JPH06204022A - フェライトペースト組成物および配線基板 - Google Patents
フェライトペースト組成物および配線基板Info
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- JPH06204022A JPH06204022A JP4359449A JP35944992A JPH06204022A JP H06204022 A JPH06204022 A JP H06204022A JP 4359449 A JP4359449 A JP 4359449A JP 35944992 A JP35944992 A JP 35944992A JP H06204022 A JPH06204022 A JP H06204022A
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- paste composition
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
- H01F41/16—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates the magnetic material being applied in the form of particles, e.g. by serigraphy, to form thick magnetic films or precursors therefor
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 生産性を向上させ低コスト化をはかるため、
厚膜法を用いて基板上にインダクタ部を形成する。この
とき、インダクタ部の基板への接着性を向上させ、しか
も良好な磁気特性を実現する。 【構成】 磁性層３、磁性層、誘電体層または絶縁層
４、磁性層５、内部導体６、７を有するインダクタ部を
基板２上に設けた配線基板を作製する際に、ＰｂＯ ：
１０〜８８重量％、Ｂ2 Ｏ3 ：４〜３０重量％、ＳｉＯ
2 ：８〜６０重量％、ＭｎＯ ：０〜２０重量％および
ＣｏＯ ：０〜１０重量％を含有するガラスフリットを
含む無機結合剤とフェライトの粉末とをビヒクル中に分
散したフェライトペースト組成物を用いて磁性層を形成
する。
厚膜法を用いて基板上にインダクタ部を形成する。この
とき、インダクタ部の基板への接着性を向上させ、しか
も良好な磁気特性を実現する。 【構成】 磁性層３、磁性層、誘電体層または絶縁層
４、磁性層５、内部導体６、７を有するインダクタ部を
基板２上に設けた配線基板を作製する際に、ＰｂＯ ：
１０〜８８重量％、Ｂ2 Ｏ3 ：４〜３０重量％、ＳｉＯ
2 ：８〜６０重量％、ＭｎＯ ：０〜２０重量％および
ＣｏＯ ：０〜１０重量％を含有するガラスフリットを
含む無機結合剤とフェライトの粉末とをビヒクル中に分
散したフェライトペースト組成物を用いて磁性層を形成
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、厚膜法により基板表面
にインダクタ部を形成するためのフェライトペースト組
成物と、基板表面にインダクタ部を有する配線基板とに
関する。
にインダクタ部を形成するためのフェライトペースト組
成物と、基板表面にインダクタ部を有する配線基板とに
関する。
【０００２】
【従来の技術】各種高周波回路においては、フィルタと
してＬＣ回路が広く用いられている。ＬＣ回路には、小
型化できること、堅牢性が高いことなどから、それぞれ
厚膜技術により作製される積層インダクタと積層コンデ
ンサとを一体的に形成したＬＣ複合部品が利用されてい
る。しかし、このようなＬＣ複合部品は生産性を高くす
ることが難しいため、低コスト化が困難である。
してＬＣ回路が広く用いられている。ＬＣ回路には、小
型化できること、堅牢性が高いことなどから、それぞれ
厚膜技術により作製される積層インダクタと積層コンデ
ンサとを一体的に形成したＬＣ複合部品が利用されてい
る。しかし、このようなＬＣ複合部品は生産性を高くす
ることが難しいため、低コスト化が困難である。
【０００３】一方、アルミナ等の基板上に、印刷法によ
り直接インダクタ部を形成すること方法も知られている
（IEEE TRANSACTIONS ON COMPONENTS,HYBRIDS,AND MANU
FACTURING TECHNOLOGY,VOL.CHMT-8,NO.1,MARCH 1985
）。この方法は、フェライトと硼珪酸ガラスとＢｉ2
Ｏ3 とを含むペーストを基板上に塗布し、焼成して磁性
層を形成するものであり、生産性が高くなり、低コスト
化がはかれると考えられる。上記文献ではＬｉフェライ
トにＢｉ2 Ｏ3 を組み合わせることにより各種特性が改
善できるとしているが、硼珪酸ガラスとＢｉ2 Ｏ3 との
組み合わせでは基板への接着作用が不十分であるため、
インダクタ部の磁性層の剥離が生じやすい。
り直接インダクタ部を形成すること方法も知られている
（IEEE TRANSACTIONS ON COMPONENTS,HYBRIDS,AND MANU
FACTURING TECHNOLOGY,VOL.CHMT-8,NO.1,MARCH 1985
）。この方法は、フェライトと硼珪酸ガラスとＢｉ2
Ｏ3 とを含むペーストを基板上に塗布し、焼成して磁性
層を形成するものであり、生産性が高くなり、低コスト
化がはかれると考えられる。上記文献ではＬｉフェライ
トにＢｉ2 Ｏ3 を組み合わせることにより各種特性が改
善できるとしているが、硼珪酸ガラスとＢｉ2 Ｏ3 との
組み合わせでは基板への接着作用が不十分であるため、
インダクタ部の磁性層の剥離が生じやすい。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明では、生産性を
向上させ低コスト化をはかるため、厚膜法を用いて基板
上にインダクタ部を形成する。このとき、インダクタ部
の基板への接着性を向上させ、しかも良好な磁気特性を
実現することを目的とする。
向上させ低コスト化をはかるため、厚膜法を用いて基板
上にインダクタ部を形成する。このとき、インダクタ部
