CN104003722A - 可低温烧结的超低介电常数微波介电陶瓷Li3AlV2O8及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种可低温烧结的超低介电常数微波介电陶瓷Li₃AlV₂O₈，其制备方法具体步骤为：（1）将纯度为99.9%以上的Li₂CO₃、Al₂O₃和V₂O₅的原始粉末按Li₃AlV₂O₈的化学式称量配料；（2）将步骤（1）原料湿式球磨混合12小时，球磨介质为蒸馏水，烘干后在800℃大气气氛中预烧6小时；（3）在步骤（2）制得的粉末中添加粘结剂并造粒后，再压制成型，最后在850~900℃大气气氛中烧结4小时；所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液，聚乙烯醇添加量占粉末总质量的3%。本发明制备的陶瓷烧结温度低，其谐振频率温度系数小，温度稳定性好，介电常数达到10～11，品质因数Qf值高达91000-107000GHz，在工业上有着极大的应用价值。

Description

可低温烧结的超低介电常数微波介电陶瓷Li3AlV2O8及其制备方法

技术领域

本发明涉及介电陶瓷材料，特别是涉及在微波频率使用的介质基板、谐振器和滤波器等微波元器件的介电陶瓷材料及其制备方法。

背景技术

微波介电陶瓷是指应用于微波频段（主要是UHF和SHF频段）电路中作为介质材料并完成一种或多种功能的陶瓷，在现代通讯中被广泛用作谐振器、滤波器、介质基片和介质导波回路等元器件，是现代通信技术的关键基础材料，已在便携式移动电话、汽车电话、无绳电话、电视卫星接受器和军事雷达等方面有着十分重要的应用，在现代通讯工具的小型化、集成化过程中正发挥着越来越大的作用。

应用于微波频段的介电陶瓷，应满足如下介电特性的要求：（1）系列化介电常数ε_r以适应不同频率及不同应用场合的要求;（2）高的品质因数Q值或介质损耗tanδ以降低噪音，一般要求Qf≥3000 GHz;(3) 谐振频率的温度系数τ_ƒ尽可能接近于零以保证器件具有好的热稳定性，一般要求-10/℃≤τ_ƒ≤+10 ppm/℃。国际上从20世纪30年代末就有人尝试将电介质材料应用于微波技术。

根据相对介电常数ε_r的大小与使用频段的不同，通常可将已被开发和正在开发的微波介质陶瓷分为4类。

（1）超低介电常数微波介电陶瓷，主要代表是Al₂O₃-TiO₂、Y₂BaCuO₅、MgAl₂O₄和Mg₂SiO₄等，其ε_r≤20，品质因数Q×f≥50000GHz，τ_ƒ≤10 ppm/°C。主要用于微波基板以及高端微波元器件。

（2）低ε_r和高Q值的微波介电陶瓷，主要是BaO-MgO-Ta₂O₅, BaO-ZnO-Ta₂O₅或BaO-MgO-Nb₂O₅, BaO-ZnO-Nb₂O₅系统或它们之间的复合系统MWDC材料。其ε_r=25～30, Q=(1～2)×10⁴(在f≥10 GHz下), τ_ƒ≈0。主要应用于f≥8 GHz的卫星直播等微波通信机中作为介质谐振器件。

（3）中等ε_r和Q值的微波介电陶瓷，主要是以BaTi₄O₉、Ba₂Ti₉O₂₀和（Zr、Sn）TiO₄等为基的MWDC材料,其ε_r＝35~40，Q=（6～9）×10³（在f=3～－4GHz下），τ_ƒ≤5 ppm/°C。主要用于4～8 GHz 频率范围内的微波军用雷达及通信系统中作为介质谐振器件。

（4）高ε_r而Q值较低的微波介电陶瓷，主要用于0.8～4GHz 频率范围内民用移动通讯系统，这也是微波介电陶瓷研究的重点。80年代以来，Kolar、Kato等人相继发现并研究了类钙钛矿钨青铜型BaO—Ln₂O₃—TiO₂系列(Ln=La、 Sm、 Nd或Pr等,简称BLT系)、复合钙钛矿结构CaO—Li₂O—Ln₂O₃—TiO₂系列、铅基系列材料、Ca_1-xLn_2x/3TiO₃系等高ε_r微波介电陶瓷，其中BLT体系的BaO—Nd₂O₃—TiO₂材料介电常数达到90，铅基系列 (Pb,Ca)ZrO₃介电常数达到105。

以上这些材料体系的烧结温度一般高于1300°C，不能直接与Ag和Cu 等低熔点金属共烧形成多层陶瓷电容器。近年来，随着低温共烧陶瓷技术（Low Temperature Co-fired Ceramics, LTCC）的发展和微波多层器件发展的要求，国内外的研究人员对一些低烧体系材料进行了广泛的探索和研究，主要是采用微晶玻璃或玻璃-陶瓷复合材料体系，因低熔点玻璃相具有相对较高的介质损耗，玻璃相的存在大大提高了材料的介质损耗。因此研制无玻璃相的低烧微波介质陶瓷材料是当前研究的重点。

在探索与开发新型可低烧微波介电陶瓷材料的过程中，固有烧结温度低的Li基化合物、Bi基化合物、钨酸盐体系化合物和碲酸盐体系化合物等材料体系得到了广泛关注与研究，但是存在的主要问题是，绝大多数已公开报道的可低温烧结的单相微波介电陶瓷材料的谐振频率温度系数都偏大，无法保证器件具有好的热稳定性；并且迄今为止通过现有的理论或技术还无法预测单相材料的τ_ƒ值，这在很大程度上限制了低温共烧技术与微波多层器件的发展。

我们对组成为Li₃AlV₂O₈的新化合物进行了烧结特性与微波介电性能研究，结果发现该类陶瓷具有优异的综合微波介电性能同时烧结温度低于900°C，可实现与Ag的低温共烧，可广泛用于各种介质基板、谐振器和滤波器等微波器件的制造，可满足低温共烧技术及微波多层器件的需要。

发明内容

本发明的目的是提供一种热稳定性好和低损耗，并可以低温烧结的超低介电常数微波介电陶瓷材料及其制备方法。

本发明的微波介电陶瓷材料的化学组成式为Li₃AlV₂O₈。

本微波介电陶瓷材料的制备方法步骤为：

（1）将纯度为99.9%以上的Li₂CO₃、Al₂O₃和V₂O₅的原始粉末按Li₃AlV₂O₈的化学式称量配料。

（2）将步骤（1）原料湿式球磨混合12小时，球磨介质为蒸馏水，烘干后在800℃大气气氛中预烧6小时。

（3）在步骤（2）制得的粉末中添加粘结剂并造粒后，再压制成型，最后在850~900℃大气气氛中烧结4小时；所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液，聚乙烯醇的添加量占粉末总质量的3%。

本发明的有益技术效果是：本发明要求保护的陶瓷烧结温度低，可满足低温共烧技术及微波多层器件的技术需要；其谐振频率的温度系数τ_ƒ接近于零，可以满足器件热稳定的要求；介电常数达到10～11，品质因数Qf值高达91000-107000GHz，可广泛用于各种介质基板、谐振器和滤波器等微波器件的制造，在工业上有着极大的应用价值。

具体实施方式

实施例：

表1示出了构成本发明的不同烧结温度的3个具体实施例及其微波介电性能。其制备方法如上所述，用圆柱介质谐振器法进行微波介电性能的评价。将将Li₃AlV₂O₈粉料与占粉料质量20%的Ag粉混合、压制成型后，在900℃下烧结4小时；

X 射线衍射物相分析与扫描电镜观察都显示Li₃AlV₂O₈与Ag没发生化学反应，即Li₃AlV₂O₈可以与Ag电极低温共烧。本陶瓷可广泛用于各种介质基板、谐振器和滤波器等微波器件的制造，可满足移动通信和卫星通信等系统的技术需要。

表1：

Claims (1)

1.一种可低温烧结的超低介电常数微波介电陶瓷，其特征在于所述微波介电陶瓷的化学组成式为：Li₃AlV₂O₈；

所述微波介电陶瓷的制备方法具体步骤为：

（1）将纯度为99.9%以上的Li₂CO₃、Al₂O₃和V₂O₅的原始粉末按Li₃AlV₂O₈的化学式称量配料；

（2）将步骤（1）原料湿式球磨混合12小时，球磨介质为蒸馏水，烘干后在800℃大气气氛中预烧6小时；

（3）在步骤（2）制得的粉末中添加粘结剂并造粒后，再压制成型，最后在850~900℃大气气氛中烧结4小时；所述的粘结剂采用质量浓度为5%的聚乙烯醇溶液，聚乙烯醇的添加量占粉末总质量的3%。