JP4587758B2 - ガラスセラミック基板 - Google Patents
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Description
2:フェライト層
3:配線導体
4:絶縁層
5:焼結金属層
6:ガラスセラミック絶縁層
Claims (1)
- ガラスおよびフィラーから成るガラスセラミック絶縁層が複数層積層されて成る絶縁基体の内層に、前記ガラスセラミック絶縁層と同じ大きさのフェライト層が形成されており、該フェライト層の内部にはコイル用導体が埋設されて成るガラスセラミック基板であって、前記フェライト層がFe2O3を63〜73重量%、CuOを5〜10重量%、NiOを5〜12重量%、ZnOを10〜23重量%含有しているフェライトから成り、前記ガラスセラミック絶縁層と前記フェライト層とは介在層を介して接合されており、該介在層は、前記フェライト層と同じ成分およびガラスを含有するとともに、前記ガラスセラミック絶縁層の熱膨張係数と前記フェライト層の熱膨張係数との間の熱膨張係数を有する絶縁層と、Cu,Ag,Au,Pt,Ag−Pd合金およびAg−Pt合金のうちの少なくとも1種とガラスを含有している焼結金属層とが同じ層内に並ぶように形成されていることを特徴とするガラスセラミック基板。
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- 2004-09-22 JP JP2004275518A patent/JP4587758B2/ja not_active Expired - Fee Related
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