の基板への接着性を向上させ、しかも良好な磁気特性を
実現することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）〜（８）の本発明により達成される。 （１）ガラスフリットを含む無機結合剤とフェライトの
粉末とをビヒクル中に分散したフェライトペースト組成
物であって、前記ガラスフリットが、ＰｂＯ ：１０〜
８８重量％、Ｂ2 Ｏ3 ：４〜３０重量％、ＳｉＯ2 ：８
〜６０重量％、ＭｎＯ ：０〜２０重量％およびＣｏＯ
：０〜１０重量％を含有することを特徴とするフェラ
イトペースト組成物。 （２）前記フェライトがＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライトま
たはＮｉ−Ｚｎフェライトである上記（１）のフェライ
トペースト組成物。 （３）前記フェライトに対する前記ガラスフリットの含
有量が０．３〜２０重量％である上記（１）または
（２）のフェライトペースト組成物。 （４）前記ガラスフリット中のＰｂＯの一部または全部
が、ＺｎＯに置換されている上記（１）ないし（３）の
いずれかのフェライトペースト組成物。 （５）前記無機結合剤がＢｉ2 Ｏ3 およびＣｕＯの少な
くとも１種を含み、Ｂｉ2 Ｏ3 とＣｕＯとの合計含有量
が前記フェライトに対し１０重量％以下である上記
（１）ないし（４）のいずれかのフェライトペースト組
成物。 （６）上記（１）ないし（５）のいずれかのフェライト
ペースト組成物を焼成して形成された磁性層を含むイン
ダクタ部を基板上に有することを特徴とする配線基板。 （７）基板上にインダクタ部およびコンデンサ部を含む
回路を有する上記（６）の配線基板。 （８）前記基板がセラミックス材料またはガラス−セラ
ミックス複合材料から構成される上記（６）または
（７）の配線基板。
（１）〜（８）の本発明により達成される。 （１）ガラスフリットを含む無機結合剤とフェライトの
粉末とをビヒクル中に分散したフェライトペースト組成
物であって、前記ガラスフリットが、ＰｂＯ ：１０〜
８８重量％、Ｂ2 Ｏ3 ：４〜３０重量％、ＳｉＯ2 ：８
〜６０重量％、ＭｎＯ ：０〜２０重量％およびＣｏＯ
：０〜１０重量％を含有することを特徴とするフェラ
イトペースト組成物。 （２）前記フェライトがＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライトま
たはＮｉ−Ｚｎフェライトである上記（１）のフェライ
トペースト組成物。 （３）前記フェライトに対する前記ガラスフリットの含
有量が０．３〜２０重量％である上記（１）または
（２）のフェライトペースト組成物。 （４）前記ガラスフリット中のＰｂＯの一部または全部
が、ＺｎＯに置換されている上記（１）ないし（３）の
いずれかのフェライトペースト組成物。 （５）前記無機結合剤がＢｉ2 Ｏ3 およびＣｕＯの少な
くとも１種を含み、Ｂｉ2 Ｏ3 とＣｕＯとの合計含有量
が前記フェライトに対し１０重量％以下である上記
（１）ないし（４）のいずれかのフェライトペースト組
成物。 （６）上記（１）ないし（５）のいずれかのフェライト
ペースト組成物を焼成して形成された磁性層を含むイン
ダクタ部を基板上に有することを特徴とする配線基板。 （７）基板上にインダクタ部およびコンデンサ部を含む
回路を有する上記（６）の配線基板。 （８）前記基板がセラミックス材料またはガラス−セラ
ミックス複合材料から構成される上記（６）または
（７）の配線基板。
【０００６】
【作用および効果】本発明では、厚膜法により基板上に
インダクタ部を形成する。インダクタ部の磁性層形成に
は、フェライトおよびガラスフリットを含有するペース
ト組成物を用いる。ガラスフリットは、一般にペースト
組成物の焼成温度を低下させる作用および磁性層を基板
表面に接着させる作用を有するが、本発明では上記組成
のガラスフリットを用いるので、低温焼成が可能となっ
て導体材料として安価で電気特性の良好なＡｇ系材料が
使えることに加え、磁性層を基板に強固に接着でき、ま
た、高周波用のＮｉ−Ｃｕ−ＺｎフェライトやＮｉ−Ｚ
ｎフェライトを用いた場合にも磁気特性の劣化が抑えら
れる。
インダクタ部を形成する。インダクタ部の磁性層形成に
は、フェライトおよびガラスフリットを含有するペース
ト組成物を用いる。ガラスフリットは、一般にペースト
組成物の焼成温度を低下させる作用および磁性層を基板
表面に接着させる作用を有するが、本発明では上記組成
のガラスフリットを用いるので、低温焼成が可能となっ
て導体材料として安価で電気特性の良好なＡｇ系材料が
使えることに加え、磁性層を基板に強固に接着でき、ま
た、高周波用のＮｉ−Ｃｕ−ＺｎフェライトやＮｉ−Ｚ
ｎフェライトを用いた場合にも磁気特性の劣化が抑えら
れる。
【０００７】
【具体的構成】以下、本発明の具体的構成について詳細
に説明する。図１に本発明の配線基板の構成例を示す。
同図において、基板２表面には、磁性層３、内部導体
６、磁性層、誘電体層または絶縁層４、内部導体７、磁
性層５が順次形成されており、これらはインダクタ部ま
たはＬＣ回路を構成している。本発明のフェライトペー
スト組成物は、このような配線基板の磁性層の形成に適
用される。
に説明する。図１に本発明の配線基板の構成例を示す。
同図において、基板２表面には、磁性層３、内部導体
６、磁性層、誘電体層または絶縁層４、内部導体７、磁
性層５が順次形成されており、これらはインダクタ部ま
たはＬＣ回路を構成している。本発明のフェライトペー
スト組成物は、このような配線基板の磁性層の形成に適
用される。
【０００８】＜フェライトペースト組成物＞本発明のフ
ェライトペースト組成物は、ガラスフリットを含む無機
結合剤とフェライトの粉末とを含有する。ガラスフリッ
トの組成は、ＰｂＯ ：１０〜８８重量％、好ましくは
４０〜７０重量％、Ｂ2 Ｏ3 ：４〜３０重量％、好まし
くは１５〜２５重量％、ＳｉＯ2 ：８〜６０重量％、好
ましくは１０〜５０重量％、ＭｎＯ ：０〜２０重量
％、好ましくは０〜１０重量％、およびＣｏＯ ：０〜
１０重量％、好ましくは０〜８重量％である。ガラスフ
リット組成の限定理由は下記のとおりである。
ェライトペースト組成物は、ガラスフリットを含む無機
