JPH11310455A - 誘電体磁器組成物およびそれを用いたセラミック電子部品 - Google Patents
誘電体磁器組成物およびそれを用いたセラミック電子部品Info
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- JPH11310455A JPH11310455A JP10360397A JP36039798A JPH11310455A JP H11310455 A JPH11310455 A JP H11310455A JP 10360397 A JP10360397 A JP 10360397A JP 36039798 A JP36039798 A JP 36039798A JP H11310455 A JPH11310455 A JP H11310455A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 誘電率やＱ値が高く、また所望の温度安定性
を有し、しかも比較的低温で焼結可能な誘電体磁器組成
物を提供する。 【解決手段】 本発明にかかる誘電体磁器組成物は、Ｂ
ａＯ−ＴｉＯ2 −Ｒe Ｏ 3/2 −ＢｉＯ3 （但し、Ｒe は
希土類元素）系磁器組成物とガラス組成物との混合体か
らなり、ガラス組成物は、１３〜５０重量％のＳｉＯ2
と、３〜３０重量％のＢ2 Ｏ3 と、４０〜８０重量％の
アルカリ土類酸化物と、０．１〜１０重量％以下のＬｉ
2 Ｏとを含む。
を有し、しかも比較的低温で焼結可能な誘電体磁器組成
物を提供する。 【解決手段】 本発明にかかる誘電体磁器組成物は、Ｂ
ａＯ−ＴｉＯ2 −Ｒe Ｏ 3/2 −ＢｉＯ3 （但し、Ｒe は
希土類元素）系磁器組成物とガラス組成物との混合体か
らなり、ガラス組成物は、１３〜５０重量％のＳｉＯ2
と、３〜３０重量％のＢ2 Ｏ3 と、４０〜８０重量％の
アルカリ土類酸化物と、０．１〜１０重量％以下のＬｉ
2 Ｏとを含む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は誘電体磁器組成物お
よびそれを用いたセラミック電子部品に関し、特にたと
えば、マイクロ波用共振器、フィルタ、積層コンデンサ
等に用いられる誘電体や多層回路基板用セラミック素材
として用いられる誘電体磁器組成物およびそれを用いた
セラミック電子部品に関する。
よびそれを用いたセラミック電子部品に関し、特にたと
えば、マイクロ波用共振器、フィルタ、積層コンデンサ
等に用いられる誘電体や多層回路基板用セラミック素材
として用いられる誘電体磁器組成物およびそれを用いた
セラミック電子部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、マイクロ波用の共振器やフィルタ
等の電子部品の小型化を図るため、空胴共振器を高い誘
電率を有するセラミック誘電体に置き換える努力がなさ
れてきた。これは誘電体の誘電率をεとすると、誘電体
内部では電磁波の持つ波長が自由空間での波長の１／ε
1/2 に短縮される効果を利用し、共振器やフィルタ等の
小型化を図るものである。ところが、誘電体共振器とし
て使用できる温度係数を持つセラミック誘電体材料の比
誘電率εはこれまでのところ１００以下に限定されてい
て、最近のさらなる小型化の要求には応えられなくなっ
てきた。一方、セラミック誘電体材料の比誘電率εの値
の制約の下でこの要求に応えるために、従来よりマイク
ロ波回路で知られるＬＣ共振器を用いる方法は有効であ
り、積層コンデンサや多層基板などで実用化されている
積層工法をＬＣ回路の構成に応用すれば、より一層の小
型化と高い信頼性を合わせもつ電子部品を作製すること
ができる。
等の電子部品の小型化を図るため、空胴共振器を高い誘
電率を有するセラミック誘電体に置き換える努力がなさ
れてきた。これは誘電体の誘電率をεとすると、誘電体
内部では電磁波の持つ波長が自由空間での波長の１／ε
1/2 に短縮される効果を利用し、共振器やフィルタ等の
小型化を図るものである。ところが、誘電体共振器とし
て使用できる温度係数を持つセラミック誘電体材料の比
誘電率εはこれまでのところ１００以下に限定されてい
て、最近のさらなる小型化の要求には応えられなくなっ
てきた。一方、セラミック誘電体材料の比誘電率εの値
の制約の下でこの要求に応えるために、従来よりマイク
ロ波回路で知られるＬＣ共振器を用いる方法は有効であ
り、積層コンデンサや多層基板などで実用化されている
積層工法をＬＣ回路の構成に応用すれば、より一層の小
型化と高い信頼性を合わせもつ電子部品を作製すること
ができる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、積層工
法によってマイクロ波帯域で高いＱ値を持つＬＣ共振器
を得るためには、積層コンデンサや多層回路基板に内蔵
する内部電極の導電率が高いことが必要とされる。すな
わち、誘電体や多層回路基板と同時焼成される内部電極
には金、銀または銅などの導電率の高い金属材料を使用
することが必要となる。このため、誘電体材料は、高誘
電率、高Ｑ値、高温度安定性に加えて融点の低い金属材
料からなる内部電極と同時に焼成できる低温焼結材料で
あることが必要となるが、このような要求をすべて満た
す誘電体材料は見出されていない。
法によってマイクロ波帯域で高いＱ値を持つＬＣ共振器
を得るためには、積層コンデンサや多層回路基板に内蔵
する内部電極の導電率が高いことが必要とされる。すな
わち、誘電体や多層回路基板と同時焼成される内部電極
には金、銀または銅などの導電率の高い金属材料を使用
することが必要となる。このため、誘電体材料は、高誘
電率、高Ｑ値、高温度安定性に加えて融点の低い金属材
料からなる内部電極と同時に焼成できる低温焼結材料で
あることが必要となるが、このような要求をすべて満た
す誘電体材料は見出されていない。
【０００４】それゆえに、本発明の主たる目的は、誘電
率やＱ値が高く、また所望の温度安定性を有し、しかも
比較的低温で焼結可能な誘電体磁器組成物およびそれを
用いたセラミック電子部品を提供することにある。
率やＱ値が高く、また所望の温度安定性を有し、しかも
比較的低温で焼結可能な誘電体磁器組成物およびそれを
用いたセラミック電子部品を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明にかかる誘電体磁
器組成物は、ＢａＯ−ＴｉＯ2 −Ｒe Ｏ3/2 −Ｂｉ2Ｏ3
（但し、Ｒe は希土類元素）系第１磁器組成物とガラ
ス組成物との混合体からなり、ガラス組成物は、１３〜
５０重量％のＳｉＯ2 と、３〜３０重量％のＢ 2 Ｏ3
と、４０〜８０重量％のアルカリ土類酸化物と、０．１
〜１０重量％のＬｉ2 Ｏとを含む、誘電体磁器組成物で
ある。なお、希土類元素Ｒe としては、Ｓｃ，Ｙ，Ｌ
ａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔ
ｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，ＹｂおよびＬｕがあり、
これらを適宜、単独であるいは組み合わせて用いること
ができる。
器組成物は、ＢａＯ−ＴｉＯ2 −Ｒe Ｏ3/2 −Ｂｉ2Ｏ3
（但し、Ｒe は希土類元素）系第１磁器組成物とガラ
ス組成物との混合体からなり、ガラス組成物は、１３〜
５０重量％のＳｉＯ2 と、３〜３０重量％のＢ 2 Ｏ3
と、４０〜８０重量％のアルカリ土類酸化物と、０．１
〜１０重量％のＬｉ2 Ｏとを含む、誘電体磁器組成物で
ある。なお、希土類元素Ｒe としては、Ｓｃ，Ｙ，Ｌ
ａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔ
ｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，ＹｂおよびＬｕがあり、
これらを適宜、単独であるいは組み合わせて用いること
ができる。
【０００６】また、本発明にかかる誘電体磁器組成物
は、副成分として、ＣｕＯを含んでもよい。
は、副成分として、ＣｕＯを含んでもよい。
【０００７】さらに、本発明にかかる誘電体磁器組成物
において、第１磁器組成物は、x ＢａＯ−y ＴｉＯ2 −
z Ｒe Ｏ3/2 （但し、x ，y ，z はモル％であり、５≦
x ≦２０、５２．５≦y ≦７０、１５≦z ≦４２．５、
x ＋y ＋z ＝１００）を主成分として、主成分１００重
量部に対し、３〜３０重量％のＢｉ2 Ｏ3 を含むことが
好ましい。
において、第１磁器組成物は、x ＢａＯ−y ＴｉＯ2 −
z Ｒe Ｏ3/2 （但し、x ，y ，z はモル％であり、５≦
x ≦２０、５２．５≦y ≦７０、１５≦z ≦４２．５、
x ＋y ＋z ＝１００）を主成分として、主成分１００重
量部に対し、３〜３０重量％のＢｉ2 Ｏ3 を含むことが
好ましい。
【０００８】また、本発明にかかる誘電体磁器組成物に
おいて、ガラス組成物に含まれるアルカリ土類酸化物
は、ＳｒＯ、ＣａＯおよびＭｇＯの内から選ばれる少な
くとも一種と、ＢａＯとからなり、かつこれらの比率
は、ＳｒＯが３５重量％以下、ＣａＯが３５重量％以
下、ＭｇＯが２０重量％以下、およびＢａＯが４０〜９
５重量％の範囲内にあることが好ましい。
おいて、ガラス組成物に含まれるアルカリ土類酸化物
は、ＳｒＯ、ＣａＯおよびＭｇＯの内から選ばれる少な
くとも一種と、ＢａＯとからなり、かつこれらの比率
は、ＳｒＯが３５重量％以下、ＣａＯが３５重量％以
下、ＭｇＯが２０重量％以下、およびＢａＯが４０〜９
５重量％の範囲内にあることが好ましい。
【０００９】さらに、本発明にかかる誘電体磁器組成物
において、各成分の混合比率は、第１磁器組成物が７５
〜９５重量％、ガラス組成物が２〜２０重量％、および
ＣｕＯが５重量％以下であることが好ましい。
において、各成分の混合比率は、第１磁器組成物が７５
〜９５重量％、ガラス組成物が２〜２０重量％、および
ＣｕＯが５重量％以下であることが好ましい。
【００１０】また、本発明にかかる誘電体磁器組成物
は、ガラス組成物のＬｉ2 Ｏを０．５〜１０重量％の範
囲内にして、さらに、ＴｉＯ2 、ＣａＴｉＯ3 、ＳｒＴ
ｉＯ3およびＮｄ2 Ｔｉ2 Ｏ7 の内から選ばれる少なく
とも１種の第２磁器組成物を含んでもよい。その場合に
おいて、各成分の混合比率は、第１磁器組成物が５０〜
９８重量％、ガラス組成物が２〜２０重量％、第２磁器
組成物が３０重量％以下、およびＣｕＯが３重量％以下
であることが好ましい。
は、ガラス組成物のＬｉ2 Ｏを０．５〜１０重量％の範
囲内にして、さらに、ＴｉＯ2 、ＣａＴｉＯ3 、ＳｒＴ
ｉＯ3およびＮｄ2 Ｔｉ2 Ｏ7 の内から選ばれる少なく
とも１種の第２磁器組成物を含んでもよい。その場合に
おいて、各成分の混合比率は、第１磁器組成物が５０〜
９８重量％、ガラス組成物が２〜２０重量％、第２磁器
組成物が３０重量％以下、およびＣｕＯが３重量％以下
であることが好ましい。
【００１１】また、本発明にかかるセラミック電子部品
は、本発明にかかる誘電体磁器組成物を用いた、セラミ
ック電子部品である。さらに、本発明にかかるセラミッ
ク電子部品は、本発明にかかる誘電体磁器組成物を用い
てＬＣ複合部品とした、セラミック電子部品である。
は、本発明にかかる誘電体磁器組成物を用いた、セラミ
ック電子部品である。さらに、本発明にかかるセラミッ
ク電子部品は、本発明にかかる誘電体磁器組成物を用い
てＬＣ複合部品とした、セラミック電子部品である。
【００１２】上述のように、ＢａＯ−ＴｉＯ2 −Ｒe Ｏ
3/2 （Ｒe は希土類元素）系第１磁器組成物と、ＳｉＯ
2 −Ｂ2 Ｏ3 −アルカリ土類酸化物−ＬｉＯ2 系ガラス
組成物との混合体で誘電体磁器組成物を構成すると、比
抵抗の小さい銀や金あるいは銅のいずれかを主成分とす
る導体の融点より低い温度で焼結することができる。し
かも、高周波域、特にマイクロ波、ミリ波領域において
比誘電率が高く、温度安定性に優れた誘電体磁器組成物
を得ることができる。また、磁器組成物とガラス組成物
との混合物に副成分としてＣｕＯを添加すれば、さらに
焼結温度を下げることができ、Ｑ値や誘電率を高くする
ことができる。さらに、ＴｉＯ2 、ＣａＴｉＯ3 、Ｓｒ
ＴｉＯ3 は負の誘電率温度特性を有し、Ｎｄ2 Ｔｉ2 Ｏ
7 は正の誘電率温度特性を有するので、これらを適当な
量だけ添加することにより、得られる誘電体磁器組成物
ないしセラミック電子部品の誘電率の温度係数を所望の
値に調整することができる。したがって、このような誘
電体磁器組成物を用いることにより、金、銀、銅などの
比抵抗の小さい内部電極との同時焼成が可能となり、こ
れらの内部電極を内蔵した高周波特性に優れ、望ましい
誘電率の温度係数を持った誘電体や多層回路基板などを
得ることが可能となる。また、この誘電体磁器組成物を
用いれば、積層工法により高Ｑ値をもつＬＣ共振器やＬ
Ｃフィルタ、積層コンデンサなどの電子部品をさらに小
型化することが可能になる。
3/2 （Ｒe は希土類元素）系第１磁器組成物と、ＳｉＯ
2 −Ｂ2 Ｏ3 −アルカリ土類酸化物−ＬｉＯ2 系ガラス
組成物との混合体で誘電体磁器組成物を構成すると、比
抵抗の小さい銀や金あるいは銅のいずれかを主成分とす
る導体の融点より低い温度で焼結することができる。し
かも、高周波域、特にマイクロ波、ミリ波領域において
比誘電率が高く、温度安定性に優れた誘電体磁器組成物
を得ることができる。また、磁器組成物とガラス組成物
との混合物に副成分としてＣｕＯを添加すれば、さらに
焼結温度を下げることができ、Ｑ値や誘電率を高くする
ことができる。さらに、ＴｉＯ2 、ＣａＴｉＯ3 、Ｓｒ
ＴｉＯ3 は負の誘電率温度特性を有し、Ｎｄ2 Ｔｉ2 Ｏ
7 は正の誘電率温度特性を有するので、これらを適当な
