JP2000351668A - セラミック基板用組成物およびセラミック回路部品 - Google Patents

セラミック基板用組成物およびセラミック回路部品

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 １０００℃以下の低温焼結が可能で、Ａｇ系
やＣｕ系などの低抵抗の金属を主成分とする導電体回路
を同時に焼成できる、セラミック基板用組成物を提供す
る。 【解決手段】 セラミック基板用組成物は、５〜１７．
５重量％のＢ2 Ｏ3 、２８〜４４重量％のＳｉＯ2 、０
〜２０重量％のＡｌ2 Ｏ3 、および３６〜５０重量％の
ＭＯ（ただし、ＭＯは、ＣａＯ、ＭｇＯおよびＢａＯか
ら選ばれた少なくとも１種）からなるホウケイ酸系ガラ
ス粉末を４０〜４９重量％と、アルミナ粉末のようなセ
ラミック粉末を６０〜５１重量％とを含有する。この組
成物を用いて構成されたセラミック基板は、高機械的強
度、低誘電率、低損失かつ６．０ｐｐｍ／℃以上の高熱
膨張係数を実現する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、セラミック基板
用組成物およびセラミック回路部品に関するもので、特
に、１０００℃以下の低温で焼結させることが可能なセ
ラミック基板用組成物、およびそれを用いて構成される
多層集積回路部品、厚膜ハイブリッド回路部品などのセ
ラミック回路部品に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】現在、セラミック基板の主流はアルミナ
基板である。しかし、アルミナ基板を得るためには、約
１６００℃という高温で焼成しなければならないため、
アルミナ基板をもってたとえば多層回路部品を構成する
場合には、内部の導体において高融点の金属を用いなけ
ればならない。ところが、高融点金属は、一般に、高抵
抗であるため、高周波化および高速化の進む多層回路部
品のための導体としてはふさわしくない。
【０００３】そこで、Ａｕ、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｇ−
Ｐｔ、Ｃｕなどの低抵抗の金属を内部導体として使用す
ることを可能にする、焼成温度が１０００℃以下のガラ
スセラミック基板が注目され、種々開発されている。
【０００４】たとえば、特公平３−５３２６９号公報で
は、重量基準で５０〜６４％のガラス粉末と５０〜３５
％のＡｌ2 Ｏ3 粉末とを混合して、８００〜１０００℃
で焼結し得る低温焼結セラミック基板が記載されてい
る。
【０００５】しかしながら、上述のようなガラス仕込み
量が５０％以上の基板の場合、焼成後の基板中の結晶質
割合が少なくなり、基板の誘電損失が低くなったり、高
い機械的強度が得られにくい、という問題がある。ま
た、焼成後の基板表面に厚膜電極や厚膜抵抗を焼き付け
る場合に、残存するガラスの影響で基板が歪みやすい、
という問題もある。
【０００６】上述のような問題の解決方法として、出発
原料のガラス粉末の組成を焼結後に結晶化しやすいもの
とし、焼結後の基板中の結晶質割合を高くすることが考
えられる。しかし、ガラス仕込み量が５０％以上の場合
のように、出発原料中のガラス割合が多い基板では、焼
成中のガラスの結晶化によって生じる基板内の歪みの影
響が大きく、焼結後の基板に反りなどの変形や割れが発
生しやすい、という問題がある。
【０００７】また、特公平４−４２３４９号公報では、
重量基準で１０〜５５％のＭＯ（ただし、Ｍは、Ｃａ、
Ｍｇ）と０〜３０％のＡｌ2 Ｏ3 と４５〜７０％のＳｉ
Ｏ2と０〜３０％のＢ2 Ｏ3 とからなるガラス粉末を４
０〜５０％と、Ａｌ2 Ｏ3 粉末を６０〜５０％とを混合
して、１１００℃以下で焼成するようにされた、低温焼
成セラミック組成物が記載されている。また、同公報に
は、出発原料中のＡｌ 2 Ｏ3 粉末の割合を増やすことに
より、２６００〜３２００ｋｇｆ／ｃｍ2 （２５５〜３
１４ＭＰａ）の抗折強度が得られることが記載されてい
る。
【０００８】しかしながら、上述のような抗折強度は、
従来から回路基板として使われているアルミナ基板の抗
折強度（３５０ＭＰａ前後）に比べて低い値であり、さ
らに高い強度が望まれる。
【０００９】また、同公報記載の基板の熱膨張係数は、
４．０から５．７ｐｐｍ／℃となっている。従来は、
３．５ｐｐｍ／℃の熱膨張係数を有するシリコンチップ
（ＩＣ）を直接搭載することを前提として、基板の熱膨
張係数も低い方が好ましいと考えられてきた。しかしな
がら、アンダーフィルなどの緩衝材を用いて応力緩和を
行なう搭載方法の発達などにより、セラミック基板とシ
リコンチップとの熱膨張係数のミスマッチがそれほど大
きな問題ではなくなってきている。また、以前予想され
ていたほど、シリコンチップの大型化は進んでいない。
【００１０】このような状況では、セラミック基板をよ
り大型のマザーボードとなる樹脂基板へ接合した場合
の、セラミック基板と樹脂基板との熱膨張係数のミスマ
ッチの方が、むしろ大きな影響を及ぼすことになる。た
とえば、代表的なガラスエポキシ（ＦＲ−４）の場合、
１４〜１６ｐｐｍ／℃の熱膨張係数を有し、アラミド繊
維補強エポキシの場合、約８ｐｐｍ／℃の熱膨張係数を
有する。そして、セラミック基板と樹脂基板との熱膨張
係数のミスマッチの度合いが大きいと、両者の間の接続
の信頼性が失われる、という問題に遭遇する。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】そこで、この発明の目
的は、上述したような問題を解決し得る、セラミック基
板用組成物およびそれを用いて構成されるセラミック回
路部品を提供しようとすることである。
【００１２】より具体的には、この発明によれば、Ａ
ｕ、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｔ、Ｃｕなどの低抵抗
の金属を内部導体として用いることを可能にする、焼成
温度が１０００℃以下の電子回路用セラミック基板のた
めの組成物が提供され、この組成物を焼成して得られた
セラミック基板によれば、３００ＭＰａ以上の抗折強度
と１４００以上のＱ値（１ＭＨｚ）と６．０ｐｐｍ／℃
以上の熱膨張係数とを実現することが可能になる。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上述した技術的課題を解
決するため、この発明に係るセラミック基板用組成物
は、５〜１７．５重量％のＢ2 Ｏ3 、２８〜４４重量％
のＳｉＯ2 、０〜２０重量％のＡｌ2 Ｏ3 、および３６
〜５０重量％のＭＯ（ただし、ＭＯは、ＣａＯ、ＭｇＯ
およびＢａＯから選ばれた少なくとも１種）からなるホ
ウケイ酸系ガラス粉末とセラミック粉末とを混合したも
のであり、ホウケイ酸系ガラス粉末を４０〜４９重量
％、およびセラミック粉末を６０〜５１重量％それぞれ
含有することを特徴としている。
【００１４】この発明に係るセラミック基板用組成物
は、好ましくは、焼結後の熱膨張係数が６．０ｐｐｍ／
℃以上である。
【００１５】また、前述したセラミック粉末は、アルミ
ナ粉末を含むことが好ましい。
【００１６】また、ホウケイ酸系ガラスは、Ｌｉ2 Ｏ、
Ｋ2 Ｏ、およびＮａ2 Ｏから選ばれた少なくとも１種の
アルカリ金属の酸化物を、Ｂ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、Ａｌ2
Ｏ3およびＭＯの合計量１００重量部に対して５重量部
以下の含有量をもって含有してもよい。
【００１７】また、ホウケイ酸系ガラスは、ＴｉＯ2 、
ＺｒＯ2 、Ｃｒ2 Ｏ3 、ＣａＦ2 、およびＣｕＯから選
ばれた少なくとも１種の化合物を、Ｂ2 Ｏ3 、Ｓｉ
Ｏ2 、Ａｌ2 Ｏ3 およびＭＯの合計量１００重量部に対
して５重量部以下の含有量をもって含有してもよい。
【００１８】この発明は、また、上述したようなセラミ
ック基板用組成物を成形し焼成して得られた基板と、こ
