JPH0232587A - 回路基板用組成物及びそれを使用した電子部品 - Google Patents

回路基板用組成物及びそれを使用した電子部品

Info

Publication number
JPH0232587A
JPH0232587A JP63181656A JP18165688A JPH0232587A JP H0232587 A JPH0232587 A JP H0232587A JP 63181656 A JP63181656 A JP 63181656A JP 18165688 A JP18165688 A JP 18165688A JP H0232587 A JPH0232587 A JP H0232587A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
composite
cordierite
zno
glass frit
willemite
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP63181656A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2712031B2 (ja
Inventor
Hiroshi Seki
宏志 関
Takuya Yokoyama
拓哉 横山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Iwaki Glass Co Ltd
Original Assignee
Iwaki Glass Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Iwaki Glass Co Ltd filed Critical Iwaki Glass Co Ltd
Priority to JP63181656A priority Critical patent/JP2712031B2/ja
Publication of JPH0232587A publication Critical patent/JPH0232587A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2712031B2 publication Critical patent/JP2712031B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、回路基板用組成物及びそれを使用した電子部
品に関する。
[従来の技術] 多層混成集積回路基板に用いられる組成物は、膨張係数
がなるべくSlに近<: (40X10−7/℃前後)
、機械的強度が大きく、誘電率が低い事が望ましい。ま
た銅等の金属を配線として使用するため950℃以下で
多層化できる事が必要である。従来から、この組成物に
は硝子フリットとアルミナフィラーの混合体が使用され
てきた。硝子フリットには、コージェライトを生成する
結晶性硝子フリットや硼珪酸系及び鉛硼珪酸系の非結晶
性硝子フリットが用いられている。
PbOを含む硝子フリットは、還元性雰囲気で焼成する
とPbOが還元され目的とする特性の硝子が得られ難い
ので、かがるフリットの組成物においては、還元性雰囲
気で焼成する必要のある銅等の材料は回路構成材として
使用し難いという課題があった。
また、コージェライトを生成する結晶性硝子フリットは
焼成温度が950℃以上と高く、銅等の融点の低い材料
は回路構成材として使用でき難いという課題があった。
硼珪酸硝子フリットを使用したものはコージェライトを
生成する結晶性硝子フリットを使用したものに比べて耐
熱性が低く、また強度も大きくできないという課題があ
る。
なお、フィラーとしてコージェライトを使用するものも
提案されているが、これは強度の低下を防ぐため組成物
中の硝子含有量を多くする必要があり膨張係数を小さく
でき難いという8題があった。
[発明の解決しようとする課題〕 本発明は従来技術が有していた上記課題を解消し強度が
大きく、膨張係数が小さく、低温度でかつ還元性雰囲気
で焼成することができる回路基板用組成物及びそれを用
いた電子部品の提供を目的とする。
[課題を解決するための手段] 本発明は、(特許請求の範囲第1項)及びそれを使用し
た電子部品を提供するものである。
本発明の組成物において、アルミナフィラーは基板の強
度を向上するために添加される。
組成物中(無機成分中)のアルミナフィラーの含有量が
5重量%未満では基板の強度の向上が不充分であり、7
0重量%を越えると硝子フリットが不足し同様に基板の
強度が低下するのでいずれも好ましくない。より好まし
いアルミナフィラーの含有量は2O30−〜45重量%
の範囲である。かかるアルミナフィラーの平均粒径は1
.5〜4.0μmのものが好ましく、かかる範囲より大
きい粒径のものは焼結体を緻密化することが困難になる
ので好ましくない。一方、上記範囲より小さい粒径のも
のはスラリーの調製が困難になるので好ましくない。
本発明の結晶性硝子フリットはほぼ950℃より低い焼
成温度により主結晶としてコージェライト(2MgO・
2Al2O3・55102)及びウィルマイト(2Zn
O−5[02)を多量に生成する。
このコージェライトは膨張率及び誘電率が低く、強度が
高いので基板にかかる特性を付与する。
しかし、コージェライトは結晶の生成温度が950℃以
上であり、その生成温度を低下するためにZnOを添加
しかつZnOがウィルマイト結晶を生成し膨張率の大き
いガーナイト(Z n O−A I2O30−3)及び
α石英(S102)の生成をできる限り抑制するように
した。
かかる結晶性硝子フリットの組成限定の理由は次のとう
りである。
5to2は硝子のネットワークホーマーであると共にコ
ージェライト及びウィルマイトの結晶構成成分である。
5102の含有量が30%より少ないと失透を生成し易
くなりフリットの製造が難しくなるので好ましくなく、
55%より多くなると焼成温度が高くなり過ぎ低温度で
の焼成が難しくなるので好ましくない。
Al2O,3はコージェライトの構成成分であり、その
含有量が7%より少ないと失透が生成し易くなりフリッ
トの製造が難しくなるので好ましくなく、22%より多
いと溶融温度が高くなり1650℃でも溶融し難くなる
ので好ましくない。
Mhoはコージェライトの構成成分であり、その含有量
が7%より少ないとコージェライトの生成量が少なくな
り基板の強度が低下するので好ましくなく、22%より
多くなると失透が生成し易くフリットの製造が難しくな
るので好ましくない。
ZnOはコージェライトを低温度で生成するために添加
する。その含有量が4%より少ないとコージェライトの
生成量が少なくなり基板の強度が低下するので好ましく
なく、35%より多いと失透が生成し易くフリットの製
造が難しくなるので好ましくない。
B2O3は必須成分ではないが添加することにより結晶
の生成速度を遅くすることができそれを調整できる。し
かし、その含有量が30%を越えると結晶の生成速度が
遅くなり過ぎると共に基板の強度が低下するので好まし
くない。
硝子フリットの組成は上記範囲中SiO□、A I 2
O30−3、M2O,ZnOの含有量を次のようにする
ことがより望ましい。即ち、(2MgO+2Al2O3
+5Si02)/(2ZnO+5i02)の比率が37
1〜1/3の範囲がより望ましい。この比率が371よ
り大きくなると焼成温度が高くなり、逆に173より小
さくなると失透が生成し易くなる傾向にある。
硝子フリットの組成は以上の成分の総量が90%以上で
あればよく、残部10%についてはBad、Cab、P
2O5,その他遷移金属酸化物を含有することができる
かかる硝子フリットの粒径は特に限定されず、平均粒径
1〜2μmのものが使用される。
本発明による組成物は上記無機成分に対し有機バインダ
ー等の添加剤が添加され通常スラリーにして使用される
。かかる添加剤としては有機バインダー、分散剤、溶剤
、消泡剤等がある。有機バインダーとしてはアクリル樹
脂、フッ素樹脂、ポリビニールブチラールニトロセルロ
ースが例示され、分散剤としてはポリカルボン酸塩が例
示される。また溶剤としては水、アルコール、ブチルカ
ルピトールアセテートが例示され、消泡剤としてはエチ
ルアルコール、ポリエチレングリコールが例示される。
かかるスラリーを使用した電子部の製造に当っては、常
法に従ってスラリーよりグリーンシートな形成し、該グ
リーンシートに導体ペーストを印刷し回路パターンを形
成する。
次いで、これを複数個積層し焼成することにより多層基
板の電子部品が得られる。
この導体ペーストとしては銅ペースト、Nlペースト等
の非酸化性雰囲気中で焼成する必要のあるもの、酸化性
雰囲気中で焼成できる銀ペースト等が例示される。
[実施例] 5i02、Al2O3、MgO1ZnO1B2O30−
3を硝子の原料とし、所定の組成割合に秤量した。これ
を1400〜1600℃で溶解し、水中に投下し硝子を
得た。
次いで、得られた硝子をアルミナポットに、水、アルミ
ナボールと共に入れ、湿式粉砕し、乾燥して、平均粒度
1.3μmの硝子粉末を得た。
次いで、この硝子粉末にアルミナ粉末を所定の割合で混
合し、アルミナポットに、水、アルミナボールと共に入
れ、粉砕混合した後、乾燥した。この乾燥粉末1000
gに、バインダー(アクリル系水溶性型)100g、分
散剤(合成ポリカルボン酸塩系)6g、消泡剤(ポリエ
チレングリコール系)6g、溶剤(水)480gを加え
スラリーとし、真空脱気処理後、ドクターブレード法に
て300μm厚のグリーンシートを作成した。
次いで、このグリーンシートを830〜950℃で焼成
して厚さ1000μ■のセラミックシートな得、その物
理特性を測定した。セラミックシートの物理特性と組成
との関係を表に示した。
同表より明らかなように本発明による組成物は950℃
以下の温度で焼成でき、焼成したセラミックシートは熱
膨張係数、誘電率が小さく、抗折強度が大きい。
[発明の効果コ 本発明による回路基板用組成物は950℃以下で焼成で
き、焼成基板はSlに近い膨張係数、大きな機械的強度
、低誘電率を有するのでかかる特性の電子部品を得るこ
とができる。
PbOを含有していないため還元性雰囲気で焼成するこ
とができ銅等の融点の低い卑金属のペーストを導体材料
として使用することができる。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)無成分が30−95重量%の結晶性硝子フリット
    と5−70重量%アルミナフィラーからなり、該結晶性
    硝子フリットは、モル%表示で本質的に SiO_230−55 Al_2O_37−22 MgO7−22 ZnO4−35 B_2O_30−30 からなり、生成する主結晶がコージェライ ト及びウィルマイトであることを特徴とす る回路基板用組成物。
  2. (2)請求項(1)記載の組成物を使用して作成した基
    板を積層し、該基板の間に回路を設けてなる電子部品。
JP63181656A 1988-07-22 1988-07-22 回路基板用組成物及びそれを使用した電子部品 Expired - Lifetime JP2712031B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63181656A JP2712031B2 (ja) 1988-07-22 1988-07-22 回路基板用組成物及びそれを使用した電子部品

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63181656A JP2712031B2 (ja) 1988-07-22 1988-07-22 回路基板用組成物及びそれを使用した電子部品

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0232587A true JPH0232587A (ja) 1990-02-02
JP2712031B2 JP2712031B2 (ja) 1998-02-10

Family

ID=16104562

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63181656A Expired - Lifetime JP2712031B2 (ja) 1988-07-22 1988-07-22 回路基板用組成物及びそれを使用した電子部品

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2712031B2 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04127502A (ja) * 1990-09-19 1992-04-28 Tatsumi Riyouki:Kk 自家用発電機等の電力供給試験装置
JPH07162150A (ja) * 1993-12-03 1995-06-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd ガラスセラミックス多層基板
RU2624475C1 (ru) * 2016-05-23 2017-07-04 Акционерное общество "Научно-исследовательский институт "Феррит-Домен" Керамический материал
CN110317051A (zh) * 2019-08-02 2019-10-11 佛山市陶莹新型材料有限公司 一种钻石干粒及其加工方法
US20210299641A1 (en) * 2020-03-27 2021-09-30 Ngk Insulators, Ltd. Porous ceramic structure and method of producing porous ceramic structure

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6350345A (ja) * 1986-08-15 1988-03-03 Matsushita Electric Works Ltd ガラスセラミツク焼結体

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6350345A (ja) * 1986-08-15 1988-03-03 Matsushita Electric Works Ltd ガラスセラミツク焼結体

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04127502A (ja) * 1990-09-19 1992-04-28 Tatsumi Riyouki:Kk 自家用発電機等の電力供給試験装置
JPH07162150A (ja) * 1993-12-03 1995-06-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd ガラスセラミックス多層基板
RU2624475C1 (ru) * 2016-05-23 2017-07-04 Акционерное общество "Научно-исследовательский институт "Феррит-Домен" Керамический материал
CN110317051A (zh) * 2019-08-02 2019-10-11 佛山市陶莹新型材料有限公司 一种钻石干粒及其加工方法
US20210299641A1 (en) * 2020-03-27 2021-09-30 Ngk Insulators, Ltd. Porous ceramic structure and method of producing porous ceramic structure
US11731111B2 (en) 2020-03-27 2023-08-22 Ngk Insulators, Ltd. Porous ceramic structure and method of producing porous ceramic structure

Also Published As

Publication number Publication date
JP2712031B2 (ja) 1998-02-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0163155B1 (en) Low temperature fired ceramics
JP3240271B2 (ja) セラミック基板
JP3358589B2 (ja) セラミック基板用組成物、グリーンシートおよびセラミック回路部品
JP3387531B2 (ja) ガラスベースおよびガラス−セラミックベースの複合材料
JPH04243962A (ja) 多層セラミックパッケージ用低誘電性無機組成物、及びその調製方法
US5206190A (en) Dielectric composition containing cordierite and glass
JPS62113758A (ja) 低温焼成セラミツクス
JPH11310458A (ja) ガラスセラミック組成物、その焼成方法及びガラスセラミック複合体
JP3943341B2 (ja) ガラスセラミックス組成物
JPS62278145A (ja) ガラスセラミツク焼結体
JPH0232587A (ja) 回路基板用組成物及びそれを使用した電子部品
JP3678260B2 (ja) ガラスセラミックス組成物
JP3890779B2 (ja) ガラスセラミックス組成物
US5270268A (en) Aluminum borate devitrification inhibitor in low dielectric borosilicate glass
JPS6350345A (ja) ガラスセラミツク焼結体
JP2006256956A (ja) ガラスセラミックス焼結体及びマイクロ波用回路部材
JP2500692B2 (ja) 低温焼結性低誘電率無機組成物
JPH06199541A (ja) ガラスセラミックス組成物
JP2500691B2 (ja) 低温焼結性低誘電率無機組成物
US5312784A (en) Devitrification inhibitor in low dielectric borosilicate glass
JPH0424307B2 (ja)
JP2003095740A (ja) ガラスセラミック誘電体材料および焼結体
JPS6374957A (ja) 低温焼結性低誘電率無機組成物
JPS62252340A (ja) ガラス焼結体およびガラスセラミツク焼結体
US5226959A (en) Gallium-containing glassy low dielectric ceramic compositions

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081031

Year of fee payment: 11

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081031

Year of fee payment: 11

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

EXPY Cancellation because of completion of term
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081031

Year of fee payment: 11