JP3315182B2 - セラミック基板用組成物 - Google Patents
セラミック基板用組成物Info
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- JP3315182B2 JP3315182B2 JP04577393A JP4577393A JP3315182B2 JP 3315182 B2 JP3315182 B2 JP 3315182B2 JP 04577393 A JP04577393 A JP 04577393A JP 4577393 A JP4577393 A JP 4577393A JP 3315182 B2 JP3315182 B2 JP 3315182B2
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- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Description
成物に関し、特に、導体、抵抗体等の電子回路層を多層
に積層し、焼成してなる高周波用の多層配線基板の材料
として好ましく用いることができるセラミック基板用組
成物に関する。
グに適した基板で、導体や抵抗体等の電子回路を未焼成
のセラミック基板等の表面に印刷等し、この電子回路を
印刷した未焼成セラミック基板を複数枚重ねて焼成した
ものである。従来より、Ag、Ag−Pd、Au、Cu
等の比較的融点の低い低抵抗導体と同時焼成が可能な低
温焼成多層基板材料は種々提供されている。また特開平
4−286181号公報には、ガラスフリットとチタン
酸塩で構成されるセラミック基板用組成物が開示されて
いる。
供されている比較的融点の低い低抵抗導体と同時焼成が
可能な低温焼成多層基板材料は、低温焼成は可能である
が、温度変化に対する静電容量の変化率(以下、TCC
と記す)が大きすぎ、特に高周波用基板に用いる場合に
は、品質の安定性に欠けるという欠点があった。一方、
特開平4−286181号公報に記載されたセラミック
基板用組成物は、TCCを±0〜±100ppm/℃の範囲で
調整が可能であるが、この基板用組成物を一般的に使用
されているAg、Ag−Pd、Au、Cu等の導体材料
やRuO2 等の抵抗体材料と同時焼成すると、両者間の
熱膨張係数、ぬれ性、その他の特性のミスマッチによ
り、多層基板が反ったり、基板と前記導体材料や抵抗体
材料との界面で剥離(デラミネーション)が生じる欠点
があった。
消し、Ag、Ag−Pd、Au、Cu等の比較的融点の
低い低抵抗導体を多層基板の内部電極として、比較的低
い温度(約800 〜1000℃)で同時焼成することができ、
また電子回路を多層に形成する多層配線基板として要求
される体積固有抵抗率、誘電率、誘電正接、絶縁破壊強
度、曲げ強度等の一般的特性を満足し、また高周波用基
板の品質の安定性に必要なTCCを小さく(±0〜±50
ppm/℃)抑えることができ、さらに焼成後の多層配線
基板に反り、電子回路の剥離が生じないセラミック基板
用組成物の提供を目的とする。
め、本発明のセラミック基板用組成物は、酸化物に換算
して、SiO2 が20〜50重量%、Al2 O3 が10〜20重
量%、CaOが10〜20重量%、BaOが0〜10重量%、
MgOが0〜10重量%、ZnOが3〜20重量%、TiO
2 が5〜20重量%、B2 O3 が0〜5重量%、PbOが
4〜30重量%からなるガラス成分を65〜95重量%、チタ
ン酸塩を5〜35重量%含むことを第1の特徴としてい
る。また本発明のセラミック基板用組成物は、上記第1
の特徴に加えて、ガラス成分とチタン酸塩の合計量に対
して5重量%以下のウォラストナイトを含むことを第2
の特徴としている。また本発明のセラミック基板用組成
物は、上記第1または第2の特徴に加えて、ガラス成分
とチタン酸塩の合計量に対して、Al2 O3 、Zr
O2 、ZrSiO4 、TiO2 、MgO、3Al2 O3
・2SiO2 のうちの少なくとも1種を合計量として5
重量%以下含むことを第3の特徴としている。また本発
明のセラミック基板用組成物は、上記第1から第3のい
ずれかの特徴に加えて、チタン酸塩が、CaTiO3 、
SrTiO3 、MgTiO3 、又はこれらチタン酸塩の
固溶体のうちの少なくとも1種からなることを第4の特
徴としている。
では基板の緻密化が困難となり、絶縁破壊強度や曲げ強
度が低下してしまう。またガラス成分が95重量%を越え
ると焼結体のTCCの調整が困難となる。ガラス成分は
70〜92重量%がより好ましい。前記チタン酸塩は前記ガ
ラス成分に対応して5〜35重量%で用いる。例えばCa
TiO3 、SrTiO3 、MgTiO3 、又はこれらチ
タン酸塩の固溶体のうちの少なくとも1種からなるチタ
ン酸塩は負のTCC特性を持つため、正のTCC特性を
持つガラス成分に対応して上記の重量%を混合し焼結す
ることによって、基板のTCCを±0〜±50 ppm/℃以
内に調整できる。チタン酸塩は8〜30重量%がより好ま
しい。上記チタン酸塩のうち、基板の焼結性を考慮する
とCaTiO3 が最も好ましい。
ガラス形成酸化物であり、20重量%未満では軟化温度が
低くなりすぎ、又、析出結晶相であるアノーサイト(C
aO・Al2 O3 ・2SiO2 )、セルシアン(BaO
・Al2 O3 ・2SiO2 )、チタナイト(CaO・T
iO2 ・SiO2 )の構成成分であるため、これらの結
晶相が析出し難くなる。これらの結晶相が析出すること
により得られる基板の耐熱性及び曲げ強度が向上する。
逆にSiO2 が50重量%を越えると、得られる基板の熱
膨張係数が低くなり過ぎる。このSiO2 は25〜45重量
%がより好ましい。
l2 O3 が10重量%未満ではガラス転移点が低くなり過
ぎ、且つ結晶相の1つであるCaO・Al2 O3 ・2S
iO2 やBaO・Al2 O3 ・2SiO2 の析出が困難
となり、基板の化学的耐久性も悪くなる。逆にAl2 O
3 が20重量%を越えると液相温度が高くなりすぎ、熔融
時に失透するため高温熔融が必要となる。このAl2 O
3 は12〜18重量%がより好ましい。CaOはガラス修飾
酸化物であり、結晶構成成分である。CaOが10重量%
未満では、基板の熱膨張係数が小さくなり過ぎるととも
に、結晶相の1つであるCaO・Al2 O3 ・2SiO
2 の析出が困難となる。逆にCaOが20重量%を越える
と、基板の熱膨張係数が大きくなり過ぎると共に、化学
的耐久性が悪化する。このCaOは12〜18重量%がより
好ましい。
成分としてBaOを加えることにより、CaO・Al2
O3 ・2SiO2 に加えてBaO・Al2 O3 ・2Si
O2が析出するため、好ましいが、10重量%を越えて加
えると、基板の熱膨張係数が大きくなり過ぎると共に化
学的耐久性が悪化する。このBaOは8重量%以下を加
えるのがより好ましい。MgOはガラス修飾酸化物であ
り、10重量%を越えるとコーディエライト(2MgO・
2Al2 O3 ・5SiO2 )結晶が析出し、基板の熱膨
張係数が低くなり過ぎると共に曲げ強度が低下する。こ
のMgOは0.5 〜8重量%がより好ましい。
使用され、ZnOが3重量%未満ではガラス熔融温度が
高くなり過ぎ、逆にZnOが20重量%を越えるとガラス
転移点が低下すると共に基板の熱膨張係数も小さくなり
過ぎ、耐熱性も低下する。このZnOは4〜17重量%が
より好ましい。TiO2 は基板の化学的耐久性を付与す
ると共に、結晶相の1つであるCaO・TiO2 ・Si
O2 の構成成分である。TiO2 が5重量%未満ではC
aO・TiO2 ・SiO2 の結晶相の析出が困難とな
り、逆にTiO2 が20重量%を越えると液相温度が高く
なり過ぎ、熔融時に失透するため高温熔融が必要とな
る。このTiO2 は7〜18重量%がより好ましい。
が5重量%を越えると基板の耐熱性が悪化すると共に電
子回路構成成分等の他の材料と反応する。このB2 O3
は0.5 〜3重量%がより好ましい。PbOは、融剤、熱
膨張係数調整剤、及び導体や抵抗体等の電子回路層と基
板との接着を向上させる成分として使用される。このP
bOは基板と電子回路層との剥離を防止する効果及び電
子回路層を配した基板の反りの防止効果が大きい。Pb
Oが4重量%未満では基板の熱膨張係数を十分に上昇さ
せることができず、また基板と電子回路層との接着強度
を十分上昇させることが困難である。一方、PbOが30
重量%を越えると、基板の熱膨張係数が高くなり過ぎ、
耐熱性も悪化し、誘電率も大きくなり過ぎる。またCu
導体を電子回路層として使用する場合において還元性雰
囲気で焼成する場合、PbOが30重量%を越えると、P
bOが還元されて金属鉛が析出し、耐電圧特性が悪くな
る。このPbOは7〜25重量%がより好ましい。
は、結晶化温度を下げ、結晶化度を向上させるための外
部結晶核剤としての役割を持ち、これによって基板の耐
熱性や曲げ強度を向上させる。また基板特性のバラツキ
を少なくすることができる。但し、ウォラストナイト自
体の耐熱性がないため、5重量%を越えると基板の耐熱
性が悪くなる。またAl2 O3 、ZrO2 、ZrSiO
4 、TiO2 、MgO、3Al2 O3・2SiO2 は、
それらの単独または組み合わせにおいて、基板の熱膨張
係数調整や耐熱性付与に寄与するが、5重量%を越える
と、焼結性が悪くなり、耐電圧特性も悪くなる。上記Z
rO2 は部分安定化ジルコニアや安定化ジルコニアも含
む。
は、例えば次のようにして製造する。先ず、ガラス組成
が酸化物換算重量%で、SiO2 が20〜50重量%、Al
2 O3が10〜20重量%、CaOが10〜20重量%、BaO
が0〜10重量%、MgOが0〜10重量%、ZnOが3〜
20重量%、TiO2 が5〜20重量%、B2 O3 が0〜5
重量%、PbOが4〜30重量%となるように、各原料粉
末を秤量、混合し、これを熔融したのち、冷却してガラ
スフレークにする。そしてこのガラスフレークからなる
ガラス成分が65〜95重量%、チタン酸塩が5〜35重量%
の比率となるように、ガラスフレークとチタン酸塩粉末
を秤量し、また必要に応じて、ガラスフレークとチタン
酸塩粉末の合計量に対して5重量%以下の含有量となる
ように、ウォラストナイト粉末を加え、或いはウォラス
トナイト粉末と一緒に、または単独でガラスフレークと
チタン酸塩粉末の合計量に対して5重量%以下の含有量
となるようにAl2 O3 、ZrO2 、ZrSiO4 、T
iO2 、MgO、3Al2 O3 ・2SiO2 のうちの少
なくとも1種からなるセラミック粉末を加えて、粉砕混
合する。これによって本発明のセラミック基板用組成物
を得ることができる。そしてこの本発明のセラミック基
板用組成物からの多層基板の製造は、例えば次にように
して行う。先ず、上記で得た本発明のセラミック基板用
組成物に対して、従来からの常法として適当なバインダ
ーや可塑剤、溶剤を加え、混練してスラリーを作製し、
次にこのスラリーをドクターブレード法等によってグリ
ーンシートとし、次にこのグリーンシートに電子回路層
用材料を印刷し、次に印刷されたグリーンシートを複数
枚重ねて焼成する。これによって電子回路層が多層に形
成された多層基板が得られる。
基板用組成物を用いて多層基板を形成することにより、
Ag、Ag−Pd、Au、Cu等の比較的融点の低い低
抵抗導体を多層基板の内部電極として、比較的低い温度
(約800 〜1000℃)で同時焼成することができ、また電
子回路を多層に形成する多層配線基板として要求される
体積固有抵抗率、誘電率、誘電正接、絶縁破壊強度、曲
げ強度等の一般的特性を満足し、特に、高周波用基板の
品質の安定性に必要なTCCを小さく(±0〜±50 ppm
/℃)抑えることができ、且つ焼成後の多層配線基板に
反り、電子回路の剥離が生じないセラミック多層基板を
得ることができる。また本発明の第2の特徴によれば、
前記第1の特徴による作用効果に加えて、ガラス成分と
チタン酸塩の合計量に対して5重量%以下のウォラスト
ナイトを含むようにすることで、得られるセラミック基
板の特性を一層向上させることができる。また本発明の
第3の特徴によれば、前記第1の特徴または第2の特徴
による作用効果に加えて、ガラス成分とチタン酸塩の合
計量に対して、Al2 O3 、ZrO2 、ZrSiO4 、
TiO2 、MgO、3Al2 O3 ・2SiO2 のうちの
少なくとも1種を、合計量として5重量%以下含むよう
にすることで、得られるセラミック基板の特性を一層向
上させることができる。
ラス組成が重量%でSiO2 が28、Al2 O3 が15、C
aOが15、MgOが5、ZnOが10、TiO2 が15、B
2 O3 が2、PbOが10になるように各原料を秤量、混
合し、白金炉を使用して1450℃で2時間、白金の撹拌棒
にて連続撹拌しながら熔融し、水冷ロール上に流出さ
せ、ガラスフレークを作製した。次にこのガラスフレー
クとチタン酸塩としてCaTiO3 と外部核剤としてウ
ォラストナイト(CaO・SiO2 )及び熱膨張係数調
整剤及び耐熱性付与剤としてAl2 O3 をそれぞれ89重
量部、11重量部、3重量部、5重量部になるよう秤量
し、ボールミルにて24時間粉砕、混合し、本発明の組成
物を得た。この粉砕、混合した組成物をペレッターを使
用して成形後、890 ℃にて15分間焼成し、JIS−R16
01に準じ曲げ強度を測定したところ、22kgf/mm2 であ
った。
インダーや可塑剤、溶剤を添加し、混練してスラリーを
作製した。このスラリーをドクターブレード法により、
厚み約0.1 mmのグリーンシートとした。そしてこのグリ
ーンシートにAg電極を印刷し、890 ℃にて15分間焼成
した。焼成したシートの各種特性を測定したところ、体
積固有抵抗率1014Ω・cm、誘電率14、誘電正接4×1
0-4、絶縁破壊強度800 kv/cm、TCC(25℃〜85℃)
+5 ppm/℃であった。またAg電極を印刷した前記グ
リーンシートを20枚重ねて熱圧着させ、890 ℃にて15分
間焼成したところ、反りや剥離は観察されなかった。結
果を表1のに示す。本発明の他の組成による組成物を
用いて前記の場合と同様の方法で測定した各結果を〜
に示す。また比較例として、本発明の組成物の範囲に
入らない組成物について上記と同様にして測定した結果
を表2に示す。尚、表2において「*」の印は、その組
成が本発明の組成の範囲外となっていることを示してい
る。
範囲にあるものの特性は、いずれもTCCが±0〜±50
ppm/℃の範囲内にあり、且つ基板の反り、剥離(デラ
ミネーション)も生じない。また他の特性も良好であ
る。一方、本発明の範囲外にあるものは、いずれも少な
くともTCCの値が悪いか、基板に反りを生じるか、剥
離(デラミネーション)を生じている。
Claims (4)
- 【請求項1】 酸化物に換算して、 SiO2 が20〜50重量%、 Al2 O3 が10〜20重量%、 CaO が10〜20重量%、 BaO が0〜10重量%、 MgO が0〜10重量%、 ZnO が3〜20重量%、 TiO2 が5〜20重量%、 B2 O3 が0〜5重量%、 PbO が4〜30重量%、 からなるガラス成分を65〜95重量%、チタン酸塩を5〜
35重量%含むことを特徴とするセラミック基板用組成
物。 - 【請求項2】 ガラス成分とチタン酸塩の合計量に対し
て5重量%以下のウォラストナイトを含む請求項1に記
載のセラミック基板用組成物。 - 【請求項3】 ガラス成分とチタン酸塩の合計量に対し
て、Al2 O3 、ZrO2 、ZrSiO4 、TiO2 、
MgO、3Al2 O3 ・2SiO2 のうちの少なくとも
1種を、合計量として5重量%以下含む請求項1または
2に記載のセラミック基板用組成物。 - 【請求項4】 チタン酸塩が、CaTiO3 、SrTi
O3 、MgTiO3、又はこれらチタン酸塩の固溶体の
うちの少なくとも1種からなる請求項1〜3のいずれか
に記載のセラミック基板用組成物。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP04577393A JP3315182B2 (ja) | 1993-02-10 | 1993-02-10 | セラミック基板用組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP04577393A JP3315182B2 (ja) | 1993-02-10 | 1993-02-10 | セラミック基板用組成物 |
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Publication Number | Publication Date |
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JPH06234568A JPH06234568A (ja) | 1994-08-23 |
JP3315182B2 true JP3315182B2 (ja) | 2002-08-19 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP04577393A Expired - Fee Related JP3315182B2 (ja) | 1993-02-10 | 1993-02-10 | セラミック基板用組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3315182B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3860336B2 (ja) | 1998-04-28 | 2006-12-20 | 日本特殊陶業株式会社 | ガラスセラミック複合体 |
-
1993
- 1993-02-10 JP JP04577393A patent/JP3315182B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPH06234568A (ja) | 1994-08-23 |
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