JP3100173B2 - マイクロ波誘電体磁器組成物 - Google Patents
マイクロ波誘電体磁器組成物Info
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- JP3100173B2 JP3100173B2 JP03049044A JP4904491A JP3100173B2 JP 3100173 B2 JP3100173 B2 JP 3100173B2 JP 03049044 A JP03049044 A JP 03049044A JP 4904491 A JP4904491 A JP 4904491A JP 3100173 B2 JP3100173 B2 JP 3100173B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マイクロ波誘電体磁器
組成物に関し、更に詳しく言えば、Ｑ値、比誘電率及び
共振周波数の温度係数においてバランスが取れた性能を
確保しつつ特に適性な温度係数を有するマイクロ波誘電
体磁器組成物に関する。本発明はマイクロ波領域におい
て誘電体共振器、マイクロ波集積回路基板、各種マイク
ロ波回路のインピーダンス整合等に利用される。
組成物に関し、更に詳しく言えば、Ｑ値、比誘電率及び
共振周波数の温度係数においてバランスが取れた性能を
確保しつつ特に適性な温度係数を有するマイクロ波誘電
体磁器組成物に関する。本発明はマイクロ波領域におい
て誘電体共振器、マイクロ波集積回路基板、各種マイク
ロ波回路のインピーダンス整合等に利用される。
【０００２】
【従来の技術】従来のマイクロ波誘電体磁器組成物とし
ては、ＺｒＯ2 −ＳｎＯ2 −ＴｉＯ2 系磁器組成物、Ｂ
ａＯ−ＴｉＯ2 系磁器組成物及びその一部を他の元素で
置換した磁器組成物（特公平１−３７８０７号公報）等
が知られている。
ては、ＺｒＯ2 −ＳｎＯ2 −ＴｉＯ2 系磁器組成物、Ｂ
ａＯ−ＴｉＯ2 系磁器組成物及びその一部を他の元素で
置換した磁器組成物（特公平１−３７８０７号公報）等
が知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の磁器組
成物では、比誘電率若しくはＱ値が小さかったり、又は
所望の温度係数が得られなかったりする等の問題があ
る。特に、比誘電率、Ｑ値及び温度係数の性能がいずれ
も優れた、異なった組成を有する新規なマイクロ波誘電
体磁器組成物が望まれている。特に、ＢａＯ・４ＴｉＯ
2 （ＢａＴｉ4 Ｏ9 ）の組成を有する誘電体磁器は、マ
イクロ波用誘電体として知られている。しかし、この磁
器は、誘電率εr が約３８程度、無負荷Ｑ値が約３００
０程度と高い値を示すが、共振周波数の温度係数τf が
約＋５０ｐｐｍ／℃と大きいため、マイクロ波共振器と
して設計する場合、温度に安定した性能を有するものを
得ることができなかった。この為、前記τf が０近傍の
ものが望まれていた。本発明は、上記観点に鑑みてなさ
れたものであり、高いＱ値、比誘電率を維持しつつ実用
的な温度係数（０に近づけたもの）を示し、優れた性能
バランスを有するマイクロ波誘電体磁器組成物（以下、
単に誘電体磁器組成物という。）を提供することを目的
とする。
成物では、比誘電率若しくはＱ値が小さかったり、又は
所望の温度係数が得られなかったりする等の問題があ
る。特に、比誘電率、Ｑ値及び温度係数の性能がいずれ
も優れた、異なった組成を有する新規なマイクロ波誘電
体磁器組成物が望まれている。特に、ＢａＯ・４ＴｉＯ
2 （ＢａＴｉ4 Ｏ9 ）の組成を有する誘電体磁器は、マ
イクロ波用誘電体として知られている。しかし、この磁
器は、誘電率εr が約３８程度、無負荷Ｑ値が約３００
０程度と高い値を示すが、共振周波数の温度係数τf が
約＋５０ｐｐｍ／℃と大きいため、マイクロ波共振器と
して設計する場合、温度に安定した性能を有するものを
得ることができなかった。この為、前記τf が０近傍の
ものが望まれていた。本発明は、上記観点に鑑みてなさ
れたものであり、高いＱ値、比誘電率を維持しつつ実用
的な温度係数（０に近づけたもの）を示し、優れた性能
バランスを有するマイクロ波誘電体磁器組成物（以下、
単に誘電体磁器組成物という。）を提供することを目的
とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者は、ＢａＯ・４
ＴｉＯ2（ＢａＴｉ4Ｏ9）に、所定量のＳｎＯ2を含有さ
せることによって、τfを可及的に０に近づけることに
成功して、本発明を完成するに至ったのである。即ち、
本発明の誘電体磁器組成物は、Ｂａ酸化物、Ｔｉ酸化
物、およびＳｎ酸化物のみからなる組成物であって、１
２７５〜１３００℃で焼成してなり、ＢａＯ・４ＴｉＯ
2（ＢａＴｉ4Ｏ9）を主成分とし、これにＳｎＯ2を５〜
１５重量％含有することを特徴とする。ＳｎＯ2を含有
させるのは、これを含まないＢａＯ・４ＴｉＯ2（Ｂａ
Ｔｉ4Ｏ9）はプラス側の大きなτfを示すが、このＳｎ
Ｏ2の添加により、このτfをマイナス側に移行させるこ
とができるからである。この添加量が５重量％未満では
添加効果が十分に発揮されず、１５重量％を越えると他
の特性の無負荷Ｑ値や比誘電率が著しく低下して実用に
供し得なくなる。本磁器組成物は、所定の原料を所定量
混合し、焼結して製造される。例えば、焼結後ＢａＯと
なる原料粉末とＴｉＯ2粉末とＳｎＯ2粉末とを前記組成
式に相当する量を混合仮焼し、これを粉砕して仮焼粉末
を製造し、この仮焼粉末を成形し、上記温度範囲で焼成
して製造することができる。
ＴｉＯ2（ＢａＴｉ4Ｏ9）に、所定量のＳｎＯ2を含有さ
せることによって、τfを可及的に０に近づけることに
成功して、本発明を完成するに至ったのである。即ち、
本発明の誘電体磁器組成物は、Ｂａ酸化物、Ｔｉ酸化
物、およびＳｎ酸化物のみからなる組成物であって、１
２７５〜１３００℃で焼成してなり、ＢａＯ・４ＴｉＯ
2（ＢａＴｉ4Ｏ9）を主成分とし、これにＳｎＯ2を５〜
１５重量％含有することを特徴とする。ＳｎＯ2を含有
させるのは、これを含まないＢａＯ・４ＴｉＯ2（Ｂａ
Ｔｉ4Ｏ9）はプラス側の大きなτfを示すが、このＳｎ
Ｏ2の添加により、このτfをマイナス側に移行させるこ
とができるからである。この添加量が５重量％未満では
添加効果が十分に発揮されず、１５重量％を越えると他
の特性の無負荷Ｑ値や比誘電率が著しく低下して実用に
供し得なくなる。本磁器組成物は、所定の原料を所定量
混合し、焼結して製造される。例えば、焼結後ＢａＯと
なる原料粉末とＴｉＯ2粉末とＳｎＯ2粉末とを前記組成
式に相当する量を混合仮焼し、これを粉砕して仮焼粉末
を製造し、この仮焼粉末を成形し、上記温度範囲で焼成
して製造することができる。
【０００５】
【実施例】以下実施例により本発明を具体的に説明す
る。 （１）各試料の作製 純度９９．９％のＢａＣＯ3 粉末と純度９９．９％のＴ
ｉＯ2 粉末と純度９９．８％のＳｎＯ2 粉末とを、Ｂａ
ＯとＴｉＯ2 との組成ではＢａＯ・４ＴｉＯ2 （ＢａＴ
ｉ4 Ｏ9 ）となる組成、且つこれに表１及び表２に示す
ように５、１０、１５重量％（前記ＢａＯ・４ＴｉＯ2
に対する）のＳｎＯ2 の添加となる組成になるように、
所定量（全量で約６５０ｇ）秤量混合し、アイリッヒミ
キサーで乾式による一次粉砕及び混合を施した。その
後、大気雰囲気中１１００℃の温度で２時間仮焼した。
次いで、この仮焼粉末に適量の有機バインダー（ポリビ
ニルアルコールの約２９ｇ）とイオン交換水（約３００
〜５００ｇ）を加え、２０ｍｍφのアルミナボールで二
次粉砕した後、噴霧乾燥により造粒し、この造粒された
素地を１０００ｋｇ／ｃｍ2 のプレス圧で１９ｍｍφ×
１０ｍｍｔ（厚さ）の円柱状に成形した。次に、この成
形体を大気中、１２５０℃（試料Ｎｏ．１〜３）、１２
７５℃（試料Ｎｏ．４〜６）、１３００℃（試料Ｎｏ．
７〜９）、１３２５℃（試料Ｎｏ．１０〜１２）、１３
５０℃（試料Ｎｏ．１３〜１５）及び１３７５℃（試料
Ｎｏ．１６〜１８）の各温度で、４時間焼成し、最後
に、１６ｍｍφ×８ｍｍｔ（厚さ）の円柱状に研磨し
て、誘電体試料（Ｎｏ．１〜１８）とした。そして、Ｑ
ｕ値と比誘電率εr は、平行導体板型誘電体共振器法を
用いてＴＥ011 モードより測定した。共振周波数の温度
係数τf は−３０〜８０℃の範囲で測定した。共振周波
数はほぼ４．５ＧＨｚである。
る。 （１）各試料の作製 純度９９．９％のＢａＣＯ3 粉末と純度９９．９％のＴ
ｉＯ2 粉末と純度９９．８％のＳｎＯ2 粉末とを、Ｂａ
ＯとＴｉＯ2 との組成ではＢａＯ・４ＴｉＯ2 （ＢａＴ
ｉ4 Ｏ9 ）となる組成、且つこれに表１及び表２に示す
ように５、１０、１５重量％（前記ＢａＯ・４ＴｉＯ2
に対する）のＳｎＯ2 の添加となる組成になるように、
所定量（全量で約６５０ｇ）秤量混合し、アイリッヒミ
キサーで乾式による一次粉砕及び混合を施した。その
後、大気雰囲気中１１００℃の温度で２時間仮焼した。
次いで、この仮焼粉末に適量の有機バインダー（ポリビ
ニルアルコールの約２９ｇ）とイオン交換水（約３００
〜５００ｇ）を加え、２０ｍｍφのアルミナボールで二
次粉砕した後、噴霧乾燥により造粒し、この造粒された
素地を１０００ｋｇ／ｃｍ2 のプレス圧で１９ｍｍφ×
１０ｍｍｔ（厚さ）の円柱状に成形した。次に、この成
形体を大気中、１２５０℃（試料Ｎｏ．１〜３）、１２
７５℃（試料Ｎｏ．４〜６）、１３００℃（試料Ｎｏ．
７〜９）、１３２５℃（試料Ｎｏ．１０〜１２）、１３
５０℃（試料Ｎｏ．１３〜１５）及び１３７５℃（試料
Ｎｏ．１６〜１８）の各温度で、４時間焼成し、最後
に、１６ｍｍφ×８ｍｍｔ（厚さ）の円柱状に研磨し
て、誘電体試料（Ｎｏ．１〜１８）とした。そして、Ｑ
ｕ値と比誘電率εr は、平行導体板型誘電体共振器法を
用いてＴＥ011 モードより測定した。共振周波数の温度
係数τf は−３０〜８０℃の範囲で測定した。共振周波
数はほぼ４．５ＧＨｚである。
【０００６】（２）性能評価 前記の各誘電体試料の特性を調べ、その結果を表１（焼
成温度；１２５０、１２７５、１３００℃）及び表２
（焼成温度；１３２５、１３５０、１３７５℃）に示し
た。
成温度；１２５０、１２７５、１３００℃）及び表２
（焼成温度；１３２５、１３５０、１３７５℃）に示し
た。
【表１】
【表２】 これらの結果によれば、ＳｎＯ2 の添加量の増加ととも
にＱｕ値が減少する。そして、焼成温度が低い程Ｑｕ値
は高い傾向にある。εr はＳｎＯ2 の添加量の増加とと
もにやや減少し、焼成温度が高い程εr は高い傾向にあ
るが、いずれの場合も２９以上の高い値を示している。
また、τf はＳｎＯ2 の添加量の増加とともにプラスの
値からマイナスの値へと向かう。特に、焼成温度が高温
になるに従って、そのτf のマイナス方向への低下が著
しくなる。例えば、焼成温度が１３７５℃でＳｎＯ2 の
添加量が１５重量％（Ｎｏ．１８）では、−０．９６ｐ
ｐｍ／℃となる。特に、この場合はＱｕ値の高さよりも
τf の低さに着目する利用分野では有用となる。また、
焼結密度は、焼成温度が１３２５℃を越えるとあまり変
わらないが、１２７５℃以上の場合には、いずれのもの
も４．３ｇ／ｃｍ3 以上の高密度となる。
にＱｕ値が減少する。そして、焼成温度が低い程Ｑｕ値
は高い傾向にある。εr はＳｎＯ2 の添加量の増加とと
もにやや減少し、焼成温度が高い程εr は高い傾向にあ
るが、いずれの場合も２９以上の高い値を示している。
また、τf はＳｎＯ2 の添加量の増加とともにプラスの
値からマイナスの値へと向かう。特に、焼成温度が高温
になるに従って、そのτf のマイナス方向への低下が著
しくなる。例えば、焼成温度が１３７５℃でＳｎＯ2 の
添加量が１５重量％（Ｎｏ．１８）では、−０．９６ｐ
ｐｍ／℃となる。特に、この場合はＱｕ値の高さよりも
τf の低さに着目する利用分野では有用となる。また、
焼結密度は、焼成温度が１３２５℃を越えるとあまり変
わらないが、１２７５℃以上の場合には、いずれのもの
も４．３ｇ／ｃｍ3 以上の高密度となる。
【０００７】更に、焼結体の結晶構造を検討するために
前記試験Ｎｏ．１６（焼成温度；１３７５℃、ＳｎＯ2
添加量；５重量％）とＮｏ．１８（焼成温度；１３７５
℃、ＳｎＯ2 添加量；１５重量％）とＮｏ．９（焼成温
度；１３００℃、ＳｎＯ2 添加量；１５重量％）の焼結
体のＸ線回折を実施し、その結果を各々図１、図２及び
図３に示した。尚、表中の●印はＢａＴｉ4 Ｏ9 、○印
はＢａ2 Ｔｉ9 Ｏ20、△印はＢａ2 Ｔｉ5 Ｏ12、Ｓｎは
ＳｎＯ2 の各帰属ピークを示す。図１と図２の結果によ
れば、ＳｎＯ2 の添加量の増加に従って、ＢａＴｉ4 Ｏ
9 が減少し、代わってＢａ2 Ｔｉ9 Ｏ20が増加した。こ
れは、ＳｎＯ2 の増加に伴ってＱｕ値が減少してプラス
からマイナスの方向へ向かうことと対応している。ま
た、図１と図３に示すように、ＳｎＯ2 の同添加量（１
５重量％）の場合、焼成温度を比較すると、１３００℃
ではＢａＴｉ4 Ｏ9 が中心組成であり、１３７５℃では
Ｂａ2 Ｔｉ9 Ｏ20が中心組成であった。これは、１３７
５℃よりも１３００℃焼成の方がＱｕ値がプラスの方に
高くなるという結果と対応している。以上より、ＢａＴ
ｉ4 Ｏ9 ＋ＳｎＯ2 系において、Ｑｕ値及びτf の挙動
は、ＢａＴｉ4 Ｏ9 とＢａ2 Ｔｉ9 Ｏ20の生成量の影響
を受けていると考えられる。従って、ＢａＴｉ4 Ｏ9 と
Ｂａ2 Ｔｉ9 Ｏ20の組成比を変えることにより、目的、
用途に応じた種々のＱｕ値又はτf を具備するものとす
ることができる。以上より、比誘電率、Ｑｕ値及び焼結
密度を大きくとり、且つ温度係数τf をできるだけ０に
近づけたい場合には、各設定値に応じて、ＳｎＯ2 の添
加量及び焼成温度を適宜選択することができる。即ち、
ＳｎＯ2 の添加量が５〜１５重量％の場合τf を約−１
〜＋１２ｐｐｍ／℃とすることができる。また、以下の
特性を満足する場合には、ＳｎＯ2 の添加量を１５重量
％以下とするとともに焼成温度を１２５０〜１３５０℃
とすることができる。 比誘電率εr ；２８〜３６ Ｑｕ値；１２００〜２６００（４．５ＧＨｚの場合） 温度係数τf ；＋２〜１２ ｐｐｍ／℃ このうち、特に焼成密度を４．３ｇ／ｃｍ3 以上にする
には１２７５℃〜１３５０℃にて焼成することができ、
この場合は、全ての性能のバランスが大変よい。尚、本
考案においては、前記具体的実施例に示すものに限られ
ず、目的、用途に応じて本考案の範囲内で種々変更した
実施例とすることができる。即ち、前記仮焼温度等の仮
焼条件、焼成温度等の焼成条件等は種々選択できる。ま
た、ＢａＯとなる原料も前記ＢａＣＯ3 以外にも、過酸
化物、水酸化物、硝酸塩等を用いることもできる。
前記試験Ｎｏ．１６（焼成温度；１３７５℃、ＳｎＯ2
添加量；５重量％）とＮｏ．１８（焼成温度；１３７５
℃、ＳｎＯ2 添加量；１５重量％）とＮｏ．９（焼成温
度；１３００℃、ＳｎＯ2 添加量；１５重量％）の焼結
体のＸ線回折を実施し、その結果を各々図１、図２及び
図３に示した。尚、表中の●印はＢａＴｉ4 Ｏ9 、○印
はＢａ2 Ｔｉ9 Ｏ20、△印はＢａ2 Ｔｉ5 Ｏ12、Ｓｎは
ＳｎＯ2 の各帰属ピークを示す。図１と図２の結果によ
れば、ＳｎＯ2 の添加量の増加に従って、ＢａＴｉ4 Ｏ
9 が減少し、代わってＢａ2 Ｔｉ9 Ｏ20が増加した。こ
れは、ＳｎＯ2 の増加に伴ってＱｕ値が減少してプラス
からマイナスの方向へ向かうことと対応している。ま
た、図１と図３に示すように、ＳｎＯ2 の同添加量（１
５重量％）の場合、焼成温度を比較すると、１３００℃
ではＢａＴｉ4 Ｏ9 が中心組成であり、１３７５℃では
Ｂａ2 Ｔｉ9 Ｏ20が中心組成であった。これは、１３７
５℃よりも１３００℃焼成の方がＱｕ値がプラスの方に
高くなるという結果と対応している。以上より、ＢａＴ
ｉ4 Ｏ9 ＋ＳｎＯ2 系において、Ｑｕ値及びτf の挙動
は、ＢａＴｉ4 Ｏ9 とＢａ2 Ｔｉ9 Ｏ20の生成量の影響
を受けていると考えられる。従って、ＢａＴｉ4 Ｏ9 と
Ｂａ2 Ｔｉ9 Ｏ20の組成比を変えることにより、目的、
用途に応じた種々のＱｕ値又はτf を具備するものとす
ることができる。以上より、比誘電率、Ｑｕ値及び焼結
密度を大きくとり、且つ温度係数τf をできるだけ０に
近づけたい場合には、各設定値に応じて、ＳｎＯ2 の添
加量及び焼成温度を適宜選択することができる。即ち、
ＳｎＯ2 の添加量が５〜１５重量％の場合τf を約−１
〜＋１２ｐｐｍ／℃とすることができる。また、以下の
特性を満足する場合には、ＳｎＯ2 の添加量を１５重量
％以下とするとともに焼成温度を１２５０〜１３５０℃
とすることができる。 比誘電率εr ；２８〜３６ Ｑｕ値；１２００〜２６００（４．５ＧＨｚの場合） 温度係数τf ；＋２〜１２ ｐｐｍ／℃ このうち、特に焼成密度を４．３ｇ／ｃｍ3 以上にする
には１２７５℃〜１３５０℃にて焼成することができ、
この場合は、全ての性能のバランスが大変よい。尚、本
考案においては、前記具体的実施例に示すものに限られ
ず、目的、用途に応じて本考案の範囲内で種々変更した
実施例とすることができる。即ち、前記仮焼温度等の仮
焼条件、焼成温度等の焼成条件等は種々選択できる。ま
た、ＢａＯとなる原料も前記ＢａＣＯ3 以外にも、過酸
化物、水酸化物、硝酸塩等を用いることもできる。
【０００８】
【発明の効果】以上のように、本発明の誘電体磁器組成
物は、Ｑｕ値、比誘電率εr 及び共振周波数の温度係数
τf が全て実用的範囲にあり、その性能バランスがよ
い。特に温度係数が０に近づいた値となり、マイクロ波
共振器として設計する場合、温度に対して安定した性能
を示す。
物は、Ｑｕ値、比誘電率εr 及び共振周波数の温度係数
τf が全て実用的範囲にあり、その性能バランスがよ
い。特に温度係数が０に近づいた値となり、マイクロ波
共振器として設計する場合、温度に対して安定した性能
を示す。
【図１】実施例において製造された試料Ｎｏ．１６の焼
結体のＸ線回折の結果を示す説明図である。
結体のＸ線回折の結果を示す説明図である。
【図２】実施例において製造された試料Ｎｏ．１８の焼
結体のＸ線回折の結果を示す説明図である。
結体のＸ線回折の結果を示す説明図である。
【図３】実施例において製造された試料Ｎｏ．９の焼結
体のＸ線回折の結果を示す説明図である。
体のＸ線回折の結果を示す説明図である。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−18805（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−36064（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−264359（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−292509（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C04B 35/42 - 35/49 ＣＡ（ＳＴＮ) ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ)
Claims (2)
- 【請求項１】 Ｂａ酸化物、Ｔｉ酸化物、およびＳｎ酸
化物のみからなる組成物であって、ＢａＯ・４ＴｉＯ2
（ＢａＴｉ4Ｏ9）を主成分とし、これにＳｎＯ2を５〜
１５重量％含有することを特徴とするマイクロ波誘電体
磁器組成物。 - 【請求項２】 焼結後ＢａＯとなる原料粉末とＴｉＯ 2
粉末とＳｎＯ 2 粉末とを混合仮焼し、これを粉砕して仮
焼粉末を製造し、該仮焼粉末を成形し、１２７５〜１３
００℃で焼成してなる請求項１記載のマイクロ波誘電体
磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03049044A JP3100173B2 (ja) | 1991-02-20 | 1991-02-20 | マイクロ波誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03049044A JP3100173B2 (ja) | 1991-02-20 | 1991-02-20 | マイクロ波誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04265271A JPH04265271A (ja) | 1992-09-21 |
| JP3100173B2 true JP3100173B2 (ja) | 2000-10-16 |
Family
ID=12820088
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03049044A Expired - Fee Related JP3100173B2 (ja) | 1991-02-20 | 1991-02-20 | マイクロ波誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3100173B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102612270B1 (ko) | 2021-08-18 | 2023-12-11 | 주식회사동일기술공사 | 원격시공용 거더의 전도방지장치 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114409396B (zh) * | 2021-11-18 | 2022-11-29 | 无锡鑫圣慧龙纳米陶瓷技术有限公司 | 高温度稳定型wifi用微波介质陶瓷及其制备方法 |
-
1991
- 1991-02-20 JP JP03049044A patent/JP3100173B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102612270B1 (ko) | 2021-08-18 | 2023-12-11 | 주식회사동일기술공사 | 원격시공용 거더의 전도방지장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04265271A (ja) | 1992-09-21 |
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