JPH0786079A - 高周波用チップコンデンサ - Google Patents
高周波用チップコンデンサInfo
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- JPH0786079A JPH0786079A JP18201493A JP18201493A JPH0786079A JP H0786079 A JPH0786079 A JP H0786079A JP 18201493 A JP18201493 A JP 18201493A JP 18201493 A JP18201493 A JP 18201493A JP H0786079 A JPH0786079 A JP H0786079A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高周波帯域で良好な周波数特性が得られる高
周波用チップコンデンサを提供すること。 【構成】 複数の内部電極と誘電体磁器層とを交互に積
層してなる高周波用チップコンデンサにおいて、９００
℃以下の温度で焼結させることのできる低温焼結性材料
で前記誘電体磁器層を形成し、該誘電体磁器層の比誘電
率εs を１５以下とし、該比誘電率εs の温度係数を０
±６０ｐｐｍ／℃の範囲内とした。
周波用チップコンデンサを提供すること。 【構成】 複数の内部電極と誘電体磁器層とを交互に積
層してなる高周波用チップコンデンサにおいて、９００
℃以下の温度で焼結させることのできる低温焼結性材料
で前記誘電体磁器層を形成し、該誘電体磁器層の比誘電
率εs を１５以下とし、該比誘電率εs の温度係数を０
±６０ｐｐｍ／℃の範囲内とした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は１００ＭＨｚ〜３ＧＨ
ｚ程度の高周波帯域で使用することができる高周波用チ
ップコンデンサに関するものである。
ｚ程度の高周波帯域で使用することができる高周波用チ
ップコンデンサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】高周波用チップコンデンサの誘電体層を
形成する磁器材料としては、例えば、ＢａＯ−ＴｉＯ2
−Ｒｅ（但し、Ｒｅは希土類元素）系材料、ＺｒＯ2 −
ＳｎＯ2 −ＴｉＯ2 系材料、Ｂａ（Ｚｎ1/3 Ｔａ2/3 ）
Ｏ3 複合ペロブスカイト等が知られている。
形成する磁器材料としては、例えば、ＢａＯ−ＴｉＯ2
−Ｒｅ（但し、Ｒｅは希土類元素）系材料、ＺｒＯ2 −
ＳｎＯ2 −ＴｉＯ2 系材料、Ｂａ（Ｚｎ1/3 Ｔａ2/3 ）
Ｏ3 複合ペロブスカイト等が知られている。
【０００３】ここで、ＢａＯ−ＴｉＯ2 −Ｒｅ系材料の
焼成温度は１２００〜１４００℃程度、比誘電率εs は
７０〜１００程度である。また、ＺｒＯ2 −ＳｎＯ2 −
ＴｉＯ2 系材料の焼成温度は１１００〜１４００℃程
度、比誘電率εs は３０〜４０程度である。更に、Ｂａ
（Ｚｎ1/3 Ｔａ2/3 ）Ｏ3 複合ペロブスカイトの焼成温
度は１４００〜１６００℃程度、比誘電率εs は２０〜
４０程度である。
焼成温度は１２００〜１４００℃程度、比誘電率εs は
７０〜１００程度である。また、ＺｒＯ2 −ＳｎＯ2 −
ＴｉＯ2 系材料の焼成温度は１１００〜１４００℃程
度、比誘電率εs は３０〜４０程度である。更に、Ｂａ
（Ｚｎ1/3 Ｔａ2/3 ）Ｏ3 複合ペロブスカイトの焼成温
度は１４００〜１６００℃程度、比誘電率εs は２０〜
４０程度である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した誘
電体材料は焼成温度が１１００〜１６００℃程度と、か
なり高いので、内部電極の材料としては融点の高いタン
グステン、モリブデン、パラジウム等の高融点金属を使
用せざるを得ない。
電体材料は焼成温度が１１００〜１６００℃程度と、か
なり高いので、内部電極の材料としては融点の高いタン
グステン、モリブデン、パラジウム等の高融点金属を使
用せざるを得ない。
【０００５】しかし、タングステン、モリブデン、パラ
ジウム等の高融点金属は導電率が低いので、これらを高
周波用チップコンデンサの内部電極の材料として使用し
た場合はＱ値が低くなってしまうという問題があった。
ジウム等の高融点金属は導電率が低いので、これらを高
周波用チップコンデンサの内部電極の材料として使用し
た場合はＱ値が低くなってしまうという問題があった。
【０００６】また、上述した誘電体材料は比誘電率εs
が２０〜１００程度と比較的高いので、これを高周波用
チップコンデンサの誘電体磁器層の材料として用いた場
合は、パルス信号の伝播速度が遅くなり、損失が大きく
なり、自己共振周波数が比較的低周波側で発生し、１０
０ＭＨｚ〜３ＧＨｚ程度の高周波帯域ではコンデンサと
して機能しなくなるという問題があった。
が２０〜１００程度と比較的高いので、これを高周波用
チップコンデンサの誘電体磁器層の材料として用いた場
合は、パルス信号の伝播速度が遅くなり、損失が大きく
なり、自己共振周波数が比較的低周波側で発生し、１０
０ＭＨｚ〜３ＧＨｚ程度の高周波帯域ではコンデンサと
して機能しなくなるという問題があった。
【０００７】この発明は、これらの問題を解決するため
になされたもので、高周波帯域で良好な周波数特性が得
られる高周波用チップコンデンサを提供することを目的
とする。
になされたもので、高周波帯域で良好な周波数特性が得
られる高周波用チップコンデンサを提供することを目的
とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明に係る高周波用
チップコンデンサは、複数の内部電極と誘電体磁器層と
を交互に積層してなる高周波用チップコンデンサにおい
て、前記誘電体磁器層を９００℃以下の温度で焼結する
低温焼結性材料で形成し、該誘電体磁器層の比誘電率ε
s を１５以下とし、該比誘電率εs の温度係数を０±６
０ｐｐｍ／℃としたことを特徴とするものである。
チップコンデンサは、複数の内部電極と誘電体磁器層と
を交互に積層してなる高周波用チップコンデンサにおい
て、前記誘電体磁器層を９００℃以下の温度で焼結する
低温焼結性材料で形成し、該誘電体磁器層の比誘電率ε
s を１５以下とし、該比誘電率εs の温度係数を０±６
０ｐｐｍ／℃としたことを特徴とするものである。
【０００９】ここで、誘電体磁器層の比誘電率εs を１
５以下としたのは、誘電体磁器層の比誘電率εs が１５
を越えて大きくなると、１００ＭＨｚ〜３ＧＨｚ程度の
高周波帯域において所望の伝播速度のパルス信号が得ら
れなくなったり、損失が大きくなり過ぎたり、自己共振
周波数が低周波側にずれてコンデンサとして機能しなく
なったりするからである。
５以下としたのは、誘電体磁器層の比誘電率εs が１５
を越えて大きくなると、１００ＭＨｚ〜３ＧＨｚ程度の
高周波帯域において所望の伝播速度のパルス信号が得ら
れなくなったり、損失が大きくなり過ぎたり、自己共振
周波数が低周波側にずれてコンデンサとして機能しなく
なったりするからである。
【００１０】また、誘電体磁器層の比誘電率εs の温度
係数を０±６０ｐｐｍ／℃の範囲内としたのは、電気的
特性としてＣＨ特性を満足する高周波用チップコンデン
サを得るためである。
係数を０±６０ｐｐｍ／℃の範囲内としたのは、電気的
特性としてＣＨ特性を満足する高周波用チップコンデン
サを得るためである。
【００１１】前記低温焼結性材料としては９００℃以下
の温度で焼結できる材料であれば特に制限はないが、比
誘電率εs を１５以下とし、該比誘電率εs の温度係数
を０±６０ｐｐｍ／℃とし、低温焼成を可能とするため
には、例えばセラミック粉末を骨材とし、結晶化ガラス
をマトリックスとするコンポジット構造のものが好まし
い。
の温度で焼結できる材料であれば特に制限はないが、比
誘電率εs を１５以下とし、該比誘電率εs の温度係数
を０±６０ｐｐｍ／℃とし、低温焼成を可能とするため
には、例えばセラミック粉末を骨材とし、結晶化ガラス
をマトリックスとするコンポジット構造のものが好まし
い。
【００１２】ここで、結晶化ガラスとは、ガラスを熱処
理して部分的に結晶化させたものをいう。結晶化ガラス
の含有率は４０〜９５ｍｏｌ％が好ましい。結晶化ガラ
スの含有率の下限を４０ｍｏｌ％としたのは、結晶化ガ
ラスの含有率が４０ｍｏｌ％未満になると、低温焼結性
材料がコンポジット構造となり難くなり、強度及び成形
性が低下し、また、低温焼成が困難となるからである。
また、結晶化ガラスの含有率の上限を９５ｍｏｌ％とし
たのは、結晶化ガラスの含有率が９５ｍｏｌ％を越える
とチップコンデンサの強度が低下し、或いはチップコン
デンサの寸法精度が悪くなるという不都合があるからで
ある。
理して部分的に結晶化させたものをいう。結晶化ガラス
の含有率は４０〜９５ｍｏｌ％が好ましい。結晶化ガラ
スの含有率の下限を４０ｍｏｌ％としたのは、結晶化ガ
ラスの含有率が４０ｍｏｌ％未満になると、低温焼結性
材料がコンポジット構造となり難くなり、強度及び成形
性が低下し、また、低温焼成が困難となるからである。
また、結晶化ガラスの含有率の上限を９５ｍｏｌ％とし
たのは、結晶化ガラスの含有率が９５ｍｏｌ％を越える
とチップコンデンサの強度が低下し、或いはチップコン
デンサの寸法精度が悪くなるという不都合があるからで
ある。
【００１３】セラミック粉末として使用できる材料には
特に制限はなく、目的とする誘電率や焼成温度等に応
じ、例えば、アルミナ、スピネル、ムライト、フォルス
テライト、ステアタイト、コージェライト、ジルコニ
ア、α−石英、ＳｒＺｒＯ3 、ＭｇＴｉＯ3 、ＺｒＳｉ
Ｏ4 、ＺｒＴｉＯ4 、Ｂａ（Ｚｎ1/3 Ｔａ2/3 ）Ｏ3 、
Ｂａ（Ｍｇ1/3 Ｔａ2/3 ）Ｏ3 等から選択された１種ま
たは２種以上を使用することができる。
特に制限はなく、目的とする誘電率や焼成温度等に応
じ、例えば、アルミナ、スピネル、ムライト、フォルス
テライト、ステアタイト、コージェライト、ジルコニ
ア、α−石英、ＳｒＺｒＯ3 、ＭｇＴｉＯ3 、ＺｒＳｉ
Ｏ4 、ＺｒＴｉＯ4 、Ｂａ（Ｚｎ1/3 Ｔａ2/3 ）Ｏ3 、
Ｂａ（Ｍｇ1/3 Ｔａ2/3 ）Ｏ3 等から選択された１種ま
たは２種以上を使用することができる。
【００１４】結晶化ガラスの種類にも特に制限はなく、
ホウケイ酸ガラス、ホウケイ酸鉛ガラス、ホウケイ酸バ
リウムガラス等の一般にガラスフリットとして用いられ
ているものを使用することができる。
ホウケイ酸ガラス、ホウケイ酸鉛ガラス、ホウケイ酸バ
リウムガラス等の一般にガラスフリットとして用いられ
ているものを使用することができる。
【００１５】結晶化ガラスとしては、特に、ＳｉＯ2 が
１０〜７０ｍｏｌ％、Ａｌ2 Ｏ3 が０〜１５ｍｏｌ％、
Ｂ2 Ｏ3 が１０ｍｏｌ％以下、ＣａＯ，ＳｒＯ，ＢａＯ
及びＭｇＯから選択された１種以上が５〜６０ｍｏｌ
％、ＴｉＯ2 が４〜１５ｍｏｌ％の組成のものが好まし
い。
１０〜７０ｍｏｌ％、Ａｌ2 Ｏ3 が０〜１５ｍｏｌ％、
Ｂ2 Ｏ3 が１０ｍｏｌ％以下、ＣａＯ，ＳｒＯ，ＢａＯ
及びＭｇＯから選択された１種以上が５〜６０ｍｏｌ
％、ＴｉＯ2 が４〜１５ｍｏｌ％の組成のものが好まし
い。
【００１６】この組成の結晶化ガラスには、更に、Ｋ2
Ｏ，ＰｂＯ，Ｂｉ2 Ｏ3 ，ＺｒＯ2，ＺｎＯ，ＣｒＯ，
ＣｏＯ，Ｃｏ3 Ｏ4 ，Ｙ2 Ｏ3 ，ＭｎＯ2 ，Ｎｄ2 Ｏ
3 ，Ｅｒ2 Ｏ3 ，Ｇｄ2 Ｏ3 から選択された１種以上の
酸化物を添加してもよい。
Ｏ，ＰｂＯ，Ｂｉ2 Ｏ3 ，ＺｒＯ2，ＺｎＯ，ＣｒＯ，
ＣｏＯ，Ｃｏ3 Ｏ4 ，Ｙ2 Ｏ3 ，ＭｎＯ2 ，Ｎｄ2 Ｏ
3 ，Ｅｒ2 Ｏ3 ，Ｇｄ2 Ｏ3 から選択された１種以上の
酸化物を添加してもよい。
【００１７】これらの酸化物の添加量は５ｍｏｌ％以下
が好ましい。酸化物の添加量が５ｍｏｌ％を越えると９
００℃以下の低温焼成が不可能になるという不都合を生
じるからである。
が好ましい。酸化物の添加量が５ｍｏｌ％を越えると９
００℃以下の低温焼成が不可能になるという不都合を生
じるからである。
【００１８】この発明に係る高周波用チップコンデンサ
の製造方法には、特に制限はなく、絶縁体グリーンシー
ト上に導体パターンを形成し積層するグリーンシート法
や絶縁体ぺ−ストと導体ペーストとを交互に厚膜印刷す
る印刷多層法等を用いることができる。
の製造方法には、特に制限はなく、絶縁体グリーンシー
ト上に導体パターンを形成し積層するグリーンシート法
や絶縁体ぺ−ストと導体ペーストとを交互に厚膜印刷す
る印刷多層法等を用いることができる。
【００１９】グリーンシート法では、セラミック粉末お
よびガラスフリットを混合し、これにバインダー、溶剤
等のビヒクルを加え、これらを混練してペースト（スラ
リー）とし、このペーストを用いて、例えばドクターブ
レード法、リバースコーター法等により、５μｍ〜１０
０μｍ程度の厚さのグリーンシートを所定枚数作成す
る。
よびガラスフリットを混合し、これにバインダー、溶剤
等のビヒクルを加え、これらを混練してペースト（スラ
リー）とし、このペーストを用いて、例えばドクターブ
レード法、リバースコーター法等により、５μｍ〜１０
０μｍ程度の厚さのグリーンシートを所定枚数作成す
る。
【００２０】この場合、結晶化ガラスの粒径は、０．１
〜２．０μｍ程度が好ましい。結晶化ガラスの粒径が
０．１μｍ未満ではガラス粒子の再凝集が起こり、シー
ト密度上がらず、熱処理後に信頼性に悪影響を及ぼすオ
ープンポアを生じてしまうという不都合があり、結晶化
ガラスの粒径が２．０μｍを越えると９００℃以下の低
温焼成が不可能となったり、ガラスの結晶化が不十分
で、目的とする電気的特性が得られないという不都合が
あるからである。
〜２．０μｍ程度が好ましい。結晶化ガラスの粒径が
０．１μｍ未満ではガラス粒子の再凝集が起こり、シー
ト密度上がらず、熱処理後に信頼性に悪影響を及ぼすオ
ープンポアを生じてしまうという不都合があり、結晶化
ガラスの粒径が２．０μｍを越えると９００℃以下の低
温焼成が不可能となったり、ガラスの結晶化が不十分
で、目的とする電気的特性が得られないという不都合が
あるからである。
【００２１】また、セラミック粉末の粒径は０．１〜
２．０μｍ程度が好ましい。セラミック粉末の粒径が
０．１μｍ未満ではセラミック粒子の凝集により材料の
均一性という点で問題が発生し、電気的、機械的特性に
バラツキを生じるという不都合があり、セラミック粉末
の粒径が２．０μｍを越えると９００℃以下の低温焼成
が不可能になったり、機械的強度が低下するという不都
合があるからである。
２．０μｍ程度が好ましい。セラミック粉末の粒径が
０．１μｍ未満ではセラミック粒子の凝集により材料の
均一性という点で問題が発生し、電気的、機械的特性に
バラツキを生じるという不都合があり、セラミック粉末
の粒径が２．０μｍを越えると９００℃以下の低温焼成
が不可能になったり、機械的強度が低下するという不都
合があるからである。
【００２２】ビヒクルとしては、エチルセルロース、ポ
リビニルブチラール、メタクリル樹脂、ブチルメタアク
リレート等のバインダー、エタノール、トルエン、テル
ピネオール、ブチルカルビトール等の溶剤、その他各種
分散剤、湿潤剤、レベリング剤、可塑剤等から、目的に
応じて適宜選択すればよい。
リビニルブチラール、メタクリル樹脂、ブチルメタアク
リレート等のバインダー、エタノール、トルエン、テル
ピネオール、ブチルカルビトール等の溶剤、その他各種
分散剤、湿潤剤、レベリング剤、可塑剤等から、目的に
応じて適宜選択すればよい。
【００２３】次に、上述した各グリーンシート上に導電
性ペーストを、例えばスクリーン印刷法により２〜１０
μｍ程度の厚さに印刷し、導体パターンを形成する。
性ペーストを、例えばスクリーン印刷法により２〜１０
μｍ程度の厚さに印刷し、導体パターンを形成する。
【００２４】ここで、導電性ペーストは、前記したよう
な導電性粒子とガラスフリットとを混合し、これに前記
と同様のビヒクルを加え、これらを混練してスラリー化
することにより作製することができる。導電性粒子とし
ては、安価で低損失なＡｇ、を使用することができる。
な導電性粒子とガラスフリットとを混合し、これに前記
と同様のビヒクルを加え、これらを混練してスラリー化
することにより作製することができる。導電性粒子とし
ては、安価で低損失なＡｇ、を使用することができる。
【００２５】前記導電性粒子の含有率は、５０〜８０重
量％程度であることが好ましい。また、導電性粒子の平
均粒径は、０．０１〜５μｍ程度であることが好まし
い。焼成後の導体や電極の厚さは、通常、２〜７μm 程
度である。
量％程度であることが好ましい。また、導電性粒子の平
均粒径は、０．０１〜５μｍ程度であることが好まし
い。焼成後の導体や電極の厚さは、通常、２〜７μm 程
度である。
【００２６】次に、絶縁体グリーンシート、導体パター
ンを形成したシートを所定量重ね合わせ、約４０〜１２
０℃、５０〜１０００ｋｇｆ／ｃｍ2 程度で熱圧着し、
