JPH0786745A - 多層配線基板用セラミック組成物 - Google Patents
多層配線基板用セラミック組成物Info
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- JPH0786745A JPH0786745A JP5229988A JP22998893A JPH0786745A JP H0786745 A JPH0786745 A JP H0786745A JP 5229988 A JP5229988 A JP 5229988A JP 22998893 A JP22998893 A JP 22998893A JP H0786745 A JPH0786745 A JP H0786745A
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- Japan
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- glass frit
- ceramic composition
- composition
- titanate
- multilayer wiring
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は750〜950℃の極めて低い温度
で焼成でき、Au,Ag,Ag−Pd,Cu等のペース
トを内部電極として使用することが可能で、しかも体積
固有抵抗率、誘電率、誘電正接、絶縁破壊強度、曲げ強
度等多層配線用の基板としての諸特性を十分に充たし、
更にTCCが±0ppm/℃〜±100ppm/℃と調
整可能な多層配線基板用セラミック組成物を提供するこ
とを目的とする。 【構成】 本発明の多層配線基板用セラミック組成物
は、成分組成がwt%で、Al2 O3 が40〜50、Si
O2 が25〜30、PbOが7〜9、TiO2 が5〜1
5、CaOとMgOの混合物が4.4〜5.3、B2 O
3 が2.5〜3.0、ZrO2 が2.2〜3.0、で構
成されるガラスフリット60〜95wt%と、チタン酸塩
5〜40wt%と、を有する構成からなる。
で焼成でき、Au,Ag,Ag−Pd,Cu等のペース
トを内部電極として使用することが可能で、しかも体積
固有抵抗率、誘電率、誘電正接、絶縁破壊強度、曲げ強
度等多層配線用の基板としての諸特性を十分に充たし、
更にTCCが±0ppm/℃〜±100ppm/℃と調
整可能な多層配線基板用セラミック組成物を提供するこ
とを目的とする。 【構成】 本発明の多層配線基板用セラミック組成物
は、成分組成がwt%で、Al2 O3 が40〜50、Si
O2 が25〜30、PbOが7〜9、TiO2 が5〜1
5、CaOとMgOの混合物が4.4〜5.3、B2 O
3 が2.5〜3.0、ZrO2 が2.2〜3.0、で構
成されるガラスフリット60〜95wt%と、チタン酸塩
5〜40wt%と、を有する構成からなる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は導体、抵抗体等の電子回
路を多層に形成する多層配線基板に良好な多層配線基板
用セラミック組成物に関するものである。
路を多層に形成する多層配線基板に良好な多層配線基板
用セラミック組成物に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、電子回路を多層に形成した多層配
線基板が各種電気機器に使用されている。多層配線用の
セラミック基板の製造には次の2種類の方法が採用され
ている。第1の方法は多層配線用に調整された多層配線
基板用セラミック組成物を焼成したセラミック基板上に
回路、絶縁層を交互に印刷し、これを焼成することによ
って製造する方法であり、第2の方法は未焼成のセラミ
ック基板に回路を印刷し、互いに回路が接触しないよう
にこれを積層し、プレスした後、焼成して製造する方法
である。第1の方法のものは、回路の影響によってその
上に形成する絶縁層に凹凸が生じ、それは上層ほど大き
くなる。この凹凸が大きくなると、この上に次の回路を
印刷することは難しくなり、通常10層前後が限度とさ
れている。これに対し、第2の方法のものは、回路の印
刷は常に平面に近い状態の基板に対して行うために、積
層数の多いものを製造することができ、高密度の集積回
路の形成が行える。この第2の方法の多層配線用に使用
される多層配線基板用セラミック組成物としては、Al
2 O3 粉末と15wt%以下のガラス粉末を無機バインダ
ーで固定したものや、Al2 O3 −SiO2 系に鉛化合
物やホウ素化合物を混入させ低温で焼成したものが開発
されている。
線基板が各種電気機器に使用されている。多層配線用の
セラミック基板の製造には次の2種類の方法が採用され
ている。第1の方法は多層配線用に調整された多層配線
基板用セラミック組成物を焼成したセラミック基板上に
回路、絶縁層を交互に印刷し、これを焼成することによ
って製造する方法であり、第2の方法は未焼成のセラミ
ック基板に回路を印刷し、互いに回路が接触しないよう
にこれを積層し、プレスした後、焼成して製造する方法
である。第1の方法のものは、回路の影響によってその
上に形成する絶縁層に凹凸が生じ、それは上層ほど大き
くなる。この凹凸が大きくなると、この上に次の回路を
印刷することは難しくなり、通常10層前後が限度とさ
れている。これに対し、第2の方法のものは、回路の印
刷は常に平面に近い状態の基板に対して行うために、積
層数の多いものを製造することができ、高密度の集積回
路の形成が行える。この第2の方法の多層配線用に使用
される多層配線基板用セラミック組成物としては、Al
2 O3 粉末と15wt%以下のガラス粉末を無機バインダ
ーで固定したものや、Al2 O3 −SiO2 系に鉛化合
物やホウ素化合物を混入させ低温で焼成したものが開発
されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の構成では、第2の方法のAl2 O3 粉末と15wt%以
下のガラス粉末を無機バインダーで固定したものは、焼
成温度が1450〜1600℃と極めて高く作業性、生
産性に欠けるという問題点があった。また、回路を構成
する材料もこの焼成温度で劣化しないMo,W等の高価
なものを使用しなければならずコスト高になり、また、
還元雰囲気下で焼成しなければならず材料の選択性や量
産性に欠けるという問題点があった。一方、Al2 O3
−SiO2系に鉛化合物やホウ素化合物を10wt%以上
混入させ低温で焼成したものは、温度変化に対する静電
容量の変化率(以下、TCCと記す)が大きく信頼性に
欠けるという問題点があった。
の構成では、第2の方法のAl2 O3 粉末と15wt%以
下のガラス粉末を無機バインダーで固定したものは、焼
成温度が1450〜1600℃と極めて高く作業性、生
産性に欠けるという問題点があった。また、回路を構成
する材料もこの焼成温度で劣化しないMo,W等の高価
なものを使用しなければならずコスト高になり、また、
還元雰囲気下で焼成しなければならず材料の選択性や量
産性に欠けるという問題点があった。一方、Al2 O3
−SiO2系に鉛化合物やホウ素化合物を10wt%以上
混入させ低温で焼成したものは、温度変化に対する静電
容量の変化率(以下、TCCと記す)が大きく信頼性に
欠けるという問題点があった。
【0004】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、750〜950℃の極めて低い温度で焼成でき、A
u,Ag,Ag−Pd,Cu等のペーストを内部電極と
して使用することが可能で、しかも体積固有抵抗率、誘
電率、誘電正接、絶縁破壊強度、曲げ強度等多層配線用
の基板としての諸特性を十分に充たし、更にTCCが±
0ppm/℃〜±100ppm/℃と調整可能な多層配
線基板用セラミック組成物を提供することを目的とす
る。
で、750〜950℃の極めて低い温度で焼成でき、A
u,Ag,Ag−Pd,Cu等のペーストを内部電極と
して使用することが可能で、しかも体積固有抵抗率、誘
電率、誘電正接、絶縁破壊強度、曲げ強度等多層配線用
の基板としての諸特性を十分に充たし、更にTCCが±
0ppm/℃〜±100ppm/℃と調整可能な多層配
線基板用セラミック組成物を提供することを目的とす
る。
【0005】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の請求項1に記載の多層配線基板用セラミック
組成物は、成分組成が重量%で、Al2 O3 が40〜5
0、SiO2 が25〜30、PbOが7〜9、TiO2
が5〜15、CaOとMgOの混合物が4.4〜5.
3、B2 O3 が2.5〜3.0、ZrO2 が2.2〜
3.0、で構成されるガラスフリット60〜95wt%
と、チタン酸塩5〜40wt%と、を有する構成を備えて
いる。
に本発明の請求項1に記載の多層配線基板用セラミック
組成物は、成分組成が重量%で、Al2 O3 が40〜5
0、SiO2 が25〜30、PbOが7〜9、TiO2
が5〜15、CaOとMgOの混合物が4.4〜5.
3、B2 O3 が2.5〜3.0、ZrO2 が2.2〜
3.0、で構成されるガラスフリット60〜95wt%
と、チタン酸塩5〜40wt%と、を有する構成を備えて
いる。
【0006】請求項2に記載の多層配線基板用セラミッ
ク組成物は、請求項1において、前記チタン酸塩が、S
rTiO3 及び/又はCaTiO3 からなる構成を備え
ている。
ク組成物は、請求項1において、前記チタン酸塩が、S
rTiO3 及び/又はCaTiO3 からなる構成を備え
ている。
【0007】ここで、ガラスフリットはその含有率が6
0wt%未満では焼成温度が高くなりすぎ、一方、95wt
%を越えると、焼成体の曲げ強度、及び耐湿性が低下す
るのでいずれも好ましくない。また、TCCの調整も困
難になるので好ましくない。ガラスフリットの構成成分
であるSiO2 はその含有量が25wt%未満では軟化温
度が低くなり焼成時に大きな変形を生じ易く、30wt%
を越えると焼成温度が高くなり過ぎるのでいずれも好ま
しくない。PbOはガラスの溶解性を向上させるため
に、7wt%以上添加されるのが望ましい。但し、添加量
が9wt%を越えると、ガラスの軟化温度が低くなる傾向
が顕著になり焼成時に大きな変形を生じやすくなるので
好ましくない。CaOとMgOの混合物はガラスフリッ
ト製造時の溶融性の向上及びガラスの熱膨張係数を調整
する目的で添加される。添加量が4.4wt%より少ない
と溶融性が向上せず、フリット製造時に失透を生じやす
い傾向がある。また、添加量が5.3wt%より多いと、
熱膨張係数が大きくなり過ぎる傾向があるので、いずれ
も好ましくない。CaOとMgOの混合は、CaO80
〜95wt%、MgO 5〜20wt%が望ましい。CaO
の一部をMgOで置換すると、高温でのガラスの粘性を
高め、失透しにくくなり、また、熱膨張係数も小さくな
るので、耐熱性を向上させるので好ましい。
0wt%未満では焼成温度が高くなりすぎ、一方、95wt
%を越えると、焼成体の曲げ強度、及び耐湿性が低下す
るのでいずれも好ましくない。また、TCCの調整も困
難になるので好ましくない。ガラスフリットの構成成分
であるSiO2 はその含有量が25wt%未満では軟化温
度が低くなり焼成時に大きな変形を生じ易く、30wt%
を越えると焼成温度が高くなり過ぎるのでいずれも好ま
しくない。PbOはガラスの溶解性を向上させるため
に、7wt%以上添加されるのが望ましい。但し、添加量
が9wt%を越えると、ガラスの軟化温度が低くなる傾向
が顕著になり焼成時に大きな変形を生じやすくなるので
好ましくない。CaOとMgOの混合物はガラスフリッ
ト製造時の溶融性の向上及びガラスの熱膨張係数を調整
する目的で添加される。添加量が4.4wt%より少ない
と溶融性が向上せず、フリット製造時に失透を生じやす
い傾向がある。また、添加量が5.3wt%より多いと、
熱膨張係数が大きくなり過ぎる傾向があるので、いずれ
も好ましくない。CaOとMgOの混合は、CaO80
〜95wt%、MgO 5〜20wt%が望ましい。CaO
の一部をMgOで置換すると、高温でのガラスの粘性を
高め、失透しにくくなり、また、熱膨張係数も小さくな
るので、耐熱性を向上させるので好ましい。
【0008】MgOが5wt%以下では、その効果は小さ
く、又、20wt%以上では、化学的安定性や、耐熱性が
悪化する傾向が認められる。B2 O3 はフラックスであ
