JP4166012B2 - 高誘電率材料用組成物 - Google Patents
高誘電率材料用組成物 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4166012B2 JP4166012B2 JP2001394230A JP2001394230A JP4166012B2 JP 4166012 B2 JP4166012 B2 JP 4166012B2 JP 2001394230 A JP2001394230 A JP 2001394230A JP 2001394230 A JP2001394230 A JP 2001394230A JP 4166012 B2 JP4166012 B2 JP 4166012B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric constant
- composition
- high dielectric
- glass
- weight
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/14—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions
- C03C8/20—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions containing titanium compounds; containing zirconium compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/02—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/02—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form
- C03C8/08—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form containing phosphorus
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/02—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form
- C03C8/10—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form containing lead
- C03C8/12—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form containing lead containing titanium or zirconium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/14—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は高誘電率材料用組成物に関し、詳しくは比較的低い温度で焼成することができ、しかも高誘電率の焼結体を得ることができる組成物に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、高周波数において高い誘電率を有する材料を使用した回路部品が開発されてきている。従来、高誘電率材料用組成物はBaTiO3等のフィラーの量が多く、そのフィラーとSiO2−B2O3−ZnO系等のガラスとを混合して焼成したり(特許第2829514号公報)、BaTiO3に希土類酸化物等を添加して焼結し、粉砕して高誘電率のフィラーを作製したものにガラスを混合する、つまりフィラーの作製に重点をおいた開発が圧倒的に多かった(特開平8−69713号公報、特許第2869900号公報、特許第3084992号公報、特許第3064518号公報、特許第3064519号公報、特許第3180439号公報)。
しかし近年、これらの高誘電率材料用組成物をシート状に成形し、それを積層してデバイスや基板を作製する時の電極や導電材料が、Ag、Cu等の低融点の金属へ移行し、それに伴い、より低温で焼成が可能な高誘電率材料を得るための組成物が求められてきている。
このような情況の中で、特開平7−118060号公報、特開平8−55516号公報ではSiO2系ガラスをベースとした開発が開示されているが、ガラスの軟化点が高いため、低温での焼成が難しいという問題がある。
またこれまでに開発されてきた組成物では、低温で焼成でき、しかも得られる焼結体の誘電率が50以上となるようなものはなかった。
それ故、上記AgやCu等の低融点導電材料と同様の低温で焼成することが可能であり、且つ得られる焼結体が高誘電率である組成物の開発が強く望まれていた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上記従来の問題点を解消し、低温で焼成可能であり、且つ得られる焼結体が高誘電率となる組成物を提供することを課題とする。
【0004】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは上記の課題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、低融点ガラス(鉛系、ビスマス系、リン酸塩系ガラス)でアルカリ土類成分が多く、結晶化が容易に起こるガラス粉末と誘電率が大きいセラミックスフィラーとを含有する組成物が上記課題を解決することを見出し、この知見に基づいて本発明を完成するに至った。
即ち、本発明の高誘電率材料用組成物は、重量%表示で、CaO、SrO及びBaOの内の少なくとも1種:10〜50%、TiO2及びZrO2の内の少なくとも1種:2〜20%、PbO、Bi2O3及びP2O5の内の少なくとも1種:10〜50%、SiO2及びB2O3の内の少なくとも1種:10〜35%、REOz(RE=Y又はランタノイド、z=1.5又は2):5%以下含有の組成を有するガラス粉末20〜80重量%と、セラミックスフィラー80〜20重量%とからなり、900℃以下で焼成した時に得られる焼結体の1MHzの周波数における誘電率が15以上であることを第1の特徴としている。
また本発明の高誘電率材料用組成物は、上記第1の特徴に加えて、ガラス粉末が、重量%表示で、CaO、SrO及びBaOの内の少なくとも1種:20〜45%、TiO2及びZrO2の内の少なくとも1種:10〜15%、PbO、Bi2O3及びP2O5の内の少なくとも1種:20〜35%、SiO2及びB2O3の内の少なくとも1種:15〜25%、REOz(RE=Y又はランタノイド、z=1.5又は2):5%以下含有の組成を有することを第2の特徴としている。
また本発明の高誘電率材料用組成物は、上記第1又は第2の特徴に加えて、ガラス粉末がAl2O3を7重量%以下含有することを第3の特徴としている。
また本発明の高誘電率材料用組成物は、上記第1〜第3の何れかの特徴に加えて、ガラス粉末がSnOx(x=1又は2)及びWO3の内の少なくとも1種を10重量%以下含有することを第4の特徴としている。
また本発明の高誘電率材料用組成物は、上記第1〜第4の何れかの特徴に加えて、ガラス粉末がMgO及びZnOの内の少なくとも1種を10重量%以下含有することを第5の特徴としている。
また本発明の高誘電率材料用組成物は、上記第1〜第5の何れかの特徴に加えて、ガラス粉末がLi2O、Na2O及びK2Oの内の少なくとも1種を10重量%以下含有することを第6の特徴としている。
また本発明の高誘電率材料用組成物は、上記第1〜第6の何れかの特徴に加えて、ガラス粉末がFを5重量%以下含有することを第7の特徴としている。
また本発明の高誘電率材料用組成物は、上記第1〜第7の何れかの特徴に加えて、ガラスの軟化点が550〜750℃であることを第8の特徴としている。
また本発明の高誘電率材料用組成物は、上記第1〜第8の何れかの特徴に加えて、セラミックスフィラーがPbTiO3、Bi2TiO5、Bi4Ti3O12、BaTiO3、SrTiO3、CaTiO3、MgTiO3、ZnTiO3、TiO2、ZrTiO4、BaZrO3、SrZrO3、CaZrO3、MgZrO3、ZrO2、BaSnO3、SrSnO3、CaSnO3、MgSnO3、Bi2(SnO3)3、アルミナ及びムライトの内の少なくとも1種であることを第9の特徴としている。
【0005】
【発明の実施の形態】
本発明の高誘電率材料用組成物の主要な構成要素であるガラス粉末の組成及び物性の限定理由を下記に説明する。
CaO、SrO、BaOは、TiO2或いはZrO2成分がガラス組成中に共存することにより焼結時にチタン酸塩結晶(BaTiO3、CaTiO3、SrTiO3)或いはジルコン酸塩結晶(BaZrO3、CaZrO3、SrZrO3)を析出する。そして更にPbTiO3、Bi2TiO5、Bi4Ti3O12、BaTiO3、SrTiO3、CaTiO3、ZnTiO3、TiO2等のフィラーと反応して高誘電率の結晶を析出させる。このため前記CaO、SrO、BaOは高誘電率の結晶を析出させるための必須成分である。
CaO、SrO、BaOは、それらの内の少なくとも1種を合計で10〜50重量%の範囲で含有させる。
