JPH05198211A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JPH05198211A JPH05198211A JP4007450A JP745092A JPH05198211A JP H05198211 A JPH05198211 A JP H05198211A JP 4007450 A JP4007450 A JP 4007450A JP 745092 A JP745092 A JP 745092A JP H05198211 A JPH05198211 A JP H05198211A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 マイクロ波、ミリ波帯などの高周波領域にお
いて使用される誘電体共振器、及び誘電体フィルター等
に好適な誘電体磁器組成物であって、高い無負荷Ｑと小
さい共振周波数の温度変化率を有し、かつ小さいＱ値の
湿度変化率を同時に満足する高性能、高信頼性の誘電体
磁器を提供する。 【構成】 組成式Ｂａ1-X-Y （Ｍｇ1-Z-V ＣｏZ Ｎ
ｉV ）X ＴａY Ｏn で表わされ特定のｚ＋ｖ、ｘ、ｙの
範囲において特に0.5002≦ｘ＋ｙ≦0.52の範囲にある誘
電体磁器組成物とすることにより、ＢａＯ−ＭｇＯ−Ｔ
ａ2 Ｏ5 系の複合ペロブスカイト型組成物の高い無負荷
Ｑを劣化させることなく、共振周波数の温度変化率を低
減しながら湿度変化に対するＱ値の変化率をも低減す
る。
いて使用される誘電体共振器、及び誘電体フィルター等
に好適な誘電体磁器組成物であって、高い無負荷Ｑと小
さい共振周波数の温度変化率を有し、かつ小さいＱ値の
湿度変化率を同時に満足する高性能、高信頼性の誘電体
磁器を提供する。 【構成】 組成式Ｂａ1-X-Y （Ｍｇ1-Z-V ＣｏZ Ｎ
ｉV ）X ＴａY Ｏn で表わされ特定のｚ＋ｖ、ｘ、ｙの
範囲において特に0.5002≦ｘ＋ｙ≦0.52の範囲にある誘
電体磁器組成物とすることにより、ＢａＯ−ＭｇＯ−Ｔ
ａ2 Ｏ5 系の複合ペロブスカイト型組成物の高い無負荷
Ｑを劣化させることなく、共振周波数の温度変化率を低
減しながら湿度変化に対するＱ値の変化率をも低減す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マイクロ波、ミリ波帯
などの高周波領域において使用される誘電体共振器、及
び誘電体フィルター等に好適な誘電体磁器組成物に関す
る。
などの高周波領域において使用される誘電体共振器、及
び誘電体フィルター等に好適な誘電体磁器組成物に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来から高周波領域において、回路のイ
ンピーダンス整合、誘電体共振器、及びフィルター等に
誘電体が応用されているが、近年通信の高周波化及び高
密度化に対応するため無負荷Ｑが大きく、共振周波数の
温度変化率が小さいという基本特性に加え、性能の安定
化を図るため湿度変化に対するＱ値の変動が小さい誘電
体が求められている。
ンピーダンス整合、誘電体共振器、及びフィルター等に
誘電体が応用されているが、近年通信の高周波化及び高
密度化に対応するため無負荷Ｑが大きく、共振周波数の
温度変化率が小さいという基本特性に加え、性能の安定
化を図るため湿度変化に対するＱ値の変動が小さい誘電
体が求められている。
【０００３】ＢａＯ−ＭｇＯ−Ｔａ2 Ｏ5 系の複合ペロ
ブスカイト型組成物は既存の材料の中で高い無負荷Ｑを
有する材料のひとつとして知られるが、共振周波数の温
度変化率に問題があった。
ブスカイト型組成物は既存の材料の中で高い無負荷Ｑを
有する材料のひとつとして知られるが、共振周波数の温
度変化率に問題があった。
【０００４】これに対し共振周波数の温度変化率の低減
を図った組成として、ＢａＯ−ＭｇＯ−Ｔａ2 Ｏ5 系の
ＭｇＯの一部をＮｉＯで置き換えた組成系（特開昭６０
ー２１６４０７号公報）及び、ＢａＯ−ＭｇＯ−Ｔａ2
Ｏ5 系のＭｇＯの一部をＣｏＯで置き換えた組成系など
が提案されている（特開昭６１ー８８０４号公報）。
を図った組成として、ＢａＯ−ＭｇＯ−Ｔａ2 Ｏ5 系の
ＭｇＯの一部をＮｉＯで置き換えた組成系（特開昭６０
ー２１６４０７号公報）及び、ＢａＯ−ＭｇＯ−Ｔａ2
Ｏ5 系のＭｇＯの一部をＣｏＯで置き換えた組成系など
が提案されている（特開昭６１ー８８０４号公報）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしこれらのＭｇＯ
へのＮｉＯ，ＣｏＯの置換組成系は共振周波数の温度変
化率の低減がはかれる一方で、使用される環境の湿度変
化に応じてＱ値が変動する、すなわち高い湿度域におい
てＱが劣化するという問題点を有していた。
へのＮｉＯ，ＣｏＯの置換組成系は共振周波数の温度変
化率の低減がはかれる一方で、使用される環境の湿度変
化に応じてＱ値が変動する、すなわち高い湿度域におい
てＱが劣化するという問題点を有していた。
【０００６】本発明はかかる従来の問題点を解決するた
め、ＢａＯ−ＭｇＯ−Ｔａ2 Ｏ5 系の複合ペロブスカイ
ト型組成物において、共振周波数の温度変化率を低減し
ながら、湿度変化に対して安定な無負荷Ｑが得られる誘
電体磁器組成物を提供することを目的とする。
め、ＢａＯ−ＭｇＯ−Ｔａ2 Ｏ5 系の複合ペロブスカイ
ト型組成物において、共振周波数の温度変化率を低減し
ながら、湿度変化に対して安定な無負荷Ｑが得られる誘
電体磁器組成物を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明の第１番目の誘電体磁器組成物は、一般式Ｂ
ａ1-X-Y （Ｍｇ1-Z ＣｏZ ）X ＴａY Ｏn で表わされ、
0.01≦ｚ≦0.45の範囲にあるｚに対し0.13≦ｘ≦0.19，
0.31≦ｙ≦0.37かつ0.5002≦ｘ＋ｙ≦0.52の範囲にとい
う構成を備えたものである（ただしｎは任意の数）。
め、本発明の第１番目の誘電体磁器組成物は、一般式Ｂ
ａ1-X-Y （Ｍｇ1-Z ＣｏZ ）X ＴａY Ｏn で表わされ、
0.01≦ｚ≦0.45の範囲にあるｚに対し0.13≦ｘ≦0.19，
0.31≦ｙ≦0.37かつ0.5002≦ｘ＋ｙ≦0.52の範囲にとい
う構成を備えたものである（ただしｎは任意の数）。
【０００８】また本発明の第２番目の誘電体磁器組成物
は、一般式Ｂａ1-X-Y （Ｍｇ1-Z ＮｉZ ）X ＴａY Ｏn
で表わされ、0.01≦ｚ≦0.40の範囲にあるｚに対し 0.1
2 ≦ｘ≦0.18， 0.32 ≦ｙ≦0.38かつ0.5002≦ｘ＋ｙ≦
0.52の範囲にあるという構成を備えたものである（ただ
しｎは任意の数）。
は、一般式Ｂａ1-X-Y （Ｍｇ1-Z ＮｉZ ）X ＴａY Ｏn
で表わされ、0.01≦ｚ≦0.40の範囲にあるｚに対し 0.1
2 ≦ｘ≦0.18， 0.32 ≦ｙ≦0.38かつ0.5002≦ｘ＋ｙ≦
0.52の範囲にあるという構成を備えたものである（ただ
しｎは任意の数）。
【０００９】さらに本発明の第３番目の誘電体磁器組成
物は、一般式Ｂａ1-X-Y （Ｍｇ1-Z- V ＣｏZ ＮｉV ）X
ＴａY Ｏn で表わされ、0.01≦ｚ＋ｖ≦0.40，およびｚ
＞0かつｖ＞0 の範囲にあるｚとｖに対し 0.13 ≦ｘ≦
0.18， 0.32 ≦ｙ≦0.37かつ0.5002≦ｘ＋ｙ≦0.52の範
囲にあるという構成を備えたものである（ただしｎは任
意の数）。
物は、一般式Ｂａ1-X-Y （Ｍｇ1-Z- V ＣｏZ ＮｉV ）X
ＴａY Ｏn で表わされ、0.01≦ｚ＋ｖ≦0.40，およびｚ
＞0かつｖ＞0 の範囲にあるｚとｖに対し 0.13 ≦ｘ≦
0.18， 0.32 ≦ｙ≦0.37かつ0.5002≦ｘ＋ｙ≦0.52の範
囲にあるという構成を備えたものである（ただしｎは任
意の数）。
【００１０】
【作用】前記した本発明の第１〜３番目の誘電体磁器組
成物の構成によれば、組成式Ｂａ1-X-Y （Ｍｇ1-Z-V Ｃ
ｏZ ＮｉV ）X ＴａY Ｏn で表わされる誘電体磁器組成
物で特定のｚ＋ｖ、ｘ，ｙの範囲において特に0.5002≦
ｘ＋ｙ≦0.52の範囲にある誘電体磁器組成物を用いるこ
とにより、共振周波数の温度依存性が小さく、湿度変化
に対して無負荷Ｑ値が安定な誘電体磁器を得ることがで
きる。
成物の構成によれば、組成式Ｂａ1-X-Y （Ｍｇ1-Z-V Ｃ
ｏZ ＮｉV ）X ＴａY Ｏn で表わされる誘電体磁器組成
物で特定のｚ＋ｖ、ｘ，ｙの範囲において特に0.5002≦
ｘ＋ｙ≦0.52の範囲にある誘電体磁器組成物を用いるこ
とにより、共振周波数の温度依存性が小さく、湿度変化
に対して無負荷Ｑ値が安定な誘電体磁器を得ることがで
きる。
【００１１】
実施例１ 出発原料として、化学的に高純度なＢａＣＯ3 ，Ｍｇ
Ｏ，ＣｏＯ，Ｔａ2 Ｏ5 を使用し、表１〜表３に示され
た所定の組成に秤量を行い、これをボールミルを用い湿
式混合処理した。
Ｏ，ＣｏＯ，Ｔａ2 Ｏ5 を使用し、表１〜表３に示され
た所定の組成に秤量を行い、これをボールミルを用い湿
式混合処理した。
【００１２】この混合物を乾燥し、８００℃で２時間仮
焼成を行った後、この仮焼成粉をさらにボールミルで粉
砕し、脱水乾燥後に粘結材としてポリビニルアルコール
を適当量加え、１ｔｏｎ／ｃｍ2 の圧力を加えて、直径
８mm、厚み４mmの円板に成形した。
焼成を行った後、この仮焼成粉をさらにボールミルで粉
砕し、脱水乾燥後に粘結材としてポリビニルアルコール
を適当量加え、１ｔｏｎ／ｃｍ2 の圧力を加えて、直径
８mm、厚み４mmの円板に成形した。
【００１３】この成形体を１５００〜１５５０℃で１２
時間本焼成を行い磁器試料を得た。尚、焼成は高温にお
ける成分の蒸発を考慮して、同一組成の仮焼成粉体で十
分に充填された白金容器中に成形体試料を入れた状態で
行った。
時間本焼成を行い磁器試料を得た。尚、焼成は高温にお
ける成分の蒸発を考慮して、同一組成の仮焼成粉体で十
分に充填された白金容器中に成形体試料を入れた状態で
行った。
【００１４】得られた各磁器試料について、１０ＧＨｚ
の周波数における比誘電率: εr 、無負荷Ｑ値: Ｑ、−
５０℃〜５０℃における共振周波数の温度依存性: τf
(ppm/ ℃) 、及び２５℃、５０％ＲＨにおけるＱ値: Ｑ
0 を基準とした場合の２５℃、９５％ＲＨにおけるＱ値
の変化率：△Ｑ0 ／Ｑ(%) を測定した（表１〜３）。
の周波数における比誘電率: εr 、無負荷Ｑ値: Ｑ、−
５０℃〜５０℃における共振周波数の温度依存性: τf
