CN102875148B - 可低温烧结的微波介电陶瓷LiCa3(Mg1-xZnx) V3O12及制备方法 - Google Patents

可低温烧结的微波介电陶瓷LiCa3(Mg1-xZnx) V3O12及制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102875148B
CN102875148B CN 201210393326 CN201210393326A CN102875148B CN 102875148 B CN102875148 B CN 102875148B CN 201210393326 CN201210393326 CN 201210393326 CN 201210393326 A CN201210393326 A CN 201210393326A CN 102875148 B CN102875148 B CN 102875148B
Authority
CN
China
Prior art keywords
hours
dielectric ceramic
powder
equal
microwave dielectric
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN 201210393326
Other languages
English (en)
Other versions
CN102875148A (zh
Inventor
方亮
向飞
苏聪学
廖维
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Suzhou Hongwu Technology Intermediary Service Co.,Ltd.
Original Assignee
Guilin University of Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Guilin University of Technology filed Critical Guilin University of Technology
Priority to CN 201210393326 priority Critical patent/CN102875148B/zh
Publication of CN102875148A publication Critical patent/CN102875148A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102875148B publication Critical patent/CN102875148B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Inorganic Insulating Materials (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)

Abstract

本发明公开了一种可低温烧结的微波介电陶瓷LiCa3(Mg1-xZnx)V3O12及制备方法。介电陶瓷的化学组成通式为:LiCa3Mg1-xZnxV3O12,其中,0≤x≤1;将纯度为99.9%以上的Li2CO3、CaCO3、MgO、ZnO和V2O5的原始粉末按LiCa3Mg1-xZnxV3O12组成配料,其中,0≤x≤1;湿式球磨混合12小时,溶剂为蒸馏水,烘干后在750℃大气气氛中预烧6小时,然后在预烧粉末中添加粘结剂并造粒后,再压制成型,最后在850~925℃大气气氛中烧结4小时;所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液,剂量占粉末总量的3%。本发明制备的微波介电陶瓷具有低损耗与良好的热稳定性,同时具有高频介电常数达到12~25,Qf值高达60000~120000GHz。

Description

可低温烧结的微波介电陶瓷LiCa3(Mg1-xZnx) V3O12及制备方法
技术领域
本发明涉及介电陶瓷材料,特别是涉及在微波频率使用的介质基片、谐振器、滤波器等微波元器件,以及陶瓷电容器或温度补偿电容器的介电陶瓷材料及其制备方法。
背景技术
微波介电陶瓷是指应用于微波频段(主要是UHF、SHF频段)电路中作为介质材料并完成一种或多种功能的陶瓷,在现代通讯中被广泛用作谐振器、滤波器、介质基片、介质导波回路等元器件,是现代通信技术的关键基础材料,已在便携式移动电话、汽车电话、无绳电话、电视卫星接受器、军事雷达等方面有着十分重要的应用,在现代通讯工具的小型化、集成化过程中正发挥着越来越大的作用。
随着微波技术向着更高频率的方向发展,低相对介电常数(e r≤15),同时具有高品质因数Q值以及近零谐振频率温度系数的低介电微波介质陶瓷越来越受到人们的重视。近年来兴起的低温共烧陶瓷技术(Low Temperature Co-fired Ceramics,LTCC)是一种令人瞩目的多学科交叉整合组件技术,它采用厚膜材料,根据预先设计的结构,将电极材料、基板、电子器件等一次烧成,是一种用于实现高集成、高性能的电子封装技术。而发展低介电常数微波介质陶瓷在LTCC中作为基板材料以满足高频高速的要求则是低温共烧陶瓷技术中的一个重要趋势。
目前研究的低相对介电常数微波介质陶瓷材料主要有Al2O3系、Mg4Nb2O9系、Mg5(Nb,Ta)4O15系和R2BaCuO5系。以上这些材料体系的烧结温度一般高于1200°C,不能直接与Ag、Cu 等低熔点金属共烧形成多层陶瓷电容器。
国内外的研究人员对一些低烧体系材料进行了广泛的探索和研究,主要是采用微晶玻璃或玻璃-陶瓷复合材料体系,因低熔点玻璃相具有相对较高的介质损耗,玻璃相的存在大大提高了材料的介质损耗。因此研制无玻璃相的低烧微波介质陶瓷材料是当前研究的重点。但是,对于用于低烧微波介质陶瓷的体系仍然比较有限,这在很大程度上限制了低温共烧技术及微波多层器件的发展。文献[Neurgaokar RR, Hummel FA, Substitutions in Vanadate Garnets, MaterResBull., 1975,10 [1]: 51-55]、[Bayer G. The reaction of metal carbonyls and amines. I. Iron carbonyl with piperidine and n-butylamine. The initial stages of the reaction [J]. JAmCeramSoc., 1965, 48(12):600-605]、[严小松,李万万,刘霁,孙康,一种适用于近紫外光LED激发的单一相白光发光粉,发光学报.,2010,31(1):39-43]分别报道了化合物LiCa3MgV3O12、LiCa3ZnV3O12的晶体结构为石榴石结构及作为近紫外光激发的发光材料的应用,但是没有涉及有关微波介电性能。为了获得烧结温度低的低介电常数高Qf值的微波介质材料,我们对石榴石结构系列复合氧化物LiCa3Mg1-xZnxV3O12进行了烧结特性与微波介电性能研究,结果发现该类复合氧化物陶瓷具有优异的综合微波介电性能同时烧结温度低于960°C,可广泛用于各种介质基板、谐振起器、滤波器等微波器件的制造,可满足低温共烧技术及微波多层器件的技术需要。
发明内容
本发明的目的是提供一种可低温烧结的低介电常数微波介电陶瓷LiCa3Mg1-xZnxV3O12及制备方法。
本发明提供的微波介电陶瓷,其化学组成通式为:LiCa3Mg1-xZnxV3O12,其中,0≤x≤1。
上述微波介电陶瓷的制备方法具体步骤为:
将纯度为99.9%以上的Li2CO3、CaCO3、MgO、ZnO和V2O5的原始粉末按LiCa3Mg1-xZnxV3O12组成配料,其中,0≤x≤1;湿式球磨混合12小时,溶剂为蒸馏水,烘干后在750℃大气气氛中预烧6小时,然后在预烧粉末中添加粘结剂并造粒后,再压制成型,最后在850~925℃大气气氛中烧结4小时;所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液,剂量占粉末总量的3%。
本发明制备的微波介电陶瓷具有低损耗与良好的热稳定性,同时具有高频介电常数达到12~25,Qf值高达60000~120000GHz。
具体实施方式
实施例:
表1示出了构成本发明的各成分含量的几个具体实例及其微波介电性能。其制备方法如上所述,用圆柱介质谐振器法进行微波介电性能的评价。
本陶瓷可广泛用于各种介质谐振起器、滤波器等微波器件的制造,可满足移动通信、卫星通信等系统的技术需要。
与Mg、Zn相似结构与化学性质的元素如Co, Ni等,也可以做出与本发明类似晶体结构与性能的介电陶瓷。
[表1]
Figure DEST_PATH_IMAGE001

Claims (1)

1.一种复合氧化物作为可低温烧结的微波介电陶瓷的应用,其特征在于所述复合氧化物的化学组成通式为:LiCa3Mg1-xZnxV3O12,其中,0≤x≤1;
所述的复合氧化物陶瓷的制备方法具体步骤为:
将纯度为99.9%以上的Li2CO3、CaCO3、MgO、ZnO和V2O5的原始粉末按LiCa3Mg1-xZnxV3O12组成配料,其中,0≤x≤1;湿式球磨混合12小时,溶剂为蒸馏水,烘干后在750℃大气气氛中预烧6小时,然后在预烧粉末中添加粘结剂并造粒后,再压制成型,最后在850~925℃大气气氛中烧结4小时;所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液,剂量占粉末总量的3%。
CN 201210393326 2012-10-17 2012-10-17 可低温烧结的微波介电陶瓷LiCa3(Mg1-xZnx) V3O12及制备方法 Active CN102875148B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 201210393326 CN102875148B (zh) 2012-10-17 2012-10-17 可低温烧结的微波介电陶瓷LiCa3(Mg1-xZnx) V3O12及制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN 201210393326 CN102875148B (zh) 2012-10-17 2012-10-17 可低温烧结的微波介电陶瓷LiCa3(Mg1-xZnx) V3O12及制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102875148A CN102875148A (zh) 2013-01-16
CN102875148B true CN102875148B (zh) 2013-12-18

Family

ID=47476711

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN 201210393326 Active CN102875148B (zh) 2012-10-17 2012-10-17 可低温烧结的微波介电陶瓷LiCa3(Mg1-xZnx) V3O12及制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN102875148B (zh)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103232244A (zh) * 2013-05-14 2013-08-07 桂林理工大学 可低温烧结钒酸盐微波介电陶瓷Ca0.5M4V3O12及其制备方法
CN103232243A (zh) * 2013-05-14 2013-08-07 桂林理工大学 钒酸盐微波介电陶瓷Ca1.5M3V3O12及其制备方法
CN104003719B (zh) * 2014-05-17 2016-01-13 桂林理工大学 可低温烧结的微波介电陶瓷LiTi2V3O12及其制备方法
CN104311018B (zh) * 2014-10-12 2016-05-18 桂林理工大学 一种超低介电常数微波介电陶瓷及其制备方法
CN104311021B (zh) * 2014-10-13 2016-06-29 桂林理工大学 一种超低介电常数微波介电陶瓷及其制备方法
CN104275199B (zh) * 2014-10-28 2016-08-17 桂林理工大学 一种可见光响应的含氟光催化剂及其制备方法
CN104649670A (zh) * 2015-02-25 2015-05-27 桂林理工大学 温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷LiZn2V7O20
CN105236968A (zh) * 2015-09-07 2016-01-13 桂林理工大学 低损耗与高热稳定性的超低介电常数微波介电陶瓷LiCaEuV2O8
CN105272242A (zh) * 2015-10-18 2016-01-27 桂林理工大学 温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷LiZnNdV2O8
CN105439543A (zh) * 2015-12-19 2016-03-30 桂林理工大学 温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷Ca2CuGe3O9及其制备方法
CN105461286A (zh) * 2015-12-23 2016-04-06 桂林理工大学 温度稳定型微波介电陶瓷Ca3CuGe4O12及其制备方法
CN106316396B (zh) * 2016-08-23 2019-10-01 电子科技大学 一种石榴石结构低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法
CN108424134B (zh) * 2018-02-13 2020-09-25 西安理工大学 一种石榴石型固溶体磁介电功能介质陶瓷材料及制备方法
CN108358632B (zh) * 2018-05-24 2021-07-06 电子科技大学 一种超低温烧结高Q×f值微波介质材料及其制备方法
CN109111227A (zh) * 2018-09-24 2019-01-01 桂林理工大学 LiCa3ZnV3O12微波介电陶瓷的制备方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101538157A (zh) * 2009-04-11 2009-09-23 桂林工学院 低温烧结的高品质因数钽酸盐微波介电陶瓷及其制备方法
CN102584208A (zh) * 2012-02-18 2012-07-18 桂林理工大学 可低温烧结微波介电陶瓷BiZn2VO4及其制备方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101538157A (zh) * 2009-04-11 2009-09-23 桂林工学院 低温烧结的高品质因数钽酸盐微波介电陶瓷及其制备方法
CN102584208A (zh) * 2012-02-18 2012-07-18 桂林理工大学 可低温烧结微波介电陶瓷BiZn2VO4及其制备方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Gerhard Bayer."Vanadates A3B2V3O12 with Garnet Structure".《Journal of the American Ceramic Society》.1965,第48卷(第11期),第600页.

Also Published As

Publication number Publication date
CN102875148A (zh) 2013-01-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102875148B (zh) 可低温烧结的微波介电陶瓷LiCa3(Mg1-xZnx) V3O12及制备方法
CN103130496B (zh) 低介电常数微波介电陶瓷LiAlSi2O6及其制备方法
CN103113104B (zh) 复合氧化物Li2W4O13作为可低温烧结微波介电陶瓷的应用
CN103011810B (zh) 可低温烧结含锂石榴石结构微波介电陶瓷Li2Ca2BiV3O12及其制备方法
CN103121843A (zh) 可低温烧结微波介电陶瓷Li2Mg2W3O12及其制备方法
CN104058748A (zh) 可低温烧结微波介电陶瓷LiMg2V3O10及其制备方法
CN103232243A (zh) 钒酸盐微波介电陶瓷Ca1.5M3V3O12及其制备方法
CN102249670A (zh) 低温烧结的微波介电陶瓷Li2Ba1-xSrxTi4O16及其制备方法
CN104003722A (zh) 可低温烧结的超低介电常数微波介电陶瓷Li3AlV2O8及其制备方法
CN104058746B (zh) 可低温烧结微波介电陶瓷LiNd2V3O11及其制备方法
CN103113103B (zh) 可低温烧结微波介电陶瓷BiZn2VO6及其制备方法
CN104003723A (zh) 可低温烧结的微波介电陶瓷Li3Zn4NbO8及其制备方法
CN102887708B (zh) 可低温烧结的微波介电陶瓷NaCa2(Mg1-xZnx)2V3O12及制备方法
CN104045344B (zh) 可低温烧结微波介电陶瓷Li2Zn3WO7及其制备方法
CN104058747B (zh) 可低温烧结微波介电陶瓷LiMgV3O9及其制备方法
CN103553612A (zh) 可低温烧结的微波介电陶瓷Ba6W2V2O17及其制备方法
CN103570345A (zh) 低温烧结微波介电陶瓷Bi12MgO19及其制备方法
CN103539444B (zh) 低温烧结微波介电陶瓷Ca2Bi2O5及其制备方法
CN103193483B (zh) 可低温烧结钨酸盐微波介电陶瓷Li3R3W2O12及其制备方法
CN103553613A (zh) 可低温烧结的微波介电陶瓷BaV2Nb2O11及其制备方法
CN103232244A (zh) 可低温烧结钒酸盐微波介电陶瓷Ca0.5M4V3O12及其制备方法
CN103524126B (zh) 低温烧结微波介电陶瓷CaBi2O4及其制备方法
CN104944937A (zh) 一种ZnAl2O4/Li4Ti5O12微波介质陶瓷材料及其制备方法
CN106587991B (zh) 一种低温烧结复合微波介质陶瓷材料及其制备方法
CN103922719A (zh) 可低温烧结的超低介电常数微波介电陶瓷TiP2O7及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C56 Change in the name or address of the patentee
CP02 Change in the address of a patent holder

Address after: 541001 the Guangxi Zhuang Autonomous Region Sizhou Diecai District of Guilin City Bay Garden No. 4 3-2

Patentee after: Guilin University of Technology

Address before: 541004 the Guangxi Zhuang Autonomous Region Guilin Construction Road No. 12

Patentee before: Guilin University of Technology

CP02 Change in the address of a patent holder

Address after: No. 12, Jian Gong Road, Guilin, the Guangxi Zhuang Autonomous Region

Patentee after: Guilin University of Technology

Address before: 541001 No. 3-2, No. 4, Si Chau Wan garden, Diecai District, Guilin, the Guangxi Zhuang Autonomous Region.

Patentee before: Guilin University of Technology

CP02 Change in the address of a patent holder
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20201225

Address after: 215600 room a1307, 109 Shazhou West Road, yangshe Town, Zhangjiagang City, Suzhou City, Jiangsu Province

Patentee after: Suzhou Hongwu Technology Intermediary Service Co.,Ltd.

Address before: 541004 the Guangxi Zhuang Autonomous Region Guilin Construction Road No. 12

Patentee before: GUILIN University OF TECHNOLOGY

TR01 Transfer of patent right