JP3373436B2 - セラミック積層電子部品 - Google Patents
セラミック積層電子部品Info
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- JP3373436B2 JP3373436B2 JP22572598A JP22572598A JP3373436B2 JP 3373436 B2 JP3373436 B2 JP 3373436B2 JP 22572598 A JP22572598 A JP 22572598A JP 22572598 A JP22572598 A JP 22572598A JP 3373436 B2 JP3373436 B2 JP 3373436B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、マイクロ波用の
積層セラミックコンデンサ、共振器、フィルター等のマ
イクロ波用積層電子デバイス、特にその誘電体層を形成
している誘電体磁器の改良に関する。
積層セラミックコンデンサ、共振器、フィルター等のマ
イクロ波用積層電子デバイス、特にその誘電体層を形成
している誘電体磁器の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】積層セラミックコンデンサ、共振器、フ
ィルター等の積層電子デバイスは、一般に、電極材料と
誘電体磁器とを所定の積層構造に形成し、これらを一体
的に焼結させて製造されている。積層構造をとること
で、小型でありながら高性能の積層電子デバイスを実現
することが可能になる。
ィルター等の積層電子デバイスは、一般に、電極材料と
誘電体磁器とを所定の積層構造に形成し、これらを一体
的に焼結させて製造されている。積層構造をとること
で、小型でありながら高性能の積層電子デバイスを実現
することが可能になる。
【０００３】積層電子デバイスの代表例としてはチタン
酸バリウム系の誘電体磁器とＮｉ金属の電極材料とを積
層構造に形成し、これらを高温で一体的に焼結させて形
成した小型・大容量の積層セラミックコンデンサがあ
る。
酸バリウム系の誘電体磁器とＮｉ金属の電極材料とを積
層構造に形成し、これらを高温で一体的に焼結させて形
成した小型・大容量の積層セラミックコンデンサがあ
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年、マイ
クロ波を利用した移動体通信機器が広く使用されてきて
おり、そのため、マイクロ波用電子デバイスの高性能化
が求められている。
クロ波を利用した移動体通信機器が広く使用されてきて
おり、そのため、マイクロ波用電子デバイスの高性能化
が求められている。
【０００５】マイクロ波用電子デバイスの特性は、ま
ず、誘電体層の材料として使用される誘電体磁器の誘電
特性に大きく影響される。マイクロ波用電子デバイスの
誘電体層の材料として使用される誘電体磁器としては、
ＢａＯ−ＴｉＯ２ 系誘電体磁器、ＢａＯ−Ｎｄ２ Ｏ３
−ＴｉＯ２ 系誘電体磁器、ＭｇＴｉＯ２ −ＣａＴｉ
Ｏ２ 系誘電体磁器などが知られている。
ず、誘電体層の材料として使用される誘電体磁器の誘電
特性に大きく影響される。マイクロ波用電子デバイスの
誘電体層の材料として使用される誘電体磁器としては、
ＢａＯ−ＴｉＯ２ 系誘電体磁器、ＢａＯ−Ｎｄ２ Ｏ３
−ＴｉＯ２ 系誘電体磁器、ＭｇＴｉＯ２ −ＣａＴｉ
Ｏ２ 系誘電体磁器などが知られている。
【０００６】また、マイクロ波用電子デバイスの特性
は、内部電極の材料して使用される金属の導電性にも影
響される。すなわち、マイクロ波用電子デバイスの内部
電極の材料としては導電性の良い金属が好ましい。そし
て、導電性の良い金属としてはＡｇ，Ｃｕ等が挙げられ
る。
は、内部電極の材料して使用される金属の導電性にも影
響される。すなわち、マイクロ波用電子デバイスの内部
電極の材料としては導電性の良い金属が好ましい。そし
て、導電性の良い金属としてはＡｇ，Ｃｕ等が挙げられ
る。
【０００７】しかし、Ａｇ，Ｃｕ等の金属は融点が低
く、９００〜１０５０℃という低温で焼結させる必要が
あるのに対し、マイクロ波用電子デバイスの誘電体層の
材料として使用されている前記誘電体磁器は焼結温度が
１２００℃以上とかなり高い。このため、誘電体層と内
部電極とを一体的に焼成して焼結させることができず、
このままではＡｇ，Ｃｕ等の金属を内部電極の材料とし
て使用することはできない。
く、９００〜１０５０℃という低温で焼結させる必要が
あるのに対し、マイクロ波用電子デバイスの誘電体層の
材料として使用されている前記誘電体磁器は焼結温度が
１２００℃以上とかなり高い。このため、誘電体層と内
部電極とを一体的に焼成して焼結させることができず、
このままではＡｇ，Ｃｕ等の金属を内部電極の材料とし
て使用することはできない。
【０００８】Ａｇ，Ｃｕ等の金属をマイクロ波用電子デ
バイスの内部電極の材料として使用できるようにするた
めには、マイクロ波用電子デバイスの誘電体層の材料と
して使用されている前記誘電体磁器の焼結温度を９００
〜１０５０℃程度にしなければならない。
バイスの内部電極の材料として使用できるようにするた
めには、マイクロ波用電子デバイスの誘電体層の材料と
して使用されている前記誘電体磁器の焼結温度を９００
〜１０５０℃程度にしなければならない。
【０００９】一般に、誘電体磁器の焼結温度を下げる方
法の一つとして、誘電体磁器中にガラス成分を添加する
方法がある。従来の誘電体磁器の焼結温度は上述したよ
うに１２００℃以上と高いので、この誘電体磁器の焼結
温度を９００〜１０５０℃程度まで下げるためにはガラ
ス成分をかなり多量に添加しなければならない。
法の一つとして、誘電体磁器中にガラス成分を添加する
方法がある。従来の誘電体磁器の焼結温度は上述したよ
うに１２００℃以上と高いので、この誘電体磁器の焼結
温度を９００〜１０５０℃程度まで下げるためにはガラ
ス成分をかなり多量に添加しなければならない。
【００１０】しかし、マイクロ波用電子デバイスの誘電
体層の材料として使用されている誘電体磁器中にガラス
成分を多量に添加すると誘電体磁器が本来有している誘
電特性が低下し、所望の誘電特性が得られなくなってし
まう。
体層の材料として使用されている誘電体磁器中にガラス
成分を多量に添加すると誘電体磁器が本来有している誘
電特性が低下し、所望の誘電特性が得られなくなってし
まう。
【００１１】この発明は、Ａｇ，Ｃｕ等と一体焼成でき
る程度の低い温度で焼結させることができ、しかも、誘
電特性を発現している主相が本来有している誘電特性を
充分に引き出すことができる誘電体磁器を提供すること
を目的とする。
る程度の低い温度で焼結させることができ、しかも、誘
電特性を発現している主相が本来有している誘電特性を
充分に引き出すことができる誘電体磁器を提供すること
を目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】この発明に係る誘電体磁
器は、誘電体層と内部電極とを積層してなる素体と、該
素体の外部に形成され且つ該内部電極に電気的に接続さ
れた外部電極とを備え、前記誘電体層は主相とガラス相
とを有する誘電体磁器からなり、該主相は誘電特性を発
現する成分からなり、該ガラス相にはＡｇが固溶してい
るものである。
器は、誘電体層と内部電極とを積層してなる素体と、該
素体の外部に形成され且つ該内部電極に電気的に接続さ
れた外部電極とを備え、前記誘電体層は主相とガラス相
とを有する誘電体磁器からなり、該主相は誘電特性を発
現する成分からなり、該ガラス相にはＡｇが固溶してい
るものである。
【００１３】ここで、誘電特性を発現する主相としては
ＢａＯ−ＴｉＯ２ 系の成分を使用することができる。
この場合、ＢａＯ−ＴｉＯ２ 系の成分をＢａＯ−ｘＴ
ｉＯ ２ で表わした場合、ｘは３．４７〜５．７１の範
囲が好ましい。ｘがこの範囲にある場合は所望の電気的
特性のセラミック積層電子部品が得られるが、ｘが３．
４７未満になったり、５．７１を越えるとマイクロ波用
誘電体磁器としては好ましい電気特性が得られなくなる
からである。なお、この成分系の場合、更に、Ｂｉ２
Ｏ３ を含有させてもよい。
ＢａＯ−ＴｉＯ２ 系の成分を使用することができる。
この場合、ＢａＯ−ＴｉＯ２ 系の成分をＢａＯ−ｘＴ
ｉＯ ２ で表わした場合、ｘは３．４７〜５．７１の範
囲が好ましい。ｘがこの範囲にある場合は所望の電気的
特性のセラミック積層電子部品が得られるが、ｘが３．
４７未満になったり、５．７１を越えるとマイクロ波用
誘電体磁器としては好ましい電気特性が得られなくなる
からである。なお、この成分系の場合、更に、Ｂｉ２
Ｏ３ を含有させてもよい。
【００１４】また、誘電特性を発現する主相としてはＢ
ａＯ−Ｎｄ２ Ｏ３ −ＴｉＯ２ 系の成分を使用するこ
とができる。ＢａＯ−Ｎｄ２ Ｏ３ −ＴｉＯ２ 系の成
分をＢａＯ−ｙＮｄ２ Ｏ３ −ｚＴｉＯ２ で表わした
場合、ｙは０．６５〜１．４２、ｚは２．２９〜５．４
２の範囲が好ましい。ｙ及びｚがこれらの範囲にある場
合は所望の電気的特性のセラミック積層電子部品が得ら
れる。しかし、ｙが０．６５未満になったり、１．４２
を越えるとマイクロ波用誘電体磁器としては好ましい電
気特性が得られなくなり、また、ｚが２．２９未満にな
ったり、５．４２を越えるとマイクロ波用誘電体磁器と
しては好ましい電気特性が得られなくなるからである。
ａＯ−Ｎｄ２ Ｏ３ −ＴｉＯ２ 系の成分を使用するこ
とができる。ＢａＯ−Ｎｄ２ Ｏ３ −ＴｉＯ２ 系の成
分をＢａＯ−ｙＮｄ２ Ｏ３ −ｚＴｉＯ２ で表わした
場合、ｙは０．６５〜１．４２、ｚは２．２９〜５．４
２の範囲が好ましい。ｙ及びｚがこれらの範囲にある場
合は所望の電気的特性のセラミック積層電子部品が得ら
れる。しかし、ｙが０．６５未満になったり、１．４２
を越えるとマイクロ波用誘電体磁器としては好ましい電
気特性が得られなくなり、また、ｚが２．２９未満にな
ったり、５．４２を越えるとマイクロ波用誘電体磁器と
しては好ましい電気特性が得られなくなるからである。
【００１５】また、前記ガラス相としては、ＳｉＯ
２ ，ＺｎＯ及びＢ２ Ｏ３ からなるものを使用するこ
とができる。ＳｉＯ２ とＺｎＯとＢ２ Ｏ３ の組成範
囲は、これらの成分をモル％で示す第１図において、Ｚ
ｎＯが６４．０５モル％、ＳｉＯ ２ が３５．９５モル
％、Ｂ２ Ｏ３ が０モル％の組成を示す第１の点Ａと、
ＺｎＯが５４．４９モル％、ＳｉＯ２ が３０．５９モ
ル％、Ｂ２ Ｏ３ が１４．９２モル％の組成を示す第２
の点Ｂと、ＺｎＯが３０．１６モル％、ＳｉＯ２が４
７．７３モル％、Ｂ２ Ｏ３ が２２．１２モル％の組成
を示す第３の点Ｃと、ＺｎＯが１０．３７モル％、Ｓｉ
Ｏ２ が８２．０３モル％、Ｂ２ Ｏ３ が７．６０モル
％の組成を示す第４の点Ｄと、ＺｎＯが１１．２２モル
％、ＳｉＯ２が８８．７８モル％、Ｂ２ Ｏ３ が０モル
％の組成を示す第５の点Ｅとをこの順に結ぶ５本の直線
で囲まれた領域内にあるのが好ましい。
２ ，ＺｎＯ及びＢ２ Ｏ３ からなるものを使用するこ
とができる。ＳｉＯ２ とＺｎＯとＢ２ Ｏ３ の組成範
囲は、これらの成分をモル％で示す第１図において、Ｚ
ｎＯが６４．０５モル％、ＳｉＯ ２ が３５．９５モル
％、Ｂ２ Ｏ３ が０モル％の組成を示す第１の点Ａと、
ＺｎＯが５４．４９モル％、ＳｉＯ２ が３０．５９モ
ル％、Ｂ２ Ｏ３ が１４．９２モル％の組成を示す第２
の点Ｂと、ＺｎＯが３０．１６モル％、ＳｉＯ２が４
７．７３モル％、Ｂ２ Ｏ３ が２２．１２モル％の組成
を示す第３の点Ｃと、ＺｎＯが１０．３７モル％、Ｓｉ
Ｏ２ が８２．０３モル％、Ｂ２ Ｏ３ が７．６０モル
％の組成を示す第４の点Ｄと、ＺｎＯが１１．２２モル
％、ＳｉＯ２が８８．７８モル％、Ｂ２ Ｏ３ が０モル
％の組成を示す第５の点Ｅとをこの順に結ぶ５本の直線
で囲まれた領域内にあるのが好ましい。
【００１６】また、前記ガラス相は前記主相の２〜１０
ｗｔ％含有されているのが好ましい。ガラス相が主相の
２ｗｔ％未満になると焼成温度９００℃で緻密化せず、
ガラス相が主相の１０ｗｔ％を越えると電気特性Ｑが１
００以下になってしまうからである。
ｗｔ％含有されているのが好ましい。ガラス相が主相の
２ｗｔ％未満になると焼成温度９００℃で緻密化せず、
ガラス相が主相の１０ｗｔ％を越えると電気特性Ｑが１
００以下になってしまうからである。
【００１７】また、ＡｇはＡｇ２ Ｏ換算で主相の１〜
３ｗｔ％含有されているのが好ましい。Ａｇが主相の１
ｗｔ％未満になると９００℃の焼成で緻密化せず、Ａｇ
が主相の３ｗｔ％を越えると電気特性Ｑが１００以下に
なると共に、Ａｇが析出して絶縁抵抗が劣化してしまう
からである。
３ｗｔ％含有されているのが好ましい。Ａｇが主相の１
ｗｔ％未満になると９００℃の焼成で緻密化せず、Ａｇ
が主相の３ｗｔ％を越えると電気特性Ｑが１００以下に
なると共に、Ａｇが析出して絶縁抵抗が劣化してしまう
からである。
【００１８】
【実施例】まず、主相形成成分として、ＢａＯを７０．
２６ｇ、ＴｉＯ２ を７．３０ｇ、Ｂｉ２ Ｏ３ を２．
４０ｇ、各々秤量した。また、ガラス形成成分として、
ＺｎＯ：Ｂ２ Ｏ３ ：ＳｉＯ２ ＝４：１：５のホウケ
イ酸亜鉛ガラスとＡｇ２ Ｏを表１の試料番号１〜１１
に示す配合割合で各々秤量した。ここで、各化合物は純
度９９．０％以上のものを使用した。
２６ｇ、ＴｉＯ２ を７．３０ｇ、Ｂｉ２ Ｏ３ を２．
４０ｇ、各々秤量した。また、ガラス形成成分として、
ＺｎＯ：Ｂ２ Ｏ３ ：ＳｉＯ２ ＝４：１：５のホウケ
イ酸亜鉛ガラスとＡｇ２ Ｏを表１の試料番号１〜１１
に示す配合割合で各々秤量した。ここで、各化合物は純
度９９．０％以上のものを使用した。
【００１９】
【表１】
【００２０】次に、これらの化合物を水とともにボール
ミルに入れ、湿式で１５時間攪拌混合し、得られた泥漿
をバットに空け、乾燥機に入れて１５０℃で２４時間乾
燥した。そして、得られた乾燥物を粉砕機で粉砕して３
２５メッシュの粉体とし、この粉体を大気中において８
００℃で２時間仮焼して誘電特性を発現する主相の成分
粉末を得た。
ミルに入れ、湿式で１５時間攪拌混合し、得られた泥漿
をバットに空け、乾燥機に入れて１５０℃で２４時間乾
燥した。そして、得られた乾燥物を粉砕機で粉砕して３
２５メッシュの粉体とし、この粉体を大気中において８
００℃で２時間仮焼して誘電特性を発現する主相の成分
粉末を得た。
【００２１】次に、この主相の成分粉末と、ＳｉＯ
２ ，ＺｎＯ，Ｂ２ Ｏ３ ，Ａｇ２ Ｏを、表１の試料番
号１〜１１に示す配合割合で各試料毎に秤量し、これら
を水とともにボールミルに入れ、湿式で１５時間混合
し、得られた泥漿をバットに空け、乾燥機に入れて１５
０℃で２４時間乾燥した。そして、得られた乾燥物を粉
砕機で粉砕して３２５のセラミック粉体とし、このセラ
ミック粉体を有機バインダとともにボールミルに入れて
混合し、磁器原料のスラリーを作成した。
２ ，ＺｎＯ，Ｂ２ Ｏ３ ，Ａｇ２ Ｏを、表１の試料番
号１〜１１に示す配合割合で各試料毎に秤量し、これら
を水とともにボールミルに入れ、湿式で１５時間混合
し、得られた泥漿をバットに空け、乾燥機に入れて１５
０℃で２４時間乾燥した。そして、得られた乾燥物を粉
砕機で粉砕して３２５のセラミック粉体とし、このセラ
ミック粉体を有機バインダとともにボールミルに入れて
混合し、磁器原料のスラリーを作成した。
【００２２】次に、このスラリーを真空脱泡機に入れて
脱泡し、このスラリーをリバースロールコータに入れ、
ポリエステルフィルム上にこのスラリーからなる薄膜を
形成し、この薄膜をポリエステルフィルム上で加熱して
乾燥させ、打ち抜いて所定の大きさのグリーンシートを
得た。
脱泡し、このスラリーをリバースロールコータに入れ、
ポリエステルフィルム上にこのスラリーからなる薄膜を
形成し、この薄膜をポリエステルフィルム上で加熱して
乾燥させ、打ち抜いて所定の大きさのグリーンシートを
得た。
【００２３】一方、銀粉末を主成分とする内部電極用の
導電性ペーストを形成し、上記グリーンシートにこの導
電性ペーストからなる５０個の導電パターンを印刷し、
乾燥させた。
導電性ペーストを形成し、上記グリーンシートにこの導
電性ペーストからなる５０個の導電パターンを印刷し、
乾燥させた。
【００２４】次に、上記導電パターンの印刷面を上にし
て複数枚のグリーンシートを積層した。この際、隣接す
る上下のシートにおいて、その印刷面がパターンの長手
方向に約半分程ずれるように配置した。更に、この積層
物の上下両面に導電パターンの印刷の施されていないグ
リーンシートを積層した。そして、この積層物を厚さ方
向に圧力を加えて圧着させ、その後、この積層物を導電
パターン毎に裁断し、チップ状の積層体５０個を得た。
て複数枚のグリーンシートを積層した。この際、隣接す
る上下のシートにおいて、その印刷面がパターンの長手
方向に約半分程ずれるように配置した。更に、この積層
物の上下両面に導電パターンの印刷の施されていないグ
リーンシートを積層した。そして、この積層物を厚さ方
向に圧力を加えて圧着させ、その後、この積層物を導電
パターン毎に裁断し、チップ状の積層体５０個を得た。
【００２５】次に、この積層チップを電気炉に入れ、大
気雰囲気中において９００℃で３時間焼成し、チップ状
の素体を得た。そして、このチップ状の素体の誘電体層
の焼結状態を調べたところ、表１に示す通りであった。
気雰囲気中において９００℃で３時間焼成し、チップ状
の素体を得た。そして、このチップ状の素体の誘電体層
の焼結状態を調べたところ、表１に示す通りであった。
【００２６】次に、このチップ状の素体の端部に一対の
外部電極を焼き付け、積層セラミックコンデンサを得
た。そして、この積層セラミックコンデンサのＱを測定
したところ、表１に示す通りであった。
外部電極を焼き付け、積層セラミックコンデンサを得
た。そして、この積層セラミックコンデンサのＱを測定
したところ、表１に示す通りであった。
【００２７】表１に示す結果から、主相に対するガラス
相の割合が、２〜１０ｗｔ％の範囲では所望の積層セラ
ミックコンデンサが得られるが、２ｗｔ％未満になると
９００℃の焼成で緻密化せず、１０ｗｔ％を越えると電
気特性Ｑが１００以下になるという不都合を生じること
がわかる。
相の割合が、２〜１０ｗｔ％の範囲では所望の積層セラ
ミックコンデンサが得られるが、２ｗｔ％未満になると
９００℃の焼成で緻密化せず、１０ｗｔ％を越えると電
気特性Ｑが１００以下になるという不都合を生じること
がわかる。
【００２８】また、表１に示す結果から、主相に対する
Ａｇ２ Ｏの割合が１〜３ｗｔ％の範囲では所望の積層
セラミックコンデンサが得られるが、１ｗｔ％未満にな
ると９００℃の焼成で緻密化せず、３ｗｔ％を越えると
電気特性Ｑが１００以下になると共に、Ａｇが析出して
絶縁抵抗が劣化するという不都合を生じることがわか
る。
Ａｇ２ Ｏの割合が１〜３ｗｔ％の範囲では所望の積層
セラミックコンデンサが得られるが、１ｗｔ％未満にな
ると９００℃の焼成で緻密化せず、３ｗｔ％を越えると
電気特性Ｑが１００以下になると共に、Ａｇが析出して
絶縁抵抗が劣化するという不都合を生じることがわか
る。
【００２９】
【発明の効果】この発明によれば、ガラス相にＡｇが固
溶させたので、焼成時におけるガラスの粘度が低下し、
より低い焼成温度での焼結が可能となり、焼結温度の高
い誘電体材料（主相）をその誘電特性を低下させること
なく低い温度で焼結させることができ、従って、導電性
の良いＡｇ，Ｃｕ等を内部電極の材料として使用するこ
とができ、その結果、高周波特性の良いセラミック積層
電子部品を提供することができるという効果がある。
溶させたので、焼成時におけるガラスの粘度が低下し、
より低い焼成温度での焼結が可能となり、焼結温度の高
い誘電体材料（主相）をその誘電特性を低下させること
なく低い温度で焼結させることができ、従って、導電性
の良いＡｇ，Ｃｕ等を内部電極の材料として使用するこ
とができ、その結果、高周波特性の良いセラミック積層
電子部品を提供することができるという効果がある。
【図１】本発明に係るセラミック積層電子部品の誘電体
磁器のガラス相を形成している各成分の組成範囲を示す
三角図である。
磁器のガラス相を形成している各成分の組成範囲を示す
三角図である。
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01G 4/00 - 4/42
Claims (6)
- 【請求項１】 誘電体層と内部電極とを積層してなる素
体と、該素体の外部に形成され且つ該内部電極に電気的
に接続された外部電極とを備え、前記誘電体層は主相と
ガラス相とを有する誘電体磁器からなり、該主相は誘電
特性を発現する成分からなり、該ガラス相にはＡｇが固
溶していることを特徴とするセラミック積層電子部品。 - 【請求項２】 前記主相がＢａＯ−ｘＴｉＯ２ で表わ
される成分からなり、ｘが３．４７〜５．７１であるこ
とを特徴とする請求項１に記載のセラミック積層電子部
品。 - 【請求項３】 前記主相がＢａＯ−ｙＮｄ２ Ｏ３ −ｚ
ＴｉＯ２ で表わされる成分からなり、ｙが０．６５〜
１．４２、ｚが２．２９〜５．４２であることを特徴と
する請求項１に記載のセラミック積層電子部品。 - 【請求項４】 前記ガラス相がＳｉＯ２ ，ＺｎＯ及び
Ｂ２ Ｏ３ からなり、該ＳｉＯ２ と該ＺｎＯと該Ｂ２
Ｏ３ の組成範囲が、これらの成分をモル％で示す三角
図において、 前記ＺｎＯが６４．０５モル％、前記ＳｉＯ２ が３
５．９５モル％、前記Ｂ ２ Ｏ３ が０モル％の組成を示
す第１の点Ａと、 前記ＺｎＯが５４．４９モル％、前記ＳｉＯ２ が３
０．５９モル％、前記Ｂ ２ Ｏ３ が１４．９２モル％の
組成を示す第２の点Ｂと、 前記ＺｎＯが３０．１６モル％、前記ＳｉＯ２ が４
７．７３モル％、前記Ｂ ２ Ｏ３ が２２．１２モル％の
組成を示す第３の点Ｃと、 前記ＺｎＯが１０．３７モル％、前記ＳｉＯ２ が８
２．０３モル％、前記Ｂ ２ Ｏ３ が７．６０モル％の組
成を示す第４の点Ｄと、 前記ＺｎＯが１１．２２モル％、前記ＳｉＯ２ が８
８．７８モル％、前記Ｂ ２ Ｏ３ が０モル％の組成を示
す第５の点Ｅとをこの順に結ぶ５本の直線で囲まれた領
域内にあることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに
記載のセラミック積層電子部品。 - 【請求項５】 前記ガラス相が前記主相の２〜１０ｗｔ
％量含有されていることを特徴とする請求項１〜４のい
ずれかに記載のセラミック積層電子部品。 - 【請求項６】 前記ＡｇがＡｇ２ Ｏ換算で前記主相の
１〜３ｗｔ％量含有されていることを特徴とする請求項
１〜５のいずれかに記載のセラミック積層電子部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22572598A JP3373436B2 (ja) | 1998-08-10 | 1998-08-10 | セラミック積層電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22572598A JP3373436B2 (ja) | 1998-08-10 | 1998-08-10 | セラミック積層電子部品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000058367A JP2000058367A (ja) | 2000-02-25 |
| JP3373436B2 true JP3373436B2 (ja) | 2003-02-04 |
Family
ID=16833850
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22572598A Expired - Lifetime JP3373436B2 (ja) | 1998-08-10 | 1998-08-10 | セラミック積層電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3373436B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| JP2002326867A (ja) * | 2001-05-01 | 2002-11-12 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 誘電体磁器組成物及びそれを用いた磁器コンデンサ並びにそれらの製造方法 |
| JP2002326866A (ja) * | 2001-05-01 | 2002-11-12 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 誘電体磁器組成物及びそれを用いた磁器コンデンサ並びにそれらの製造方法 |
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1998
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