JPH02212336A - ガラスセラミック組成物及びその用途 - Google Patents
ガラスセラミック組成物及びその用途Info
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- JPH02212336A JPH02212336A JP3275389A JP3275389A JPH02212336A JP H02212336 A JPH02212336 A JP H02212336A JP 3275389 A JP3275389 A JP 3275389A JP 3275389 A JP3275389 A JP 3275389A JP H02212336 A JPH02212336 A JP H02212336A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C14/00—Glass compositions containing a non-glass component, e.g. compositions containing fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like, dispersed in a glass matrix
- C03C14/004—Glass compositions containing a non-glass component, e.g. compositions containing fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like, dispersed in a glass matrix the non-glass component being in the form of particles or flakes
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野J
本発明は、ガラスセラミックス組成物及びその用途に関
するものである。
するものである。
[従来の技術]
多層回路基板あるいは、積層回路基板材料として、従来
はアルミナが用いられている。一方近年低温焼結基板用
として種々材料が提案されている。前者においてはHヨ
ーN8 雰囲気中で1500〜1600℃で20〜4
0時間という焼成条件で製造しなければならない。
はアルミナが用いられている。一方近年低温焼結基板用
として種々材料が提案されている。前者においてはHヨ
ーN8 雰囲気中で1500〜1600℃で20〜4
0時間という焼成条件で製造しなければならない。
さらにアルミナの誘電率が9〜10と高く、高速信号回
路には不適との評価も出ている。
路には不適との評価も出ている。
一方、後者においては850〜1100℃、2〜10時
間焼成といわゆる低温焼結基板材料としてガラスセラミ
ック組成物が開発されつつあるが、従来のものは基板と
して機械的強度及び熱伝導率が低いという課題がある。
間焼成といわゆる低温焼結基板材料としてガラスセラミ
ック組成物が開発されつつあるが、従来のものは基板と
して機械的強度及び熱伝導率が低いという課題がある。
また、窒素雰囲気中での焼成の場合は、焼成後、残留カ
ーボンにより基板が黒化するという課題がある。
ーボンにより基板が黒化するという課題がある。
一方厚膜回路の絶縁層をスクリーン印刷で形成する際に
は、アルミナ基板上に、空気中での焼成の場合Ag/
pd導体を、窒素雰囲気中での焼成の場合Cu導体を形
成し、絶縁層としてガラスセラミックスをペースト化し
たものをスクリーン印刷し、乾燥し、焼成する8次いで
その上に上部導体として、Ag/Pd導体又はCu導体
を形成する。
は、アルミナ基板上に、空気中での焼成の場合Ag/
pd導体を、窒素雰囲気中での焼成の場合Cu導体を形
成し、絶縁層としてガラスセラミックスをペースト化し
たものをスクリーン印刷し、乾燥し、焼成する8次いで
その上に上部導体として、Ag/Pd導体又はCu導体
を形成する。
従来のものは絶縁層の焼成の際、ガラスセラミックスの
焼結が不足し緻密な構造が得られない、従って絶縁性が
悪く、さらに絶縁破壊電圧が低くなるという課題がある
。
焼結が不足し緻密な構造が得られない、従って絶縁性が
悪く、さらに絶縁破壊電圧が低くなるという課題がある
。
[発明の解決しようとする問題点]
本発明は、従来技術が有していた上記課題を解消し、低
温度で焼結でき、焼結した基板は機械的強度および熱伝
導率が大きく、かつその基板上に形成された導体のハン
ダ濡れ性を損なうことがなく、さらに、窒素雰囲気中で
の焼成で黒化がないガラスセラミック組成物の提供を目
的とする。
温度で焼結でき、焼結した基板は機械的強度および熱伝
導率が大きく、かつその基板上に形成された導体のハン
ダ濡れ性を損なうことがなく、さらに、窒素雰囲気中で
の焼成で黒化がないガラスセラミック組成物の提供を目
的とする。
[問題点を解決するための手段]
即ち、本発明は無機成分が重量%表示でガラス粉末
30〜95% セラミック粉末 5〜70% 酸化剤 0〜10% とからなり、該ガラス粉末は重量%表示で実質的に SiOx 30〜5
0%A1□0. 1〜20
%MgO+CaO÷SrO÷Ba0 5〜4
0%LizO+Na*0÷KaO+Cs10 3.
5〜10%PbO+Zn0
1〜25%ZrOx+Ti0a
Q〜7 %BxOs
1〜35%からなるガラスセラミック組成物及
びその用途を提供するものである。
30〜95% セラミック粉末 5〜70% 酸化剤 0〜10% とからなり、該ガラス粉末は重量%表示で実質的に SiOx 30〜5
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5〜10%PbO+Zn0
1〜25%ZrOx+Ti0a
Q〜7 %BxOs
1〜35%からなるガラスセラミック組成物及
びその用途を提供するものである。
本発明においてガラス粉末は、低温度(例えば1000
℃以下)で充分に流動性を有し、セラミックス粉末を充
分に濡らし、かつ、セラミックス粉末と反応し、一部結
晶化する特性を有する5ins−Altos−Btus
系のものが好ましい、かかるガラスは一部結晶化するこ
とにより、基板の耐熱性及び強度の向上を図ることがで
きる。
℃以下)で充分に流動性を有し、セラミックス粉末を充
分に濡らし、かつ、セラミックス粉末と反応し、一部結
晶化する特性を有する5ins−Altos−Btus
系のものが好ましい、かかるガラスは一部結晶化するこ
とにより、基板の耐熱性及び強度の向上を図ることがで
きる。
かかるガラス粉末の含有量が30重量%より少ないとセ
ラミックス粉末を充分に濡らすことができないため緻密
焼結層ができず、基板の強度が低下し、好ましくな(,
95重量%を越えると残部としてのセラミックスの粉末
の量が少なくなり、基板の強度が低下するので好ましく
ない、ガラス粉末は上記範囲中35〜90重量%の範囲
がより望ましい。
ラミックス粉末を充分に濡らすことができないため緻密
焼結層ができず、基板の強度が低下し、好ましくな(,
95重量%を越えると残部としてのセラミックスの粉末
の量が少なくなり、基板の強度が低下するので好ましく
ない、ガラス粉末は上記範囲中35〜90重量%の範囲
がより望ましい。
一方セラミックス粉末としては、アルミナ。
α−石英、ジルコン、コージェライト、フォルステライ
ト、ムライト、ジルコニアのセラミックス粉末が単独で
使用、又は併用されるが、その理由は、かかる物質は強
度が大きいこと、熱伝導率が高い特性を有するため焼結
後の基板もかかる特性の向上を図ることができる。更に
これらのセラミックス粉末は比較的入手しやすいという
利点もある。
ト、ムライト、ジルコニアのセラミックス粉末が単独で
使用、又は併用されるが、その理由は、かかる物質は強
度が大きいこと、熱伝導率が高い特性を有するため焼結
後の基板もかかる特性の向上を図ることができる。更に
これらのセラミックス粉末は比較的入手しやすいという
利点もある。
ガラス、セラミックス粉末の粒度は、小さ過ぎると、グ
リーンシート化して乾燥する際にクラックが発生するの
で好ましくなく、一方大き過ぎると、ガラスがセラミッ
クス粉末を充分に濡らすことができず強度の低下を生ず
るので好ましくない。
リーンシート化して乾燥する際にクラックが発生するの
で好ましくなく、一方大き過ぎると、ガラスがセラミッ
クス粉末を充分に濡らすことができず強度の低下を生ず
るので好ましくない。
本発明におけるガラス粉末は1次の組成範囲のものが望
ましい、即ち、重量%表示で、5iOa
30〜50Altos
1〜20Mg0+CaO+SrO+Ba0
5〜40LLO÷Na*O+LO+Cs*0
3.5〜10PbO+ZnO1〜25 ZrOi+Ti0m O〜78x
Os 1〜35から本質的に
なるものである。かかる組成において、SiO□はガラ
スのネットワークフォーマーであり、少な過ぎると、軟
化点が低くなり過ぎ耐熱性が低下し、再焼成時に変形が
生じ易くなるので好ましくない、一方5insが多過ぎ
ると、軟化点が高くなり過ぎセラミックス粉末を充分に
濡らすことができず、強度が低下するので好ましくない
、より望ましくは上記範囲中35〜45%の範囲である
。
ましい、即ち、重量%表示で、5iOa
30〜50Altos
1〜20Mg0+CaO+SrO+Ba0
5〜40LLO÷Na*O+LO+Cs*0
3.5〜10PbO+ZnO1〜25 ZrOi+Ti0m O〜78x
Os 1〜35から本質的に
なるものである。かかる組成において、SiO□はガラ
スのネットワークフォーマーであり、少な過ぎると、軟
化点が低くなり過ぎ耐熱性が低下し、再焼成時に変形が
生じ易くなるので好ましくない、一方5insが多過ぎ
ると、軟化点が高くなり過ぎセラミックス粉末を充分に
濡らすことができず、強度が低下するので好ましくない
、より望ましくは上記範囲中35〜45%の範囲である
。
AlxOsはガラスの耐水性向上の面から必須であり、
1%より少ないと焼結体の耐水性が劣り、20%を越え
るとガラスの軟化温度が高くなり、焼結温度が高くなり
すぎ好ましくない、より望ましくは3〜17%の範囲で
ある。
1%より少ないと焼結体の耐水性が劣り、20%を越え
るとガラスの軟化温度が高くなり、焼結温度が高くなり
すぎ好ましくない、より望ましくは3〜17%の範囲で
ある。
MgO+CaO+SrO÷BaOはガラス粉末製造時の
溶解性を向上するため及び熱膨張係数を調整する目的で
添加する。5%より少ないと上記の溶解性が充分に向上
しないと共にガラス製造時に失透を生じ易く、40%を
越えると熱膨張係数が大きくなり過ぎいずれも好ましく
ない、より望ましくは6〜38%の範囲である。
溶解性を向上するため及び熱膨張係数を調整する目的で
添加する。5%より少ないと上記の溶解性が充分に向上
しないと共にガラス製造時に失透を生じ易く、40%を
越えると熱膨張係数が大きくなり過ぎいずれも好ましく
ない、より望ましくは6〜38%の範囲である。
Li5O+NatO◆KsO÷Cs5Oは添加すること
によりセラミックス粉末の反応性及びガラスの溶解性の
向上を図ることができる。3.5%より少ないとセラミ
ックス粉末との反応性やガラスの溶解性が不十分であり
、10%を越えると電気的特性。
によりセラミックス粉末の反応性及びガラスの溶解性の
向上を図ることができる。3.5%より少ないとセラミ
ックス粉末との反応性やガラスの溶解性が不十分であり
、10%を越えると電気的特性。
特に絶縁抵抗特性において好ましくない、より望ましく
は3.5〜9%である。
は3.5〜9%である。
PbO+ZnOはガラスのフラックス成分として用いる
。1.0%より少ないとガラス軟化点が高くなり過ぎ溶
解困難となる。一方25%より多いとガラスの熱膨張係
数が大きくなり過ぎ、Ag/Pd 、Cu等の導体との
接着性を低下させる要因ともなり好ましくない。望まし
くは2〜24%である。
。1.0%より少ないとガラス軟化点が高くなり過ぎ溶
解困難となる。一方25%より多いとガラスの熱膨張係
数が大きくなり過ぎ、Ag/Pd 、Cu等の導体との
接着性を低下させる要因ともなり好ましくない。望まし
くは2〜24%である。
Zf’0*+TiO*は必須ではないが、添加すること
によりガラスの耐薬品性を向上さすことができる。その
量は7%で充分であるが、望ましくは6%以下である。
によりガラスの耐薬品性を向上さすことができる。その
量は7%で充分であるが、望ましくは6%以下である。
B20.はフラックス成分として用いるが、1%より少
ないと焼結温度が高くなり過ぎ、35%を越えるとガラ
スの耐薬品性(耐酸性)が低下し好ましくない。望まし
くは2〜34%の範囲である。
ないと焼結温度が高くなり過ぎ、35%を越えるとガラ
スの耐薬品性(耐酸性)が低下し好ましくない。望まし
くは2〜34%の範囲である。
かかる酸化剤はグリーンシートの有機バインダーの種類
により黒化しない場合は添加しなくてもよいが、添加す
る場合の量はガラス粉末及び耐火物フィラーの総量であ
るガラスセラミックス組成物に対し、重量で0−10%
添加することが好ましい、酸化剤の量が10%を越える
と、基板の耐電圧特性が低下するので好ましくない、酸
化剤の添加量は、上記の範囲中O〜5%の範囲がより望
ましい。
により黒化しない場合は添加しなくてもよいが、添加す
る場合の量はガラス粉末及び耐火物フィラーの総量であ
るガラスセラミックス組成物に対し、重量で0−10%
添加することが好ましい、酸化剤の量が10%を越える
と、基板の耐電圧特性が低下するので好ましくない、酸
化剤の添加量は、上記の範囲中O〜5%の範囲がより望
ましい。
酸化剤は空気中又は窒素雰囲気中で焼成する際、酸化作
用を行なうものであれば特に限定されない、中でもCe
nt 、5nOi 、Ties 、 Ba5s +Ca
Oヨ、 Vansが特に望ましい、かかる酸化剤は単独
でもよく、2種類以上併用してもよい。
用を行なうものであれば特に限定されない、中でもCe
nt 、5nOi 、Ties 、 Ba5s +Ca
Oヨ、 Vansが特に望ましい、かかる酸化剤は単独
でもよく、2種類以上併用してもよい。
本発明の組成物は各粉末が上記割合に混合されているも
のであるが、それを使用した多層回路基板は例えば次の
ようにして製造される。
のであるが、それを使用した多層回路基板は例えば次の
ようにして製造される。
本発明の組成物に有機バインダー、可塑剤。
溶剤を添加し、混練してスラリーを作成する。
この有機バインダーとしてはブチラール樹脂。
アクリル樹脂、可塑剤としてはフタル酸ジブチル、フタ
ル酸ジオクチル、フタル酸ブチルベンジル、溶剤として
はトルエン、アルコール等いずれも常用されているもの
が使用できる。
ル酸ジオクチル、フタル酸ブチルベンジル、溶剤として
はトルエン、アルコール等いずれも常用されているもの
が使用できる。
次いでこのスラリーをシートに成形し乾燥することによ
り、未焼結のシートいわゆるグリーンシートが作成され
る0次いでこのグリーンシートにピアホール用の穴を開
け、片面に空気中焼成の場合は^g、又はAg/ Pd
ペースト、窒素雰囲気中焼成の場合はCuペーストを所
定の回路に厚膜印刷する。この時ピアホールにはれ、又
はAg/ PdペーストあるいはCuペーストが満たさ
れる。
り、未焼結のシートいわゆるグリーンシートが作成され
る0次いでこのグリーンシートにピアホール用の穴を開
け、片面に空気中焼成の場合は^g、又はAg/ Pd
ペースト、窒素雰囲気中焼成の場合はCuペーストを所
定の回路に厚膜印刷する。この時ピアホールにはれ、又
はAg/ PdペーストあるいはCuペーストが満たさ
れる。
次にこれらの印刷グリーンシートを所定の枚数重ね合わ
せ熱圧着により積層し、焼成し、グリーンシート及び回
路を焼結する。かくして製造されたものは回路が絶縁基
板を介して多層に積層されたものである。
せ熱圧着により積層し、焼成し、グリーンシート及び回
路を焼結する。かくして製造されたものは回路が絶縁基
板を介して多層に積層されたものである。
これらの材料は、ペースト化して厚膜回路用絶縁ペース
トとしても使用できる。それを使用した厚膜回路は例え
ば次の様にして製造される。
トとしても使用できる。それを使用した厚膜回路は例え
ば次の様にして製造される。
本発明の組成物に有機バインダー、溶剤から成る有機ビ
ヒクルを添加し、混練し、ペーストを作成する。この有
機バインダーとしては、エチルセルロース、ニトロセル
ロース、溶剤としては、α−テルビチオール、ブチルカ
ルピトールアセテート等、いずれも常用されているもの
が使用できる。さらに分散剤として界面活性剤を添加し
てもよい。
ヒクルを添加し、混練し、ペーストを作成する。この有
機バインダーとしては、エチルセルロース、ニトロセル
ロース、溶剤としては、α−テルビチオール、ブチルカ
ルピトールアセテート等、いずれも常用されているもの
が使用できる。さらに分散剤として界面活性剤を添加し
てもよい。
次いでアルミナ基板上に空気中焼成の場合はAg又はA
g/ Pdペースト、窒素雰囲気中での焼成の場合はC
uペーストを所定の回路に印刷、乾燥、850〜900
℃、 10分で焼成する。
g/ Pdペースト、窒素雰囲気中での焼成の場合はC
uペーストを所定の回路に印刷、乾燥、850〜900
℃、 10分で焼成する。
次いで絶縁箇所に上記絶縁ペーストを印刷。
乾燥し、それぞれ空気中、窒素雰囲気中で850〜90
0℃、10分で焼成する。絶縁ペーストを印刷、乾燥、
焼成を繰り返し行い、絶縁層の膜厚を30〜40μmに
形成する。さらに導体を所定の回路に印刷、乾燥、85
0〜900℃、10分で焼成する。多層の場合は、その
印刷、乾燥、焼成を繰り返して多層厚膜回路を作成する
。又、それぞれ個別でなく、印刷、乾燥を繰り返したも
のを同時に一括焼成して多層厚膜回路を作成することも
できる。
0℃、10分で焼成する。絶縁ペーストを印刷、乾燥、
焼成を繰り返し行い、絶縁層の膜厚を30〜40μmに
形成する。さらに導体を所定の回路に印刷、乾燥、85
0〜900℃、10分で焼成する。多層の場合は、その
印刷、乾燥、焼成を繰り返して多層厚膜回路を作成する
。又、それぞれ個別でなく、印刷、乾燥を繰り返したも
のを同時に一括焼成して多層厚膜回路を作成することも
できる。
又、基板及び絶縁ペーストにはそれぞれ着色のために着
色顔料な0〜5%添加することができる。
色顔料な0〜5%添加することができる。
〔実施例]
(実施例1)
目標組成となるように各原料を調合し、これを白金ルツ
ボに入れ1350〜1500℃で2〜3時間撹拌しつつ
加熱溶解した0次いでこれを水砕又はフレーク状とし、
更に粉砕装置により平均粒径0.5〜4μmになるよう
に粉砕し、表−1に示す組成のガラス粉末を製造した0
次いでアルミナ、α−石英、ジルコン、コージェライト
。
ボに入れ1350〜1500℃で2〜3時間撹拌しつつ
加熱溶解した0次いでこれを水砕又はフレーク状とし、
更に粉砕装置により平均粒径0.5〜4μmになるよう
に粉砕し、表−1に示す組成のガラス粉末を製造した0
次いでアルミナ、α−石英、ジルコン、コージェライト
。
フォルステライト、ムライト、ジルコニアのセラミック
スを平均0.1〜5μmになるように粉砕した0次いで
これらのガラス粉末とセラミックス粉末を表−1に記載
の割合で混合し、本発明による8種類の組成物を得た。
スを平均0.1〜5μmになるように粉砕した0次いで
これらのガラス粉末とセラミックス粉末を表−1に記載
の割合で混合し、本発明による8種類の組成物を得た。
次いでこれらに有機バインダーとしてメチルメタクリレ
ート樹脂、可塑剤としてフタル酸ジブチル並びに溶剤と
してトルエンを添加し、混練して粘度を10000〜3
0000 cpsのスラリーを作成した0次いでこのス
ラリーを約0.2m+a厚のシートにした後、約70℃
で2時間乾燥した。
ート樹脂、可塑剤としてフタル酸ジブチル並びに溶剤と
してトルエンを添加し、混練して粘度を10000〜3
0000 cpsのスラリーを作成した0次いでこのス
ラリーを約0.2m+a厚のシートにした後、約70℃
で2時間乾燥した。
次いでこのシートを空気中、又は窒素雰囲気中で900
℃、1時間で焼成し、焼結基板を製造した。この焼結基
板について曲げ強度、熱伝導率、熱膨張率、誘電率、耐
熱性、耐薬品性、上部導体ハンダ濡れ性、接着強度、窒
素雰囲気中での焼成基板の黒化を測定した。これらの結
果を表−1に記載した。乾燥したシートにペーストをス
クリーン印刷し、Ag/ Pd又はCu導体を形成した
0次いでこの導体を形成したシートを積層した後に90
0℃、1時間で焼成して、多層回路素子を製造した0次
いでこの素子の最上面にAg/Pd又はCu導体を形成
した。
℃、1時間で焼成し、焼結基板を製造した。この焼結基
板について曲げ強度、熱伝導率、熱膨張率、誘電率、耐
熱性、耐薬品性、上部導体ハンダ濡れ性、接着強度、窒
素雰囲気中での焼成基板の黒化を測定した。これらの結
果を表−1に記載した。乾燥したシートにペーストをス
クリーン印刷し、Ag/ Pd又はCu導体を形成した
0次いでこの導体を形成したシートを積層した後に90
0℃、1時間で焼成して、多層回路素子を製造した0次
いでこの素子の最上面にAg/Pd又はCu導体を形成
した。
表−1から明らかなように、本発明に言う組成物は電気
特性、熱膨張率2曲げ強度に優れ、多層回路基板として
充分使用できる特性を有する。
特性、熱膨張率2曲げ強度に優れ、多層回路基板として
充分使用できる特性を有する。
比較例として本発明による組成物以外のものにつりでも
同様の評価を行ったので併せて表−1に記載した。
同様の評価を行ったので併せて表−1に記載した。
なお、各特性の測定方法は、次の通りである。
O曲げ強度
グリーンシート5枚を積層し900℃、1時間焼結した
。焼結後のサンプル形状は12++m巾×35+am長
×厚み1 m+m。本試料を3点曲げ試験により破壊強
度を求めた。
。焼結後のサンプル形状は12++m巾×35+am長
×厚み1 m+m。本試料を3点曲げ試験により破壊強
度を求めた。
O熱伝導率
上記と同一条件でサンプルを焼成し、測定のため10m
mΦ、1.5m+a厚に加工し、レーザーフラッシュ法
により測定した。
mΦ、1.5m+a厚に加工し、レーザーフラッシュ法
により測定した。
○誘電率
上記と同一条件でサンプルを作成し、測定のために45
a+a+X 45mm、 1.5a+m厚に加工した。
a+a+X 45mm、 1.5a+m厚に加工した。
IMHzにおける誘電率をブリッジ法により測定した。
O耐熱性
上記と同一条件でサンプルを作成し、測定のために12
11IIII巾X 35a+m長X1mm厚の形状とし
、両端を支持台に乗せ、焼成し、そのたわみ変形量を測
定した0本処理による変形がないものを良とし、中央部
最大変形量が30μm以上を否と判定した。焼成温度と
時間は850℃。
11IIII巾X 35a+m長X1mm厚の形状とし
、両端を支持台に乗せ、焼成し、そのたわみ変形量を測
定した0本処理による変形がないものを良とし、中央部
最大変形量が30μm以上を否と判定した。焼成温度と
時間は850℃。
10分間×3回の条件とした。
(実施例2)
目的組成となるように各原料を調合し、これを白金ルツ
ボに入れ、1350〜1500℃で2〜3時間撹拌しつ
つ加熱溶解した6次いでこれを水砕又はフレーク状とし
、更に粉砕装置により平均粒径0.5〜4μmになるよ
うに粉砕し1表−2に示す組成のガラス粉末を製造した
0次いでアルミナ、α−石英、ジルコン、コージェライ
ト、フォルステライト、ムライト、ジルコニアのセラミ
ックスを平均0.1〜5μlになるように粉砕した0次
いで、これらのガラス粉末とセラミックス粉末を表−2
に記載の割合で混合し、本発明による8種類の組成物を
得た。
ボに入れ、1350〜1500℃で2〜3時間撹拌しつ
つ加熱溶解した6次いでこれを水砕又はフレーク状とし
、更に粉砕装置により平均粒径0.5〜4μmになるよ
うに粉砕し1表−2に示す組成のガラス粉末を製造した
0次いでアルミナ、α−石英、ジルコン、コージェライ
ト、フォルステライト、ムライト、ジルコニアのセラミ
ックスを平均0.1〜5μlになるように粉砕した0次
いで、これらのガラス粉末とセラミックス粉末を表−2
に記載の割合で混合し、本発明による8種類の組成物を
得た。
次いでこれらに、有機バインダーとしてエチルセルロー
ス、溶剤としてα−テルビチオールからなる有機ビヒク
ルを添加し、混練し、粘度が20X 10’ cpsの
ペーストを作成した0次いで、アルミナ基板上に、空気
中焼成の場合はAg/ Pdペーストを、窒素雰囲気中
焼成の場合はCuペーストを所定の回路にスクリーン印
刷、乾燥、850〜900℃、10分で焼成した。
ス、溶剤としてα−テルビチオールからなる有機ビヒク
ルを添加し、混練し、粘度が20X 10’ cpsの
ペーストを作成した0次いで、アルミナ基板上に、空気
中焼成の場合はAg/ Pdペーストを、窒素雰囲気中
焼成の場合はCuペーストを所定の回路にスクリーン印
刷、乾燥、850〜900℃、10分で焼成した。
次いで絶縁箇所に上記絶縁ペーストを200メツシユス
クリーンでスクリーン印刷、乾燥し、それぞれ空気中、
窒素雰囲気中で850〜900℃10分間で焼成した。
クリーンでスクリーン印刷、乾燥し、それぞれ空気中、
窒素雰囲気中で850〜900℃10分間で焼成した。
絶縁ペーストを印刷、乾燥、焼成を繰り返し行い、絶縁
層の膜厚を30〜40μ−に形成した。さらにAg/
Pdペースト又はCuペーストを所定の回路にスクリー
ン印刷、乾燥し、それぞれ空気中、窒素雰囲気中で85
0〜900℃、10分で焼成した。
層の膜厚を30〜40μ−に形成した。さらにAg/
Pdペースト又はCuペーストを所定の回路にスクリー
ン印刷、乾燥し、それぞれ空気中、窒素雰囲気中で85
0〜900℃、10分で焼成した。
かくして回路素子を作成した。この回路素子について、
絶縁抵抗、絶縁破壊電圧、上部導体ハンダ濡れ性、接着
強度を測定した。これらの結果を表−2に記載した。
絶縁抵抗、絶縁破壊電圧、上部導体ハンダ濡れ性、接着
強度を測定した。これらの結果を表−2に記載した。
表−2から明らかなように本発明による組成物は電気特
性に優れ、厚膜回路絶縁層用ペーストとして充分使用で
きる特性を有する。
性に優れ、厚膜回路絶縁層用ペーストとして充分使用で
きる特性を有する。
比較例として本発明による組成物以外のものについても
同様の評価を行ったので併せて表−2に記載した。
同様の評価を行ったので併せて表−2に記載した。
なお各特性の測定方法は次の通りである。
O絶縁抵抗
微小電流電位計により、 100 V印加時の絶縁゛抵
抗の1分値を測定した。
抗の1分値を測定した。
○絶縁破壊電圧
電圧印加装置により 1oov毎にステップアップし、
各電圧で1分間保持し、リーク電流が0.5mAを越え
るものを不良発生として破壊電圧とした。
各電圧で1分間保持し、リーク電流が0.5mAを越え
るものを不良発生として破壊電圧とした。
○上部導体ハンダ濡れ性
絶縁層上に形成した導体のハンダ濡れ性について、23
0℃のPb−5n共晶ハンダバス中に5秒間デイツプし
、その濡れ面積を測定した。
0℃のPb−5n共晶ハンダバス中に5秒間デイツプし
、その濡れ面積を測定した。
80%以上濡れているものを良、80%未満のものを否
として判定した。
として判定した。
○接着強度
絶縁層上に形成した2mmX2a+mの導体に予備ハン
ダ付軟fR1M (0,8auwΦ)を水平ハンダ付後
90°折り曲げ、垂直に引き上げ剥離する引張り力を測
定する。
ダ付軟fR1M (0,8auwΦ)を水平ハンダ付後
90°折り曲げ、垂直に引き上げ剥離する引張り力を測
定する。
[発明の効果]
本発明による組成物を使用して焼成した基板は曲げ強度
が大きく、熱伝導率が大きく、耐熱性、耐薬品性、最上
層に形成される導体のハンダ濡れ性に優れている。
が大きく、熱伝導率が大きく、耐熱性、耐薬品性、最上
層に形成される導体のハンダ濡れ性に優れている。
又本発明による組成物を使用して焼成した厚膜回路用絶
縁層は、絶縁性が良く、絶縁破壊電圧が高く、 最上層に形成される導体のハンダ濡 れ性に優れている。
縁層は、絶縁性が良く、絶縁破壊電圧が高く、 最上層に形成される導体のハンダ濡 れ性に優れている。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、無機成分が重量%表示で ガラス粉末30〜95% セラミック粉末5〜70% 酸化剤0〜10% とからなり、該ガラス粉末は重量%表示で実質的に SiO_230〜50% Al_2O_31〜20% MgO+CaO+SrO+BaO5〜40%Li_2O
+Na_2O+K_2O+Cs_2O3.5〜10%P
bO+ZnO1〜25% ZrO_2+TiO_20〜7% B_2O_21〜35% からなるガラスセラミック組成物。 2、請求項1記載のガラスセラミック組成物に有機バイ
ンダーを含有してなる厚膜回路絶縁層用組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3275389A JPH02212336A (ja) | 1989-02-14 | 1989-02-14 | ガラスセラミック組成物及びその用途 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3275389A JPH02212336A (ja) | 1989-02-14 | 1989-02-14 | ガラスセラミック組成物及びその用途 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02212336A true JPH02212336A (ja) | 1990-08-23 |
Family
ID=12367604
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3275389A Pending JPH02212336A (ja) | 1989-02-14 | 1989-02-14 | ガラスセラミック組成物及びその用途 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02212336A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1059271A1 (en) * | 1999-06-08 | 2000-12-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Composition for ceramic substrate and ceramic circuit component |
DE10157443A1 (de) * | 2000-11-29 | 2003-05-22 | Murata Manufacturing Co | Glas-Keramikzusammensetzung für ein elektronisches Keramikbauteil, elektronisches Keramikbauteil und Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Vielschicht-Keramikbauteils |
EP1364920A1 (en) * | 2002-05-20 | 2003-11-26 | Ngk Spark Plug Co., Ltd | Dielectric ceramic |
CN100347111C (zh) * | 2002-05-20 | 2007-11-07 | 日本特殊陶业株式会社 | 电介质瓷器 |
-
1989
- 1989-02-14 JP JP3275389A patent/JPH02212336A/ja active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1059271A1 (en) * | 1999-06-08 | 2000-12-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Composition for ceramic substrate and ceramic circuit component |
US6376055B1 (en) | 1999-06-08 | 2002-04-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Composition for ceramic substrate and ceramic circuit component |
DE10157443A1 (de) * | 2000-11-29 | 2003-05-22 | Murata Manufacturing Co | Glas-Keramikzusammensetzung für ein elektronisches Keramikbauteil, elektronisches Keramikbauteil und Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Vielschicht-Keramikbauteils |
US6610621B2 (en) | 2000-11-29 | 2003-08-26 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Glass-ceramic composition for ceramic electronic part, ceramic electronic part, and method for manufacturing multilayer ceramic electronic part |
US6667256B2 (en) * | 2000-11-29 | 2003-12-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Glass-ceramic composition for ceramic electronic part, ceramic electronic part, and method for manufacturing multilayer ceramic electronic part |
DE10157443B4 (de) * | 2000-11-29 | 2007-08-30 | Murata Mfg. Co., Ltd., Nagaokakyo | Glas-Keramikzusammensetzung für ein elektronisches Keramikbauteil, Verwendung der Glas-Keramikzusammensetzung für ein elektronisches Keramikbauteil und Vefahren zur Herstellung eines elektronischen Vielschicht-Keramikbauteils |
EP1364920A1 (en) * | 2002-05-20 | 2003-11-26 | Ngk Spark Plug Co., Ltd | Dielectric ceramic |
EP1498396A1 (en) * | 2002-05-20 | 2005-01-19 | Ngk Spark Plug Co., Ltd | Dielectric ceramic |
CN100347111C (zh) * | 2002-05-20 | 2007-11-07 | 日本特殊陶业株式会社 | 电介质瓷器 |
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