JPH0786745A - 多層配線基板用セラミック組成物 - Google Patents
多層配線基板用セラミック組成物Info
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- JPH0786745A JPH0786745A JP5229988A JP22998893A JPH0786745A JP H0786745 A JPH0786745 A JP H0786745A JP 5229988 A JP5229988 A JP 5229988A JP 22998893 A JP22998893 A JP 22998893A JP H0786745 A JPH0786745 A JP H0786745A
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- Japan
- Prior art keywords
- glass frit
- ceramic composition
- composition
- titanate
- multilayer wiring
- Prior art date
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は７５０〜９５０℃の極めて低い温度
で焼成でき、Ａｕ，Ａｇ，Ａｇ−Ｐｄ，Ｃｕ等のペース
トを内部電極として使用することが可能で、しかも体積
固有抵抗率、誘電率、誘電正接、絶縁破壊強度、曲げ強
度等多層配線用の基板としての諸特性を十分に充たし、
更にＴＣＣが±０ｐｐｍ／℃〜±１００ｐｐｍ／℃と調
整可能な多層配線基板用セラミック組成物を提供するこ
とを目的とする。 【構成】 本発明の多層配線基板用セラミック組成物
は、成分組成がwt％で、Ａｌ2 Ｏ3 が４０〜５０、Ｓｉ
Ｏ2 が２５〜３０、ＰｂＯが７〜９、ＴｉＯ2 が５〜１
５、ＣａＯとＭｇＯの混合物が４．４〜５．３、Ｂ2 Ｏ
3 が２．５〜３．０、ＺｒＯ2 が２．２〜３．０、で構
成されるガラスフリット６０〜９５wt％と、チタン酸塩
５〜４０wt％と、を有する構成からなる。
で焼成でき、Ａｕ，Ａｇ，Ａｇ−Ｐｄ，Ｃｕ等のペース
トを内部電極として使用することが可能で、しかも体積
固有抵抗率、誘電率、誘電正接、絶縁破壊強度、曲げ強
度等多層配線用の基板としての諸特性を十分に充たし、
更にＴＣＣが±０ｐｐｍ／℃〜±１００ｐｐｍ／℃と調
整可能な多層配線基板用セラミック組成物を提供するこ
とを目的とする。 【構成】 本発明の多層配線基板用セラミック組成物
は、成分組成がwt％で、Ａｌ2 Ｏ3 が４０〜５０、Ｓｉ
Ｏ2 が２５〜３０、ＰｂＯが７〜９、ＴｉＯ2 が５〜１
５、ＣａＯとＭｇＯの混合物が４．４〜５．３、Ｂ2 Ｏ
3 が２．５〜３．０、ＺｒＯ2 が２．２〜３．０、で構
成されるガラスフリット６０〜９５wt％と、チタン酸塩
５〜４０wt％と、を有する構成からなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は導体、抵抗体等の電子回
路を多層に形成する多層配線基板に良好な多層配線基板
用セラミック組成物に関するものである。
路を多層に形成する多層配線基板に良好な多層配線基板
用セラミック組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子回路を多層に形成した多層配
線基板が各種電気機器に使用されている。多層配線用の
セラミック基板の製造には次の２種類の方法が採用され
ている。第１の方法は多層配線用に調整された多層配線
