JP2002326868A - 誘電体磁器組成物及びそれを用いた磁器コンデンサ並びにそれらの製造方法 - Google Patents
誘電体磁器組成物及びそれを用いた磁器コンデンサ並びにそれらの製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高周波数帯域においても比誘電率が高く、誘
電損出が小さく、安定した特性を有する磁器組成物とそ
れを用いた磁器コンデンサを提供する。 【解決手段】 誘電体磁器組成物として、ＢａＯ−ｙＳ
ｍ2Ｏ3−ｚＴｉＯ2 （ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０．０
５≦ｘ≦０．３０、０．０５≦ｙ≦０．２０、０．６５
≦ｚ≦０．７５）からなる主組成物に、副成分としてＰ
ｂＯを０．１〜１０ｗｔ％とＢｉ2Ｏ3を０．０５〜１５
ｗｔ％及びガラス組成物を０．５〜２０重量％添加した
ものを採用する。誘電体磁器組成物には、さらにＹ2Ｏ3
等の希土類元素酸化物を微量添加しても良い。本発明の
誘電体磁器組成物は、８５０〜１０５０℃と従来よりも
低温で焼結することにより得られる。
電損出が小さく、安定した特性を有する磁器組成物とそ
れを用いた磁器コンデンサを提供する。 【解決手段】 誘電体磁器組成物として、ＢａＯ−ｙＳ
ｍ2Ｏ3−ｚＴｉＯ2 （ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０．０
５≦ｘ≦０．３０、０．０５≦ｙ≦０．２０、０．６５
≦ｚ≦０．７５）からなる主組成物に、副成分としてＰ
ｂＯを０．１〜１０ｗｔ％とＢｉ2Ｏ3を０．０５〜１５
ｗｔ％及びガラス組成物を０．５〜２０重量％添加した
ものを採用する。誘電体磁器組成物には、さらにＹ2Ｏ3
等の希土類元素酸化物を微量添加しても良い。本発明の
誘電体磁器組成物は、８５０〜１０５０℃と従来よりも
低温で焼結することにより得られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、誘電体磁器組成物
とそれを用いた磁器コンデンサ及びそれらの製造方法に
関し、特に、マイクロ波領域においても高い比誘電率を
有し、誘電損失が小さく、しかも絶縁抵抗が高く、安定
した特性を有した誘電体磁器組成物とそれを用いた磁器
コンデンサに関し、さらに低温での焼成を実現すること
で、電極材料に卑金属を用いることを可能とし、もって
製造コストを大幅に低下させることを可能とする、誘電
体磁器組成物と磁器コンデンサの製造方法に関するもの
である。
とそれを用いた磁器コンデンサ及びそれらの製造方法に
関し、特に、マイクロ波領域においても高い比誘電率を
有し、誘電損失が小さく、しかも絶縁抵抗が高く、安定
した特性を有した誘電体磁器組成物とそれを用いた磁器
コンデンサに関し、さらに低温での焼成を実現すること
で、電極材料に卑金属を用いることを可能とし、もって
製造コストを大幅に低下させることを可能とする、誘電
体磁器組成物と磁器コンデンサの製造方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】近年、例えば携帯電話、自動車電話、パ
ーソナル無線機等の移動体通信や、衛星放送受信機など
のように、ミリ波やマイクロ波等の高周波領域において
利用される電子機器が急速に進歩している。これら高周
波領域で使用される電子機器に搭載されるコンデンサ、
フィルターあるいは共振器等のデバイスにおいては、高
周波特性の一層の向上が要求されている。高周波領域で
使用されるデバイスに求められる高周波特性とは、比誘
電率が大きいこと、Ｑ値が大きいこと、誘電率の温度変
化が小さいこと、さらに低温焼結が可能であること等で
ある。
ーソナル無線機等の移動体通信や、衛星放送受信機など
のように、ミリ波やマイクロ波等の高周波領域において
利用される電子機器が急速に進歩している。これら高周
波領域で使用される電子機器に搭載されるコンデンサ、
フィルターあるいは共振器等のデバイスにおいては、高
周波特性の一層の向上が要求されている。高周波領域で
使用されるデバイスに求められる高周波特性とは、比誘
電率が大きいこと、Ｑ値が大きいこと、誘電率の温度変
化が小さいこと、さらに低温焼結が可能であること等で
ある。
【０００３】例えば高周波領域で使用する共振器の場
合、誘電体中において波長が誘電率の平方根の逆数に比
例して短縮されることを利用する場合が多く、比誘電率
が大きいと共振器の長さは誘電率の平方根の逆数に比例
して短くすることができるからである。また、高周波誘
電材料では周波数による位相遅れ（δ）に起因する誘電
エネルギー損失の評価基準として、Ｑ＝１／ｔａｎδで
定義される品質係数（Ｑ）を使用している。このＱ値が
大きいということは、誘電損失が小さいことを意味して
いる。さらに、コンデンサ、フィルターあるいは共振器
等のデバイスにおいては共振周波数の温度変化を極力少
なくするため、誘電率の温度変化も極力小さいこと（す
なわち、温度係数（ＴＣ）が小さいこと）が望まれる。
また、電子デバイスの小型化を実現するために、内部に
胴体電極を内蔵した表面実証型のデバイスが主流となり
つつあるが、その場合デバイスの特性損失を抑制するた
めに、導体電極としてはＡｇもしくはＣｕを用いること
が好ましい。しかし、ＡｇやＣｕは融点が低く、誘電体
磁器を製造する際の１２００〜１４００℃の高温焼結に
耐えられない難点がある。従って１０００℃以下のより
低温で焼結可能となることが、電極構成の点からもある
いはエネルギーコストの観点からも望まれる。
合、誘電体中において波長が誘電率の平方根の逆数に比
例して短縮されることを利用する場合が多く、比誘電率
が大きいと共振器の長さは誘電率の平方根の逆数に比例
して短くすることができるからである。また、高周波誘
電材料では周波数による位相遅れ（δ）に起因する誘電
エネルギー損失の評価基準として、Ｑ＝１／ｔａｎδで
定義される品質係数（Ｑ）を使用している。このＱ値が
大きいということは、誘電損失が小さいことを意味して
いる。さらに、コンデンサ、フィルターあるいは共振器
等のデバイスにおいては共振周波数の温度変化を極力少
なくするため、誘電率の温度変化も極力小さいこと（す
なわち、温度係数（ＴＣ）が小さいこと）が望まれる。
また、電子デバイスの小型化を実現するために、内部に
胴体電極を内蔵した表面実証型のデバイスが主流となり
つつあるが、その場合デバイスの特性損失を抑制するた
めに、導体電極としてはＡｇもしくはＣｕを用いること
が好ましい。しかし、ＡｇやＣｕは融点が低く、誘電体
磁器を製造する際の１２００〜１４００℃の高温焼結に
耐えられない難点がある。従って１０００℃以下のより
低温で焼結可能となることが、電極構成の点からもある
いはエネルギーコストの観点からも望まれる。
【０００４】従来、小型かつ大容量のコンデンサとし
て、セラミックスの誘電特性を利用した磁器コンデンサ
（セラミックコンデンサ）が知られている。この磁器コ
ンデンサは、ルチル型のＴｉＯ2、ペロブスカイト型の
ＢａＴｉＯ3、ＭｇＴｉＯ3 、ＣａＴｉＯ3、ＳｒＴｉＯ
3等の誘電体材料の単体、もしくはこれらを組み合わせ
ることにより、所望の特性を有するコンデンサを得てい
る。また、前述の高周波領域で使用されるデバイスに要
求される比誘電率が大きいこと、Ｑ値が大きいこと及び
誘電率の温度変化が小さいこと等の品質特性を具備した
磁器コンデンサとしては、ＢａＯ−Ｓｍ2Ｏ3−ＴｉＯ2
−ＰｂＯ系（特公昭５６−２６３２１号公報参照）やＢ
ａＯ−Ｓｍ2Ｏ3−ＴｉＯ2 −Ｂｉ2Ｏ3系（特公昭５９−
５１０９１号公報参照）等が知られている。さらに、低
温焼結性を改善したものとしてはＢａＯ−Ｓｍ2Ｏ3−Ｔ
ｉＯ2 −ＣｕＯ−ＺｎＯ系（特開２０００−２６４７１
号公報参照）やＢａＯ−Ｓｍ2Ｏ3−Ｓｍ2Ｏ3−ＰｒＯ2
−ＴｉＯ2系（特開２０００−２９００６８号公報参
照）等が知られている。
て、セラミックスの誘電特性を利用した磁器コンデンサ
（セラミックコンデンサ）が知られている。この磁器コ
ンデンサは、ルチル型のＴｉＯ2、ペロブスカイト型の
ＢａＴｉＯ3、ＭｇＴｉＯ3 、ＣａＴｉＯ3、ＳｒＴｉＯ
3等の誘電体材料の単体、もしくはこれらを組み合わせ
ることにより、所望の特性を有するコンデンサを得てい
る。また、前述の高周波領域で使用されるデバイスに要
求される比誘電率が大きいこと、Ｑ値が大きいこと及び
誘電率の温度変化が小さいこと等の品質特性を具備した
磁器コンデンサとしては、ＢａＯ−Ｓｍ2Ｏ3−ＴｉＯ2
−ＰｂＯ系（特公昭５６−２６３２１号公報参照）やＢ
ａＯ−Ｓｍ2Ｏ3−ＴｉＯ2 −Ｂｉ2Ｏ3系（特公昭５９−
５１０９１号公報参照）等が知られている。さらに、低
温焼結性を改善したものとしてはＢａＯ−Ｓｍ2Ｏ3−Ｔ
ｉＯ2 −ＣｕＯ−ＺｎＯ系（特開２０００−２６４７１
号公報参照）やＢａＯ−Ｓｍ2Ｏ3−Ｓｍ2Ｏ3−ＰｒＯ2
−ＴｉＯ2系（特開２０００−２９００６８号公報参
照）等が知られている。
【０００５】磁器コンデンサは、単層型と積層型に分類
される。単層磁器コンデンサは、上述した材料の粉末を
加圧成形して、例えば、ペレット（円板状）、ロッド
（円筒状）、チップ（角型状）等の成形体とし、この成
形体を大気中で１２００〜１４００℃の温度で焼成して
焼結体とし、この焼結体の表裏両面に電極を形成するこ
とにより得ることができる。
される。単層磁器コンデンサは、上述した材料の粉末を
加圧成形して、例えば、ペレット（円板状）、ロッド
（円筒状）、チップ（角型状）等の成形体とし、この成
形体を大気中で１２００〜１４００℃の温度で焼成して
焼結体とし、この焼結体の表裏両面に電極を形成するこ
とにより得ることができる。
【０００６】また、積層磁器コンデンサは、上述した材
料の粉末と有機バインダー及び有機溶剤を混練してスラ
リーとし、このスラリーをドクターブレード法によりシ
ート状に成形した後脱脂してグリーンシートとし、この
グリーンシート上にＰｔやＰｄ等の貴金属からなる電極
を印刷した後、これらのグリーンシートを厚み方向に重
ね合わせ加圧して積層体とし、この積層体を大気中で１
２００〜１４００℃の温度で焼成することにより得るこ
とができる。
料の粉末と有機バインダー及び有機溶剤を混練してスラ
リーとし、このスラリーをドクターブレード法によりシ
ート状に成形した後脱脂してグリーンシートとし、この
グリーンシート上にＰｔやＰｄ等の貴金属からなる電極
を印刷した後、これらのグリーンシートを厚み方向に重
ね合わせ加圧して積層体とし、この積層体を大気中で１
２００〜１４００℃の温度で焼成することにより得るこ
とができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した従
来の磁器コンデンサにおいては、マイクロ波領域では比
誘電率が低く、誘電損失が大きく、絶縁抵抗が低いとい
った欠点がある。前述のとおり高周波領域で使用される
デバイスでは、電気的特性に優れた緻密な焼結体が要求
される。このような緻密な焼結体を得るためには、１，
２００〜１，４００℃という高温度での焼成が必要にな
り、エネルギーコストが嵩んでコスト高の要因となる。
また、特に積層磁器コンデンサにおいては、電極材料に
卑金属を用いた場合、この卑金属が高温焼成時に酸化さ
れてセラミック層の間に高抵抗層を形成してしまうため
に、高温度でも安定なＰｔやＰｄ等の貴金属材料を用い
る必要があり、コストダウンを阻害するという問題点が
あった。先に挙げた公知の高周波領域用の誘電体磁器組
成物でも、焼結温度はたかだか９２０℃止まりであり、
比誘電率とＱ値が大きく、誘電率の温度変化が小さく、
さらに加えて低温焼結を達成できるという特質を全て兼
ね備えた誘電体磁器組成物は得られていない。
来の磁器コンデンサにおいては、マイクロ波領域では比
誘電率が低く、誘電損失が大きく、絶縁抵抗が低いとい
った欠点がある。前述のとおり高周波領域で使用される
デバイスでは、電気的特性に優れた緻密な焼結体が要求
される。このような緻密な焼結体を得るためには、１，
２００〜１，４００℃という高温度での焼成が必要にな
り、エネルギーコストが嵩んでコスト高の要因となる。
また、特に積層磁器コンデンサにおいては、電極材料に
卑金属を用いた場合、この卑金属が高温焼成時に酸化さ
れてセラミック層の間に高抵抗層を形成してしまうため
に、高温度でも安定なＰｔやＰｄ等の貴金属材料を用い
る必要があり、コストダウンを阻害するという問題点が
あった。先に挙げた公知の高周波領域用の誘電体磁器組
成物でも、焼結温度はたかだか９２０℃止まりであり、
比誘電率とＱ値が大きく、誘電率の温度変化が小さく、
さらに加えて低温焼結を達成できるという特質を全て兼
ね備えた誘電体磁器組成物は得られていない。
【０００８】本発明は、上記の事情に鑑みてなされたも
のであって、マイクロ波領域において使用される小型で
大容量の磁器コンデンサであって、比誘電率が高く、誘
電損失が小さい安定した特性を有し、しかも低温での焼
成を実現することで電極材料に卑金属を用いることがで
き、もって製造コストを大幅に低下させることができる
誘電体磁器組成物とそれを用いた磁器コンデンサ及びそ
れらの製造方法を提供することを目的とする。
のであって、マイクロ波領域において使用される小型で
大容量の磁器コンデンサであって、比誘電率が高く、誘
電損失が小さい安定した特性を有し、しかも低温での焼
成を実現することで電極材料に卑金属を用いることがで
き、もって製造コストを大幅に低下させることができる
誘電体磁器組成物とそれを用いた磁器コンデンサ及びそ
れらの製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の誘電体磁器組成物はｘＢａＯ−ｙＳｍ2Ｏ3
−ｚＴｉＯ2（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０．０５≦ｘ
≦０．３０、０．０５≦ｙ≦０．２０、０．６５≦ｚ≦
０．７５）からなる主組成物に、副成分としてＰｂＯを
０．１〜１５ｗｔ％とＢｉ2Ｏ3を０．０５〜１０ｗｔ％
及びガラス組成物を０．５〜２０重量％添加してなる誘
電体磁器組成物とした。このような誘電体磁器組成物と
することにより、高い比誘電率、良好な温度特性、高い
品質係数を実現することが可能になり、マイクロ波領域
等の高周波数領域における特性が安定化するとともに、
高周波数領域における信頼性も向上する。また、低温焼
成が可能となるので卑金属の電極材料が使用でき、製造
コストも大幅に節減することが可能となる。
に、本発明の誘電体磁器組成物はｘＢａＯ−ｙＳｍ2Ｏ3
−ｚＴｉＯ2（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０．０５≦ｘ
≦０．３０、０．０５≦ｙ≦０．２０、０．６５≦ｚ≦
０．７５）からなる主組成物に、副成分としてＰｂＯを
０．１〜１５ｗｔ％とＢｉ2Ｏ3を０．０５〜１０ｗｔ％
及びガラス組成物を０．５〜２０重量％添加してなる誘
電体磁器組成物とした。このような誘電体磁器組成物と
することにより、高い比誘電率、良好な温度特性、高い
品質係数を実現することが可能になり、マイクロ波領域
等の高周波数領域における特性が安定化するとともに、
高周波数領域における信頼性も向上する。また、低温焼
成が可能となるので卑金属の電極材料が使用でき、製造
コストも大幅に節減することが可能となる。
【００１０】本発明の誘電体磁器組成物においては、前
記誘電体磁器組成物の主組成物に対して、酸化イットリ
ウム（Ｙ2Ｏ3）、酸化ホロニウム（Ｈｏ2Ｏ3）、酸化ジ
スプロシウム（Ｄｙ2Ｏ3）、酸化イッテルビウム（Ｙｂ
2Ｏ3）又は酸化セリウム（Ｃｅ2Ｏ3）から選ばれた少な
くとも１種以上の希土類元素酸化物を０．００５〜２．
５ｗｔ％添加したものとすることができる。これら微量
の希土類元素酸化物を添加することにより、Ｑ値や比誘
電率の温度係数（ＴＣ）を改善するのに役立つ効果を発
揮する。
記誘電体磁器組成物の主組成物に対して、酸化イットリ
ウム（Ｙ2Ｏ3）、酸化ホロニウム（Ｈｏ2Ｏ3）、酸化ジ
スプロシウム（Ｄｙ2Ｏ3）、酸化イッテルビウム（Ｙｂ
2Ｏ3）又は酸化セリウム（Ｃｅ2Ｏ3）から選ばれた少な
くとも１種以上の希土類元素酸化物を０．００５〜２．
５ｗｔ％添加したものとすることができる。これら微量
の希土類元素酸化物を添加することにより、Ｑ値や比誘
電率の温度係数（ＴＣ）を改善するのに役立つ効果を発
揮する。
【００１１】本発明の誘電体磁器組成物においては、前
記副成分を含む誘電体磁器組成物１００重量部に対し
て、さらに酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）を０．００５
〜２重量部添加してなる誘電体磁器組成物とすることが
できる。Ａｌ2Ｏ3を少量添加することにより、Ｑ特性を
さらに改善することができる。また、本発明の誘電体磁
器組成物においては、前記ガラス組成物として、ＺｎＯ
−ＳｉＯ2 系ガラスまたはＬｉ2Ｏ−Ａｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2
系ガラスのいずれかを使用することができる。これらの
ガラス組成物を使用することのより、焼成温度を１０５
０℃以下８５０℃まで引き下げることが可能となる。
記副成分を含む誘電体磁器組成物１００重量部に対し
て、さらに酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）を０．００５
〜２重量部添加してなる誘電体磁器組成物とすることが
できる。Ａｌ2Ｏ3を少量添加することにより、Ｑ特性を
さらに改善することができる。また、本発明の誘電体磁
器組成物においては、前記ガラス組成物として、ＺｎＯ
−ＳｉＯ2 系ガラスまたはＬｉ2Ｏ−Ａｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2
系ガラスのいずれかを使用することができる。これらの
ガラス組成物を使用することのより、焼成温度を１０５
０℃以下８５０℃まで引き下げることが可能となる。
【００１２】本発明の磁器コンデンサは、上記の本発明
の誘電体磁器組成物からなる焼結体の両面に、端子電極
を形成した磁器コンデンサである。また、本発明の磁器
コンデンサは、上記の本発明の誘電体磁器組成物からな
るシート状に成形した焼結体と電極とを交互に積層した
磁器コンデンサとすることもできる。
の誘電体磁器組成物からなる焼結体の両面に、端子電極
を形成した磁器コンデンサである。また、本発明の磁器
コンデンサは、上記の本発明の誘電体磁器組成物からな
るシート状に成形した焼結体と電極とを交互に積層した
磁器コンデンサとすることもできる。
【００１３】本発明の磁器コンデンサにおいては、前記
電極としてＣｕ、Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏ等の卑金属又は黒鉛等
の炭素系物質を使用することができる。これらの物質を
電極として使用すれば、価格が安く、焼成時に酸化され
て磁器組成物の間に高抵抗層を形成することない。
電極としてＣｕ、Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏ等の卑金属又は黒鉛等
の炭素系物質を使用することができる。これらの物質を
電極として使用すれば、価格が安く、焼成時に酸化され
て磁器組成物の間に高抵抗層を形成することない。
【００１４】本発明の誘電体磁器組成物の製造方法は、
ｘＢａＯ−ｙＳｍ2Ｏ3−ｚＴｉＯ2（ただし、ｘ＋ｙ＋
ｚ＝１、０．０５≦ｘ≦０．３０、０．０５≦ｙ≦０．
２０、０．６５≦ｚ≦０．７５）からなる主組成物に、
副成分としてＰｂＯを０．１〜１０ｗｔ％とＢｉ2Ｏ3を
０．０５〜１５ｗｔ％及びガラス組成物を０．５〜２０
重量％添加し、さらに必要に応じて添加物として０．０
０５〜２．５ｗｔ％のＹ2Ｏ3、Ｈｏ2Ｏ3、Ｄｙ2Ｏ3、Ｙ
ｂ2Ｏ3もしくはＣｅ2Ｏ3のうちからから選ばれた少なく
とも１種以上の希土類元素酸化物、又は０．００５〜２
重量部のＡｌ2Ｏ3 を添加した粉体を加圧成形して、バ
ルク状もしくはシート状の成形体とし、この成形体を８
５０〜１０５０℃の温度で焼成する方法を採用した。本
発明の誘電体磁器組成物の製造方法によれば、電気特性
を損なうことなく焼成温度を従来よりも３５０℃以上引
下げることが可能となる。
ｘＢａＯ−ｙＳｍ2Ｏ3−ｚＴｉＯ2（ただし、ｘ＋ｙ＋
ｚ＝１、０．０５≦ｘ≦０．３０、０．０５≦ｙ≦０．
２０、０．６５≦ｚ≦０．７５）からなる主組成物に、
副成分としてＰｂＯを０．１〜１０ｗｔ％とＢｉ2Ｏ3を
０．０５〜１５ｗｔ％及びガラス組成物を０．５〜２０
重量％添加し、さらに必要に応じて添加物として０．０
０５〜２．５ｗｔ％のＹ2Ｏ3、Ｈｏ2Ｏ3、Ｄｙ2Ｏ3、Ｙ
ｂ2Ｏ3もしくはＣｅ2Ｏ3のうちからから選ばれた少なく
とも１種以上の希土類元素酸化物、又は０．００５〜２
重量部のＡｌ2Ｏ3 を添加した粉体を加圧成形して、バ
ルク状もしくはシート状の成形体とし、この成形体を８
５０〜１０５０℃の温度で焼成する方法を採用した。本
発明の誘電体磁器組成物の製造方法によれば、電気特性
を損なうことなく焼成温度を従来よりも３５０℃以上引
下げることが可能となる。
【００１５】本発明の磁器コンデンサの製造方法は、ｘ
ＢａＯ−ｙＳｍ2Ｏ3−ｚＴｉＯ2（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ
＝１、０．０５≦ｘ≦０．３０、０．０５≦ｙ≦０．２
０、０．６５≦ｚ≦０．７５）からなる主組成物に、副
成分としてＰｂＯを０．１〜１０ｗｔ％とＢｉ2Ｏ3を
０．０５〜１５ｗｔ％及びガラス組成物を０．５〜２０
重量％添加し、さらに必要に応じて添加物として０．０
０５〜２．５ｗｔ％のＹ2Ｏ3、Ｈｏ2Ｏ3、Ｄｙ2Ｏ3、Ｙ
ｂ2Ｏ3もしくはＣｅ2Ｏ3のうちからから選ばれた少なく
とも１種以上の希土類元素酸化物、又は０．００５〜２
重量部のＡｌ2Ｏ3を添加した粉体をバルク状に加圧成形
した後、該バルク状の成形体の一対の主面に電極を形成
し、次いで、この成形体を８５０〜１０５０℃の温度で
焼成することを特徴とする磁器コンデンサの製造方法と
した。本発明の磁器コンデンサの製造方法によれば、電
気特性を損なうことなく焼成温度を３５０℃以上引下げ
ることが可能となる。
ＢａＯ−ｙＳｍ2Ｏ3−ｚＴｉＯ2（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ
＝１、０．０５≦ｘ≦０．３０、０．０５≦ｙ≦０．２
０、０．６５≦ｚ≦０．７５）からなる主組成物に、副
成分としてＰｂＯを０．１〜１０ｗｔ％とＢｉ2Ｏ3を
０．０５〜１５ｗｔ％及びガラス組成物を０．５〜２０
重量％添加し、さらに必要に応じて添加物として０．０
０５〜２．５ｗｔ％のＹ2Ｏ3、Ｈｏ2Ｏ3、Ｄｙ2Ｏ3、Ｙ
ｂ2Ｏ3もしくはＣｅ2Ｏ3のうちからから選ばれた少なく
とも１種以上の希土類元素酸化物、又は０．００５〜２
重量部のＡｌ2Ｏ3を添加した粉体をバルク状に加圧成形
した後、該バルク状の成形体の一対の主面に電極を形成
し、次いで、この成形体を８５０〜１０５０℃の温度で
焼成することを特徴とする磁器コンデンサの製造方法と
した。本発明の磁器コンデンサの製造方法によれば、電
気特性を損なうことなく焼成温度を３５０℃以上引下げ
ることが可能となる。
【００１６】本発明の磁器コンデンサの他の製造方法
は、ｘＢａＯ−ｙＳｍ2Ｏ3−ｚＴｉＯ 2 （ただし、ｘ＋
ｙ＋ｚ＝１、０．０５≦ｘ≦０．３０、０．０５≦ｙ≦
０．２０、０．６５≦ｚ≦０．７５）からなる主組成物
に、副成分としてＰｂＯを０．１〜１０ｗｔ％とＢｉ2
Ｏ3を０．０５〜１５ｗｔ％及びガラス組成物を０．５
〜２０重量％添加しさらに必要に応じて添加物として
０．００５〜２．５ｗｔ％のＹ2Ｏ3、Ｈｏ2Ｏ3、Ｄｙ2
Ｏ3、Ｙｂ2Ｏ3もしくはＣｅ2Ｏ3のうちからから選ばれ
