JP4253652B2 - 誘電体磁器組成物及びそれを用いて作製される電子部品並びに積層セラミックコンデンサの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、マイクロ波領域（１ＧＨｚ前後以上）で使用するのに好適な電気的特性を有するとともに、低温焼成が可能な誘電体磁器組成物及びそれを用いて作製される電子部品並びに積層セラミックコンデンサの製造方法に関し、より詳細には、積層セラミックコンデンサや各種誘電体フィルター、共振器等に用いられて環境に悪影響を及ぼすことのない高周波用誘電体磁器組成物及びそれを用いて作製される電子部品に関する。

近年、携帯電話に代表される移動体通信等の高周波機器の発展と普及に伴い、マイクロ波領域で使用する電子回路基板や電子部品の誘電体材料として、誘電体磁器組成物が積極的に使用されるようになってきている。特に、誘電体材料がＭＭＰＡ（マルチレイヤー・マイクロ・パッチ・アンテナ）に使用される場合には、比誘電率（以下「Ｋ値」と言う）により製品の形状、特に長さが決定される。Ｋ値が大きいとＭＭＰＡの長さが短くなり、他方Ｋ値が小さいとＭＭＰＡの長さが長くなる。この製品寸法は、メーカーの要求寸法や製品歩留まりや技術要素等から決定されるが、現在ＭＭＰＡに要求される寸法から逆算するとＫ値は２５程度になる。実際に使用されているＭＭＰＡの誘電体のＫ値は２０〜３０である。

また、誘電体磁器組成物が積層セラミックコンデンサ等に使用される場合に、一般的にＫ値が高いと高い容量値が得られるが、低い容量値のコンデンサが求められる場合に、Ｋ値が高いと僅かな電極重なり面積にズレがあっても容量値の変動が大きくなり、目標とする容量値から外れてしまう。そこで、低い容量値のコンデンサを作るためには低いＫ値の材料を用いて設計し、歩留まりの向上を図っている。一般的にこのような低いＫ値の誘電体材料としては、Ｋ値が、７、２０〜３０及び６０〜８０の３種類の誘電体磁器組成物がそれぞれ設計、製造されている。

このように、低い容量値の積層セラミックコンデンサ等に使用される誘電体磁器組成物の電気的特性として、マイクロ波領域におけるＫ値が２０〜３０であり、Ｑ値が大きく、さらに共振周波数の温度依存性（以下「ＴＣ」と言う）が小さい特性のものが要求されている。すなわち、＋２５℃における共振周波数が−２５℃〜＋８５℃の温度範囲でほとんど変化しないことが要求されている。特にＴＣに関しては＋２５℃における共振周波数を基準としたとき、前記温度範囲でのＴＣが±１０ｐｐｍ／℃以内のものであれば、かかる要求は十分に満足される。

マイクロ波領域において上記のような電気的特性を満足させる誘電体磁器組成物として、例えば、Ｂａ、Ｔｉ及びＳｒを含有する誘電体磁器組成物に、ＭｇＣＯ_３を含有させたものが提案されている（例えば特許文献１を参照）。特許文献１に開示されている誘電体磁器組成物は、１ＧＨｚにおけるＱ値が３００００以上と大きく、さらにＫ値が３２〜４１で、また＋２５℃における共振周波数を基準としたとき、−４０℃〜＋８５℃の温度範囲でのＴＣが−２５〜＋２５ｐｐｍ／℃の範囲と比較的小さくかなり良好と言える電気的特性を有している。

しかし、特許文献１に開示されている誘電体磁器組成物は、焼成温度が１０５０℃〜１３００℃と高い。そのため、この誘電体磁器組成物を用いてＭＭＰＡのような誘電体磁器組成物積層体や、ＲＦモジュールなどに要求されるＬＴＣＣ（低温同時焼成セラミック）用誘電体磁器組成物を作製する際に、パターンを形成する導体は前記の１０５０℃〜１３００℃の焼成温度で融解せず、かつ酸化することのない融点１５５０℃の高価な貴金属のパラジウム、又はその合金を使用しなければならない。そのために、このような誘電体磁器組成物を用いた電子部品は高価なものであった。