り、添加量が2.5wt%未満では、焼成温度が高くなり
過ぎ、3.0wt%を越えるとガラスの化学的安定性を低
下させる傾向があるので、いずれも好ましくない。Al
2 O3 はセラミックの機械的強度を向上させる目的で添
加されるもので、40wt%以上添加されるのが望まし
い。但し、添加量が50wt%を越えると焼成温度が高く
なり過ぎるので好ましくない。
く、又、20wt%以上では、化学的安定性や、耐熱性が
悪化する傾向が認められる。B2 O3 はフラックスであ
り、添加量が2.5wt%未満では、焼成温度が高くなり
過ぎ、3.0wt%を越えるとガラスの化学的安定性を低
下させる傾向があるので、いずれも好ましくない。Al
2 O3 はセラミックの機械的強度を向上させる目的で添
加されるもので、40wt%以上添加されるのが望まし
い。但し、添加量が50wt%を越えると焼成温度が高く
なり過ぎるので好ましくない。
【0009】TiO2 はガラスの溶融性や化学的安定性
を向上させるために5wt%以上の添加が望ましい。但
し、添加量が15wt%を越えるとガラスの軟化温度が高
くなり、焼成温度が高くなりすぎるので好ましくない。
ZrO2 はガラスの化学的安定性を向上させるために
2.2wt%以上の添加が望ましい。但し、添加量が3.
0wt%を越えるとガラスフリット製造時の溶融性を低下
させるので好ましくない。チタン酸塩は、ガラスフリッ
トのTCCを調整する目的で添加し、5wt%未満では、
その効果は小さく、又、40wt%より多いと、焼成温度
が高くなり過ぎるので好ましくない。
を向上させるために5wt%以上の添加が望ましい。但
し、添加量が15wt%を越えるとガラスの軟化温度が高
くなり、焼成温度が高くなりすぎるので好ましくない。
ZrO2 はガラスの化学的安定性を向上させるために
2.2wt%以上の添加が望ましい。但し、添加量が3.
0wt%を越えるとガラスフリット製造時の溶融性を低下
させるので好ましくない。チタン酸塩は、ガラスフリッ
トのTCCを調整する目的で添加し、5wt%未満では、
その効果は小さく、又、40wt%より多いと、焼成温度
が高くなり過ぎるので好ましくない。
【0010】
【作用】この構成によって、Al2 O3 の添加量が少な
くかつガラスフリットと反応性の高いチタン酸塩を用い
たことにより焼成温度を著しく低下させることができ
る。また、焼成温度が低いので厚膜技術で広く使用され
ているAu,Ag,Ag−Pd,Cu等のペーストを内
部電極として使用することができ、更にその焼成体の曲
げ強度等の機械的強度を向上させることができる。ま
た、本組成比にすることにより熱伝導率に優れ、小さい
誘電率、大きい絶縁抵抗等の電気的特性を高くするとと
もに耐湿性を向上させることができる。特に、正のTC
C特性を持つガラスフリットと負のTCC特性を持つチ
タン酸塩の焼成反応によりTCCの調整を容易にするこ
とができる。
くかつガラスフリットと反応性の高いチタン酸塩を用い
たことにより焼成温度を著しく低下させることができ
る。また、焼成温度が低いので厚膜技術で広く使用され
ているAu,Ag,Ag−Pd,Cu等のペーストを内
部電極として使用することができ、更にその焼成体の曲
げ強度等の機械的強度を向上させることができる。ま
た、本組成比にすることにより熱伝導率に優れ、小さい
誘電率、大きい絶縁抵抗等の電気的特性を高くするとと
もに耐湿性を向上させることができる。特に、正のTC
C特性を持つガラスフリットと負のTCC特性を持つチ
タン酸塩の焼成反応によりTCCの調整を容易にするこ
とができる。
【0011】
【実施例】以下本発明の一実施例について説明する。
【0012】(実施例1)ガラスフリットの作製は、
(表1)に示すように重量%で、SiO2 が27、Pb
Oが8、TiO2 が10、CaOとMgOの混合物(C
aO:MgO=90:10)が5.0、B2 O3 が2.
