JPH0597508A - 高周波用誘電体磁器組成物 - Google Patents
高周波用誘電体磁器組成物Info
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- JPH0597508A JPH0597508A JP3262212A JP26221291A JPH0597508A JP H0597508 A JPH0597508 A JP H0597508A JP 3262212 A JP3262212 A JP 3262212A JP 26221291 A JP26221291 A JP 26221291A JP H0597508 A JPH0597508 A JP H0597508A
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 １０００℃未満の温度で焼成することがで
き、かつ高Ｑ値、高い比誘電率εr を有し、さらに誘電
体共振器を構成した場合の共振周波数の温度依存性の小
さな磁器を得ることを可能とする誘電体磁器組成物を提
供する。 【構成】 主成分としてのｘＢａＯ−ｙＴｉＯ2 −ｚＬ
ｎＯ3/2 −ａＰｂＯ−ｂＢｉ2 Ｏ3 （但し、Ｌｎはラン
タニド系元素のうち少なくとも１種）を１００重量部、
Ｂ2 Ｏ3 及びＳｉＯ2 のうち少なくとも１種からなる添
加剤を３〜５０重量部配合してなり、（ｘＢａＯ−ｙＴ
ｉＯ2 −ｚＬｎＯ3/2 ）を１００重量％としたときに、
前記ａ及びｂが、それぞれ、１７重量％以下の割合であ
り、上記ｘ、ｙ及びｚが下記の関係を満たす高周波用誘
電体磁器組成物。 ０．０２≦ｘ≦０．２、 ０．４≦ｙ≦０．７及び ０．１≦ｚ≦０．５８ ｘ＋ｙ＋ｚ＝１
き、かつ高Ｑ値、高い比誘電率εr を有し、さらに誘電
体共振器を構成した場合の共振周波数の温度依存性の小
さな磁器を得ることを可能とする誘電体磁器組成物を提
供する。 【構成】 主成分としてのｘＢａＯ−ｙＴｉＯ2 −ｚＬ
ｎＯ3/2 −ａＰｂＯ−ｂＢｉ2 Ｏ3 （但し、Ｌｎはラン
タニド系元素のうち少なくとも１種）を１００重量部、
Ｂ2 Ｏ3 及びＳｉＯ2 のうち少なくとも１種からなる添
加剤を３〜５０重量部配合してなり、（ｘＢａＯ−ｙＴ
ｉＯ2 −ｚＬｎＯ3/2 ）を１００重量％としたときに、
前記ａ及びｂが、それぞれ、１７重量％以下の割合であ
り、上記ｘ、ｙ及びｚが下記の関係を満たす高周波用誘
電体磁器組成物。 ０．０２≦ｘ≦０．２、 ０．４≦ｙ≦０．７及び ０．１≦ｚ≦０．５８ ｘ＋ｙ＋ｚ＝１
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マイクロ波帯用の誘電
体共振器やフィルタ等に用いられる誘電体磁器組成物に
関し、特に、Ｑ値が高く、温度特性が安定しており、さ
らに誘電率の高い磁器を得ることを可能とする低温焼成
可能な高周波用誘電体磁器組成物に関する。
体共振器やフィルタ等に用いられる誘電体磁器組成物に
関し、特に、Ｑ値が高く、温度特性が安定しており、さ
らに誘電率の高い磁器を得ることを可能とする低温焼成
可能な高周波用誘電体磁器組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、マイクロ波帯用の共振器やフィル
タ等の電子部品においても、小型化を図るために、高い
比誘電率（εｒ）を有するセラミック誘電体を用いた空
洞共振器が用いられている。この空洞共振器は、誘電体
内では電磁波の波長が自由空間における電磁波の波長の
１／εｒ1/2 に短縮される効果を利用したものである。
しかしながら、誘電体共振器として使用し得るゼロ温度
係数を有する材料のεｒは、これまでのところ１００以
下のものに限られており、より一層の小型化に対する要
求に応えることができなくなってきた。より一層の小型
化を進めるには、従来よりマイクロ波回路で知られてい
るＬＣ共振器を用いる方法が有効である。そして、ＬＣ
共振器を組み合わせた回路を構成する場合、積層コンデ
ンサやセラミック多層基板等で実用化されているセラミ
ック積層技術を適用すれば、より一層小型化及び高信頼
性の高周波用電子部品を製作することができる。
タ等の電子部品においても、小型化を図るために、高い
比誘電率（εｒ）を有するセラミック誘電体を用いた空
洞共振器が用いられている。この空洞共振器は、誘電体
内では電磁波の波長が自由空間における電磁波の波長の
１／εｒ1/2 に短縮される効果を利用したものである。
しかしながら、誘電体共振器として使用し得るゼロ温度
係数を有する材料のεｒは、これまでのところ１００以
下のものに限られており、より一層の小型化に対する要
求に応えることができなくなってきた。より一層の小型
化を進めるには、従来よりマイクロ波回路で知られてい
るＬＣ共振器を用いる方法が有効である。そして、ＬＣ
共振器を組み合わせた回路を構成する場合、積層コンデ
ンサやセラミック多層基板等で実用化されているセラミ
ック積層技術を適用すれば、より一層小型化及び高信頼
性の高周波用電子部品を製作することができる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、マイク
ロ波帯用の高いＱ値を有する積層型のＬＣ共振器を得る
には、使用する電極の導電率の高いことが必要である。
すなわち、誘電体と同時に焼成される内部電極材料とし
ては、高導電率の金属材料、例えば金、銀または銅を使
用する必要がある。従って、上記マイクロ帯用ＬＣ共振
器を得るには、誘電体材料についても、高誘電率、高Ｑ
特性及び高温における安定性に加えて、融点が比較的低
い上記のような電極材料と同時に焼成し得る、低温焼結
性に優れた材料であることが要求される。しかしなが
ら、従来、低温で焼成することができ、かつ上記のよう
な特性を満たす高周波用誘電体磁器組成物は未だ存在し
なかった。
ロ波帯用の高いＱ値を有する積層型のＬＣ共振器を得る
には、使用する電極の導電率の高いことが必要である。
すなわち、誘電体と同時に焼成される内部電極材料とし
ては、高導電率の金属材料、例えば金、銀または銅を使
用する必要がある。従って、上記マイクロ帯用ＬＣ共振
器を得るには、誘電体材料についても、高誘電率、高Ｑ
特性及び高温における安定性に加えて、融点が比較的低
い上記のような電極材料と同時に焼成し得る、低温焼結
性に優れた材料であることが要求される。しかしなが
ら、従来、低温で焼成することができ、かつ上記のよう
な特性を満たす高周波用誘電体磁器組成物は未だ存在し
なかった。
【０００４】本発明の目的は、約１０００℃以下の低温
で焼成することができ、しかもＱ値及び誘電率が高く、
かつ温度特性も安定な誘電体磁器を得ることを可能とす
る高周波用誘電体磁器組成物を提供することにある。
で焼成することができ、しかもＱ値及び誘電率が高く、
かつ温度特性も安定な誘電体磁器を得ることを可能とす
る高周波用誘電体磁器組成物を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を達
成すべくなされたものであり、主成分として、ｘＢａＯ
−ｙＴｉＯ2 −ｚＬｎＯ3/2 −ａＰｂＯ−ｂＢｉ2 Ｏ3
を１００重量部に対し、後述の添加剤３〜５０重量部を
配合してなる高周波用誘電体磁器組成物である。主成分 上記主成分において、Ｌｎは、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎ
ｄ、Ｐｍ、ＳｍまたはＥｕ等のランタニド系元素のうち
少なくとも１種を示す。また、上記主成分の組成式にお
いて、ｘ、ｙ及びｚは、それぞれ、下記の関係を満たす
ことが必要である。 ０．０２≦ｘ≦０．２、 ０．４≦ｙ≦０．７及び ０．１≦ｚ≦０．５８ ｘ＋ｙ＋ｚ＝１
成すべくなされたものであり、主成分として、ｘＢａＯ
−ｙＴｉＯ2 −ｚＬｎＯ3/2 −ａＰｂＯ−ｂＢｉ2 Ｏ3
を１００重量部に対し、後述の添加剤３〜５０重量部を
配合してなる高周波用誘電体磁器組成物である。主成分 上記主成分において、Ｌｎは、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎ
ｄ、Ｐｍ、ＳｍまたはＥｕ等のランタニド系元素のうち
少なくとも１種を示す。また、上記主成分の組成式にお
いて、ｘ、ｙ及びｚは、それぞれ、下記の関係を満たす
ことが必要である。 ０．０２≦ｘ≦０．２、 ０．４≦ｙ≦０．７及び ０．１≦ｚ≦０．５８ ｘ＋ｙ＋ｚ＝１
【０００６】上記のようにｘ、ｙ及びｚの範囲を限定し
た理由を、図１の三成分系組成図を参照して説明する。
図１は、ＢａＯ、ＴｉＯ2 及びＬｎＯ3/2 についての三
成分系組成図（単位はモル％）であり、上記ｘ、ｙ及び
ｚを限定した組成範囲は、図１中の点ｊ、ｋ、ｌ及びｍ
を結ぶ直線ｎで囲まれた領域に相当する。上記直線ｎで
囲まれた領域の外側の領域のうち、領域ｏでは、焼結が
困難であり、かつ焼結し得たとしても、得られた磁器が
ポーラスとなり上記課題を達成し得る磁器を得ることが
できない。また、領域ｐでは、誘電体共振器を作製した
場合の共振周波数が周囲温度の上昇に伴ってかなり高く
なり、すなわち共振周波数の温度依存性がかなり高くな
る。また、焼結状態が不安定となりがちである。さら
に、領域ｑでは、誘電体共振器を構成した場合の共振周
波数が温度の上昇に伴って著しく高くなり、やはり共振
周波数の温度依存性が高くなる。また、領域ｒでは、誘
電体共振器を構成した場合の共振周波数が温度の上昇に
伴って著しく低下し、やはり共振周波数の温度依存性が
高くなり過ぎると共に、場合によっては焼結が完全に進
行しない場合もある。以上の理由により、本発明では、
上記ｘ、ｙ及びｚが、図１の実線ｎで囲まれた領域に限
定されている。
た理由を、図１の三成分系組成図を参照して説明する。
図１は、ＢａＯ、ＴｉＯ2 及びＬｎＯ3/2 についての三
成分系組成図（単位はモル％）であり、上記ｘ、ｙ及び
ｚを限定した組成範囲は、図１中の点ｊ、ｋ、ｌ及びｍ
を結ぶ直線ｎで囲まれた領域に相当する。上記直線ｎで
囲まれた領域の外側の領域のうち、領域ｏでは、焼結が
困難であり、かつ焼結し得たとしても、得られた磁器が
ポーラスとなり上記課題を達成し得る磁器を得ることが
できない。また、領域ｐでは、誘電体共振器を作製した
場合の共振周波数が周囲温度の上昇に伴ってかなり高く
なり、すなわち共振周波数の温度依存性がかなり高くな
る。また、焼結状態が不安定となりがちである。さら
に、領域ｑでは、誘電体共振器を構成した場合の共振周
波数が温度の上昇に伴って著しく高くなり、やはり共振
周波数の温度依存性が高くなる。また、領域ｒでは、誘
電体共振器を構成した場合の共振周波数が温度の上昇に
伴って著しく低下し、やはり共振周波数の温度依存性が
高くなり過ぎると共に、場合によっては焼結が完全に進
行しない場合もある。以上の理由により、本発明では、
上記ｘ、ｙ及びｚが、図１の実線ｎで囲まれた領域に限
定されている。
【０００７】また、上記主成分の組成式中、ＰｂＯ及び
Ｂｉ2 Ｏ3 の含有割合を示すａ、ｂは、それぞれ、上記
（ｘＢａＯ−ｙＴｉＯ2 −ｚＬｎＯ3/2 ）の含有量を１
００重量％としたときに、ａ及びｂは、いずれも１７重
量％以下となる割合とされる。これは、ＰｂＯの含有割
合が増加すると比誘電率εr が高くなり、かつ誘電体共
振器を構成した場合の共振周波数が低くなる傾向がある
が、上記範囲を超えてＰｂＯを含有させると、１０００
℃以下で焼成した場合には焼結状態が不安定となり、所
望とする特性の誘電体磁器を得ることができないからで
ある。他方、Ｂｉ2 Ｏ3 の含有割合が高くなると比誘電
率εr が高くなる傾向があるが、Ｂｉ2 Ｏ3 が上記範囲
より多く含有されると、焼成に際して溶融し、所望とす
る磁器を得ることができないからである。
Ｂｉ2 Ｏ3 の含有割合を示すａ、ｂは、それぞれ、上記
（ｘＢａＯ−ｙＴｉＯ2 −ｚＬｎＯ3/2 ）の含有量を１
００重量％としたときに、ａ及びｂは、いずれも１７重
量％以下となる割合とされる。これは、ＰｂＯの含有割
合が増加すると比誘電率εr が高くなり、かつ誘電体共
振器を構成した場合の共振周波数が低くなる傾向がある
が、上記範囲を超えてＰｂＯを含有させると、１０００
℃以下で焼成した場合には焼結状態が不安定となり、所
望とする特性の誘電体磁器を得ることができないからで
ある。他方、Ｂｉ2 Ｏ3 の含有割合が高くなると比誘電
率εr が高くなる傾向があるが、Ｂｉ2 Ｏ3 が上記範囲
より多く含有されると、焼成に際して溶融し、所望とす
る磁器を得ることができないからである。
【０００８】添加剤 本発明では、上述した主成分１００重量部に対し、下記
の添加剤３〜５０重量部が配合される。請求項１に記載
の発明では、上記添加剤として、Ｂ2 Ｏ3 及びＳｉＯ2
のうち少なくとも１種を含むものが用いられる。また、
請求項２に記載の発明では、上記添加剤として、ｄＢ2
Ｏ3 −ｅＳｉＯ 2 −ｆＰｂＯにおいて、ｄ、ｅ及びｆが
下記の関係を満たすものが用いられる。 ０≦ｄ≦０．７０、 ０≦ｅ≦０．７０及び ０．３≦ｆ≦０．７５ ｄ＋ｅ＋ｆ＝１ 上記ｄ、ｅ及びｆを上記特定の範囲とした組成は、図２
の太線ｓで囲まれた領域に相当する。図２の添加剤につ
いての三成分系組成図（単位はモル％）において、太線
ｓで囲まれた領域外の領域のうち、領域ｔにおいては、
Ｑ値が４００以下と低下するため、高いＱ値を実現する
ことができない。また、領域ｕでは、焼結温度が１００
０℃以上に高くなり、低温焼成可能な誘電体磁器組成物
を得ることができない。
の添加剤３〜５０重量部が配合される。請求項１に記載
の発明では、上記添加剤として、Ｂ2 Ｏ3 及びＳｉＯ2
のうち少なくとも１種を含むものが用いられる。また、
請求項２に記載の発明では、上記添加剤として、ｄＢ2
Ｏ3 −ｅＳｉＯ 2 −ｆＰｂＯにおいて、ｄ、ｅ及びｆが
下記の関係を満たすものが用いられる。 ０≦ｄ≦０．７０、 ０≦ｅ≦０．７０及び ０．３≦ｆ≦０．７５ ｄ＋ｅ＋ｆ＝１ 上記ｄ、ｅ及びｆを上記特定の範囲とした組成は、図２
の太線ｓで囲まれた領域に相当する。図２の添加剤につ
いての三成分系組成図（単位はモル％）において、太線
ｓで囲まれた領域外の領域のうち、領域ｔにおいては、
Ｑ値が４００以下と低下するため、高いＱ値を実現する
ことができない。また、領域ｕでは、焼結温度が１００
０℃以上に高くなり、低温焼成可能な誘電体磁器組成物
を得ることができない。
【０００９】請求項３に記載の発明では、上記添加剤と
して、ｇＢ2 Ｏ3 −ｈＳｉＯ2 −ｉＺｎＯが用いられ、
上記ｇ、ｈ及びｉは、下記の関係を満たす範囲とされて
いる。 ０．０５≦ｇ≦０．７、 ０≦ｈ≦０．２５及び ０．３≦ｉ≦０．７ ｇ＋ｈ＋ｉ＝１ ｇ〜ｉを、上記特定の範囲とした理由を、添付の図３を
参照して説明する。図３は、上記添加剤の三成分系組成
図（単位はモル％）を示し、上記ｇ〜ｉの限定範囲は、
図３における太線ｖで囲まれた領域に相当する。ｖで囲
まれた領域の外側である領域ｗ1 では、Ｑ値が低下し、
高Ｑ値の磁器を得ることができない。また、領域ｗ2 で
は、焼結温度が１０００℃以上と高くなり、低温焼成可
能な誘電体磁器組成物を得ることができない。さらに、
領域ｗ3では、同じく焼成温度が１０００℃を超え、低
温焼成可能な誘電体磁器組成物を得ることができない。
して、ｇＢ2 Ｏ3 −ｈＳｉＯ2 −ｉＺｎＯが用いられ、
上記ｇ、ｈ及びｉは、下記の関係を満たす範囲とされて
いる。 ０．０５≦ｇ≦０．７、 ０≦ｈ≦０．２５及び ０．３≦ｉ≦０．７ ｇ＋ｈ＋ｉ＝１ ｇ〜ｉを、上記特定の範囲とした理由を、添付の図３を
参照して説明する。図３は、上記添加剤の三成分系組成
図（単位はモル％）を示し、上記ｇ〜ｉの限定範囲は、
図３における太線ｖで囲まれた領域に相当する。ｖで囲
まれた領域の外側である領域ｗ1 では、Ｑ値が低下し、
高Ｑ値の磁器を得ることができない。また、領域ｗ2 で
は、焼結温度が１０００℃以上と高くなり、低温焼成可
能な誘電体磁器組成物を得ることができない。さらに、
領域ｗ3では、同じく焼成温度が１０００℃を超え、低
温焼成可能な誘電体磁器組成物を得ることができない。
【００１０】上記のようにして請求項１〜３に記載の各
発明では、上述した各添加剤が主成分１００重量部に対
して３〜５０重量部配合される。これは、添加剤の配合
量が３重量％より少ないと、焼結温度が１０００℃以上
に高くなるからであり、他方、５０重量％を超えると得
られる磁器の比誘電率εr 及びＱ値が低下し、かつガラ
ス成分の溶出が生じるからである。なお、上記添加剤に
は、本発明の目的を損なわない限り、必要に応じてその
他の成分、例えばＳｒＣＯ3 、Ｌｉ2 ＣＯ3 等が配合さ
れてもよい。また、本発明の誘電体磁器組成物は、空気
中のような酸化性雰囲気だけでなく、還元性雰囲気で焼
成してもよく、何れの場合でも所望の特性の磁器を与え
得る。
発明では、上述した各添加剤が主成分１００重量部に対
して３〜５０重量部配合される。これは、添加剤の配合
量が３重量％より少ないと、焼結温度が１０００℃以上
に高くなるからであり、他方、５０重量％を超えると得
られる磁器の比誘電率εr 及びＱ値が低下し、かつガラ
ス成分の溶出が生じるからである。なお、上記添加剤に
は、本発明の目的を損なわない限り、必要に応じてその
他の成分、例えばＳｒＣＯ3 、Ｌｉ2 ＣＯ3 等が配合さ
れてもよい。また、本発明の誘電体磁器組成物は、空気
中のような酸化性雰囲気だけでなく、還元性雰囲気で焼
成してもよく、何れの場合でも所望の特性の磁器を与え
得る。
【００１１】
【作用及び発明の効果】請求項１〜３に記載の発明で
は、上記特定の主成分に対し、それぞれ、上記特定の添
加剤が上記特定の割合で配合されているため、１０００
℃以下で焼成することができ、しかも高Ｑ値、高い比誘
電率εr を有し、かつ誘電体共振器を構成した場合の共
振周波数の温度依存性が小さく、すなわち温度安定性に
優れた磁器を得ることを可能とする誘電体磁器組成物が
提供される。
は、上記特定の主成分に対し、それぞれ、上記特定の添
加剤が上記特定の割合で配合されているため、１０００
℃以下で焼成することができ、しかも高Ｑ値、高い比誘
電率εr を有し、かつ誘電体共振器を構成した場合の共
振周波数の温度依存性が小さく、すなわち温度安定性に
優れた磁器を得ることを可能とする誘電体磁器組成物が
提供される。
【００１２】
【実施例の説明】以下、本発明の非限定的な実施例を説
明することにより、本発明を明らかにする。実施例１ 実施例１は、請求項１に記載の発明の実施例に相当す
る。まず、主成分を構成する原料として、ＢａＣＯ3 、
ＴｉＯ2 、Ｎｄ2 Ｏ3 、ＣｅＯ2 、Ｓｍ2 Ｏ3 、Ｌａ2
Ｏ3 、Ｐｒ6 Ｏ11、ＰｂＯ、及びＢｉ2 Ｏ3 の各粉末を
用意した。次に、これらの原料粉末を用い、下記の表１
及び表２に、試料番号１〜２８で示す組み合わせとなる
ように各原料を秤量し、ボールミルで１６時間湿式混合
した後、蒸発・乾燥し、空気中で１０００℃の温度で２
時間仮焼・粉砕することにより、試料番号１〜２８の各
主成分の仮焼粉末を得た。他方、添加剤を構成する原料
として、Ｂ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＰｂＯ、ＺｎＯ、ＣａＣ
Ｏ3 、ＢａＣＯ3 、ＳｒＣＯ3 、及びＬｉ2 ＣＯ3 を用
意した。次に、これらの添加剤原料を秤量し、ボールミ
ルで１６時間湿式混合した後、蒸発乾燥した後、１００
０℃で溶融し、湿式粉砕し、しかる後乾燥することによ
り、下記の表３に示す添加剤Ａ〜Ｄをそれぞれ調製し
た。
明することにより、本発明を明らかにする。実施例１ 実施例１は、請求項１に記載の発明の実施例に相当す
る。まず、主成分を構成する原料として、ＢａＣＯ3 、
ＴｉＯ2 、Ｎｄ2 Ｏ3 、ＣｅＯ2 、Ｓｍ2 Ｏ3 、Ｌａ2
Ｏ3 、Ｐｒ6 Ｏ11、ＰｂＯ、及びＢｉ2 Ｏ3 の各粉末を
用意した。次に、これらの原料粉末を用い、下記の表１
及び表２に、試料番号１〜２８で示す組み合わせとなる
ように各原料を秤量し、ボールミルで１６時間湿式混合
した後、蒸発・乾燥し、空気中で１０００℃の温度で２
時間仮焼・粉砕することにより、試料番号１〜２８の各
主成分の仮焼粉末を得た。他方、添加剤を構成する原料
として、Ｂ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 、ＰｂＯ、ＺｎＯ、ＣａＣ
Ｏ3 、ＢａＣＯ3 、ＳｒＣＯ3 、及びＬｉ2 ＣＯ3 を用
意した。次に、これらの添加剤原料を秤量し、ボールミ
ルで１６時間湿式混合した後、蒸発乾燥した後、１００
０℃で溶融し、湿式粉砕し、しかる後乾燥することによ
り、下記の表３に示す添加剤Ａ〜Ｄをそれぞれ調製し
た。
【００１３】次に、表１，２に示す試料番号１〜２８の
主成分の仮焼粉末１００重量部と、表１，表２に示した
量の添加剤Ａ、Ｂ、ＣまたはＤと、バインダとして酢酸
ビニル５重量％と仮焼粉末と同重量の純水とをボールミ
ルにより１６時間湿式混合した後、蒸発乾燥し、整粒す
ることにより顆粒状の粉末を得た。次に、得られた顆粒
状の各粉末を、乾燥プレス機により２ｔｏｎ／ｃｍ2 の
圧力で加圧することにより、直径３０ｍｍ及び厚さ１５
ｍｍの円柱状成形体を得た。得られた成形体を空気中で
８００〜１０００℃で２時間焼成することにより試料番
号１〜２８の焼結体を得た。
主成分の仮焼粉末１００重量部と、表１，表２に示した
量の添加剤Ａ、Ｂ、ＣまたはＤと、バインダとして酢酸
ビニル５重量％と仮焼粉末と同重量の純水とをボールミ
ルにより１６時間湿式混合した後、蒸発乾燥し、整粒す
ることにより顆粒状の粉末を得た。次に、得られた顆粒
状の各粉末を、乾燥プレス機により２ｔｏｎ／ｃｍ2 の
圧力で加圧することにより、直径３０ｍｍ及び厚さ１５
ｍｍの円柱状成形体を得た。得られた成形体を空気中で
８００〜１０００℃で２時間焼成することにより試料番
号１〜２８の焼結体を得た。
【００１４】上記のようにして得た試料番号１〜２８の
各焼結体につき、電気的特性を下記の要領で測定した。
結果を、下記の表４及び表５に示す。 （１）誘電率ε：誘電体共振器法にて、２５℃の温度で
かつ２ＧＨｚにて測定した。 （２）Ｑ値：誘電体共振法（？）にて、２５℃、２ＧＨ
ｚの条件で測定した。 （３）Ｔｃｆ0 （共振周波数の温度係数）：上記各焼結
体を用いて誘電体共振器を構成し、２５℃における共振
周波数ｆ25及び８５℃における共振周波数ｆ85を測定
し、以下の式に基づいて、Ｔｃｆ0 （単位：ｐｐｍ／
℃）を計算した。 Ｔｃｆ0 ＝（１／ｆ25）・（ｆ85−ｆ25）×１０6 ×（８５−２５）-1 なお、下記の表１，表２におけるａ，ｂで示すＰｂＯ及
びＢｉ2 Ｏ3 の含有割合は（重量％）は、（ｘＢａＯ−
ｙＴｉＯ2 −ｚＬｎＯ3/2 ）１００重量％に対する割合
である。
各焼結体につき、電気的特性を下記の要領で測定した。
結果を、下記の表４及び表５に示す。 （１）誘電率ε：誘電体共振器法にて、２５℃の温度で
かつ２ＧＨｚにて測定した。 （２）Ｑ値：誘電体共振法（？）にて、２５℃、２ＧＨ
ｚの条件で測定した。 （３）Ｔｃｆ0 （共振周波数の温度係数）：上記各焼結
体を用いて誘電体共振器を構成し、２５℃における共振
周波数ｆ25及び８５℃における共振周波数ｆ85を測定
し、以下の式に基づいて、Ｔｃｆ0 （単位：ｐｐｍ／
℃）を計算した。 Ｔｃｆ0 ＝（１／ｆ25）・（ｆ85−ｆ25）×１０6 ×（８５−２５）-1 なお、下記の表１，表２におけるａ，ｂで示すＰｂＯ及
びＢｉ2 Ｏ3 の含有割合は（重量％）は、（ｘＢａＯ−
ｙＴｉＯ2 −ｚＬｎＯ3/2 ）１００重量％に対する割合
である。
【００１５】
【表１】
【００１６】
【表２】
【００１７】
【表３】
【００１８】
【表４】
【００１９】
【表５】
【００２０】表４から明らかなように、試料番号１で
は、添加剤が配合されていないため、１０００℃の温度
で焼結しなかった。また、試料番号５では、添加剤Ａの
配合量が６０重量部と、本発明外であるため、比誘電率
εr が３０と小さく、かつガラスが溶出し、Ｔｃｆ0 を
測定することができなかった。これに対して、試料番号
２〜４の焼結体では、請求項１に記載の発明の組成を有
するためか、１０００℃以下で焼結することができ、得
られた焼結体は高い比誘電率εr 及び高いＱ値を示し、