の基板に関連して形成された導電体回路とを備える、セ
ラミック回路部品にも向けられる。
【００１９】このセラミック回路部品において、導電体
回路は、好ましくは、Ａｇ、Ａｕ、およびＣｕから選ば
れた少なくとも１種の金属を主成分として含む。
【００２０】
【発明の実施の形態】この発明は、ホウケイ酸系ガラス
粉末とアルミナ粉末のようなセラミック粉末とを混合し
てなる、低温焼成可能なセラミック基板用組成物におい
て、焼結後に結晶化しやすい組成のホウケイ酸系ガラス
粉末を焼結助剤として添加し、かつガラス添加量をセラ
ミック添加量より少量とすることによって、焼成後のセ
ラミック基板の結晶質割合を高くして、高機械的強度か
つ６．０ｐｐｍ／℃以上の高熱膨張係数を有し、低損失
である、低温焼成可能なセラミック基板を実現できるこ
とを特徴としている。
【００２１】焼成中のガラスの結晶化は、前述のよう
に、セラミック基板中に歪みを発生させ、焼結後のセラ
ミック基板の変形の原因となるが、この発明において添
加されるガラス量は、４９重量％以下にし、セラミック
添加量より少量としているため、焼成中のガラスの結晶
化に起因するセラミック基板の変形を有利に抑制するこ
とができる。
【００２２】また、添加するガラスは、焼成過程で起こ
る軟化・粘性流動により、セラミック基板を１０００℃
以下で焼結させるための焼結助剤として働く。この焼結
助剤としての機能を確実に働かせるためには、ガラスの
添加量は、４０重量％以上でなければならない。
【００２３】上述したように軟化・粘性流動したガラス
成分からは、容易にウォーラストナイト、アノーサイト
などの結晶相が析出するため、焼結後のセラミック基板
を高機械的強度かつ低損失にすることができる。
【００２４】ガラスの構成成分は、ガラス網目形成酸化
物であるＢ2 Ｏ3 およびＳｉＯ2 、ガラス網目修飾酸化
物であるＭＯ（ただし、ＭＯは、ＣａＯ、ＭｇＯおよび
ＢａＯから選ばれた少なくとも１種）、および網目修飾
酸化物と協働して網目形成能を発現するガラス網目中間
酸化物であるＡｌ2 Ｏ3 からなる。これら酸化物の割合
は、前述したように、セラミック基板を１０００℃以下
で焼結可能とするための焼結助剤として働き、かつ焼結
過程で結晶相が析出しやすいように調整される。
【００２５】より具体的には、ガラス網目形成酸化物で
あるＢ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 のうち、Ｂ 2 Ｏ3 は軟化温度を
下げて粘性流動を促進するための酸化物であり、その含
有量は５〜１７．５重量％に選ばれる。５重量％より少
ないと、ガラスの軟化・流動性が悪くなり、１７．５重
量％より多くなると、ガラスの耐水性が十分でなく、高
温・多湿等の環境下で使用すると、セラミック基板の変
質を生じる恐れがあるとともに、ガラス自体のＱ値が低
くなるので、得られたセラミック基板のＱ値も低くなる
傾向がある。
【００２６】また、ガラス網目形成酸化物のうち、Ｓｉ
Ｏ2 は、２８〜４４重量％の含有率に選ばれる。ＳｉＯ
2 が２８重量％より少ないと、残存するガラス自体の誘
電率が高くなり、低誘電率のセラミック基板を得ること
ができない。他方、４４重量％より多くなると、ガラス
の軟化・流動性が悪くなり、セラミック基板を１０００
℃以下で焼結させることができず、また、ガラスの結晶
化も阻害されて、高機械的強度かつ低損失といった特性
を実現できなくなるとともに、セラミック基板の熱膨張
係数が低くなる。
【００２７】ガラス網目中間酸化物であるＡｌ2 Ｏ
3 は、０〜２０重量％の含有量に選ばれる。Ａｌ2 Ｏ3
は、ガラス中間酸化物として働き、ガラス構造を安定化
させる成分であるが、２０重量％を超えると、ガラスの
軟化・流動性が悪くなり、セラミック基板を１０００℃
以下で焼結させることができず、ガラスの結晶化も阻害
されて、高機械的強度かつ低損失といった特性を実現で
きなくなる。
【００２８】ガラス網目修飾酸化物であるＭＯは、ガラ
スの軟化・流動性を促進する成分であり、その含有量
は、３６〜５０重量％に選ばれる。ＭＯが３６重量％よ
り少ないと、ガラスの軟化・流動性が悪く、また、得ら
れたセラミック基板の熱膨張係数が低くなる。他方、Ｍ
Ｏが５０重量％を越えると、ガラス構造が不安定となっ
て、品質の安定したガラスが得られなくなる。
【００２９】以上のような組成を有するガラスの作製に
おいて、軟化・流動性をより促進させたい場合は、Ｌｉ
2 Ｏ、Ｋ2 Ｏ、およびＮａ2 Ｏから選ばれた少なくとも
１種のアルカリ金属の酸化物を、上述したような、Ｂ2
Ｏ3 、ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3およびＭＯの合計量１００
重量部に対して５重量部以下の含有量をもって含有させ
てもよい。なお、これらアルカリ金属の酸化物の含有量
が５重量部を超えると、ガラスの電気絶縁性が低下する
ため、焼結後のセラミック基板の絶縁抵抗が低下してし
まい、また、セラミック基板の熱膨張係数も低くなる。
【００３０】また、焼成過程でのガラスの結晶化をより
促進して、得られたセラミック基板の高機械的強度化や
低損失化を進めるため、ＴｉＯ2 、ＺｒＯ2 、Ｃｒ2 Ｏ
3 、ＣａＦ2 、およびＣｕＯから選ばれた少なくとも１
種の化合物を、前述したＢ2Ｏ3 、ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ
3 およびＭＯの合計量１００重量部に対して５重量部以
下の含有量をもって含有させてもよい。なお、これらの
化合物の含有量が５重量部を超えると、ガラスの誘電率
が高くなるため、焼結後のセラミック基板の誘電率が高
くなりすぎる、という問題がある。
【００３１】以上述べたようなセラミック基板用組成物
は、これを成形し焼成して得られた基板と、この基板に
関連して形成された導電体回路とを備える、セラミック
回路部品を製造するために有利に用いられる。
【００３２】図１は、上述したセラミック回路部品の一
例であって、この発明の一実施形態によるセラミック多
層回路部品１を図解的に示す断面図である。セラミック
多層回路部品１は、概略的に言えば、セラミック基板２
とこのセラミック基板２の内部および／または表面に形
成される導電体回路３とを備えている。
【００３３】セラミック基板２は、上述したような組成
を有するセラミック基板用組成物を含む複数のグリーン
シートを積層して得られたセラミック成形体を焼成する
ことによって得られたものであり、複数のグリーンシー
トの各々の焼成によってもたらされる複数のセラミック
層４を備えている。
【００３４】導電体回路３は、たとえば、Ａｇ、Ａｕ、
およびＣｕから選ばれた少なくとも１種の金属を主成分
とする導電成分を含む導電性ペーストを上述したセラミ
ック成形体と同時に焼成することによって形成されたも
のである。導電体回路３は、セラミック基板２の表面に
形成されるものとして、たとえば、外部導体５、６およ
び７等を備え、また、セラミック基板２の内部に形成さ
れるものとして、たとえば、内部導体８、９、１０、１
１および１２等を備えるとともに、バイアホール接続部
１３、１４、１５、１６、１７、１８および１９等を備
えている。
【００３５】内部導体８および９は、特定のセラミック
層４を介して対向し、コンデンサ部２０を構成する。ま
た、バイアホール接続部１６〜１９ならびに内部導体１
０〜１２は、交互に順次接続され、インダクタ部２１を
構成する。
【００３６】
【実施例】以下に、この発明に係るセラミック基板用組
成物に関して、実施例に基づき、より具体的に説明す
る。
【００３７】表１には、この実施例において作製したセ
ラミック基板用組成物の組成が示されている。
【００３８】
【表１】
【００３９】まず、表１に示すガラス組成となるよう
に、出発原料となる酸化物または炭酸塩を調合し、これ
をＰｔるつぼに入れ、ガラス組成により１３００〜１７
００℃の温度で１時間溶融させた。次いで、このガラス
融液を急冷した後、粉砕し、各試料に係るガラス粉末を
得た。なお、表１において、出発原料となるＭＯ（Ｃａ
Ｏ、ＭｇＯおよびＢａＯ）、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｂ2 Ｏ3 およ
びＳｉＯ2 については、これらの間での組成比率が「重
量％」の単位をもって示され、ＴｉＯ2 等の「その他」
の出発原料については、ＭＯ、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｂ2 Ｏ3 お
よびＳｉＯ2 の合計量１００重量部に対する「重量部」
を単位として示されている。
【００４０】次いで、上述のようにして得られた各ガラ
ス粉末とフィラーとなる表１に示すようなアルミナ粉末
等のセラミック粉末とを、表１の「ガラス量」および
「フィラー／量」で示す割合で混合するとともに、これ
らに溶剤、バインダおよび可塑剤を加え、十分に混合
し、ドクターブレード法を適用することによって、グリ
ーンシートを得た。
【００４１】次に、上述のようにして得られた各試料に
係るグリーンシートに基づき、いくつかの形態の試料を
作製し、表２に示すような「抗折強度」、「比誘電率
（εr）」、「Ｑ」、「熱膨張係数」および「析出結晶
相」をそれぞれ評価した。
【００４２】
【表２】
【００４３】まず、各試料に係るグリーンシートを所定
枚数積層し、所定寸法にカットした後、表２に示す焼成
温度で焼成することによって焼結体を得、これを研磨加
工することによって、長さ３６ｍｍ、幅４ｍｍおよび厚
み３ｍｍの寸法とした。このようにして得られた各試料
に係る焼結体について、ＪＩＳ規格（ＪＩＳ Ｒ１６０
１）に準じて、抗折強度（３点曲げ）を測定した。ま
た、Ｘ線回折分析によって、焼結体中の析出結晶相を同
定した。なお、表２の析出結晶相に関して、「Ａ」はア
ルミナを示し、「Ｗ」はウォーラストナイトを示し、
「Ｆ」はフォルステライトを示している。
【００４４】また、各試料に係るグリーンシートを所定
枚数積層した後、表２に示す焼成温度で焼成することに
よって得られた焼結体を、ダイシングソーによってカッ
トして、長さ１０ｍｍ、幅３ｍｍおよび厚み３ｍｍの寸
法とした。このような寸法を有する焼結体について、２
５℃〜５００℃での熱膨張係数を測定した。
【００４５】また、各試料に係るグリーンシートを用い
て、図１に示すようなセラミック多層回路部品１を作製
した。すなわち、グリーンシートに穴を設け、Ａｇ系ペ
ーストをこれらに充填してバイアホール接続部１３〜１
９を形成した後、Ａｇ系ペーストをスクリーン印刷して
所定のパターンの外部導体５〜７ならびに内部導体８〜
１２を形成した。その後、セラミック層４となるべきこ
れらのグリーンシートを所定枚数積層し、プレスした。
次いで、空気中で、表２に示す焼成温度で焼成して、セ
ラミック多層回路部品１を作製した。
【００４６】このようにして得られたセラミック多層回
路部品１における外部導体５および６の間に周波数１Ｍ
Ｈｚの電圧を印加して、コンデンサ部２０の静電容量お
よびＱを測定し、比誘電率（εr ）を算出した。比誘電
率（εr ）およびＱが表２に示されている。
【００４７】表１および表２において、試料１〜２４
は、この発明の範囲内の実施例に相当し、試料２５〜３
３は、この発明の範囲外の比較例に相当している。
【００４８】表２を参照して、この発明の実施例として
の試料１〜２４において、抗折強度が３００〜３５０Ｍ
Ｐａと高く、εr が７．０〜８．８の範囲にあり、ま
た、Ｑが１４００〜５０００と大きく、熱膨張係数が
６．０以上と大きく、セラミック回路部品におけるセラ
ミック基板として十分な特性を示した。
【００４９】また、ガラス中にＬｉ2 Ｏ、Ｋ2 Ｏまたは
Ｎａ2 Ｏのようなアルカリ金属の酸化物を含有させた試
料２２〜２４においては、ガラスの軟化温度が低下する
ので、アルカリ金属を含まないことを除いて同様のガラ
ス組成を有する試料４と比較すると、ガラス添加量が少
ないにもかかわらず、同じ温度で焼成できることが確認
された。
【００５０】また、ガラス中にＴｉＯ2 、ＺｒＯ2 、Ｃ
ｒ2 Ｏ3 、ＣａＦ2 またはＣｕＯを含有させた試料１２
〜２１においては、表２には示していないが、Ｘ線回折
分析によって、結晶化が促進されていることが確認され
た。
【００５１】他方、比較例である試料２５では、ガラス
中のアルカリ土類金属すなわちＭの含有量が少ないた
め、１０００℃以下の温度での焼成では、緻密な焼結体
が得られなかった。試料２６では、ガラス中のＭの含有
量が多いため、不安定なガラスとなり、焼成温度を最適
化しても、焼結体の密度が十分に上がらず、抗折強度が
２５０ＭＰａと低くなった。
【００５２】試料２７では、ガラス中のＡｌ2 Ｏ3 量が
多すぎるため、１０００℃以下の焼成温度で緻密な焼結
体が得られなかった。
【００５３】試料２８では、ガラス中のＢ2 Ｏ3 量が少
なすぎるため、１０００℃以下の焼成温度で緻密な焼結
体が得られなかった。試料２９では、ガラス中のＢ2 Ｏ
3 量が多すぎるため、Ｑが１０００と低くなった。
【００５４】試料３０では、ガラス中のＳｉＯ2 量が少
ないため、比誘電率（εr ）が９．１と大きくなった。
試料３１では、ガラス中のＳｉＯ2 量が多すぎるため、
熱膨張係数が５．８と小さくなった。
【００５５】試料３２では、ガラスの添加量が少ないた
め、１０００℃以下の焼成温度で焼結しなかった。試料
３３では、ガラスの添加量が多すぎるため、抗折強度が
２８０ＭＰａと低くなった。
【００５６】
【発明の効果】以上のように、この発明に係るセラミッ
ク基板用組成物によれば、１０００℃以下の低温焼結が
可能であるので、Ａｇ系やＣｕ系などの低抵抗の金属を
主成分として含む導電体回路を備えるセラミック回路部
品を得るにあたって、これら導電体回路のための金属と
同時に焼成することができ、また、この組成物を用いて
構成されたセラミック基板によれば、基板として必要な
高機械的強度、低誘電率、低損失かつ高熱膨張係数を実
現でき、これをもって、良好な特性かつ高い信頼性を有
するたとえばセラミック多層回路部品のようなセラミッ
ク回路部品を得ることができる。
【００５７】特に、この発明に係るセラミック基板用組
成物によれば、熱膨張係数６．０ｐｐｍ／℃以上を実現
できるので、エポキシ樹脂等のマザーボードとの熱膨張
係数のマッチングが良好で、高い接続信頼性を達成でき
る。
【００５８】この発明に係るセラミック基板用組成物に
おいて、ホウケイ酸系ガラスが、Ｌｉ2 Ｏ、Ｋ2 Ｏ、お
よびＮａ2 Ｏから選ばれた少なくとも１種のアルカリ金
属の酸化物を、Ｂ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 および
ＭＯの合計量１００重量部に対して５重量部以下の含有
量をもって含有していると、ガラスの軟化・流動性が促
進され、当該セラミック基板用組成物におけるガラスの
含有量を少なくしても、焼結温度を比較的低く維持する
ことができる。
【００５９】また、この発明に係るセラミック基板用組
成物において、ホウケイ酸系ガラスが、ＴｉＯ2 、Ｚｒ
Ｏ2 、Ｃｒ2 Ｏ3 、ＣａＦ2 、およびＣｕＯから選ばれ
た少なくとも１種の化合物を、Ｂ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、Ａ
ｌ2 Ｏ3 およびＭＯの合計量１００重量部に対して５重
量部以下の含有量をもって含有していると、ガラスの結
晶化が促進され、得られたセラミック基板のさらなる高
機械的強度化や低損失化に寄与させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施形態によるセラミック多層回
路部品１を図解的に示す断面図である。
【符号の説明】
１ セラミック多層回路部品 ２ セラミック基板 ３ 導電体回路 ４ セラミック層 ５〜７ 外部導体 ８〜１２ 内部導体 １３〜１９ バイアホール接続部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 横倉 修 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 鷹木 洋 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 Ｆターム(参考） 4G030 AA36 BA09 BA12 BA24 CA08 GA14 GA15 GA20 PA07 PA22 4G062 AA09 AA11 AA15 BB01 BB05 DA04 DA05 DB01 DB02 DB03 DB04 DC03 DC04 DD01 DE01 DF01 EA01 EA02 EA03 EA10 EB01 EB02 EB03 EC01 EC02 EC03 ED01 ED02 ED03 ED04 ED05 EE01 EE02 EE03 EE04 EE05 EF01 EG01 EG02 EG03 EG04 EG05 FA01 FA10 FB01 FB02 FB03 FC01 FC02 FC03 FD01 FE01 FF01 FG01 FH01 FJ01 FK01 FL01 GA01 GA10 GB01 GC01 GD01 GE01 GE02 GE03 HH01 HH03 HH04 HH05 HH07 HH08 HH09 HH11 HH13 HH15 HH17 HH20 JJ01 JJ03 JJ05 JJ07 JJ10 KK01 KK03 KK05 KK07 KK10 MM07 MM28 NN26 NN30 NN33 PP03 PP13 PP14 QQ07 QQ17 QQ20

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ５〜１７．５重量％のＢ2 Ｏ3 、２８〜
    ４４重量％のＳｉＯ 2 、０〜２０重量％のＡｌ2 Ｏ3 、
    および３６〜５０重量％のＭＯ（ただし、ＭＯは、Ｃａ
    Ｏ、ＭｇＯおよびＢａＯから選ばれた少なくとも１種）
    からなるホウケイ酸系ガラス粉末とセラミック粉末とを
    混合したものであり、前記ホウケイ酸系ガラス粉末を４
    ０〜４９重量％、および前記セラミック粉末を６０〜５
    １重量％それぞれ含有する、セラミック基板用組成物。
  2. 【請求項２】 焼結後の熱膨張係数が６．０ｐｐｍ／℃
    以上である、請求項１に記載のセラミック基板用組成
    物。
  3. 【請求項３】 前記セラミック粉末は、アルミナ粉末を
    含む、請求項１または２に記載のセラミック基板用組成
    物。
  4. 【請求項４】 前記ホウケイ酸系ガラスは、Ｌｉ2 Ｏ、
    Ｋ2 Ｏ、およびＮａ 2 Ｏから選ばれた少なくとも１種の
    アルカリ金属の酸化物を、前記Ｂ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、Ａ
    ｌ2 Ｏ3 およびＭＯの合計量１００重量部に対して５重
    量部以下の含有量をもって含有する、請求項１ないし３
    のいずれかに記載のセラミック基板用組成物。
  5. 【請求項５】 前記ホウケイ酸系ガラスは、ＴｉＯ2 、
    ＺｒＯ2 、Ｃｒ2 Ｏ 3 、ＣａＦ2 、およびＣｕＯから選
    ばれた少なくとも１種の化合物を、前記Ｂ2Ｏ3 、Ｓｉ
    Ｏ2 、Ａｌ2 Ｏ3 およびＭＯの合計量１００重量部に対
    して５重量部以下の含有量をもって含有する、請求項１
    ないし４のいずれかに記載のセラミック基板用組成物。
  6. 【請求項６】 請求項１ないし５のいずれかに記載のセ
    ラミック基板用組成物を成形し焼成して得られた基板
    と、前記基板に関連して形成された導電体回路とを備え
    る、セラミック回路部品。
  7. 【請求項７】 前記導電体回路は、Ａｇ、Ａｕ、および
    Ｃｕから選ばれた少なくとも１種の金属を主成分として
    含む、請求項６に記載のセラミック回路部品。
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