5、ZrO2 が2.5の組成になるように、常法に従い
各原料を調合し、1400〜1500℃の温度にて攪拌
しながら溶融し、溶融後、水砕又はフレーク状とし、こ
れにAl2 O3 を45wt%添加して行った。次に、この
ガラスフリットと、チタン酸塩としてSrTiO3 とが
それぞれ90wt%、10wt%になるように秤量し、ボー
ルミルにて粉砕混合し本実施例の多層配線基板用セラミ
ック組成物を得た。この粉砕混合した組成物に、バイン
ダーを10wt%添加し造粒、成形後、900℃にて15
分間焼成した。この焼成体の相対密度を測定したとこ
ろ、99.98%であった。次いで、直径30mm、厚み
0.35mmに加工後、Ag電極を焼き付け、TCCを測
定したところ、−25℃〜+85℃にて±0ppm/℃
であった。そこで、この粉砕混合した組成物に種々のバ
インダーや可塑剤、溶剤を添加、混練して粘度10ps
〜30psのペーストを作製した。このペーストを常法
のドクターブレード法により、厚み0.03mmのグリー
ンシートを作製した。このグリーンシートを15枚重
ね、その後、35℃にて約50トンの圧力にて熱圧着さ
せ、900℃にて15分間焼成した。次いで、焼成した
シートの各種特性を測定した。その結果を(表1)に示
した。尚、TCC(−25℃〜+85℃)±0ppm/
℃であった。
(表1)に示すように重量%で、SiO2 が27、Pb
Oが8、TiO2 が10、CaOとMgOの混合物(C
aO:MgO=90:10)が5.0、B2 O3 が2.
5、ZrO2 が2.5の組成になるように、常法に従い
各原料を調合し、1400〜1500℃の温度にて攪拌
しながら溶融し、溶融後、水砕又はフレーク状とし、こ
れにAl2 O3 を45wt%添加して行った。次に、この
ガラスフリットと、チタン酸塩としてSrTiO3 とが
それぞれ90wt%、10wt%になるように秤量し、ボー
ルミルにて粉砕混合し本実施例の多層配線基板用セラミ
ック組成物を得た。この粉砕混合した組成物に、バイン
ダーを10wt%添加し造粒、成形後、900℃にて15
分間焼成した。この焼成体の相対密度を測定したとこ
ろ、99.98%であった。次いで、直径30mm、厚み
0.35mmに加工後、Ag電極を焼き付け、TCCを測
定したところ、−25℃〜+85℃にて±0ppm/℃
であった。そこで、この粉砕混合した組成物に種々のバ
インダーや可塑剤、溶剤を添加、混練して粘度10ps
〜30psのペーストを作製した。このペーストを常法
のドクターブレード法により、厚み0.03mmのグリー
ンシートを作製した。このグリーンシートを15枚重
ね、その後、35℃にて約50トンの圧力にて熱圧着さ
せ、900℃にて15分間焼成した。次いで、焼成した
シートの各種特性を測定した。その結果を(表1)に示
した。尚、TCC(−25℃〜+85℃)±0ppm/
℃であった。
【0013】
【表1】
【0014】(比較例1,2)実施例1で得たガラスフ
リットを用い、(表2)に示すようにガラスフリットと
SrTiO3 との組成比を58:42(比較例1)及び
99:1(比較例2)とした他は実施例1と同様にして
グリーンシートを作製し、その特性を測定した。その結
果を(表2)に示した。尚、TCCは各々−200,+
150ppm/℃以上で実用性に欠けるということがわ
かった。
リットを用い、(表2)に示すようにガラスフリットと
SrTiO3 との組成比を58:42(比較例1)及び
99:1(比較例2)とした他は実施例1と同様にして
グリーンシートを作製し、その特性を測定した。その結
果を(表2)に示した。尚、TCCは各々−200,+
150ppm/℃以上で実用性に欠けるということがわ
かった。
【0015】
【表2】
【0016】(実施例2)(表1)に示す組成の原料を
用い実施例1と同様にしてガラスフリットとし、このガ
ラスフリットと、SrTiO3 を(表1)に示すように
各々94wt%、6wt%になるように秤量し、実施例1と
同様にしてボールミルにて粉砕混合し、同様にしてグリ
ーンシートの焼成体を得た。この場合の焼成温度は80
0℃であった。焼成したシートの各種特性を測定し、そ
の結果を(表1)に示した。体積固有抵抗率、誘電率、
誘電正接、絶縁破壊強度、曲げ強度等は、実施例1と大
略同等の値を得た。TCCは、+50ppm/℃であっ
た。
用い実施例1と同様にしてガラスフリットとし、このガ
ラスフリットと、SrTiO3 を(表1)に示すように
各々94wt%、6wt%になるように秤量し、実施例1と
同様にしてボールミルにて粉砕混合し、同様にしてグリ
ーンシートの焼成体を得た。この場合の焼成温度は80
0℃であった。焼成したシートの各種特性を測定し、そ
の結果を(表1)に示した。体積固有抵抗率、誘電率、
誘電正接、絶縁破壊強度、曲げ強度等は、実施例1と大
略同等の値を得た。TCCは、+50ppm/℃であっ
た。
【0017】(実施例3)(表1)に示す組成の原料を
用い実施例1と同様にしてガラスフリットを得、このガ
ラスフリットと、CaTiO3 を(表1)に示すように
各々70wt%、30wt%となるように秤量し、実施例1
と同様にしてグリーンシート焼成体を得た。次いで、こ
の焼成体の特性を測定し、その結果を(表1)に示し
た。尚、焼成温度は870℃で行った。体積固有抵抗
率、誘電率、誘電正接、絶縁破壊強度、曲げ強度等は、
実施例1と大略同等の値を得た。TCCは、−20pp
m/℃であった。
用い実施例1と同様にしてガラスフリットを得、このガ
ラスフリットと、CaTiO3 を(表1)に示すように
各々70wt%、30wt%となるように秤量し、実施例1
と同様にしてグリーンシート焼成体を得た。次いで、こ
の焼成体の特性を測定し、その結果を(表1)に示し
た。尚、焼成温度は870℃で行った。体積固有抵抗
率、誘電率、誘電正接、絶縁破壊強度、曲げ強度等は、
実施例1と大略同等の値を得た。TCCは、−20pp
m/℃であった。
【0018】(実施例4)(表1)に示す組成の原料を
用い実施例1と同様にしてガラスフリットを得、このガ
ラスフリットと、CaTiO3 を(表1)に示すように
各々60wt%、40wt%秤量し、実施例1と同様にして
焼成温度が920℃にてグリーンシートの焼成体を得
た。次いで、その特性を測定しその結果を(表1)に示
した。体積固有抵抗率、誘電率、誘電正接、絶縁破壊強
度、曲げ強度等は、実施例1と大略同等の値を得た。ま
た、TCCは−30ppm/℃であった。さらに、A
u,Ag−Pd,Cu等のペーストを内部電極として、
積層した焼成体についてもその特性を測定したところ同
様の結果を得た。
用い実施例1と同様にしてガラスフリットを得、このガ
ラスフリットと、CaTiO3 を(表1)に示すように
各々60wt%、40wt%秤量し、実施例1と同様にして
焼成温度が920℃にてグリーンシートの焼成体を得
た。次いで、その特性を測定しその結果を(表1)に示
した。体積固有抵抗率、誘電率、誘電正接、絶縁破壊強
度、曲げ強度等は、実施例1と大略同等の値を得た。ま
た、TCCは−30ppm/℃であった。さらに、A
u,Ag−Pd,Cu等のペーストを内部電極として、
積層した焼成体についてもその特性を測定したところ同
様の結果を得た。
【0019】(比較例3,4)(表2)に示す原料を用
い実施例1と同様にして各ガラスフリットを得、これら
のガラスフリットとSrTiO3 の混合比を(表2)に
示すように変えた他は実施例1と同様にしてグリーンシ
ートを得、その特性を測定した。その結果を(表2)に
示す。
い実施例1と同様にして各ガラスフリットを得、これら
のガラスフリットとSrTiO3 の混合比を(表2)に
示すように変えた他は実施例1と同様にしてグリーンシ
ートを得、その特性を測定した。その結果を(表2)に
示す。
【0020】この(表1)、(表2)から明らかなよう
に、本実施例による多層配線基板用セラミック組成物
は、従来の組成物と比較して極めて低い温度で焼成が可
能であり、かつ、機械的特性や電気的特性に優れTCC
の調整も容易であることがわかった。
に、本実施例による多層配線基板用セラミック組成物
は、従来の組成物と比較して極めて低い温度で焼成が可
能であり、かつ、機械的特性や電気的特性に優れTCC
の調整も容易であることがわかった。
【0021】