結合剤とフェライトの粉末とを含有する。ガラスフリッ
トの組成は、ＰｂＯ ：１０〜８８重量％、好ましくは
４０〜７０重量％、Ｂ2 Ｏ3 ：４〜３０重量％、好まし
くは１５〜２５重量％、ＳｉＯ2 ：８〜６０重量％、好
ましくは１０〜５０重量％、ＭｎＯ ：０〜２０重量
％、好ましくは０〜１０重量％、およびＣｏＯ ：０〜
１０重量％、好ましくは０〜８重量％である。ガラスフ
リット組成の限定理由は下記のとおりである。
【０００９】ＰｂＯが前記範囲未満となるとフェライト
の焼結性が低下するため、良好な磁気特性が得られなく
なり、また、基板への接着性が著しく低下する。ＰｂＯ
が前記範囲を超える組成ではガラス化が困難である。
の焼結性が低下するため、良好な磁気特性が得られなく
なり、また、基板への接着性が著しく低下する。ＰｂＯ
が前記範囲を超える組成ではガラス化が困難である。
【００１０】なお、ＰｂＯの一部または全部がＺｎＯに
置換されていてもよい。この場合でも接着性向上効果は
同様であるが、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライトと組み合わ
せた場合には透磁率が向上する。
置換されていてもよい。この場合でも接着性向上効果は
同様であるが、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライトと組み合わ
せた場合には透磁率が向上する。
【００１１】Ｂ2 Ｏ3 およびＳｉＯ2 の少なくとも一方
が前記範囲未満となるとガラス化が困難となり、また、
少なくとも一方が前記範囲を超えると、フェライトの焼
結性が低下して良好な磁気特性が得られなくなり、ま
た、基板への接着性が著しく低下する。
が前記範囲未満となるとガラス化が困難となり、また、
少なくとも一方が前記範囲を超えると、フェライトの焼
結性が低下して良好な磁気特性が得られなくなり、ま
た、基板への接着性が著しく低下する。
【００１２】ＭｎＯは透磁率を向上させ、また、基板と
の接着性を向上させる。ただし、ＭｎＯが前記範囲を超
えるとインダクタンスの低下が問題となり、高周波域に
おいて共振しやすくなる。なお、ＭｎＯの効果を十分に
発現させるためには、０．３重量％以上添加することが
好ましい。
の接着性を向上させる。ただし、ＭｎＯが前記範囲を超
えるとインダクタンスの低下が問題となり、高周波域に
おいて共振しやすくなる。なお、ＭｎＯの効果を十分に
発現させるためには、０．３重量％以上添加することが
好ましい。
【００１３】ＣｏＯはＱを向上させる。ただし、ＣｏＯ
が前記範囲を超えるとインダクタンスの低下が問題とな
り、高周波域において共振しやすくなる。なお、ＣｏＯ
の効果を十分に発現させるためには、０．３重量％以上
添加することが好ましい。
が前記範囲を超えるとインダクタンスの低下が問題とな
り、高周波域において共振しやすくなる。なお、ＣｏＯ
の効果を十分に発現させるためには、０．３重量％以上
添加することが好ましい。
【００１４】このような組成を有するガラスの軟化点
は、４００〜６００℃程度である。
は、４００〜６００℃程度である。
【００１５】なお、上記組成のガラスフリットに加え、
Ｐ2 Ｏ5 系、ＢａＯ系、ＣａＯ系、ＳｒＯ系等のガラス
フリットが含有されていてもよい。上記組成を外れるこ
のようなガラスフリットは、ガラスフリット全体の１０
重量％以下とすることが好ましい。
Ｐ2 Ｏ5 系、ＢａＯ系、ＣａＯ系、ＳｒＯ系等のガラス
フリットが含有されていてもよい。上記組成を外れるこ
のようなガラスフリットは、ガラスフリット全体の１０
重量％以下とすることが好ましい。
【００１６】フェライトペースト組成物中のガラスフリ
ットの含有量は、フェライトに対し０．３〜２０重量
％、特に１〜１０重量％とすることが好ましい。ガラス
フリットの含有量が前記範囲未満となると十分な接着強
度が得られず、前記範囲を超えると十分な磁気特性が得
られなくなる。
ットの含有量は、フェライトに対し０．３〜２０重量
％、特に１〜１０重量％とすることが好ましい。ガラス
フリットの含有量が前記範囲未満となると十分な接着強
度が得られず、前記範囲を超えると十分な磁気特性が得
られなくなる。
【００１７】ガラスフリットの平均粒子径は特に限定さ
れないが、通常、０．１〜１０μmであることが好まし
い。
れないが、通常、０．１〜１０μmであることが好まし
い。
【００１８】無機結合剤には、ガラスフリットの他、他
の無機粒子が含まれていてもよい。このような無機粒子
としては、Ｂｉ2 Ｏ3 、ＣｕＯ、ＴｉＯ2 、ＺｒＯ2 、
ＣｏＯ、ＮｉＯ、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｃｒ2 Ｏ3 等の少なくと
も１種が挙げられるが、これらのうち特にＢｉ2 Ｏ3 お
よびＣｕＯの少なくとも１種が好ましい。Ｂｉ2 Ｏ3は
フェライトの焼結性を向上させ、また、基板への接着性
を向上させる。ＣｕＯは基板への接着性を向上させる。
Ｂｉ2 Ｏ3 とＣｕＯとの合計含有量は、フェライトに対
し１０重量％以下であることが好ましく、ガラスフリッ
ト以外の無機粒子の合計含有量もこの範囲であることが
好ましい。合計含有量が前記範囲を超えると、十分な磁
気特性が得られなくなる傾向にあり、また、基板への接
着性がかえって低下する。これらの無機粒子の平均粒子
径は０．１〜１０μm であることが好ましい。
の無機粒子が含まれていてもよい。このような無機粒子
としては、Ｂｉ2 Ｏ3 、ＣｕＯ、ＴｉＯ2 、ＺｒＯ2 、
ＣｏＯ、ＮｉＯ、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｃｒ2 Ｏ3 等の少なくと
も１種が挙げられるが、これらのうち特にＢｉ2 Ｏ3 お
よびＣｕＯの少なくとも１種が好ましい。Ｂｉ2 Ｏ3は
フェライトの焼結性を向上させ、また、基板への接着性
を向上させる。ＣｕＯは基板への接着性を向上させる。
Ｂｉ2 Ｏ3 とＣｕＯとの合計含有量は、フェライトに対
し１０重量％以下であることが好ましく、ガラスフリッ
ト以外の無機粒子の合計含有量もこの範囲であることが
好ましい。合計含有量が前記範囲を超えると、十分な磁
気特性が得られなくなる傾向にあり、また、基板への接
着性がかえって低下する。これらの無機粒子の平均粒子
径は０．１〜１０μm であることが好ましい。
【００１９】本発明は特にＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライト
またはＮｉ−Ｚｎフェライトを含むペーストに適用され
ることが好ましい。具体的組成は目的に応じて適宜決定
すればよいが、例えば、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライトで
は、ＮｉＯの含有量を８〜１５モル％、ＣｕＯの含有量
を５〜１５モル％、ＺｎＯの含有量を２０〜３０モル％
とすることが好ましく、Ｎｉ−Ｚｎフェライトでは、Ｎ
ｉＯの含有量を１０〜２５モル％、ＺｎＯの含有量を１
５〜４０モル％とすることが好ましい。また、この他、
Ｃｏ、Ｍｎ等が全体の５重量％程度以下含有されていて
もよい。さらにＣａ、Ｓｉ、Ｂｉ、Ｖ、Ｐｂ等が１重量
％程度以下含有されていてもよい。
またはＮｉ−Ｚｎフェライトを含むペーストに適用され
ることが好ましい。具体的組成は目的に応じて適宜決定
すればよいが、例えば、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライトで
は、ＮｉＯの含有量を８〜１５モル％、ＣｕＯの含有量
を５〜１５モル％、ＺｎＯの含有量を２０〜３０モル％
とすることが好ましく、Ｎｉ−Ｚｎフェライトでは、Ｎ
ｉＯの含有量を１０〜２５モル％、ＺｎＯの含有量を１
５〜４０モル％とすることが好ましい。また、この他、
Ｃｏ、Ｍｎ等が全体の５重量％程度以下含有されていて
もよい。さらにＣａ、Ｓｉ、Ｂｉ、Ｖ、Ｐｂ等が１重量
％程度以下含有されていてもよい。
【００２０】フェライトの粉末は、通常、下記のように
して製造する。まず、所定量のＮｉＯ、ＣｕＯ、Ｆｅ2
Ｏ3 、ＣｏＯ、ＰｂＯ、ＭｇＯ等のフェライト原料粉末
をボールミル等により湿式混合する。原料粉末の粒径は
０．１〜１０μm 程度とすることが好ましい。得られた
混合物をスプレードライヤーなどにより乾燥し、その後
仮焼する。次いで、ボールミルなどにより０．０１〜
０．１μm 程度の粒子径となるまで湿式粉砕し、スプレ
ードライヤーなどにより乾燥する。なお、ＣｏＯ、Ｐｂ
ＯおよびＭｇＯの粉末は仮焼後に添加してもよい。
して製造する。まず、所定量のＮｉＯ、ＣｕＯ、Ｆｅ2
Ｏ3 、ＣｏＯ、ＰｂＯ、ＭｇＯ等のフェライト原料粉末
をボールミル等により湿式混合する。原料粉末の粒径は
０．１〜１０μm 程度とすることが好ましい。得られた
混合物をスプレードライヤーなどにより乾燥し、その後
仮焼する。次いで、ボールミルなどにより０．０１〜
０．１μm 程度の粒子径となるまで湿式粉砕し、スプレ
ードライヤーなどにより乾燥する。なお、ＣｏＯ、Ｐｂ
ＯおよびＭｇＯの粉末は仮焼後に添加してもよい。
【００２１】ガラスフリットおよびフェライトの粉末が
分散されるビヒクルは、エチルセルロース、ニトロセル
ロース、アクリル系樹脂等のバインダ、テルピネオー
ル、ブチルカルビトール等の溶剤から構成され、さら
に、必要に応じてその他分散剤や活性剤等が適宜添加さ
れる。フェライトペースト組成物中のビヒクルの含有率
は、通常、１０〜７０重量％程度とする。なお、予め調
製したビヒクルとガラスフリットおよびフェライトの粉
末とを混練してもよく、混練工程においてバインダを投
入してもよい。フェライトペースト組成物の粘度は、磁
性層形成の際に用いる方法に応じて適宜設定すればよ
い。
分散されるビヒクルは、エチルセルロース、ニトロセル
ロース、アクリル系樹脂等のバインダ、テルピネオー
ル、ブチルカルビトール等の溶剤から構成され、さら
に、必要に応じてその他分散剤や活性剤等が適宜添加さ
れる。フェライトペースト組成物中のビヒクルの含有率
は、通常、１０〜７０重量％程度とする。なお、予め調
製したビヒクルとガラスフリットおよびフェライトの粉
末とを混練してもよく、混練工程においてバインダを投
入してもよい。フェライトペースト組成物の粘度は、磁
性層形成の際に用いる方法に応じて適宜設定すればよ
い。
【００２２】＜配線基板＞図１に示されるような構成の
配線基板は、下記のようにして製造されることが好まし
い。
配線基板は、下記のようにして製造されることが好まし
い。
【００２３】まず、基板２の材料となるグリーンシート
を作製するために、絶縁性材料と上記したようなビヒク
ルとを含有する基板用ペーストを調製する。用いる絶縁
性材料は特に限定されず、アルミナ、結晶化ガラス等の
セラミックス材料や、酸化物骨材とガラスとを含み低温
焼成が可能なガラス−セラミックス複合材料、例えば、
アルミナ−ホウケイ酸ガラス、アルミナ−鉛ホウケイ酸
ガラス、アルミナ−ホウケイ酸バリウムガラス、アルミ
ナ−ホウケイ酸カルシウムガラス、アルミナ−ホウケイ
酸ストロンチウムガラス、アルミナ−ホウケイ酸マグネ
シウムガラス等から適宜選択して用いればよい。このよ
うなガラス−セラミックス複合材料において、ガラスの
含有率は一般に５０〜８０重量％程度とするのがよい。
を作製するために、絶縁性材料と上記したようなビヒク
ルとを含有する基板用ペーストを調製する。用いる絶縁
性材料は特に限定されず、アルミナ、結晶化ガラス等の
セラミックス材料や、酸化物骨材とガラスとを含み低温
焼成が可能なガラス−セラミックス複合材料、例えば、
アルミナ−ホウケイ酸ガラス、アルミナ−鉛ホウケイ酸
ガラス、アルミナ−ホウケイ酸バリウムガラス、アルミ
ナ−ホウケイ酸カルシウムガラス、アルミナ−ホウケイ
酸ストロンチウムガラス、アルミナ−ホウケイ酸マグネ
シウムガラス等から適宜選択して用いればよい。このよ
うなガラス−セラミックス複合材料において、ガラスの
含有率は一般に５０〜８０重量％程度とするのがよい。
【００２４】このような基板用グリーンシートを焼成
し、単層の基板とするか、あるいは、複数のグリーンシ
ートを用い、シート間に各種回路用ペーストのパターン
を形成して同時に焼成し、多層配線基板とする。なお、
多層配線基板を形成する際に、各グリーンシートおよび
各種回路用ペーストを別個に焼成する方法を用いてもよ
い。
し、単層の基板とするか、あるいは、複数のグリーンシ
ートを用い、シート間に各種回路用ペーストのパターン
を形成して同時に焼成し、多層配線基板とする。なお、
多層配線基板を形成する際に、各グリーンシートおよび
各種回路用ペーストを別個に焼成する方法を用いてもよ
い。
【００２５】次いで、基板２表面に前記フェライトペー
スト組成物を印刷して焼成し、磁性層３を形成する。
スト組成物を印刷して焼成し、磁性層３を形成する。
【００２６】続いて、磁性層３上に内部導体用ペースト
を所定パターンに印刷して焼成し、内部導体６を形成す
る。内部導体用ペーストは、導電材および上記したよう
なビヒクルを含有する。内部導体は、インダクタとして
実用的なＱを得るためには抵抗率の小さいことが必要で
あるので、導電材にはＡｇを主体とするもの、特に銀の
含有量が９０重量％以上のものを用いることが好まし
く、例えば、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｔ、Ａｇ−Ｐｄ等を用いる
ことが好ましい。なお、ＰｄやＰｔの添加量は多くても
３重量％であり、通常は１重量％以下である。これらは
Ａｇのマイグレーションを防ぐために添加される。導電
材粒子の平均粒子径は、０．０１〜１０μm 程度とする
のが好ましい。その理由は、平均粒子径が０．０１μm
未満であると収縮率が大きくなりすぎ、また１０μm を
超えるとフェライトペースト組成物の印刷性、分散性が
悪くなるからである。内部導体用ペーストには、接着性
を向上させるために導電材に対し５〜１０重量％程度の
ガラスフリットが含有されることが好ましい。
を所定パターンに印刷して焼成し、内部導体６を形成す
る。内部導体用ペーストは、導電材および上記したよう
なビヒクルを含有する。内部導体は、インダクタとして
実用的なＱを得るためには抵抗率の小さいことが必要で
あるので、導電材にはＡｇを主体とするもの、特に銀の
含有量が９０重量％以上のものを用いることが好まし
く、例えば、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｔ、Ａｇ−Ｐｄ等を用いる
ことが好ましい。なお、ＰｄやＰｔの添加量は多くても
３重量％であり、通常は１重量％以下である。これらは
Ａｇのマイグレーションを防ぐために添加される。導電
材粒子の平均粒子径は、０．０１〜１０μm 程度とする
のが好ましい。その理由は、平均粒子径が０．０１μm
未満であると収縮率が大きくなりすぎ、また１０μm を
超えるとフェライトペースト組成物の印刷性、分散性が
悪くなるからである。内部導体用ペーストには、接着性
を向上させるために導電材に対し５〜１０重量％程度の
ガラスフリットが含有されることが好ましい。
【００２７】内部導体６形成後に、磁性層、誘電体層ま
たは絶縁層４を形成する。
たは絶縁層４を形成する。
【００２８】この層を磁性層とする場合には、上記した
磁性層３と同様にして形成すればよく、この場合、通常
のインダクタとなる。
磁性層３と同様にして形成すればよく、この場合、通常
のインダクタとなる。
【００２９】この層を誘電体層とする場合には、フェラ
イトの替わりに各種誘電体材料を用いる。用いる誘電体
は特に限定されず、ＢａＴｉＯ3 等のチタン酸複合酸化
物系材料やＴｉＯ2 系材料などから適宜選択すればよ
い。そして、低温焼成および接着性向上のために、この
ような誘電体材料に加えガラスフリットを添加する。ガ
ラスフリットの添加量は、誘電体材料に対し３〜２０重
量％程度とすることが好ましい。この層を誘電体層とし
た場合には、内部導体６、７の周囲に比較的大きな浮遊
容量が生じて、ＬＣ回路が形成される。
イトの替わりに各種誘電体材料を用いる。用いる誘電体
は特に限定されず、ＢａＴｉＯ3 等のチタン酸複合酸化
物系材料やＴｉＯ2 系材料などから適宜選択すればよ
い。そして、低温焼成および接着性向上のために、この
ような誘電体材料に加えガラスフリットを添加する。ガ
ラスフリットの添加量は、誘電体材料に対し３〜２０重
量％程度とすることが好ましい。この層を誘電体層とし
た場合には、内部導体６、７の周囲に比較的大きな浮遊
容量が生じて、ＬＣ回路が形成される。
【００３０】この層を絶縁層とする場合には、低温焼成
および接着性向上のために、基板材料として例示したよ
うなガラス−セラミックス複合材料を用いることが好ま
しい。絶縁層は、反磁界によるＬ値の低下を抑えるため
に設けられる。
および接着性向上のために、基板材料として例示したよ
うなガラス−セラミックス複合材料を用いることが好ま
しい。絶縁層は、反磁界によるＬ値の低下を抑えるため
に設けられる。
【００３１】なお、誘電体層や絶縁層とする場合には、
磁性層と同様な条件で焼成可能なように構成材料を選択
することが好ましい。
磁性層と同様な条件で焼成可能なように構成材料を選択
することが好ましい。
【００３２】次に、前述した内部導体６と同様にして内
部導体７を形成し、さらに、磁性層５を形成する。
部導体７を形成し、さらに、磁性層５を形成する。
【００３３】なお、各内部導体は、公知の積層型チップ
インダクタの製造方法と同様な積層方法を用いて、イン
ダクタ部内においてコイルパターンを構成するように設
けられる。
インダクタの製造方法と同様な積層方法を用いて、イン
ダクタ部内においてコイルパターンを構成するように設
けられる。
【００３４】上記各層の厚さや磁性層の積層数は特に限
定されず、目的とする特性に応じて適宜決定すればよい
が、磁性層や誘電体層、絶縁層の厚さは、通常、２０〜
５０μm とすることが好ましく、磁性層の積層数は１〜
５程度とすることが好ましい。また、内部導体の厚さは
３〜１０μm とすることが好ましい。
定されず、目的とする特性に応じて適宜決定すればよい
が、磁性層や誘電体層、絶縁層の厚さは、通常、２０〜
５０μm とすることが好ましく、磁性層の積層数は１〜
５程度とすることが好ましい。また、内部導体の厚さは
３〜１０μm とすることが好ましい。
【００３５】各ペーストの焼成条件は、保持温度８００
〜９５０℃、温度保持時間５〜１０分間程度とすること
が好ましい。
〜９５０℃、温度保持時間５〜１０分間程度とすること
が好ましい。
【００３６】なお、内部導体を外部の回路と接続するた
めに、磁性層などからなる積層体の側面に端子電極が設
けられる。端子電極は、通常、Ａｇ系材料から構成する
ことが好ましく、ガラスフリットを添加することが好ま
しい。端子電極の厚さは、通常、５〜２０μm とするこ
とが好ましい。
めに、磁性層などからなる積層体の側面に端子電極が設
けられる。端子電極は、通常、Ａｇ系材料から構成する
ことが好ましく、ガラスフリットを添加することが好ま
しい。端子電極の厚さは、通常、５〜２０μm とするこ
とが好ましい。
【００３７】以上では各層を別個に焼成する方法を説明
したが、各層用のペーストを印刷積層後、同時に焼成し
てもよい。また、各層を基板用のグリーンシートと同時
に焼成してもよい。この場合、基板材料には低温焼成材
料を用いる。ただし、同時焼成を行なう場合には、焼成
時のクラック発生を防ぐために各層の熱膨張率を適宜調
整することが好ましい。
したが、各層用のペーストを印刷積層後、同時に焼成し
てもよい。また、各層を基板用のグリーンシートと同時
に焼成してもよい。この場合、基板材料には低温焼成材
料を用いる。ただし、同時焼成を行なう場合には、焼成
時のクラック発生を防ぐために各層の熱膨張率を適宜調
整することが好ましい。
【００３８】また、各層をシート法により形成してもよ
いが、印刷法を用いるほうが生産性が高く低コスト化が
可能である。
いが、印刷法を用いるほうが生産性が高く低コスト化が
可能である。
【００３９】
【実施例】以下、本発明の具体的実施例について説明す
る。
る。
【００４０】＜フェライトペースト組成物＞下記のフェ
ライト粉末、ガラスフリットおよびビヒクルを含むペー
ストを調製した。また、さらにＢｉ2 Ｏ3 およびＣｕＯ
を含むペーストも調製した。表１に示される添加量は、
いずれもフェライト粉末に対する重量比である。Ｆｅ2
Ｏ3 、ＮｉＯ、ＣｕＯおよびＺｎＯの粉末を、最終組成
でＮｉＯ ： ９．３モル％、ＣｕＯ ：１２．９
モル％、ＺｎＯ ：２８．４モル％、Ｆｅ2 Ｏ3 ：４
９．４モル％となるように秤量し、これらをボールミル
を用いて湿式混合し、次いで、この湿式混合物をスプレ
ードライヤーにより乾燥した後、仮焼し、これをボール
ミルにて粉砕した後、スプレードライヤーで乾燥し、平
均粒子径３μm のフェライト粉末とした。
ライト粉末、ガラスフリットおよびビヒクルを含むペー
ストを調製した。また、さらにＢｉ2 Ｏ3 およびＣｕＯ
を含むペーストも調製した。表１に示される添加量は、
いずれもフェライト粉末に対する重量比である。Ｆｅ2
Ｏ3 、ＮｉＯ、ＣｕＯおよびＺｎＯの粉末を、最終組成
でＮｉＯ ： ９．３モル％、ＣｕＯ ：１２．９
モル％、ＺｎＯ ：２８．４モル％、Ｆｅ2 Ｏ3 ：４
９．４モル％となるように秤量し、これらをボールミル
を用いて湿式混合し、次いで、この湿式混合物をスプレ
ードライヤーにより乾燥した後、仮焼し、これをボール
ミルにて粉砕した後、スプレードライヤーで乾燥し、平
均粒子径３μm のフェライト粉末とした。
【００４１】ガラスフリットには、下記表１に示される
組成で平均粒子径０．８μm のものを用いた。Ｂｉ2 Ｏ
3 には平均粒子径０．２μm のものを、ＣｕＯには平均
粒子径０．８μm のものを用いた。ビヒクルには、バイ
ンダとしてエチルセルロースを３０重量部、溶剤として
テルピネオールを７０重量部用いた。ビヒクルの添加量
は、固形分の合計１００重量部に対し４０重量部とし
た。
組成で平均粒子径０．８μm のものを用いた。Ｂｉ2 Ｏ
3 には平均粒子径０．２μm のものを、ＣｕＯには平均
粒子径０．８μm のものを用いた。ビヒクルには、バイ
ンダとしてエチルセルロースを３０重量部、溶剤として
テルピネオールを７０重量部用いた。ビヒクルの添加量
は、固形分の合計１００重量部に対し４０重量部とし
た。
【００４２】＜絶縁層用ペースト＞平均粒子径０．５μ
m のα−Ａｌ2 Ｏ3 ３４重量部、平均粒子径１μm のガ
ラスフリット６６重量部およびビヒクルを混練して調製
した。ガラスフリットには、ＳｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ3 −Ｂ
2 Ｏ3 −ＳｒＯ−ＣａＯ−ＭｇＯガラスを用いた。ビヒ
クルにはエチルセルロースおよびテルピネオールを用
い、固形分の合計１００重量部に対し４６重量部添加し
た。
m のα−Ａｌ2 Ｏ3 ３４重量部、平均粒子径１μm のガ
ラスフリット６６重量部およびビヒクルを混練して調製
した。ガラスフリットには、ＳｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ3 −Ｂ
2 Ｏ3 −ＳｒＯ−ＣａＯ−ＭｇＯガラスを用いた。ビヒ
クルにはエチルセルロースおよびテルピネオールを用
い、固形分の合計１００重量部に対し４６重量部添加し
た。
【００４３】＜内部導体用ペースト＞導電粒子には平均
粒子径１μm のＡｇ−Ｐｔ（Ｐｔ含有量１重量％）を９
５重量部用い、ガラスフリットにはＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 −
ＳｉＯ2 ガラス２重量部を用い、さらに、Ｂｉ2 Ｏ3 を
３重量部添加した。ビヒクルにはエチルセルロースおよ
びテルピネオールを用い、固形分の合計１００重量部に
対し２５重量部添加した。
粒子径１μm のＡｇ−Ｐｔ（Ｐｔ含有量１重量％）を９
５重量部用い、ガラスフリットにはＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 −
ＳｉＯ2 ガラス２重量部を用い、さらに、Ｂｉ2 Ｏ3 を
３重量部添加した。ビヒクルにはエチルセルロースおよ
びテルピネオールを用い、固形分の合計１００重量部に
対し２５重量部添加した。
【００４４】＜端子電極用ペースト＞導電粒子には平均
粒子径１μm のＡｇを９７重量部用い、ガラスフリット
にはＰｂＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 ガラスを３重量部用い
た。ビヒクルにはエチルセルロースおよびテルピネオー
ルを用い、固形分の合計１００重量部に対し３０重量部
添加した。
粒子径１μm のＡｇを９７重量部用い、ガラスフリット
にはＰｂＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 ガラスを３重量部用い
た。ビヒクルにはエチルセルロースおよびテルピネオー
ルを用い、固形分の合計１００重量部に対し３０重量部
添加した。
【００４５】＜基板＞α−アルミナ５５重量部とビヒク
ル４５重量部とを混練して調製したペーストを用いて、
厚さ３mmのグリーンシートを作製した。ビヒクルにはブ
チラール樹脂、ジブチルフタレート、トルエンおよびエ
タノールを用い、固形分の合計１００重量部に対し８２
重量部添加した。
ル４５重量部とを混練して調製したペーストを用いて、
厚さ３mmのグリーンシートを作製した。ビヒクルにはブ
チラール樹脂、ジブチルフタレート、トルエンおよびエ
タノールを用い、固形分の合計１００重量部に対し８２
重量部添加した。
【００４６】このグリーンシートを１５５０℃で２時間
焼成し、基板とした。
焼成し、基板とした。
【００４７】＜配線基板の作製＞図１に示される構成の
配線基板を作製した。まず、基板２表面にフェライトペ
ースト組成物を印刷し、空気中において９００℃で１０
分間焼成して、厚さ５０μm の磁性層３を形成した。磁
性層３上に内部導体用ペーストを印刷し、空気中におい
て８５０℃で１０分間焼成して、厚さ１０μm の内部導
体６を形成した。この上に、絶縁層用ペーストを印刷し
て空気中において９００℃で１０分間焼成し、厚さ３０
μm の絶縁層４を形成した。絶縁層４上に内部導体６と
同様にして内部導体７を形成し、さらに磁性層３と同様
にして磁性層５を形成した。次いで、端子電極用ペース
トを側面に印刷し、空気中において８５０℃で１０分間
焼成して端子電極を形成し、インダクタ部を有する配線
基板とした。
配線基板を作製した。まず、基板２表面にフェライトペ
ースト組成物を印刷し、空気中において９００℃で１０
分間焼成して、厚さ５０μm の磁性層３を形成した。磁
性層３上に内部導体用ペーストを印刷し、空気中におい
て８５０℃で１０分間焼成して、厚さ１０μm の内部導
体６を形成した。この上に、絶縁層用ペーストを印刷し
て空気中において９００℃で１０分間焼成し、厚さ３０
μm の絶縁層４を形成した。絶縁層４上に内部導体６と
同様にして内部導体７を形成し、さらに磁性層３と同様
にして磁性層５を形成した。次いで、端子電極用ペース
トを側面に印刷し、空気中において８５０℃で１０分間
焼成して端子電極を形成し、インダクタ部を有する配線
基板とした。
【００４８】インダクタ部の寸法は８．４mm×４mm×
０．１２mmであり、巻数は２ターンであった。
０．１２mmであり、巻数は２ターンであった。
【００４９】表１に示される各配線基板に対して、イン
ダクタ部の接着強度、ＬおよびＱの周波数特性の測定を
行なった。接着強度は、インダクタ部の表面側に粘着テ
ープを貼付し、テープを引き剥したときにインダクタ部
が基板から剥離しなかったものを○として評価した。ま
た、焼成中に磁性層が基板から剥離してしまったものを
×として評価した。これらの結果を表１に示す。
ダクタ部の接着強度、ＬおよびＱの周波数特性の測定を
行なった。接着強度は、インダクタ部の表面側に粘着テ
ープを貼付し、テープを引き剥したときにインダクタ部
が基板から剥離しなかったものを○として評価した。ま
た、焼成中に磁性層が基板から剥離してしまったものを
×として評価した。これらの結果を表１に示す。
【００５０】
【表１】
【００５１】上記表１において、配線基板No. ４、５、
１３では、１００MHz において共振が発生しており、Ｌ
およびＱの測定が不可能であった。
１３では、１００MHz において共振が発生しており、Ｌ
およびＱの測定が不可能であった。
【００５２】上記結果から、本発明の効果が明らかであ
る。なお、ＰｂＯの一部または全部をＺｎＯに置換した
場合や、Ｎｉ−Ｚｎフェライトを用いた場合でも、ほぼ
同等の結果が得られた。
る。なお、ＰｂＯの一部または全部をＺｎＯに置換した
場合や、Ｎｉ−Ｚｎフェライトを用いた場合でも、ほぼ
同等の結果が得られた。
【図面の簡単な説明】
【図１】表面にインダクタ部を有する配線基板の構成例
を示す断面図である。
を示す断面図である。
２ 基板 ３ 磁性層 ４ 磁性層、誘電体層または絶縁層 ５ 磁性層 ６，７ 内部導体
Claims (8)
- 【請求項１】 ガラスフリットを含む無機結合剤とフェ
ライトの粉末とをビヒクル中に分散したフェライトペー
スト組成物であって、 前記ガラスフリットが、 ＰｂＯ ：１０〜８８重量％、 Ｂ2 Ｏ3 ：４〜３０重量％、 ＳｉＯ2 ：８〜６０重量％、 ＭｎＯ ：０〜２０重量％および ＣｏＯ ：０〜１０重量％ を含有することを特徴とするフェライトペースト組成
物。 - 【請求項２】 前記フェライトがＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェ
ライトまたはＮｉ−Ｚｎフェライトである請求項１のフ
ェライトペースト組成物。 - 【請求項３】 前記フェライトに対する前記ガラスフリ
ットの含有量が０．３〜２０重量％である請求項１また
は２のフェライトペースト組成物。 - 【請求項４】 前記ガラスフリット中のＰｂＯの一部ま
たは全部が、ＺｎＯに置換されている請求項１ないし３
のいずれかのフェライトペースト組成物。 - 【請求項５】 前記無機結合剤がＢｉ2 Ｏ3 およびＣｕ
Ｏの少なくとも１種を含み、Ｂｉ2 Ｏ3 とＣｕＯとの合
計含有量が前記フェライトに対し１０重量％以下である
請求項１ないし４のいずれかのフェライトペースト組成
物。 - 【請求項６】 請求項１ないし５のいずれかのフェライ
トペースト組成物を焼成して形成された磁性層を含むイ
ンダクタ部を基板上に有することを特徴とする配線基
板。 - 【請求項７】 基板上にインダクタ部およびコンデンサ
部を含む回路を有する請求項６の配線基板。 - 【請求項８】 前記基板がセラミックス材料またはガラ
ス−セラミックス複合材料から構成される請求項６また
は７の配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4359449A JPH06204022A (ja) | 1992-12-25 | 1992-12-25 | フェライトペースト組成物および配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4359449A JPH06204022A (ja) | 1992-12-25 | 1992-12-25 | フェライトペースト組成物および配線基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06204022A true JPH06204022A (ja) | 1994-07-22 |
Family
ID=18464557
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4359449A Withdrawn JPH06204022A (ja) | 1992-12-25 | 1992-12-25 | フェライトペースト組成物および配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06204022A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08330169A (ja) * | 1995-06-05 | 1996-12-13 | Murata Mfg Co Ltd | チップ型コイルおよびその製造方法 |
| JP2006024677A (ja) * | 2004-07-07 | 2006-01-26 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品及びその製造方法 |
| JP2010165964A (ja) * | 2009-01-19 | 2010-07-29 | Murata Mfg Co Ltd | 積層コイル部品およびその製造方法 |
| US7776507B2 (en) | 2004-07-22 | 2010-08-17 | Toray Industries, Inc. | Photosensitive paste and manufacturing method of member for display panel |
| US20150061816A1 (en) * | 2013-09-05 | 2015-03-05 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Magnetic composition and multilayer electronic component manufactured by using the same |
| KR20150091852A (ko) * | 2014-02-04 | 2015-08-12 | 삼성전기주식회사 | 복합 전자부품 및 그 실장 기판 |
| JP2016009861A (ja) * | 2014-06-24 | 2016-01-18 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． | 積層電子部品及び内部電極用導電性ペースト組成物 |
| KR20160007222A (ko) * | 2014-07-11 | 2016-01-20 | 삼성전기주식회사 | 복합 전자부품 및 그 실장 기판 |
-
1992
- 1992-12-25 JP JP4359449A patent/JPH06204022A/ja not_active Withdrawn
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08330169A (ja) * | 1995-06-05 | 1996-12-13 | Murata Mfg Co Ltd | チップ型コイルおよびその製造方法 |
| JP2006024677A (ja) * | 2004-07-07 | 2006-01-26 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品及びその製造方法 |
| US7776507B2 (en) | 2004-07-22 | 2010-08-17 | Toray Industries, Inc. | Photosensitive paste and manufacturing method of member for display panel |
| JP2010165964A (ja) * | 2009-01-19 | 2010-07-29 | Murata Mfg Co Ltd | 積層コイル部品およびその製造方法 |
| US20150061816A1 (en) * | 2013-09-05 | 2015-03-05 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Magnetic composition and multilayer electronic component manufactured by using the same |
| KR20150091852A (ko) * | 2014-02-04 | 2015-08-12 | 삼성전기주식회사 | 복합 전자부품 및 그 실장 기판 |
| JP2016009861A (ja) * | 2014-06-24 | 2016-01-18 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． | 積層電子部品及び内部電極用導電性ペースト組成物 |
| US9824791B2 (en) | 2014-06-24 | 2017-11-21 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer electronic component and conductive paste composition for internal electrode |
| KR20160007222A (ko) * | 2014-07-11 | 2016-01-20 | 삼성전기주식회사 | 복합 전자부품 및 그 실장 기판 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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