量だけ添加することにより、得られる誘電体磁器組成物
ないしセラミック電子部品の誘電率の温度係数を所望の
値に調整することができる。したがって、このような誘
電体磁器組成物を用いることにより、金、銀、銅などの
比抵抗の小さい内部電極との同時焼成が可能となり、こ
れらの内部電極を内蔵した高周波特性に優れ、望ましい
誘電率の温度係数を持った誘電体や多層回路基板などを
得ることが可能となる。また、この誘電体磁器組成物を
用いれば、積層工法により高Ｑ値をもつＬＣ共振器やＬ
Ｃフィルタ、積層コンデンサなどの電子部品をさらに小
型化することが可能になる。
【００１３】次に、本発明の組成範囲が好ましいとする
理由について説明する。まず、ガラス組成物は、１３重
量％以上５０重量％以下のＳｉＯ2 、３重量％以上３０
重量％以下のＢ2 Ｏ3 、４０重量％以上８０重量％以下
のアルカリ土類酸化物（ＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯ、Ｍｇ
Ｏ）、０．１重量％以上１０重量％以下のＬｉ2 Ｏから
なる。これらの内、ＳｉＯ2 は、ガラス組成物全体の５
０重量％を超えるとガラス組成物の軟化温度が高くなり
すぎ、誘電体磁器組成物に添加したとき焼結しない。ま
た、１３重量％を下まわると耐湿性に問題が生じる。ま
た、Ｂ2 Ｏ3 は、ガラス粘度を低下させる働きを有し、
誘電体磁器組成物の焼結を促す。しかし、３０重量％を
超えると耐湿性に問題が生じる。また３重量％以下では
１０００℃以下では焼結しない。
理由について説明する。まず、ガラス組成物は、１３重
量％以上５０重量％以下のＳｉＯ2 、３重量％以上３０
重量％以下のＢ2 Ｏ3 、４０重量％以上８０重量％以下
のアルカリ土類酸化物（ＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯ、Ｍｇ
Ｏ）、０．１重量％以上１０重量％以下のＬｉ2 Ｏから
なる。これらの内、ＳｉＯ2 は、ガラス組成物全体の５
０重量％を超えるとガラス組成物の軟化温度が高くなり
すぎ、誘電体磁器組成物に添加したとき焼結しない。ま
た、１３重量％を下まわると耐湿性に問題が生じる。ま
た、Ｂ2 Ｏ3 は、ガラス粘度を低下させる働きを有し、
誘電体磁器組成物の焼結を促す。しかし、３０重量％を
超えると耐湿性に問題が生じる。また３重量％以下では
１０００℃以下では焼結しない。
【００１４】さらに、アルカリ土類酸化物は、磁器組成
物とガラス組成物との反応を促進させガラス組成物の軟
化点を下げる働きがある。しかし、ガラス組成物中のア
ルカリ土類酸化物が４０重量％を下回ると焼結性が下が
り１０００℃以下での焼結が困難になる。一方、８０重
量％を上回ると耐湿性に問題が生ずる。また、アルカリ
土類酸化物中のＢａＯ量が９５重量％を上回ると耐湿性
に問題が生じ、４０重量％を下回ると焼結性が困難とな
る。さらに、ＳｒＯ、ＣａＯ、ＭｇＯの内少なくとも１
つを５重量％含まなければ、耐湿性に問題が生ずる。ま
た、Ｌｉ2 Ｏはガラスの軟化点を下げる働きをするが、
０．１重量％未満では軟化点が高くなりすぎ焼結せず、
１０重量％を上回ると耐湿性に問題が生じる。さらに、
ＴｉＯ2 、ＣａＴｉＯ3 、ＳｒＴｉＯ3 、Ｎｄ2 Ｔｉ2
Ｏ7 は、添加量が３０重量％を超えると焼結性が悪くな
るので、３０重量％以下の範囲で添加される。
物とガラス組成物との反応を促進させガラス組成物の軟
化点を下げる働きがある。しかし、ガラス組成物中のア
ルカリ土類酸化物が４０重量％を下回ると焼結性が下が
り１０００℃以下での焼結が困難になる。一方、８０重
量％を上回ると耐湿性に問題が生ずる。また、アルカリ
土類酸化物中のＢａＯ量が９５重量％を上回ると耐湿性
に問題が生じ、４０重量％を下回ると焼結性が困難とな
る。さらに、ＳｒＯ、ＣａＯ、ＭｇＯの内少なくとも１
つを５重量％含まなければ、耐湿性に問題が生ずる。ま
た、Ｌｉ2 Ｏはガラスの軟化点を下げる働きをするが、
０．１重量％未満では軟化点が高くなりすぎ焼結せず、
１０重量％を上回ると耐湿性に問題が生じる。さらに、
ＴｉＯ2 、ＣａＴｉＯ3 、ＳｒＴｉＯ3 、Ｎｄ2 Ｔｉ2
Ｏ7 は、添加量が３０重量％を超えると焼結性が悪くな
るので、３０重量％以下の範囲で添加される。
【００１５】次に、主成分の組成範囲について説明す
る。図１に示すものは、本発明に係る誘電体磁器組成物
に用いる磁器組成物の主成分であるＢａＯ−ＴｉＯ2 −
Ｒe Ｏ3/2 系磁器組成物の組成範囲を表した組成図（Ｂ
ｉ2 Ｏ3 ：１０ｗｔ％外添加）である。このＢａＯ−Ｔ
ｉＯ2 −Ｒe Ｏ3/2系磁器組成物の組成比は、ｘＢａＯ
−ｙＴｉＯ2 −ｚＲe Ｏ3/2 と表したとき、モル％で表
すｘ、ｙ、ｚが、 5 ≦ｘ≦20 52. 5 ≦ｙ≦70 15≦ｚ≦42.5 ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００ となる範囲であって、図１の斜線を施した領域内にあ
る。図１に示すＡ領域にあっては焼結が困難となって、
通常焼結に必要な温度である１４００℃になっても多孔
質の磁器しか得られなくなる。Ｂ領域にあっては温度特
性、すなわち多層回路基板の内部に形成されたキャパシ
タの静電容量の温度変化率がマイナス側に大きくなりす
ぎる。Ｃ領域においては比誘電率が小さくなりすぎると
ともに、焼結性も不安定になる。また、Ｄ領域にあって
は温度変化率がプラス側に大きくなり、比誘電率も下が
ってくる。
る。図１に示すものは、本発明に係る誘電体磁器組成物
に用いる磁器組成物の主成分であるＢａＯ−ＴｉＯ2 −
Ｒe Ｏ3/2 系磁器組成物の組成範囲を表した組成図（Ｂ
ｉ2 Ｏ3 ：１０ｗｔ％外添加）である。このＢａＯ−Ｔ
ｉＯ2 −Ｒe Ｏ3/2系磁器組成物の組成比は、ｘＢａＯ
−ｙＴｉＯ2 −ｚＲe Ｏ3/2 と表したとき、モル％で表
すｘ、ｙ、ｚが、 5 ≦ｘ≦20 52. 5 ≦ｙ≦70 15≦ｚ≦42.5 ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００ となる範囲であって、図１の斜線を施した領域内にあ
る。図１に示すＡ領域にあっては焼結が困難となって、
通常焼結に必要な温度である１４００℃になっても多孔
質の磁器しか得られなくなる。Ｂ領域にあっては温度特
性、すなわち多層回路基板の内部に形成されたキャパシ
タの静電容量の温度変化率がマイナス側に大きくなりす
ぎる。Ｃ領域においては比誘電率が小さくなりすぎると
ともに、焼結性も不安定になる。また、Ｄ領域にあって
は温度変化率がプラス側に大きくなり、比誘電率も下が
ってくる。
【００１６】また、本発明にかかる誘電体磁器組成物
は、Ｂｉ2 Ｏ3 を含む。Ｂｉ2 Ｏ3 を含有することによ
って、より安定した特性を有する高周波誘電体磁器組成
物が得られ、焼結温度も低下する。しかし、Ｂｉ2 Ｏ3
を３０重量％を超えて添加するとＱ値が下がってしま
う。そこで、Ｂｉ2 Ｏ3 は、図１の斜線を施した組成範
囲内にあるＢａＯ−ＴｉＯ2 −Ｒe Ｏ3/2 系磁器組成物
に対し、３重量％以上、３０重量％以下の範囲で添加す
ることが好ましい。
は、Ｂｉ2 Ｏ3 を含む。Ｂｉ2 Ｏ3 を含有することによ
って、より安定した特性を有する高周波誘電体磁器組成
物が得られ、焼結温度も低下する。しかし、Ｂｉ2 Ｏ3
を３０重量％を超えて添加するとＱ値が下がってしま
う。そこで、Ｂｉ2 Ｏ3 は、図１の斜線を施した組成範
囲内にあるＢａＯ−ＴｉＯ2 −Ｒe Ｏ3/2 系磁器組成物
に対し、３重量％以上、３０重量％以下の範囲で添加す
ることが好ましい。
【００１７】また、ガラス組成物の添加量が２重量％を
下回ると焼結が困難になる。逆に２０重量％を上回ると
耐湿性が低下し、比誘電率が低下する。
下回ると焼結が困難になる。逆に２０重量％を上回ると
耐湿性が低下し、比誘電率が低下する。
【００１８】さらに、ＣｕＯも焼結助材として働くが、
５重量％を上回ると絶縁抵抗が下がり、Ｑ値が低下し、
誘電率の温度係数が正側に大きくなりすぎる。
５重量％を上回ると絶縁抵抗が下がり、Ｑ値が低下し、
誘電率の温度係数が正側に大きくなりすぎる。
【００１９】本発明の上述の目的，その他の目的，特徴
および利点は、図面を参照して行う以下の発明の実施の
形態の詳細な説明から一層明らかとなろう。
および利点は、図面を参照して行う以下の発明の実施の
形態の詳細な説明から一層明らかとなろう。
【００２０】
【発明の実施の形態】（実施例１）最初に磁器組成物を
作製した。まず、ＢａＯとＴｉＯ2 とＲe Ｏ3/2 （Ｒe
は希土類元素）のモル比が表１の主成分の欄に示す組成
比となるようにＢａＣＯ3 、ＴｉＯ2 、Ｒe Ｏ3/2 を秤
量混合した。次に、Ｂｉ2 Ｏ3 の粉末を表１の副成分の
欄に示す組成比（主成分１００重量部に対する重量比）
となるように混合物中に添加し、十分に混合した後、１
１５０℃で１時間仮焼した。ついで、この仮焼物を粉砕
して混合した後、１３００℃で焼成した。この焼成物を
再び粉砕して、表１に示すように第１磁器組成物として
の高周波用磁器組成物Ｓ１〜Ｓ２５を作製した。つい
で、Ｓ１〜Ｓ２５までの各磁器組成物の比誘電率、Ｑ値
及び誘電率の温度係数（ｐｐｍ／℃）を測定した。この
測定結果を表１に併せて示す。これらを以下に示す誘電
体磁器組成物の調整に用いた。なお、表１において、Ｒ
e Ｏ3/2 の欄には、Ｒe として使用した希土類元素の元
素記号を示した。また、Ｂｉ2 Ｏ3量は、主成分１００
重量部に対する重量％である。
作製した。まず、ＢａＯとＴｉＯ2 とＲe Ｏ3/2 （Ｒe
は希土類元素）のモル比が表１の主成分の欄に示す組成
比となるようにＢａＣＯ3 、ＴｉＯ2 、Ｒe Ｏ3/2 を秤
量混合した。次に、Ｂｉ2 Ｏ3 の粉末を表１の副成分の
欄に示す組成比（主成分１００重量部に対する重量比）
となるように混合物中に添加し、十分に混合した後、１
１５０℃で１時間仮焼した。ついで、この仮焼物を粉砕
して混合した後、１３００℃で焼成した。この焼成物を
再び粉砕して、表１に示すように第１磁器組成物として
の高周波用磁器組成物Ｓ１〜Ｓ２５を作製した。つい
で、Ｓ１〜Ｓ２５までの各磁器組成物の比誘電率、Ｑ値
及び誘電率の温度係数（ｐｐｍ／℃）を測定した。この
測定結果を表１に併せて示す。これらを以下に示す誘電
体磁器組成物の調整に用いた。なお、表１において、Ｒ
e Ｏ3/2 の欄には、Ｒe として使用した希土類元素の元
素記号を示した。また、Ｂｉ2 Ｏ3量は、主成分１００
重量部に対する重量％である。
【００２１】
【表１】
【００２２】ガラス組成物に関しては、表２に示す組成
比（重量比）になるように、ＢａＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ，
ＭｇＯ，Ｂ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，Ｌｉ2 Ｏをそれぞれ秤量
し十分混合した後、１１００℃〜１４００℃の温度で溶
融させ、水中投入して急冷後、湿式粉砕してガラス組成
物Ｇ１〜Ｇ３０をそれぞれ作製した。なお、表２におい
て、Ｒはアルカリ土類金属を示す。また、ＲＯ総量、Ｂ
2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、Ｌｉ2 Ｏの量は、それぞれのガラス
組成物中の重量％である。
比（重量比）になるように、ＢａＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ，
ＭｇＯ，Ｂ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，Ｌｉ2 Ｏをそれぞれ秤量
し十分混合した後、１１００℃〜１４００℃の温度で溶
融させ、水中投入して急冷後、湿式粉砕してガラス組成
物Ｇ１〜Ｇ３０をそれぞれ作製した。なお、表２におい
て、Ｒはアルカリ土類金属を示す。また、ＲＯ総量、Ｂ
2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、Ｌｉ2 Ｏの量は、それぞれのガラス
組成物中の重量％である。
【００２３】
【表２】
【００２４】次に、磁器組成物Ｓ１〜Ｓ２５にそれぞれ
表３および表４に示す組成比でＧ１〜Ｇ３０のガラス組
成物およびＣｕＯ粉末を加えて十分に混合して調合原料
とした。さらにこの調合原料に対して適当量のバイン
ダ、可塑材、溶剤を加え、混練してスラリーを得た。こ
うして得たスラリーをドクターブレード法により厚さ５
０μｍのシート状に成形し、成形されたセラミックグリ
ーンシートを縦３０ｍｍ横１０ｍｍの大きさにカットし
て、０．５ｍｍの厚さに圧着した。この後、大気中、９
００℃の温度で１時間焼成し、試料Ｎｏ．１〜６７の板
状の誘電体磁器組成物を得た。そして、これらの試料に
ついて、比誘電率、Ｑ値、誘電率の温度係数（ｐｐｍ／
℃）の各特性について測定した。これらの結果を表３お
よび表４に併せて示す。なお、表３および表４における
各成分量は、それぞれの誘電体磁器組成物中の重量％で
ある。また、比誘電率は１ＭＨｚで測定した。
表３および表４に示す組成比でＧ１〜Ｇ３０のガラス組
成物およびＣｕＯ粉末を加えて十分に混合して調合原料
とした。さらにこの調合原料に対して適当量のバイン
ダ、可塑材、溶剤を加え、混練してスラリーを得た。こ
うして得たスラリーをドクターブレード法により厚さ５
０μｍのシート状に成形し、成形されたセラミックグリ
ーンシートを縦３０ｍｍ横１０ｍｍの大きさにカットし
て、０．５ｍｍの厚さに圧着した。この後、大気中、９
００℃の温度で１時間焼成し、試料Ｎｏ．１〜６７の板
状の誘電体磁器組成物を得た。そして、これらの試料に
ついて、比誘電率、Ｑ値、誘電率の温度係数（ｐｐｍ／
℃）の各特性について測定した。これらの結果を表３お
よび表４に併せて示す。なお、表３および表４における
各成分量は、それぞれの誘電体磁器組成物中の重量％で
ある。また、比誘電率は１ＭＨｚで測定した。
【００２５】
【表３】 ＊印は本発明の範囲外
【００２６】
【表４】 ＊印は本発明の範囲外
【００２７】試料Ｎｏ．１〜５、１１〜１２、１５、１
６、１９、２０、２３、２４、２７、２８、３１、３
２、３４、３５、３７、３８、４０、４１、４３〜４
５、４８、４９、５１、５２、５５〜６３、６５〜６７
に示すように、本発明の範囲内であってかつ好ましい組
成範囲内の誘電体磁器組成物は、焼成温度を９００℃以
下にすることができ、また、比誘電率も高いものが得ら
れ、誘電率の温度係数（ＴＣＣ：ｐｐｍ／℃）の絶対値
も小さく、Ｑ値も高くすることができた。また、試料Ｎ
ｏ．４３、６３、６７とそれ以外のものとの比較でわか
るように、ＣｕＯを含有させた場合には、Ｑ値や誘電率
を高めることができた。なお、表中において、未焼結と
は焼結できないことを意味し、焼結不十分とは本実施例
の条件では焼結性が低かったがより適当な条件下では焼
結可能であることを意味する。さらに、耐湿性不良とは
耐湿性が不良で実用不可であることを意味し、耐湿性不
十分とは耐湿性がやや低いものの特定条件下では十分に
実用可能であることを意味する。
６、１９、２０、２３、２４、２７、２８、３１、３
２、３４、３５、３７、３８、４０、４１、４３〜４
５、４８、４９、５１、５２、５５〜６３、６５〜６７
に示すように、本発明の範囲内であってかつ好ましい組
成範囲内の誘電体磁器組成物は、焼成温度を９００℃以
下にすることができ、また、比誘電率も高いものが得ら
れ、誘電率の温度係数（ＴＣＣ：ｐｐｍ／℃）の絶対値
も小さく、Ｑ値も高くすることができた。また、試料Ｎ
ｏ．４３、６３、６７とそれ以外のものとの比較でわか
るように、ＣｕＯを含有させた場合には、Ｑ値や誘電率
を高めることができた。なお、表中において、未焼結と
は焼結できないことを意味し、焼結不十分とは本実施例
の条件では焼結性が低かったがより適当な条件下では焼
結可能であることを意味する。さらに、耐湿性不良とは
耐湿性が不良で実用不可であることを意味し、耐湿性不
十分とは耐湿性がやや低いものの特定条件下では十分に
実用可能であることを意味する。
【００２８】これに対して、試料Ｎｏ．１０、１４、１
７、１８、２１、２２、２５、２６、２９に示すよう
に、本発明の範囲外の誘電体磁器組成物では、焼結でき
なかったり、焼結できたとしても耐湿性が不良となっ
た。
７、１８、２１、２２、２５、２６、２９に示すよう
に、本発明の範囲外の誘電体磁器組成物では、焼結でき
なかったり、焼結できたとしても耐湿性が不良となっ
た。
【００２９】なお、副成分として含有するＣｕＯは、上
記実施例のように磁器組成物とガラス組成物との混合物
にＣｕＯ粉末を加えて混合する方法以外に、あらかじめ
表３および表４に示す割合となるようにＣｕＯを混合し
たガラス組成物を作製しておき、それを表３および表４
の割合となるよう高周波用磁器組成物に添加しても同様
の効果が得られる。
記実施例のように磁器組成物とガラス組成物との混合物
にＣｕＯ粉末を加えて混合する方法以外に、あらかじめ
表３および表４に示す割合となるようにＣｕＯを混合し
たガラス組成物を作製しておき、それを表３および表４
の割合となるよう高周波用磁器組成物に添加しても同様
の効果が得られる。
【００３０】（実施例２）次に、図２ないし図４を参照
しながら、本発明にかかるセラミック電子部品の一実施
例について説明する。この実施例では、セラミック電子
部品としてＬＣフィルタ１０を製造した。まず、実施例
１の表３の試料Ｎｏ．１に示す磁器組成物を用いて、ス
ラリーを作製し、ドクターブレイドを用いたキャスティ
ング法で４０μｍ厚のセラミックグリーンシートを作製
した。乾燥後、これを打ち抜いて所定の大きさのセラミ
ックグリーンシート１２とした。次いで、これらセラミ
ックグリーンシート１２のそれぞれについて、図２に示
すようなコンデンサパターン１４、コイルパターン１６
などをＡｇペーストを用いてスクリーン印刷した。そし
て、パンチャーによりバイアホール用の孔１８を開け、
Ａｇペーストを充填した。その後、これらのグリーンシ
ートを積み重ねて圧着して積層体とした後、９００℃で
焼成し、外部電極２１，２２，２３および２４を形成し
て、図３に斜視図を、図４に等価回路図を示すＬＣフィ
ルタを得た。同様にして実施例１の表４の試料番号４３
に示す磁器組成物を用いてＬＣフィルタを製造した。以
上のようにして、いずれの場合も、積層工法により、高
誘電率、高Ｑ値を持つＬＣ複合部品を得ることができ
た。なお、同様にして、本発明にかかる誘電体磁器組成
物を用いて他のＬＣ複合部品その他のセラミック電子部
品を製造することができる。
しながら、本発明にかかるセラミック電子部品の一実施
例について説明する。この実施例では、セラミック電子
部品としてＬＣフィルタ１０を製造した。まず、実施例
１の表３の試料Ｎｏ．１に示す磁器組成物を用いて、ス
ラリーを作製し、ドクターブレイドを用いたキャスティ
ング法で４０μｍ厚のセラミックグリーンシートを作製
した。乾燥後、これを打ち抜いて所定の大きさのセラミ
ックグリーンシート１２とした。次いで、これらセラミ
ックグリーンシート１２のそれぞれについて、図２に示
すようなコンデンサパターン１４、コイルパターン１６
などをＡｇペーストを用いてスクリーン印刷した。そし
て、パンチャーによりバイアホール用の孔１８を開け、
Ａｇペーストを充填した。その後、これらのグリーンシ
ートを積み重ねて圧着して積層体とした後、９００℃で
焼成し、外部電極２１，２２，２３および２４を形成し
て、図３に斜視図を、図４に等価回路図を示すＬＣフィ
ルタを得た。同様にして実施例１の表４の試料番号４３
に示す磁器組成物を用いてＬＣフィルタを製造した。以
上のようにして、いずれの場合も、積層工法により、高
誘電率、高Ｑ値を持つＬＣ複合部品を得ることができ
た。なお、同様にして、本発明にかかる誘電体磁器組成
物を用いて他のＬＣ複合部品その他のセラミック電子部
品を製造することができる。
【００３１】（実施例３）次に、本発明にかかる磁器組
成物の別の実施例を説明する。まず、ＢａＯとＴｉＯ2
とＲe Ｏ3/2 （Ｒe は希土類元素）のモル比が表５の主
成分の欄に示す組成比となるようにＢａＣＯ3 、ＴｉＯ
2 、Ｒe Ｏ3/2 を秤量混合した。次に、Ｂｉ2 Ｏ3 の粉
末を表５の副成分の欄に示す組成比（主成分１００重量
部に対する重量比）となるように混合物中に添加し、十
分に混合した後、１１５０℃で１時間仮焼した。つい
で、この仮焼物を粉砕して混合した後、１３００〜１４
００℃で焼成した。この焼成物を再び粉砕して、表５に
示す第１磁器組成物としての高周波用磁器組成物Ｓ２６
〜Ｓ４１を作製した。ついで、Ｓ２６〜Ｓ４１までの各