【発明の効果】以上のように本発明は、極めて低い温
度、すなわち、750〜950℃の低温で焼成でき、か
つ、Au,Ag,Ag−Pd,Cu等のペーストを内部
電極として使用することが可能な上に、焼成体の各種要
求特性、すなわち、体積固有抵抗率、誘電率、誘電正
接、絶縁破壊強度、曲げ強度等、導体、抵抗体等の電子
回路を多層に形成する多層配線基板としての良好なセラ
ミック基板の特性を満足し、さらに、TCCも±0pp
m/℃〜±100ppm/℃と調整が容易な極めて低原
価で量産性に優れた多層配線基板用セラミック組成物を
実現できるものである。
度、すなわち、750〜950℃の低温で焼成でき、か
つ、Au,Ag,Ag−Pd,Cu等のペーストを内部
電極として使用することが可能な上に、焼成体の各種要
求特性、すなわち、体積固有抵抗率、誘電率、誘電正
接、絶縁破壊強度、曲げ強度等、導体、抵抗体等の電子
回路を多層に形成する多層配線基板としての良好なセラ
ミック基板の特性を満足し、さらに、TCCも±0pp
m/℃〜±100ppm/℃と調整が容易な極めて低原
価で量産性に優れた多層配線基板用セラミック組成物を
実現できるものである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 渡辺 浩一 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (2)
- 【請求項1】成分組成が重量%で、Al2 O3 が40〜
50、SiO2 が25〜30、PbOが7〜9、TiO
2 が5〜15、CaOとMgOの混合物が4.4〜5.
3、B2 O3 が2.5〜3.0、ZrO2 が2.2〜
3.0、で構成されるガラスフリット60〜95wt%
と、チタン酸塩5〜40wt%と、を有することを特徴と
する多層配線基板用セラミック組成物。 - 【請求項2】前記チタン酸塩が、SrTiO3 及び/又
はCaTiO3 からなることを特徴とする請求項1に記
載の多層配線基板用セラミック組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5229988A JPH0786745A (ja) | 1993-09-16 | 1993-09-16 | 多層配線基板用セラミック組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5229988A JPH0786745A (ja) | 1993-09-16 | 1993-09-16 | 多層配線基板用セラミック組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0786745A true JPH0786745A (ja) | 1995-03-31 |
Family
ID=16900846
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5229988A Pending JPH0786745A (ja) | 1993-09-16 | 1993-09-16 | 多層配線基板用セラミック組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0786745A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111925190A (zh) * | 2020-07-02 | 2020-11-13 | 杭州电子科技大学 | Mg3B2O6-CaTiO3复合微波介电陶瓷材料及制备方法 |
-
1993
- 1993-09-16 JP JP5229988A patent/JPH0786745A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111925190A (zh) * | 2020-07-02 | 2020-11-13 | 杭州电子科技大学 | Mg3B2O6-CaTiO3复合微波介电陶瓷材料及制备方法 |
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