基板用セラミック組成物を焼成したセラミック基板上に
回路、絶縁層を交互に印刷し、これを焼成することによ
って製造する方法であり、第２の方法は未焼成のセラミ
ック基板に回路を印刷し、互いに回路が接触しないよう
にこれを積層し、プレスした後、焼成して製造する方法
である。第１の方法のものは、回路の影響によってその
上に形成する絶縁層に凹凸が生じ、それは上層ほど大き
くなる。この凹凸が大きくなると、この上に次の回路を
印刷することは難しくなり、通常１０層前後が限度とさ
れている。これに対し、第２の方法のものは、回路の印
刷は常に平面に近い状態の基板に対して行うために、積
層数の多いものを製造することができ、高密度の集積回
路の形成が行える。この第２の方法の多層配線用に使用
される多層配線基板用セラミック組成物としては、Ａｌ
2 Ｏ3 粉末と１５wt％以下のガラス粉末を無機バインダ
ーで固定したものや、Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系に鉛化合
物やホウ素化合物を混入させ低温で焼成したものが開発
されている。
線基板が各種電気機器に使用されている。多層配線用の
セラミック基板の製造には次の２種類の方法が採用され
ている。第１の方法は多層配線用に調整された多層配線
基板用セラミック組成物を焼成したセラミック基板上に
回路、絶縁層を交互に印刷し、これを焼成することによ
って製造する方法であり、第２の方法は未焼成のセラミ
ック基板に回路を印刷し、互いに回路が接触しないよう
にこれを積層し、プレスした後、焼成して製造する方法
である。第１の方法のものは、回路の影響によってその
上に形成する絶縁層に凹凸が生じ、それは上層ほど大き
くなる。この凹凸が大きくなると、この上に次の回路を
印刷することは難しくなり、通常１０層前後が限度とさ
れている。これに対し、第２の方法のものは、回路の印
刷は常に平面に近い状態の基板に対して行うために、積
層数の多いものを製造することができ、高密度の集積回
路の形成が行える。この第２の方法の多層配線用に使用
される多層配線基板用セラミック組成物としては、Ａｌ
2 Ｏ3 粉末と１５wt％以下のガラス粉末を無機バインダ
ーで固定したものや、Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系に鉛化合
物やホウ素化合物を混入させ低温で焼成したものが開発
されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の構成では、第２の方法のＡｌ2 Ｏ3 粉末と１５wt％以
下のガラス粉末を無機バインダーで固定したものは、焼
成温度が１４５０〜１６００℃と極めて高く作業性、生
産性に欠けるという問題点があった。また、回路を構成
する材料もこの焼成温度で劣化しないＭｏ，Ｗ等の高価
なものを使用しなければならずコスト高になり、また、
還元雰囲気下で焼成しなければならず材料の選択性や量
産性に欠けるという問題点があった。一方、Ａｌ2 Ｏ3
−ＳｉＯ2系に鉛化合物やホウ素化合物を１０wt％以上
混入させ低温で焼成したものは、温度変化に対する静電
容量の変化率（以下、ＴＣＣと記す）が大きく信頼性に
欠けるという問題点があった。
の構成では、第２の方法のＡｌ2 Ｏ3 粉末と１５wt％以
下のガラス粉末を無機バインダーで固定したものは、焼
成温度が１４５０〜１６００℃と極めて高く作業性、生
産性に欠けるという問題点があった。また、回路を構成
する材料もこの焼成温度で劣化しないＭｏ，Ｗ等の高価
なものを使用しなければならずコスト高になり、また、
還元雰囲気下で焼成しなければならず材料の選択性や量
産性に欠けるという問題点があった。一方、Ａｌ2 Ｏ3
−ＳｉＯ2系に鉛化合物やホウ素化合物を１０wt％以上
混入させ低温で焼成したものは、温度変化に対する静電
容量の変化率（以下、ＴＣＣと記す）が大きく信頼性に
欠けるという問題点があった。
【０００４】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、７５０〜９５０℃の極めて低い温度で焼成でき、Ａ
ｕ，Ａｇ，Ａｇ−Ｐｄ，Ｃｕ等のペーストを内部電極と
して使用することが可能で、しかも体積固有抵抗率、誘
電率、誘電正接、絶縁破壊強度、曲げ強度等多層配線用
の基板としての諸特性を十分に充たし、更にＴＣＣが±
０ｐｐｍ／℃〜±１００ｐｐｍ／℃と調整可能な多層配
線基板用セラミック組成物を提供することを目的とす
る。
で、７５０〜９５０℃の極めて低い温度で焼成でき、Ａ
ｕ，Ａｇ，Ａｇ−Ｐｄ，Ｃｕ等のペーストを内部電極と
して使用することが可能で、しかも体積固有抵抗率、誘
電率、誘電正接、絶縁破壊強度、曲げ強度等多層配線用
の基板としての諸特性を十分に充たし、更にＴＣＣが±
０ｐｐｍ／℃〜±１００ｐｐｍ／℃と調整可能な多層配
線基板用セラミック組成物を提供することを目的とす
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の請求項１に記載の多層配線基板用セラミック
組成物は、成分組成が重量％で、Ａｌ2 Ｏ3 が４０〜５
０、ＳｉＯ2 が２５〜３０、ＰｂＯが７〜９、ＴｉＯ2
が５〜１５、ＣａＯとＭｇＯの混合物が４．４〜５．
３、Ｂ2 Ｏ3 が２．５〜３．０、ＺｒＯ2 が２．２〜
３．０、で構成されるガラスフリット６０〜９５wt％
と、チタン酸塩５〜４０wt％と、を有する構成を備えて
いる。
に本発明の請求項１に記載の多層配線基板用セラミック
組成物は、成分組成が重量％で、Ａｌ2 Ｏ3 が４０〜５
０、ＳｉＯ2 が２５〜３０、ＰｂＯが７〜９、ＴｉＯ2
が５〜１５、ＣａＯとＭｇＯの混合物が４．４〜５．
３、Ｂ2 Ｏ3 が２．５〜３．０、ＺｒＯ2 が２．２〜
３．０、で構成されるガラスフリット６０〜９５wt％
と、チタン酸塩５〜４０wt％と、を有する構成を備えて
いる。
【０００６】請求項２に記載の多層配線基板用セラミッ
ク組成物は、請求項１において、前記チタン酸塩が、Ｓ
ｒＴｉＯ3 及び／又はＣａＴｉＯ3 からなる構成を備え
ている。
ク組成物は、請求項１において、前記チタン酸塩が、Ｓ
ｒＴｉＯ3 及び／又はＣａＴｉＯ3 からなる構成を備え
ている。
【０００７】ここで、ガラスフリットはその含有率が６
０wt％未満では焼成温度が高くなりすぎ、一方、９５wt
％を越えると、焼成体の曲げ強度、及び耐湿性が低下す
るのでいずれも好ましくない。また、ＴＣＣの調整も困
難になるので好ましくない。ガラスフリットの構成成分
であるＳｉＯ2 はその含有量が２５wt％未満では軟化温
度が低くなり焼成時に大きな変形を生じ易く、３０wt％
を越えると焼成温度が高くなり過ぎるのでいずれも好ま
しくない。ＰｂＯはガラスの溶解性を向上させるため
に、７wt％以上添加されるのが望ましい。但し、添加量
が９wt％を越えると、ガラスの軟化温度が低くなる傾向
が顕著になり焼成時に大きな変形を生じやすくなるので
好ましくない。ＣａＯとＭｇＯの混合物はガラスフリッ
ト製造時の溶融性の向上及びガラスの熱膨張係数を調整
する目的で添加される。添加量が４．４wt％より少ない
と溶融性が向上せず、フリット製造時に失透を生じやす
い傾向がある。また、添加量が５．３wt％より多いと、
熱膨張係数が大きくなり過ぎる傾向があるので、いずれ
も好ましくない。ＣａＯとＭｇＯの混合は、ＣａＯ８０
〜９５wt％、ＭｇＯ ５〜２０wt％が望ましい。ＣａＯ
の一部をＭｇＯで置換すると、高温でのガラスの粘性を
高め、失透しにくくなり、また、熱膨張係数も小さくな
るので、耐熱性を向上させるので好ましい。
０wt％未満では焼成温度が高くなりすぎ、一方、９５wt
％を越えると、焼成体の曲げ強度、及び耐湿性が低下す
るのでいずれも好ましくない。また、ＴＣＣの調整も困
難になるので好ましくない。ガラスフリットの構成成分
であるＳｉＯ2 はその含有量が２５wt％未満では軟化温
度が低くなり焼成時に大きな変形を生じ易く、３０wt％
を越えると焼成温度が高くなり過ぎるのでいずれも好ま
しくない。ＰｂＯはガラスの溶解性を向上させるため
に、７wt％以上添加されるのが望ましい。但し、添加量
が９wt％を越えると、ガラスの軟化温度が低くなる傾向
が顕著になり焼成時に大きな変形を生じやすくなるので
好ましくない。ＣａＯとＭｇＯの混合物はガラスフリッ
ト製造時の溶融性の向上及びガラスの熱膨張係数を調整
する目的で添加される。添加量が４．４wt％より少ない
と溶融性が向上せず、フリット製造時に失透を生じやす
い傾向がある。また、添加量が５．３wt％より多いと、
熱膨張係数が大きくなり過ぎる傾向があるので、いずれ
も好ましくない。ＣａＯとＭｇＯの混合は、ＣａＯ８０
〜９５wt％、ＭｇＯ ５〜２０wt％が望ましい。ＣａＯ
の一部をＭｇＯで置換すると、高温でのガラスの粘性を
高め、失透しにくくなり、また、熱膨張係数も小さくな
るので、耐熱性を向上させるので好ましい。
【０００８】ＭｇＯが５wt％以下では、その効果は小さ
く、又、２０wt％以上では、化学的安定性や、耐熱性が
悪化する傾向が認められる。Ｂ2 Ｏ3 はフラックスであ
り、添加量が２．５wt％未満では、焼成温度が高くなり
過ぎ、３．０wt％を越えるとガラスの化学的安定性を低
下させる傾向があるので、いずれも好ましくない。Ａｌ
2 Ｏ3 はセラミックの機械的強度を向上させる目的で添
加されるもので、４０wt％以上添加されるのが望まし
い。但し、添加量が５０wt％を越えると焼成温度が高く
なり過ぎるので好ましくない。
く、又、２０wt％以上では、化学的安定性や、耐熱性が
悪化する傾向が認められる。Ｂ2 Ｏ3 はフラックスであ
り、添加量が２．５wt％未満では、焼成温度が高くなり
過ぎ、３．０wt％を越えるとガラスの化学的安定性を低
下させる傾向があるので、いずれも好ましくない。Ａｌ
2 Ｏ3 はセラミックの機械的強度を向上させる目的で添
加されるもので、４０wt％以上添加されるのが望まし
い。但し、添加量が５０wt％を越えると焼成温度が高く
なり過ぎるので好ましくない。
【０００９】ＴｉＯ2 はガラスの溶融性や化学的安定性
を向上させるために５wt％以上の添加が望ましい。但
し、添加量が１５wt％を越えるとガラスの軟化温度が高
くなり、焼成温度が高くなりすぎるので好ましくない。
ＺｒＯ2 はガラスの化学的安定性を向上させるために
２．２wt％以上の添加が望ましい。但し、添加量が３．
０wt％を越えるとガラスフリット製造時の溶融性を低下
させるので好ましくない。チタン酸塩は、ガラスフリッ
トのＴＣＣを調整する目的で添加し、５wt％未満では、
その効果は小さく、又、４０wt％より多いと、焼成温度
が高くなり過ぎるので好ましくない。
を向上させるために５wt％以上の添加が望ましい。但
し、添加量が１５wt％を越えるとガラスの軟化温度が高
くなり、焼成温度が高くなりすぎるので好ましくない。
ＺｒＯ2 はガラスの化学的安定性を向上させるために