(ppm/ ℃) 、及び２５℃、５０％ＲＨにおけるＱ値: Ｑ
0 を基準とした場合の２５℃、９５％ＲＨにおけるＱ値
の変化率：△Ｑ0 ／Ｑ(%) を測定した（表１〜３）。
【００１５】
【表１】
【００１６】
【表２】
【００１７】
【表３】
【００１８】表１〜表３から明かなようにｘ＋ｙ＞0.52
の組成ではＱ値が著しく低下し、ｘ＋ｙ＜0.5002の組成
では湿度に対するＱ値の変化率が大きくなるが、0.5002
≦ｘ＋ｙ≦0.52の範囲では高いＱ値を有し、Ｑ値の湿度
に対する変化率も小さかった。ｙ＞0.37の組成ではτf
が極めて大きく、ｘ＞0.19の組成では焼結性が悪いため
に実用的ではなく、またｚ＜0.01ではτf が大きく、ｚ
＞0.45の組成ではＱ値が低下するために同様に実用的で
はなかった。本実施例による組成範囲では、いずれの組
成でもＱ値が7000以上で、共振周波数の温度依存性が8p
pm/ ℃以下、且つ湿度に対するＱ値の負の変化率が１０
％以下と非常に良好かつ安定な電気的特性を有している
ことが確認できた。
の組成ではＱ値が著しく低下し、ｘ＋ｙ＜0.5002の組成
では湿度に対するＱ値の変化率が大きくなるが、0.5002
≦ｘ＋ｙ≦0.52の範囲では高いＱ値を有し、Ｑ値の湿度
に対する変化率も小さかった。ｙ＞0.37の組成ではτf
が極めて大きく、ｘ＞0.19の組成では焼結性が悪いため
に実用的ではなく、またｚ＜0.01ではτf が大きく、ｚ
＞0.45の組成ではＱ値が低下するために同様に実用的で
はなかった。本実施例による組成範囲では、いずれの組
成でもＱ値が7000以上で、共振周波数の温度依存性が8p
pm/ ℃以下、且つ湿度に対するＱ値の負の変化率が１０
％以下と非常に良好かつ安定な電気的特性を有している
ことが確認できた。
【００１９】実施例２ 出発原料として、化学的に高純度なＢａＣＯ3 ，Ｍｇ
Ｏ，ＮｉＯ，Ｔａ2 Ｏ5 を使用し、表４〜表６に示され
た所定の組成に秤量を行い、これをボールミルを用いて
湿式混合処理した。以下実施例１と同様の方法で供試試
料を得た。
Ｏ，ＮｉＯ，Ｔａ2 Ｏ5 を使用し、表４〜表６に示され
た所定の組成に秤量を行い、これをボールミルを用いて
湿式混合処理した。以下実施例１と同様の方法で供試試
料を得た。
【００２０】得られた磁器試料について、各組成毎の周
波数１０ＧＨｚにおける比誘電率:εr 、無負荷Ｑ値:
Ｑ、及び−５０℃〜５０℃における共振周波数の温度依
存性: τf(ppm/℃) 、及び２５℃、５０％ＲＨにおける
Ｑ値: Ｑ0 を基準とした場合の２５℃、９５％ＲＨにお
けるＱ値の変化率：△Ｑ0 ／Ｑ(%) を測定した。この結
果を表４〜表６に示す。
波数１０ＧＨｚにおける比誘電率:εr 、無負荷Ｑ値:
Ｑ、及び−５０℃〜５０℃における共振周波数の温度依
存性: τf(ppm/℃) 、及び２５℃、５０％ＲＨにおける
Ｑ値: Ｑ0 を基準とした場合の２５℃、９５％ＲＨにお
けるＱ値の変化率：△Ｑ0 ／Ｑ(%) を測定した。この結
果を表４〜表６に示す。
【００２１】
【表４】
【００２２】
【表５】
【００２３】
【表６】
【００２４】表４〜表６から明かなようにｘ＋ｙ＞0.52
の組成ではＱ値が著しく低下し、ｘ＋ｙ＜0.5002の組成
では湿度に対するＱ値の変化率が大きくなるが、0.5002
≦ｘ＋ｙ≦0.52の範囲では高いＱ値を有し、Ｑ値の湿度
に対する変化率も小さい。ｙ＞0.38の組成ではτf が極
めて大きく、ｘ＞0.18の組成では焼結性が悪いために実
用的ではなく、またｚ＜0.01ではτf が大きく、ｚ＞0.
40の組成ではＱ値が低下するために同様に実用的ではな
い。本実施例による組成範囲では、いずれの組成でもＱ
値が8000以上で、共振周波数の温度依存性が8ppm/ ℃以
下、且つ湿度に対するＱ値の負の変化率が１０％以下と
非常に良好かつ安定な電気的特性を有していることが確
認できた。
の組成ではＱ値が著しく低下し、ｘ＋ｙ＜0.5002の組成
では湿度に対するＱ値の変化率が大きくなるが、0.5002
≦ｘ＋ｙ≦0.52の範囲では高いＱ値を有し、Ｑ値の湿度
に対する変化率も小さい。ｙ＞0.38の組成ではτf が極
めて大きく、ｘ＞0.18の組成では焼結性が悪いために実
用的ではなく、またｚ＜0.01ではτf が大きく、ｚ＞0.
40の組成ではＱ値が低下するために同様に実用的ではな
い。本実施例による組成範囲では、いずれの組成でもＱ
値が8000以上で、共振周波数の温度依存性が8ppm/ ℃以
下、且つ湿度に対するＱ値の負の変化率が１０％以下と
非常に良好かつ安定な電気的特性を有していることが確
認できた。
【００２５】実施例３ 出発原料として、化学的に高純度なＢａＣＯ3 ，Ｍｇ
Ｏ，ＣｏＯ，ＮｉＯ，Ｔａ2 Ｏ5 を使用し、表７〜表９
に示された所定の組成に秤量を行い、これをボールミル
を用い湿式混合処理した。以下実施例１と同様の方法で
供試試料を得た。
Ｏ，ＣｏＯ，ＮｉＯ，Ｔａ2 Ｏ5 を使用し、表７〜表９
に示された所定の組成に秤量を行い、これをボールミル
を用い湿式混合処理した。以下実施例１と同様の方法で
供試試料を得た。
【００２６】得られた磁器試料について、各組成毎の周
波数１０ＧＨｚにおける比誘電率:εr 、無負荷Ｑ値:
Ｑ、及び−５０℃〜５０℃における共振周波数の温度依
存性: τf (ppm/ ℃) 、及び２５℃、５０％ＲＨにおけ
るＱ値: Ｑ0 を基準とした場合の２５℃、９５％ＲＨに
おけるＱ値の変化率：△Ｑ0 ／Ｑ(%) を測定した（表７
〜表９）。
波数１０ＧＨｚにおける比誘電率:εr 、無負荷Ｑ値:
Ｑ、及び−５０℃〜５０℃における共振周波数の温度依
存性: τf (ppm/ ℃) 、及び２５℃、５０％ＲＨにおけ
るＱ値: Ｑ0 を基準とした場合の２５℃、９５％ＲＨに
おけるＱ値の変化率：△Ｑ0 ／Ｑ(%) を測定した（表７
〜表９）。
【００２７】
【表７】
【００２８】
【表８】
【００２９】
【表９】
【００３０】表７〜表９から明かなように各電気特性、
湿度に対するＱ値の変化率は実施例１及び２と同様の挙
動を示す。またＣｏとＮｉの組成比に応じてＣｏ，Ｎｉ
各単体時の特性の中間的な特性を示す。すなわちＣｏと
Ｎｉの比を調製することにより任意のεr に対して必要
なτf を制御することができる。
湿度に対するＱ値の変化率は実施例１及び２と同様の挙
動を示す。またＣｏとＮｉの組成比に応じてＣｏ，Ｎｉ
各単体時の特性の中間的な特性を示す。すなわちＣｏと
Ｎｉの比を調製することにより任意のεr に対して必要
なτf を制御することができる。
【００３１】誘電体磁器を用いた高周波デバイスでは、
デバイス自体から生じる温度依存性を有する場合もあ
り、この場合デバイスに必要な磁器の誘電率を保ちなが
ら誘電体の温度依存性で全体としての温度依存性を補償
する必要がある。ゆえに任意のεr に対しτf を制御す
ることは、温度依存性のない高周波デバイスを設計する
うえで極めて有用なこととなる。
デバイス自体から生じる温度依存性を有する場合もあ
り、この場合デバイスに必要な磁器の誘電率を保ちなが
ら誘電体の温度依存性で全体としての温度依存性を補償
する必要がある。ゆえに任意のεr に対しτf を制御す
ることは、温度依存性のない高周波デバイスを設計する
うえで極めて有用なこととなる。
【００３２】
【発明の効果】以上説明した通り本発明によれば、組成
式Ｂａ1-X-Y （Ｍｇ1-Z-V ＣｏZ Ｎｉ V ）X ＴａY Ｏn
で表わされる誘電体磁器組成物で特定のｚ＋ｖ、ｘ，ｙ
の範囲において特に0.5002≦ｘ＋ｙ≦0.52の範囲にある
誘電体磁器組成物を用いることにより、高い無負荷Ｑ値
と小さい共振周波数の温度変化率、及び湿度に対するＱ
値の高い安定性を同時に満足する誘電体磁器を得ること
が可能となる。
式Ｂａ1-X-Y （Ｍｇ1-Z-V ＣｏZ Ｎｉ V ）X ＴａY Ｏn
で表わされる誘電体磁器組成物で特定のｚ＋ｖ、ｘ，ｙ
の範囲において特に0.5002≦ｘ＋ｙ≦0.52の範囲にある
誘電体磁器組成物を用いることにより、高い無負荷Ｑ値
と小さい共振周波数の温度変化率、及び湿度に対するＱ
値の高い安定性を同時に満足する誘電体磁器を得ること
が可能となる。
Claims (3)
- 【請求項１】一般式Ｂａ1-X-Y （Ｍｇ1-Z ＣｏZ ）X Ｔ
ａY Ｏn で表わされ、0.01≦ｚ≦0.45の範囲にあるｚに
対し、0.13≦ｘ≦0.19，0.31≦ｙ≦0.37かつ0.5002≦ｘ
＋ｙ≦0.52の範囲にある誘電体磁器組成物（ただしｎは
任意の数）。 - 【請求項２】一般式Ｂａ1-X-Y （Ｍｇ1-Z ＮｉZ ）X Ｔ
ａY Ｏn で表わされ、0.01≦ｚ≦0.40の範囲にあるｚに
対し、 0.12 ≦ｘ≦0.18， 0.32 ≦ｙ≦0.38かつ0.5002
≦ｘ＋ｙ≦0.52の範囲にある誘電体磁器組成物（ただし
ｎは任意の数）。 - 【請求項３】一般式Ｂａ1-X-Y （Ｍｇ1-Z-V ＣｏZ Ｎｉ
V ）X ＴａY Ｏn で表わされ、0.01≦ｚ＋ｖ≦0.40，お
よびｚ＞0 かつｖ＞0 の範囲にあるｚとｖに対し、 0.1
3 ≦ｘ≦0.18， 0.32 ≦ｙ≦0.37かつ0.5002≦ｘ＋ｙ≦
0.52の範囲にある誘電体磁器組成物（ただしｎは任意の
数）。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4007450A JPH05198211A (ja) | 1992-01-20 | 1992-01-20 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4007450A JPH05198211A (ja) | 1992-01-20 | 1992-01-20 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05198211A true JPH05198211A (ja) | 1993-08-06 |
Family
ID=11666174
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4007450A Pending JPH05198211A (ja) | 1992-01-20 | 1992-01-20 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05198211A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5171888A (en) * | 1989-05-16 | 1992-12-15 | Betz Laboratories, Inc. | Methods and compositions for inhibiting (meth)acrylic acid polymerization |
-
1992
- 1992-01-20 JP JP4007450A patent/JPH05198211A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5171888A (en) * | 1989-05-16 | 1992-12-15 | Betz Laboratories, Inc. | Methods and compositions for inhibiting (meth)acrylic acid polymerization |
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