かつＴｃｆ0 も比較的小さいことがわかる。また、添加
剤の種類を添加剤Ｃに変更した試料番号６〜８の焼結体
においては、上述した試料番号２〜４の焼結体と同様
に、組成が本発明の範囲内にあるため、良好な特性を示
すことがわかる。試料番号９〜１２においては、本発明
の範囲内にある組成を有する試料番号９〜１１の焼結体
では良好な特性を有し、しかも１０００℃未満の温度で
焼結を行うことができたのに対し、試料番号１２では、
Ｂｉ2 Ｏ3 の含有割合ｂが２０重量％と本発明外の組成
であるためか、８２５℃で焼成した場合に溶融してしま
い、電気的特性を測定することができなかった。
は、添加剤が配合されていないため、１０００℃の温度
で焼結しなかった。また、試料番号５では、添加剤Ａの
配合量が６０重量部と、本発明外であるため、比誘電率
εr が３０と小さく、かつガラスが溶出し、Ｔｃｆ0 を
測定することができなかった。これに対して、試料番号
２〜４の焼結体では、請求項１に記載の発明の組成を有
するためか、１０００℃以下で焼結することができ、得
られた焼結体は高い比誘電率εr 及び高いＱ値を示し、
かつＴｃｆ0 も比較的小さいことがわかる。また、添加
剤の種類を添加剤Ｃに変更した試料番号６〜８の焼結体
においては、上述した試料番号２〜４の焼結体と同様
に、組成が本発明の範囲内にあるため、良好な特性を示
すことがわかる。試料番号９〜１２においては、本発明
の範囲内にある組成を有する試料番号９〜１１の焼結体
では良好な特性を有し、しかも１０００℃未満の温度で
焼結を行うことができたのに対し、試料番号１２では、
Ｂｉ2 Ｏ3 の含有割合ｂが２０重量％と本発明外の組成
であるためか、８２５℃で焼成した場合に溶融してしま
い、電気的特性を測定することができなかった。
【００２１】また、試料番号１３〜２１では、ランタニ
ド系元素の種類を種々変更したが、いずれも本発明内の
組成であるため、良好な比誘電率、高いＱ値及び小さな
Ｔｃｆ0 を示し、さらに９００℃の温度で焼結が確実に
行われた。これに対して、試料番号２２の焼結体では、
ｙが０．３７と本発明の範囲外であるためか、Ｔｃｆ 0
が−１１６と大きく、温度上昇に伴って共振周波数が著
しく低下し、温度安定性が十分でなかった。試料番号２
３〜２６は、本発明の範囲内の組成を有するため、十分
な電気的特性を示し、かつ１０００℃以下の温度で焼成
することができた。これに対して、試料番号２７では、
主成分における上記ＰｂＯの含有割合ａが２０重量％
と、本発明の範囲外の組成であるため、焼結が不安定で
あり、得られた磁器の電気的特性を測定することができ
なかった。また、試料番号２８では、ｙが０．３０と本
発明外の組成のため、１０００℃で焼結することができ
なかった。
ド系元素の種類を種々変更したが、いずれも本発明内の
組成であるため、良好な比誘電率、高いＱ値及び小さな
Ｔｃｆ0 を示し、さらに９００℃の温度で焼結が確実に
行われた。これに対して、試料番号２２の焼結体では、
ｙが０．３７と本発明の範囲外であるためか、Ｔｃｆ 0
が−１１６と大きく、温度上昇に伴って共振周波数が著
しく低下し、温度安定性が十分でなかった。試料番号２
３〜２６は、本発明の範囲内の組成を有するため、十分
な電気的特性を示し、かつ１０００℃以下の温度で焼成
することができた。これに対して、試料番号２７では、
主成分における上記ＰｂＯの含有割合ａが２０重量％
と、本発明の範囲外の組成であるため、焼結が不安定で
あり、得られた磁器の電気的特性を測定することができ
なかった。また、試料番号２８では、ｙが０．３０と本
発明外の組成のため、１０００℃で焼結することができ
なかった。
【００２２】実施例２ 実施例２は、請求項２に記載の発明にかかる実施例に相
当する。 まず、実施例１で用いたのと同一の主成分原料を用い
て、実施例１と同様にして下記の表６〜８に示す各主成
分の仮焼粉末を得た。他方、実施例１で用いたのと同一
の添加剤原料を用意し、実施例１と同様にして下記の表
９に示す添加剤Ｅ〜Ｑをそれぞれ調製した。次に、表６
〜８に示す試料番号１〜４０の主成分の仮焼粉末１００
重量部と、表６〜８に示した量及び種類の添加剤と、バ
インダとして酢酸ビニル５重量％と仮焼粉末と同重量の
純水とをボールミルに１６時間湿式混合した後、蒸発乾
燥し、整粒することにより顆粒状の粉末を得た。得られ
た顆粒状の粉末を用い、実施例１と同様にして、試料番
号１〜４０の焼結体を得た。得られた試料番号１〜４０
の各焼結体につき、実施例１と同様にして電気的特性を
測定した。結果を、下記の表１０〜１２に示す。
当する。 まず、実施例１で用いたのと同一の主成分原料を用い
て、実施例１と同様にして下記の表６〜８に示す各主成
分の仮焼粉末を得た。他方、実施例１で用いたのと同一
の添加剤原料を用意し、実施例１と同様にして下記の表
９に示す添加剤Ｅ〜Ｑをそれぞれ調製した。次に、表６
〜８に示す試料番号１〜４０の主成分の仮焼粉末１００
重量部と、表６〜８に示した量及び種類の添加剤と、バ
インダとして酢酸ビニル５重量％と仮焼粉末と同重量の
純水とをボールミルに１６時間湿式混合した後、蒸発乾
燥し、整粒することにより顆粒状の粉末を得た。得られ
た顆粒状の粉末を用い、実施例１と同様にして、試料番
号１〜４０の焼結体を得た。得られた試料番号１〜４０
の各焼結体につき、実施例１と同様にして電気的特性を
測定した。結果を、下記の表１０〜１２に示す。
【００２３】
【表６】
【００２４】
【表７】
【００２５】
【表８】
【００２６】
【表９】
【００２７】
【表１０】
【００２８】
【表１１】
【００２９】
【表１２】
【００３０】表１０から明らかなように、試料番号１で
は、添加剤が配合されていないため、１０００℃の温度
で焼結しなかった。また、試料番号５では、添加剤Ｋの
配合比が６０重量％と本発明外であるため、溶融してし
まい、電気特性を測定できなかった。これに対して、請
求項２に記載の発明の範囲にはいる試料番号２〜４の焼
結体では、１０００℃以下で焼結することができ、得ら
れた焼結体が高い比誘電率ε及び高いＱ値を示し、かつ
Ｔｃｆ0 も比較的小さいことがわかる。試料番号６〜１
１では、請求項２に記載の発明の範囲内にあるため、１
０００℃未満の温度で焼結し、かつ良好な電気的特性が
得られている。これに対して、試料番号１２の焼結体で
は、ａ＝２０と、ＰｂＯの含有割合ａが本発明外の組成
であるためか、８００℃で焼成した場合、溶融してしま
い、電気的特性を測定することができなかった。
は、添加剤が配合されていないため、１０００℃の温度
で焼結しなかった。また、試料番号５では、添加剤Ｋの
配合比が６０重量％と本発明外であるため、溶融してし
まい、電気特性を測定できなかった。これに対して、請
求項２に記載の発明の範囲にはいる試料番号２〜４の焼
結体では、１０００℃以下で焼結することができ、得ら
れた焼結体が高い比誘電率ε及び高いＱ値を示し、かつ
Ｔｃｆ0 も比較的小さいことがわかる。試料番号６〜１
１では、請求項２に記載の発明の範囲内にあるため、１
０００℃未満の温度で焼結し、かつ良好な電気的特性が
得られている。これに対して、試料番号１２の焼結体で
は、ａ＝２０と、ＰｂＯの含有割合ａが本発明外の組成
であるためか、８００℃で焼成した場合、溶融してしま
い、電気的特性を測定することができなかった。
【００３１】また、試料番号１３では、主成分の組成式
中のｙが０．７５と、請求項２に記載の発明の範囲外で
あるため、Ｔｃｆ0 が＋１７０とかなり大きく、共振周
波数の温度依存性が著しく大きかった。試料番号１４〜
２１は、ランタニド系元素の種類を種々変更した例に相
当するが、いずれも請求項２に記載の発明の範囲内にあ
るため、高誘電率、高Ｑ値であり、かつ共振周波数の温
度依存性が小さな焼結体の得られていることがわかる。
これに対して、試料番号２２の焼結体では、主成分の組
成式中のｙが０．３７と、請求項２に記載の発明の範囲
外であるため、Ｔｃｆ0 が−１２２と大きく、温度安定
性が十分でなかった。
中のｙが０．７５と、請求項２に記載の発明の範囲外で
あるため、Ｔｃｆ0 が＋１７０とかなり大きく、共振周
波数の温度依存性が著しく大きかった。試料番号１４〜
２１は、ランタニド系元素の種類を種々変更した例に相
当するが、いずれも請求項２に記載の発明の範囲内にあ
るため、高誘電率、高Ｑ値であり、かつ共振周波数の温
度依存性が小さな焼結体の得られていることがわかる。
これに対して、試料番号２２の焼結体では、主成分の組
成式中のｙが０．３７と、請求項２に記載の発明の範囲
外であるため、Ｔｃｆ0 が−１２２と大きく、温度安定
性が十分でなかった。
【００３２】試料番号２３〜２６の各焼結体では、請求
項２に記載の発明の範囲内にある組成を有するため、１
０００℃未満で焼結し、良好な電気的特性を示した。ま
た、試料番号２７では、ＰｂＯの組成分中の含有割合が
２０重量％と本発明の範囲外であるため、焼結状態が不
安定であった。試料番号２８の焼結体では、主成分の組
成式中のｙが０．３０と本発明の範囲外であるため、１
０００℃の温度で焼結しなかった。試料番号２９〜３２
の各焼結体では、添加剤の種類が変更されているが、い
ずれも本発明の範囲内に入る組成を有するため、１００
０℃未満で焼結し、良好な電気的特性を示した。
項２に記載の発明の範囲内にある組成を有するため、１
０００℃未満で焼結し、良好な電気的特性を示した。ま
た、試料番号２７では、ＰｂＯの組成分中の含有割合が
２０重量％と本発明の範囲外であるため、焼結状態が不
安定であった。試料番号２８の焼結体では、主成分の組
成式中のｙが０．３０と本発明の範囲外であるため、１
０００℃の温度で焼結しなかった。試料番号２９〜３２
の各焼結体では、添加剤の種類が変更されているが、い
ずれも本発明の範囲内に入る組成を有するため、１００
０℃未満で焼結し、良好な電気的特性を示した。
【００３３】これに対して、試料番号３３及び３４の焼
結体では、添加剤Ｉ及び添加剤Ｊを用いており、添加剤
Ｉ，Ｊがいずれも請求項２に記載の発明の範囲外の組成
を有するものであるため、１０００℃の温度で焼結しな
かった。試料番号３５〜３７は、添加剤として、添加剤
Ｌ〜Ｎをそれぞれ用いた例に相当するが、いずれも良好
な電気的特性を示し、かつ１０００℃未満の温度で焼結
した。これに対して、試料番号３８〜４０は、本発明の
範囲外の組成の添加剤Ｏ〜Ｑを用いたものであるため
か、１０００℃未満の温度で焼結は進行したものの、比
誘電率εが５５未満と低く、Ｑ値も３８０以下とかなり
低く、さらに共振周波数の温度依存性がかなり大きかっ
た。
結体では、添加剤Ｉ及び添加剤Ｊを用いており、添加剤
Ｉ，Ｊがいずれも請求項２に記載の発明の範囲外の組成
を有するものであるため、１０００℃の温度で焼結しな
かった。試料番号３５〜３７は、添加剤として、添加剤
Ｌ〜Ｎをそれぞれ用いた例に相当するが、いずれも良好
な電気的特性を示し、かつ１０００℃未満の温度で焼結
した。これに対して、試料番号３８〜４０は、本発明の
範囲外の組成の添加剤Ｏ〜Ｑを用いたものであるため
か、１０００℃未満の温度で焼結は進行したものの、比
誘電率εが５５未満と低く、Ｑ値も３８０以下とかなり
低く、さらに共振周波数の温度依存性がかなり大きかっ
た。
【００３４】実施例３ 実施例３は、請求項３に記載の発明についての実施例で
ある。まず、実施例１で用いたのと同一の主成分原料を
用い、実施例１の場合と同様にして下記の表１３〜１５
に示す試料番号１〜３６の各主成分の仮焼粉末を得た。
他方、実施例１で用いたのと同一の添加剤原料を用い、
実施例１と同様にして処理することにより、下記の表１
６に示す添加剤Ｒ〜Ｚを調製した。表１３〜１５の試料
番号１〜３６の主成分の仮焼粉末と、表１３〜１５に示
した割合及び種類の添加剤Ｒ〜Ｚを用い、実施例１と同
様にして試料番号１〜３６の焼結体を得た。次に、得ら
れた試料番号１〜３６の焼結体の電気的特性を、実施例
１と同様にして測定した。結果を、表１７〜１９に示
す。
ある。まず、実施例１で用いたのと同一の主成分原料を
用い、実施例１の場合と同様にして下記の表１３〜１５
に示す試料番号１〜３６の各主成分の仮焼粉末を得た。
他方、実施例１で用いたのと同一の添加剤原料を用い、
実施例１と同様にして処理することにより、下記の表１
６に示す添加剤Ｒ〜Ｚを調製した。表１３〜１５の試料
番号１〜３６の主成分の仮焼粉末と、表１３〜１５に示
した割合及び種類の添加剤Ｒ〜Ｚを用い、実施例１と同
様にして試料番号１〜３６の焼結体を得た。次に、得ら
れた試料番号１〜３６の焼結体の電気的特性を、実施例
１と同様にして測定した。結果を、表１７〜１９に示
す。
【００３５】
【表１３】
【００３６】
【表１４】
【００３７】
【表１５】
【００３８】
【表１６】
【００３９】
【表１７】
【００４０】
【表１８】
【００４１】
【表１９】
【００４２】表１３から明らかなように、試料番号１の
焼結体では添加剤が含有されていないため、１０００℃
の温度で焼結しなかった。また、試料番号５の焼結体で
は、添加剤の配合割合が６０重量％と請求項３に記載の
発明の範囲外であるためか、ガラスが溶出し、共振周波
数の温度変化率を測定することができなかった。これに
対して、試料番号２〜４の本発明の範囲内にある焼結体
では、１０００℃未満で焼結が進行し、高誘電率、高Ｑ
値及び小さなＴｃｆ0 を示した。同様に、試料番号６〜
１１の焼結体においても、本発明の範囲内に入る組成を
有するため、１０００℃未満の温度で焼結され、かつ良
好な電気的特性を示した。これに対して、試料番号１２
の焼結体では、ｂ＝２０重量％と、主成分中のＴｉ2 Ｏ
3 の含有割合が高いためか、８００℃の温度で溶融し、
電気的特性を測定することができなかった。また、試料
番号１３の焼結体では、ｙ＝０．７５と本発明の範囲外
の組成であるためか、共振周波数の温度依存性がＴｃｆ
0 ＝２１４と非常に大きかった。
焼結体では添加剤が含有されていないため、１０００℃
の温度で焼結しなかった。また、試料番号５の焼結体で
は、添加剤の配合割合が６０重量％と請求項３に記載の
発明の範囲外であるためか、ガラスが溶出し、共振周波
数の温度変化率を測定することができなかった。これに
対して、試料番号２〜４の本発明の範囲内にある焼結体
では、１０００℃未満で焼結が進行し、高誘電率、高Ｑ
値及び小さなＴｃｆ0 を示した。同様に、試料番号６〜
１１の焼結体においても、本発明の範囲内に入る組成を
有するため、１０００℃未満の温度で焼結され、かつ良
好な電気的特性を示した。これに対して、試料番号１２
の焼結体では、ｂ＝２０重量％と、主成分中のＴｉ2 Ｏ
3 の含有割合が高いためか、８００℃の温度で溶融し、
電気的特性を測定することができなかった。また、試料
番号１３の焼結体では、ｙ＝０．７５と本発明の範囲外
の組成であるためか、共振周波数の温度依存性がＴｃｆ
0 ＝２１４と非常に大きかった。
【００４３】試料番号１４〜２１は、主成分中のランタ
ニド系元素の種類を種々変更した例に相当するが、いず
れも本発明の範囲内の組成を有するため、１０００℃未
満で焼結が進行し、良好な電気的特性を示した。試料番
号２２の焼結体は、主成分の組成式中ｙ＝０．３７と本
発明の範囲外の組成であるためか、Ｔｃｆ0 が−１１８
と大きく温度安定性が十分でなかった。また、試料番号
２３〜２６の焼結体は、いずれも、本発明の範囲内の組
成を有するため、１０００℃未満の温度で焼結され、高
誘電率、高Ｑ値を示し、かつ共振周波数の温度依存性の
小さいことがわかる。これに対して、試料番号２７の焼
結体では、ａ＝２０重量％と、ＰｂＯの含有割合が本発
明の範囲外であるため、８００℃の温度で焼結したもの
の、焼結状態が不安定であった。
ニド系元素の種類を種々変更した例に相当するが、いず
れも本発明の範囲内の組成を有するため、１０００℃未
満で焼結が進行し、良好な電気的特性を示した。試料番
号２２の焼結体は、主成分の組成式中ｙ＝０．３７と本
発明の範囲外の組成であるためか、Ｔｃｆ0 が−１１８
と大きく温度安定性が十分でなかった。また、試料番号
２３〜２６の焼結体は、いずれも、本発明の範囲内の組
成を有するため、１０００℃未満の温度で焼結され、高
誘電率、高Ｑ値を示し、かつ共振周波数の温度依存性の
小さいことがわかる。これに対して、試料番号２７の焼
結体では、ａ＝２０重量％と、ＰｂＯの含有割合が本発
明の範囲外であるため、８００℃の温度で焼結したもの
の、焼結状態が不安定であった。
【００４４】同様に、試料番号２８の焼結体では、ｙ＝
０．３０と主成分が本発明の範囲外の組成であるため
か、１０００℃の温度で焼結しなかった。試料番号２９
〜３６は、種々の添加剤を使用した例に相当する。試料
番号３３、３５及び３６は、いずれも、請求項３に記載
の発明の範囲外の組成の添加剤である添加剤Ｖ、Ｘまた
はＺを用いているため、試料番号３３ではＱ値が３５０
と非常に低く、試料番号３５，３６の焼結体では１００
０℃の温度で焼結しなかった。これに対して、試料番号
２９〜３２及び試料番号３４の焼結体は、いずれも１０
００℃未満の温度で焼結し、しかも良好な電気的特性を
示した。
０．３０と主成分が本発明の範囲外の組成であるため
か、１０００℃の温度で焼結しなかった。試料番号２９
〜３６は、種々の添加剤を使用した例に相当する。試料
番号３３、３５及び３６は、いずれも、請求項３に記載
の発明の範囲外の組成の添加剤である添加剤Ｖ、Ｘまた
はＺを用いているため、試料番号３３ではＱ値が３５０
と非常に低く、試料番号３５，３６の焼結体では１００
０℃の温度で焼結しなかった。これに対して、試料番号
２９〜３２及び試料番号３４の焼結体は、いずれも１０
００℃未満の温度で焼結し、しかも良好な電気的特性を
示した。
【図１】主成分の三成分系組成図。
【図２】請求項２の発明における添加剤の三成分系組成
図。
図。
【図３】請求項３の発明における添加剤の三成分系組成
図。
図。
Claims (3)
- 【請求項１】 主成分としてのｘＢａＯ−ｙＴｉＯ2 −
ｚＬｎＯ3/2 −ａＰｂＯ−ｂＢｉ2 Ｏ3 （但し、Ｌｎは
ランタニド系元素のうち少なくとも１種を示す。）を１
００重量部に対して、添加剤３〜５０重量部を配合して
なり、 前記ｘ、ｙ及びｚが、 ０．０２≦ｘ≦０．２、 ０．４≦ｙ≦０．７及び ０．１≦ｚ≦０．５８ ｘ＋ｙ＋ｚ＝１ の関係を満たし、前記主成分中において、（ｘＢａＯ−
ｙＴｉＯ2 −ｚＬｎＯ 3/2 ）を１００重量％としたとき
に、前記ａ及びｂが、それぞれ、１７重量％以下の割合
で、前記ＰｂＯ及びＢｉ2 Ｏ3 が含有されており、 前記添加剤が、Ｂ2 Ｏ3 及びＳｉＯ2 のうち少なくとも
１種を含むことを特徴とする、高周波用誘電体磁器組成
物。 - 【請求項２】 主成分としてのｘＢａＯ−ｙＴｉＯ2 −
ｚＬｎＯ3/2 −ａＰｂＯ−ｂＢｉ2 Ｏ3 （但し、Ｌｎは
ランタニド系元素のうち少なくとも１種を示す。）を１
００重量部に対して、添加剤３〜５０重量部を配合して
なり、 前記ｘ、ｙ及びｚが、 ０．０２≦ｘ≦０．２、 ０．４≦ｙ≦０．７及び ０．１≦ｚ≦０．５８ ｘ＋ｙ＋ｚ＝１ の関係を満たし、前記主成分中において、（ｘＢａＯ−
ｙＴｉＯ2 −ｚＬｎＯ 3/2 ）を１００重量％としたとき
に、前記ａ及びｂが、それぞれ、１７重量％以下の割合
で、前記ＰｂＯ及びＢｉ2 Ｏ3 が含有されており、 前記添加剤が、ｄＢ2 Ｏ3 −ｅＳｉＯ2 −ｆＰｂＯであ
り、ｄ、ｅ及びｆが、下記の関係を満たすものであるこ
とを特徴とする、高周波用誘電体磁器組成物。 ０≦ｄ≦０．７０、 ０≦ｅ≦０．７０及び ０．３≦ｆ≦０．７５ ｄ＋ｅ＋ｆ＝１ - 【請求項３】 主成分としてのｘＢａＯ−ｙＴｉＯ2 −
ｚＬｎＯ3/2 −ａＰｂＯ−ｂＢｉ2 Ｏ3 （但し、Ｌｎは
ランタニド系元素のうち少なくとも１種を示す。）を１
００重量部に対して、添加剤３〜５０重量部を配合して
なり、 前記ｘ、ｙ及びｚが、 ０．０２≦ｘ≦０．２、 ０．４≦ｙ≦０．７及び ０．１≦ｚ≦０．５８ ｘ＋ｙ＋ｚ＝１の関係を満たし、前記主成分中におい
て、（ｘＢａＯ−ｙＴｉＯ2 −ｚＬｎＯ 3/2 ）を１００
重量％としたときに、前記ａ及びｂが、それぞれ、１７
重量％以下の割合で、前記ＰｂＯ及びＢｉ2 Ｏ3 が含有
されており、 前記添加剤が、ｇＢ2 Ｏ3 −ｈＳｉＯ2 −ｉＺｎＯであ
り、前記ｇ、ｈ及びｉが、下記の関係を満たすものであ
ることを特徴とする、高周波用誘電体磁器組成物。 ０．０５≦ｇ≦０．７、 ０≦ｈ≦０．２５及び ０．３≦ｉ≦０．７ ｇ＋ｈ＋ｉ＝１
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3262212A JPH0597508A (ja) | 1991-10-09 | 1991-10-09 | 高周波用誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3262212A JPH0597508A (ja) | 1991-10-09 | 1991-10-09 | 高周波用誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0597508A true JPH0597508A (ja) | 1993-04-20 |
Family
ID=17372639
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3262212A Pending JPH0597508A (ja) | 1991-10-09 | 1991-10-09 | 高周波用誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0597508A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999062840A1 (fr) * | 1996-11-07 | 1999-12-09 | Sumitomo Special Metals Co., Ltd. | Composition ceramique dielectrique hyperfrequence |
| WO1999062839A1 (fr) * | 1998-06-04 | 1999-12-09 | Sumitomo Special Metals Co., Ltd. | Composition ceramique dielectrique hyperfrequence |
| US6184165B1 (en) | 1998-07-15 | 2001-02-06 | Tdk Corporation | Dielectric porcelain composition |
| US6274526B1 (en) * | 1999-11-25 | 2001-08-14 | Ube Industries, Ltd. | Dielectric ceramic composition for microwave |
| US6340649B1 (en) | 1999-03-16 | 2002-01-22 | Tdk Corporation | Composition of dielectric ceramics and producing method thereof |
| JP2002326868A (ja) * | 2001-05-01 | 2002-11-12 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 誘電体磁器組成物及びそれを用いた磁器コンデンサ並びにそれらの製造方法 |
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| JP2003020271A (ja) * | 2001-05-01 | 2003-01-24 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 誘電体磁器組成物及びそれを用いた磁器コンデンサ並びにそれらの製造方法 |
-
1991
- 1991-10-09 JP JP3262212A patent/JPH0597508A/ja active Pending
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