２．２wt％以上の添加が望ましい。但し、添加量が３．
０wt％を越えるとガラスフリット製造時の溶融性を低下
させるので好ましくない。チタン酸塩は、ガラスフリッ
トのＴＣＣを調整する目的で添加し、５wt％未満では、
その効果は小さく、又、４０wt％より多いと、焼成温度
が高くなり過ぎるので好ましくない。
【００１０】
【作用】この構成によって、Ａｌ2 Ｏ3 の添加量が少な
くかつガラスフリットと反応性の高いチタン酸塩を用い
たことにより焼成温度を著しく低下させることができ
る。また、焼成温度が低いので厚膜技術で広く使用され
ているＡｕ，Ａｇ，Ａｇ−Ｐｄ，Ｃｕ等のペーストを内
部電極として使用することができ、更にその焼成体の曲
げ強度等の機械的強度を向上させることができる。ま
た、本組成比にすることにより熱伝導率に優れ、小さい
誘電率、大きい絶縁抵抗等の電気的特性を高くするとと
もに耐湿性を向上させることができる。特に、正のＴＣ
Ｃ特性を持つガラスフリットと負のＴＣＣ特性を持つチ
タン酸塩の焼成反応によりＴＣＣの調整を容易にするこ
とができる。
くかつガラスフリットと反応性の高いチタン酸塩を用い
たことにより焼成温度を著しく低下させることができ
る。また、焼成温度が低いので厚膜技術で広く使用され
ているＡｕ，Ａｇ，Ａｇ−Ｐｄ，Ｃｕ等のペーストを内
部電極として使用することができ、更にその焼成体の曲
げ強度等の機械的強度を向上させることができる。ま
た、本組成比にすることにより熱伝導率に優れ、小さい
誘電率、大きい絶縁抵抗等の電気的特性を高くするとと
もに耐湿性を向上させることができる。特に、正のＴＣ
Ｃ特性を持つガラスフリットと負のＴＣＣ特性を持つチ
タン酸塩の焼成反応によりＴＣＣの調整を容易にするこ
とができる。
【００１１】
【実施例】以下本発明の一実施例について説明する。
【００１２】（実施例１）ガラスフリットの作製は、
（表１）に示すように重量％で、ＳｉＯ2 が２７、Ｐｂ
Ｏが８、ＴｉＯ2 が１０、ＣａＯとＭｇＯの混合物（Ｃ
ａＯ：ＭｇＯ＝９０：１０）が５．０、Ｂ2 Ｏ3 が２．
５、ＺｒＯ2 が２．５の組成になるように、常法に従い
各原料を調合し、１４００〜１５００℃の温度にて攪拌
しながら溶融し、溶融後、水砕又はフレーク状とし、こ
れにＡｌ2 Ｏ3 を４５wt％添加して行った。次に、この
ガラスフリットと、チタン酸塩としてＳｒＴｉＯ3 とが
それぞれ９０wt％、１０wt％になるように秤量し、ボー
ルミルにて粉砕混合し本実施例の多層配線基板用セラミ
ック組成物を得た。この粉砕混合した組成物に、バイン
ダーを１０wt％添加し造粒、成形後、９００℃にて１５
分間焼成した。この焼成体の相対密度を測定したとこ
ろ、９９．９８％であった。次いで、直径３０mm、厚み
０．３５mmに加工後、Ａｇ電極を焼き付け、ＴＣＣを測
定したところ、−２５℃〜＋８５℃にて±０ｐｐｍ／℃
であった。そこで、この粉砕混合した組成物に種々のバ
インダーや可塑剤、溶剤を添加、混練して粘度１０ｐｓ
〜３０ｐｓのペーストを作製した。このペーストを常法
のドクターブレード法により、厚み０．０３mmのグリー
ンシートを作製した。このグリーンシートを１５枚重
ね、その後、３５℃にて約５０トンの圧力にて熱圧着さ
せ、９００℃にて１５分間焼成した。次いで、焼成した
シートの各種特性を測定した。その結果を（表１）に示
した。尚、ＴＣＣ（−２５℃〜＋８５℃）±０ｐｐｍ／
℃であった。
（表１）に示すように重量％で、ＳｉＯ2 が２７、Ｐｂ
Ｏが８、ＴｉＯ2 が１０、ＣａＯとＭｇＯの混合物（Ｃ
ａＯ：ＭｇＯ＝９０：１０）が５．０、Ｂ2 Ｏ3 が２．