誘電体磁器組成物の焼成温度を低く、特に焼成温度を９３０℃以下にすることができるならば、パラジウムに比べて融点が９６２℃と低く、導電率が高く、安価である銀と同時焼成することが可能になり、大幅なコスト改善が期待できる。

このような低温焼成を満足させる誘電体磁器組成物として、酸化バリウム、二酸化チタン、酸化鉛、ホウケイ酸ガラス粉末を含むマイクロ波用誘電セラミックスが提案されている（例えば特許文献２を参照）。特許文献２に開示されているマイクロ波用誘電セラミックスは、焼成温度が９３０℃以下と低いために、内部電極として銀が使用可能な温度での焼成を実現している。

しかし、特許文献２に開示されているマイクロ波用誘電セラミックスは、鉛を含んでおり、環境に悪影響を及ぼす。日本及び先進国では、鉛がほんの僅かでも含むことは禁止されている。特許文献２に開示されているマイクロ波用誘電セラミックスは、このような欠点を有するばかりでなく、また１ＧＨｚにおけるＱ値が高々７１５０と低く、＋２０℃における共振周波数を基準としたとき、−３０℃〜＋７０℃の温度範囲でのＴＣも−１００〜＋１００ｐｐｍ／℃と大きいという欠点もあった。
特開平１０−２３６８７２号公報 特開平９−３１５８５０号公報

本発明の目的は、マイクロ波領域で使用される誘電体磁器組成物として優れた電気的特性を満足し、誘電体磁器組成物の低温焼成を可能とし、内部電極として安価な銀を使用することできることにより大幅なコスト改善ができ、かつ環境に悪影響を及ぼすことのない誘電体磁器組成物及びそれを用いて作製される電子部品を提供するにある。

本発明者等は、上述した課題を解決するために、ＢａＴｉ_４Ｏ_９、ＺｎＯ、ＳｉＯ_２、ＢａＯ、Ｂ_２Ｏ_３及び／又はＬｉ_２Ｏを含有する誘電体磁器組成物であって、ＢａＴｉ_４Ｏ_９に対し、ＺｎＯ、ＳｉＯ_２及びＢａＯの合計質量並びにＢ_２Ｏ_３及び／又はＬｉ_２Ｏの質量を特定し、ＺｎＯ、ＳｉＯ_２及びＢａＯが、ＺｎＯ、ＳｉＯ_２及びＢａＯの三元図において、その合計質量に対する質量割合が特定の組成領域内にある場合に、マイクロ波領域で使用される誘電体磁器組成物として優れた電気的特性を満足し、誘電体磁器組成物の低温焼成を可能とし、内部電極として安価な銀を使用できることにより大幅なコスト改善ができかつ環境に悪影響を及ぼすことのない誘電体磁器組成物及びそれを用いて作製される電子部品を見出し、本発明を完成するに至った。

かくして本発明によれば、以下の１〜７の発明が提供される。
１．ＢａＴｉ_４Ｏ_９を主成分として、ＺｎＯ、ＳｉＯ_２、ＢａＯ、Ｂ_２Ｏ_３を含有する誘電体磁器組成物であって、ＺｎＯ、ＳｉＯ_２及びＢａＯの、ＺｎＯと、ＳｉＯ_２と、ＢａＯとの合計質量に対する質量割合が，図１に示すＺｎＯ、ＳｉＯ_２及びＢａＯの三元図において、それぞれ５０％：３０％：２０％（点Ａ）、３０％：５０％：２０％（点Ｂ）、２０％：３０％：５０％（点Ｃ）、４５％：２０％：３５％（点Ｄ）の点Ａ−Ｂ−Ｃ−Ｄ−Ａの順に結ぶ直線によって囲まれる四辺形領域内にあり、ＢａＴｉ_４Ｏ_９１００質量部に対し、ＺｎＯ、ＳｉＯ_２及びＢａＯの合計で１５〜２５質量部、Ｂ_２Ｏ_３を１〜５質量部含有する誘電体磁器組成物。
２．Ｂ_２Ｏ_３１〜５質量部の一部又は全部が、Ｌｉ_２Ｏ ０．４〜２．０質量部で置換される、上記１記載の誘電体磁器組成物。
３．ＺｎＯ、ＳｉＯ_２及びＢａＯが、あらかじめ仮焼して得られたＺｎＯ-ＳｉＯ_２-ＢａＯ（ＺＳＢ）化合物である、上記１又は２記載の誘電体磁器組成物。
４．＋２５℃における共振周波数を基準としたとき、−２５℃〜＋８５℃の温度範囲での共振周波数の温度依存性が±１０ｐｐｍ／℃以内であり、比誘電率が２０〜３０であり、Ｑ値が８０００以上である、上記１〜３のいずれか一項記載の誘電体磁器組成物。
５．上記１〜４のいずれか一項記載の誘電体磁器組成物によって形成される電子部品。
６．上記１〜５のいずれか一項記載の誘電体磁器組成物を媒体に加えて湿式混合し、得られた混合体にバインダー、可塑剤を添加し混合し成形してセラミック・グリーンシートを作製し，このセラミック・グリーンシート上にＡｇ又はＡｇ；Ｐｄの混合導電ペーストを印刷して内部電極を形成し、これら内部電極が形成された前記セラミックシートを導電ペースト層が引き出されている列が互い違いになるように所望枚積層して積層体を得、このようにして得られた積層体を、大気中で焼成してセラミック焼結体を作製し、焼成後セラミック焼結体の両側にＡｇペーストを塗布し大気中において焼付け、内部電極と電気的に接続された外部電極を形成することにより作製する積層セラミックコンデンサの製造方法。
7. 前記積層体を、大気中で８９０℃〜９５０℃で焼成する上記６記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。

本発明の誘電体磁器組成物は、＋２５℃における共振周波数を基準としたとき、−２５℃〜＋８５℃の温度範囲でのＴＣが±１０ｐｐｍ／℃以内であり、温度によって共振周波数がほとんど変化せず、Ｋ値が２０〜３０であり、Ｑ値が８０００以上と大きいことから、マイクロ波領域で使用される誘電体磁器組成物として優れた電気的特性を有する。また、さらに、本発明の誘電体磁器組成物は、焼成温度が９３０℃と低く、内部電極として安価である銀が使用できるので、誘電体磁器製品の低価格化を可能にすることができる。さらに、鉛のような環境に悪影響を及ぼす原料も含んでいないので、環境に対しても良好なものである。

本発明の誘電体磁器組成物は、ＢａＴｉ_４Ｏ_９を主成分とし、これにＺｎＯ、ＳｉＯ_２及びＢａＯ並びにＢ_２Ｏ_３及び／又はＬｉ_２Ｏを含有する。

主成分であるＢａＴｉ_４Ｏ_９は、下記の通りにして調製することができる：ＢａＣＯ_３、ＴｉＯ_２を出発原料として用い、ＢａＯ：ＴｉＯ_２がモル比で１：４になるように秤量し、得られた混合物を水を媒体としてジルコニアビーズを粉砕媒体として用いて３時間湿式混合を行った後に乾燥させた。この混合体を約１１００℃で２時間仮焼した後に、再度水を媒体としてジルコニアビーズを用いて３時間湿式粉砕する。その後、乾燥させてＢａＴｉ_４Ｏ_９を得ることができる。

本発明の誘電体磁器組成物は、ＢａＴｉ_４Ｏ_９１００質量部に対し、ＺｎＯ、ＳｉＯ_２及びＢａＯを合計で１５〜２５質量部、Ｂ_２Ｏ_３を１〜５質量部含有する。Ｂ_２Ｏ_３１〜５質量部の一部〜全部を、Ｌｉ_２Ｏ ０．４〜２．０質量部で置換してもよい。

ＺｎＯ、ＳｉＯ_２及びＢａＯについては、ＢａＯは非常に不安定な物質であるので、ＢａＣＯ_３のような安定な塩の形の化合物を主発原料として用いる。ＢａＣＯ_３は、焼成により分解して炭酸ガスを放出してＢａＯとなる。そのために、ＺｎＯ、ＳｉＯ_２及びＢａＯについては、一旦温度約８００℃程度で仮焼して仮焼体の形で用いるのが好ましい。 また、この仮焼には、その他の物質（ＺｎＯ、ＳｉＯ_２）との化学反応もさせて、ＺｎＯ-ＳｉＯ_２-ＢａＯ（ＺＳＢ）の状態で分散させることも狙っている。

主成分としてのＢａＴｉ_４Ｏ_９１００質量部に対して、ＺＳＢが、１５質量部以上であると、誘電体磁器組成物のＴＣが±１０ｐｐｍ／℃の範囲となり、また、ＺＳＢが、２５質量部以下であると、Ｋ値が目標の範囲に入り、Ｑ値が大きくかつ＋２５℃における共振周波数を基準としたとき、−２５℃〜＋８５℃の温度範囲でのＴＣが±１０ｐｐｍ／℃の範囲となる。

Ｂ_２Ｏ_３は、単独で加えても、Ｂ_２Ｏ_３の一部〜全部をＬｉ_２Ｏで置換してもよいが、Ｂ_２Ｏ_３とＬｉ_２Ｏ（Ｌｉ_２ＣＯ_３に換算した質量を表す）との合計量は、ＢａＴｉ_４Ｏ_９１００質量部に対し１〜５質量部の範囲で使用する。Ｂ_２Ｏ_３とＬｉ_２Ｏ（Ｌｉ_２ＣＯ_３に換算した質量を表す）との合計量が１質量部以上であると、誘電体磁器組成物の原料は、９３０℃で焼成が十分に行われ、またＫ値及びＱ値も大きい。Ｂ_２Ｏ_３とＬｉ_２Ｏ（Ｌｉ_２ＣＯ_３に換算した質量を表す）との合計量が５質量部以下であると、誘電体磁器組成物の＋２５℃における共振周波数を基準としたとき、−２５℃〜＋８５℃の温度範囲でのＴＣが±１０ｐｐｍ／℃の範囲内にある。

本発明の誘電体磁器組成物は、更に、ＺＳＢが、図１に示すＺＳＢの三元図において、ＺＳＢの合計質量に対して、下記に示す質量％によって示す点Ａ−Ｂ−Ｃ−Ｄ−Ａを順に結ぶ直線によって囲まれる四辺形領域内にあることが必要である：

ＺＳＢが、ＺＳＢの三元図において、点Ａ−Ｂ−Ｃ−Ｄ−Ａを順に結ぶ直線によって囲まれる四辺形領域の範囲内では、誘電体磁器組成物の＋２５℃における共振周波数を基準としたとき、−２５℃〜＋８５℃の温度範囲でのＴＣが±１０ｐｐｍ／℃の範囲にある。

ＴｉＯ_２、ＺｎＯ、ＳｉＯ_２、Ｂ_２Ｏ_３、Ｌｉ_２Ｏの出発原料は、焼成により酸化物を生成する水酸化物、炭酸塩、硝酸塩等の金属塩を用いてもよい。本発明の誘電体磁器組成物中に、不可避不純物としてＡｌ、Ｃａ、Ｆｅ、Ｓｎ等が含まれることもある。

上に説明した通りにして得た本発明の誘電体磁器組成物を用いて積層セラミックコンデンサを製造する例について説明する。
ＢａＴｉ_４Ｏ_９の主成分と、ＺＳＢ化合物と、Ｂ_２Ｏ_３及び／又はＬｉ_２ＣＯ_３とからなる出発原料を用いて、９３０℃で焼成した後の組成が本発明の範囲内になるように秤量し、エタノール等を媒体としてジルコニアビーズ等の粉砕媒体を用いて数時間湿式混合を行う。このようにして得られた混合体にＰＶＢ(ポリビニールブチラール)のようなバインダー、フタル酸ベンジルブチルのような可塑剤を添加し混合してセラミック・スリップを調整する。このセラミック・スリップをドクターブレード法によってシートを作成する。

このセラミック・グリーンシート上にＡｇの導電ペーストを印刷し内部電極を形成する。好ましくは，コンデンサの形状や、積層数等でＡｇの蒸発量が変化する。そのため、安全性を考慮するとＡｇにＰｄを少し添加するのが好ましい。 好ましくは、ＡｇとＰｄ（数％）との混合導電ペーストを印刷し内部電極を形成する。これら内部電極が形成された前記セラミックシートを導電ペースト層が引き出されている列が互い違いになるように所望枚積層して積層体を得る。このようにして得られた未焼成の積層体を基材から外し、成型、切断して積層ブロックを作製する。

焼成は大気中で約８９０℃〜９５０℃、好ましくは約９３０℃において数時間で行う。焼成後セラミック焼結体の両側にＡｇペーストを塗布し大気中において約７５０℃で焼付け、内部電極と電気的に接続された外部電極を形成する。

上記のようにして得られた積層セラミックコンデンサの外形寸法は、所望の有効誘電体セラミック層の総数によって変わる。

下記に本発明の実施例を例示する。しかし、本発明は、実施例によって制限されるものではない。
実施例１
先ず、母材となるＢａＴｉ_４Ｏ_９を上述した通りにして作製した。

次に、ＺＳＢ化合物を調製した。このＺＳＢ化合物はＺｎＯ、ＳｉＯ_２、ＢａＣＯ_３を出発原料として、所望の組成になるように秤量して、水を媒体としてジルコニアビーズを粉砕媒体として用い３時間湿式混合を行った後に乾燥させた。この混合体を８００℃で２時間仮焼した後に、再度水を媒体としてジルコニアビーズを用いて３時間湿式粉砕した。その後乾燥させてＺＳＢ化合物を得た。

主成分としてのＢａＴｉ_４Ｏ_９と、ＺＳＢ化合物と、Ｂ_２Ｏ_３及び／又はＬｉ_２ＣＯ_３とからなる出発原料を用いて、焼成した後の組成が表１に示す目的組成になるように秤量し、これらの出発原料を水を媒体としてジルコニアビーズを用い３時間湿式混合した後に乾燥させて粉体を得た。

この混合粉体にアクリル系バインダー（日信化学工業株式会社製 ビニブランＳＢＡ−９２１５Ａ）固形分４％を添加して,十分に粉体と混合して造粒粉を得た。

このようにして調製した造粒粉を１２．０ｍｍφの金型に充填し、成型機にて３ｔｏｎ／ｃｍ^２の圧力で成型し、厚さ１２．０ｍｍの円柱状サンプルを得た。

こうして得られたサンプルを９３０℃で２時間空気中で焼成した。

上述した通りにして得られた焼成体磁器組成物を用いて、マイクロ波領域でのＫ値をＴＥＭ共振器法により求めた。Ｑ値はキャビティに入れ、ＴＥＭモードの共振ピークより求めた。ＴＣはストリップ線路共振器法で求め、−２５〜＋８５℃の範囲で測定し、＋２５℃の値を基準としたときの変化率（ｐｐｍ／℃）で、求めた。

表１は、このようにして得られた焼成体磁器組成物の組成と特性の関係を示す。

Ｎｏ．１〜Ｎｏ．６は、ＢａＴｉ_４Ｏ_９１００質量部に対し、ＺＳＢを２０質量部、Ｂ_２Ｏ_３を４質量部含有し、ＺＳＢの三成分の質量％を変化させたものである。Ｎｏ．１は、図１に示す点Ａ−Ｂ−Ｃ−Ｄ−Ａを順に直線で結ぶ線によって囲まれる四辺形領域内のものであり、本発明の範囲内にある誘電体磁器組成物である。Ｎｏ．２〜５はそれぞれ図１に示す点Ａ、点Ｂ、点Ｃ、点Ｄの比率のＺＳＢを用いたものである。

Ｎｏ．１〜Ｎｏ．６のいずれの誘電体磁器組成物も９３０℃の焼成温度で、Ｋ値が２２〜２９の範囲であり、Ｑ値も８０００以上と大きく、＋２５℃における共振周波数を基準としたとき、−２５℃〜＋８５℃の温度範囲でのＴＣが±１０ｐｐｍ／℃以内と良好なものであった。

Ｎｏ．６〜Ｎｏ．８は、ＢａＴｉ_４Ｏ_９、ＺＳＢ及びＢ_２Ｏ_３の質量比は本発明の範囲内にあるが、ＺＳＢの質量％が図１に示す点Ａ−Ｂ−Ｃ−Ｄ−Ａを順に結ぶ直線によって囲まれる四辺形領域外の誘電体磁器組成物を用いたものである。Ｎｏ．６〜Ｎｏ．８のいずれもＴＣが５０〜８０と±１０ｐｐｍ／℃を大きく越えるものであった。

以上のことから、本発明の誘電体磁器組成物は、ＢａＴｉ_４Ｏ_９、ＺＳＢ及びＢ_２Ｏ_３の質量比に加えて、ＺＳＢの質量％が点Ａ−Ｂ−Ｃ−Ｄ−Ａを順に結ぶ直線によって囲まれる四辺形領域内にあることが条件となる。

Ｎｏ．９〜Ｎｏ．１２は、ＢａＴｉ_４Ｏ_９に対するＺＳＢの質量比を変えて、ＺＳＢ三元図中のＺＳＢの質量％をＮｏ．１と同じにしたものである。ＢａＴｉ_４Ｏ_９１００質量部に対してＺＳＢが１０質量部では＋２５℃における共振周波数を基準としたとき、−２５℃〜＋８５℃の温度範囲でのＴＣが-２０と大きく、他方ＺＳＢが３０質量部でも＋２５℃における共振周波数を基準としたとき、−２５℃〜＋８５℃の温度範囲でのＴＣが１２０と大きく、Ｑ値も４０００と低いものであった。このことからＺＳＢ量はＢａＴｉ_４Ｏ_９１００質量部に対して１５〜２５質量部用いる。

Ｎｏ．１３〜Ｎｏ．２３は、ＢａＴｉ_４Ｏ_９及びＺＳＢの質量を一定にして、Ｂ_２Ｏ_３及び／又はＬｉ_２Ｏの質量を変化させたものである。

ＢａＴｉ_４Ｏ_９１００質量部に対してＢ_２Ｏ_３及び／又はＬｉ_２Ｏが０質量部だと９３０℃では焼成が不十分で、Ｋ値が１５と小さくかつＱ値も２０００と小さいものであった。他方、Ｂ_２Ｏ_３及び／又はＬｉ_２Ｏ（Ｌｉ_２ＣＯ_３に換算した質量）が７質量部では＋２５℃における共振周波数を基準としたとき、−２５℃〜＋８５℃の温度範囲でのＴＣが５０及び５５と大きいものであった。

このことからＢ_２Ｏ_３、Ｌｉ_２Ｏは、ＢａＴｉ_４Ｏ_９１００質量部に対してそれぞれ１〜５質量部、０．４〜２．０質量部使用する必要がある。

実施例２
次に本発明の誘電体磁器組成物を積層セラミックコンデンサに使用した例について説明する。
前記説明と同様の手法によりＢａＴｉ_４Ｏ_９の主成分と、ＺＳＢ化合物と、Ｂ_２Ｏ_３及び／又はＬｉ_２ＣＯ_３とからなる出発原料を用いて、９３０℃で焼成した後の組成が表１の試料番号１になるように秤量し、エタノールを媒体としてジルコニアビーズを用いて３時間湿式混合を行った。このようにして得られた混合体にバインダーとしてＰＶＢ(ポリビニールブチラール)を、可塑剤としてフタル酸ベンジルブチルを添加し混合してセラミック・スリップを調整した。このセラミック・スリップをドクターブレード法によってシートを作成し、暑さ１２μｍのシートを得た。

このセラミック・グリーンシート上にＡｇ９５％；Ｐｄ５％の混合導電ペーストを印刷し内部電極を形成した。これら内部電極が形成された前記セラミックシートを導電ペースト層が引き出されている列が互い違いになるように所望枚積層して積層体を得た。このようにして得られた未焼成の積層体を基材から外し、成型、切断して積層ブロックを作製した。

焼成は大気中で９３０℃において２時間で行った。焼成後セラミック焼結体の両側にＡｇペーストを塗布し大気中において７５０℃で焼付け、内部電極と電気的に接続された外部電極を形成した。

上記のようにして得られた積層セラミックコンデンサの外形寸法は、長さ２．０ｍｍ、幅１．２ｍｍ、厚さ１．１ｍｍであった。また、上記内部電極間に介在する誘電体セラミック層の厚さは８．５μｍであり、有効誘電体セラミック層の総数は１００層であった。

こうして得られた積層セラミックコンデンサの電気的特性は、静電容量５，０００ｐＦ、ｔａｎＤが ２×１０^−４、ＴＣが−１０ｐｐｍ／℃と良好な結果が得られた。

本発明の誘電体磁器組成物は、マイクロ波領域において使用される種々の共振器用材料やＭＩＣ用誘電体基板材料、ＭＭＰＡ（マルチレイヤー・マイクロ・パッチ・アンテナ）のような誘電体磁器組成物積層体、積層セラミックコンデンサ、特に低容量のコンデンサや各種誘電体フィルター等に用いることができる。

ＺＳＢの組成を示す三元図である。

Claims (7)

1. ＢａＴｉ_４Ｏ_９を主成分として、ＺｎＯ、ＳｉＯ_２、ＢａＯ、Ｂ_２Ｏ_３を含有する誘電体磁器組成物であって、ＺｎＯ、ＳｉＯ_２及びＢａＯの、ＺｎＯと、ＳｉＯ_２と、ＢａＯとの合計質量に対する質量割合が，図１に示すＺｎＯ、ＳｉＯ_２及びＢａＯの三元図において、それぞれ５０％：３０％：２０％（点Ａ）、３０％：５０％：２０％（点Ｂ）、２０％：３０％：５０％（点Ｃ）、４５％：２０％：３５％（点Ｄ）の点Ａ−Ｂ−Ｃ−Ｄ−Ａの順に結ぶ直線によって囲まれる四辺形領域内にあり、ＢａＴｉ_４Ｏ_９１００質量部に対し、ＺｎＯ、ＳｉＯ_２及びＢａＯの合計で１５〜２５質量部、Ｂ_２Ｏ_３を１〜５質量部含有する誘電体磁器組成物。
2. Ｂ_２Ｏ_３１〜５質量部の一部〜全部が、Ｌｉ_２Ｏ ０．４〜２．０質量部で置換され、Ｂ _２ Ｏ _３ とＬｉ _２ Ｏとの合計量が、ＢａＴｉ _４ Ｏ _９ １００質量部に対し１〜５質量部である、請求項１記載の誘電体磁器組成物。
3. ＺｎＯ、ＳｉＯ_２及びＢａＯが、あらかじめ仮焼して得られたＺｎＯ-ＳｉＯ_２-ＢａＯ（ＺＳＢ）化合物である請求項１又は２記載の誘電体磁器組成物。
4. ＋２５℃における共振周波数を基準としたとき、−２５℃〜＋８５℃の温度範囲での共振周波数の温度依存性が±１０ｐｐｍ／℃以内であり、比誘電率が２０〜３０であり、Ｑ値が８０００以上である、請求項１〜３のいずれか一項記載の誘電体磁器組成物。
5. 請求項１〜４のいずれか一項記載の誘電体磁器組成物によって形成される電子部品。
6. 請求項１〜５のいずれか一項記載の誘電体磁器組成物を媒体に加えて湿式混合し、得られた混合体にバインダー、可塑剤を添加し混合し成形してセラミック・グリーンシートを作製し，このセラミック・グリーンシート上にＡｇ又はＡｇ；Ｐｄの混合導電ペーストを印刷して内部電極を形成し、これら内部電極が形成された前記セラミックシートを導電ペースト層が引き出されている列が互い違いになるように所望枚積層して積層体を得、このようにして得られた積層体を、大気中で焼成してセラミック焼結体を作製し、焼成後セラミック焼結体の両側にＡｇペーストを塗布し大気中において焼付け、内部電極と電気的に接続された外部電極を形成することにより作製する積層セラミックコンデンサの製造方法。
7. 前記積層体を、大気中で８９０℃〜９５０℃で焼成する請求項６記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。

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