JPH0260236B2 - - Google Patents
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Description
［産業上の利用分野］
本発明はセラミツクス、金属等よりなる基板上
に絶縁ペースト、抵抗ペースト、導体ペーストを
印刷して回路パターンを形成する印刷回路基板に
関する。 ［従来の技術］ アルミナ等のセラミツグス基板上に、Ag、Ag
−Pd、Au、Cuなどの導体やRuO2、Bi2Ru2O7、
LaB6などの抵抗ペーストを印刷法により形成し
て得られる厚膜回路基板においては、回路の構成
上導体がクロスする部分が生じる場合があり、ま
た集積度を増すために導体層を複数形成する場合
があるが、これらの場合には絶縁層を間に介する
必要がある。 この絶縁層に要求される特性としては、高い絶
縁性はもちろん、信号伝播遅延を少なくするため
誘電率が小さいこと、熱放散が良いこと、絶縁層
を焼成した後絶縁層上に印刷する導体や抵抗で形
成されたパターンがその焼成時に流動しないこ
と、ピンホールが少ないことなどが要求される。 従来、このような絶縁層を形成する材料として
は、焼成後結晶化する結晶性ガラスが知られてお
り、初期の絶縁性やパターンの流動性については
ある程度、満足する特性をもつていた。 ［発明が解決しようとする問題点］ 上記従来の結晶性ガラスはピンホールが多く、
高湿度環境下において、絶縁性の不良が生じやす
かつたり、熱放散性が悪い、誘電率が大きい、ま
た熱膨張係数が大きい等の問題があり、Siチツプ
を直接マウントする場合、チツプに応力が生じる
などの欠点があつた。 ［問題点を解決するための手段］ 本発明は、上記問題点を解決すべくなされたも
ので、MO（ただしＭ：Ca、Mg）：10〜55％（重
量基準：以下同じ）、Al2O3：０〜30％、SiO2：
40〜70％、B2O3：０〜30％、Na2O及びK2Oの
和：1.8％以下のガラス粉末40〜80％とアルミナ
粉末20〜60％よりなる組成物を1100℃以下で焼成
して得られるMO：４〜44％、Al2O3：20〜72％、
SiO2：16〜56％、B2O3：０〜24％、Na2O及び
K2O：1.4％以下、かつ実質的にPbOを含まない
組成からなる絶縁層を基板上に有し、基板の熱膨
張係数と絶縁層の熱膨張係数との関係が次の数式
で示す範囲にあることを特徴とする印刷回路基板
である。 5B≧Ａ≧Ｂ−２×10-6／℃ （ただし、Ａ：基板の熱膨張係数、Ｂ：絶縁層の
熱膨張係数、いずれも単位は×10-6／℃） 本発明に用いられる基板としては、アルミナセ
ラミツクスにとどまらず、他のセラミツクスやス
テンレス、銅等の金属材料を用いてもよい。 この基板の熱膨張係数が絶縁層のそれより大き
い場合には、焼成後の冷却によつて絶縁層に生じ
る熱応力が圧縮応力であるので、熱応力によるク
ラツクは発生しない。 基板として例えばムライトセラミツクスのよう
に、熱膨張係数が4.5×10-6／℃と小さいものを
使用すると、上記絶縁層の熱膨張係数より小さく
なる場合がある。この場合、基板と絶縁層の熱膨
張係数の差があまりに大きいと、絶縁層には引張
り応力が発生し、クラツクを生じたりして、信頼
性が非常に悪くなる。この熱膨張係数の差の限界
は２×10-6／℃である。 また、基板の熱膨張係数が絶縁層のそれの５倍
を越えると、あまりに大きな圧縮応力が絶縁層に
発生して、好ましくない影響が出る。以上述べた
基板と絶縁層の熱膨張係数の関係をまとめると、
次式に示す範囲内であれば、絶縁層にクラツクは
発生せず、信頼性の高い絶縁層を得ることができ
る。 つまり５×Ｂ≧Ａ≧Ｂ−２×10-6／℃ （ただし、Ａ：基板の熱膨張係数、Ｂ：絶縁層の
熱膨張係数、いずれも単位は×10-6／℃） 基板としてステンレス、銅などの金属を使用す
る場合は、一般に金属の熱膨張係数が大きいた
め、絶縁層に対する熱膨張係数差において、上記
ムライト質の場合のような問題はない。しかしな
がら、金属は導体であるためこの基板上に直接導
体は印刷できないので、まず最初は絶縁層を印刷
する必要がある。この際、導体や抵抗パターンま
た上層の絶縁層は、最初の絶縁層を焼成後、印刷
するのが絶縁性、信頼性の面から好ましく、しか
も最初の絶縁層は、絶縁ペーストの印刷および焼
成の工程を数回繰り返すことが望ましい。 また、基板に使用する金属が銅のように酸化し
易いものである場合には、焼成は中性あるいは還
元雰囲気である必要があるが、本発明における絶
縁材料は、上記雰囲気でも還元されることはな
く、絶縁性、信頼性は劣化しないが、低抗体の材
質は考慮する必要がある。 ステンレスを基板に使用する場合は、一般には
酸化雰囲気で焼成することができるが、ステンレ
スの組成によつては、焼成温度である800〜1000
℃では酸化するものもあるので、SUS24、27、
446などが望ましい。 金属を基板に使用した際には、熱放散性が特に
良好になるので、この要求が強い場合には有効な
基板材料である。 次に絶縁材料の組成を限定した理由について述
べる。 原料としてのガラス粉末の組成を限定した理由
は次のとおりである。 SiO2が40％より減少すると誘電率および熱膨
張係数が高くなり、また部分結晶化により析出す
るアノーサイトやコージエライト、ムライトの量
が充分でなくなり、導体や抵抗パターンが焼成時
や再熱処理時に流動し易くなる。SiO2が70％を
越えると、1100℃以下での焼成が困難となる。 Al2O3が30％より多くなると、1100℃以下での
焼成が困難となる。 MOが10％より少ないと1100℃以下での焼成が
困難となり、55％を越えると誘電率と熱膨脹係数
が大きくなる。ＭとしてはCaよりMgを使用した
方が誘電率と熱膨張係数は小さくなるが、55％を
越えると、部分結晶化により析出するコージエラ
イト、ムライトの量が充分でなくなる。 B2O3はガラスを1300〜1450℃附近の温度で溶
解するためと、セラミツクの焼成温度を低下させ
る効果があり、電気特性や機械的物理特性を変え
ることなく、1100℃以下の焼成温度にすることが
できるようになる。B2O3が30％より多くなると、
ポアーやピンホールが多くなつたり、耐水性が悪
くなり信頼性が悪くなる。ただし、B2O3が増え
ることにより、誘電率と熱膨張係数は低くなる傾
向にある。 このガラス粉末は、不純物として、1.8％まで
のNa2O、K2Oを含み得る。そして、絶縁層にお
けるガラス粉末の量は最大80％であるから、絶縁
層中のNa2O、K2O含有量は1.4％まで含み得る。
Na2O、K2Oの量がこの値を超えると電気的特性
や耐水性を悪化させる。 また、BaO、Fe2O3、MnO2、Mn3O4、Cr2O3、
NiO、Co2O3などを不純物として10％まで含み得
る。これらは絶縁層の特性をあまり劣化させるこ
とがない。 しかし、PbOの混入を避けるのは還元雰囲気で
は絶縁性が低下するためである。 ガラス粉末の適切な粒度は、粉末のBET比表
面積で表した場合、１m2／ｇ以上、望ましくは２
m2／ｇ以上必要で、これより小さな比表面積のガ
ラス粉末、つまり粗い粒度のガラス粉末を使用す
ると充分に緻密化しなくなる。また、ガラスの割
合いが50％より少ない範囲つまり40〜50％の範囲
では、ガラス粉末のBET比表面積は４m2／ｇ以
上あることが望ましい。 アルミナ粉末の割合いを限定した理由は次に示
す通りである。 アルミナ粉末は、絶縁層を焼成後、絶縁層上に
印刷される導体や抵抗を焼成する際、これらのバ
ターンがガラスの軟化によつて流動するのを防