グリーンシートの積層体とする。
ンを形成したシートを所定量重ね合わせ、約４０〜１２
０℃、５０〜１０００ｋｇｆ／ｃｍ2 程度で熱圧着し、
グリーンシートの積層体とする。
【００２７】その後、このグリーンシート積層体を、３
５０〜６００℃で加熱して、グリーンシート中に含有さ
れている有機バインダーを燃焼除去させ、続いて８００
〜９００℃程度で、１５分間〜２時間程度の時間保持
し、セラミックグリーンシート積層体を焼結させる。
５０〜６００℃で加熱して、グリーンシート中に含有さ
れている有機バインダーを燃焼除去させ、続いて８００
〜９００℃程度で、１５分間〜２時間程度の時間保持
し、セラミックグリーンシート積層体を焼結させる。
【００２８】
実施例１ まず、ボールミルに、セラミック粉末（９．３重量
％）、ガラスフリット（３７．２重量％）、有機バイン
ダー（７．０重量％）及び溶剤（４６．５重量％）を入
れ、これらを混練してスラリーを作成した。
％）、ガラスフリット（３７．２重量％）、有機バイン
ダー（７．０重量％）及び溶剤（４６．５重量％）を入
れ、これらを混練してスラリーを作成した。
【００２９】ここで、セラミック粉末は平均粒径０．５
μｍのジルコニア粉末を使用し、ガラスフリットは平均
粒径０．５μｍのホウケイ酸ガラスを使用し、有機バイ
ンダーとしては、ポリビニルブチラールを使用した。
μｍのジルコニア粉末を使用し、ガラスフリットは平均
粒径０．５μｍのホウケイ酸ガラスを使用し、有機バイ
ンダーとしては、ポリビニルブチラールを使用した。
【００３０】次に、上記スラリーを真空脱泡器に入れて
脱泡し、このスラリーをリバースロールコーターに入
れ、これを使用してポリエステルフィルム上にこのスラ
リーに基づく薄膜を形成し、この薄膜をフィルム上で９
０℃に加熱して乾燥させ、厚さ約２５μｍのグリーンシ
ートを得た。
脱泡し、このスラリーをリバースロールコーターに入
れ、これを使用してポリエステルフィルム上にこのスラ
リーに基づく薄膜を形成し、この薄膜をフィルム上で９
０℃に加熱して乾燥させ、厚さ約２５μｍのグリーンシ
ートを得た。
【００３１】一方、内部電極の導電ペーストは、平均粒
径が０．８μｍのＡｇ粉末１００ｇと、６ｇのエチルセ
ルロースを６０ｇのα−ターピネオールに溶解させたも
のとを攪拌器に入れ、３時間攪拌することにより得た。
この導電ペーストを多数のパターンを有するスクリーン
を介して上記グリーンシートの片面に印刷した後、これ
を乾燥させた。
径が０．８μｍのＡｇ粉末１００ｇと、６ｇのエチルセ
ルロースを６０ｇのα−ターピネオールに溶解させたも
のとを攪拌器に入れ、３時間攪拌することにより得た。
この導電ペーストを多数のパターンを有するスクリーン
を介して上記グリーンシートの片面に印刷した後、これ
を乾燥させた。
【００３２】次に、上記印刷面を上にしてグリーンシー
トを２枚積層した。この際、隣接する上下のシートにお
いて、その印刷面がパターンの長手方向に約半分ほどず
れるように配置した。更に、この積層物の上下両面にそ
れぞれ１０枚づつ印刷の施されていないグリーンシート
を積層した。次いで、この積層物を約９０℃の温度で厚
さ方向に約５００ｋｇｆ／ｃｍ2 の圧力を加えて圧着さ
せた。しかる後、この積層物を格子状に裁断し、多数の
積層チップを得た。
トを２枚積層した。この際、隣接する上下のシートにお
いて、その印刷面がパターンの長手方向に約半分ほどず
れるように配置した。更に、この積層物の上下両面にそ
れぞれ１０枚づつ印刷の施されていないグリーンシート
を積層した。次いで、この積層物を約９０℃の温度で厚
さ方向に約５００ｋｇｆ／ｃｍ2 の圧力を加えて圧着さ
せた。しかる後、この積層物を格子状に裁断し、多数の
積層チップを得た。
【００３３】次に、この積層チップを焼成炉に入れ、大
気中で３０℃／ｈｒの速度で３５０℃まで加熱して、有
機バインダーを燃焼させた。しかる後、積層チップの加
熱温度を室温℃から焼結温度の８８０℃（最高温度）を
１．５時間保持した後、室温まで冷却して焼結体チップ
を得た。
気中で３０℃／ｈｒの速度で３５０℃まで加熱して、有
機バインダーを燃焼させた。しかる後、積層チップの加
熱温度を室温℃から焼結温度の８８０℃（最高温度）を
１．５時間保持した後、室温まで冷却して焼結体チップ
を得た。
【００３４】次に、電極が露出する焼結体チップの側面
に亜鉛とガラスフリットとビヒクルとからなる導電性ペ
ーストを塗布して乾燥させ、これを大気中で７５０℃の
温度で１５分間焼付けて亜鉛電極層を形成し、更にこの
上に銅を無電解メッキで被着させて、更にこの上に電気
メッキ法でＰｂ−Ｓｎ半田層を設けて、一対の外部電極
を形成し、高周波用チップコンデンサを得た。
に亜鉛とガラスフリットとビヒクルとからなる導電性ペ
ーストを塗布して乾燥させ、これを大気中で７５０℃の
温度で１５分間焼付けて亜鉛電極層を形成し、更にこの
上に銅を無電解メッキで被着させて、更にこの上に電気
メッキ法でＰｂ−Ｓｎ半田層を設けて、一対の外部電極
を形成し、高周波用チップコンデンサを得た。
【００３５】次に、この高周波用チップコンデンサの高
周波特性をネットワークアナライザを用いて調べたとこ
ろ良好であった。そして、この高周波用チップコンデン
サの誘電体磁器層の比誘電率εs は１２．５、この比誘
電率εs の温度係数は＋１２．０ｐｐｍ／℃であった。
周波特性をネットワークアナライザを用いて調べたとこ
ろ良好であった。そして、この高周波用チップコンデン
サの誘電体磁器層の比誘電率εs は１２．５、この比誘
電率εs の温度係数は＋１２．０ｐｐｍ／℃であった。
【００３６】実施例２ ガラスの組成を、ＳｉＯ2 が６５．８ｍｏｌ％，Ａｌ2
Ｏ3 が９．５ｍｏｌ％，ＢａＯが１．０ｍｏｌ％，Ｃａ
Ｏが４．０ｍｏｌ％，Ｂ2 Ｏ3 が７．３ｍｏｌ％，Ｔｉ
Ｏ2 が１２．４ｍｏｌ％とし、ガラス／セラミック骨材
（ＺｒＯ2 ）の割合（ｍｏｌ比）を９１／９とした他は
実施例１と同様にして容量値１．２ｐＦの高周波用チッ
プコンデンサを作製し、この高周波用チップコンデンサ
の高周波特性をネットワークアナライザを用いて調べた
ところ、図１に示す通りの結果が得られた。そして、こ
の積層チップコンデンサの誘電体磁器層の誘電率εs は
９．８（at 1MHz ）であった。
Ｏ3 が９．５ｍｏｌ％，ＢａＯが１．０ｍｏｌ％，Ｃａ
Ｏが４．０ｍｏｌ％，Ｂ2 Ｏ3 が７．３ｍｏｌ％，Ｔｉ
Ｏ2 が１２．４ｍｏｌ％とし、ガラス／セラミック骨材
（ＺｒＯ2 ）の割合（ｍｏｌ比）を９１／９とした他は
実施例１と同様にして容量値１．２ｐＦの高周波用チッ
プコンデンサを作製し、この高周波用チップコンデンサ
の高周波特性をネットワークアナライザを用いて調べた
ところ、図１に示す通りの結果が得られた。そして、こ
の積層チップコンデンサの誘電体磁器層の誘電率εs は
９．８（at 1MHz ）であった。
【００３７】比較例１ 誘電体磁器層の材料として一般のＢＴ系の誘電体磁器を
用い、内部電極の材料としてＰｄを用いた他は実施例２
と同様にして容量値１．２ｐＦの高周波用チップコンデ
ンサを作製し、この高周波用チップコンデンサの高周波
特性を調べたところ、図１に示す通りの結果が得られ
た。
用い、内部電極の材料としてＰｄを用いた他は実施例２
と同様にして容量値１．２ｐＦの高周波用チップコンデ
ンサを作製し、この高周波用チップコンデンサの高周波
特性を調べたところ、図１に示す通りの結果が得られ
た。
【００３８】実施例３ 容量値を３．０ｐＦとした他は実施例２と同様にして高
周波用チップコンデンサを作製し、この高周波用チップ
コンデンサの高周波特性を調べたところ、図２に示す通
りの結果が得られた。そして、この高周波用チップコン
デンサの誘電体磁器層の誘電率εs は９．８（at 1MHz
）であった。
周波用チップコンデンサを作製し、この高周波用チップ
コンデンサの高周波特性を調べたところ、図２に示す通
りの結果が得られた。そして、この高周波用チップコン
デンサの誘電体磁器層の誘電率εs は９．８（at 1MHz
）であった。
【００３９】比較例２ 誘電体磁器層の材料として一般のＢＴ系の誘電体磁器を
用い、内部電極の材料としてＰｄを用いた他は実施例３
と同様にして容量値３．０ｐＦの高周波用チップコンデ
ンサを作製し、この高周波用チップコンデンサの高周波
特性を調べたところ、図２に示す通りの結果が得られ
た。
用い、内部電極の材料としてＰｄを用いた他は実施例３
と同様にして容量値３．０ｐＦの高周波用チップコンデ
ンサを作製し、この高周波用チップコンデンサの高周波
特性を調べたところ、図２に示す通りの結果が得られ
た。
【００４０】実施例４ 容量値を４．３ｐＦとした他は実施例２と同様にして高
周波用チップコンデンサを作製し、この高周波用チップ
コンデンサの高周波特性を調べたところ、図３に示す通
りの結果が得られた。そして、この高周波用チップコン
デンサの誘電体磁器層の誘電率εs は９．８（at 1MHz
）であった。
周波用チップコンデンサを作製し、この高周波用チップ
コンデンサの高周波特性を調べたところ、図３に示す通
りの結果が得られた。そして、この高周波用チップコン
デンサの誘電体磁器層の誘電率εs は９．８（at 1MHz
）であった。
【００４１】比較例３ 誘電体磁器層の材料として一般のＢＴ系の誘電体磁器を
用い、内部電極の材料としてＰｄを用いた他は実施例４
と同様にして容量値４．３ｐＦの高周波用チップコンデ
ンサを作製し、この高周波用チップコンデンサの高周波
特性を調べたところ、図３に示す通りの結果が得られ
た。
用い、内部電極の材料としてＰｄを用いた他は実施例４
と同様にして容量値４．３ｐＦの高周波用チップコンデ
ンサを作製し、この高周波用チップコンデンサの高周波
特性を調べたところ、図３に示す通りの結果が得られ
た。
【００４２】
【発明の効果】この発明によれば、誘電体磁器層の比誘
電率εs を１５以下としたので、パルス信号の伝播速度
が速くて誘電体損失が少ない、高周波帯域（１００ＭＨ
ｚ程度以上３ＧＨｚ程度まで）で使用できる高周波用チ
ップコンデンサを得ることができるという効果がある。
電率εs を１５以下としたので、パルス信号の伝播速度
が速くて誘電体損失が少ない、高周波帯域（１００ＭＨ
ｚ程度以上３ＧＨｚ程度まで）で使用できる高周波用チ
ップコンデンサを得ることができるという効果がある。
【００４３】また、この発明によれば、９００℃以下で
焼成可能な低温焼結性材料で誘電体層を形成したので、
導電率の良いＡｇを内部電極の材料として使用すること
ができ、従って、高周波帯域での使用に際して問題とな
る表皮効果による抵抗値増加の影響が少ない高周波用チ
ップコンデンサを得ることができるという効果がある。
焼成可能な低温焼結性材料で誘電体層を形成したので、
導電率の良いＡｇを内部電極の材料として使用すること
ができ、従って、高周波帯域での使用に際して問題とな
る表皮効果による抵抗値増加の影響が少ない高周波用チ
ップコンデンサを得ることができるという効果がある。
【図１】この発明に係る高周波用チップコンデンサの実
施例２及び比較例１の高周波特性を示すグラフである。
施例２及び比較例１の高周波特性を示すグラフである。
【図２】この発明に係る高周波用チップコンデンサの実
施例３及び比較例２の高周波特性を示すグラフである。
施例３及び比較例２の高周波特性を示すグラフである。
【図３】この発明に係る高周波用チップコンデンサの実
施例４及び比較例３の高周波特性を示すグラフである。
施例４及び比較例３の高周波特性を示すグラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 増田 淳 東京都台東区上野６丁目16番20号 太陽誘 電株式会社内 (72)発明者 鳥羽 利一 東京都台東区上野６丁目16番20号 太陽誘 電株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】 複数の内部電極と誘電体磁器層とを交互
に積層してなる高周波用チップコンデンサにおいて、９
００℃以下の温度で焼結させることのできる低温焼結性
材料で前記誘電体磁器層を形成し、該誘電体磁器層の比
誘電率εs を１５以下とし、該比誘電率εs の温度係数
を０±６０ｐｐｍ／℃の範囲内としたことを特徴とする
高周波用チップコンデンサ。 - 【請求項２】 前記低温焼結性材料がセラミック粉末と
結晶化ガラスとのコンポジット構造の物質からなり、該
結晶化ガラスの含有率が４０〜９０ｍｏｌ％であること
を特徴とする請求項１記載の高周波用チップコンデン
サ。 - 【請求項３】 前記低温焼結性材料がＫ2 Ｏ，ＰｂＯ，
Ｂｉ2 Ｏ3 ，ＺｒＯ2 ，ＺｎＯ，ＣｒＯ，ＣｏＯ，Ｃｏ
3 Ｏ4 ，Ｙ2 Ｏ3 ，ＭｎＯ2 ，Ｎｄ2 Ｏ3 ，Ｅｒ2 Ｏ3
及びＧｄ2 Ｏ3 から選択された１種以上の酸化物を含有
していることを特徴とする請求項２記載の高周波用チッ
プコンデンサ。 - 【請求項４】 前記低温焼結性材料が５ｍｏｌ％以下の
酸化物を含有していることを特徴とする請求項３記載の
高周波用チップコンデンサ。 - 【請求項５】 前記内部電極がＡｇを主成分とする導電
性物質からなることを特徴とする請求項１〜４記載の高
周波用チップコンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18201493A JPH0786079A (ja) | 1993-06-28 | 1993-06-28 | 高周波用チップコンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18201493A JPH0786079A (ja) | 1993-06-28 | 1993-06-28 | 高周波用チップコンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0786079A true JPH0786079A (ja) | 1995-03-31 |
Family
ID=16110831
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18201493A Pending JPH0786079A (ja) | 1993-06-28 | 1993-06-28 | 高周波用チップコンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0786079A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0926107A3 (en) * | 1997-12-11 | 1999-12-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition and ceramic electronic parts using the same |
| JP2002104870A (ja) * | 2000-09-28 | 2002-04-10 | Kyocera Corp | 誘電体磁器および積層体 |
| JP2003077755A (ja) * | 2001-08-31 | 2003-03-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | コンデンサ |
-
1993
- 1993-06-28 JP JP18201493A patent/JPH0786079A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0926107A3 (en) * | 1997-12-11 | 1999-12-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition and ceramic electronic parts using the same |
| US6108192A (en) * | 1997-12-11 | 2000-08-22 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition and ceramic electronic parts using the same |
| JP2002104870A (ja) * | 2000-09-28 | 2002-04-10 | Kyocera Corp | 誘電体磁器および積層体 |
| JP4535592B2 (ja) * | 2000-09-28 | 2010-09-01 | 京セラ株式会社 | 積層体 |
| JP2003077755A (ja) * | 2001-08-31 | 2003-03-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | コンデンサ |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
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