JP2000086337A - 低温焼成用誘電体磁器組成物 - Google Patents
低温焼成用誘電体磁器組成物Info
- Publication number
- JP2000086337A JP2000086337A JP10260669A JP26066998A JP2000086337A JP 2000086337 A JP2000086337 A JP 2000086337A JP 10260669 A JP10260669 A JP 10260669A JP 26066998 A JP26066998 A JP 26066998A JP 2000086337 A JP2000086337 A JP 2000086337A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric
- weight
- mol
- parts
- main
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 比誘電率、誘電損失値、共振周波数の温度係
数等のマイクロ波特性に優れ、９５０℃以下の温度で焼
成が可能な低温焼成用誘電体磁器組成物を提供する。 【解決手段】 ＢａＯ、ＴｉＯ2、Ｎｄ2Ｏ3及びＢｉ2Ｏ
3を主成分とする誘電体磁器組成物を主材料とし、主材
料の１００重量部に対して、ＺｎＯ、Ｂ2Ｏ3及びＳｉＯ
2を主成分とするガラス材料を５重量部以上２０重量部
以下の割合で添加する。また、主材料の１００重量部に
対して、ＣｕＯを０重量部より多く２重量部以下の割合
で添加する。さらに、主材料の１００重量部に対して、
ＰｂＯ、又はＰｂＯを主成分とするガラス材料を０重量
部より多く１０重量部以下の割合で添加する。
数等のマイクロ波特性に優れ、９５０℃以下の温度で焼
成が可能な低温焼成用誘電体磁器組成物を提供する。 【解決手段】 ＢａＯ、ＴｉＯ2、Ｎｄ2Ｏ3及びＢｉ2Ｏ
3を主成分とする誘電体磁器組成物を主材料とし、主材
料の１００重量部に対して、ＺｎＯ、Ｂ2Ｏ3及びＳｉＯ
2を主成分とするガラス材料を５重量部以上２０重量部
以下の割合で添加する。また、主材料の１００重量部に
対して、ＣｕＯを０重量部より多く２重量部以下の割合
で添加する。さらに、主材料の１００重量部に対して、
ＰｂＯ、又はＰｂＯを主成分とするガラス材料を０重量
部より多く１０重量部以下の割合で添加する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、内層導体を有する
誘電体共振器や誘電体フィルタ等の積層型マイクロ波デ
バイスに好適に用いられる低温焼成が可能な誘電体磁器
組成物に関する。
誘電体共振器や誘電体フィルタ等の積層型マイクロ波デ
バイスに好適に用いられる低温焼成が可能な誘電体磁器
組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＰＨＳや携帯電話では、高誘電率
の誘電体磁器組成物を使用した同軸型の誘電体フィルタ
が広く用いられている。
の誘電体磁器組成物を使用した同軸型の誘電体フィルタ
が広く用いられている。
【０００３】この同軸型の誘電体フィルタは、筒形状の
穴を設けた誘電体ブロックの内周面と外周面とにそれぞ
れ内部導体と外部導体とを形成して同軸型の誘電体共振
器とし、これを複数個結合して構成される。又は、１つ
の誘電体ブロックに複数個の筒形状の穴を形成し、その
内周面と外周面とにそれぞれ内部導体と外部導体とを形
成して構成されることもある。しかし、いずれの構成に
おいても、その小型化に限界がある。
穴を設けた誘電体ブロックの内周面と外周面とにそれぞ
れ内部導体と外部導体とを形成して同軸型の誘電体共振
器とし、これを複数個結合して構成される。又は、１つ
の誘電体ブロックに複数個の筒形状の穴を形成し、その
内周面と外周面とにそれぞれ内部導体と外部導体とを形
成して構成されることもある。しかし、いずれの構成に
おいても、その小型化に限界がある。
【０００４】そこで、誘電体の内部に導体を内装したス
トリップライン型フィルタ等の多層セラミック部品が検
討されている。このストリップライン型の多層セラミッ
ク部品は、シート状の誘電体に対して導体が所定のパタ
ーンで配置され、複数の誘電体共振器が一体的に構成さ
れるので、誘電体フィルタの薄型化・小型化が可能とな
る。
トリップライン型フィルタ等の多層セラミック部品が検
討されている。このストリップライン型の多層セラミッ
ク部品は、シート状の誘電体に対して導体が所定のパタ
ーンで配置され、複数の誘電体共振器が一体的に構成さ
れるので、誘電体フィルタの薄型化・小型化が可能とな
る。
【０００５】ところで、上記用途に使用される誘電体磁
器組成物には、高い比誘電率が必要である。誘電体磁器
組成物の比誘電率が高い場合、デバイスに使用される共
振器の長さを短くできるので、小型化が可能となるから
である。特に、マイクロ波の中でも周波数の低い１ＧＨ
ｚ付近では、波長が長いために共振器長が長くなるの
で、比誘電率を高くして共振器の長さを短くする必要が
ある。また、誘電損失の値もデバイスの特性（フィルタ
の挿入損失）に影響するので、マイクロ波領域での誘電
損失値が小さいことも必要となる。
器組成物には、高い比誘電率が必要である。誘電体磁器
組成物の比誘電率が高い場合、デバイスに使用される共
振器の長さを短くできるので、小型化が可能となるから
である。特に、マイクロ波の中でも周波数の低い１ＧＨ
ｚ付近では、波長が長いために共振器長が長くなるの
で、比誘電率を高くして共振器の長さを短くする必要が
ある。また、誘電損失の値もデバイスの特性（フィルタ
の挿入損失）に影響するので、マイクロ波領域での誘電
損失値が小さいことも必要となる。
【０００６】このような誘電体磁器組成物としては、従
来、様々な組成のものが提案されている。中でも、Ｂａ
Ｏ−ＴｉＯ2−Ｎｄ2Ｏ3−Ｂｉ2Ｏ3系酸化物やＢａＯ−
ＰｂＯ−ＴｉＯ2−Ｎｄ2Ｏ3系酸化物にて構成される誘
電体磁器組成物は、比誘電率が高く、誘電損失値が小さ
く、さらに、共振周波数の温度係数が小さい材料として
知られている。
来、様々な組成のものが提案されている。中でも、Ｂａ
Ｏ−ＴｉＯ2−Ｎｄ2Ｏ3−Ｂｉ2Ｏ3系酸化物やＢａＯ−
ＰｂＯ−ＴｉＯ2−Ｎｄ2Ｏ3系酸化物にて構成される誘
電体磁器組成物は、比誘電率が高く、誘電損失値が小さ
く、さらに、共振周波数の温度係数が小さい材料として
知られている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ような内層導体を有する多層セラミック部品を作製する
場合には、内層導体と誘電体磁器組成物とを同時焼成す
る必要がある。しかし、従来用いられている誘電体磁器
組成物は、その焼成温度が一般に１２５０℃以上と非常
に高いため、内層導体として使用可能な導体材料に制約
がある。
ような内層導体を有する多層セラミック部品を作製する
場合には、内層導体と誘電体磁器組成物とを同時焼成す
る必要がある。しかし、従来用いられている誘電体磁器
組成物は、その焼成温度が一般に１２５０℃以上と非常
に高いため、内層導体として使用可能な導体材料に制約
がある。
【０００８】特に、導体を内部に内装したストリップラ
イン型フィルタ等では、信号の損失を小さくするため、
導体として抵抗の小さなＣｕやＡｇ等を使用する必要が
あるが、以下の理由によりこれらの材料を用いることは
困難である。
イン型フィルタ等では、信号の損失を小さくするため、
導体として抵抗の小さなＣｕやＡｇ等を使用する必要が
あるが、以下の理由によりこれらの材料を用いることは
困難である。
【０００９】まず、Ｃｕは酸化雰囲気で焼成すると酸化
物になってしまうため、窒素等の還元雰囲気中で焼成す
る必要があるが、焼成前の誘電体成形物に含まれる有機
バインダの除去が困難であり、また、プロセス費用が高
くなる等の問題がある。
物になってしまうため、窒素等の還元雰囲気中で焼成す
る必要があるが、焼成前の誘電体成形物に含まれる有機
バインダの除去が困難であり、また、プロセス費用が高
くなる等の問題がある。
【００１０】一方、ＡｇやＡｇを主成分とする合金材料
を使用する場合には、酸化雰囲気中での焼成は可能であ
るが、Ａｇの融点が９６２℃と低い。このため、望まし
くは９５０℃以下で焼成可能な誘電体磁器組成物が必要
とされている。
を使用する場合には、酸化雰囲気中での焼成は可能であ
るが、Ａｇの融点が９６２℃と低い。このため、望まし
くは９５０℃以下で焼成可能な誘電体磁器組成物が必要
とされている。
【００１１】本発明は、このような従来技術の課題を解
決すべくなされたものであり、高い比誘電率及び小さい
誘電損失値を有し、共振周波数の温度係数が小さく、し
かも９５０℃以下の温度で焼成が可能な低温焼成用誘電
体磁器組成物を提供することを目的とする。
決すべくなされたものであり、高い比誘電率及び小さい
誘電損失値を有し、共振周波数の温度係数が小さく、し
かも９５０℃以下の温度で焼成が可能な低温焼成用誘電
体磁器組成物を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の低温焼成用誘電
体磁器組成物は、ＢａＯ、ＴｉＯ2、Ｎｄ2Ｏ3及びＢｉ2
Ｏ3を主成分とする誘電体磁器組成物を主材料とし、該
主材料の１００重量部に対して、ＺｎＯ、Ｂ2Ｏ3及びＳ
ｉＯ2を主成分とするガラス材料が５重量部以上２０重
量部以下の割合で添加されており、そのことにより上記
目的が達成される。
体磁器組成物は、ＢａＯ、ＴｉＯ2、Ｎｄ2Ｏ3及びＢｉ2
Ｏ3を主成分とする誘電体磁器組成物を主材料とし、該
主材料の１００重量部に対して、ＺｎＯ、Ｂ2Ｏ3及びＳ
ｉＯ2を主成分とするガラス材料が５重量部以上２０重
量部以下の割合で添加されており、そのことにより上記
目的が達成される。
【００１３】前記主材料が５ｍｏｌ％以上１５ｍｏｌ％
以下のＢａＯ、６５ｍｏｌ％以上８５ｍｏｌ％以下のＴ
ｉＯ2、５ｍｏｌ％以上２５ｍｏｌ％以下のＮｄ2Ｏ3及
び１ｍｏｌ％以上５ｍｏｌ％以下のＢｉ2Ｏ3をＢａＯ＋
ＴｉＯ2＋Ｎｄ2Ｏ3＋Ｂｉ2Ｏ 3＝１００ｍｏｌ％で含
み、かつ、前記ガラス材料が５０ｗｔ％以上７０ｗｔ％
以下のＺｎＯ、２０ｗｔ％以上４０ｗｔ％以下のＢ2Ｏ3
及び５ｗｔ％以上１５ｗｔ％以下のＳｉＯ2をＺｎＯ＋
Ｂ2Ｏ3＋ＳｉＯ2＝１００ｗｔ％で含むのが望ましい。
以下のＢａＯ、６５ｍｏｌ％以上８５ｍｏｌ％以下のＴ
ｉＯ2、５ｍｏｌ％以上２５ｍｏｌ％以下のＮｄ2Ｏ3及
び１ｍｏｌ％以上５ｍｏｌ％以下のＢｉ2Ｏ3をＢａＯ＋
ＴｉＯ2＋Ｎｄ2Ｏ3＋Ｂｉ2Ｏ 3＝１００ｍｏｌ％で含
み、かつ、前記ガラス材料が５０ｗｔ％以上７０ｗｔ％
以下のＺｎＯ、２０ｗｔ％以上４０ｗｔ％以下のＢ2Ｏ3
及び５ｗｔ％以上１５ｗｔ％以下のＳｉＯ2をＺｎＯ＋
Ｂ2Ｏ3＋ＳｉＯ2＝１００ｗｔ％で含むのが望ましい。
【００１４】前記主材料の１００重量部に対して、さら
に、ＣｕＯが０重量部より多く２重量部以下の割合で添
加されているのが望ましい。
に、ＣｕＯが０重量部より多く２重量部以下の割合で添
加されているのが望ましい。
【００１５】前記主材料の１００重量部に対して、さら
に、ＰｂＯ、又はＰｂＯを主成分とする他のガラス材料
が０重量部より多く１０重量部以下の割合で添加されて
いるのが望ましい。
に、ＰｂＯ、又はＰｂＯを主成分とする他のガラス材料
が０重量部より多く１０重量部以下の割合で添加されて
いるのが望ましい。
【００１６】以下、本発明の作用について説明する。
【００１７】本発明にあっては、ＢａＯ、ＴｉＯ2、Ｎ
ｄ2Ｏ3及びＢｉ2Ｏ3を主成分とする誘電体磁器組成物を
主材料とし、この主材料の１００重量部に対して、Ｚｎ
Ｏ、Ｂ2Ｏ3及びＳｉＯ2を主成分とするガラス材料を５
重量部以上２０重量部以下の割合で添加する。このよう
にして得られる誘電体磁器組成物は、後述する実施形態
に示すように、９５０℃以下の低温で焼成が可能であ
る。また、比誘電率（εｒ）が比較的大きく、誘電損失
値が小さく、共振周波数の温度係数（τｆ）も小さいた
め、誘電体共振器や誘電体フィルタ等のマイクロ波デバ
イスの製造に適した材料である。ここで、ＺｎＯ、Ｂ2
Ｏ3及びＳｉＯ2を主成分とするガラス材料が５重量部よ
りも少ない場合には９５０℃以下での焼成が不可能とな
り、２０重量部よりも多い場合には比誘電率（εｒ）の
低下や共振周波数の温度係数（τｆ）の増大を招くの
で、誘電体共振器や誘電体フィルタ等のマイクロ波デバ
イスの製造には適さなくなる。
ｄ2Ｏ3及びＢｉ2Ｏ3を主成分とする誘電体磁器組成物を
主材料とし、この主材料の１００重量部に対して、Ｚｎ
Ｏ、Ｂ2Ｏ3及びＳｉＯ2を主成分とするガラス材料を５
重量部以上２０重量部以下の割合で添加する。このよう
にして得られる誘電体磁器組成物は、後述する実施形態
に示すように、９５０℃以下の低温で焼成が可能であ
る。また、比誘電率（εｒ）が比較的大きく、誘電損失
値が小さく、共振周波数の温度係数（τｆ）も小さいた
め、誘電体共振器や誘電体フィルタ等のマイクロ波デバ
イスの製造に適した材料である。ここで、ＺｎＯ、Ｂ2
Ｏ3及びＳｉＯ2を主成分とするガラス材料が５重量部よ
りも少ない場合には９５０℃以下での焼成が不可能とな
り、２０重量部よりも多い場合には比誘電率（εｒ）の
低下や共振周波数の温度係数（τｆ）の増大を招くの
で、誘電体共振器や誘電体フィルタ等のマイクロ波デバ
イスの製造には適さなくなる。
【００１８】上記主材料は、５ｍｏｌ％以上１５ｍｏｌ
％以下のＢａＯ、６５ｍｏｌ％以上８５ｍｏｌ％以下の
ＴｉＯ2、５ｍｏｌ％以上２５ｍｏｌ％以下のＮｄ2Ｏ3
及び１ｍｏｌ％以上５ｍｏｌ％以下のＢｉ2Ｏ3をＢａＯ
＋ＴｉＯ2＋Ｎｄ2Ｏ3＋Ｂｉ2Ｏ3＝１００ｍｏｌ％で含
むのが望ましい。酸化物含有量がこの範囲外になると、
いずれも焼結性が悪化する。
％以下のＢａＯ、６５ｍｏｌ％以上８５ｍｏｌ％以下の
ＴｉＯ2、５ｍｏｌ％以上２５ｍｏｌ％以下のＮｄ2Ｏ3
及び１ｍｏｌ％以上５ｍｏｌ％以下のＢｉ2Ｏ3をＢａＯ
＋ＴｉＯ2＋Ｎｄ2Ｏ3＋Ｂｉ2Ｏ3＝１００ｍｏｌ％で含
むのが望ましい。酸化物含有量がこの範囲外になると、
いずれも焼結性が悪化する。
【００１９】上記ガラス材料は、５０ｗｔ％以上７０ｗ
ｔ％以下のＺｎＯ、２０ｗｔ％以上４０ｗｔ％以下のＢ
2Ｏ3及び５ｗｔ％以上１５ｗｔ％以下のＳｉＯ2をＺｎ
Ｏ＋Ｂ2Ｏ3＋ＳｉＯ2＝１００ｗｔ％で含むのが望まし
い。この範囲外になると、いずれも焼結性が悪化する。
ｔ％以下のＺｎＯ、２０ｗｔ％以上４０ｗｔ％以下のＢ
2Ｏ3及び５ｗｔ％以上１５ｗｔ％以下のＳｉＯ2をＺｎ
Ｏ＋Ｂ2Ｏ3＋ＳｉＯ2＝１００ｗｔ％で含むのが望まし
い。この範囲外になると、いずれも焼結性が悪化する。
【００２０】上記主材料の１００重量部に対して、さら
に、ＣｕＯを０重量部より多く２重量部以下の割合で添
加することにより、焼結性を改善して焼成温度を下げる
ことができる。ここで、ＣｕＯの添加量が２重量部より
も多い場合には、誘電損失値の増大を招くので、誘電体
共振器や誘電体フィルタ等のマイクロ波デバイスの製造
には適さなくなる。
に、ＣｕＯを０重量部より多く２重量部以下の割合で添
加することにより、焼結性を改善して焼成温度を下げる
ことができる。ここで、ＣｕＯの添加量が２重量部より
も多い場合には、誘電損失値の増大を招くので、誘電体
共振器や誘電体フィルタ等のマイクロ波デバイスの製造
には適さなくなる。
【００２１】上記主材料の１００重量部に対して、さら
に、ＰｂＯ、又はＰｂＯを主成分とするガラス材料を０
重量部より多く１０重量部以下の割合で添加することに
より、比誘電率（εｒ）、誘電損失値、共振周波数の温
度係数（τｆ）等のマイクロ波誘電特性をさらに改善す
ることができる。ここで、ＰｂＯ、又はＰｂＯを主成分
とするガラス材料の添加量が１０重量部よりも多い場合
には、誘電損失値の増大を招くので、誘電体共振器や誘
電体フィルタ等のマイクロ波デバイスの製造には適さな
くなる。
に、ＰｂＯ、又はＰｂＯを主成分とするガラス材料を０
重量部より多く１０重量部以下の割合で添加することに
より、比誘電率（εｒ）、誘電損失値、共振周波数の温
度係数（τｆ）等のマイクロ波誘電特性をさらに改善す
ることができる。ここで、ＰｂＯ、又はＰｂＯを主成分
とするガラス材料の添加量が１０重量部よりも多い場合
には、誘電損失値の増大を招くので、誘電体共振器や誘
電体フィルタ等のマイクロ波デバイスの製造には適さな
くなる。
【００２２】ところで、ＢａＯ、ＴｉＯ2、Ｎｄ2Ｏ3及
びＢｉ2Ｏ3を主成分とする誘電体磁器組成物の共振周波
数の温度係数（τｆ）は正の値であり、ＺｎＯ、Ｂ2Ｏ3
及びＳｉＯ2を主成分とするガラス材料を添加しても共
振周波数の温度係数（τｆ）は正のままである。しか
し、ＰｂＯ、又はＰｂＯを主成分とするガラス材料を添
加することにより、共振周波数の温度係数（τｆ）を正
から負の値に変えることができる。従って、ＺｎＯ、Ｂ
2Ｏ3及びＳｉＯ2を主成分とするガラス材料と、Ｐｂ
Ｏ、又はＰｂＯを主成分とするガラス材料との添加量を
調整することにより、共振周波数の温度係数（τｆ）を
制御することが可能となる。
びＢｉ2Ｏ3を主成分とする誘電体磁器組成物の共振周波
数の温度係数（τｆ）は正の値であり、ＺｎＯ、Ｂ2Ｏ3
及びＳｉＯ2を主成分とするガラス材料を添加しても共
振周波数の温度係数（τｆ）は正のままである。しか
し、ＰｂＯ、又はＰｂＯを主成分とするガラス材料を添
加することにより、共振周波数の温度係数（τｆ）を正
から負の値に変えることができる。従って、ＺｎＯ、Ｂ
2Ｏ3及びＳｉＯ2を主成分とするガラス材料と、Ｐｂ
Ｏ、又はＰｂＯを主成分とするガラス材料との添加量を
調整することにより、共振周波数の温度係数（τｆ）を
制御することが可能となる。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施形態につい
て説明する。
て説明する。
【００２４】（実施形態１）本実施形態では、以下のよ
うにして低温焼成用誘電体磁器組成物を製造した。
うにして低温焼成用誘電体磁器組成物を製造した。
【００２５】まず、主材料であるＢａＯ、ＴｉＯ2、Ｎ
ｄ2Ｏ3及びＢｉ2Ｏ3を主成分とする誘電体磁器組成物を
製造した。ここでは、ＢａＯが７ｍｏｌ％、ＴｉＯ2が
７５ｍｏｌ％、Ｎｄ2Ｏ3が１５ｍｏｌ％、Ｂｉ2Ｏ3が３
ｍｏｌ％となるように、炭酸バリウム、酸化チタン、酸
化ネオジム及び酸化ビスマスを秤量し、ナイロン系樹脂
製のポットの中にジルコニアボールと共に投入して純水
を加え、湿式混合を行った。得られた混合材料をポット
から取り出して乾燥した後、アルミナ製の坩堝に入れ、
１１５０℃〜１３００℃の温度で大気雰囲気下にて焼成
を行った。次に、その焼成物を解砕し、再びナイロン系
樹脂製のポットの中にジルコニアボールと共に投入し
て、平均粒子径が約２μｍ以下になるまで粉砕を行って
主材料となる誘電体磁器組成物の粉砕物を得た。
ｄ2Ｏ3及びＢｉ2Ｏ3を主成分とする誘電体磁器組成物を
製造した。ここでは、ＢａＯが７ｍｏｌ％、ＴｉＯ2が
７５ｍｏｌ％、Ｎｄ2Ｏ3が１５ｍｏｌ％、Ｂｉ2Ｏ3が３
ｍｏｌ％となるように、炭酸バリウム、酸化チタン、酸
化ネオジム及び酸化ビスマスを秤量し、ナイロン系樹脂
製のポットの中にジルコニアボールと共に投入して純水
を加え、湿式混合を行った。得られた混合材料をポット
から取り出して乾燥した後、アルミナ製の坩堝に入れ、
１１５０℃〜１３００℃の温度で大気雰囲気下にて焼成
を行った。次に、その焼成物を解砕し、再びナイロン系
樹脂製のポットの中にジルコニアボールと共に投入し
て、平均粒子径が約２μｍ以下になるまで粉砕を行って
主材料となる誘電体磁器組成物の粉砕物を得た。
【００２６】次に、ナイロン系樹脂製のポットの中に上
記主材料となる誘電体磁器組成物の焼成粉砕物を投入
し、下記表１に示すように、この主材料の１００重量部
に対して、ＺｎＯ、Ｂ2Ｏ3及びＳｉＯ2を主成分とする
ガラス粉末を５重量部以上２０重量部以下の割合で投入
した。このガラス粉末としては、ＺｎＯを６０ｗｔ％、
Ｂ2Ｏ3を３０ｗｔ％、ＳｉＯ2を１０ｗｔ％含有する組
成のものを用いた。さらに、下記表１に示すように、主
材料の１００重量部に対して、ＣｕＯを０重量部以上２
重量部以下の割合で投入し、純水を加えてジルコニアボ
ールを用いて湿式混合を行った。得られた混合材料を乾
燥することにより、各種のセラミック材料粉末を得た。
記主材料となる誘電体磁器組成物の焼成粉砕物を投入
し、下記表１に示すように、この主材料の１００重量部
に対して、ＺｎＯ、Ｂ2Ｏ3及びＳｉＯ2を主成分とする
ガラス粉末を５重量部以上２０重量部以下の割合で投入
した。このガラス粉末としては、ＺｎＯを６０ｗｔ％、
Ｂ2Ｏ3を３０ｗｔ％、ＳｉＯ2を１０ｗｔ％含有する組
成のものを用いた。さらに、下記表１に示すように、主
材料の１００重量部に対して、ＣｕＯを０重量部以上２
重量部以下の割合で投入し、純水を加えてジルコニアボ
ールを用いて湿式混合を行った。得られた混合材料を乾
燥することにより、各種のセラミック材料粉末を得た。
【００２７】そして、各材料を有機バインダ（ポリビニ
ルアルコール）と共に造粒し、得られた粉末材料を３０
００ｋｇ／ｃｍ2の圧力で約１７ｍｍφ×８．５ｍｍの
円柱状に成形した。この円柱状サンプルを下記表１に示
す温度にて焼成して、各サンプルを作製した。
ルアルコール）と共に造粒し、得られた粉末材料を３０
００ｋｇ／ｃｍ2の圧力で約１７ｍｍφ×８．５ｍｍの
円柱状に成形した。この円柱状サンプルを下記表１に示
す温度にて焼成して、各サンプルを作製した。
【００２８】作製した各サンプルについて、誘電体共振
法により比誘電率（εｒ）、誘電損（Ｑ・ｆ値）を求め
た。また、８０℃、５５℃、２５℃、−５℃及び−２０
℃の５点の共振周波数により、共振周波数の温度係数
（τｆ）を求めた。その結果を下記表１に示す。
法により比誘電率（εｒ）、誘電損（Ｑ・ｆ値）を求め
た。また、８０℃、５５℃、２５℃、−５℃及び−２０
℃の５点の共振周波数により、共振周波数の温度係数
（τｆ）を求めた。その結果を下記表１に示す。
【００２９】
【表１】
【００３０】上記表１のサンプルＮｏ．１〜Ｎｏ．９の
焼結体密度から、ＺｎＯ、Ｂ2Ｏ3及びＳｉＯ2を主成分
とするガラス材料を添加することにより、９５０℃付近
での焼結が確認できる。また、ＺｎＯ、Ｂ2Ｏ3及びＳｉ
Ｏ2を主成分とするガラス材料の添加量が増えるに伴っ
て、比誘電率（εｒ）の低下と共振周波数の温度係数
（τｆ）の増大が認められる。
焼結体密度から、ＺｎＯ、Ｂ2Ｏ3及びＳｉＯ2を主成分
とするガラス材料を添加することにより、９５０℃付近
での焼結が確認できる。また、ＺｎＯ、Ｂ2Ｏ3及びＳｉ
Ｏ2を主成分とするガラス材料の添加量が増えるに伴っ
て、比誘電率（εｒ）の低下と共振周波数の温度係数
（τｆ）の増大が認められる。
【００３１】ここで、比較例Ｎｏ．１３の結果から分か
るように、ＺｎＯ、Ｂ2Ｏ3及びＳｉＯ2を主成分とする
ガラス材料の添加量が５ｗｔ％よりも少ない場合には、
焼成温度１０００℃でも焼結せず、誘電体特性の測定が
不可能であった。一方、比較例Ｎｏ．１５の結果から、
ＺｎＯ、Ｂ2Ｏ3及びＳｉＯ2を主成分とするガラス材料
の添加量が２０ｗｔ％よりも多い場合には、比誘電率
（εｒ）の低下と共振周波数の温度係数（τｆ）の増大
とにより、マイクロ波デバイスに使用するのに適さない
ことがわかる。
るように、ＺｎＯ、Ｂ2Ｏ3及びＳｉＯ2を主成分とする
ガラス材料の添加量が５ｗｔ％よりも少ない場合には、
焼成温度１０００℃でも焼結せず、誘電体特性の測定が
不可能であった。一方、比較例Ｎｏ．１５の結果から、
ＺｎＯ、Ｂ2Ｏ3及びＳｉＯ2を主成分とするガラス材料
の添加量が２０ｗｔ％よりも多い場合には、比誘電率
（εｒ）の低下と共振周波数の温度係数（τｆ）の増大
とにより、マイクロ波デバイスに使用するのに適さない
ことがわかる。
【００３２】さらに、上記表１のサンプルＮｏ．１０〜
Ｎｏ．１２の結果から、ＣｕＯの添加により焼結温度が
９００℃以下に低下することが確認できる。また、比較
例Ｎｏ．１４の結果から、ＣｕＯの添加量の増加により
誘電損失値の増大が認められる。
Ｎｏ．１２の結果から、ＣｕＯの添加により焼結温度が
９００℃以下に低下することが確認できる。また、比較
例Ｎｏ．１４の結果から、ＣｕＯの添加量の増加により
誘電損失値の増大が認められる。
【００３３】（実施形態２）本実施形態では、以下のよ
うにして低温焼成用誘電体磁器組成物を製造した。
うにして低温焼成用誘電体磁器組成物を製造した。
【００３４】まず、実施形態１と同様に、主材料である
ＢａＯ、ＴｉＯ2、Ｎｄ2Ｏ3及びＢｉ2Ｏ3を主成分とす
る誘電体磁器組成物の粉砕物を製造した。
ＢａＯ、ＴｉＯ2、Ｎｄ2Ｏ3及びＢｉ2Ｏ3を主成分とす
る誘電体磁器組成物の粉砕物を製造した。
【００３５】次に、ナイロン系樹脂製のポットの中に上
記主材料となる誘電体磁器組成物の焼成粉砕物を投入
し、下記表２に示すように、この主材料の１００重量部
に対して、ＺｎＯ、Ｂ2Ｏ3及びＳｉＯ2を主成分とする
ガラス粉末を５重量部以上２０重量部以下の割合で投入
した。このガラス粉末としては、実施形態１と同様に、
ＺｎＯを６０ｗｔ％、Ｂ2Ｏ3を３０ｗｔ％、ＳｉＯ2を
１０ｗｔ％含有する組成のものを用いた。さらに、下記
表２に示すように、主材料の１００重量部に対して、Ｐ
ｂＯ又はＰｂＯを主成分とするガラス粉末を０重量部以
上１０重量部以下の割合で投入した。このガラス粉末と
しては、ＰｂＯを７０ｗｔ％、Ｂ2Ｏ3を１５ｗｔ％、Ｚ
ｎＯを１０ｗｔ％、ＳｉＯ2を３ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3を２
ｗｔ％を含有する組成のものを用いた。続いて、純水を
加えてジルコニアボールを用いて湿式混合を行い、得ら
れた混合材料を乾燥することにより、各種のセラミック
材料粉末を得た。
記主材料となる誘電体磁器組成物の焼成粉砕物を投入
し、下記表２に示すように、この主材料の１００重量部
に対して、ＺｎＯ、Ｂ2Ｏ3及びＳｉＯ2を主成分とする
ガラス粉末を５重量部以上２０重量部以下の割合で投入
した。このガラス粉末としては、実施形態１と同様に、
ＺｎＯを６０ｗｔ％、Ｂ2Ｏ3を３０ｗｔ％、ＳｉＯ2を
１０ｗｔ％含有する組成のものを用いた。さらに、下記
表２に示すように、主材料の１００重量部に対して、Ｐ
ｂＯ又はＰｂＯを主成分とするガラス粉末を０重量部以
上１０重量部以下の割合で投入した。このガラス粉末と
しては、ＰｂＯを７０ｗｔ％、Ｂ2Ｏ3を１５ｗｔ％、Ｚ
ｎＯを１０ｗｔ％、ＳｉＯ2を３ｗｔ％、Ａｌ2Ｏ3を２
ｗｔ％を含有する組成のものを用いた。続いて、純水を
加えてジルコニアボールを用いて湿式混合を行い、得ら
れた混合材料を乾燥することにより、各種のセラミック
材料粉末を得た。
【００３６】そして、実施形態１と同様に、各材料を有
機バインダ（ポリビニルアルコール）と共に造粒し、得
られた粉末材料を３０００ｋｇ／ｃｍ2の圧力で約１７
ｍｍφ×８．５ｍｍの円柱状に成形した。この円柱状サ
ンプルを下記表２に示す温度にて焼成して、各サンプル
を作製した。
機バインダ（ポリビニルアルコール）と共に造粒し、得
られた粉末材料を３０００ｋｇ／ｃｍ2の圧力で約１７
ｍｍφ×８．５ｍｍの円柱状に成形した。この円柱状サ
ンプルを下記表２に示す温度にて焼成して、各サンプル
を作製した。
【００３７】作製した各サンプルについて、実施形態１
と同様に誘電体共振法により比誘電率（εｒ）、誘電損
（Ｑ・ｆ値）を求めた。また、８０℃、５５℃、２５
℃、−５℃及び−２０℃の５点の共振周波数により、共
振周波数の温度係数（τｆ）を求めた。その結果を下記
表２に示す。
と同様に誘電体共振法により比誘電率（εｒ）、誘電損
（Ｑ・ｆ値）を求めた。また、８０℃、５５℃、２５
℃、−５℃及び−２０℃の５点の共振周波数により、共
振周波数の温度係数（τｆ）を求めた。その結果を下記
表２に示す。
【００３８】
【表２】
【００３９】上記表２のサンプルＮｏ．１６〜Ｎｏ．２
４の結果から、ＰｂＯの添加量が増えるに伴って、比誘
電率（εｒ）の増加が確認できる。また、ＰｂＯの添加
量が増えるに伴って、共振周波数の温度係数（τｆ）が
減少して正から負に変化することが認められる。
４の結果から、ＰｂＯの添加量が増えるに伴って、比誘
電率（εｒ）の増加が確認できる。また、ＰｂＯの添加
量が増えるに伴って、共振周波数の温度係数（τｆ）が
減少して正から負に変化することが認められる。
【００４０】さらに、上記表２のサンプルＮｏ．２５〜
Ｎｏ．２９の結果から、ＰｂＯを主成分とするガラス材
料の添加によっても比誘電率（εｒ）の増加や共振周波
数の温度係数（τｆ）の正から負への変化が認められ
る。
Ｎｏ．２９の結果から、ＰｂＯを主成分とするガラス材
料の添加によっても比誘電率（εｒ）の増加や共振周波
数の温度係数（τｆ）の正から負への変化が認められ
る。
【００４１】ここで、比較例Ｎｏ．３０及びＮｏ．３１
の結果から、ＰｂＯやＰｂＯを主成分とするガラス材料
の添加量が１０ｗｔ％よりも多い場合には、誘電損失値
の増大により、マイクロ波デバイスに使用するのに適さ
ないことがわかる。
の結果から、ＰｂＯやＰｂＯを主成分とするガラス材料
の添加量が１０ｗｔ％よりも多い場合には、誘電損失値
の増大により、マイクロ波デバイスに使用するのに適さ
ないことがわかる。
【００４２】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明による場合
には、比誘電率、誘電損失値、共振周波数の温度係数等
のマイクロ波特性に優れ、しかも９５０℃以下の温度で
焼成可能な低温焼成用誘電体磁器組成物が得られる。
には、比誘電率、誘電損失値、共振周波数の温度係数等
のマイクロ波特性に優れ、しかも９５０℃以下の温度で
焼成可能な低温焼成用誘電体磁器組成物が得られる。
【００４３】これにより、比抵抗の低いＡｇやＡｇを主
成分とする合金材料を内層導体として有する多層セラミ
ック部品を製造することが可能となり、積層型マイクロ
デバイスの小型化及び高性能化を図る上で非常に有効で
ある。
成分とする合金材料を内層導体として有する多層セラミ
ック部品を製造することが可能となり、積層型マイクロ
デバイスの小型化及び高性能化を図る上で非常に有効で
ある。
【００４４】さらに、本発明によれば、共振器としての
共振周波数の温度係数（τｆ）を制御することが可能な
誘電体磁器組成物が得られるので、特性に優れた多層セ
ラミック部品を製造することが可能となる。
共振周波数の温度係数（τｆ）を制御することが可能な
誘電体磁器組成物が得られるので、特性に優れた多層セ
ラミック部品を製造することが可能となる。
フロントページの続き Ｆターム(参考） 4G031 AA06 AA07 AA11 AA25 AA26 AA28 AA30 AA32 AA35 BA09 GA02 GA11 5G303 AA02 AA10 AB06 AB08 AB11 AB15 AB20 BA12 CA01 CA03 CB02 CB03 CB05 CB11 CB22 CB25 CB30 CB35 CB38
Claims (4)
- 【請求項１】 ＢａＯ、ＴｉＯ2、Ｎｄ2Ｏ3及びＢｉ2Ｏ
3を主成分とする誘電体磁器組成物を主材料とし、該主
材料の１００重量部に対して、ＺｎＯ、Ｂ2Ｏ3及びＳｉ
Ｏ2を主成分とするガラス材料が５重量部以上２０重量
部以下の割合で添加されている低温焼成用誘電体磁器組
成物。 - 【請求項２】 前記主材料が５ｍｏｌ％以上１５ｍｏｌ
％以下のＢａＯ、６５ｍｏｌ％以上８５ｍｏｌ％以下の
ＴｉＯ2、５ｍｏｌ％以上２５ｍｏｌ％以下のＮｄ2Ｏ3
及び１ｍｏｌ％以上５ｍｏｌ％以下のＢｉ2Ｏ3をＢａＯ
＋ＴｉＯ2＋Ｎｄ2Ｏ3＋Ｂｉ2Ｏ3＝１００ｍｏｌ％で含
み、 かつ、前記ガラス材料が５０ｗｔ％以上７０ｗｔ％以下
のＺｎＯ、２０ｗｔ％以上４０ｗｔ％以下のＢ2Ｏ3及び
５ｗｔ％以上１５ｗｔ％以下のＳｉＯ2をＺｎＯ＋Ｂ2Ｏ
3＋ＳｉＯ2＝１００ｗｔ％で含む請求項１に記載の低温
焼成用誘電体磁器組成物。 - 【請求項３】 前記主材料の１００重量部に対して、さ
らに、ＣｕＯが０重量部より多く２重量部以下の割合で
添加されている請求項１又は請求項２に記載の低温焼成
用誘電体磁器組成物。 - 【請求項４】 前記主材料の１００重量部に対して、さ
らに、ＰｂＯ、又はＰｂＯを主成分とする他のガラス材
料が０重量部より多く１０重量部以下の割合で添加され
ている請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の低温焼
成用誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10260669A JP2000086337A (ja) | 1998-09-14 | 1998-09-14 | 低温焼成用誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10260669A JP2000086337A (ja) | 1998-09-14 | 1998-09-14 | 低温焼成用誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000086337A true JP2000086337A (ja) | 2000-03-28 |
Family
ID=17351132
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10260669A Withdrawn JP2000086337A (ja) | 1998-09-14 | 1998-09-14 | 低温焼成用誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000086337A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6740614B2 (en) * | 2001-11-13 | 2004-05-25 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition |
| KR100444220B1 (ko) * | 2001-05-01 | 2004-08-18 | 삼성전기주식회사 | 유전체 자기 조성물, 이를 이용한 자기 커패시터 및 그 제조방법 |
| KR100452817B1 (ko) * | 2001-05-01 | 2004-10-15 | 삼성전기주식회사 | 유전체 자기 조성물, 이를 이용한 자기 커패시터 및 그 제조방법 |
| US7091147B2 (en) * | 2003-03-04 | 2006-08-15 | Ngk Insulators, Ltd. | Dielectric compositions for firing at low temperatures and electronic parts |
| KR100808472B1 (ko) | 2006-12-01 | 2008-03-03 | (주)써모텍 | 유전체 세라믹 조성물 및 그 제조방법 |
| JP2014122144A (ja) * | 2012-12-21 | 2014-07-03 | Fdk Corp | 誘電体磁器組成物、誘電体磁器組成物の製造方法、積層チップ部品、積層チップ部品の製造方法 |
| CN114907112A (zh) * | 2022-04-02 | 2022-08-16 | 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所) | 一种低温度系数高介低损耗微波电子陶瓷材料及制备方法 |
-
1998
- 1998-09-14 JP JP10260669A patent/JP2000086337A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100444220B1 (ko) * | 2001-05-01 | 2004-08-18 | 삼성전기주식회사 | 유전체 자기 조성물, 이를 이용한 자기 커패시터 및 그 제조방법 |
| KR100452817B1 (ko) * | 2001-05-01 | 2004-10-15 | 삼성전기주식회사 | 유전체 자기 조성물, 이를 이용한 자기 커패시터 및 그 제조방법 |
| US6740614B2 (en) * | 2001-11-13 | 2004-05-25 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition |
| US7091147B2 (en) * | 2003-03-04 | 2006-08-15 | Ngk Insulators, Ltd. | Dielectric compositions for firing at low temperatures and electronic parts |
| KR100808472B1 (ko) | 2006-12-01 | 2008-03-03 | (주)써모텍 | 유전체 세라믹 조성물 및 그 제조방법 |
| JP2014122144A (ja) * | 2012-12-21 | 2014-07-03 | Fdk Corp | 誘電体磁器組成物、誘電体磁器組成物の製造方法、積層チップ部品、積層チップ部品の製造方法 |
| CN114907112A (zh) * | 2022-04-02 | 2022-08-16 | 西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所) | 一种低温度系数高介低损耗微波电子陶瓷材料及制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2613722B2 (ja) | 低温焼成用誘電体磁器組成物の製造法 | |
| WO2004094338A1 (ja) | 誘電体形成用無鉛ガラス、誘電体形成用ガラスセラミックス組成物、誘電体および積層誘電体製造方法 | |
| JP2000034165A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP2002193662A (ja) | 誘電体磁器及びその製造方法 | |
| JP3737774B2 (ja) | 誘電体セラミック組成物 | |
| JP2000086337A (ja) | 低温焼成用誘電体磁器組成物 | |
| JP2781500B2 (ja) | 低温焼成用誘電体磁器組成物 | |
| JP2003055043A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH0877829A (ja) | 誘電体磁器組成物および誘電体共振器 | |
| JP2781503B2 (ja) | 低温焼成用誘電体磁器組成物及びそれを用いて得られた誘電体共振器若しくは誘電体フィルター並びにそれらの製造方法 | |
| JP3002613B2 (ja) | マイクロ波用誘電体共振器若しくはフィルタ製造のための誘電体磁器組成物及びその製法並びに該誘電体磁器組成物を用いて得られるマイクロ波用誘電体共振器若しくはフィルタ及びそれらの製造方法 | |
| JPH0517213A (ja) | マイクロ波誘電体磁器組成物 | |
| JP2781501B2 (ja) | 低温焼成用誘電体磁器組成物 | |
| JP3909366B2 (ja) | 低誘電率磁器組成物とその磁器組成物を用いた電子回路用基板の製造方法 | |
| JP3085625B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP2781502B2 (ja) | 低温焼成用誘電体磁器組成物及びそれを用いて得られた誘電体共振器若しくは誘電体フィルター並びにそれらの製造方法 | |
| JPH054941B2 (ja) | ||
| JP2002326865A (ja) | 誘電体磁器組成物及び誘電体デバイス | |
| JP3624406B2 (ja) | ガラスセラミックス誘電体材料 | |
| JP3193157B2 (ja) | 低温焼成用誘電体磁器組成物及びそれを用いて得られた誘電体共振器若しくは誘電体フィルター並びにそれらの製造方法 | |
| JP3839868B2 (ja) | 誘電体磁器組成物及び電子部品 | |
| JP4097018B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH08239262A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP2514354B2 (ja) | 誘電体磁器組成物およびその製造方法 | |
| JP4006655B2 (ja) | マイクロ波用誘電体磁器組成物 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20060110 |