ぎ、またガラス粉末と反応して２次的結晶質（ア
ノーサイト、ウオラストナイト、ムライト、コー
ジエライト）を生じさせるため、パターンの流動
をさらに完全に防止するようになる。この効果
は、絶縁層と導体、抵抗体を同時に焼成する場合
にも有効である。また、反応によつて生じた２次
的な結晶質部分は、一部を除き熱膨張係数が小さ
いため、基板全体の熱膨脹係数を小さくする。さ
らにアルミナ粉末はガラス粉末に比較して熱伝導
率が良いので、熱放散性が改良される。アルミナ
粉末が20％より少ないと、上記の効果が期待でき
ず、60％より多いとAg、Ag−Pd、Au、Cuなど
の導電材料やRuO2、Bi2Ru2O7、LaB6系の抵抗
材料が使用できる1100℃以下の焼成温度では充分
に緻密な絶縁層が得られなくなる。 アルミナ粉末の適切な粒度は、平均粒径で0.5μ
ｍ以上であり、これより細かな粉末を使用する
と、緻密な絶縁層が得られなくなる。 以上の材料は本発明で規定した組成の絶縁層を
つくるのに好適な材料であるが、これをもつて絶
縁層を形成するには、まず原料としてCaO、
SiO2、Al2O3、B2O3を所定の配合組成になるよ
うに混合し、1300〜1450℃で溶融急冷してガラス
を作成する。原料の形態は、炭酸塩、酸化物、水
酸化物などで良い。上記溶融温度範囲は炉材料等
の関係から望ましい範囲である。 次にガラスを湿式、乾式粉砕をして粉末をつく
る。このガラス粉末にアルミナ粉末を所定の割合
で混合する。上記においてガラスの粉砕とアルミ
ナの混合を同時に行つても良い。 得られた絶縁材料用粉末に有機バインダーと溶
剤を添加混合し、印刷に適する粘度をもつペース
を作成する。 これを基板に塗布し、1100℃以下で焼成して、
前記組成範囲の絶縁層とする。 ［実施例］ つぎに本発明の実施例について説明する。 実施例 １ CaCO3、Mg（OH）2、SiO2、Al2O3、H3BO3を
ガラスの出発原料に使用し、所定の組成割合にし
たがい秤量した。 これをライカイ機で充分混合した後、1400℃で
溶融し、水中に投下してガラスを得た。得られた
ガラスをアルミナポツトに水、アルミナボールと
ともに入れ、湿式粉砕し、乾燥して、比表面積３
〜4.5m2／ｇのガラス粉末を得た。 このガラス粉末を45〜80％の範囲で、また、粒
径1.2μｍの残部を占めるアルミナ粉末を20〜55％
の範囲で、アルミナポツトに水、アルミナボール
とともに入れ、３時間混合した後乾燥した。乾粉
20ｇにエチルセルロース１ｇとテルピネオール12
ｇを加え、３本ローラーにより充分混練してペー
ストにした。 アルミナセラミツクスおよびムライトセラミツ
クス基板にAg−Pd系の導体ペーストを使用し、
導体パターンを印刷乾燥した後、900℃で焼成し
第１層目の導体層とした。この第１層目の導体層
上に絶縁ペーストを印刷乾燥した後、850〜1000
℃で焼成した。焼成された絶縁層上に、さらに絶
縁ペーストを印刷乾燥した後、第２層の導体パタ
ーンをAg−Pd系導体ペーストを使用して印刷乾
燥した後、850〜1000℃で焼成した。 導体第１層目と第２層目はビアホールにて接続
した。第２層目の導体パターンに市販のRuO2系
抵抗ペーストを使用して、抵抗体を印刷して乾燥
した後、850℃で焼成した。市販のオーバーコー
ト用ガラスペーストを印刷乾燥し、500℃で焼成
した後、抵抗体をレーザートリミングし、所望の
抵抗値に調整した。以上の焼成は、通常の厚膜炉
を使用し、最高温度の保持は２〜20分とした。ま
た、Ag−Pd系導体ペーストは市販のAg粉末15ｇ
とPd粉末５ｇの混合物にエチルセルロース１ｇ
とテルピネオール12ｇを加え、３本ローラーによ
り充分混練し、ペースト化したものを使用した。
このようにして、抵抗付多層印刷回路基板を得
た。 上記における絶縁材料の組成、絶縁層の物理特
性、基板材質の具体例を表１に示す。
に絶縁ペースト、抵抗ペースト、導体ペーストを
印刷して回路パターンを形成する印刷回路基板に
関する。 ［従来の技術］ アルミナ等のセラミツグス基板上に、Ag、Ag
−Pd、Au、Cuなどの導体やRuO2、Bi2Ru2O7、
LaB6などの抵抗ペーストを印刷法により形成し
て得られる厚膜回路基板においては、回路の構成
上導体がクロスする部分が生じる場合があり、ま
た集積度を増すために導体層を複数形成する場合
があるが、これらの場合には絶縁層を間に介する
必要がある。 この絶縁層に要求される特性としては、高い絶
縁性はもちろん、信号伝播遅延を少なくするため
誘電率が小さいこと、熱放散が良いこと、絶縁層
を焼成した後絶縁層上に印刷する導体や抵抗で形
成されたパターンがその焼成時に流動しないこ
と、ピンホールが少ないことなどが要求される。 従来、このような絶縁層を形成する材料として
は、焼成後結晶化する結晶性ガラスが知られてお
り、初期の絶縁性やパターンの流動性については
ある程度、満足する特性をもつていた。 ［発明が解決しようとする問題点］ 上記従来の結晶性ガラスはピンホールが多く、
高湿度環境下において、絶縁性の不良が生じやす
かつたり、熱放散性が悪い、誘電率が大きい、ま
た熱膨張係数が大きい等の問題があり、Siチツプ
を直接マウントする場合、チツプに応力が生じる
などの欠点があつた。 ［問題点を解決するための手段］ 本発明は、上記問題点を解決すべくなされたも
ので、MO（ただしＭ：Ca、Mg）：10〜55％（重
量基準：以下同じ）、Al2O3：０〜30％、SiO2：
40〜70％、B2O3：０〜30％、Na2O及びK2Oの
和：1.8％以下のガラス粉末40〜80％とアルミナ
粉末20〜60％よりなる組成物を1100℃以下で焼成
して得られるMO：４〜44％、Al2O3：20〜72％、
SiO2：16〜56％、B2O3：０〜24％、Na2O及び
K2O：1.4％以下、かつ実質的にPbOを含まない
組成からなる絶縁層を基板上に有し、基板の熱膨
張係数と絶縁層の熱膨張係数との関係が次の数式
で示す範囲にあることを特徴とする印刷回路基板
である。 5B≧Ａ≧Ｂ−２×10-6／℃ （ただし、Ａ：基板の熱膨張係数、Ｂ：絶縁層の
熱膨張係数、いずれも単位は×10-6／℃） 本発明に用いられる基板としては、アルミナセ
ラミツクスにとどまらず、他のセラミツクスやス
テンレス、銅等の金属材料を用いてもよい。 この基板の熱膨張係数が絶縁層のそれより大き
い場合には、焼成後の冷却によつて絶縁層に生じ
る熱応力が圧縮応力であるので、熱応力によるク
ラツクは発生しない。 基板として例えばムライトセラミツクスのよう
に、熱膨張係数が4.5×10-6／℃と小さいものを
使用すると、上記絶縁層の熱膨張係数より小さく
なる場合がある。この場合、基板と絶縁層の熱膨
張係数の差があまりに大きいと、絶縁層には引張
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性が非常に悪くなる。この熱膨張係数の差の限界
は２×10-6／℃である。 また、基板の熱膨張係数が絶縁層のそれの５倍
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発生して、好ましくない影響が出る。以上述べた
基板と絶縁層の熱膨張係数の関係をまとめると、
次式に示す範囲内であれば、絶縁層にクラツクは
発生せず、信頼性の高い絶縁層を得ることができ
る。 つまり５×Ｂ≧Ａ≧Ｂ−２×10-6／℃ （ただし、Ａ：基板の熱膨張係数、Ｂ：絶縁層の
熱膨張係数、いずれも単位は×10-6／℃） 基板としてステンレス、銅などの金属を使用す
る場合は、一般に金属の熱膨張係数が大きいた
め、絶縁層に対する熱膨張係数差において、上記
ムライト質の場合のような問題はない。しかしな
がら、金属は導体であるためこの基板上に直接導
体は印刷できないので、まず最初は絶縁層を印刷
する必要がある。この際、導体や抵抗パターンま
た上層の絶縁層は、最初の絶縁層を焼成後、印刷
するのが絶縁性、信頼性の面から好ましく、しか
も最初の絶縁層は、絶縁ペーストの印刷および焼
成の工程を数回繰り返すことが望ましい。 また、基板に使用する金属が銅のように酸化し
易いものである場合には、焼成は中性あるいは還
元雰囲気である必要があるが、本発明における絶
縁材料は、上記雰囲気でも還元されることはな
く、絶縁性、信頼性は劣化しないが、低抗体の材
質は考慮する必要がある。 ステンレスを基板に使用する場合は、一般には
酸化雰囲気で焼成することができるが、ステンレ
スの組成によつては、焼成温度である800〜1000
℃では酸化するものもあるので、SUS24、27、
446などが望ましい。 金属を基板に使用した際には、熱放散性が特に
良好になるので、この要求が強い場合には有効な
基板材料である。 次に絶縁材料の組成を限定した理由について述
べる。 原料としてのガラス粉末の組成を限定した理由
は次のとおりである。 SiO2が40％より減少すると誘電率および熱膨
張係数が高くなり、また部分結晶化により析出す
るアノーサイトやコージエライト、ムライトの量
が充分でなくなり、導体や抵抗パターンが焼成時
や再熱処理時に流動し易くなる。SiO2が70％を
越えると、1100℃以下での焼成が困難となる。 Al2O3が30％より多くなると、1100℃以下での
焼成が困難となる。 MOが10％より少ないと1100℃以下での焼成が
困難となり、55％を越えると誘電率と熱膨脹係数
が大きくなる。ＭとしてはCaよりMgを使用した
方が誘電率と熱膨張係数は小さくなるが、55％を
越えると、部分結晶化により析出するコージエラ
イト、ムライトの量が充分でなくなる。 B2O3はガラスを1300〜1450℃附近の温度で溶
解するためと、セラミツクの焼成温度を低下させ
る効果があり、電気特性や機械的物理特性を変え
ることなく、1100℃以下の焼成温度にすることが
できるようになる。B2O3が30％より多くなると、
ポアーやピンホールが多くなつたり、耐水性が悪
くなり信頼性が悪くなる。ただし、B2O3が増え
ることにより、誘電率と熱膨張係数は低くなる傾
向にある。 このガラス粉末は、不純物として、1.8％まで
のNa2O、K2Oを含み得る。そして、絶縁層にお
けるガラス粉末の量は最大80％であるから、絶縁
層中のNa2O、K2O含有量は1.4％まで含み得る。
Na2O、K2Oの量がこの値を超えると電気的特性
や耐水性を悪化させる。 また、BaO、Fe2O3、MnO2、Mn3O4、Cr2O3、
NiO、Co2O3などを不純物として10％まで含み得
る。これらは絶縁層の特性をあまり劣化させるこ
とがない。 しかし、PbOの混入を避けるのは還元雰囲気で
は絶縁性が低下するためである。 ガラス粉末の適切な粒度は、粉末のBET比表
面積で表した場合、１m2／ｇ以上、望ましくは２
m2／ｇ以上必要で、これより小さな比表面積のガ
ラス粉末、つまり粗い粒度のガラス粉末を使用す
ると充分に緻密化しなくなる。また、ガラスの割
合いが50％より少ない範囲つまり40〜50％の範囲
では、ガラス粉末のBET比表面積は４m2／ｇ以
上あることが望ましい。 アルミナ粉末の割合いを限定した理由は次に示
す通りである。 アルミナ粉末は、絶縁層を焼成後、絶縁層上に
印刷される導体や抵抗を焼成する際、これらのバ
ターンがガラスの軟化によつて流動するのを防
ぎ、またガラス粉末と反応して２次的結晶質（ア
ノーサイト、ウオラストナイト、ムライト、コー
ジエライト）を生じさせるため、パターンの流動
をさらに完全に防止するようになる。この効果
は、絶縁層と導体、抵抗体を同時に焼成する場合
にも有効である。また、反応によつて生じた２次
的な結晶質部分は、一部を除き熱膨張係数が小さ
いため、基板全体の熱膨脹係数を小さくする。さ
らにアルミナ粉末はガラス粉末に比較して熱伝導
率が良いので、熱放散性が改良される。アルミナ
粉末が20％より少ないと、上記の効果が期待でき
ず、60％より多いとAg、Ag−Pd、Au、Cuなど
の導電材料やRuO2、Bi2Ru2O7、LaB6系の抵抗
材料が使用できる1100℃以下の焼成温度では充分
に緻密な絶縁層が得られなくなる。 アルミナ粉末の適切な粒度は、平均粒径で0.5μ
ｍ以上であり、これより細かな粉末を使用する
と、緻密な絶縁層が得られなくなる。 以上の材料は本発明で規定した組成の絶縁層を
つくるのに好適な材料であるが、これをもつて絶
縁層を形成するには、まず原料としてCaO、
SiO2、Al2O3、B2O3を所定の配合組成になるよ
うに混合し、1300〜1450℃で溶融急冷してガラス
を作成する。原料の形態は、炭酸塩、酸化物、水
酸化物などで良い。上記溶融温度範囲は炉材料等
の関係から望ましい範囲である。 次にガラスを湿式、乾式粉砕をして粉末をつく
る。このガラス粉末にアルミナ粉末を所定の割合
で混合する。上記においてガラスの粉砕とアルミ
ナの混合を同時に行つても良い。 得られた絶縁材料用粉末に有機バインダーと溶
剤を添加混合し、印刷に適する粘度をもつペース
を作成する。 これを基板に塗布し、1100℃以下で焼成して、
前記組成範囲の絶縁層とする。 ［実施例］ つぎに本発明の実施例について説明する。 実施例 １ CaCO3、Mg（OH）2、SiO2、Al2O3、H3BO3を
ガラスの出発原料に使用し、所定の組成割合にし
たがい秤量した。 これをライカイ機で充分混合した後、1400℃で
溶融し、水中に投下してガラスを得た。得られた
ガラスをアルミナポツトに水、アルミナボールと
ともに入れ、湿式粉砕し、乾燥して、比表面積３
〜4.5m2／ｇのガラス粉末を得た。 このガラス粉末を45〜80％の範囲で、また、粒
径1.2μｍの残部を占めるアルミナ粉末を20〜55％
の範囲で、アルミナポツトに水、アルミナボール
とともに入れ、３時間混合した後乾燥した。乾粉
20ｇにエチルセルロース１ｇとテルピネオール12
ｇを加え、３本ローラーにより充分混練してペー
ストにした。 アルミナセラミツクスおよびムライトセラミツ
クス基板にAg−Pd系の導体ペーストを使用し、
導体パターンを印刷乾燥した後、900℃で焼成し
第１層目の導体層とした。この第１層目の導体層
上に絶縁ペーストを印刷乾燥した後、850〜1000
℃で焼成した。焼成された絶縁層上に、さらに絶
縁ペーストを印刷乾燥した後、第２層の導体パタ
ーンをAg−Pd系導体ペーストを使用して印刷乾
燥した後、850〜1000℃で焼成した。 導体第１層目と第２層目はビアホールにて接続
した。第２層目の導体パターンに市販のRuO2系
抵抗ペーストを使用して、抵抗体を印刷して乾燥
した後、850℃で焼成した。市販のオーバーコー
ト用ガラスペーストを印刷乾燥し、500℃で焼成
した後、抵抗体をレーザートリミングし、所望の
抵抗値に調整した。以上の焼成は、通常の厚膜炉
を使用し、最高温度の保持は２〜20分とした。ま
た、Ag−Pd系導体ペーストは市販のAg粉末15ｇ
とPd粉末５ｇの混合物にエチルセルロース１ｇ
とテルピネオール12ｇを加え、３本ローラーによ
り充分混練し、ペースト化したものを使用した。
このようにして、抵抗付多層印刷回路基板を得
た。 上記における絶縁材料の組成、絶縁層の物理特
性、基板材質の具体例を表１に示す。
【表】
第１層導体層と第２層導体層間の絶縁抵抗は、
上部電極、下部電極として10mm角の電極を形成
し、これらの電極間の絶縁抵抗をDC100Vで測定
した。 いずれの実施例も1014Ω以上の充分な抵抗を示
した。また同じ電極を使用して測定した直流絶縁
耐圧は2kV以上の値を示した。 絶縁層に発生したピンホールは非常に少なく、
その結果、高温高湿電圧負荷での絶縁性の信頼性
は高く、代表的な例として表１のNo.１の絶縁抵抗
と直流絶縁耐圧の65℃、95％、48VDC印加条件
時の耐環境性試験の結果を図に示した。なお、上
記絶縁層の厚みはいずれの実施例も30〜40μｍで
あつた。 第１表から明らかなように、絶縁層の熱伝導率
は、0.003〜0.007Cal／℃・sec・cmと従来の結晶
化ガラス絶縁層の0.002〜0.003Cal／℃・sec・cm
に比較し、大きく熱放散性が向上した。また、誘
電率も６〜8.6と小さく、熱膨張係数も３〜5.5×
10-6／℃と小さかつた。 実施例 ２ 表１のNo.１に示した熱膨張係数が5.2×10-6／
℃の絶縁材料を用い、熱膨張係数が11×10-6／℃
のSUS446よりなる基板に印刷した後900℃で焼
成した。この工程を３回繰り返し、約60μｍの絶
縁層を得た。 この絶縁層上に実施例１と同様の方法で抵抗付
多層印刷回路基板を得た。基板と導体第１層間の
絶縁抵抗は1014Ω以上、また直流絶縁耐圧も4kV
以上あつた。 ［発明の効果］ 本発明で得られる印刷回路基板は、絶縁層のピ
ンホールが少ないため信頼性が高く、熱伝導率が
大きいので熱放散性が良く、誘電率が小さいので
信号伝播遅延が少なく、熱膨張係数が小さいので
Siチツプにかかる応力が小さいなどの優れた特性
をもつ。
上部電極、下部電極として10mm角の電極を形成
し、これらの電極間の絶縁抵抗をDC100Vで測定
した。 いずれの実施例も1014Ω以上の充分な抵抗を示
した。また同じ電極を使用して測定した直流絶縁
耐圧は2kV以上の値を示した。 絶縁層に発生したピンホールは非常に少なく、
その結果、高温高湿電圧負荷での絶縁性の信頼性
は高く、代表的な例として表１のNo.１の絶縁抵抗
と直流絶縁耐圧の65℃、95％、48VDC印加条件
時の耐環境性試験の結果を図に示した。なお、上
記絶縁層の厚みはいずれの実施例も30〜40μｍで
あつた。 第１表から明らかなように、絶縁層の熱伝導率
は、0.003〜0.007Cal／℃・sec・cmと従来の結晶
化ガラス絶縁層の0.002〜0.003Cal／℃・sec・cm
に比較し、大きく熱放散性が向上した。また、誘
電率も６〜8.6と小さく、熱膨張係数も３〜5.5×
10-6／℃と小さかつた。 実施例 ２ 表１のNo.１に示した熱膨張係数が5.2×10-6／
℃の絶縁材料を用い、熱膨張係数が11×10-6／℃
のSUS446よりなる基板に印刷した後900℃で焼
成した。この工程を３回繰り返し、約60μｍの絶
縁層を得た。 この絶縁層上に実施例１と同様の方法で抵抗付
多層印刷回路基板を得た。基板と導体第１層間の
絶縁抵抗は1014Ω以上、また直流絶縁耐圧も4kV
以上あつた。 ［発明の効果］ 本発明で得られる印刷回路基板は、絶縁層のピ
ンホールが少ないため信頼性が高く、熱伝導率が
大きいので熱放散性が良く、誘電率が小さいので
信号伝播遅延が少なく、熱膨張係数が小さいので
Siチツプにかかる応力が小さいなどの優れた特性
をもつ。
図は実施の１例の耐環境性試験結果を示すグラ
フである。
フである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ MO（ただしＭ：Ca、Mg）：10〜55％（重量
基準：以下同じ）、Al2O3：０〜30％、SiO2：40
〜70％、B2O3：０〜30％、Na2O及びK2Oの和：
1.8％以下のガラス粉末40〜80％とアルミナ粉末
20〜60％よりなる組成物を1100℃以下で焼成して
得られるMO：４〜44％、Al2O3：20〜72％、
SiO2：16〜56％、B2O3：０〜24％、Na2O及び
K2O：1.4％以下、かつ実質的にPbOを含まない
組成からなる絶縁層を基板上に有し、基板の熱膨
脹係数と絶縁層の熱膨脹係数との関係が次の数式 ５×Ｂ≧Ａ≧Ｂ−２×10-6／℃ （ただし、Ａ：基板の熱膨脹係数、Ｂ：絶縁層の
熱膨脹係数、いずれも単位は×10-6／℃）で示す
範囲にあることを特徴とする印刷回路基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24895085A JPS62109390A (ja) | 1985-11-08 | 1985-11-08 | 印刷回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24895085A JPS62109390A (ja) | 1985-11-08 | 1985-11-08 | 印刷回路基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62109390A JPS62109390A (ja) | 1987-05-20 |
| JPH0260236B2 true JPH0260236B2 (ja) | 1990-12-14 |
Family
ID=17185823
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24895085A Granted JPS62109390A (ja) | 1985-11-08 | 1985-11-08 | 印刷回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62109390A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2713376B2 (ja) * | 1987-06-09 | 1998-02-16 | 旭硝子株式会社 | 絶縁層用ガラス組成物 |
| JPH0617247B2 (ja) * | 1990-11-28 | 1994-03-09 | 伊藤忠商事株式会社 | 耐熱性絶縁電子回路基板およびその製造方法 |
| JPH0645476B2 (ja) * | 1990-11-28 | 1994-06-15 | 伊藤忠商事株式会社 | メタルマスク基板 |
| KR102395627B1 (ko) * | 2017-06-19 | 2022-05-09 | 코닝 인코포레이티드 | 내화 물품, 산화-환원 반응 방지 코팅용 조성물, 및 내화 물품의 제조 방법 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58156552A (ja) * | 1982-03-11 | 1983-09-17 | Nec Corp | 絶縁性セラミツクペ−スト用無機組成物 |
-
1985
- 1985-11-08 JP JP24895085A patent/JPS62109390A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58156552A (ja) * | 1982-03-11 | 1983-09-17 | Nec Corp | 絶縁性セラミツクペ−スト用無機組成物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62109390A (ja) | 1987-05-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |