JPH09227229A - 高周波用誘電体組成物 - Google Patents
高周波用誘電体組成物Info
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- JPH09227229A JPH09227229A JP8030647A JP3064796A JPH09227229A JP H09227229 A JPH09227229 A JP H09227229A JP 8030647 A JP8030647 A JP 8030647A JP 3064796 A JP3064796 A JP 3064796A JP H09227229 A JPH09227229 A JP H09227229A
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 共振周波数の温度係数τf 及び誘電率の温度
係数τεの絶対値が共に小さい高特性高周波用誘電体組
成物を提供する。 【解決手段】 Ｓｒ（Ｎｉ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 の主成分
と、ＴｉＯ2 ，ＳｒＴｉＯ3 ，ＣａＴｉＯ3 の１種又は
２種以上の副成分とからなる誘電体成分（ＴｉＯ2 ≦２
５モル％、ＳｒＴｉＯ3 ≦６．５モル％、ＣａＴｉＯ3
≦１３．３モル％）に対して０．１〜５０重量％のガラ
スを添加した高周波用誘電体組成物。 【効果】 Ｓｒ（Ｎｉ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 −（ＭｇＯ−
ＢａＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 ）ガラス系材料に、ＴｉＯ
2 ，ＳｒＴｉＯ3 ，ＣａＴｉＯ3 の副成分を添加するこ
とにより、良好なτf ，τε値を得ることができる。
係数τεの絶対値が共に小さい高特性高周波用誘電体組
成物を提供する。 【解決手段】 Ｓｒ（Ｎｉ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 の主成分
と、ＴｉＯ2 ，ＳｒＴｉＯ3 ，ＣａＴｉＯ3 の１種又は
２種以上の副成分とからなる誘電体成分（ＴｉＯ2 ≦２
５モル％、ＳｒＴｉＯ3 ≦６．５モル％、ＣａＴｉＯ3
≦１３．３モル％）に対して０．１〜５０重量％のガラ
スを添加した高周波用誘電体組成物。 【効果】 Ｓｒ（Ｎｉ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 −（ＭｇＯ−
ＢａＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 ）ガラス系材料に、ＴｉＯ
2 ，ＳｒＴｉＯ3 ，ＣａＴｉＯ3 の副成分を添加するこ
とにより、良好なτf ，τε値を得ることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波回路に使用
される素子を構成する誘電体として有効な高周波用誘電
体組成物に関する。
される素子を構成する誘電体として有効な高周波用誘電
体組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術及び先行技術】高周波回路に使用されるフ
ィルタ等の部品の小型・高信頼化には、多層デバイスが
有効である。この場合、多層デバイス用材料は、ある程
度高い誘電率（ε＝１０以上）、高いＱ（即ち、低い誘
電損失）を示し、ＣｕやＡｇ／Ｐｄ導体との同時焼成が
必要であることから、１０００℃以下での焼成が可能で
あること、即ち、１０００℃以下の焼成で十分に緻密化
することが必要とされる。
ィルタ等の部品の小型・高信頼化には、多層デバイスが
有効である。この場合、多層デバイス用材料は、ある程
度高い誘電率（ε＝１０以上）、高いＱ（即ち、低い誘
電損失）を示し、ＣｕやＡｇ／Ｐｄ導体との同時焼成が
必要であることから、１０００℃以下での焼成が可能で
あること、即ち、１０００℃以下の焼成で十分に緻密化
することが必要とされる。
【０００３】従来、１０００℃以下の焼成が可能な高周
波用誘電体として ＢａＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 又はＢａ
Ｏ−ＳｒＯ−ＺｒＯ2−ＳｉＯ2 系ガラス材料 Ｐｂ含有ペロブスカイト系材料 Ｂｉ含有系材料 セラミックス−ガラス複合系材料 が開発され、使用されている。
波用誘電体として ＢａＯ−Ａｌ2 Ｏ3 −Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 又はＢａ
Ｏ−ＳｒＯ−ＺｒＯ2−ＳｉＯ2 系ガラス材料 Ｐｂ含有ペロブスカイト系材料 Ｂｉ含有系材料 セラミックス−ガラス複合系材料 が開発され、使用されている。
【０００４】上記従来の材料では、次のような問題点が
あった。即ち、Ｐｂ含有ペロブスカイト系やＢｉ含有系
材料では、焼成中の成分揮発による組成のズレが発生
し、安定な製造が困難である。また、ＢａＯ−Ａｌ2 Ｏ
3 −Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 又はＢａＯ−ＳｒＯ−ＺｒＯ2
−ＳｉＯ2 系ガラス材料やセラミックス−ガラス複合系
材料では、誘電率が、それぞれε＝６，ε＝１５と低
く、Ｑも１０００程度（１ＭＨｚ）と比較的小さい。
あった。即ち、Ｐｂ含有ペロブスカイト系やＢｉ含有系
材料では、焼成中の成分揮発による組成のズレが発生
し、安定な製造が困難である。また、ＢａＯ−Ａｌ2 Ｏ
3 −Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 又はＢａＯ−ＳｒＯ−ＺｒＯ2
−ＳｉＯ2 系ガラス材料やセラミックス−ガラス複合系
材料では、誘電率が、それぞれε＝６，ε＝１５と低
く、Ｑも１０００程度（１ＭＨｚ）と比較的小さい。
【０００５】上記従来の問題点を解決し、高周波回路に
使用される素子の小型・高信頼化に有効な多層デバイス
用材料として有用な、誘電率及びＱが共に高く、１００
０℃以下での焼成が可能な高周波用誘電体組成物とし
て、本出願人は先に、Ｓｒ（Ｎｉ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 を
主成分とし、該主成分に対し０．１〜５０重量％のガラ
スを添加したことを特徴とする高周波用誘電体組成物を
提案した（特願平７−２９２７５０号。以下「先願」と
いう。）。
使用される素子の小型・高信頼化に有効な多層デバイス
用材料として有用な、誘電率及びＱが共に高く、１００
０℃以下での焼成が可能な高周波用誘電体組成物とし
て、本出願人は先に、Ｓｒ（Ｎｉ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 を
主成分とし、該主成分に対し０．１〜５０重量％のガラ
スを添加したことを特徴とする高周波用誘電体組成物を
提案した（特願平７−２９２７５０号。以下「先願」と
いう。）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記先願のＳｒ（Ｎｉ
1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 −（ＭｇＯ−ＢａＯ−Ｂ2 Ｏ3 −Ｓ
ｉＯ2 ）ガラス系材料であれば、Ｑ，εを低下させるこ
となく、１０００℃以下での焼成が可能であるが、この
材料は、共振周波数の温度係数τf が−４０ｐｐｍ／℃
と負に大きな値を示し、誘電体共振器等には使用できな
いという欠点がある。また、誘電率の温度係数τεも、
６０ｐｐｍ／℃と正に大きな値を示し、温度補償用のコ
ンデンサ材料としても不適当である。
1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 −（ＭｇＯ−ＢａＯ−Ｂ2 Ｏ3 −Ｓ
ｉＯ2 ）ガラス系材料であれば、Ｑ，εを低下させるこ
となく、１０００℃以下での焼成が可能であるが、この
材料は、共振周波数の温度係数τf が−４０ｐｐｍ／℃
と負に大きな値を示し、誘電体共振器等には使用できな
いという欠点がある。また、誘電率の温度係数τεも、
６０ｐｐｍ／℃と正に大きな値を示し、温度補償用のコ
ンデンサ材料としても不適当である。
【０００７】本発明は上記Ｓｒ（Ｎｉ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ
3 −（ＭｇＯ−ＢａＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 ）ガラス系
材料の問題点を解決し、共振周波数の温度係数τf 及び
誘電率の温度係数τεの絶対値が小さい、高特性高周波
用誘電体組成物を提供することを目的とする。
3 −（ＭｇＯ−ＢａＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 ）ガラス系
材料の問題点を解決し、共振周波数の温度係数τf 及び
誘電率の温度係数τεの絶対値が小さい、高特性高周波
用誘電体組成物を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の高周波用誘電体
組成物は、主成分としてのＳｒ（Ｎｉ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ
3 と、ＴｉＯ2 ，ＳｒＴｉＯ3 及びＣａＴｉＯ3 よりな
る群から選ばれる１種又は２種以上の副成分とからなる
誘電体成分であって、誘電体成分中のＴｉＯ2の割合が
２５モル％以下、ＳｒＴｉＯ3 の割合が６．５モル％以
下、ＣａＴｉＯ3 の割合が１３．３モル％以下である誘
電体成分に対して、０．１〜５０重量％のガラスを添加
してなることを特徴とする。
組成物は、主成分としてのＳｒ（Ｎｉ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ
3 と、ＴｉＯ2 ，ＳｒＴｉＯ3 及びＣａＴｉＯ3 よりな
る群から選ばれる１種又は２種以上の副成分とからなる
誘電体成分であって、誘電体成分中のＴｉＯ2の割合が
２５モル％以下、ＳｒＴｉＯ3 の割合が６．５モル％以
下、ＣａＴｉＯ3 の割合が１３．３モル％以下である誘
電体成分に対して、０．１〜５０重量％のガラスを添加
してなることを特徴とする。
【０００９】Ｓｒ（Ｎｉ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 −（ＭｇＯ
−ＢａＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 ）ガラス系材料に、Ｔｉ
Ｏ2 ，ＳｒＴｉＯ3 及びＣａＴｉＯ3 よりなる群から選
ばれる１種又は２種以上を所定割合で添加することによ
り、−４０ｐｐｍ／℃≦τf≦２０ｐｐｍ／℃（−６０
ｐｐｍ／℃≦τε≦６０ｐｐｍ／℃）よりなる範囲で、
下記式に従って、任意のτf ないしτε値を有する誘電
体組成物を得ることができる。
−ＢａＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 ）ガラス系材料に、Ｔｉ
Ｏ2 ，ＳｒＴｉＯ3 及びＣａＴｉＯ3 よりなる群から選
ばれる１種又は２種以上を所定割合で添加することによ
り、−４０ｐｐｍ／℃≦τf≦２０ｐｐｍ／℃（−６０
ｐｐｍ／℃≦τε≦６０ｐｐｍ／℃）よりなる範囲で、
下記式に従って、任意のτf ないしτε値を有する誘電
体組成物を得ることができる。
【００１０】τf ＝−τε／２−α （α：材料の線
膨張率＝１０ｐｐｍ／℃） なお、本発明において、ガラスとしては、ＭｇＯ−Ｂａ
Ｏ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガラスが好ましく、特に、本
発明の高周波用誘電体組成物を多層デバイス用材料とし
て用いる場合は、前記誘電体成分に対するガラス添加量
を１〜４０重量％とすることが望ましい。
膨張率＝１０ｐｐｍ／℃） なお、本発明において、ガラスとしては、ＭｇＯ−Ｂａ
Ｏ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガラスが好ましく、特に、本
発明の高周波用誘電体組成物を多層デバイス用材料とし
て用いる場合は、前記誘電体成分に対するガラス添加量
を１〜４０重量％とすることが望ましい。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下に本発明を詳細に説明する。
【００１２】本発明の高周波用誘電体組成物は、Ｓｒ
（Ｎｉ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 の主成分と、ＴｉＯ2 ，Ｓｒ
ＴｉＯ3 及びＣａＴｉＯ3 よりなる群から選ばれる１種
又は２種以上の副成分とからなり、 ＴｉＯ2 ≦２５モル％ ＳｒＴｉＯ3 ≦６．５モル％ ＣａＴｉＯ3 ≦１３．３モル％ である誘電体成分に対してガラスを０．１〜５０重量％
添加したものである。
（Ｎｉ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 の主成分と、ＴｉＯ2 ，Ｓｒ
ＴｉＯ3 及びＣａＴｉＯ3 よりなる群から選ばれる１種
又は２種以上の副成分とからなり、 ＴｉＯ2 ≦２５モル％ ＳｒＴｉＯ3 ≦６．５モル％ ＣａＴｉＯ3 ≦１３．３モル％ である誘電体成分に対してガラスを０．１〜５０重量％
添加したものである。
【００１３】本発明において、誘電体成分副成分の割合
が上記範囲より多いと副成分の割合が多過ぎてτf ＞２
０（τε＜−６０）となり好ましくない。
が上記範囲より多いと副成分の割合が多過ぎてτf ＞２
０（τε＜−６０）となり好ましくない。
【００１４】なお、誘電体成分中の副成分の割合は合計
で２０モル％以下であることが好ましい。
で２０モル％以下であることが好ましい。
【００１５】また、この誘電体成分に対するガラスの添
加量が０．１重量％未満では、１０００℃以下の焼成で
十分に緻密化することができず、Ｑが低いものとなる。
主成分に対するガラスの添加量が５０重量％を超えると
相対的に誘電体成分の含有量が少なくなるために、誘電
率及びＱが低下する。
加量が０．１重量％未満では、１０００℃以下の焼成で
十分に緻密化することができず、Ｑが低いものとなる。
主成分に対するガラスの添加量が５０重量％を超えると
相対的に誘電体成分の含有量が少なくなるために、誘電
率及びＱが低下する。
【００１６】本発明においては、誘電体成分に対するガ
ラス添加量を１〜４０重量％、特に２〜３０重量％とし
た場合、誘電率及びＱが共に著しく高い高周波用誘電体
組成物を得ることができる。
ラス添加量を１〜４０重量％、特に２〜３０重量％とし
た場合、誘電率及びＱが共に著しく高い高周波用誘電体
組成物を得ることができる。
【００１７】なお、本発明において、ガラスとしては、
ＭｇＯ−ＢａＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガラスが好適で
あり、その好適な組成割合は、下記の通りである。
ＭｇＯ−ＢａＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガラスが好適で
あり、その好適な組成割合は、下記の通りである。
【００１８】ＭｇＯ−ＢａＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガ
ラス組成（重量％） ＭｇＯ ：２０〜５０ ＢａＯ ： ５〜２５ Ｂ2 Ｏ3 ：１５〜３０ ＳｉＯ2 ：１０〜２５ 本発明の高周波用誘電体組成物は、Ｓｒ（Ｎｉ1/3 Ｎｂ
2/3 ）Ｏ3 を構成する金属元素の酸化物又は炭酸塩、例
えば、ＳｒＣＯ3 ，ＮｉＯ及びＮｂ2 Ｏ5 を、Ｓｒ（Ｎ
ｉ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 組成比となるように混合、仮焼し
て得られるＳｒ（Ｎｉ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 主成分と、Ｔ
ｉＯ2 、或いは、ＳｒＴｉＯ3 ，ＣａＴｉＯ3 組成とな
るように、ＳｒＣＯ3 ，ＣａＣＯ3 ，ＴｉＯ2 を同様に
混合、仮焼して得られた副成分と、更に、所定割合のガ
ラスを添加混合することにより容易に調製することがで
き、このような発明の高周波用誘電体組成物は、適当な
バインダを添加して成形し、１０００℃以下、例えば９
５０〜９８０℃で焼成することにより、容易に使用に供
することができる。
ラス組成（重量％） ＭｇＯ ：２０〜５０ ＢａＯ ： ５〜２５ Ｂ2 Ｏ3 ：１５〜３０ ＳｉＯ2 ：１０〜２５ 本発明の高周波用誘電体組成物は、Ｓｒ（Ｎｉ1/3 Ｎｂ
2/3 ）Ｏ3 を構成する金属元素の酸化物又は炭酸塩、例
えば、ＳｒＣＯ3 ，ＮｉＯ及びＮｂ2 Ｏ5 を、Ｓｒ（Ｎ
ｉ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 組成比となるように混合、仮焼し
て得られるＳｒ（Ｎｉ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 主成分と、Ｔ
ｉＯ2 、或いは、ＳｒＴｉＯ3 ，ＣａＴｉＯ3 組成とな
るように、ＳｒＣＯ3 ，ＣａＣＯ3 ，ＴｉＯ2 を同様に
混合、仮焼して得られた副成分と、更に、所定割合のガ
ラスを添加混合することにより容易に調製することがで
き、このような発明の高周波用誘電体組成物は、適当な
バインダを添加して成形し、１０００℃以下、例えば９
５０〜９８０℃で焼成することにより、容易に使用に供
することができる。
【００１９】なお、Ｓｒ（Ｎｉ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 主成
分及びＴｉＯ2 ，ＳｒＴｉＯ3 及びＣａＴｉＯ3 の１種
又は２種以上の副成分よりなる誘電体成分に、ガラス、
例えば、ＭｇＯ−ＢａＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガラス
を添加する場合、ガラス成分と同重量比の各酸化物又は
相当量の炭酸塩を誘電体成分に添加混合し、熱処理時に
ガラス化と焼成とを同時に行っても良いが、予め製造し
たガラスフリットとして添加するのが望ましい。
分及びＴｉＯ2 ，ＳｒＴｉＯ3 及びＣａＴｉＯ3 の１種
又は２種以上の副成分よりなる誘電体成分に、ガラス、
例えば、ＭｇＯ−ＢａＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガラス
を添加する場合、ガラス成分と同重量比の各酸化物又は
相当量の炭酸塩を誘電体成分に添加混合し、熱処理時に
ガラス化と焼成とを同時に行っても良いが、予め製造し
たガラスフリットとして添加するのが望ましい。
【００２０】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明をより具体的に
説明する。
説明する。
【００２１】実施例１ ＳｒＣＯ3 ，ＮｉＯ及びＮｂ2 Ｏ5 をＳｒ（Ｎｉ1/3 Ｎ
ｂ2/3 ）Ｏ3 の化学量論比となるように秤量し、２−プ
ロパノールを分散媒として、２４時間ボールミルで粉砕
・混合した後、乾燥し、その後、大気中にて１３５０℃
で４時間仮焼した。仮焼物を再度２−プロパノールを分
散媒として、２４時間ボールミルで粉砕・混合し、Ｓｒ
（Ｎｉ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 を合成した。
ｂ2/3 ）Ｏ3 の化学量論比となるように秤量し、２−プ
ロパノールを分散媒として、２４時間ボールミルで粉砕
・混合した後、乾燥し、その後、大気中にて１３５０℃
で４時間仮焼した。仮焼物を再度２−プロパノールを分
散媒として、２４時間ボールミルで粉砕・混合し、Ｓｒ
（Ｎｉ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 を合成した。
【００２２】このＳｒ（Ｎｉ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 と、Ｔ
ｉＯ2 、或いは、ＳｒＣＯ3 又はＣａＣＯ3 とＴｉＯ2
を原料として上記と同様に粉砕、混合、乾燥、仮焼、粉
砕、混合して得られたＳｒＴｉＯ3 又はＣａＴｉＯ3 と
を表１に示す割合で秤量し、この誘電体成分に対して、
ＭｇＯ−ＢａＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガラス（成分重
量比ＭｇＯ：ＢａＯ：Ｂ2 Ｏ3 ：ＳｉＯ2 ＝４５：１
５：２５：１５）フリットを１０重量％添加混合し、バ
インダ（５重量％ポリビニルアルコール水溶液）を混合
物に対して２０重量％加えて、直径１５ｍｍ、厚み１．
５ｍｍのペレットに成形し、大気中にて９８０℃で１時
間焼成した。
ｉＯ2 、或いは、ＳｒＣＯ3 又はＣａＣＯ3 とＴｉＯ2
を原料として上記と同様に粉砕、混合、乾燥、仮焼、粉
砕、混合して得られたＳｒＴｉＯ3 又はＣａＴｉＯ3 と
を表１に示す割合で秤量し、この誘電体成分に対して、
ＭｇＯ−ＢａＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 系ガラス（成分重
量比ＭｇＯ：ＢａＯ：Ｂ2 Ｏ3 ：ＳｉＯ2 ＝４５：１
５：２５：１５）フリットを１０重量％添加混合し、バ
インダ（５重量％ポリビニルアルコール水溶液）を混合
物に対して２０重量％加えて、直径１５ｍｍ、厚み１．
５ｍｍのペレットに成形し、大気中にて９８０℃で１時
間焼成した。
【００２３】得られた試料について共振周波数の温度係
数τf 及び誘電率の温度係数τεを測定し、結果を表１
に示した。
数τf 及び誘電率の温度係数τεを測定し、結果を表１
に示した。
【００２４】
【表１】
【００２５】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明の高周波用誘
電体組成物は、Ｑ，εが共に高く、１０００℃以下での
焼成も可能である上に、共振周波数の温度係数τf 及び
誘電率の温度係数τεがいずれも良好な値を示す高特性
高周波用誘電体組成物である。このため、本発明によれ
ば、誘電体共振器、或いは、温度補償用コンデンサ材料
としての高特性多層デバイスを構成することにより、高
周波回路に使用される素子の小型・高信頼化を有効に達
成することができる。
電体組成物は、Ｑ，εが共に高く、１０００℃以下での
焼成も可能である上に、共振周波数の温度係数τf 及び
誘電率の温度係数τεがいずれも良好な値を示す高特性
高周波用誘電体組成物である。このため、本発明によれ
ば、誘電体共振器、或いは、温度補償用コンデンサ材料
としての高特性多層デバイスを構成することにより、高
周波回路に使用される素子の小型・高信頼化を有効に達
成することができる。
Claims (2)
- 【請求項１】 主成分としてのＳｒ（Ｎｉ1/3 Ｎｂ
2/3 ）Ｏ3 と、ＴｉＯ2，ＳｒＴｉＯ3 及びＣａＴｉＯ3
よりなる群から選ばれる１種又は２種以上の副成分と
からなる誘電体成分であって、誘電体成分中のＴｉＯ2
の割合が２５モル％以下、ＳｒＴｉＯ3 の割合が６．５
モル％以下、ＣａＴｉＯ3 の割合が１３．３モル％以下
である誘電体成分に対して、０．１〜５０重量％のガラ
スを添加してなることを特徴とする高周波用誘電体組成
物。 - 【請求項２】 請求項１の組成物において、該ガラスは
ＭｇＯ−ＢａＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 を主成分とし、該
ガラスを前記誘電体成分に対して１〜４０重量％添加し
たことを特徴とする高周波用誘電体組成物。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03064796A JP3225828B2 (ja) | 1996-02-19 | 1996-02-19 | 高周波用誘電体組成物 |
| TW085113434A TW416063B (en) | 1995-11-10 | 1996-11-04 | Dielectric composition for high frequency |
| US08/745,770 US5723396A (en) | 1995-11-10 | 1996-11-08 | Dielectric composition for high frequencies |
| KR1019960053034A KR100434004B1 (ko) | 1995-11-10 | 1996-11-09 | 고주파용 유전체 조성물 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03064796A JP3225828B2 (ja) | 1996-02-19 | 1996-02-19 | 高周波用誘電体組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09227229A true JPH09227229A (ja) | 1997-09-02 |
| JP3225828B2 JP3225828B2 (ja) | 2001-11-05 |
Family
ID=12309611
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03064796A Expired - Fee Related JP3225828B2 (ja) | 1995-11-10 | 1996-02-19 | 高周波用誘電体組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3225828B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112823144A (zh) * | 2018-07-11 | 2021-05-18 | 福禄公司 | 高q ltcc介电组合物和器件 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102657984B1 (ko) * | 2022-03-21 | 2024-04-18 | 에이엠티 주식회사 | 가스공급장비의 폐 가스켓 수거장치 |
-
1996
- 1996-02-19 JP JP03064796A patent/JP3225828B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112823144A (zh) * | 2018-07-11 | 2021-05-18 | 福禄公司 | 高q ltcc介电组合物和器件 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3225828B2 (ja) | 2001-11-05 |
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
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| S531 | Written request for registration of change of domicile |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
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