CN110171963A - 一种低温共烧陶瓷微波与毫米波介电粉末 - Google Patents

一种低温共烧陶瓷微波与毫米波介电粉末 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种低温共烧陶瓷微波与毫米波介电粉末。本发明利用Zn2SiO4陶瓷材料添加CaTiO3陶瓷与SrTiO3陶瓷材料后，再添加Li2O‑MgO‑B2O3‑SiO2玻璃材料后，由于Li2O‑MgO‑B2O3‑SiO2玻璃具有高稳定性，不会与水、酒精跟黏结剂等高分子材料产生反应，因此不会有凝胶作用发生，另外，本发明之Li2O‑MgO‑B2O3‑SiO2玻璃只与Zn2SiO4+CaTiO3+SrTiO3陶瓷陶瓷材料产生液相烧结特性，使得材料系统符合低温共烧陶瓷制程温度，可在范围800‑900℃温度条件时烧结致密。且材料具有在微波与毫米波特性下，从1GHz‑100GHz范围，介电常数介于6‑13之间，具有高质量因子(Qf>20,000GHz)，以及温度频率系数小于30ppm/℃，可有效在大气气氛环境与贵金属电极(银)共烧，并且应用在微波介电组件上。

Description

一种低温共烧陶瓷微波与毫米波介电粉末
技术领域
本发明涉及一种低温共烧陶瓷技术制造出微波介电材料，具体涉及一种低温共烧陶瓷微波与毫米波介电粉末。
背景技术
低温共烧陶瓷技术(Low temperature co-fired ceramic,LTCC)之发展，主要应用在陶瓷材料可在低温≦900度之下，与银电极共烧，而共烧后，可以制作成多层陶瓷(Multi-layer co-firedceramics,MLCC)结构的电子陶瓷组件，由于一般而言，陶瓷材料烧结温度皆相当高，因此若要能够降低烧结温度，则通常会有几种方式，包括<1>玻璃基质添加陶瓷、<2>玻璃陶瓷、<3>陶瓷掺杂玻璃或低熔点氧化物，其介绍分别如下：
<1>玻璃基质添加陶瓷：
由于玻璃为非晶质结构，因此，其烧结温度约在500-800度时候，则会开始软化熔融，因此，传统的低温共烧陶瓷材料，主要都是以玻璃为主，玻璃含量约高于80wt％以上，并且添加氧化铝陶瓷粉，使得材料可以在900度左右烧结致密。而此类型材料为传统的LTCC材料，玻璃为主则整体烧结温度可以降低，然而，由于玻璃含量太高，由于玻璃主要为网状结构，因此会吸收微波讯号，因此，玻璃量高则容易造成微波特性例如损耗系数偏高或是质量因子降低等影响。
<2>玻璃陶瓷：
玻璃陶瓷系统，主要就是先将材料熔融成玻璃后(约在1400度以上熔融)，之后再于低温900度以下烧结，因此，烧结后的玻璃陶瓷，会在玻璃内形成结晶与颗粒成长，此时则有结晶陶瓷产生，然而玻璃陶瓷的制程方式，则结晶陶瓷产生后，整体材料内约有 40wt％以上仍是非晶质，而60wt％为结晶质，因此，非晶质含量仍相当高。
<3>陶瓷掺杂玻璃或低熔点氧化物：
陶瓷掺杂玻璃或是陶瓷掺杂低熔点氧化物的方式，为近几年在科学或是工程研发上的创新手法，由于一般的陶瓷烧结温度约在1100-1400度之温度范围，因此，若能调适出合适的玻璃或低熔点氧化物，则添加后，可以玻璃或低熔点氧化物可以有效在晶界旁边产生液相烧结(Liquid phase sintering)现象而具有润湿性(wettability behavior)，因此，若能调整出合适且匹配度高的玻璃，则只要少量的玻璃添加后(小于15wt％以下)，则可以与陶瓷具有良好之匹配性，则可以在低温环境下(≦900度)烧结致密，并且玻璃量添加小的情况下，材料的微波介电特性，仍保持有超低损耗与高质量因子等特性。然而，此发展最大的难度在于玻璃的匹配性很重要，若是没办法开发出合适的匹配性玻璃，则玻璃量需要添加至30-40wt％以上才有办法有效烧结致密，且玻璃量增多的情况下，则仍会造成损耗会上升且质量因子会降低。因此，开发陶瓷掺杂玻璃的关键，在于如何调整出具有高匹配度的玻璃或低熔点氧化物是主要关键原因。
发明内容
针对上述技术问题，本发明的目的在于提供一种低温共烧陶瓷微波与毫米波介电粉末。所述粉末是以Zn2SiO4陶瓷结构为主，添加CaTiO3陶瓷与SrTiO3陶瓷，并添加不同比例的Li2O-MgO-B2O3-SiO2玻璃后，具有低介电以及高质量因子，并且具有低温度频率系数。
本发明材料系统开发，在介电常数介于6-9之间，且具有高质量因子的开发，而目前在低介电常数之系统开发，仅限于包括华新科技开发的透辉石相玻璃陶瓷材料系统，然而，其材料系统主要为CaMgSi2O6玻璃陶瓷系统，因此，其材料的质量因子系数偏低，仍没有达到本研究开发之质量因子系数。此外，还有日本Murata公司开发的，以Mg2SiO4陶瓷掺杂玻璃系统，然而，其主要开发是跟铜电极在980度下共烧，由于Mg2SiO4陶瓷本身之烧结温度相当高，需要1350度才能烧结致密，因此，此系统开发在将近980度跟铜电极共烧，但是，仍没办法达成在900度可跟银电极共烧。
本发明主要以Zn2SiO4陶瓷结构为主，由于Zn2SiO4陶瓷在1250度可烧结致密，因此，材料经过开发后，掺杂玻璃后，本发明可在低温900度烧结致密，并且与银电极共烧，烧结后具有优异之质量因子特性。
实现本发明的技术方案是：
一种低温共烧陶瓷微波与毫米波介电粉末，包括以下组分：
1-x-ywt％Zn2SiO4；
xwt％CaTiO3；
ywt％SrTiO3；
zwt％Li2O-MgO-B2O3-SiO2；
其中，xwt％的比例范围在1-10wt％之间，ywt％的比例在1-10wt％之间，zwt％的比例在1-15wt％之间。
其中，Zn2SiO4为陶瓷材料(陶瓷粉末)，主要锻烧温度在1200-1400℃之间；
CaTiO3为陶瓷材料(陶瓷粉末)，主要锻烧温度在1200-1400℃之间；
SrTiO3为陶瓷材料(陶瓷粉末)，主要锻烧温度在1200-1400℃之间；
上述陶瓷材料皆可以产生良好的相结构(本发明中，有三个相结构，一个是Zn2SiO4，另外兩个是CaTiO3，SrTiO3)。
Li2O-MgO-B2O3-SiO2为玻璃，主要锻烧温度在1300-1500℃之下进行融熔，融熔后产生短程有序的玻璃非晶质结构。而上述组分：1-x-ywt％Zn2SiO4陶瓷粉末+ xwt％CaTiO3陶瓷粉末+ywt％SrTiO3陶瓷粉末+zwt％Li2O-MgO-B2O3-SiO2玻璃，由于玻璃添加，可使得陶瓷烧结时，具有晶界润湿性效果，因此，上述的复合材料，可以在 800-900℃温度范围烧结致密，产生良好特性。
本发明所述低温共烧陶瓷微波与毫米波介电粉末，其在微波与毫米波特性下，从1GHz-100GHz范围，介电常数介于6-13之间；此外，还具有高质量因子(Qf>20,000GHz)，以及温度频率系数小于30ppm/℃。而本发明所述的低温共烧陶瓷微波与毫米波介电粉末，可以有效与电极银金属材料共烧，应用于低温共烧陶瓷微波与毫米波领域。
本发明还公开了一种低温共烧陶瓷微波与毫米波介电粉末的制备方法，包括：
1)陶瓷材料的制备，具体包括：
Zn2SiO4陶瓷的制备：以30-70wt％ZnO与10-50wt％SiO2粉末混合后，于1200-1400℃之间煅烧而得到Zn2SiO4化合物；
CaTiO3陶瓷的制备：以35-70wt％CaO与30-60wt％TiO2粉末混合后，于1200-1400℃之间煅烧而得到CaTiO3化合物；
SrTiO3陶瓷的制备：以35-70wt％SrO与30-60wt％TiO2之粉末混合后，于1200-1400度之间煅烧而得到SrTiO3化合物。
2)玻璃材料的制备，具体包括：
Li2O-MgO-B2O3-SiO2玻璃的制备：以1-35wt％Li2O、10-45wt％MgO、 1-30wt％B2O3、5-40wt％SiO2粉末混合后，在1300-1500℃之下进行融熔，并进行水淬后，可以得到非晶质玻璃相材料。
3)成品粉混合制备，具体包括：
按比例将步骤1)制备的陶瓷材料与步骤2)制备的玻璃材料在室温下混合，并添加如水、酒精、分散剂进行湿式混合，并混合2小时之后过滤干燥；混合后材料于低温烧结(烧结温度为800～900℃，并与银共烧共烧，烧结时间0.5-4小时，得到具有介电常数范围于6-13，且同时具有高品质因子Q╳f>20000GHz，以及温度频率系数小于30ppm/℃之微波介电粉末。
更进一步地，步骤1)中Zn2SiO4陶瓷的制备：将原始粉末30-70wt％ZnO与 10-50wt％SiO2进行湿式球磨并且24小时混合、烘干、压滤以及煅烧；煅烧温度为 1200-1400度/2小时；煅烧后的粉末进行破碎研磨至2μm以下。
更进一步地，步骤1)中CaTiO3陶瓷的制备：将原始粉末35-70wt％CaO与 30-60wt％TiO2
进行湿式球磨并且24小时混合、烘干、压滤以及煅烧；煅烧温度为1200-1400度/2小时；煅烧后的粉末进行破碎研磨至2μm以下。
更进一步地，步骤1)中SrTiO3陶瓷的制备：将原始粉末35-70wt％CaO与 30-60wt％TiO2
进行湿式球磨并且24小时混合、烘干、压滤以及煅烧；煅烧温度为1200-1400度/2小时；煅烧后的粉末进行破碎研磨至2μm以下。
更进一步地，步骤2)中Li2O-MgO-B2O3-SiO2玻璃的制备：将原始粉末 1-35wt％Li2O、10-45wt％MgO、1-30wt％B2O3、5-40wt％SiO2粉末进行湿式球磨并且 24小时混合；融熔温度为1300-1500度/2小时，之后快速倒入去离子水；玻璃材料进行研磨，以湿式锆球研磨24小时，获得粒径在5μm以下。
更进一步地，步骤3)中成品粉混合制备：将步骤1)制备的陶瓷材料与步骤2)制备的玻璃材料在室温下混合，并添加如水、酒精、分散剂等进行湿式混合研磨，研磨粒度控制在1μm；研磨后样品粉末制造成组件，并在800～900℃烧结0.5-4小时，得到具有介电常数6-13之间以及高质量因子与小于30ppm/℃温度频率系数之微波介电粉末。
更进一步地，所述粉末可以有效与电极银金属材料共烧，应用于低温共烧陶瓷微波与毫米波领域。
本发明以1-x-ywt％Zn2SiO4+xwt％CaTiO3+ywt％SrTiO3的混合陶瓷粉末为主作为陶瓷材料，其中，xwt％的比例范围在1-10wt％，ywt％的比例在1-10wt％之间。所述陶瓷材料主要锻烧温度在1200-1400℃之间，其中CaTiO3，SrTiO3不同的比例组成可用来修正介电常数和温度频率系数，可以产生良好的相结构
另外，上述的陶瓷材料，再添加微量的1-15wt％的Li2O-MgO-B2O3-SiO2玻璃材料的成分，而此比例玻璃主要在1300-1500℃之下进行融熔，融熔后产生短程有序的玻璃非晶质结构。而上述陶瓷为主的材料再添加微量玻璃玻璃后，由于玻璃材料的添加，可使得陶瓷烧结时，具有晶界润湿性效果，因此，上述的复合材料，可以在800-900℃温度范围烧结致密，大大降低了烧结温度产生良好特性。而一般的陶瓷体都需要 1200-1300℃才能烧结，本发明与之相比具有创新。
本发明与现有技术相比，其显著优点是：
本发明利用Zn2SiO4陶瓷材料添加CaTiO3陶瓷与SrTiO3陶瓷材料后，再添加 Li2O-MgO-B2O3-SiO2玻璃材料后，由于Li2O-MgO-B2O3-SiO2玻璃具有高稳定性，不会与水、酒精跟黏结剂等高分子材料产生反应，因此不会有凝胶作用发生，另外，本发明之Li2O-MgO-B2O3-SiO2玻璃只与Zn2SiO4+CaTiO3+SrTiO3陶瓷陶瓷材料产生液相烧结特性，使得材料系统符合低温共烧陶瓷制程温度，可在范围800-900℃温度条件时烧结致密。且材料具有在微波与毫米波特性下，从1GHz-100GHz范围，介电常数介于6-13 之间，具有高质量因子(Qf>20,000GHz)，以及温度频率系数小于30ppm/℃，可有效在大气气氛环境与贵金属电极(银)共烧，并且应用在微波介电组件上。
具体实施方式
下面结合具体实施例，进一步阐明本发明。应理解这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围，在阅读了本发明之后，本领域技术人员对本发明的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。
本发明为新发明之材料，主要以1-x-ywt％Zn2SiO4+xwt％CaTiO3+ywt％SrTiO3陶瓷粉末与zwt％Li2O-MgO-B2O3-SiO2玻璃。
此外，根据不同之陶瓷材料成分与不同之玻璃成份混合烧结后，分成比较例与实施例，各别之介电性质如下:
(一)当1-x-ywt％Zn2SiO4+xwt％CaTiO3+ywt％SrTiO3陶瓷材料混合 zwt％Li2O-MgO-B2O3-SiO2玻璃化合物于800℃烧结，结果如表一，而其比较例与实施例如下:
比较例1
当1-x-ywt％Zn2SiO4陶瓷材料混合0wt％CaTiO3、0wt％SrTiO3与 0wt％Li2O-MgO-B2O3-SiO2玻璃并于800℃之烧结时，可发现烧结不致密，介电常数因陶瓷孔隙多而介电常数值无法提高只达到4，另外质量因子也因为孔隙多导致高频下的微波讯号在孔隙中产生损耗，因此质量因子低只达到3,631GHz。
实施例1
当1-x-ywt％Zn2SiO4陶瓷材料混合1wt％CaTiO3和1-10wt％SrTiO3化合物与8wt％Li2O-MgO-B2O3-SiO2玻璃于800℃之烧结时，可发现陶瓷经烧结后达到致密，介电常数值范围为6.2-10.3、品质因子为27,123GHz至28,109GHz、温度频率系数为-28 至-54ppm/℃、温度电容系数为56至107ppm/℃、绝缘阻抗达1.2×1012至6.9×1012Ω，材料并适用于与银共烧共烧。
实施例2
当1-x-ywt％Zn2SiO4陶瓷材料混合4wt％CaTiO3和1-10wt％SrTiO3化合物与 8wt％Li2O-MgO-B2O3-SiO2玻璃于800℃之烧结时，可发现陶瓷经烧结后达到致密，介电常数值范围为7.1-9.8、品质因子为26,112GHz至26,567GHz、温度频率系数为-17至 -32ppm/℃、温度电容系数为34至64ppm/℃、绝缘阻抗达3.1×1012至7.2×1012Ω，材料并适用于与银共烧共烧。
实施例3
当1-x-ywt％Zn2SiO4陶瓷材料混合7wt％CaTiO3和1-10wt％SrTiO3化合物与8wt％Li2O-MgO-B2O3-SiO2玻璃于800℃之烧结时，可发现陶瓷经烧结后达到致密，介电常数值范围为7.3-10.1、品质因子为25,678GHz至26,142GHz、温度频率系数为0至 -3ppm/℃、温度电容系数为1至6ppm/℃、绝缘阻抗达3.2×1012至8.1×1012Ω，材料并适用于与银共烧共烧。
实施例4
当1-x-ywt％Zn2SiO4陶瓷材料混合10wt％CaTiO3和1-10wt％SrTiO3化合物与8wt％Li2O-MgO-B2O3-SiO2玻璃于800℃之烧结时，可发现陶瓷经烧结后达到致密，介电常数值范围为7.8-10.8、品质因子为24,556GHz至25,123GHz、温度频率系数为0至 3ppm/℃、温度电容系数为0至-7ppm/℃、绝缘阻抗达3.2×1012至7.2×1012Ω，材料并适用于与银共烧共烧。
(二)当1-x-ywt％Zn2SiO4+xwt％CaTiO3+ywt％SrTiO3陶瓷材料混合 zwt％Li2O-MgO-B2O3-SiO2玻璃化合物于900℃烧结，结果如表一，而其比较例与实施例如下:
比较例2
当1-x-ywt％Zn2SiO4陶瓷材料混合0wt％CaTiO3、0wt％SrTiO3与0wt％Li2O-MgO-B2O3-SiO2玻璃并于900℃之烧结时，可发现烧结不致密，介电常数因陶瓷孔隙多而介电常数值无法提高只达到4，另外质量因子也因为孔隙多导致高频下的微波讯号在孔隙中产生损耗，因此质量因子低只达到3,765GHz。
实施例5
当1-x-ywt％Zn2SiO4陶瓷材料混合1wt％CaTiO3和1-10wt％SrTiO3化合物与8wt％Li2O-MgO-B2O3-SiO2玻璃于900℃之烧结时，可发现陶瓷经烧结后达到致密，介电常数值范围为6.3-10.5、品质因子为27,989GHz至28,903GHz、温度频率系数为-29 至-59ppm/℃、温度电容系数为58至118ppm/℃、绝缘阻抗达3.1×1012至7.1×1012Ω，材料并适用于与银共烧共烧。
实施例6
当1-x-ywt％Zn2SiO4陶瓷材料混合4wt％CaTiO3和1-10wt％SrTiO3化合物与8wt％Li2O-MgO-B2O3-SiO2玻璃于900℃之烧结时，可发现陶瓷经烧结后达到致密，介电常数值范围为7.3-9.9、品质因子为26,989GHz至27,690GHz、温度频率系数为-18 至-31ppm/℃、温度电容系数为36至62ppm/℃、绝缘阻抗达3.2×1012至5.3×1012Ω，材料并适用于与银共烧共烧。
实施例-7
当1-x-ywt％Zn2SiO4陶瓷材料混合7wt％CaTiO3和1-10wt％SrTiO3化合物与8wt％Li2O-MgO-B2O3-SiO2玻璃于900℃之烧结时，可发现陶瓷经烧结后达到致密，介电常数值范围为7.6-10.3、品质因子为26,124GHz至27,142GHz、温度频率系数为1至 -8ppm/℃、温度电容系数为-2至36ppm/℃、绝缘阻抗达3.8×1012至7.5×1012Ω，材料并适用于与银共烧共烧。
实施例-8
当1-x-ywt％Zn2SiO4陶瓷材料混合10wt％CaTiO3和1-10wt％SrTiO3化合物与8wt％Li2O-MgO-B2O3-SiO2玻璃于900℃之烧结时，可发现陶瓷经烧结后达到致密，介电常数值范围为9.9-12.9、品质因子为24,789GHz至25,897GHz、温度频率系数为3至 6ppm/℃、温度电容系数为-7至-12ppm/℃、绝缘阻抗达3.7×1012至5.3×1012Ω，材料并适用于与银共烧共烧。
表一:1-x-ywt％Zn2SiO4+xwt％CaTiO3+ywt％SrTiO3陶瓷粉末添加 zwt％Li2O-MgO-B2O3-SiO2玻璃。于900℃之烧结特性：
表二:1-x-ywt％Zn2SiO4+xwt％CaTiO3+ywt％SrTiO3陶瓷粉末添加zwt％Li2O-MgO-B2O3-SiO2玻璃。于900℃之烧结特性

Claims (10)

1.一种低温共烧陶瓷微波与毫米波介电粉末，其特征在于包括以下组分：
1-x-ywt％Zn2SiO4；
xwt％CaTiO3；
ywt％SrTiO3；
zwt％Li2O-MgO-B2O3-SiO2；
其中，xwt％的比例范围在1-10wt％之间，ywt％的比例在1-10wt％之间，zwt％的比例在1-15wt％之间。
2.根据权利要求1所述的低温共烧陶瓷微波与毫米波介电粉末，其特征在于，所述Zn2SiO4为陶瓷材料，主要锻烧温度在1200-1400℃之间；所述CaTiO3为陶瓷材料，主要锻烧温度在1200-1400℃之间；所述SrTiO3为陶瓷材料，主要锻烧温度在1200-1400℃之间，该温度下煅烧可产生良好的相结构。
3.根据权利要求1所述的低温共烧陶瓷微波与毫米波介电粉末，其特征在于，所述Li2O-MgO-B2O3-SiO2为玻璃材料，主要锻烧温度在1300-1500℃之下进行融熔，融熔后产生短程有序的玻璃非晶质结构。
4.根据权利要求1～3任一所述的低温共烧陶瓷微波与毫米波介电粉末，其特征在于，所述介电粉末主要煅烧温度在800-900℃温度范围烧结致密，产生良好特性。
5.根据权利要求1～3任一所述的低温共烧陶瓷微波与毫米波介电粉末，其特征在于，所述介电粉末，其在微波与毫米波特性下，从1GHz-100GHz范围，介电常数介于6-13之间；此外，还具有高质量因子，Qf>20,000GHz，以及温度频率系数小于30ppm/℃。
6.一种低温共烧陶瓷微波与毫米波介电粉末的制备方法，其特征在于包括：
1)陶瓷材料的制备，具体包括：
Zn2SiO4陶瓷的制备：以30-70wt％ZnO与10-50wt％SiO2粉末混合后，于1200-1400℃之间煅烧而得到Zn2SiO4化合物；
CaTiO3陶瓷的制备：以35-70wt％CaO与30-60wt％TiO2粉末混合后，于1200-1400℃之间煅烧而得到CaTiO3化合物；
SrTiO3陶瓷的制备：以35-70wt％SrO与30-60wt％TiO2之粉末混合后，于1200-1400度之间煅烧而得到SrTiO3化合物。
2)玻璃材料的制备，具体包括：
Li2O-MgO-B2O3-SiO2玻璃的制备：以1-35wt％Li2O、10-45wt％MgO、1-30wt％B2O3、5-40wt％SiO2粉末混合后，在1300-1500℃之下进行融熔，并进行水淬后，可以得到非晶质玻璃相材料。
3)成品粉混合制备，具体包括：
按比例将步骤1)制备的陶瓷材料与步骤2)制备的玻璃材料在室温下混合，并添加如水、酒精、分散剂进行湿式混合，并混合2小时之后过滤干燥；混合后材料于低温烧结,烧结温度为800～900℃，并与银共烧，烧结时间0.5-4小时，得到具有介电常数范围于6-13，且同时具有高品质因子之微波介电粉末。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，步骤1)中Zn2SiO4陶瓷的制备：将原始粉末30-70wt％ZnO与10-50wt％SiO2进行湿式球磨并且24小时混合、烘干、压滤以及煅烧；煅烧温度为1200-1400度/2小时；煅烧后的粉末进行破碎研磨至2μm以下。
步骤1)中CaTiO3陶瓷的制备：将原始粉末35-70wt％CaO与30-60wt％TiO2进行湿式球磨并且24小时混合、烘干、压滤以及煅烧；煅烧温度为1200-1400度/2
小时；煅烧后的粉末进行破碎研磨至2μm以下。
步骤1)中SrTiO3陶瓷的制备：将原始粉末35-70wt％CaO与30-60wt％TiO2进行湿式球磨并且24小时混合、烘干、压滤以及煅烧；煅烧温度为1200-1400度/2小时；煅烧后的粉末进行破碎研磨至2μm以下。
8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，步骤2)中Li2O-MgO-B2O3-SiO2玻璃的制备：将原始粉末1-35wt％Li2O、10-45wt％MgO、1-30wt％B2O3、5-40wt％SiO2粉末进行湿式球磨并且24小时混合；融熔温度为1300-1500度/2小时，之后快速倒入去离子水；玻璃材料进行研磨，以湿式锆球研磨24小时，获得粒径在5μm以下。
9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，步骤3)中成品粉混合制备：
将步骤1)制备的陶瓷材料与步骤2)制备的玻璃材料在室温下混合，并添加如水、酒精、分散剂等进行湿式混合研磨，研磨粒度控制在1μm；研磨后样品粉末制造成组件，并在800～900℃烧结0.5-4小时，得到具有介电常数6-13之间以及高质量因子与小于30ppm/℃温度频率系数之微波介电粉末。
10.根据权利要求1所述的低温共烧陶瓷微波与毫米波介电粉末，其特征在于，所述粉末可以有效与电极银金属材料共烧，应用于低温共烧陶瓷微波与毫米波领域。
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