５、ＺｒＯ2 が２．５の組成になるように、常法に従い
各原料を調合し、１４００〜１５００℃の温度にて攪拌
しながら溶融し、溶融後、水砕又はフレーク状とし、こ
れにＡｌ2 Ｏ3 を４５wt％添加して行った。次に、この
ガラスフリットと、チタン酸塩としてＳｒＴｉＯ3 とが
それぞれ９０wt％、１０wt％になるように秤量し、ボー
ルミルにて粉砕混合し本実施例の多層配線基板用セラミ
ック組成物を得た。この粉砕混合した組成物に、バイン
ダーを１０wt％添加し造粒、成形後、９００℃にて１５
分間焼成した。この焼成体の相対密度を測定したとこ
ろ、９９．９８％であった。次いで、直径３０mm、厚み
０．３５mmに加工後、Ａｇ電極を焼き付け、ＴＣＣを測
定したところ、−２５℃〜＋８５℃にて±０ｐｐｍ／℃
であった。そこで、この粉砕混合した組成物に種々のバ
インダーや可塑剤、溶剤を添加、混練して粘度１０ｐｓ
〜３０ｐｓのペーストを作製した。このペーストを常法
のドクターブレード法により、厚み０．０３mmのグリー
ンシートを作製した。このグリーンシートを１５枚重
ね、その後、３５℃にて約５０トンの圧力にて熱圧着さ
せ、９００℃にて１５分間焼成した。次いで、焼成した
シートの各種特性を測定した。その結果を（表１）に示
した。尚、ＴＣＣ（−２５℃〜＋８５℃）±０ｐｐｍ／
℃であった。
【００１３】
【表１】
【００１４】（比較例１，２）実施例１で得たガラスフ
リットを用い、（表２）に示すようにガラスフリットと
ＳｒＴｉＯ3 との組成比を５８：４２（比較例１）及び
９９：１（比較例２）とした他は実施例１と同様にして
グリーンシートを作製し、その特性を測定した。その結
果を（表２）に示した。尚、ＴＣＣは各々−２００，＋
１５０ｐｐｍ／℃以上で実用性に欠けるということがわ
かった。
リットを用い、（表２）に示すようにガラスフリットと
ＳｒＴｉＯ3 との組成比を５８：４２（比較例１）及び
９９：１（比較例２）とした他は実施例１と同様にして
グリーンシートを作製し、その特性を測定した。その結
果を（表２）に示した。尚、ＴＣＣは各々−２００，＋
１５０ｐｐｍ／℃以上で実用性に欠けるということがわ
かった。
【００１５】
【表２】
【００１６】（実施例２）（表１）に示す組成の原料を
用い実施例１と同様にしてガラスフリットとし、このガ
ラスフリットと、ＳｒＴｉＯ3 を（表１）に示すように
各々９４wt％、６wt％になるように秤量し、実施例１と
同様にしてボールミルにて粉砕混合し、同様にしてグリ
ーンシートの焼成体を得た。この場合の焼成温度は８０
０℃であった。焼成したシートの各種特性を測定し、そ
の結果を（表１）に示した。体積固有抵抗率、誘電率、
誘電正接、絶縁破壊強度、曲げ強度等は、実施例１と大
略同等の値を得た。ＴＣＣは、＋５０ｐｐｍ／℃であっ
た。
用い実施例１と同様にしてガラスフリットとし、このガ
ラスフリットと、ＳｒＴｉＯ3 を（表１）に示すように
各々９４wt％、６wt％になるように秤量し、実施例１と
同様にしてボールミルにて粉砕混合し、同様にしてグリ
ーンシートの焼成体を得た。この場合の焼成温度は８０
０℃であった。焼成したシートの各種特性を測定し、そ
の結果を（表１）に示した。体積固有抵抗率、誘電率、
誘電正接、絶縁破壊強度、曲げ強度等は、実施例１と大
略同等の値を得た。ＴＣＣは、＋５０ｐｐｍ／℃であっ
た。
【００１７】（実施例３）（表１）に示す組成の原料を
用い実施例１と同様にしてガラスフリットを得、このガ
ラスフリットと、ＣａＴｉＯ3 を（表１）に示すように
各々７０wt％、３０wt％となるように秤量し、実施例１
と同様にしてグリーンシート焼成体を得た。次いで、こ
の焼成体の特性を測定し、その結果を（表１）に示し
た。尚、焼成温度は８７０℃で行った。体積固有抵抗
率、誘電率、誘電正接、絶縁破壊強度、曲げ強度等は、
実施例１と大略同等の値を得た。ＴＣＣは、−２０ｐｐ
ｍ／℃であった。
用い実施例１と同様にしてガラスフリットを得、このガ
ラスフリットと、ＣａＴｉＯ3 を（表１）に示すように
各々７０wt％、３０wt％となるように秤量し、実施例１
と同様にしてグリーンシート焼成体を得た。次いで、こ
の焼成体の特性を測定し、その結果を（表１）に示し
た。尚、焼成温度は８７０℃で行った。体積固有抵抗
率、誘電率、誘電正接、絶縁破壊強度、曲げ強度等は、
実施例１と大略同等の値を得た。ＴＣＣは、−２０ｐｐ
ｍ／℃であった。
【００１８】（実施例４）（表１）に示す組成の原料を
用い実施例１と同様にしてガラスフリットを得、このガ
ラスフリットと、ＣａＴｉＯ3 を（表１）に示すように
各々６０wt％、４０wt％秤量し、実施例１と同様にして
焼成温度が９２０℃にてグリーンシートの焼成体を得
た。次いで、その特性を測定しその結果を（表１）に示
した。体積固有抵抗率、誘電率、誘電正接、絶縁破壊強
度、曲げ強度等は、実施例１と大略同等の値を得た。ま
た、ＴＣＣは−３０ｐｐｍ／℃であった。さらに、Ａ
ｕ，Ａｇ−Ｐｄ，Ｃｕ等のペーストを内部電極として、
積層した焼成体についてもその特性を測定したところ同
様の結果を得た。
用い実施例１と同様にしてガラスフリットを得、このガ
ラスフリットと、ＣａＴｉＯ3 を（表１）に示すように
各々６０wt％、４０wt％秤量し、実施例１と同様にして
焼成温度が９２０℃にてグリーンシートの焼成体を得
た。次いで、その特性を測定しその結果を（表１）に示
した。体積固有抵抗率、誘電率、誘電正接、絶縁破壊強
度、曲げ強度等は、実施例１と大略同等の値を得た。ま
た、ＴＣＣは−３０ｐｐｍ／℃であった。さらに、Ａ
ｕ，Ａｇ−Ｐｄ，Ｃｕ等のペーストを内部電極として、
積層した焼成体についてもその特性を測定したところ同
様の結果を得た。
【００１９】（比較例３，４）（表２）に示す原料を用
い実施例１と同様にして各ガラスフリットを得、これら
のガラスフリットとＳｒＴｉＯ3 の混合比を（表２）に
示すように変えた他は実施例１と同様にしてグリーンシ
ートを得、その特性を測定した。その結果を（表２）に
示す。
い実施例１と同様にして各ガラスフリットを得、これら
のガラスフリットとＳｒＴｉＯ3 の混合比を（表２）に
示すように変えた他は実施例１と同様にしてグリーンシ
ートを得、その特性を測定した。その結果を（表２）に
示す。
【００２０】この（表１）、（表２）から明らかなよう
に、本実施例による多層配線基板用セラミック組成物
は、従来の組成物と比較して極めて低い温度で焼成が可
能であり、かつ、機械的特性や電気的特性に優れＴＣＣ
の調整も容易であることがわかった。
に、本実施例による多層配線基板用セラミック組成物
は、従来の組成物と比較して極めて低い温度で焼成が可
能であり、かつ、機械的特性や電気的特性に優れＴＣＣ
の調整も容易であることがわかった。
【００２１】
【発明の効果】以上のように本発明は、極めて低い温
度、すなわち、７５０〜９５０℃の低温で焼成でき、か
つ、Ａｕ，Ａｇ，Ａｇ−Ｐｄ，Ｃｕ等のペーストを内部
電極として使用することが可能な上に、焼成体の各種要
求特性、すなわち、体積固有抵抗率、誘電率、誘電正
接、絶縁破壊強度、曲げ強度等、導体、抵抗体等の電子
回路を多層に形成する多層配線基板としての良好なセラ
ミック基板の特性を満足し、さらに、ＴＣＣも±０ｐｐ
ｍ／℃〜±１００ｐｐｍ／℃と調整が容易な極めて低原
価で量産性に優れた多層配線基板用セラミック組成物を
実現できるものである。
度、すなわち、７５０〜９５０℃の低温で焼成でき、か
つ、Ａｕ，Ａｇ，Ａｇ−Ｐｄ，Ｃｕ等のペーストを内部
電極として使用することが可能な上に、焼成体の各種要
求特性、すなわち、体積固有抵抗率、誘電率、誘電正
接、絶縁破壊強度、曲げ強度等、導体、抵抗体等の電子
回路を多層に形成する多層配線基板としての良好なセラ
ミック基板の特性を満足し、さらに、ＴＣＣも±０ｐｐ
ｍ／℃〜±１００ｐｐｍ／℃と調整が容易な極めて低原
価で量産性に優れた多層配線基板用セラミック組成物を
実現できるものである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 渡辺 浩一 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】成分組成が重量％で、Ａｌ2 Ｏ3 が４０〜
５０、ＳｉＯ2 が２５〜３０、ＰｂＯが７〜９、ＴｉＯ
2 が５〜１５、ＣａＯとＭｇＯの混合物が４．４〜５．
３、Ｂ2 Ｏ3 が２．５〜３．０、ＺｒＯ2 が２．２〜
３．０、で構成されるガラスフリット６０〜９５wt％
と、チタン酸塩５〜４０wt％と、を有することを特徴と
する多層配線基板用セラミック組成物。 - 【請求項２】前記チタン酸塩が、ＳｒＴｉＯ3 及び／又
はＣａＴｉＯ3 からなることを特徴とする請求項１に記
載の多層配線基板用セラミック組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5229988A JPH0786745A (ja) | 1993-09-16 | 1993-09-16 | 多層配線基板用セラミック組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5229988A JPH0786745A (ja) | 1993-09-16 | 1993-09-16 | 多層配線基板用セラミック組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0786745A true JPH0786745A (ja) | 1995-03-31 |
Family
ID=16900846
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5229988A Pending JPH0786745A (ja) | 1993-09-16 | 1993-09-16 | 多層配線基板用セラミック組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0786745A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111925190A (zh) * | 2020-07-02 | 2020-11-13 | 杭州电子科技大学 | Mg3B2O6-CaTiO3复合微波介电陶瓷材料及制备方法 |
-
1993
- 1993-09-16 JP JP5229988A patent/JPH0786745A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111925190A (zh) * | 2020-07-02 | 2020-11-13 | 杭州电子科技大学 | Mg3B2O6-CaTiO3复合微波介电陶瓷材料及制备方法 |
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