JP3225828B2 - 高周波用誘電体組成物 - Google Patents
高周波用誘電体組成物Info
- Publication number
- JP3225828B2 JP3225828B2 JP03064796A JP3064796A JP3225828B2 JP 3225828 B2 JP3225828 B2 JP 3225828B2 JP 03064796 A JP03064796 A JP 03064796A JP 3064796 A JP3064796 A JP 3064796A JP 3225828 B2 JP3225828 B2 JP 3225828B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric
- weight
- glass
- composition
- high frequency
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
される素子を構成する誘電体として有効な高周波用誘電
体組成物に関する。
ィルタ等の部品の小型・高信頼化には、多層デバイスが
有効である。この場合、多層デバイス用材料は、ある程
度高い誘電率(ε=10以上)、高いQ(即ち、低い誘
電損失)を示し、CuやAg/Pd導体との同時焼成が
必要であることから、1000℃以下での焼成が可能で
あること、即ち、1000℃以下の焼成で十分に緻密化
することが必要とされる。
波用誘電体として BaO−Al2 O3 −B2 O3 −SiO2 又はBa
O−SrO−ZrO2−SiO2 系ガラス材料 Pb含有ペロブスカイト系材料 Bi含有系材料 セラミックス−ガラス複合系材料 が開発され、使用されている。
あった。即ち、Pb含有ペロブスカイト系やBi含有系
材料では、焼成中の成分揮発による組成のズレが発生
し、安定な製造が困難である。また、BaO−Al2 O
3 −B2 O3 −SiO2 又はBaO−SrO−ZrO2
−SiO2 系ガラス材料やセラミックス−ガラス複合系
材料では、誘電率が、それぞれε=6,ε=15と低
く、Qも1000程度(1MHz)と比較的小さい。
使用される素子の小型・高信頼化に有効な多層デバイス
用材料として有用な、誘電率及びQが共に高く、100
0℃以下での焼成が可能な高周波用誘電体組成物とし
て、本出願人は先に、Sr(Ni1/3 Nb2/3 )O3 を
主成分とし、該主成分に対し0.1〜50重量%のガラ
スを添加したことを特徴とする高周波用誘電体組成物を
提案した(特願平7−292750号。以下「先願」と
いう。)。
1/3 Nb2/3 )O3 −(MgO−BaO−B2 O3 −S
iO2 )ガラス系材料であれば、Q,εを低下させるこ
となく、1000℃以下での焼成が可能であるが、この
材料は、共振周波数の温度係数τf が−40ppm/℃
と負に大きな値を示し、誘電体共振器等には使用できな
いという欠点がある。また、誘電率の温度係数τεも、
60ppm/℃と正に大きな値を示し、温度補償用のコ
ンデンサ材料としても不適当である。
3 −(MgO−BaO−B2 O3 −SiO2 )ガラス系
材料の問題点を解決し、共振周波数の温度係数τf 及び
誘電率の温度係数τεの絶対値が小さい、高特性高周波
用誘電体組成物を提供することを目的とする。
組成物は、主成分としてのSr(Ni1/3N
b2/3)O3と、TiO2,SrTiO3及びCaT
iO3よりなる群から選ばれる1種又は2種以上の副成
分とからなる誘電体成分であって、誘電体成分中のTi
O2の割合が25モル%以下、SrTiO3の割合が
6.5モル%以下、CaTiO3の割合が13.3モル
%以下である誘電体成分に対して、0.1〜50重量%
のガラスを添加してなる高周波用誘電体組成物であっ
て、該ガラスが下記組成のMgO−BaO−B 2 O 3 −
SiO 2 系ガラスであることを特徴とする高周波用誘電
体組成物。MgO :20〜50重量% BaO : 5〜25重量% B 2 O 3 :15〜30重量% SiO 2 :10〜25重量%
−BaO−B2 O3 −SiO2 )ガラス系材料に、Ti
O2 ,SrTiO3 及びCaTiO3 よりなる群から選
ばれる1種又は2種以上を所定割合で添加することによ
り、−40ppm/℃≦τf≦20ppm/℃(−60
ppm/℃≦τε≦60ppm/℃)よりなる範囲で、
下記式に従って、任意のτf ないしτε値を有する誘電
体組成物を得ることができる。
組成物を多層デバイス用材料として用いる場合は、前記
誘電体成分に対するガラス添加量を1〜40重量%とす
ることが望ましい。
(Ni1/3Nb2/3)O3の主成分と、TiO2,
SrTiO3及びCaTiO3よりなる群から選ばれる
1種又は2種以上の副成分とからなり、 TiO2≦25モル% SrTiO3≦6.5モル% CaTiO3≦13.3モル% である誘電体成分に対して特定組成のMgO−BaO−
B 2 O 3 −SiO 2 系ガラスを0.1〜50重量%添加
したものである。
が上記範囲より多いと副成分の割合が多過ぎてτf >2
0(τε<−60)となり好ましくない。
で20モル%以下であることが好ましい。
加量が0.1重量%未満では、1000℃以下の焼成で
十分に緻密化することができず、Qが低いものとなる。
主成分に対するガラスの添加量が50重量%を超えると
相対的に誘電体成分の含有量が少なくなるために、誘電
率及びQが低下する。
ラス添加量を1〜40重量%、特に2〜30重量%とし
た場合、誘電率及びQが共に著しく高い高周波用誘電体
組成物を得ることができる。
MgO−BaO−B2O3−SiO2系ガラスを用い、
その組成割合は、下記の通りである。
ラス組成(重量%) MgO :20〜50 BaO : 5〜25 B2 O3 :15〜30 SiO2 :10〜25 本発明の高周波用誘電体組成物は、Sr(Ni1/3 Nb
2/3 )O3 を構成する金属元素の酸化物又は炭酸塩、例
えば、SrCO3 ,NiO及びNb2 O5 を、Sr(N
i1/3 Nb2/3 )O3 組成比となるように混合、仮焼し
て得られるSr(Ni1/3 Nb2/3 )O3 主成分と、T
iO2 、或いは、SrTiO3 ,CaTiO3 組成とな
るように、SrCO3 ,CaCO3 ,TiO2 を同様に
混合、仮焼して得られた副成分と、更に、所定割合のガ
ラスを添加混合することにより容易に調製することがで
き、このような発明の高周波用誘電体組成物は、適当な
バインダを添加して成形し、1000℃以下、例えば9
50〜980℃で焼成することにより、容易に使用に供
することができる。
主成分及びTiO2,SrTiO3及びCaTiO3の
1種又は2種以上の副成分よりなる誘電体成分に、Mg
O−BaO−B2O3−SiO2系ガラスを添加する場
合、ガラス成分と同重量比の各酸化物又は相当量の炭酸
塩を誘電体成分に添加混合し、熱処理時にガラス化と焼
成とを同時に行っても良いが、予め製造したガラスフリ
ットとして添加するのが望ましい。
説明する。
b2/3 )O3 の化学量論比となるように秤量し、2−プ
ロパノールを分散媒として、24時間ボールミルで粉砕
・混合した後、乾燥し、その後、大気中にて1350℃
で4時間仮焼した。仮焼物を再度2−プロパノールを分
散媒として、24時間ボールミルで粉砕・混合し、Sr
(Ni1/3 Nb2/3 )O3 を合成した。
iO2 、或いは、SrCO3 又はCaCO3 とTiO2
を原料として上記と同様に粉砕、混合、乾燥、仮焼、粉
砕、混合して得られたSrTiO3 又はCaTiO3 と
を表1に示す割合で秤量し、この誘電体成分に対して、
MgO−BaO−B2 O3 −SiO2 系ガラス(成分重
量比MgO:BaO:B2 O3 :SiO2 =45:1
5:25:15)フリットを10重量%添加混合し、バ
インダ(5重量%ポリビニルアルコール水溶液)を混合
物に対して20重量%加えて、直径15mm、厚み1.
5mmのペレットに成形し、大気中にて980℃で1時
間焼成した。
数τf 及び誘電率の温度係数τεを測定し、結果を表1
に示した。
電体組成物は、Q,εが共に高く、1000℃以下での
焼成も可能である上に、共振周波数の温度係数τf 及び
誘電率の温度係数τεがいずれも良好な値を示す高特性
高周波用誘電体組成物である。このため、本発明によれ
ば、誘電体共振器、或いは、温度補償用コンデンサ材料
としての高特性多層デバイスを構成することにより、高
周波回路に使用される素子の小型・高信頼化を有効に達
成することができる。
Claims (2)
- 【請求項1】 主成分としてのSr(Ni1/3Nb
2/3)O3と、TiO2,SrTiO3及びCaTi
O3よりなる群から選ばれる1種又は2種以上の副成分
とからなる誘電体成分であって、誘電体成分中のTiO
2の割合が25モル%以下、SrTiO3の割合が6.
5モル%以下、CaTiO3の割合が13.3モル%以
下である誘電体成分に対して、0.1〜50重量%のガ
ラスを添加してなる高周波用誘電体組成物であって、該
ガラスが下記組成のMgO−BaO−B 2 O 3 −SiO
2 系ガラスであることを特徴とする高周波用誘電体組成
物。MgO :20〜50重量% BaO : 5〜25重量% B 2 O 3 :15〜30重量% SiO 2 :10〜25重量% - 【請求項2】 請求項1の組成物において、該ガラスを
前記誘電体成分に対して1〜40重量%添加したことを
特徴とする高周波用誘電体組成物。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP03064796A JP3225828B2 (ja) | 1996-02-19 | 1996-02-19 | 高周波用誘電体組成物 |
TW085113434A TW416063B (en) | 1995-11-10 | 1996-11-04 | Dielectric composition for high frequency |
US08/745,770 US5723396A (en) | 1995-11-10 | 1996-11-08 | Dielectric composition for high frequencies |
KR1019960053034A KR100434004B1 (ko) | 1995-11-10 | 1996-11-09 | 고주파용 유전체 조성물 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP03064796A JP3225828B2 (ja) | 1996-02-19 | 1996-02-19 | 高周波用誘電体組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09227229A JPH09227229A (ja) | 1997-09-02 |
JP3225828B2 true JP3225828B2 (ja) | 2001-11-05 |
Family
ID=12309611
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP03064796A Expired - Fee Related JP3225828B2 (ja) | 1995-11-10 | 1996-02-19 | 高周波用誘電体組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3225828B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102657984B1 (ko) * | 2022-03-21 | 2024-04-18 | 에이엠티 주식회사 | 가스공급장비의 폐 가스켓 수거장치 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3802446A4 (en) * | 2018-07-11 | 2022-03-23 | Ferro Corporation | HIGH Q FACTOR LTCC DIELECTRIC COMPOSITIONS AND DEVICES |
-
1996
- 1996-02-19 JP JP03064796A patent/JP3225828B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102657984B1 (ko) * | 2022-03-21 | 2024-04-18 | 에이엠티 주식회사 | 가스공급장비의 폐 가스켓 수거장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH09227229A (ja) | 1997-09-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2003002682A (ja) | 低軟化点ガラスとその製造方法、並びに低温焼成磁器組成物 | |
CN110171963A (zh) | 一种低温共烧陶瓷微波与毫米波介电粉末 | |
JP3737774B2 (ja) | 誘電体セラミック組成物 | |
JP3225828B2 (ja) | 高周波用誘電体組成物 | |
JP3216967B2 (ja) | 低温焼成誘電体磁器及びその製造方法 | |
JP3446249B2 (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物 | |
JPH05148005A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
JP3225833B2 (ja) | 高周波用誘電体組成物 | |
JP3085625B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
JP3179830B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
JP3225838B2 (ja) | 高周波用誘電体組成物 | |
JP3624406B2 (ja) | ガラスセラミックス誘電体材料 | |
JP3067815B2 (ja) | マイクロ波誘電体磁器組成物 | |
JPH06333426A (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物 | |
JPH0680467A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
JP2004026543A (ja) | 誘電体磁器組成物およびこれを用いた積層セラミック部品 | |
JP3754827B2 (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物および積層体 | |
JP3631589B2 (ja) | 誘電体磁器組成物および積層体 | |
KR100434004B1 (ko) | 고주파용 유전체 조성물 | |
JP3100173B2 (ja) | マイクロ波誘電体磁器組成物 | |
JP2872438B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
JP3303453B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
JP3411190B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
JP3624407B2 (ja) | ガラスセラミックス誘電体材料 | |
JP3324244B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20010731 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080831 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080831 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090831 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090831 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100831 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100831 Year of fee payment: 9 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100831 Year of fee payment: 9 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100831 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110831 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120831 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120831 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130831 Year of fee payment: 12 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |