JP2003002682A - 低軟化点ガラスとその製造方法、並びに低温焼成磁器組成物 - Google Patents
低軟化点ガラスとその製造方法、並びに低温焼成磁器組成物Info
- Publication number
- JP2003002682A JP2003002682A JP2001188241A JP2001188241A JP2003002682A JP 2003002682 A JP2003002682 A JP 2003002682A JP 2001188241 A JP2001188241 A JP 2001188241A JP 2001188241 A JP2001188241 A JP 2001188241A JP 2003002682 A JP2003002682 A JP 2003002682A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- weight
- glass
- low
- group
- softening point
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/062—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight
- C03C3/064—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing boron
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】ＰｂＯ、ＳｉＯ2を主体とすることなく軟化点
の低いガラスを得、これセラミックスと複合化させるこ
とによってＣｕ、Ａｇなどの低抵抗導体との低温焼成が
可能であって、Ｑ値の高い低温焼成磁器組成物を得る。 【解決手段】ＭｇＴｉＯ3、ＳｒＴｉＯ3、ＣａＴｉ
Ｏ3、Ｍｇ2ＳｉＯ4、ＢａＴｉ4Ｏ9、Ａｌ2Ｏ3、Ｔｉ
Ｏ2、ＳｉＯ2、（Ｍｇ，Ｔｉ）2（ＢＯ4）Ｏ、Ｚｒ
Ｏ2、の群から選ばれる少なくとも１種のセラミックス
粉末１００重量部に対して、ＳｉＯ2を１０〜３０重量
％、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、及びＳｒＯの群から選ば
れる少なくとも１種を１０〜６０重量％、Ａｌ2Ｏ3およ
びＢ2Ｏ3のうちの少なくとも１種を２０〜５０重量％、
Ｌｉ2Ｏ、Ｎａ2Ｏ及びＫ2Ｏの群から選ばれる少なくと
も１種を０〜３０重量％の割合で含み、上記成分の合計
量が９５重量％以上であり、かつ軟化点が６００℃以下
である低軟化点ガラスを１〜２０重量部含有する。
の低いガラスを得、これセラミックスと複合化させるこ
とによってＣｕ、Ａｇなどの低抵抗導体との低温焼成が
可能であって、Ｑ値の高い低温焼成磁器組成物を得る。 【解決手段】ＭｇＴｉＯ3、ＳｒＴｉＯ3、ＣａＴｉ
Ｏ3、Ｍｇ2ＳｉＯ4、ＢａＴｉ4Ｏ9、Ａｌ2Ｏ3、Ｔｉ
Ｏ2、ＳｉＯ2、（Ｍｇ，Ｔｉ）2（ＢＯ4）Ｏ、Ｚｒ
Ｏ2、の群から選ばれる少なくとも１種のセラミックス
粉末１００重量部に対して、ＳｉＯ2を１０〜３０重量
％、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、及びＳｒＯの群から選ば
れる少なくとも１種を１０〜６０重量％、Ａｌ2Ｏ3およ
びＢ2Ｏ3のうちの少なくとも１種を２０〜５０重量％、
Ｌｉ2Ｏ、Ｎａ2Ｏ及びＫ2Ｏの群から選ばれる少なくと
も１種を０〜３０重量％の割合で含み、上記成分の合計
量が９５重量％以上であり、かつ軟化点が６００℃以下
である低軟化点ガラスを１〜２０重量部含有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、低軟化点ガラスに
関するものであり、具体的には、マイクロ波やミリ波な
どの高周波領域において使用される種々の共振器用材料
やＭＩＣ用誘電体基板材料、誘電体導波路用材料や積層
型セラミックコンデンサ等の焼結促進助剤として好適に
用いることができる低軟化点ガラスと、それを用いた低
温焼成磁器組成物に関する。
関するものであり、具体的には、マイクロ波やミリ波な
どの高周波領域において使用される種々の共振器用材料
やＭＩＣ用誘電体基板材料、誘電体導波路用材料や積層
型セラミックコンデンサ等の焼結促進助剤として好適に
用いることができる低軟化点ガラスと、それを用いた低
温焼成磁器組成物に関する。
【０００２】
【従来技術】近年においては、携帯電話をはじめとする
移動体通信等の発達および普及に伴い、電子回路基板や
電子部品の材料として、誘電体セラミックスの需要が増
大しつつある。
移動体通信等の発達および普及に伴い、電子回路基板や
電子部品の材料として、誘電体セラミックスの需要が増
大しつつある。
【０００３】従来、電子回路や電子部品において、誘電
体セラミックスと導通抵抗の小さいＡｇ、Ｃｕ等の内部
導体を同時焼成するに際しては、誘電体セラミックスに
対して等量程度のガラスを混合せしめて低温焼成化を達
成していた。これにより、導体線路の伝送損失は小さく
なったが、低温焼成化のために使用したガラスにより材
料の誘電損失が大幅に増加して、電子回路基板において
共振回路やインダクタンスのＱ値が小さくなる等の問題
があった。
体セラミックスと導通抵抗の小さいＡｇ、Ｃｕ等の内部
導体を同時焼成するに際しては、誘電体セラミックスに
対して等量程度のガラスを混合せしめて低温焼成化を達
成していた。これにより、導体線路の伝送損失は小さく
なったが、低温焼成化のために使用したガラスにより材
料の誘電損失が大幅に増加して、電子回路基板において
共振回路やインダクタンスのＱ値が小さくなる等の問題
があった。
【０００４】そこで、この問題点を解決するために、導
通抵抗の小さいＡｇ、Ｃｕ等と同時焼成可能な低温焼成
基板に好適な結晶化ガラスが提案されている。例えば、
特開平４−２９２４６０号公報には、アノーサイトチタ
ン酸カルシウム系のガラスとＴｉＯ2を用い、Ａｇ、Ｃ
ｕ等の内部導体と同時に焼成できる低温焼成基板が提案
されている。
通抵抗の小さいＡｇ、Ｃｕ等と同時焼成可能な低温焼成
基板に好適な結晶化ガラスが提案されている。例えば、
特開平４−２９２４６０号公報には、アノーサイトチタ
ン酸カルシウム系のガラスとＴｉＯ2を用い、Ａｇ、Ｃ
ｕ等の内部導体と同時に焼成できる低温焼成基板が提案
されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
４−２９２４６０号公報等に記載される低温焼成基板で
は、低温焼成化に配合したガラス成分が焼結後も残存す
るため、６ＧＨｚの測定周波数でＱ値が３３０程度と材
料Ｑとしてはまだ低く、共振回路やインダクタンスのＱ
値を向上させるためには十分ではないという問題があっ
た。
４−２９２４６０号公報等に記載される低温焼成基板で
は、低温焼成化に配合したガラス成分が焼結後も残存す
るため、６ＧＨｚの測定周波数でＱ値が３３０程度と材
料Ｑとしてはまだ低く、共振回路やインダクタンスのＱ
値を向上させるためには十分ではないという問題があっ
た。
【０００６】このように、Ｑ値を向上させる上では焼結
後に残存するガラスを極力低減させることが必要である
が、そのためには、ガラスを結晶化させるか、出発組成
におけるガラス量を低減させることが考えられる。しか
しながら、ガラスを結晶化させる方法では、ガラスの結
晶化温度のバラツキにより焼結挙動の不安定性に起因
し、導体等との同時焼成において、反り、ハガレが起こ
るという問題がある。
後に残存するガラスを極力低減させることが必要である
が、そのためには、ガラスを結晶化させるか、出発組成
におけるガラス量を低減させることが考えられる。しか
しながら、ガラスを結晶化させる方法では、ガラスの結
晶化温度のバラツキにより焼結挙動の不安定性に起因
し、導体等との同時焼成において、反り、ハガレが起こ
るという問題がある。
【０００７】また、従来のガラスの場合、添加量が３０
重量％よりも少なくなると、１０００℃以下の焼成温度
では充分な焼結ができず、磁器中に気孔が多数存在し、
その結果、誘電損失が増加し、所望のＱ値が得られない
ものであった。
重量％よりも少なくなると、１０００℃以下の焼成温度
では充分な焼結ができず、磁器中に気孔が多数存在し、
その結果、誘電損失が増加し、所望のＱ値が得られない
ものであった。
【０００８】また、従来より軟化点が６００℃以下の低
軟化点ガラスが知られているが、従来のガラスは、Ｐｂ
Ｏを主体とするもの（特開平５−１１６９８４号、特開
平９−１６９５４３号）、あるいはＳｉＯ2を主体とす
るもの（特開平８−４８９５６号、特開平１０−９５６
３３号）である。
軟化点ガラスが知られているが、従来のガラスは、Ｐｂ
Ｏを主体とするもの（特開平５−１１６９８４号、特開
平９−１６９５４３号）、あるいはＳｉＯ2を主体とす
るもの（特開平８−４８９５６号、特開平１０−９５６
３３号）である。
【０００９】ＰｂＯを主体とするものは、将来的に電子
部品から鉛廃絶とする業界全体の動きに反し、環境破
壊、人体への悪影響という問題があり、ＳｉＯ2を主体
とするものは、ガラス化が容易であるという特性はある
が、その反面、結晶化が不十分でガラス成分が残留する
ため、高Ｑ値実現が困難となるという問題がある。
部品から鉛廃絶とする業界全体の動きに反し、環境破
壊、人体への悪影響という問題があり、ＳｉＯ2を主体
とするものは、ガラス化が容易であるという特性はある
が、その反面、結晶化が不十分でガラス成分が残留する
ため、高Ｑ値実現が困難となるという問題がある。
【００１０】従って、本発明は、ＰｂＯ、ＳｉＯ2を主
体とすることなく、６００℃以下の軟化点を有する低軟
化点ガラスとその製造方法と、このガラスとセラミック
スと複合化させることによってＣｕ、Ａｇなどの低抵抗
導体との低温焼成が可能であって、Ｑ値の高い磁器を得
ることのできる低温焼成磁器組成物を提供することを目
的とするものである。
体とすることなく、６００℃以下の軟化点を有する低軟
化点ガラスとその製造方法と、このガラスとセラミック
スと複合化させることによってＣｕ、Ａｇなどの低抵抗
導体との低温焼成が可能であって、Ｑ値の高い磁器を得
ることのできる低温焼成磁器組成物を提供することを目
的とするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】 本発明者らは、ＰｂＯ
などを添加することなく、少量のＳｉＯ2と、ＭｇＯ、
ＣａＯ、ＢａＯ、及びＳｒＯの群から選ばれる少なくと
も１種、Ａｌ2Ｏ3およびＢ2Ｏ3のうちの少なくとも１
種、およびＬｉ2Ｏ、Ｎａ2Ｏ及びＫ2Ｏの群から選ばれ
る少なくとも１種を所定の比率で混合することによっ
て、ガラスの軟化点を下げることができ、さらにかかる
低軟化点ガラスをセラミックフィラーに対して少量添加
することによって、Ｃｕなどの低抵抗材料と同時焼成可
能であり、かつ得られる磁器のＱ値を改善できるという
知見を得、本発明に至った。
などを添加することなく、少量のＳｉＯ2と、ＭｇＯ、
ＣａＯ、ＢａＯ、及びＳｒＯの群から選ばれる少なくと
も１種、Ａｌ2Ｏ3およびＢ2Ｏ3のうちの少なくとも１
種、およびＬｉ2Ｏ、Ｎａ2Ｏ及びＫ2Ｏの群から選ばれ
る少なくとも１種を所定の比率で混合することによっ
て、ガラスの軟化点を下げることができ、さらにかかる
低軟化点ガラスをセラミックフィラーに対して少量添加
することによって、Ｃｕなどの低抵抗材料と同時焼成可
能であり、かつ得られる磁器のＱ値を改善できるという
知見を得、本発明に至った。
【００１２】即ち、本発明の低軟化点ガラスは、重量比
で、ＳｉＯ2を１０〜３０重量％、ＭｇＯ、ＣａＯ、Ｂ
ａＯ、及びＳｒＯの群から選ばれる少なくとも１種を１
０〜６０重量％、Ａｌ2Ｏ3およびＢ2Ｏ3のうちの少なく
とも１種を２０〜５０重量％、Ｌｉ2Ｏ、Ｎａ2Ｏ及びＫ
2Ｏの群から選ばれる少なくとも１種を０〜３０重量％
の割合で含み、上記成分の合計量が９５重量％以上であ
り、かつ軟化点が６００℃以下であることを特徴とする
ものである。
で、ＳｉＯ2を１０〜３０重量％、ＭｇＯ、ＣａＯ、Ｂ
ａＯ、及びＳｒＯの群から選ばれる少なくとも１種を１
０〜６０重量％、Ａｌ2Ｏ3およびＢ2Ｏ3のうちの少なく
とも１種を２０〜５０重量％、Ｌｉ2Ｏ、Ｎａ2Ｏ及びＫ
2Ｏの群から選ばれる少なくとも１種を０〜３０重量％
の割合で含み、上記成分の合計量が９５重量％以上であ
り、かつ軟化点が６００℃以下であることを特徴とする
ものである。
【００１３】また、このガラスは、３０〜３００℃の熱
膨張係数（α）が８０〜１５０×１０-7／℃であること
によって磁器の熱膨張を高めることができ、磁器を絶縁
基板とする配線基板の熱膨張を樹脂を含む絶縁基板から
なるマザーボードに対する実装信頼性を高めることがで
きる。
膨張係数（α）が８０〜１５０×１０-7／℃であること
によって磁器の熱膨張を高めることができ、磁器を絶縁
基板とする配線基板の熱膨張を樹脂を含む絶縁基板から
なるマザーボードに対する実装信頼性を高めることがで
きる。
【００１４】本ガラス製造工程において熔融温度を１２
００℃以上で行い、乾式粉砕法にて平均粒径を１〜３μ
ｍとすることにより、低軟化ガラスの熱特性を安定かつ
効果的に引き出すことが可能となる。
００℃以上で行い、乾式粉砕法にて平均粒径を１〜３μ
ｍとすることにより、低軟化ガラスの熱特性を安定かつ
効果的に引き出すことが可能となる。
【００１５】さらに、本発明の低温焼成磁器組成物は、
ＭｇＴｉＯ3、ＳｒＴｉＯ3、ＣａＴｉＯ3、Ｍｇ2ＳｉＯ
4、ＢａＴｉ4Ｏ9、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、ＳｉＯ2、（Ｍ
ｇ，Ｔｉ）2（ＢＯ4）ＯおよびＺｒＯ2の群から選ばれ
る少なくとも１種のセラミックス粉末１００重量部に対
して、上記の低軟化点ガラスを１〜２０重量部含有する
ものであって、これにより磁器の低温での焼結性を高め
ることができるとともに、磁器の３０〜３００℃の熱膨
張係数（α）を８０〜１５０×１０-7／℃に制御するこ
ともできる。また、焼結の際、前記低軟化点ガラスが、
前記セラミックス粉末と反応して結晶化し、残存ガラス
によるＱ値の劣化を抑制でき、更に高Ｑ値を有する磁器
を得ることができる。
ＭｇＴｉＯ3、ＳｒＴｉＯ3、ＣａＴｉＯ3、Ｍｇ2ＳｉＯ
4、ＢａＴｉ4Ｏ9、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、ＳｉＯ2、（Ｍ
ｇ，Ｔｉ）2（ＢＯ4）ＯおよびＺｒＯ2の群から選ばれ
る少なくとも１種のセラミックス粉末１００重量部に対
して、上記の低軟化点ガラスを１〜２０重量部含有する
ものであって、これにより磁器の低温での焼結性を高め
ることができるとともに、磁器の３０〜３００℃の熱膨
張係数（α）を８０〜１５０×１０-7／℃に制御するこ
ともできる。また、焼結の際、前記低軟化点ガラスが、
前記セラミックス粉末と反応して結晶化し、残存ガラス
によるＱ値の劣化を抑制でき、更に高Ｑ値を有する磁器
を得ることができる。
【００１６】本発明によれば、ＰｂＯなどを用いること
なく、ガラスの軟化点を６００℃以下に下げることがで
きるとともに、このガラスとセラミックスとを複合化し
た場合に、ガラス含有量を大幅に低減した場合において
も１０００℃以下で焼結することができるために、最終
的に得られる磁器のＱ値を向上することができる。
なく、ガラスの軟化点を６００℃以下に下げることがで
きるとともに、このガラスとセラミックスとを複合化し
た場合に、ガラス含有量を大幅に低減した場合において
も１０００℃以下で焼結することができるために、最終
的に得られる磁器のＱ値を向上することができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】本発明の低軟化点ガラスは、Ｓｉ
Ｏ2を１０〜３０重量％、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、及
びＳｒＯの群から選ばれる少なくとも１種を１０〜６０
重量％、Ａｌ 2Ｏ3およびＢ2Ｏ3のうちの少なくとも１種
を２０〜５０重量％を必須成分として含むものである。
また、任意成分として、Ｌｉ2Ｏ、Ｎａ2Ｏ及びＫ2Ｏの
群から選ばれる少なくとも１種を０〜３０重量％の割合
で含むものである。なお、これらの必須成分および任意
成分は合計で９５重量％以上とすることによって、軟化
点を６００℃以下、特に５８０℃以下に低下させること
ができる。
Ｏ2を１０〜３０重量％、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、及
びＳｒＯの群から選ばれる少なくとも１種を１０〜６０
重量％、Ａｌ 2Ｏ3およびＢ2Ｏ3のうちの少なくとも１種
を２０〜５０重量％を必須成分として含むものである。
また、任意成分として、Ｌｉ2Ｏ、Ｎａ2Ｏ及びＫ2Ｏの
群から選ばれる少なくとも１種を０〜３０重量％の割合
で含むものである。なお、これらの必須成分および任意
成分は合計で９５重量％以上とすることによって、軟化
点を６００℃以下、特に５８０℃以下に低下させること
ができる。
【００１８】各成分の含有量を上記の範囲に限定したの
は、ＳｉＯ2量が１０重量％より少ないと、ガラス化が
不可能であり、ＳｉＯ2量が３０重量％よりも多いと、
セラミックスと複合化した場合、焼成後の磁器中にガラ
ス成分が増えてＱ値劣化の原因となってしまう。ＳｉＯ
2量は、１５〜２０重量％が望ましい。
は、ＳｉＯ2量が１０重量％より少ないと、ガラス化が
不可能であり、ＳｉＯ2量が３０重量％よりも多いと、
セラミックスと複合化した場合、焼成後の磁器中にガラ
ス成分が増えてＱ値劣化の原因となってしまう。ＳｉＯ
2量は、１５〜２０重量％が望ましい。
【００１９】ＭｇＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、及びＳｒＯの群
から選ばれる少なくとも１種が１０重量％よりも少ない
と、軟化点を６００℃以下に低くすることができず、６
０重量％よりも多いとＱ値を低下させてしまう。このＭ
ｇＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、及びＳｒＯの群から選ばれる少
なくとも１種の含有量は３０〜５０重量％が望ましい。
から選ばれる少なくとも１種が１０重量％よりも少ない
と、軟化点を６００℃以下に低くすることができず、６
０重量％よりも多いとＱ値を低下させてしまう。このＭ
ｇＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、及びＳｒＯの群から選ばれる少
なくとも１種の含有量は３０〜５０重量％が望ましい。
【００２０】Ａｌ2Ｏ3およびＢ2Ｏ3のうちの少なくとも
１種が２０重量％よりも少ないとガラス化が不可能であ
り、５０重量％よりも多いとセラミックスと複合化した
場合、焼成後の磁器中にガラス成分が増えてＱ値劣化の
原因となる。Ａｌ2Ｏ3およびＢ2Ｏ3のうちの少なくとも
１種は２０〜４０重量％が望ましい。
１種が２０重量％よりも少ないとガラス化が不可能であ
り、５０重量％よりも多いとセラミックスと複合化した
場合、焼成後の磁器中にガラス成分が増えてＱ値劣化の
原因となる。Ａｌ2Ｏ3およびＢ2Ｏ3のうちの少なくとも
１種は２０〜４０重量％が望ましい。
【００２１】これによって、他のセラミックフィラーと
の混合組成物において、低温での焼結性を高めることが
できる結果、このガラスを少量添加することによって、
低温での焼結を可能にすることができる。
の混合組成物において、低温での焼結性を高めることが
できる結果、このガラスを少量添加することによって、
低温での焼結を可能にすることができる。
【００２２】また、このガラスは、単体で３０〜３００
℃の熱膨張係数（α）が８０〜１５０×１０-7／℃であ
ることが望ましく、これにより他のセラミックスとの混
合組成物によって形成される磁器の熱膨張係数を高める
ことができる。
℃の熱膨張係数（α）が８０〜１５０×１０-7／℃であ
ることが望ましく、これにより他のセラミックスとの混
合組成物によって形成される磁器の熱膨張係数を高める
ことができる。
【００２３】かかるガラスを作製するには、まず、原料
粉末として、ＳｉＯ2と、ＭｇＣＯ3、ＣａＣＯ3、Ｂａ
ＣＯ3、及びＳｒＣＯ3の群から選ばれる少なくとも１
種、Ａｌ2Ｏ3、及びＢ2Ｏ3の１種または２種以上、Ｌｉ
2ＣＯ3、Ｎａ2ＣＯ3、及びＫ2ＣＯ3の群から選ばれる少
なくとも１種の各粉末を用い、これらを所定比率で秤
量、混合し、熔解した後、粉砕する。
粉末として、ＳｉＯ2と、ＭｇＣＯ3、ＣａＣＯ3、Ｂａ
ＣＯ3、及びＳｒＣＯ3の群から選ばれる少なくとも１
種、Ａｌ2Ｏ3、及びＢ2Ｏ3の１種または２種以上、Ｌｉ
2ＣＯ3、Ｎａ2ＣＯ3、及びＫ2ＣＯ3の群から選ばれる少
なくとも１種の各粉末を用い、これらを所定比率で秤
量、混合し、熔解した後、粉砕する。
【００２４】具体的には、原料粉末を上記組成となるよ
うに秤量して乾式にて混合し、連続熔解炉等によって１
２００℃以上、特に１５００℃以下で熔解した後、１対
の冷却された金属ロール間に溶融物を通す（ロールアウ
ト）ことによって急冷してリボン状のガラス成形体を作
製する。得られたリボン状ガラス成形体を、乾式で粉砕
する。乾式粉砕にあたっては、先ず、ボールミルにて粗
粉砕を行った後、風力分級を行いながらさらに微粉砕を
行うことによって、所定の粒度分布のガラス粉末を得る
ことができる。
うに秤量して乾式にて混合し、連続熔解炉等によって１
２００℃以上、特に１５００℃以下で熔解した後、１対
の冷却された金属ロール間に溶融物を通す（ロールアウ
ト）ことによって急冷してリボン状のガラス成形体を作
製する。得られたリボン状ガラス成形体を、乾式で粉砕
する。乾式粉砕にあたっては、先ず、ボールミルにて粗
粉砕を行った後、風力分級を行いながらさらに微粉砕を
行うことによって、所定の粒度分布のガラス粉末を得る
ことができる。
【００２５】本発明によれば、上記の乾式粉砕によって
最終的に得られるガラス粉末の平均粒径が１〜３μｍで
あることが望ましい。これは、平均粒径を１〜３μｍと
することによって後述するセラミックスとの複合化にあ
たって、セラミックスとガラスとの混合分散性を向上さ
せることができる結果、低軟化ガラスの熱特性を安定か
つ効果的に引き出すことが可能となる。
最終的に得られるガラス粉末の平均粒径が１〜３μｍで
あることが望ましい。これは、平均粒径を１〜３μｍと
することによって後述するセラミックスとの複合化にあ
たって、セラミックスとガラスとの混合分散性を向上さ
せることができる結果、低軟化ガラスの熱特性を安定か
つ効果的に引き出すことが可能となる。
【００２６】なお、ガラス粉末の原料は、上記の炭酸塩
以外にも熱処理により酸化物を生成する水酸化物、硝酸
塩等の金属塩を用いても良い。
以外にも熱処理により酸化物を生成する水酸化物、硝酸
塩等の金属塩を用いても良い。
【００２７】また、本発明のガラスは、上記の成分が、
合計で９５重量％以上、特に９９重量％以上含有されて
いることが必要であり、９５重量％よりも少ないと、所
望の特性が得られない場合がある。なお、このガラス中
には不可避不純物として、Ｚｒ、Ｆｅ、Ｈｆ、Ｓｎ、Ｐ
等が含まれることもある。また、本発明の特性を損なわ
ない範囲であれば、ＭｎＯ2、Ａｇ2Ｏ，ＺｒＯ2，Ｆｅ2
Ｏ3，Ｐ2Ｏ3，ＺｎＯ，ＣｕＯ，Ｃｏ3Ｏ4，ＲｕＯ2の群
から選ばれる少なくとも１種の化合物を意図的に添加す
ることもできる。但し、それらの合計量は、上記の理由
から酸化物換算で５重量％以下、特に１重量％以下であ
ることが必要である。
合計で９５重量％以上、特に９９重量％以上含有されて
いることが必要であり、９５重量％よりも少ないと、所
望の特性が得られない場合がある。なお、このガラス中
には不可避不純物として、Ｚｒ、Ｆｅ、Ｈｆ、Ｓｎ、Ｐ
等が含まれることもある。また、本発明の特性を損なわ
ない範囲であれば、ＭｎＯ2、Ａｇ2Ｏ，ＺｒＯ2，Ｆｅ2
Ｏ3，Ｐ2Ｏ3，ＺｎＯ，ＣｕＯ，Ｃｏ3Ｏ4，ＲｕＯ2の群
から選ばれる少なくとも１種の化合物を意図的に添加す
ることもできる。但し、それらの合計量は、上記の理由
から酸化物換算で５重量％以下、特に１重量％以下であ
ることが必要である。
【００２８】本発明の上記低軟化点ガラスは、軟化点が
非常に低いことに伴い、他のセラミックス粉末と混合し
焼成する場合に、少量の添加によって低温での焼結性を
高めることができる。そのために、ガラスの残存に伴っ
て磁器のＱ値が低下するのを防止し、高いＱ値の磁器を
得ることができる。
非常に低いことに伴い、他のセラミックス粉末と混合し
焼成する場合に、少量の添加によって低温での焼結性を
高めることができる。そのために、ガラスの残存に伴っ
て磁器のＱ値が低下するのを防止し、高いＱ値の磁器を
得ることができる。
【００２９】上記ガラスと混合されるセラミックスとし
ては、ＭｇＴｉＯ3、ＳｒＴｉＯ3、ＣａＴｉＯ3、Ｍｇ2
ＳｉＯ4、ＢａＴｉ4Ｏ9、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｓｉ
Ｏ2、（Ｍｇ，Ｔｉ）2（ＢＯ4）Ｏ、ＺｒＯ2の群から選
ばれる少なくとも１種のセラミックスが挙げられる。こ
れらの中で、所望の特性に応じて適宜選択される。例え
ば、誘電率εｒが２０未満のものを得るためには、上記
の中でも、ＭｇＴｉＯ3、Ｍｇ2ＳｉＯ4、Ａｌ2Ｏ3、Ｓ
ｉＯ2、（Ｍｇ，Ｔｉ）2（ＢＯ4）Ｏ、ＺｒＯ2の群から
選ばれる少なくとも１種が好適であり、また誘電率εｒ
が２０以上のものを得るためには、上記の中でもＳｒＴ
ｉＯ3、ＣａＴｉＯ3、ＢａＴｉ4Ｏ9、ＴｉＯ2の群から
選ばれる少なくとも１種が好適に選択される。
ては、ＭｇＴｉＯ3、ＳｒＴｉＯ3、ＣａＴｉＯ3、Ｍｇ2
ＳｉＯ4、ＢａＴｉ4Ｏ9、Ａｌ2Ｏ3、ＴｉＯ2、Ｓｉ
Ｏ2、（Ｍｇ，Ｔｉ）2（ＢＯ4）Ｏ、ＺｒＯ2の群から選
ばれる少なくとも１種のセラミックスが挙げられる。こ
れらの中で、所望の特性に応じて適宜選択される。例え
ば、誘電率εｒが２０未満のものを得るためには、上記
の中でも、ＭｇＴｉＯ3、Ｍｇ2ＳｉＯ4、Ａｌ2Ｏ3、Ｓ
ｉＯ2、（Ｍｇ，Ｔｉ）2（ＢＯ4）Ｏ、ＺｒＯ2の群から
選ばれる少なくとも１種が好適であり、また誘電率εｒ
が２０以上のものを得るためには、上記の中でもＳｒＴ
ｉＯ3、ＣａＴｉＯ3、ＢａＴｉ4Ｏ9、ＴｉＯ2の群から
選ばれる少なくとも１種が好適に選択される。
【００３０】本発明によれば、上記セラミックス粉末１
００重量部に対して、前記低軟化点ガラスを１〜２０重
量部、特に３〜１５重量部の割合で添加することによっ
て、１０５０℃以下の低温での焼成を実現することがで
き、これによって磁器のＱ値を高めることができる。
００重量部に対して、前記低軟化点ガラスを１〜２０重
量部、特に３〜１５重量部の割合で添加することによっ
て、１０５０℃以下の低温での焼成を実現することがで
き、これによって磁器のＱ値を高めることができる。
【００３１】ガラス量を上記の範囲に限定したのは、上
記ガラス量が１重量部よりも少ないと、低温での焼結性
に効果がなく、Ｃｕなどの低抵抗導体との同時焼成がで
きなくなり、逆に２０重量部を超えると磁器全体に占め
るガラス量が増加するため、磁器のＱ値が低下するため
である。低軟化点ガラスの配合量は焼結性を維持し、高
いＱ値を得るという観点から前記セラミックス粉末に対
して３〜１５重量部であることが望ましい。
記ガラス量が１重量部よりも少ないと、低温での焼結性
に効果がなく、Ｃｕなどの低抵抗導体との同時焼成がで
きなくなり、逆に２０重量部を超えると磁器全体に占め
るガラス量が増加するため、磁器のＱ値が低下するため
である。低軟化点ガラスの配合量は焼結性を維持し、高
いＱ値を得るという観点から前記セラミックス粉末に対
して３〜１５重量部であることが望ましい。
【００３２】上記セラミックスとガラスとからなる磁器
を作製するには、上記のセラミックスと低軟化点ガラス
とを所定比率で混合した後、さらに有機バインダーなど
の成形助剤を添加混合し、これをプレス成形、ドクター
ブレード法やカレンダーロール法などによるシート成形
法などの周知の成形方法によって成形する。そして、こ
の成形体を大気中で４００〜６００℃で加熱して成形助
剤を分解除去した後、さら１０５０℃以下、特に８７０
〜９２０℃の低温で焼成することによって、アルキメデ
ス法によって測定される吸水率が０．１％以下の高密度
の磁器を得ることができる。
を作製するには、上記のセラミックスと低軟化点ガラス
とを所定比率で混合した後、さらに有機バインダーなど
の成形助剤を添加混合し、これをプレス成形、ドクター
ブレード法やカレンダーロール法などによるシート成形
法などの周知の成形方法によって成形する。そして、こ
の成形体を大気中で４００〜６００℃で加熱して成形助
剤を分解除去した後、さら１０５０℃以下、特に８７０
〜９２０℃の低温で焼成することによって、アルキメデ
ス法によって測定される吸水率が０．１％以下の高密度
の磁器を得ることができる。
【００３３】上記のようにして得られる本発明の磁器
は、ガラス量が少ないことから、ガラスの残存に伴うＱ
値の低下が抑制される結果、測定周波数２ＧＨｚでのＱ
値が２０００以上、特に３０００以上の特性を有する磁
器を得ることができる。また、比誘電率も用いるセラミ
ックスに応じて５〜９０の範囲に適宜調整することも可
能となる。
は、ガラス量が少ないことから、ガラスの残存に伴うＱ
値の低下が抑制される結果、測定周波数２ＧＨｚでのＱ
値が２０００以上、特に３０００以上の特性を有する磁
器を得ることができる。また、比誘電率も用いるセラミ
ックスに応じて５〜９０の範囲に適宜調整することも可
能となる。
【００３４】さらに、かかる磁器は、高いＱ値を有する
ことから、特に１ＧＨｚ以上の高周波信号を伝送させる
配線基板における絶縁基板材料として好適である。かか
る磁器は低温で焼成が可能となるために、ＡｇやＣｕを
主成分とする導体との同時焼成が可能となる。配線基板
としては、高周波用の半導体素子をキャビティ内に収納
した公知の半導体素子収納用パッケージや、マイクロス
トリップ線路やコプレーナ線路などの高周波回路が形成
されたり、コンデンサ素子や抵抗素子などの電子部品を
表面実装した高周波用回路基板、アンテナ用送受信用の
各種基板などが挙げられる。
ことから、特に１ＧＨｚ以上の高周波信号を伝送させる
配線基板における絶縁基板材料として好適である。かか
る磁器は低温で焼成が可能となるために、ＡｇやＣｕを
主成分とする導体との同時焼成が可能となる。配線基板
としては、高周波用の半導体素子をキャビティ内に収納
した公知の半導体素子収納用パッケージや、マイクロス
トリップ線路やコプレーナ線路などの高周波回路が形成
されたり、コンデンサ素子や抵抗素子などの電子部品を
表面実装した高周波用回路基板、アンテナ用送受信用の
各種基板などが挙げられる。
【００３５】また、本発明における低軟化低ガラスは、
単体での３０〜３００℃の熱膨張係数（α）が８０〜１
５０×１０-7／℃と高いことから、他のセラミックスと
の組み合わせによって磁器の熱膨張係数を８０〜１５０
×１０-7／℃に制御することができ、特に上記の熱膨張
係数の磁器を絶縁基板として用いることによって、混合
組成物によって形成される磁器の熱膨張係数を高めるこ
とができる。
単体での３０〜３００℃の熱膨張係数（α）が８０〜１
５０×１０-7／℃と高いことから、他のセラミックスと
の組み合わせによって磁器の熱膨張係数を８０〜１５０
×１０-7／℃に制御することができ、特に上記の熱膨張
係数の磁器を絶縁基板として用いることによって、混合
組成物によって形成される磁器の熱膨張係数を高めるこ
とができる。
【００３６】その結果、かかる配線基板をエポキシ樹脂
などを含む絶縁材料を絶縁基板とするマザーボードとの
熱膨張差を近似させることができるために、配線基板を
マザーボード表面に表面実装した場合において、温度変
化が激しい環境下においても熱膨張差に起因する磁器中
の内部応力の発生を抑制するため配線基板のマザーボー
ドへの実装信頼性を向上させることができる。
などを含む絶縁材料を絶縁基板とするマザーボードとの
熱膨張差を近似させることができるために、配線基板を
マザーボード表面に表面実装した場合において、温度変
化が激しい環境下においても熱膨張差に起因する磁器中
の内部応力の発生を抑制するため配線基板のマザーボー
ドへの実装信頼性を向上させることができる。
【００３７】
【実施例】実施例１
原料として純度９９．９％以上の、ＳｉＯ2、９８．９
％以上のＡｌ2Ｏ3、及びＢ2Ｏ3、さらにアルカリ土類炭
酸塩（ＭｇＣＯ3、ＣａＣＯ3、ＢａＣＯ3、ＳｒＣ
Ｏ3）、アルカリ金属炭酸塩（Ｌｉ2ＣＯ3、Ｎａ2Ｃ
Ｏ3、Ｋ2ＣＯ3）を、表１に示す割合となるように秤量
し、１時間乾式混合を行った。
％以上のＡｌ2Ｏ3、及びＢ2Ｏ3、さらにアルカリ土類炭
酸塩（ＭｇＣＯ3、ＣａＣＯ3、ＢａＣＯ3、ＳｒＣ
Ｏ3）、アルカリ金属炭酸塩（Ｌｉ2ＣＯ3、Ｎａ2Ｃ
Ｏ3、Ｋ2ＣＯ3）を、表１に示す割合となるように秤量
し、１時間乾式混合を行った。
【００３８】次に、この混合物を連続熔解炉にて１４０
０℃で溶融した後、ロールアウトにより約０．５ｍｍ厚
のリボン状成形体を得た。このリボン状成形体を、ボー
ルミルにて１００メッシュ以下まで乾式粉砕した後、風
力分級を行いながらＺｒＯ2ボールミルにて平均粒径が
１．５μｍになるように粉砕した。
０℃で溶融した後、ロールアウトにより約０．５ｍｍ厚
のリボン状成形体を得た。このリボン状成形体を、ボー
ルミルにて１００メッシュ以下まで乾式粉砕した後、風
力分級を行いながらＺｒＯ2ボールミルにて平均粒径が
１．５μｍになるように粉砕した。
【００３９】ロールアウト後のリボン状のガラス成形体
を用いて３０〜３００℃で熱機械的分析にて熱膨張係数
を、ガラス粉末を用いてＤＴＡにてガラスの軟化点を測
定した。
を用いて３０〜３００℃で熱機械的分析にて熱膨張係数
を、ガラス粉末を用いてＤＴＡにてガラスの軟化点を測
定した。
【００４０】
【表１】
【００４１】本発明の試料Ｎｏ．１〜１８は、いずれも
軟化点が６００℃以下で、熱膨張係数が８０〜１５０×
１０-7／℃の特性を有し、低温焼成基板添加用ガラスと
して好適なガラス物性を有した。
軟化点が６００℃以下で、熱膨張係数が８０〜１５０×
１０-7／℃の特性を有し、低温焼成基板添加用ガラスと
して好適なガラス物性を有した。
【００４２】これに対して、組成比率が本発明の範囲外
である試料Ｎｏ．６、１２、２３〜２５は、いずれも軟
化点が６００℃を超えており、目的とする特性が得られ
なかった。 実施例２ 原料として純度９９％以上の、ＭｇＴｉＯ3、ＳｒＴｉ
Ｏ3、ＣａＴｉＯ3、Ｍｇ2ＳｉＯ4、ＢａＴｉ4Ｏ9、Ａｌ
2Ｏ3、ＴｉＯ2、ＳｉＯ2、ＺｒＯ2、および（Ｍｇ，Ｔ
ｉ）2（ＢＯ4）Ｏ合成物と表１に示したガラスフリット
を、表２に示す割合となるように秤量し、純水を媒体と
し、ＺｒＯ2ボールを用いたボールミルにて２０時間湿
式混合し、粉砕後の平均粒径を２．０μｍ以下とした。
である試料Ｎｏ．６、１２、２３〜２５は、いずれも軟
化点が６００℃を超えており、目的とする特性が得られ
なかった。 実施例２ 原料として純度９９％以上の、ＭｇＴｉＯ3、ＳｒＴｉ
Ｏ3、ＣａＴｉＯ3、Ｍｇ2ＳｉＯ4、ＢａＴｉ4Ｏ9、Ａｌ
2Ｏ3、ＴｉＯ2、ＳｉＯ2、ＺｒＯ2、および（Ｍｇ，Ｔ
ｉ）2（ＢＯ4）Ｏ合成物と表１に示したガラスフリット
を、表２に示す割合となるように秤量し、純水を媒体と
し、ＺｒＯ2ボールを用いたボールミルにて２０時間湿
式混合し、粉砕後の平均粒径を２．０μｍ以下とした。
【００４３】次に、この混合物を乾燥して脱水し、８０
０℃で１時間仮焼した。この仮焼物を、粉砕粒径が１．
４μｍ以下になるように粉砕し、誘電特性評価用の試料
として直径６０ｍｍ高さ２ｍｍの円柱状に１ｔｏｎ／ｃ
ｍ2の圧力でプレス成形し、大気中で９１０〜１０５０
℃で２時間焼成して、直径５０ｍｍ、高さ１ｍｍの円柱
状の磁器を得た。
０℃で１時間仮焼した。この仮焼物を、粉砕粒径が１．
４μｍ以下になるように粉砕し、誘電特性評価用の試料
として直径６０ｍｍ高さ２ｍｍの円柱状に１ｔｏｎ／ｃ
ｍ2の圧力でプレス成形し、大気中で９１０〜１０５０
℃で２時間焼成して、直径５０ｍｍ、高さ１ｍｍの円柱
状の磁器を得た。
【００４４】得られた磁器に対して、アルキメデス法に
よって吸水率を測定するとともに、３０〜３００℃で熱
機械的分析にて熱膨張係数を測定した。また、磁器の誘
電特性の評価は、上記の試料を用いて誘電体円柱共振器
法にて周波数２ＧＨｚにおける比誘電率とＱ値を測定し
た。
よって吸水率を測定するとともに、３０〜３００℃で熱
機械的分析にて熱膨張係数を測定した。また、磁器の誘
電特性の評価は、上記の試料を用いて誘電体円柱共振器
法にて周波数２ＧＨｚにおける比誘電率とＱ値を測定し
た。
【００４５】
【表２】
【００４６】本発明の軟化点ガラスを用いた試料Ｎｏ．
１〜９は、ガラス量が２０重量％以下であっても、いず
れも１０５０℃以下の焼成温度で吸水率０．１％以下に
緻密化されており、比誘電率が６．０〜１２０、Ｑ値が
２０００以上の優れた誘電特性を有するものであった。
１〜９は、ガラス量が２０重量％以下であっても、いず
れも１０５０℃以下の焼成温度で吸水率０．１％以下に
緻密化されており、比誘電率が６．０〜１２０、Ｑ値が
２０００以上の優れた誘電特性を有するものであった。
【００４７】これに対して、軟化点が６００℃よりも高
い試料Ｎｏ．６、１２、２４、２５のガラスを用いた場
合、ガラス量が２０重量％では吸水率０．１％以下の緻
密な磁器を得ることができず、Ｑ値が小さいものであっ
た。
い試料Ｎｏ．６、１２、２４、２５のガラスを用いた場
合、ガラス量が２０重量％では吸水率０．１％以下の緻
密な磁器を得ることができず、Ｑ値が小さいものであっ
た。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｂ 3/08 Ｈ０１Ｇ 4/12 ３５８ ５Ｊ００６
Ｈ０１Ｇ 4/12 ３５８ Ｈ０１Ｐ 7/10
Ｈ０１Ｐ 7/10 Ｃ０４Ｂ 35/00 Ｊ
Ｆターム(参考） 4G030 AA02 AA03 AA04 AA07 AA08
AA09 AA10 AA16 AA17 AA35
AA36 AA37 BA09 BA24 GA13
GA27
4G031 AA01 AA03 AA04 AA05 AA06
AA11 AA12 AA28 AA29 AA30
BA09 BA24 GA11
4G062 AA01 BB01 BB05 DA04 DB04
DB05 DC04 DC05 DD01 DE01
DF01 EA01 EA02 EA03 EA04
EB01 EB02 EB03 EB04 EC01
EC02 EC03 ED04 ED05 ED06
EE04 EE05 EE06 EF04 EF05
EF06 EG04 EG05 EG06 FA01
FA10 FB01 FC01 FD01 FE01
FF01 FG01 FH01 FJ01 FK01
FL01 GA01 GA10 GB01 GC01
GD01 GE01 HH01 HH03 HH05
HH07 HH09 HH11 HH13 HH15
HH17 HH20 JJ01 JJ03 JJ05
JJ07 JJ10 KK01 KK03 KK05
KK07 KK10 MM31 NN26 NN29
PP01 PP02 PP03 PP05 PP09
5E001 AB03 AE00 AE01 AE02 AE03
AE04
5G303 AA01 AA02 AA05 AB08 AB15
AB17 BA12 CA03 CB01 CB02
CB03 CB06 CB14 CB16 CB17
CB20 CB30 CB32 CB35 DA04
5J006 HC07
Claims (5)
- 【請求項１】ＳｉＯ2を１０〜３０重量％、ＭｇＯ、Ｃ
ａＯ、ＢａＯ、及びＳｒＯの群から選ばれる少なくとも
１種を１０〜６０重量％、Ａｌ2Ｏ3およびＢ2Ｏ3のうち
の少なくとも１種を２０〜５０重量％、Ｌｉ2Ｏ、Ｎａ2
Ｏ及びＫ2Ｏの群から選ばれる少なくとも１種を０〜３
０重量％の割合で含み、上記成分の合計量が９５重量％
以上であり、かつ軟化点が６００℃以下であることを特
徴とする低軟化点ガラス。 - 【請求項２】３０〜３００℃の熱膨張係数（α）が８０
〜１５０×１０-7／℃であることを特徴とする請求項１
記載の低軟化点ガラス。 - 【請求項３】ＳｉＯ2を１０〜３０重量％、ＭｇＯ、Ｃ
ａＯ、ＢａＯ、及びＳｒＯの群から選ばれる少なくとも
１種を１０〜６０重量％、Ａｌ2Ｏ3およびＢ2Ｏ3のうち
の少なくとも１種を２０〜５０重量％、Ｌｉ2Ｏ、Ｎａ2
Ｏ及びＫ2Ｏの群から選ばれる少なくとも１種を０〜３
０重量％の割合で含み、上記成分の合計量が９５重量％
以上である粉末混合物を、１２００℃以上で溶融した
後、平均粒径１〜３μｍに乾式粉砕することを特徴とす
る低軟化点ガラスの製造方法。 - 【請求項４】ＭｇＴｉＯ3、ＳｒＴｉＯ3、ＣａＴｉ
Ｏ3、Ｍｇ2ＳｉＯ4、ＢａＴｉ4Ｏ9、Ａｌ2Ｏ3、Ｔｉ
Ｏ2、ＳｉＯ2、（Ｍｇ，Ｔｉ）2（ＢＯ4）Ｏ、ＺｒＯ 2
の群から選ばれる少なくとも１種のセラミックス粉末１
００重量部に対して、ＳｉＯ2を１０〜３０重量％、Ｍ
ｇＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、及びＳｒＯの群から選ばれる少
なくとも１種を１０〜６０重量％、Ａｌ2Ｏ3およびＢ2
Ｏ3のうちの少なくとも１種を２０〜５０重量％、Ｌｉ2
Ｏ、Ｎａ2Ｏ及びＫ2Ｏの群から選ばれる少なくとも１種
を０〜３０重量％の割合で含み、上記成分の合計量が９
５重量％以上であり、かつ軟化点が６００℃以下である
低軟化点ガラスを１〜２０重量部含有することを特徴と
する低温焼成磁器組成物。 - 【請求項５】３０〜３００℃の熱膨張係数（α）が８０
〜１５０×１０-7／℃であることを特徴とする請求項４
記載の低温焼成磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001188241A JP4868663B2 (ja) | 2001-06-21 | 2001-06-21 | 低温焼成磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001188241A JP4868663B2 (ja) | 2001-06-21 | 2001-06-21 | 低温焼成磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003002682A true JP2003002682A (ja) | 2003-01-08 |
| JP4868663B2 JP4868663B2 (ja) | 2012-02-01 |
Family
ID=19027379
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001188241A Expired - Fee Related JP4868663B2 (ja) | 2001-06-21 | 2001-06-21 | 低温焼成磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4868663B2 (ja) |
Cited By (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004094338A1 (ja) * | 2003-04-21 | 2004-11-04 | Asahi Glass Company, Limited | 誘電体形成用無鉛ガラス、誘電体形成用ガラスセラミックス組成物、誘電体および積層誘電体製造方法 |
| JP2004339049A (ja) * | 2003-04-21 | 2004-12-02 | Asahi Glass Co Ltd | 誘電体形成用無鉛ガラス、誘電体形成用ガラスセラミックス組成物、誘電体および積層誘電体製造方法 |
| JP2005285968A (ja) * | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Kyocera Corp | コンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板 |
| US7087545B2 (en) * | 2003-04-02 | 2006-08-08 | Korea Institute Of Science And Technology | Low-fire high-permittivity dielecric compositions |
| JP2006265003A (ja) * | 2005-03-22 | 2006-10-05 | Nippon Chem Ind Co Ltd | 誘電体セラミック形成用組成物および誘電体セラミック材料 |
| JP2008069056A (ja) * | 2006-09-15 | 2008-03-27 | Toko Inc | 誘電体磁器組成物 |
| US7351674B2 (en) | 2004-03-01 | 2008-04-01 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Insulating ceramic composition, insulating ceramic sintered body, and mulitlayer ceramic electronic component |
| US7368408B2 (en) | 2004-03-01 | 2008-05-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Glass-ceramic composition, glass-ceramic sintered body, and monolithic ceramic electronic component |
| US7417001B2 (en) | 2004-03-01 | 2008-08-26 | Murata Manufacturing Co., Ltd | Glass ceramic composition, glass-ceramic sintered body, and monolithic ceramic electronic component |
| US7439202B2 (en) | 2004-03-01 | 2008-10-21 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Glass ceramic composition, glass-ceramic sintered body, and monolithic ceramic electronic component |
| JP2009298684A (ja) * | 2008-05-12 | 2009-12-24 | Tdk Corp | 誘電体磁器組成物、積層複合電子部品、積層コモンモードフィルタ、積層セラミックコイルおよび積層セラミックコンデンサ |
| JP2010006690A (ja) * | 2008-06-26 | 2010-01-14 | Korea Inst Of Science & Technology | 低温焼成用低誘電率誘電体セラミック組成物 |
| JP2010228936A (ja) * | 2009-03-26 | 2010-10-14 | Kyocera Corp | 磁性焼結体、磁性体と誘電体との複合焼結体、およびそれらの製造方法、ならびにそれらを用いた電子部品 |
| JP2010235327A (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-21 | Tdk Corp | 誘電体磁器組成物 |
| JP2010248055A (ja) * | 2009-03-26 | 2010-11-04 | Kyocera Corp | 磁性焼結体、磁性体と誘電体との複合焼結体、およびそれらの製造方法、ならびにそれらを用いた電子部品 |
| JP2011001206A (ja) * | 2009-06-16 | 2011-01-06 | Mitsubishi Electric Corp | グリーンシート用セラミック粉末、グリーンシートおよびセラミック基板 |
| JP2011079719A (ja) * | 2009-10-09 | 2011-04-21 | Toko Inc | 誘電体磁器組成物 |
| KR20140100434A (ko) * | 2013-02-06 | 2014-08-14 | 티디케이가부시기가이샤 | 유전체 자기 조성물, 전자 부품 및 복합 전자 부품 |
| JP2016175819A (ja) * | 2015-03-23 | 2016-10-06 | 日本山村硝子株式会社 | 高充填性粉末の製造方法 |
| WO2017175587A1 (ja) * | 2016-04-05 | 2017-10-12 | 日本電気硝子株式会社 | 複合粉末、グリーンシート、光反射基材及びこれらを用いた発光デバイス |
| CN109160725A (zh) * | 2018-09-25 | 2019-01-08 | 东南大学 | 玻璃基体材料、纤维增强的该玻璃基体材料及其制备方法 |
| CN112939596A (zh) * | 2021-04-06 | 2021-06-11 | 无锡市高宇晟新材料科技有限公司 | 微波介质陶瓷及其制备方法 |
| CN113354399A (zh) * | 2021-07-13 | 2021-09-07 | 宜宾红星电子有限公司 | 低温共烧复合陶瓷材料及制备方法 |
| CN114804858A (zh) * | 2021-01-28 | 2022-07-29 | 山东国瓷功能材料股份有限公司 | 一种滤波器用低温共烧陶瓷材料及其制备方法与应用 |
| CN114804857A (zh) * | 2021-01-28 | 2022-07-29 | 山东国瓷功能材料股份有限公司 | 一种低温共烧陶瓷材料及其制备方法 |
| CN114988865A (zh) * | 2022-06-10 | 2022-09-02 | 深圳顺络电子股份有限公司 | 一种低温共烧的陶瓷材料及制备方法 |
| WO2024043071A1 (ja) * | 2022-08-25 | 2024-02-29 | 株式会社村田製作所 | ガラスセラミックス組成物、ガラスセラミックス焼結体及び電子部品 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7315902B2 (ja) | 2020-03-25 | 2023-07-27 | Tdk株式会社 | 誘電体磁器組成物および電子部品 |
-
2001
- 2001-06-21 JP JP2001188241A patent/JP4868663B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (42)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7087545B2 (en) * | 2003-04-02 | 2006-08-08 | Korea Institute Of Science And Technology | Low-fire high-permittivity dielecric compositions |
| JP2004339049A (ja) * | 2003-04-21 | 2004-12-02 | Asahi Glass Co Ltd | 誘電体形成用無鉛ガラス、誘電体形成用ガラスセラミックス組成物、誘電体および積層誘電体製造方法 |
| US7544629B2 (en) | 2003-04-21 | 2009-06-09 | Asahi Glass Company, Limited | Non-lead glass for forming dielectric, glass ceramic composition for forming dielectric, dielectric, and process for producing laminated dielectric |
| WO2004094338A1 (ja) * | 2003-04-21 | 2004-11-04 | Asahi Glass Company, Limited | 誘電体形成用無鉛ガラス、誘電体形成用ガラスセラミックス組成物、誘電体および積層誘電体製造方法 |
| US7351674B2 (en) | 2004-03-01 | 2008-04-01 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Insulating ceramic composition, insulating ceramic sintered body, and mulitlayer ceramic electronic component |
| US7368408B2 (en) | 2004-03-01 | 2008-05-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Glass-ceramic composition, glass-ceramic sintered body, and monolithic ceramic electronic component |
| US7417001B2 (en) | 2004-03-01 | 2008-08-26 | Murata Manufacturing Co., Ltd | Glass ceramic composition, glass-ceramic sintered body, and monolithic ceramic electronic component |
| US7439202B2 (en) | 2004-03-01 | 2008-10-21 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Glass ceramic composition, glass-ceramic sintered body, and monolithic ceramic electronic component |
| JP4578134B2 (ja) * | 2004-03-29 | 2010-11-10 | 京セラ株式会社 | コンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板 |
| JP2005285968A (ja) * | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Kyocera Corp | コンデンサ内蔵ガラスセラミック多層配線基板 |
| JP2006265003A (ja) * | 2005-03-22 | 2006-10-05 | Nippon Chem Ind Co Ltd | 誘電体セラミック形成用組成物および誘電体セラミック材料 |
| JP2008069056A (ja) * | 2006-09-15 | 2008-03-27 | Toko Inc | 誘電体磁器組成物 |
| US8102223B2 (en) | 2008-05-12 | 2012-01-24 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition, multilayer complex electronic device, multilayer common mode filter, multilayer ceramic coil and multilayer ceramic capacitor |
| KR101138078B1 (ko) * | 2008-05-12 | 2012-04-24 | 티디케이가부시기가이샤 | 유전체 자기 조성물, 적층 복합 전자 부품, 적층 커먼 모드 필터, 적층 세라믹 코일 및 적층 세라믹 콘덴서 |
| JP4618383B2 (ja) * | 2008-05-12 | 2011-01-26 | Ｔｄｋ株式会社 | 誘電体磁器組成物、積層複合電子部品、積層コモンモードフィルタ、積層セラミックコイルおよび積層セラミックコンデンサ |
| JP2009298684A (ja) * | 2008-05-12 | 2009-12-24 | Tdk Corp | 誘電体磁器組成物、積層複合電子部品、積層コモンモードフィルタ、積層セラミックコイルおよび積層セラミックコンデンサ |
| JP2010006690A (ja) * | 2008-06-26 | 2010-01-14 | Korea Inst Of Science & Technology | 低温焼成用低誘電率誘電体セラミック組成物 |
| JP2010248055A (ja) * | 2009-03-26 | 2010-11-04 | Kyocera Corp | 磁性焼結体、磁性体と誘電体との複合焼結体、およびそれらの製造方法、ならびにそれらを用いた電子部品 |
| JP2010228936A (ja) * | 2009-03-26 | 2010-10-14 | Kyocera Corp | 磁性焼結体、磁性体と誘電体との複合焼結体、およびそれらの製造方法、ならびにそれらを用いた電子部品 |
| JP2010235327A (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-21 | Tdk Corp | 誘電体磁器組成物 |
| JP2011001206A (ja) * | 2009-06-16 | 2011-01-06 | Mitsubishi Electric Corp | グリーンシート用セラミック粉末、グリーンシートおよびセラミック基板 |
| JP2011079719A (ja) * | 2009-10-09 | 2011-04-21 | Toko Inc | 誘電体磁器組成物 |
| KR20140100434A (ko) * | 2013-02-06 | 2014-08-14 | 티디케이가부시기가이샤 | 유전체 자기 조성물, 전자 부품 및 복합 전자 부품 |
| JP2014152059A (ja) * | 2013-02-06 | 2014-08-25 | Tdk Corp | 誘電体磁器組成物、電子部品および複合電子部品 |
| KR101586137B1 (ko) | 2013-02-06 | 2016-01-15 | 티디케이가부시기가이샤 | 유전체 자기 조성물, 전자 부품 및 복합 전자 부품 |
| JP2016175819A (ja) * | 2015-03-23 | 2016-10-06 | 日本山村硝子株式会社 | 高充填性粉末の製造方法 |
| JP2017186193A (ja) * | 2016-04-05 | 2017-10-12 | 日本電気硝子株式会社 | 複合粉末、グリーンシート、光反射基材及びこれらを用いた発光デバイス |
| CN108883970A (zh) * | 2016-04-05 | 2018-11-23 | 日本电气硝子株式会社 | 复合粉末、生片、光反射基材及使用这些的发光器件 |
| KR20180132034A (ko) * | 2016-04-05 | 2018-12-11 | 니폰 덴키 가라스 가부시키가이샤 | 복합 분말, 그린 시트, 광반사 기재 및 이들을 사용한 발광 디바이스 |
| US10450219B2 (en) | 2016-04-05 | 2019-10-22 | Nippon Electric Glass Co., Ltd. | Composite powder, green sheet, light reflective substrate, and light emitting device using same |
| KR102242189B1 (ko) * | 2016-04-05 | 2021-04-20 | 니폰 덴키 가라스 가부시키가이샤 | 복합 분말, 그린 시트, 광반사 기재 및 이들을 사용한 발광 디바이스 |
| CN108883970B (zh) * | 2016-04-05 | 2022-08-02 | 日本电气硝子株式会社 | 复合粉末、生片、光反射基材及使用这些的发光器件 |
| WO2017175587A1 (ja) * | 2016-04-05 | 2017-10-12 | 日本電気硝子株式会社 | 複合粉末、グリーンシート、光反射基材及びこれらを用いた発光デバイス |
| CN109160725B (zh) * | 2018-09-25 | 2021-09-28 | 东南大学 | 玻璃基体材料、纤维增强的该玻璃基体材料及其制备方法 |
| CN109160725A (zh) * | 2018-09-25 | 2019-01-08 | 东南大学 | 玻璃基体材料、纤维增强的该玻璃基体材料及其制备方法 |
| CN114804858A (zh) * | 2021-01-28 | 2022-07-29 | 山东国瓷功能材料股份有限公司 | 一种滤波器用低温共烧陶瓷材料及其制备方法与应用 |
| CN114804857A (zh) * | 2021-01-28 | 2022-07-29 | 山东国瓷功能材料股份有限公司 | 一种低温共烧陶瓷材料及其制备方法 |
| CN114804858B (zh) * | 2021-01-28 | 2023-07-04 | 山东国瓷功能材料股份有限公司 | 一种滤波器用低温共烧陶瓷材料及其制备方法与应用 |
| CN112939596A (zh) * | 2021-04-06 | 2021-06-11 | 无锡市高宇晟新材料科技有限公司 | 微波介质陶瓷及其制备方法 |
| CN113354399A (zh) * | 2021-07-13 | 2021-09-07 | 宜宾红星电子有限公司 | 低温共烧复合陶瓷材料及制备方法 |
| CN114988865A (zh) * | 2022-06-10 | 2022-09-02 | 深圳顺络电子股份有限公司 | 一种低温共烧的陶瓷材料及制备方法 |
| WO2024043071A1 (ja) * | 2022-08-25 | 2024-02-29 | 株式会社村田製作所 | ガラスセラミックス組成物、ガラスセラミックス焼結体及び電子部品 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4868663B2 (ja) | 2012-02-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2003002682A (ja) | 低軟化点ガラスとその製造方法、並びに低温焼成磁器組成物 | |
| US7544629B2 (en) | Non-lead glass for forming dielectric, glass ceramic composition for forming dielectric, dielectric, and process for producing laminated dielectric | |
| US6897172B2 (en) | Dielectric ceramic composition and dielectric ceramics | |
| JP4632534B2 (ja) | 誘電体磁器及びその製造方法 | |
| JP2002104870A (ja) | 誘電体磁器および積層体 | |
| JP3737774B2 (ja) | 誘電体セラミック組成物 | |
| KR100401942B1 (ko) | 유전체 세라믹 조성물 및 그 제조방법 | |
| JP2006124201A (ja) | 無鉛ガラス、ガラスセラミックス組成物および誘電体 | |
| JP5454833B2 (ja) | セラミックス基板及びその製造方法 | |
| KR100557853B1 (ko) | 인산염계 저유전율 세라믹 조성물 | |
| KR100401943B1 (ko) | 유전체 세라믹 조성물 및 이를 이용한 유전체 세라믹의 제조방법 | |
| JP2004339049A (ja) | 誘電体形成用無鉛ガラス、誘電体形成用ガラスセラミックス組成物、誘電体および積層誘電体製造方法 | |
| KR20040085938A (ko) | 저온소성용 고유전율 유전체 조성물 | |
| JP2000086337A (ja) | 低温焼成用誘電体磁器組成物 | |
| JP4166012B2 (ja) | 高誘電率材料用組成物 | |
| KR100632393B1 (ko) | 저온소성 세라믹 다층 패키지용 고유전율 유전체 세라믹조성물 | |
| JP3225828B2 (ja) | 高周波用誘電体組成物 | |
| KR100478127B1 (ko) | 유전체 세라믹 조성물 | |
| JP2006298716A (ja) | ガラス、ガラスセラミックス組成物および誘電体 | |
| JP3754827B2 (ja) | 高周波用誘電体磁器組成物および積層体 | |
| JP5354320B2 (ja) | セラミックス基板及びその製造方法 | |
| JP3631589B2 (ja) | 誘電体磁器組成物および積層体 | |
| JP3631607B2 (ja) | 高周波用誘電体磁器および積層体 | |
| JP2005089297A (ja) | 高周波用誘電体磁器および積層体 | |
| JP3225838B2 (ja) | 高周波用誘電体組成物 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080303 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100909 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110719 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110914 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111018 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111115 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4868663 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141125 Year of fee payment: 3 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |