CN103113105A - 低温烧结的高介电常数微波介电陶瓷及制备方法 - Google Patents
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Abstract
低温烧结的高介电常数微波介电陶瓷及制备方法，涉及电子材料技术。本发明以原料计算，组分为：氧化钡：15%～18%；三氧化二钕：10%～36%；三氧化二钐：0%～26%；二氧化钛：30%～35%；氧化锌：0%～2%；三氧化二铝：0%～3%；氧化钙:0%～3%；碳酸锂：0%～5%；二氧化硅：0%～5%；三氧化二硼：0%～4%；微量添加物：0%～5%；以上为重量百分比。本发明性能上有较大提升，传统配方在降低烧结温度的同时，介电常数降低（53～65），Qf减小。
Description
技术领域
本发明涉及电子材料技术,特别涉及应用于卫星通信中介质谐振器、滤波器、振荡器等微波器件中的低温高介电常数微波介质陶瓷及其制备方法。
背景技术
现代电子通讯技术的快速发展加速了微波介电材料的研究进程。然而，电子通讯电路所需要的器件越来越要求微小型，轻便型以及高度集成化，因此，基于低温共烧陶瓷（LTCC）技术所做成的器件得到了越来越多的关注。目前越来越多的陶瓷材料研究大多数都朝着高介电、低损耗和高品质因数等方向发展。
Ba6-3xNd8+2xTi18O54（BNT,x=2/3）材料具有较高的介电常数（80～85）以及高品质因数Qf（90000～10000GHz）以及可调的谐振频率温度系数。然而，未掺杂的BNT陶瓷烧结温度却高达1350℃，不能直接与Ag、Cu等低熔点金属共烧。为了降低烧结温度，传统的方法一种为掺入低熔点氧化物，如B2O3及V2O5，然而游离的B2O3及V2O5在后期流延过程中易导致浆料粘度过大而不稳定，限制了其实际应用；另一种方法是掺入低熔点玻璃，但玻璃相的存在大大提高了材料的介质损耗，且玻璃在熔炼过程中性能不稳定，成本较高，因而，虽然已有研究关注无玻璃相的低温高介电陶瓷，但实际生产中能应用的体系并不多，极大限制了低温共烧技术及微波多层器件的发展。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种可低温烧结（900～1000℃），具有高介电常数（60～70），低损耗（Qf值～5000）且频率温度系数稳定的微波介质陶瓷及其制备方法。
本发明解决所述技术问题采用的技术方案是，低温烧结的高介电常数微波介电陶瓷，以原料计算，组分为：
氧化钡：15%～18% 三氧化二钕：10%～36%
三氧化二钐：0%～26% 氧化钛：30%～35%
氧化锌：0%～2% 三氧化二铝：0%～3%
氧化钙:0%～3% 碳酸锂：0%～5%
二氧化硅：0%～5% 三氧化二硼：0%～4%
微量添加物：0%～5%
以上为重量百分比。
所述微量添加物为氧化铜和碳酸锰。或者，所述微量添加物为氧化铜或碳酸锰。
本发明还提供低温烧结的高介电常数微波介电陶瓷制备方法，包括下述步骤：
（1）原料准备：按重量百分比，原料组分为：
氧化钡：15%～18% 三氧化二钕：10%～36%
三氧化二钐：0%～26% 氧化钛：30%～35%
氧化锌：0%～2% 三氧化二铝：0%～3%
氧化钙:0%～3% 碳酸锂：0%～5%
二氧化硅：0%～5% 三氧化二硼：0%～4%
微量添加物：0%～5%；
（2）按分子式的摩尔分数比，将氧化钡、三氧化二钕、三氧化二钐、二氧化钛的粉末按Ba4（Nd1-xSmx）26/3Ti18O54组成配料，其中，0≤x≤0.7；
（3）将步骤（2）配好的原料球磨混合；
（4）将磨好的粉料烘干后预烧；
（5）在预烧好的粉末中添加余下的原料，湿式球磨混合；
（6）再次烘干后造粒：
（7）干压成型；
（8）在900-1000℃大气气氛中保温，排胶烧结制成微波介质陶瓷。
进一步的说，步骤（3）为湿式球磨混合12小时，溶剂为蒸馏水；
步骤（4）为：磨好的粉料烘干后放入高温炉中，在1100℃大气气氛中预烧6小时；
步骤（6）中，再次烘干后添加剂量占原料总质量为3%的丙烯酸溶液作为粘结剂造粒：
步骤（7）中，成型压力200～300Mpa。
与现有技术相比，本发明具有以下特点：
（1）本发明的配方不含重金属成分，可在高频领域产品中应用，绿色环保无污染，满足欧洲最新RHOS和WEEE的严格标准要求。
（2）由传统的烧结工艺1350℃降到1000℃以下，烧结温度的进一步降低，有节能优势。
（3）烧结助剂使用复合低共熔点氧化物及微量添加剂，进一步改善了传统烧结助剂的缺点，如：无法与流延工艺匹配的低熔点氧化物（B2O3及V2O5）；或高成本且性能不稳定的低熔点玻璃。
（4）性能上有较大提升，传统配方在降低烧结温度的同时，介电常数降低（53～65），Qf减小（2000～4000GHz），谐振频率温度系数大于±30ppm，本发明的配方介电常数60～70，Qf值约5000GHz，谐振频率温度系数小于±20ppm以内。
（5）本发明可广泛应用于卫星通信中介质谐振器、滤波器、振荡器等微波器件中的低温高介电常数微波介质核心材料，具有重要工业应用价值。
附图说明
图1为实施例2-6的x光粉末衍射射线图。
图2为实施例2-5的表面形貌扫描电镜图（a,b,c,d分别为实施例2,3,4,5,）。
具体实施方式
低温烧结的高介电常数微波介电陶瓷，以重量百分比计算，本发明的原料中为：
氧化钡：15%～18% 三氧化二钕：10%～36%
三氧化二钐：0%～26% 氧化钛：30%～35%
氧化锌：0%～2% 三氧化二铝：0%～3%
氧化钙:0%～3% 碳酸锂：0%～5%
二氧化硅：0%～5% 三氧化二硼：0%～4%
微量添加物：0%～5%；
上述含量包括端值。
将上述组分经过称量、混合球磨、煅烧、粉碎、造粒、成型、排胶和烧结的固相反应工序烧结成微波介质陶瓷。
本发明还提供低温烧结的高介电常数微波介电陶瓷的制备方法，包括下述步骤：
（1）将氧化钡（BaO），三氧化二钕（Nd2O3），三氧化二钐（Sm2O3），二氧化钛（TiO2）的原始粉末按Ba4（Nd1-xSmx）26/3Ti18O54组成配料，其中，0≤x≤0.7；
（2）将步骤（1）配好的原料放入球磨机的料筒中湿式球磨混合12小时，溶剂为蒸馏水；
（3）将磨好的粉料烘干后放入高温炉中，在1100℃大气气氛中预烧6小时；
（4）在预烧好的粉末中添加步骤（1）余下的原料，即氧化钡（BaO），氧化锌（ZnO），三氧化二铝（Al2O3），氧化钙（CaO），碳酸锂（Li2CO3），二氧化硅（SiO2），三氧化二硼（B2O3）以及微量添加物组分，再次湿式球磨混合12小时；
（5）再次烘干后添加剂量占原料总质量为3%的丙烯酸溶液作为粘结剂造粒：
（6）干压成型，成型压力200～300Mpa
（7）在900-1000℃大气气氛中保温2h，排胶烧结一次完成制成微波介质陶瓷。
本发明采用氧化物与添加剂混合固相反应法制备的陶瓷在900-1000℃烧结良好，其介电常数高（60～70），品质因数Qf高（～5000），谐振频率温度系数小，且国内原料成本低，在工业上有着极大的应用价值，加速国产微波陶瓷的大量应用。
实施例：
本发明的制造原料中含有：氧化钡（BaO），三氧化二钕（Nd2O3），三氧化二钐（Sm2O3），二氧化钛（TiO2），氧化锌（ZnO），三氧化二铝（Al2O3），氧化钙（CaO），碳酸锂（Li2CO3），二氧化硅（SiO2），三氧化二硼（B2O3）以及微量添加物组分，微量添加物包括：氧化铜（CuO）和碳酸锰（MnCO3）组分。表1示出了构成本发明的各成分含量的几个具体实施例的数据，表2给出各实施例的微波介电性能。其制备方法如上所述，用圆柱介质谐振器法进行微波介电性能的评价。
表1：
表2
Claims (5)
1.低温烧结的高介电常数微波介电陶瓷，以原料计算，组分为：
氧化钡：15%～18% 三氧化二钕：10%～36%
三氧化二钐：0%～26% 氧化钛：30%～35%
氧化锌：0%～2% 三氧化二铝：0%～3%
氧化钙:0%～3% 碳酸锂：0%～5%
二氧化硅：0%～5% 三氧化二硼：0%～4%
微量添加物：0%～5%
以上为重量百分比。
2.如权利要求1所述的低温烧结的高介电常数微波介电陶瓷，其特征在于，所述微量添加物为氧化铜和碳酸锰。
3.如权利要求1所述的低温烧结的高介电常数微波介电陶瓷，其特征在于，所述微量添加物为氧化铜或碳酸锰。
4.低温烧结的高介电常数微波介电陶瓷制备方法，其特征在于，包括下述步骤：
（1）原料准备：按重量百分比，原料组分为：
氧化钡：15%～18% 三氧化二钕：10%～36%
三氧化二钐：0%～26% 氧化钛：30%～35%
氧化锌：0%～2% 三氧化二铝：0%～3%
氧化钙:0%～3% 碳酸锂：0%～5%
二氧化硅：0%～5% 三氧化二硼：0%～4%
微量添加物：0%～5%；
（2）按分子式的摩尔分数比，将氧化钡、三氧化二钕、三氧化二钐、二氧化钛的粉末按Ba4（Nd1-xSmx）26/3Ti18O54组成配料，其中，0≤x≤0.7；
（3）将步骤（2）配好的原料球磨混合；
（4）将磨好的粉料烘干后预烧；
（5）在预烧好的粉末中添加余下的原料，湿式球磨混合；
（6）再次烘干后造粒：
（7）干压成型；
（8）在900-1000℃大气气氛中保温，排胶烧结制成微波介质陶瓷。
5.如权利要求4所述的低温烧结的高介电常数微波介电陶瓷制备方法，其特征在于，
步骤（3）为湿式球磨混合12小时，溶剂为蒸馏水；
步骤（4）为：磨好的粉料烘干后放入高温炉中，在1100℃大气气氛中预烧6小时；
步骤（6）中，再次烘干后添加剂量占原料总质量为3%的丙烯酸溶液作为粘结剂造粒：
步骤（7）中，成型压力200～300Mpa。
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105399405A (zh) * | 2015-12-21 | 2016-03-16 | 华中科技大学 | 一种低介微波铁电陶瓷及其制备方法 |
| CN108911708A (zh) * | 2018-09-08 | 2018-11-30 | 佛山皖和新能源科技有限公司 | 一种高介电活性微波介质陶瓷材料的制备方法 |
| CN109320263A (zh) * | 2018-11-13 | 2019-02-12 | 四川航天机电工程研究所 | 烧结助剂与石英陶瓷及其制备与应用方法 |
| CN111377710A (zh) * | 2018-12-31 | 2020-07-07 | 深圳市大富科技股份有限公司 | 微波介质陶瓷材料和介质陶瓷块的制备方法 |
| CN111943664A (zh) * | 2020-07-29 | 2020-11-17 | 无锡鑫圣慧龙纳米陶瓷技术有限公司 | 一种低烧结温度钡钐钛系微波介质陶瓷及其制备方法 |
| CN116969760A (zh) * | 2023-08-01 | 2023-10-31 | 陕西华星电子开发有限公司 | 一种Ca-Sm-Al-Ti基微波介质陶瓷材料及其制备方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102603286A (zh) * | 2012-03-28 | 2012-07-25 | 厦门松元电子有限公司 | 一种高介电常数BaO-Ln2O3-TiO2系微波介质材料及其制备方法 |
-
2013
- 2013-01-18 CN CN201310018624.1A patent/CN103113105B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102603286A (zh) * | 2012-03-28 | 2012-07-25 | 厦门松元电子有限公司 | 一种高介电常数BaO-Ln2O3-TiO2系微波介质材料及其制备方法 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| 《Ceramics International》 20071215 Jing Pei et al. "Microstructure and dielectric properties control of Ba4(Nd0.7Sm0.3)9.33Ti18O54 microwave ceramics" 第253-257页 1-5 第35卷, * |
| JING PEI ET AL.: ""Microstructure and dielectric properties control of Ba4(Nd0.7Sm0.3)9.33Ti18O54 microwave ceramics"", 《CERAMICS INTERNATIONAL》, vol. 35, 15 December 2007 (2007-12-15), pages 253 - 257 * |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105399405A (zh) * | 2015-12-21 | 2016-03-16 | 华中科技大学 | 一种低介微波铁电陶瓷及其制备方法 |
| CN105399405B (zh) * | 2015-12-21 | 2018-02-23 | 华中科技大学 | 一种低介微波铁电陶瓷及其制备方法 |
| CN108911708A (zh) * | 2018-09-08 | 2018-11-30 | 佛山皖和新能源科技有限公司 | 一种高介电活性微波介质陶瓷材料的制备方法 |
| CN109320263A (zh) * | 2018-11-13 | 2019-02-12 | 四川航天机电工程研究所 | 烧结助剂与石英陶瓷及其制备与应用方法 |
| CN109320263B (zh) * | 2018-11-13 | 2022-03-22 | 四川航天机电工程研究所 | 烧结助剂与石英陶瓷及其制备与应用方法 |
| CN111377710A (zh) * | 2018-12-31 | 2020-07-07 | 深圳市大富科技股份有限公司 | 微波介质陶瓷材料和介质陶瓷块的制备方法 |
| CN111943664A (zh) * | 2020-07-29 | 2020-11-17 | 无锡鑫圣慧龙纳米陶瓷技术有限公司 | 一种低烧结温度钡钐钛系微波介质陶瓷及其制备方法 |
| CN116969760A (zh) * | 2023-08-01 | 2023-10-31 | 陕西华星电子开发有限公司 | 一种Ca-Sm-Al-Ti基微波介质陶瓷材料及其制备方法 |
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