磁器組成物の比誘電率、Ｑ値及び誘電率の温度係数（ｐ
ｐｍ／℃）を測定した。この測定結果を表５に併せて示
す。これらを以下に示す誘電体磁器組成物の調整に用い
た。なお、表５において、Ｒe Ｏ3/2の欄には、Ｒe と
して使用した希土類元素の元素記号を示した。また、Ｂ
ｉ2 Ｏ 3 量は、主成分１００重量部に対する重量％であ
る。
成物の別の実施例を説明する。まず、ＢａＯとＴｉＯ2
とＲe Ｏ3/2 （Ｒe は希土類元素）のモル比が表５の主
成分の欄に示す組成比となるようにＢａＣＯ3 、ＴｉＯ
2 、Ｒe Ｏ3/2 を秤量混合した。次に、Ｂｉ2 Ｏ3 の粉
末を表５の副成分の欄に示す組成比（主成分１００重量
部に対する重量比）となるように混合物中に添加し、十
分に混合した後、１１５０℃で１時間仮焼した。つい
で、この仮焼物を粉砕して混合した後、１３００〜１４
００℃で焼成した。この焼成物を再び粉砕して、表５に
示す第１磁器組成物としての高周波用磁器組成物Ｓ２６
〜Ｓ４１を作製した。ついで、Ｓ２６〜Ｓ４１までの各
磁器組成物の比誘電率、Ｑ値及び誘電率の温度係数（ｐ
ｐｍ／℃）を測定した。この測定結果を表５に併せて示
す。これらを以下に示す誘電体磁器組成物の調整に用い
た。なお、表５において、Ｒe Ｏ3/2の欄には、Ｒe と
して使用した希土類元素の元素記号を示した。また、Ｂ
ｉ2 Ｏ 3 量は、主成分１００重量部に対する重量％であ
る。
【００３２】
【表５】
【００３３】ガラス組成物に関しては、表６に示す組成
比（重量比）になるように、ＢａＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ，
ＭｇＯ，Ｂ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，Ｌｉ2 Ｏをそれぞれ秤量
し十分混合した後、１１００℃〜１４００℃の温度で溶
融させ、水中投入して急冷後、湿式粉砕してガラス組成
物Ｇ３１〜Ｇ４４をそれぞれ作製した。なお、表６にお
いて、Ｒはアルカリ土類金属を示す。また、ＲＯ総量、
Ｂ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、Ｌｉ2 Ｏの量は、それぞれのガラ
ス組成物中の重量％である。
比（重量比）になるように、ＢａＯ，ＳｒＯ，ＣａＯ，
ＭｇＯ，Ｂ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，Ｌｉ2 Ｏをそれぞれ秤量
し十分混合した後、１１００℃〜１４００℃の温度で溶
融させ、水中投入して急冷後、湿式粉砕してガラス組成
物Ｇ３１〜Ｇ４４をそれぞれ作製した。なお、表６にお
いて、Ｒはアルカリ土類金属を示す。また、ＲＯ総量、
Ｂ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、Ｌｉ2 Ｏの量は、それぞれのガラ
ス組成物中の重量％である。
【００３４】
【表６】
【００３５】次に、磁器組成物Ｓ２６〜Ｓ４１に、それ
ぞれ表７および表８に示す組成比（重量比）でＧ３１〜
Ｇ４４のガラス組成物およびＣｕＯ粉末を加えて十分に
混合した。さらに、この混合物に対して副成分（第２磁
器組成物）として、表７および表８に示す重量比となる
ようにＴｉＯ2 、ＣａＴｉＯ3 、ＳｒＴｉＯ3 、Ｎｄ 2
Ｔｉ2 Ｏ7 を加えて十分に混合して調合原料とした。さ
らにこの調合原料に対して適当量のバインダ、可塑材、
溶剤を加え、混練してスラリーを得た。こうして得たス
ラリーをドクターブレード法により厚さ５０μｍのシー
ト状に成形し、成形されたセラミックグリーンシートを
縦３０ｍｍ横１０ｍｍの大きさにカットして、０．５ｍ
ｍの厚さに圧着した。この後、大気中、９００℃以下の
温度で１時間焼成し、試料Ｎｏ．６８〜１１８の板状の
誘電体磁器組成物を得た。そして、これらの試料につい
て、比誘電率、Ｑ値、誘電率の温度係数（ｐｐｍ／℃）
の各特性について測定した。これらの結果を表７および
表８に併せて示す。なお、表７および表８における各成
分量は、それぞれの誘電体磁器組成物中の重量％であ
る。また、比誘電率は１ＭＨｚで測定した。
ぞれ表７および表８に示す組成比（重量比）でＧ３１〜
Ｇ４４のガラス組成物およびＣｕＯ粉末を加えて十分に
混合した。さらに、この混合物に対して副成分（第２磁
器組成物）として、表７および表８に示す重量比となる
ようにＴｉＯ2 、ＣａＴｉＯ3 、ＳｒＴｉＯ3 、Ｎｄ 2
Ｔｉ2 Ｏ7 を加えて十分に混合して調合原料とした。さ
らにこの調合原料に対して適当量のバインダ、可塑材、
溶剤を加え、混練してスラリーを得た。こうして得たス
ラリーをドクターブレード法により厚さ５０μｍのシー
ト状に成形し、成形されたセラミックグリーンシートを
縦３０ｍｍ横１０ｍｍの大きさにカットして、０．５ｍ
ｍの厚さに圧着した。この後、大気中、９００℃以下の
温度で１時間焼成し、試料Ｎｏ．６８〜１１８の板状の
誘電体磁器組成物を得た。そして、これらの試料につい
て、比誘電率、Ｑ値、誘電率の温度係数（ｐｐｍ／℃）
の各特性について測定した。これらの結果を表７および
表８に併せて示す。なお、表７および表８における各成
分量は、それぞれの誘電体磁器組成物中の重量％であ
る。また、比誘電率は１ＭＨｚで測定した。
【００３６】
【表７】 ＊印は本発明の範囲外
【００３７】
【表８】 ＊印は本発明の範囲外
【００３８】表７および表８に示すように、本発明の範
囲内の試料のうちＮｏ．６９〜７７、７９、８０、８
２、８３、８５、８７〜８９、９１〜９８、１００〜１
０５、１０７、１０８、１１１、１１３、１１６、１１
７の誘電体磁器組成物は、焼成温度が９００℃以下で、
比誘電率も高く、Ｑ値も高くすることができた。また、
副成分としてのＴｉＯ2 、ＣａＴｉＯ3 、ＳｒＴｉ
Ｏ3 、Ｎｄ2 Ｔｉ2 Ｏ7 の種類と量を調整することによ
り、誘電率の温度係数（ＴＣＣ：ｐｐｍ／℃）を所望の
値に調整することができた。
囲内の試料のうちＮｏ．６９〜７７、７９、８０、８
２、８３、８５、８７〜８９、９１〜９８、１００〜１
０５、１０７、１０８、１１１、１１３、１１６、１１
７の誘電体磁器組成物は、焼成温度が９００℃以下で、
比誘電率も高く、Ｑ値も高くすることができた。また、
副成分としてのＴｉＯ2 、ＣａＴｉＯ3 、ＳｒＴｉ
Ｏ3 、Ｎｄ2 Ｔｉ2 Ｏ7 の種類と量を調整することによ
り、誘電率の温度係数（ＴＣＣ：ｐｐｍ／℃）を所望の
値に調整することができた。
【００３９】これに対して、試料Ｎｏ．１０６、１０
９、１１０、１１２、１１４、１１５、１１８は、表７
および表８の備考欄に示す理由で、本発明の範囲外の誘
電体磁器組成物となった。
９、１１０、１１２、１１４、１１５、１１８は、表７
および表８の備考欄に示す理由で、本発明の範囲外の誘
電体磁器組成物となった。
【００４０】なお、副成分として含有するＣｕＯは、上
記実施例のように磁器組成物とガラス組成物との混合物
にＣｕＯ粉末を加えて混合する方法以外に、あらかじめ
表７および表８に示す割合となるようにＣｕＯを混合し
たガラス組成物を作製しておき、それを表７および表８
に示す割合となるよう高周波用磁器組成物に添加しても
同様の効果が得られることを確認した。
記実施例のように磁器組成物とガラス組成物との混合物
にＣｕＯ粉末を加えて混合する方法以外に、あらかじめ
表７および表８に示す割合となるようにＣｕＯを混合し
たガラス組成物を作製しておき、それを表７および表８
に示す割合となるよう高周波用磁器組成物に添加しても
同様の効果が得られることを確認した。
【００４１】
【発明の効果】本発明の誘電体磁器組成物によれば、比
抵抗の小さい金、銀、銅のいずれかを主成分とする導体
の融点よりも低い温度で焼結することができる。しか
も、高周波域、特にマイクロ波、ミリ波領域において比
誘電率（ε）が高く、誘電率ないし静電容量の温度安定
性に優れた誘電体磁器組成物を得ることができる。ま
た、第１磁器組成物とガラス組成物との混合物に副成分
としてＣｕＯを添加すれば、さらに焼結温度を下げるこ
とができ、Ｑ値や誘電率を高くすることができる。さら
に、副成分として誘電率の負の温度特性を有する第２磁
器組成物としてのＴｉＯ2 ，ＣａＴｉＯ3 、ＳｒＴｉＯ
3 、または正の温度特性を有するＮｄ2 Ｔｉ2 Ｏ7 を含
ませることにより、誘電体磁器組成物の誘電率の温度係
数を所望の値に調整することができる。従って、このよ
うな誘電体磁器組成物を用いることにより、金、銀、銅
などの比抵抗の低い内部電極と同時焼成が可能となり、
これらの電極を内蔵化した高周波と特性に優れた誘電体
や多層回路基板を得ることが可能になる。また、この誘
電体磁器組成物を用いれば、積層工法により高誘電率、
高Ｑ値を持つＬＣ共振器やＬＣフィルタ等の電子部品を
さらに小型化することが可能になる。
抵抗の小さい金、銀、銅のいずれかを主成分とする導体
の融点よりも低い温度で焼結することができる。しか
も、高周波域、特にマイクロ波、ミリ波領域において比
誘電率（ε）が高く、誘電率ないし静電容量の温度安定
性に優れた誘電体磁器組成物を得ることができる。ま
た、第１磁器組成物とガラス組成物との混合物に副成分
としてＣｕＯを添加すれば、さらに焼結温度を下げるこ
とができ、Ｑ値や誘電率を高くすることができる。さら
に、副成分として誘電率の負の温度特性を有する第２磁
器組成物としてのＴｉＯ2 ，ＣａＴｉＯ3 、ＳｒＴｉＯ
3 、または正の温度特性を有するＮｄ2 Ｔｉ2 Ｏ7 を含
ませることにより、誘電体磁器組成物の誘電率の温度係
数を所望の値に調整することができる。従って、このよ
うな誘電体磁器組成物を用いることにより、金、銀、銅
などの比抵抗の低い内部電極と同時焼成が可能となり、
これらの電極を内蔵化した高周波と特性に優れた誘電体
や多層回路基板を得ることが可能になる。また、この誘
電体磁器組成物を用いれば、積層工法により高誘電率、
高Ｑ値を持つＬＣ共振器やＬＣフィルタ等の電子部品を
さらに小型化することが可能になる。
【図１】ＢａＯ−ＴｉＯ2 −Ｒe Ｏ3/2 （但し、Ｒe は
希土類元素）系の磁器組成物の三元組成図である。
希土類元素）系の磁器組成物の三元組成図である。
【図２】本発明にかかるセラミック電子部品の一実施例
としてのＬＣフィルタの分解斜視図である。
としてのＬＣフィルタの分解斜視図である。
【図３】図２に示すＬＣフィルタの斜視図である。
【図４】図３に示すＬＣフィルタの等価回路図である。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｐ 1/203 Ｈ０１Ｐ 11/00 Ｋ 1/205 Ｈ０３Ｈ 7/075 Ａ 11/00 Ｃ０４Ｂ 35/00 Ｊ Ｈ０３Ｈ 7/075 Ｈ０１Ｇ 4/40 ３２１Ａ
Claims (9)
- 【請求項１】 ＢａＯ−ＴｉＯ2 −Ｒe Ｏ3/2 −Ｂｉ2
Ｏ3 （但し、Ｒe は希土類元素）系第１磁器組成物とガ
ラス組成物との混合体からなり、 前記ガラス組成物は、１３〜５０重量％のＳｉＯ2 と、
３〜３０重量％のＢ2Ｏ3 と、４０〜８０重量％のアル
カリ土類酸化物と、０．１〜１０重量％のＬｉ 2 Ｏとを
含む、誘電体磁器組成物。 - 【請求項２】 副成分として、ＣｕＯを含む、請求項１
に記載の誘電体磁器組成物。 - 【請求項３】 前記第１磁器組成物は、x ＢａＯ−y Ｔ
ｉＯ2 −z Ｒe Ｏ3/ 2 （但し、x ，y ，z はモル％であ
り、５≦x ≦２０、５２．５≦y ≦７０、１５≦z ≦４
２．５、x ＋y ＋z ＝１００）を主成分として、主成分
１００重量部に対し、３〜３０重量％のＢｉ2 Ｏ3 を含
む、請求項１または請求項２に記載の誘電体磁器組成
物。 - 【請求項４】 前記ガラス組成物に含まれるアルカリ土
類酸化物は、ＳｒＯ、ＣａＯおよびＭｇＯの内から選ば
れる少なくとも一種と、ＢａＯとからなり、 かつこれらの比率は、ＳｒＯが３５重量％以下、ＣａＯ
が３５重量％以下、ＭｇＯが２０重量％以下、およびＢ
ａＯが４０〜９５重量％の範囲内にある、請求項１ない
し請求項３のいずれかに記載の誘電体磁器組成物。 - 【請求項５】 前記各成分の混合比率は、前記第１磁器
組成物が７５〜９５重量％、前記ガラス組成物が２〜２
０重量％、およびＣｕＯが５重量％以下である、請求項
１ないし請求項４のいずれかに記載の誘電体磁器組成
物。 - 【請求項６】 前記ガラス組成物の前記Ｌｉ2 Ｏは０．
５〜１０重量％の範囲内であり、 さらに、ＴｉＯ2 、ＣａＴｉＯ3 、ＳｒＴｉＯ3 および
Ｎｄ2 Ｔｉ2 Ｏ7 の内から選ばれる少なくとも１種の第
２磁器組成物を含む、請求項１ないし請求項４のいずれ
かに記載の誘電体磁器組成物。 - 【請求項７】 前記各成分の混合比率は、前記第１磁器
組成物が５０〜９８重量％、前記ガラス組成物が２〜２
０重量％、前記第２磁器組成物が３０重量％以下、およ
びＣｕＯが３重量％以下である、請求項６に記載の誘電
体磁器組成物。 - 【請求項８】 請求項１ないし請求項７のいずれかに記
載の誘電体磁器組成物を用いた、セラミック電子部品。 - 【請求項９】 請求項１ないし請求項７のいずれかに記
載の誘電体磁器組成物を用いてＬＣ複合部品とした、セ
ラミック電子部品。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10360397A JPH11310455A (ja) | 1998-02-27 | 1998-12-18 | 誘電体磁器組成物およびそれを用いたセラミック電子部品 |
| EP99102228A EP0939413A1 (en) | 1998-02-27 | 1999-02-04 | Dieletric ceramic composition and ceramic electronic element using the same |
| US09/253,843 US6107228A (en) | 1998-02-27 | 1999-02-22 | Dielectric ceramic composition and ceramic electronic element using the same |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6397898 | 1998-02-27 | ||
| JP10-63978 | 1998-02-27 | ||
| JP10360397A JPH11310455A (ja) | 1998-02-27 | 1998-12-18 | 誘電体磁器組成物およびそれを用いたセラミック電子部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11310455A true JPH11310455A (ja) | 1999-11-09 |
Family
ID=26405111
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10360397A Pending JPH11310455A (ja) | 1998-02-27 | 1998-12-18 | 誘電体磁器組成物およびそれを用いたセラミック電子部品 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6107228A (ja) |
| EP (1) | EP0939413A1 (ja) |
| JP (1) | JPH11310455A (ja) |
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| WO2005082806A1 (ja) | 2004-03-01 | 2005-09-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 絶縁体セラミック組成物、絶縁性セラミック焼結体および積層型セラミック電子部品 |
| WO2006046361A1 (ja) * | 2004-10-26 | 2006-05-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | セラミック原料組成物、セラミック基板および非可逆回路素子 |
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| US7368408B2 (en) | 2004-03-01 | 2008-05-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Glass-ceramic composition, glass-ceramic sintered body, and monolithic ceramic electronic component |
| US7417001B2 (en) | 2004-03-01 | 2008-08-26 | Murata Manufacturing Co., Ltd | Glass ceramic composition, glass-ceramic sintered body, and monolithic ceramic electronic component |
| US7439202B2 (en) | 2004-03-01 | 2008-10-21 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Glass ceramic composition, glass-ceramic sintered body, and monolithic ceramic electronic component |
| JPWO2007086184A1 (ja) * | 2006-01-30 | 2009-06-18 | 株式会社村田製作所 | 多層セラミック基板の内蔵コンデンサの容量値調整方法、ならびに多層セラミック基板およびその製造方法 |
| US7704477B2 (en) | 2005-12-27 | 2010-04-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for producing powder forsterite powder, forsterite powder, sintered forsterite, insulating ceramic composition, and multilayer ceramic electronic component |
| DE112009000012T5 (de) | 2008-03-13 | 2012-01-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Glaskeramikzusammensetzung, Glaskeramik-Sinterkörper und keramisches Mehrschicht-Elektronikbauteil |
| JP2020150361A (ja) * | 2019-03-12 | 2020-09-17 | 太陽誘電株式会社 | フィルタおよびマルチプレクサ |
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| JP2001339203A (ja) * | 2000-05-29 | 2001-12-07 | Murata Mfg Co Ltd | デュアルモード・バンドパスフィルタ |
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| KR101339613B1 (ko) | 2009-12-16 | 2013-12-10 | 스카이워크스 솔루션즈, 인코포레이티드 | 유전체 세라믹 물질 및 관련 방법 |
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1998
- 1998-12-18 JP JP10360397A patent/JPH11310455A/ja active Pending
-
1999
- 1999-02-04 EP EP99102228A patent/EP0939413A1/en not_active Withdrawn
- 1999-02-22 US US09/253,843 patent/US6107228A/en not_active Expired - Lifetime
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|---|---|
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