CaO、SrO、BaOが合計で10重量%未満の場合には、フィラー重量を組成物全体の80重量%としても高誘電率材料が得られないおそれがある。またCaO、SrO、BaOが合計で50重量%を超える場合には、ガラスが得られないか、又は軟化点が高くなり過ぎるおそれがある。
CaO、SrO、BaOの含有量は、材料の高誘電率化、ガラス化又は軟化点等を考慮すると、合計で20〜45重量%であることがより好ましい。
【0006】
TiO2、ZrO2はガラスを結晶化させる成分であって、それらの内の少なくとも1種を合計で2〜20重量%の範囲で含有させる。
TiO2、ZrO2が合計で2重量%未満の場合には、軟化点から焼成温度の間の温度域で結晶化が起こらないおそれがある。また20重量%を超える場合には、ガラスが得られないおそれがある。
TiO2、ZrO2の含有量は、ガラス化、軟化点から焼成温度までの間における結晶化等を考慮すると、合計で10〜15重量%であることがより好ましい。
【0007】
PbO、Bi2O3、P2O5は、本発明組成物のガラスの網目を形成する酸化物であり、それらの内の少なくとも1種を合計で10〜50重量%の範囲で含有させる。
PbO、Bi2O3、P2O5が合計で10重量%未満の場合には、ガラスが得られることはあるが、軟化点が高くなり過ぎるおそれがある。また50重量%を超える場合には、軟化点が低くなり過ぎ、フィラーを混合しても焼成時形状を保持できなくなるおそれがある。
PbO、Bi2O3、P2O5の含有量は、軟化点等を考慮すると、合計で20〜35重量%であることがより好ましい。
なお焼結体の誘電率を高めるには、PbO、Bi2O3を含有させることが好ましい。
【0008】
SiO2、B2O3は熱膨張係数を下げ、ガラスの成形性を向上させ、またガラスの化学的耐久性を向上させる成分であり、それらの内の少なくとも1種を合計で10〜35重量%の範囲で含有させる。
SiO2、B2O3が合計で10重量%未満の場合には、熱膨張係数が大きくなり過ぎると共に、ガラスの成形性、化学的耐久性が向上しないおそれがある。また35重量%超える場合には、軟化点が高くなり過ぎるおそれがある。
SiO2、B2O3の含有量は、熱膨張係数、ガラスの成形性、化学的耐久性、軟化点等を考慮すると、合計で15〜25重量%であることがより好ましい。
【0009】
また上記成分の他に、必要に応じてAl2O3を7重量%以下含有させることができる。
上記範囲でAl2O3を含有させることにより、熱膨張係数を下げ、ガラスの成形性を向上させることができる。7重量%を超えて含有させると、急激に軟化点が高くなるか、或いは原料が未溶融物として残るおそれがある。
Al2O3の含有量は、ガラスの軟化点、溶融性等を考慮すると、5重量%以下であることがより好ましい。
【0010】
また上記成分の他に、必要に応じてSnOx(x=1又は2)及びWO3の内の少なくとも1種を合計で10重量%以下含有させることができる。
上記範囲でSnOx(x=1又は2)、WO3を含有させることにより、ガラスの軟化点をそれほど上昇させずに焼結体の誘電率を高めることができる。
【0011】
また上記成分の他に、必要に応じてMgO及びZnOの内の少なくとも1種を合計で10重量%以下含有させることができる。上記範囲でMgO、ZnOを含有させることにより、ガラスの成形性を向上させることができる。
【0012】
また上記成分の他に、必要に応じてLi2O、Na2O及びK2Oの内の少なくとも1種を合計で10重量%以下含有させることができる。上記範囲でLi2O、Na2O、K2Oを含有させることにより、ガラスの軟化点を低下させることができる。
【0013】
また上記成分の他に、本発明の必須成分として、REOz(RE=Y又はランタノイド、z=1.5又は2)を5重量%以下含有させる。上記範囲でREOz(RE=Y又はランタノイド、z=1.5又は2)を含有させることにより、ガラスの安定性を向上させることができる。
【0014】
また上記成分の他に、必要に応じてFを5重量%以下含有させることができる。上記範囲でFを含有させることにより、焼結体の誘電率を更に高くすることができる。
【0015】
本発明の高誘電率材料用組成物において、ガラス粉末の量は、ガラスとセラミックスフィラーの総量に対して20〜80重量%の範囲とし、セラミックスフィラーは総量に対して80〜20重量%の範囲とすることが必須である。
セラミックスフィラーが20重量%未満では、ガラスの比率が大きいため高誘電率材料が得られないおそれがある。また80重量%を超えると、900℃以下の低温での焼成が困難となる。
なお本発明の高誘電率材料用組成物は、近年この種の高誘電率材料の電極材料として用いられるCu、Ag等の導体と同時に焼成される場合には、当然ながら、これら導体の焼成温度である900℃以下の温度で良好に焼成できることが必要である。またその900℃以下の温度で焼成された焼結体が高誘電率を有することが必要である。
前記同時焼成の場合、焼成温度が900℃を超えると、Cu、Ag等の導体の印刷パターンが崩れるおそれがある。
焼結体の誘電率、焼成温度等を考慮すると、ガラス粉末の量は、ガラスとセラミックスフィラーの総量に対して50〜70重量%の範囲とし、セラミックスフィラーは総量に対して50〜30重量%の範囲とすることがより好ましい。
【0016】
また本発明の高誘電率材料用組成物は、それを焼成して得られた焼結体材料の1MHzの周波数における誘電率が15以上であることを条件とする。誘電率が15未満では、コンデンサー等としての特性が劣化する。コンデンサー等として用いる場合の特性を考慮すると、焼結体材料の1MHzの周波数における誘電率は20以上であることがより好ましい。なお本発明における誘電率とは、比誘電率を示す。
【0017】
また本発明組成物に含有されるガラスの軟化点は、550〜750℃であることが好ましい。
軟化点が750℃を超えると、焼結体材料の1MHzの周波数における誘電率を15以上にすること、或いは900℃以下で焼成することが困難になる。また軟化点が550℃未満では、Cu、Ag等の導体の焼成が不可能になるおそれがある。
【0018】
なお上記のガラスを得るための原料としては、上記ガラス中の酸化物成分或いはフッ化物成分になり得るような化合物であれば特に制限はない。
【0019】
また本発明の高誘電率材料用組成物を構成するセラミックスフィラーとしては特に制限はないが、焼結体の誘電率、強度等を考慮すると、PbTiO3、Bi2TiO5、Bi4Ti3O12、BaTiO3、SrTiO3、CaTiO3、MgTiO3、ZnTiO3、TiO2、ZrTiO4、BaZrO3、SrZrO3、CaZrO3、MgZrO3、ZrO2、BaSnO3、SrSnO3、CaSnO3、MgSnO3、Bi2(SnO3)3、アルミナ、ムライト等を用いることが好ましい。
【0020】
【実施例】
以下に実施例を挙げて本発明を更に詳細に説明する。ここで実施例1〜22は、REO z を含有しない本発明の参考例、実施例23〜26が本発明の実施例である。
なお実施例において使用した原料は、CaCO3、SrCO3、BaCO3、TiO2、ZrO2、PbO、Bi2O3、NH4H2PO4、SiO2、H3BO3、Al(OH)3、SnO2、WO3、Mg(OH)2、ZnO、Li2CO3、Na2CO3、KNO3、Y2O3、La2O3、CeO2、CaF2である。
【0021】
実施例において、ガラスの軟化点(Ts)及び焼結体の誘電率は下記の方法により測定した。
(1)軟化点(Ts)
ガラスフレークを乳鉢で粉砕し、200メッシュのふるいを通した粉末(粒径約45〜75μm)を白金セルに50〜70mg入れ、示差熱分析装置(DTA理学電機製 TG8120)を用いて室温から20K/minの昇温速度で900℃まで温度を上昇させてDTA曲線を求め、第1吸熱ピークの終了温度を軟化点(Ts)とした。
(2)誘電率
ボールミルで粉砕したガラス粉末とセラミックスフィラーを所定の割合で混合し、800〜900℃の温度で焼成して得た焼結体を用い、インビーダンスアナライザー(横河ヒューレットパッカード製 4192A)を用いて1MHzの周波数における誘電率を測定した。
【0022】
実施例1
ガラス組成が重量%表示で、CaO:5%、SrO:20%、BaO:20%、TiO2:10%、PbO:25%、SiO2:10%、B2O3:5%、Al2O3:5%となるように各成分原料を調合し、1300℃に昇温した電気炉中に置いた白金ルツボに入れて2時間溶融した後、双ロール法で急冷してガラスフレークを得た。ガラスフレークは、軟化点測定用サンプル分を残してボールミルで粉砕を行い、粒径2〜3μmの粉末とした。このガラスの軟化点を上記方法に従って測定したところ、742℃であった。またセラミックスフィラーとしてPbTiO3を選定し、総量に対してフィラーが30重量%となるように混合して圧紛体を作製し、880℃で1時間焼成して焼結体を得た。その後、この焼結体の1MHzの周波数における誘電率を上記方法に従って測定したところ、37であった。
結果を表1に示す。
【0023】
実施例2
ガラス組成が重量%表示で、BaO:25%、TiO2:5%,PbO:45%、SiO2:10%,B2O3:15%となるように各成分原料を調合し、1300℃に昇温した電気炉中に置いた白金ルツボに入れて2時間溶融した後、双ロール法で急冷してガラスフレークを得た。ガラスフレークは、軟化点測定用サンプル分を残してボールミルで粉砕を行い、粒径2〜3μmの粉末とした。このガラスの軟化点を上記方法に従って測定したところ、572℃であった。またセラミックスフィラーとしてPbTiO3を選定し、総量に対してフィラーが70重量%となるように混合して圧紛体を作製し、880℃で1時間焼成して焼結体を得た。その後、この焼結体の1MHzの周波数における誘電率を測定したところ、80であった。
結果を表1に示す。
【0024】
実施例3
ガラス組成が重量%表示で、CaO:20%、TiO2:20%、P2O5:40%、SiO2:10%、B2O3:10%となるように各成分原料を調合し、1300℃に昇温した電気炉中に置いた白金ルツボに入れて2時間溶融した後、双ロール法で急冷してガラスフレークを得た。ガラスフレークは、軟化点測定用サンプル分を残してボールミルで粉砕を行い、粒径2〜3μmの粉末とした。このガラスの軟化点を上記方法に従って測定したところ、590℃であった。またセラミックスフィラーとしてBi2TiO5を選定し、総量に対してフィラーが50重量%となるように混合して圧紛体を作製し、880℃で1時間焼成して焼結体を得た。その後、この焼結体の1MHzの周波数における誘電率を測定したところ、30であった。
結果を表1に示す。
【0025】
実施例4〜26
表に示すガラス組成となるように各成分原料を調合し、1100〜1300℃に昇温した電気炉中に置いた白金ルツボに入れて2時間溶融した後、双ロール法で急冷してガラスフレークを得た。ガラスフレークは、軟化点測定用サンプル分を残してボールミルで粉砕を行い、粒径2〜3μmの粉末とした。これらのガラスの軟化点を上記方法に従って測定した。また各ガラス粉末と各セラミックスフィラーを表に示す割合で混合して圧紛体を作製し、800〜900℃で1時間焼成して焼結体を得た。その後、各焼結体の1MHzの周波数における誘電率を測定した。
結果を表1〜3に示す。
【0026】
【表1】
【0027】
【表2】
【0028】
【表3】
【0029】
表1〜3から明らかなように、上記の実施例においては、組成物は900℃以下の低温で焼成可能であり、且つその焼結体の誘電率が、1MHzの周波数において何れも20以上であることがわかる。
【0030】
【発明の効果】
本発明は以上の構成及び作用からなり、請求項1に記載の高誘電率材料用組成物によれば、低温で焼成が可能であり、即ちAgやCu等の低融点材料からなる導体ペースト等との同時焼成が可能となり、且つ得られる焼結体の誘電率を高誘電率にすることができる。請求項1の組成物においては、セラミックスフィラーを適当に選択することで、得られる焼結体の1MHz以上の周波数における誘電率を20以上、少なくとも15以上にすることが可能となる。
特に、REO z (RE=Y又はランタノイド、z=1.5又は2)を5%以下含有させているので、ガラスの安定性を向上させることが可能となる。
また請求項2に記載の高誘電率材料用組成物によれば、上記請求項1に記載の構成による効果に加えて、ガラス粉末の成分を更に好ましい範囲に限定したので、セラミックスフィラーを適当に選択することで、AgやCu等の低融点材料からなる導体ペースト等との同時焼成が一層容易となる。
また請求項3に記載の高誘電率材料用組成物によれば、上記請求項1又は2に記載の構成による効果に加えて、ガラスの成形性を増すことができる。
また請求項4に記載の高誘電率材料用組成物によれば、上記請求項1〜3の何れかに記載の構成による効果に加えて、ガラスの軟化点をそれほど上昇させることなく焼結体の誘電率を高めることが可能となる。
また請求項5に記載の高誘電率材料用組成物によれば、上記請求項1〜4の何れかに記載の構成による効果に加えて、ガラスの成形性を向上させることができる。
また請求項6に記載の高誘電率材料用組成物によれば、上記請求項1〜5の何れかに記載の構成による効果に加えて、ガラスの軟化点を下げることができ、焼成温度を一層低下させることができる。
また請求項7に記載の高誘電率材料用組成物によれば、上記請求項1〜6の何れかに記載の構成による効果に加えて、焼結体の誘電率の向上を図ることができる。
また請求項8に記載の高誘電率材料用組成物によれば、上記請求項1〜7の何れかに記載の構成による効果に加えて、900℃以下の温度でAgやCu等の導体ペーストと同時焼成することが容易にでき、且つ得られる焼結体の1MHzの周波数での誘電率を容易に15以上にすることができる。
また請求項9に記載の高誘電率材料用組成物によれば、上記請求項1〜8の何れかに記載の構成による効果に加えて、高強度で且つ高誘電率の焼結体を得ることが可能な組成物を提供することができる。
Claims (9)
- 重量%表示で、
CaO、SrO及びBaOの内の少なくとも1種 :10〜50%
TiO2及びZrO2の内の少なくとも1種 :2〜20%
PbO、Bi2O3及びP2O5の内の少なくとも1種 :10〜50%
SiO2及びB2O3の内の少なくとも1種 :10〜35%
REOz(RE=Y又はランタノイド、z=1.5又は2):5%以下含有
の組成を有するガラス粉末20〜80重量%と、セラミックスフィラー80〜20重量%とからなり、900℃以下で焼成した時に得られる焼結体の1MHzの周波数における誘電率が15以上であることを特徴とする高誘電率材料用組成物。 - ガラス粉末が、重量%表示で、
CaO、SrO及びBaOの内の少なくとも1種 :20〜45%
TiO2及びZrO2の内の少なくとも1種 :10〜15%
PbO、Bi2O3及びP2O5の内の少なくとも1種 :20〜35%
SiO2及びB2O3の内の少なくとも1種 :15〜25%
REOz(RE=Y又はランタノイド、z=1.5又は2):5%以下含有
の組成を有することを特徴とする請求項1に記載の高誘電率材料用組成物。 - ガラス粉末がAl2O3を7重量%以下含有することを特徴とする請求項1又は2に記載の高誘電率材料用組成物。
- ガラス粉末がSnOx(x=1又は2)及びWO3の内の少なくとも1種を10重量%以下含有することを特徴とする請求項1〜3の何れかに記載の高誘電率材料用組成物。
- ガラス粉末がMgO及びZnOの内の少なくとも1種を10重量%以下含有することを特徴とする請求項1〜4の何れかに記載の高誘電率材料用組成物。
- ガラス粉末がLi2O、Na2O及びK2Oの内の少なくとも1種を10重量%以下含有することを特徴とする請求項1〜5の何れかに記載の高誘電率材料用組成物。
- ガラス粉末がFを5重量%以下含有することを特徴とする請求項1〜6の何れかに記載の高誘電率材料用組成物。
- ガラスの軟化点が550〜750℃であることを特徴とする請求項1〜7の何れかに記載の高誘電率材料用組成物。
- セラミックスフィラーがPbTiO3、Bi2TiO5、Bi4Ti3O12、BaTiO3、SrTiO3、CaTiO3、MgTiO3、ZnTiO3、TiO2、ZrTiO4、BaZrO3、SrZrO3、CaZrO3、MgZrO3、ZrO2、BaSnO3、SrSnO3、CaSnO3、MgSnO3、Bi2(SnO3)3、アルミナ及びムライトの内の少なくとも1種であることを特徴とする請求項1〜8の何れかに記載の高誘電率材料用組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001394230A JP4166012B2 (ja) | 2001-12-26 | 2001-12-26 | 高誘電率材料用組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001394230A JP4166012B2 (ja) | 2001-12-26 | 2001-12-26 | 高誘電率材料用組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003192430A JP2003192430A (ja) | 2003-07-09 |
JP4166012B2 true JP4166012B2 (ja) | 2008-10-15 |
Family
ID=27601025
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001394230A Expired - Fee Related JP4166012B2 (ja) | 2001-12-26 | 2001-12-26 | 高誘電率材料用組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4166012B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4537092B2 (ja) * | 2004-03-01 | 2010-09-01 | パナソニック株式会社 | ガラス組成物及び磁気ヘッド |
JP2006298716A (ja) * | 2005-04-22 | 2006-11-02 | Asahi Glass Co Ltd | ガラス、ガラスセラミックス組成物および誘電体 |
JP5039969B2 (ja) * | 2006-11-15 | 2012-10-03 | 国立大学法人東北大学 | ガラス、結晶化ガラス、結晶化ガラスの製造方法及び光触媒部材 |
US9776911B2 (en) * | 2013-10-28 | 2017-10-03 | Ferro Corporation | Dielectric pastes for aluminum substrates |
-
2001
- 2001-12-26 JP JP2001394230A patent/JP4166012B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2003192430A (ja) | 2003-07-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4868663B2 (ja) | 低温焼成磁器組成物 | |
JP5040918B2 (ja) | ガラスセラミック組成物、ガラスセラミック焼結体および積層セラミック電子部品 | |
WO2004094338A1 (ja) | 誘電体形成用無鉛ガラス、誘電体形成用ガラスセラミックス組成物、誘電体および積層誘電体製造方法 | |
JPWO2008018407A1 (ja) | ガラスセラミック組成物、ガラスセラミック焼結体および積層セラミック電子部品 | |
JP2008001531A (ja) | ガラス | |
US6846767B2 (en) | Dielectric ceramic composition | |
US6740613B2 (en) | Dielectric ceramic composition | |
JP4706228B2 (ja) | 無鉛ガラス、ガラスセラミックス組成物および誘電体 | |
JP2003146697A (ja) | 誘電体組成物 | |
JP4166012B2 (ja) | 高誘電率材料用組成物 | |
KR100664979B1 (ko) | 글라스 프릿트와 그 제조방법, 이를 이용하는 외부전극용페이스트 조성물 및 적층세라믹 커패시터 | |
JP2002338295A (ja) | 無アルカリガラス、電子回路基板用組成物および電子回路基板 | |
JP3882847B2 (ja) | 強誘電性ガラスセラミックスおよびその製造方法 | |
JP4613954B2 (ja) | 強誘電性ガラスセラミックスおよびその製造方法、ならびに、ガラス組成物 | |
JP4229045B2 (ja) | 電子回路基板および電子回路基板作製用無鉛ガラス | |
JP2004026529A (ja) | 低温焼成基板用ガラス組成物およびそれを用いたガラスセラミックス | |
JP2006298716A (ja) | ガラス、ガラスセラミックス組成物および誘電体 | |
JPH1160266A (ja) | ガラス及びガラスセラミック材料 | |
JP2004026543A (ja) | 誘電体磁器組成物およびこれを用いた積層セラミック部品 | |
JP6048665B2 (ja) | ガラスセラミックス用材料及びガラスセラミックス | |
KR100509633B1 (ko) | 절연 강화형 유리프릿과 이를 포함하는 내환원성 유전체조성물 | |
WO2021221175A1 (ja) | 厚膜抵抗ペースト、厚膜抵抗体、及び電子部品 | |
KR100506877B1 (ko) | 내환원성 유전체 조성물 및 이에 적용된 유리프릿 | |
WO2021221174A1 (ja) | 厚膜抵抗ペースト、厚膜抵抗体、及び電子部品 | |
JP4442077B2 (ja) | 高周波部品用磁器組成物 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041203 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071225 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080108 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080306 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080408 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080605 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080708 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080729 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110808 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110808 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120808 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |