JP3797057B2 - 誘電体磁器組成物の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば積層コンデンサなどのセラミック電子部品に用いられる誘電体磁器組成物の製造方法に関し、特に、チタン酸バリウムを主成分として含み、誘電損失が少ない高誘電率の誘電体磁器組成物の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、積層コンデンサの小型化を図るために、高誘電率の誘電体磁器組成物が種々提案されている。
【0003】
例えば、特開平9−255421号公報には、第1成分としてBaTiO3 を、第2成分としてCaSnO3 を、第3成分としてCaZrO3 、BaZrO3 及びSrZrO3 からなる群から選択した少なくとも1種と、第4成分として酸化コバルトとを含む高誘電率磁器組成物が開示されている。ここでは、上記高誘電率磁器組成物に、焼結助剤として、希土類酸化物やAl2O3 を上記第1成分、第2成分及び第3成分の合計100重量%に対し、0.05〜2.0重量%の範囲で添加してなる組成が開示されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
上記先行技術に記載の高誘電率磁器組成物では、上記希土類酸化物やAl2O3 などを上記特定の割合で添加することにより、焼結性が高められるものの、得られた焼結体においてデラミネーションなどの構造欠陥が生じ易くなるという問題があった。
【0005】
本発明の目的は、上述した従来技術の欠点を解消し、誘電率が高く、焼結性に優れているだけでなく、デラミネーションなどの構造欠陥が生じ難いチタン酸バリウム系の誘電体磁器組成物の製造方法を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る誘電体磁器組成物の製造方法は、BaTiO3 を80〜93重量%と、CaZrO3 を3〜18重量%及びCaSnO3 を2〜17重量%含む主成分を用意し、前記主成分100重量部に対し、焼結助剤としてAl2O3 を0.005重量部以上、0.025重量部未満の割合で添加することを特徴とする。
【0007】
以下、本発明の詳細を説明する。
本発明で得られる誘電体磁器組成物は、主成分として、BaTiO3 、CaZrO3 及びCaSnO3 を上記特定の割合で含む。
【0008】
BaTiO3 が主成分100重量%中、80重量%未満ではデラミネーションが発生し易くなり、かつ絶縁抵抗も低くなり、93重量%を超えた場合にも、デラミネーションが発生し易くなり、かつ絶縁抵抗も低くなる。
【0009】
CaZrO3 が主成分100重量%中、3重量%未満または18重量%を超えると温度特性がF特性を満足しなくなる。
CaSnO3 が主成分100重量%中、2重量%未満の場合ではデラミネーションが発生し易くなり、かつ絶縁抵抗も低くなり、17重量%を超えるとデラミネーションが発生し易くなり、かつ絶縁抵抗も低くなる。
【0010】
また、本発明では、焼結助剤として、Al2O3 が上記主成分100重量部に対し、0.005重量部以上、0.025重量部未満の割合で添加される。Al2O3 の添加割合が、0.005重量部未満の場合には、焼結性が高まらず、誘電率及び絶縁抵抗が低くなり、0.025重量部以上では、デラミネーションなどの構造欠陥が生じ易くなる。
【0011】
本発明において、上記誘電体磁器組成物を得るにあたっては、主成分を構成する材料として、BaO、TiO2 、CaO、SnO2 、ZrO2 、SiO2 、MnCO3 、CeO2 、MgOなどの主成分中の金属を含む金属酸化物を原料として用意する。これらの金属酸化物粉末と、Al2O3 粉末を本発明の組成を満たすように秤量し、原料組成物を得る。
【0012】
上記原料組成物に、有機バインダを加えて、例えばシート状に成形し、得られたセラミックグリーンシートを積層し、積層体を厚み方向に加圧した後、焼成することにより本発明に係る誘電体磁器組成物からなる焼結体が得られる。
【0013】
なお、積層コンデンサを得る場合には、上記セラミックグリーンシート上に内部電極を構成するために、適宜、PdやAgなどの導電性材料を主成分とする導電ペーストを印刷する。
【0014】
もっとも、本発明は、積層コンデンサに限らず、セラミック焼結体の外表面に複数の容量電極を形成してなるセラミックコンデンサにも適用することができる。
【0015】
また、焼結体を得るに際しての成形方法についても上記シート成形に限らず、目的とするセラミック焼結体に応じて適宜の成形体を用意すればよい。
また、上記原料粉末である金属酸化物も、上述したものに限定されるものではない。
【0016】
本発明に係る誘電体磁器組成物は、1200〜1400℃の温度で焼成することができ、それによって本発明に従って構造欠陥が生じ難い信頼性に優れた焼結体を得ることができる。
【0017】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の具体的な実施例を挙げることにより、本発明をより詳細に説明する。
【0018】
原料として、BaO、TiO2 、CaO、SnO2 、ZrO2 、SiO2 、MnCO3 、CeO2 、MgO及びAl2O3 の各粉末を、下記の表1に示す誘電体磁器組成物が得られるように秤量し、調合することにより混合粉末を得た。
【0019】
上記のようにして得られた混合粉末に、有機バインダを加え、セラミックスラリーを得、該セラミックスラリーを用い、シート状に成形し、厚み30μmのセラミックグリーンシートを得た。
【0020】
得られたセラミックグリーンシートを矩形板状に打ち抜き、該矩形板状のセラミックグリーンシート上にPdペーストを内部電極を形成するために印刷し、乾燥させた。
【0021】
上記Pdペーストが印刷されたセラミックグリーンシートを積層コンデンサの内部電極を構成するように40枚積層し、さらに上下に3枚の枚数の無地の上記セラミックグリーンシートを積層し、積層体を得た。得られた積層体を厚み方向に加圧した後、1300〜1350℃の温度で焼成し、焼結体を得た。
【0022】
上記焼結体の内部電極が引き出されている両端面に、Agペーストを塗布し、空気中780℃の温度で焼付け一対の外部電極を形成し、積層コンデンサを得た。図1に、得られた積層コンデンサの構造を略図的に示す。積層コンデンサ1では、焼結体2内に複数の内部電極3a〜3fが配置されている。なお、4,5は外部電極を示し、内部電極3a〜3fに交互に接続されている。
【0023】
上記のようにして、下記の表1に示す試料番号1〜29の各誘電体磁器組成物を用いた積層コンデンサを得た。
上記のようにして得られた各積層コンデンサについて、誘電率、DF、絶縁抵抗(logIR)、デラミネーション発生率を評価した。
【0024】
なお、誘電率、DF及び絶縁抵抗は、積層コンデンサ20個の測定結果の平均値を示す。また、デラミネーション発生率は、各積層コンデンサ2000個におけるデラミネーションが生じた積層コンデンサの割合を示す。
【0025】
【表1】
【0026】
表1から明らかなように、試料番号1の誘電体磁器組成物を用いた場合には、Al2O3 の添加割合が0.004重量部と少ないためか、誘電率が15000と低く、絶縁抵抗も10000MΩと低かった。
【0027】
また、試料番号4の誘電体磁器組成物を用いた場合には、Al2O3 の添加割合が0.025重量部と多かったためか、デラミネーションが発生した。
同様に、試料番号7、10、13及び16の各誘電体磁器組成物を用いた場合も、Al2O3 の添加割合が0.025重量部と多いためか、デラミネーションが発生した。
【0028】
他方、試料番号26の誘電体磁器組成物では、BaTiO3 の主成分中の配合割合が99.0重量%と高過ぎたためか、デラミネーションが非常に発生し易かった。また、DFについても1.0%と低く、絶縁抵抗も10000MΩと低かった。
【0029】
試料番号27の誘電体磁器組成物を用いた場合には、BaTiO3 の配合割合が78.0重量%と低く、CaSnO3 が19.0重量%と多かったため、同様に、デラミネーションがかなりの割合で発生し、DFが低く、かつ絶縁抵抗も低かった。
【0030】
さらに、試料番号28,29では、Al2O3 の配合割合が0.040及び0.060重量部と高く、従ってデラミネーションがかなりの割合で発生した。
これに対して、本発明の範囲に入る試料番号2,3,5,6,8,9,11,12,14,15,17〜25の各誘電体磁器組成物を用いた場合、デラミネーションの発生は皆無であった。また、誘電率も17000以上と高く、DFも2.0以上と高く、絶縁抵抗も100000MΩ以上であった。
【0031】
【発明の効果】
以上のように、本発明に係る誘電体磁器組成物の製造方法では、BaTiO3 、CaZrO3 及びCaSnO3 を、それぞれ、80〜93重量%、3〜18重量%及び2〜17重量%の割合で含む主成分100重量部に対し、Al2O3 を0.005重量部以上、0.025重量部未満の割合で添加するので、誘電率が高いだけでなく、絶縁抵抗及びDFが高く、さらに焼成後のデラミネーションなどの構造欠陥が生じ難い、信頼性に優れた高誘電率の誘電体磁器組成物を提供することが可能となる。
【0032】
従って、本発明により得られる誘電体磁器組成物を用いることにより、静電容量が大きくかつ信頼性に優れた積層コンデンサや、より小型の積層コンデンサなどの誘電体セラミックスを用いたセラミック電子部品を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施例で作製した積層コンデンサを説明するための断面図。
【符号の説明】
1…積層コンデンサ
2…焼結体
3a〜3f…内部電極
4,5…外部電極
Claims (1)
- BaTiO3 を80〜93重量%と、CaZrO3 を3〜18重量%及びCaSnO3 を2〜17重量%含む主成分を用意し、
前記主成分100重量部に対し、焼結助剤としてAl2O3 を0.005重量部以上、0.025重量部未満の割合で添加することを特徴とする、誘電体磁器組成物の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000059140A JP3797057B2 (ja) | 2000-03-03 | 2000-03-03 | 誘電体磁器組成物の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000059140A JP3797057B2 (ja) | 2000-03-03 | 2000-03-03 | 誘電体磁器組成物の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001247361A JP2001247361A (ja) | 2001-09-11 |
JP3797057B2 true JP3797057B2 (ja) | 2006-07-12 |
Family
ID=18579635
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000059140A Expired - Fee Related JP3797057B2 (ja) | 2000-03-03 | 2000-03-03 | 誘電体磁器組成物の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3797057B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI658026B (zh) * | 2016-02-04 | 2019-05-01 | 禾伸堂企業股份有限公司 | 耐瞬間高電壓之介電陶瓷體 |
CN110002864A (zh) * | 2019-02-23 | 2019-07-12 | 天津大学 | 一种高绝缘抗还原型电介质材料的制备方法 |
-
2000
- 2000-03-03 JP JP2000059140A patent/JP3797057B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2001247361A (ja) | 2001-09-11 |
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A977 | Report on retrieval |
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