熱膨張係数が６．０ｐｐｍ／
℃以上である。
【００１５】また、前述したセラミック粉末は、アルミ
ナ粉末を含むことが好ましい。
【００１６】また、ホウケイ酸系ガラスは、Ｌｉ2 Ｏ、
Ｋ2 Ｏ、およびＮａ2 Ｏから選ばれた少なくとも１種の
アルカリ金属の酸化物を、第１の局面では、Ｂ2 Ｏ3 、
ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 およびＣａＯの合計量１００重量
部に対して、また、第２の局面では、Ｂ 2 Ｏ 3 、ＳｉＯ
2 、Ａｌ 2 Ｏ 3 およびＭＯの合計量１００重量部に対し
て、５重量部以下の含有量をもって含有してもよい。
【００１７】また、ホウケイ酸系ガラスは、ＴｉＯ2 、
ＺｒＯ2 、Ｃｒ2 Ｏ3 、ＣａＦ2 、およびＣｕＯから選
ばれた少なくとも１種の化合物を、第１の局面では、Ｂ
2 Ｏ 3 、ＳｉＯ 2 、Ａｌ 2 Ｏ 3 およびＣａＯの合計量１
００重量部に対して、また、第２の局面では、Ｂ
2 Ｏ 3 、ＳｉＯ 2 、Ａｌ 2 Ｏ 3 およびＭＯの合計量１０
０重量部に対して、５重量部以下の含有量をもって含有
してもよい。この発明は、また、上述のようなセラミッ
ク基板用組成物を含む、グリーンシートにも向けられ
る。
【００１８】この発明は、また、上述したようなセラミ
ック基板用組成物を成形し焼成して得られた基板と、こ
の基板に関連して形成された導電体回路とを備える、セ
ラミック回路部品にも向けられる。
【００１９】このセラミック回路部品において、導電体
回路は、好ましくは、Ａｇ、Ａｕ、およびＣｕから選ば
れた少なくとも１種の金属を主成分として含む。
【００２０】
【発明の実施の形態】この発明は、ホウケイ酸系ガラス
粉末とアルミナ粉末のようなセラミック粉末とを混合し
てなる、低温焼成可能なセラミック基板用組成物におい
て、焼結後に結晶化しやすい組成のホウケイ酸系ガラス
粉末を焼結助剤として添加し、かつガラス添加量をセラ
ミック添加量より少量とすることによって、焼成後のセ
ラミック基板の結晶質割合を高くして、高機械的強度か
つ６．０ｐｐｍ／℃以上の高熱膨張係数を有し、低損失
である、低温焼成可能なセラミック基板を実現できるこ
とを特徴としている。
【００２１】焼成中のガラスの結晶化は、前述のよう
に、セラミック基板中に歪みを発生させ、焼結後のセラ
ミック基板の変形の原因となるが、この発明において添
加されるガラス量は、４９重量％以下にし、セラミック
添加量より少量としているため、焼成中のガラスの結晶
化に起因するセラミック基板の変形を有利に抑制するこ
とができる。
【００２２】また、添加するガラスは、焼成過程で起こ
る軟化・粘性流動により、セラミック基板を１０００℃
以下で焼結させるための焼結助剤として働く。この焼結
助剤としての機能を確実に働かせるためには、ガラスの
添加量は、４０重量％以上でなければならない。
【００２３】上述したように軟化・粘性流動したガラス
成分からは、容易にウォーラストナイト、アノーサイト
などの結晶相が析出するため、焼結後のセラミック基板
を高機械的強度かつ低損失にすることができる。
【００２４】ガラスの構成成分は、ガラス網目形成酸化
物であるＢ2 Ｏ3 およびＳｉＯ2 、ガラス網目修飾酸化
物であるＣａＯまたはＭＯ（ただし、ＭＯは、ＣａＯ
と、ＭｇＯおよびＢａＯから選ばれた少なくとも１種と
からなる。）、および網目修飾酸化物と協働して網目形
成能を発現するガラス網目中間酸化物であるＡｌ2 Ｏ3
からなる。これら酸化物の割合は、前述したように、セ
ラミック基板を１０００℃以下で焼結可能とするための
焼結助剤として働き、かつ焼結過程で結晶相が析出しや
すいように調整される。
【００２５】より具体的には、ガラス網目形成酸化物で
あるＢ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 のうち、Ｂ 2 Ｏ3 は軟化温度を
下げて粘性流動を促進するための酸化物であり、その含
有量は５〜１７．５重量％に選ばれる。５重量％より少
ないと、ガラスの軟化・流動性が悪くなり、１７．５重
量％より多くなると、ガラスの耐水性が十分でなく、高
温・多湿等の環境下で使用すると、セラミック基板の変
質を生じる恐れがあるとともに、ガラス自体のＱ値が低
くなるので、得られたセラミック基板のＱ値も低くなる
傾向がある。
【００２６】また、ガラス網目形成酸化物のうち、Ｓｉ
Ｏ2 は、２８〜４４重量％の含有率に選ばれる。ＳｉＯ
2 が２８重量％より少ないと、残存するガラス自体の誘
電率が高くなり、低誘電率のセラミック基板を得ること
ができない。他方、４４重量％より多くなると、ガラス
の軟化・流動性が悪くなり、セラミック基板を１０００
℃以下で焼結させることができず、また、ガラスの結晶
化も阻害されて、高機械的強度かつ低損失といった特性
を実現できなくなるとともに、セラミック基板の熱膨張
係数が低くなる。
【００２７】ガラス網目中間酸化物であるＡｌ2 Ｏ
3 は、０〜２０重量％の含有量に選ばれる。Ａｌ2 Ｏ3
は、ガラス中間酸化物として働き、ガラス構造を安定化
させる成分であるが、２０重量％を超えると、ガラスの
軟化・流動性が悪くなり、セラミック基板を１０００℃
以下で焼結させることができず、ガラスの結晶化も阻害
されて、高機械的強度かつ低損失といった特性を実現で
きなくなる。
【００２８】ガラス網目修飾酸化物であるＣａＯまたは
ＭＯは、ガラスの軟化・流動性を促進する成分であり、
その含有量は、３６〜５０重量％に選ばれる。ＣａＯま
たはＭＯが３６重量％より少ないと、ガラスの軟化・流
動性が悪く、また、得られたセラミック基板の熱膨張係
数が低くなる。他方、ＣａＯまたはＭＯが５０重量％を
越えると、ガラス構造が不安定となって、品質の安定し
たガラスが得られなくなる。
【００２９】以上のような組成を有するガラスの作製に
おいて、軟化・流動性をより促進させたい場合は、Ｌｉ
2 Ｏ、Ｋ2 Ｏ、およびＮａ2 Ｏから選ばれた少なくとも
１種のアルカリ金属の酸化物を、上述したような、Ｂ2
Ｏ3 、ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3およびＣａＯまたはＭＯの
合計量１００重量部に対して５重量部以下の含有量をも
って含有させてもよい。なお、これらアルカリ金属の酸
化物の含有量が５重量部を超えると、ガラスの電気絶縁
性が低下するため、焼結後のセラミック基板の絶縁抵抗
が低下してしまい、また、セラミック基板の熱膨張係数
も低くなる。
【００３０】また、焼成過程でのガラスの結晶化をより
促進して、得られたセラミック基板の高機械的強度化や
低損失化を進めるため、ＴｉＯ2 、ＺｒＯ2 、Ｃｒ2 Ｏ
3 、ＣａＦ2 、およびＣｕＯから選ばれた少なくとも１
種の化合物を、前述したＢ2Ｏ3 、ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ
3 およびＭＯの合計量１００重量部に対して５重量部以
下の含有量をもって含有させてもよい。なお、これらの
化合物の含有量が５重量部を超えると、ガラスの誘電率
が高くなるため、焼結後のセラミック基板の誘電率が高
くなりすぎる、という問題がある。
【００３１】以上述べたようなセラミック基板用組成物
は、これを成形し焼成して得られた基板と、この基板に
関連して形成された導電体回路とを備える、セラミック
回路部品を製造するために有利に用いられる。
【００３２】図１は、上述したセラミック回路部品の一
例であって、この発明の一実施形態によるセラミック多
層回路部品１を図解的に示す断面図である。セラミック
多層回路部品１は、概略的に言えば、セラミック基板２
とこのセラミック基板２の内部および／または表面に形
成される導電体回路３とを備えている。
【００３３】セラミック基板２は、上述したような組成
を有するセラミック基板用組成物を含む複数のグリーン
シートを積層して得られたセラミック成形体を焼成する
ことによって得られたものであり、複数のグリーンシー
トの各々の焼成によってもたらされる複数のセラミック
層４を備えている。
【００３４】導電体回路３は、たとえば、Ａｇ、Ａｕ、
およびＣｕから選ばれた少なくとも１種の金属を主成分
とする導電成分を含む導電性ペーストを上述したセラミ
ック成形体と同時に焼成することによって形成されたも
のである。導電体回路３は、セラミック基板２の表面に
形成されるものとして、たとえば、外部導体５、６およ
び７等を備え、また、セラミック基板２の内部に形成さ
れるものとして、たとえば、内部導体８、９、１０、１
１および１２等を備えるとともに、バイアホール接続部
１３、１４、１５、１６、１７、１８および１９等を備
えている。
【００３５】内部導体８および９は、特定のセラミック
層４を介して対向し、コンデンサ部２０を構成する。ま
た、バイアホール接続部１６〜１９ならびに内部導体１
０〜１２は、交互に順次接続され、インダクタ部２１を
構成する。
【００３６】
【実施例】以下に、この発明に係るセラミック基板用組
成物に関して、実施例に基づき、より具体的に説明す
る。
【００３７】表１には、この実施例において作製したセ
ラミック基板用組成物の組成が示されている。
【００３８】
【表１】
【００３９】まず、表１に示すガラス組成となるよう
に、出発原料となる酸化物または炭酸塩を調合し、これ
をＰｔるつぼに入れ、ガラス組成により１３００〜１７
００℃の温度で１時間溶融させた。次いで、このガラス
融液を急冷した後、粉砕し、各試料に係るガラス粉末を
得た。なお、表１において、出発原料となるＭＯ（Ｃａ
Ｏ、ＭｇＯおよびＢａＯ）、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｂ2 Ｏ3 およ
びＳｉＯ2 については、これらの間での組成比率が「重
量％」の単位をもって示され、ＴｉＯ2 等の「その他」
の出発原料については、ＭＯ、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｂ2 Ｏ3 お
よびＳｉＯ2 の合計量１００重量部に対する「重量部」
を単位として示されている。
【００４０】次いで、上述のようにして得られた各ガラ
ス粉末とフィラーとなる表１に示すようなアルミナ粉末
等のセラミック粉末とを、表１の「ガラス量」および
「フィラー／量」で示す割合で混合するとともに、これ
らに溶剤、バインダおよび可塑剤を加え、十分に混合
し、ドクターブレード法を適用することによって、グリ
ーンシートを得た。
【００４１】次に、上述のようにして得られた各試料に
係るグリーンシートに基づき、いくつかの形態の試料を
作製し、表２に示すような「抗折強度」、「比誘電率
（εr）」、「Ｑ」、「熱膨張係数」および「析出結晶
相」をそれぞれ評価した。
【００４２】
【表２】
【００４３】まず、各試料に係るグリーンシートを所定
枚数積層し、所定寸法にカットした後、表２に示す焼成
温度で焼成することによって焼結体を得、これを研磨加
工することによって、長さ３６ｍｍ、幅４ｍｍおよび厚
み３ｍｍの寸法とした。このようにして得られた各試料
に係る焼結体について、ＪＩＳ規格（ＪＩＳ Ｒ１６０
１）に準じて、抗折強度（３点曲げ）を測定した。ま
た、Ｘ線回折分析によって、焼結体中の析出結晶相を同
定した。なお、表２の析出結晶相に関して、「Ａ」はア
ルミナを示し、「Ｗ」はウォーラストナイトを示し、
「Ｆ」はフォルステライトを示している。
【００４４】また、各試料に係るグリーンシートを所定
枚数積層した後、表２に示す焼成温度で焼成することに
よって得られた焼結体を、ダイシングソーによってカッ
トして、長さ１０ｍｍ、幅３ｍｍおよび厚み３ｍｍの寸
法とした。このような寸法を有する焼結体について、２
５℃〜５００℃での熱膨張係数を測定した。
【００４５】また、各試料に係るグリーンシートを用い
て、図１に示すようなセラミック多層回路部品１を作製
した。すなわち、グリーンシートに穴を設け、Ａｇ系ペ
ーストをこれらに充填してバイアホール接続部１３〜１
９を形成した後、Ａｇ系ペーストをスクリーン印刷して
所定のパターンの外部導体５〜７ならびに内部導体８〜
１２を形成した。その後、セラミック層４となるべきこ
れらのグリーンシートを所定枚数積層し、プレスした。
次いで、空気中で、表２に示す焼成温度で焼成して、セ
ラミック多層回路部品１を作製した。
【００４６】このようにして得られたセラミック多層回
路部品１における外部導体５および６の間に周波数１Ｍ
Ｈｚの電圧を印加して、コンデンサ部２０の静電容量お
よびＱを測定し、比誘電率（εr ）を算出した。比誘電
率（εr ）およびＱが表２に示されている。
【００４７】表１および表２において、試料１〜２４
は、この発明の範囲内の実施例に相当し、試料２５〜３
３は、この発明の範囲外の比較例に相当している。
【００４８】表２を参照して、この発明の実施例として
の試料１〜２４において、抗折強度が３００〜３５０Ｍ
Ｐａと高く、εr が７．０〜８．８の範囲にあり、ま
た、Ｑが１４００〜５０００と大きく、熱膨張係数が
６．０以上と大きく、セラミック回路部品におけるセラ
ミック基板として十分な特性を示した。
【００４９】また、ガラス中にＬｉ2 Ｏ、Ｋ2 Ｏまたは
Ｎａ2 Ｏのようなアルカリ金属の酸化物を含有させた試
料２２〜２４においては、ガラスの軟化温度が低下する
ので、アルカリ金属を含まないことを除いて同様のガラ
ス組成を有する試料４と比較すると、ガラス添加量が少
ないにもかかわらず、同じ温度で焼成できることが確認
された。
【００５０】また、ガラス中にＴｉＯ2 、ＺｒＯ2 、Ｃ
ｒ2 Ｏ3 、ＣａＦ2 またはＣｕＯを含有させた試料１２
〜２１においては、表２には示していないが、Ｘ線回折
分析によって、結晶化が促進されていることが確認され
た。
【００５１】他方、比較例である試料２５では、ガラス
中のアルカリ土類金属すなわちＭの含有量が少ないた
め、１０００℃以下の温度での焼成では、緻密な焼結体
が得られなかった。試料２６では、ガラス中のＭの含有
量が多いため、不安定なガラスとなり、焼成温度を最適
化しても、焼結体の密度が十分に上がらず、抗折強度が
２５０ＭＰａと低くなった。
【００５２】試料２７では、ガラス中のＡｌ2 Ｏ3 量が
多すぎるため、１０００℃以下の焼成温度で緻密な焼結
体が得られなかった。
【００５３】試料２８では、ガラス中のＢ2 Ｏ3 量が少
なすぎるため、１０００℃以下の焼成温度で緻密な焼結
体が得られなかった。試料２９では、ガラス中のＢ2 Ｏ
3 量が多すぎるため、Ｑが１０００と低くなった。
【００５４】試料３０では、ガラス中のＳｉＯ2 量が少
ないため、比誘電率（εr ）が９．１と大きくなった。
試料３１では、ガラス中のＳｉＯ2 量が多すぎるため、
熱膨張係数が５．８と小さくなった。
【００５５】試料３２では、ガラスの添加量が少ないた
め、１０００℃以下の焼成温度で焼結しなかった。試料
３３では、ガラスの添加量が多すぎるため、抗折強度が
２８０ＭＰａと低くなった。
【００５６】
【発明の効果】以上のように、この発明に係るセラミッ
ク基板用組成物によれば、１０００℃以下の低温焼結が
可能であるので、Ａｇ系やＣｕ系などの低抵抗の金属を
主成分として含む導電体回路を備えるセラミック回路部
品を得るにあたって、これら導電体回路のための金属と
同時に焼成することができ、また、この組成物を用いて
構成されたセラミック基板によれば、基板として必要な
高機械的強度、低誘電率、低損失かつ高熱膨張係数を実
現でき、これをもって、良好な特性かつ高い信頼性を有
するたとえばセラミック多層回路部品のようなセラミッ
ク回路部品を得ることができる。
【００５７】特に、この発明に係るセラミック基板用組
成物によれば、熱膨張係数６．０ｐｐｍ／℃以上を実現
できるので、エポキシ樹脂等のマザーボードとの熱膨張
係数のマッチングが良好で、高い接続信頼性を達成でき
る。
【００５８】この発明に係るセラミック基板用組成物に
おいて、ホウケイ酸系ガラスが、Ｌｉ2 Ｏ、Ｋ2 Ｏ、お
よびＮａ2 Ｏから選ばれた少なくとも１種のアルカリ金
属の酸化物を、Ｂ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 および
ＣａＯまたはＭＯの合計量１００重量部に対して５重量
部以下の含有量をもって含有していると、ガラスの軟化
・流動性が促進され、当該セラミック基板用組成物にお
けるガラスの含有量を少なくしても、焼結温度を比較的
低く維持することができる。
【００５９】また、この発明に係るセラミック基板用組
成物において、ホウケイ酸系ガラスが、ＴｉＯ2 、Ｚｒ
Ｏ2 、Ｃｒ2 Ｏ3 、ＣａＦ2 、およびＣｕＯから選ばれ
た少なくとも１種の化合物を、Ｂ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、Ａ
ｌ2 Ｏ3 およびＣａＯまたはＭＯの合計量１００重量部
に対して５重量部以下の含有量をもって含有している
と、ガラスの結晶化が促進され、得られたセラミック基
板のさらなる高機械的強度化や低損失化に寄与させるこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施形態によるセラミック多層回
路部品１を図解的に示す断面図である。
【符号の説明】
１ セラミック多層回路部品 ２ セラミック基板 ３ 導電体回路 ４ セラミック層 ５〜７ 外部導体 ８〜１２ 内部導体 １３〜１９ バイアホール接続部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鷹木 洋 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株 式会社村田製作所内 (56)参考文献 特開 昭63−239892（ＪＰ，Ａ) 特開2000−223619（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C04B 35/10 - 35/22

Claims (11)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ５〜１７．５重量％のＢ2 Ｏ3 、２８〜
    ４４重量％のＳｉＯ2 、０〜２０重量％のＡｌ2 Ｏ3 、
    および３６〜５０重量％のＣａＯからなるホウケイ酸系
    ガラス粉末とセラミック粉末とを混合したものであり、
    前記ホウケイ酸系ガラス粉末を４０〜４９重量％、およ
    び前記セラミック粉末を６０〜５１重量％それぞれ含有
    する、セラミック基板用組成物。
  2. 【請求項２】 ５〜１７．５重量％のＢ 2 Ｏ 3 、２８〜
    ４４重量％のＳｉＯ 2 、０〜２０重量％のＡｌ 2 Ｏ 3 、
    および３６〜５０重量％のＭＯ（ただし、ＭＯは、Ｃａ
    Ｏと、ＭｇＯおよびＢａＯから選ばれた少なくとも１種
    とからなる。）からなるホウケイ酸系ガラス粉末とセラ
    ミック粉末とを混合したものであり、前記ホウケイ酸系
    ガラス粉末を４０〜４９重量％、および前記セラミック
    粉末を６０〜５１重量％それぞれ含有し、焼成後にウォ
    ーラストナイトの結晶相が析出し得る、セラミック基板
    用組成物。
  3. 【請求項３】 焼結後の熱膨張係数が６．０ｐｐｍ／℃
    以上である、請求項１または２に記載のセラミック基板
    用組成物。
  4. 【請求項４】 前記セラミック粉末は、アルミナ粉末を
    含む、請求項１ないし３のいずれかに記載のセラミック
    基板用組成物。
  5. 【請求項５】 前記ホウケイ酸系ガラスは、Ｌｉ 2 Ｏ、
    Ｋ 2 Ｏ、およびＮａ 2 Ｏから選ばれた少なくとも１種の
    アルカリ金属の酸化物を、前記Ｂ 2 Ｏ 3 、ＳｉＯ 2 、Ａ
    ｌ 2 Ｏ 3 およびＣａＯの合計量１００重量部に対して５
    重量部以下の含有量をもって含有する、請求項１に記載
    のセラミック基板用組成物。
  6. 【請求項６】 前記ホウケイ酸系ガラスは、Ｌｉ2 Ｏ、
    Ｋ2 Ｏ、およびＮａ2 Ｏから選ばれた少なくとも１種の
    アルカリ金属の酸化物を、前記Ｂ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、Ａ
    ｌ2 Ｏ3 およびＭＯの合計量１００重量部に対して５重
    量部以下の含有量をもって含有する、請求項２に記載の
    セラミック基板用組成物。
  7. 【請求項７】 前記ホウケイ酸系ガラスは、ＴｉＯ 2 、
    ＺｒＯ 2 、Ｃｒ 2 Ｏ 3 、ＣａＦ 2 、およびＣｕＯから選
    ばれた少なくとも１種の化合物を、前記Ｂ 2 Ｏ 3 、Ｓｉ
    Ｏ 2 、Ａｌ 2 Ｏ 3 およびＣａＯの合計量１００重量部に
    対して５重量部以下の含有量をもって含有する、請求項
    １に記載のセラミック基板用組成物。
  8. 【請求項８】 前記ホウケイ酸系ガラスは、ＴｉＯ2 、
    ＺｒＯ2 、Ｃｒ2 Ｏ3 、ＣａＦ2 、およびＣｕＯから選
    ばれた少なくとも１種の化合物を、前記Ｂ2Ｏ3 、Ｓｉ
    Ｏ2 、Ａｌ2 Ｏ3 およびＭＯの合計量１００重量部に対
    して５重量部以下の含有量をもって含有する、請求項２
    に記載のセラミック基板用組成物。
  9. 【請求項９】 請求項１ないし８のいずれかに記載のセ
    ラミック基板用組成物を含む、グリーンシート。
  10. 【請求項１０】 請求項１ないし８のいずれかに記載の
    セラミック基板用組成物を成形し焼成して得られた基板
    と、前記基板に関連して形成された導電体回路とを備え
    る、セラミック回路部品。
  11. 【請求項１１】 前記導電体回路は、Ａｇ、Ａｕ、およ
    びＣｕから選ばれた少なくとも１種の金属を主成分とし
    て含む、請求項１０に記載のセラミック回路部品。
JP16064299A 1999-06-08 1999-06-08 セラミック基板用組成物、グリーンシートおよびセラミック回路部品 Expired - Lifetime JP3358589B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16064299A JP3358589B2 (ja) 1999-06-08 1999-06-08 セラミック基板用組成物、グリーンシートおよびセラミック回路部品
US09/550,826 US6376055B1 (en) 1999-06-08 2000-04-18 Composition for ceramic substrate and ceramic circuit component
DE60004924T DE60004924T2 (de) 1999-06-08 2000-05-05 Zusammensetzung für Keramiksubstrat und Keramikschaltungselement
EP00109591A EP1059271B1 (en) 1999-06-08 2000-05-05 Composition for ceramic substrate and ceramic circuit component
US09/930,010 US6448195B2 (en) 1999-06-08 2001-08-15 Composition for ceramic substrate and ceramic circuit component

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16064299A JP3358589B2 (ja) 1999-06-08 1999-06-08 セラミック基板用組成物、グリーンシートおよびセラミック回路部品

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000351668A JP2000351668A (ja) 2000-12-19
JP3358589B2 true JP3358589B2 (ja) 2002-12-24

Family

ID=15719359

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP16064299A Expired - Lifetime JP3358589B2 (ja) 1999-06-08 1999-06-08 セラミック基板用組成物、グリーンシートおよびセラミック回路部品

Country Status (4)

Country Link
US (2) US6376055B1 (ja)
EP (1) EP1059271B1 (ja)
JP (1) JP3358589B2 (ja)
DE (1) DE60004924T2 (ja)

Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002226259A (ja) * 2000-11-29 2002-08-14 Murata Mfg Co Ltd セラミック電子部品の基体用組成物、セラミック電子部品および積層型セラミック電子部品の製造方法
KR100850658B1 (ko) 2001-11-05 2008-08-07 아사히 가라스 가부시키가이샤 글라스 세라믹 조성물
KR100592603B1 (ko) * 2002-05-20 2006-06-23 엔지케이 스파크 플러그 캄파니 리미티드 유전체 자기
JP4244611B2 (ja) * 2002-10-22 2009-03-25 パナソニック株式会社 セラミックグリーンシートの穴加工方法
KR100515679B1 (ko) * 2003-01-10 2005-09-23 엘지전자 주식회사 저온 동시소성 세라믹 조성물
JP2004343084A (ja) * 2003-04-21 2004-12-02 Murata Mfg Co Ltd 電子部品
US7180165B2 (en) * 2003-09-05 2007-02-20 Sanmina, Sci Corporation Stackable electronic assembly
US7439202B2 (en) * 2004-03-01 2008-10-21 Murata Manufacturing Co., Ltd. Glass ceramic composition, glass-ceramic sintered body, and monolithic ceramic electronic component
US7368408B2 (en) * 2004-03-01 2008-05-06 Murata Manufacturing Co., Ltd. Glass-ceramic composition, glass-ceramic sintered body, and monolithic ceramic electronic component
KR100744621B1 (ko) * 2004-03-01 2007-08-01 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 절연체 세라믹 조성물, 절연성 세라믹 소결체 및 적층형세라믹 전자부품
US7417001B2 (en) * 2004-03-01 2008-08-26 Murata Manufacturing Co., Ltd Glass ceramic composition, glass-ceramic sintered body, and monolithic ceramic electronic component
US7491938B2 (en) * 2004-03-23 2009-02-17 Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. Multi-spectral uncooled microbolometer detectors
US7387838B2 (en) * 2004-05-27 2008-06-17 Delaware Capital Formation, Inc. Low loss glass-ceramic materials, method of making same and electronic packages including same
US7186461B2 (en) * 2004-05-27 2007-03-06 Delaware Capital Formation, Inc. Glass-ceramic materials and electronic packages including same
KR100768662B1 (ko) 2004-10-26 2007-10-18 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 세라믹 원료 조성물, 세라믹 기판 및 비가역 회로소자
US8070799B2 (en) 2006-12-19 2011-12-06 Sorin Biomedica Cardio S.R.L. Instrument and method for in situ deployment of cardiac valve prostheses
JP4863975B2 (ja) * 2007-02-06 2012-01-25 三菱電機株式会社 グリーンシート用セラミック粉末及び多層セラミック基板
DE102008007338B4 (de) * 2007-02-06 2011-08-25 Mitsubishi Electric Corp. Keramikpulver für einen Rohling, mehrschichtiges Keramiksubstrat und Verfahren zur Herstellung eines mehrschichtigen Keramiksubstrats
JP4793447B2 (ja) * 2007-04-20 2011-10-12 株式会社村田製作所 多層セラミック基板およびその製造方法ならびに電子部品
US8808367B2 (en) 2007-09-07 2014-08-19 Sorin Group Italia S.R.L. Prosthetic valve delivery system including retrograde/antegrade approach
JP4772071B2 (ja) * 2008-03-07 2011-09-14 三菱電機株式会社 グリーンシート用セラミック粉末及び低温焼成多層セラミック基板
KR101013845B1 (ko) * 2008-07-15 2011-02-14 현대자동차주식회사 중저온 평판형 고체산화물 연료전지용 밀봉유리 제조방법
JP2010052970A (ja) * 2008-08-27 2010-03-11 Murata Mfg Co Ltd セラミック組成物、セラミックグリーンシート、及びセラミック電子部品
CN102216238B (zh) * 2008-11-21 2013-05-01 株式会社村田制作所 陶瓷组合物、陶瓷生片以及陶瓷电子部件
EP2250970B1 (en) 2009-05-13 2012-12-26 Sorin Biomedica Cardio S.r.l. Device for surgical interventions
JP2011046551A (ja) * 2009-08-26 2011-03-10 Nippon Electric Glass Co Ltd グリーンシート
FR2958283B1 (fr) 2010-04-01 2014-07-04 Commissariat Energie Atomique Compositions de verres vitroceramiques pour joints d'appareils fonctionnant a de hautes temperatures et procede d'assemblage les utilisant.
US20120303048A1 (en) 2011-05-24 2012-11-29 Sorin Biomedica Cardio S.R.I. Transapical valve replacement
WO2013099944A1 (ja) * 2011-12-27 2013-07-04 株式会社村田製作所 多層セラミック基板およびそれを用いた電子部品
JP2013166687A (ja) * 2012-01-20 2013-08-29 Tdk Corp 誘電体磁器およびそれを用いた電子部品
DE102013209970B3 (de) * 2013-05-28 2014-07-24 Schott Ag Glasiges oder zumindest teilkristallines Fügematerial und dessen Verwendung sowie Fügeverbindung
WO2014196348A1 (ja) * 2013-06-05 2014-12-11 株式会社村田製作所 セラミック基板用組成物およびセラミック回路部品
JP5796602B2 (ja) * 2013-06-05 2015-10-21 株式会社村田製作所 セラミック電子部品およびその製造方法
JP6908521B2 (ja) 2014-12-11 2021-07-28 コーニング インコーポレイテッド ガラスまたはガラスセラミック物品におけるｘ線誘発着色
CN112437649A (zh) 2018-05-23 2021-03-02 索林集团意大利有限责任公司 心脏瓣膜假体
JP7020335B2 (ja) * 2018-08-06 2022-02-16 Ａｇｃ株式会社 ガラス組成物
WO2024050660A1 (zh) * 2022-09-05 2024-03-14 中国科学院深圳先进技术研究院 一种用于低温共烧陶瓷的玻璃/陶瓷复合材料及其制备方法和应用

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4298389A (en) * 1980-02-20 1981-11-03 Corning Glass Works High transmission glasses for solar applications
US4342553A (en) * 1980-10-01 1982-08-03 General Electric Company Glass to nickel-iron alloy seal
JP2507418B2 (ja) 1986-05-02 1996-06-12 旭硝子株式会社 回路基板用組成物
JPH02212336A (ja) 1989-02-14 1990-08-23 Asahi Glass Co Ltd ガラスセラミック組成物及びその用途
US5212121A (en) * 1990-06-13 1993-05-18 Mitsui Mining Company, Limited Raw batches for ceramic substrates, substrates produced from the raw batches, and production process of the substrates
US5468694A (en) * 1992-11-21 1995-11-21 Yamamura Glass Co. Ltd. Composition for producing low temperature co-fired substrate
US5534470A (en) * 1994-10-27 1996-07-09 Corning Incorporated Lithium aluminoborate glass-ceramics
DE19680966T1 (de) * 1995-09-28 1998-01-08 Nippon Electric Glass Co Alkalifreies Glassubstrat
GB9525111D0 (en) * 1995-12-08 1996-02-07 Pilkington Plc Glass and glass products
US5864459A (en) * 1996-08-14 1999-01-26 Virginia Tech Intellectual Properties, Inc. Process for providing a glass dielectric layer on an electrically conductive substrate and electrostatic chucks made by the process
US6121173A (en) * 1997-04-25 2000-09-19 Kyocera Corporation Ceramic sintered body and a process for its production

Also Published As

Publication number Publication date
US6448195B2 (en) 2002-09-10
US20020019304A1 (en) 2002-02-14
EP1059271B1 (en) 2003-09-03
US6376055B1 (en) 2002-04-23
DE60004924T2 (de) 2004-03-11
EP1059271A1 (en) 2000-12-13
JP2000351668A (ja) 2000-12-19
DE60004924D1 (de) 2003-10-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3358589B2 (ja) セラミック基板用組成物、グリーンシートおよびセラミック回路部品
JP2002226259A (ja) セラミック電子部品の基体用組成物、セラミック電子部品および積層型セラミック電子部品の製造方法
US6455453B1 (en) Low-temperature sinterable ceramic composition and multilayer ceramic substrate
US6372676B1 (en) Ceramic substrate composition and ceramic circuit component
JP3419291B2 (ja) 低温焼結磁器組成物及びそれを用いた多層セラミック基板
JP2001287984A (ja) ガラスセラミックス組成物
JP4748904B2 (ja) ガラスセラミック焼結体およびそれを用いた配線基板
JP2000086288A (ja) 結晶化ガラス―セラミック複合体及びそれを用いた配線基板並びにその配線基板が配設されたパッケ―ジ
JPH0758454A (ja) ガラスセラミックス多層基板
JP3863996B2 (ja) 結晶化ガラス−セラミック複合体及びそれを用いた配線基板並びにその配線基板を具備するパッケージ
JP3550270B2 (ja) 低温焼成磁器組成物および低温焼成磁器の製造方法
JP2000128628A (ja) ガラスセラミックス組成物
JP2001010868A (ja) セラミック基板用組成物およびセラミック回路部品
JP4540297B2 (ja) 低温焼成磁器組成物および低温焼成磁器並びに配線基板
JP3441924B2 (ja) 配線基板およびその実装構造
JP2001294489A (ja) 結晶化ガラスと窒化アルミニウム焼結体との接合体
JPH0232587A (ja) 回路基板用組成物及びそれを使用した電子部品
JP4395320B2 (ja) 低温焼成磁器組成物および低温焼成磁器並びに配線基板
WO2004103931A1 (ja) 磁器組成物
JP4345458B2 (ja) ガラスセラミック基板
JP4066631B2 (ja) 低温焼成セラミック材料及び低温焼成セラミック基板
JPH0612911A (ja) 導電性組成物及び多層回路基板
JP3336176B2 (ja) ガラスセラミック焼結体
JP4929534B2 (ja) 低温焼成セラミックス基板
JPH09246722A (ja) ガラスセラミックス多層配線基板とその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
TRDD Decision of grant or rejection written
R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 3358589

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071011

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081011

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091011

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101011

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101011

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111011

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121011

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131011

Year of fee payment: 11

EXPY Cancellation because of completion of term