た少なくとも１種以上の希土類元素酸化物、又は０．０
０５〜２重量部のＡｌ2Ｏ3 を添加した粉体をシート状
に加圧成形した後、該シート状の成形体の一主面に電極
を形成し、次いで、この成形体を複数枚厚み方向に重ね
合わせ加圧して積層体とし、この積層体を８５０〜１０
５０℃の温度で焼成することを特徴とする磁器コンデン
サの製造方法とした。この磁器コンデンサの製造方法に
よれば、電気特性を損なうことなく焼成温度を３５０℃
以上引下げて、積層型の磁器コンデンサを得ることが可
能となる。
は、ｘＢａＯ−ｙＳｍ2Ｏ3−ｚＴｉＯ 2 （ただし、ｘ＋
ｙ＋ｚ＝１、０．０５≦ｘ≦０．３０、０．０５≦ｙ≦
０．２０、０．６５≦ｚ≦０．７５）からなる主組成物
に、副成分としてＰｂＯを０．１〜１０ｗｔ％とＢｉ2
Ｏ3を０．０５〜１５ｗｔ％及びガラス組成物を０．５
〜２０重量％添加しさらに必要に応じて添加物として
０．００５〜２．５ｗｔ％のＹ2Ｏ3、Ｈｏ2Ｏ3、Ｄｙ2
Ｏ3、Ｙｂ2Ｏ3もしくはＣｅ2Ｏ3のうちからから選ばれ
た少なくとも１種以上の希土類元素酸化物、又は０．０
０５〜２重量部のＡｌ2Ｏ3 を添加した粉体をシート状
に加圧成形した後、該シート状の成形体の一主面に電極
を形成し、次いで、この成形体を複数枚厚み方向に重ね
合わせ加圧して積層体とし、この積層体を８５０〜１０
５０℃の温度で焼成することを特徴とする磁器コンデン
サの製造方法とした。この磁器コンデンサの製造方法に
よれば、電気特性を損なうことなく焼成温度を３５０℃
以上引下げて、積層型の磁器コンデンサを得ることが可
能となる。
【００１７】
【発明の実施の形態】先ず、本発明の誘電体磁器組成物
の組成限定理由について説明する。本発明の誘電体磁器
組成物は、主組成物として酸化バリウム（ＢａＯ）、酸
化サマリウム（Ｓｍ2Ｏ3）及び酸化チタニウム（ＴｉＯ
2 ）の３成分で構成する。ＢａＯ、Ｓｍ2Ｏ3及びＴｉＯ
2 各成分のモル分率ｘ,ｙ,ｚはそれぞれ０．０５≦ｘ≦
０．３０、０．０５≦ｙ≦０．２０、０．６５≦ｚ≦
０．７５（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）とする。ＢａＯが
５ｍｏｌ％以下では比誘電率及びＱ値の低下を招く。ま
た、ＢａＯが３０ｍｏｌ％以上では比誘電率が大きくな
るものの、比誘電率の温度係数（ＴＣ）の増大とＱ値の
低下を招く。Ｓｍ2Ｏ3が５ｍｏｌ％以下では比誘電率が
増加するが、比誘電率の温度係数（ＴＣ）が増大し、Ｑ
値の低下を招く。また、Ｓｍ2Ｏ3が２０ｍｏｌ％以上で
は比誘電率が低下し、製造する際の低温焼結が困難にな
る。ＴｉＯ2 が６５ｍｏｌ％以下では比誘電率の温度係
数（ＴＣ）が増大し、Ｑ値の低下を招く。また、ＴｉＯ
2 が７５ｍｏｌ％以上では、製造する際の低温焼結が困
難になる。従って主組成物の適正なモル分率範囲は、上
記のように定める。
の組成限定理由について説明する。本発明の誘電体磁器
組成物は、主組成物として酸化バリウム（ＢａＯ）、酸
化サマリウム（Ｓｍ2Ｏ3）及び酸化チタニウム（ＴｉＯ
2 ）の３成分で構成する。ＢａＯ、Ｓｍ2Ｏ3及びＴｉＯ
2 各成分のモル分率ｘ,ｙ,ｚはそれぞれ０．０５≦ｘ≦
０．３０、０．０５≦ｙ≦０．２０、０．６５≦ｚ≦
０．７５（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）とする。ＢａＯが
５ｍｏｌ％以下では比誘電率及びＱ値の低下を招く。ま
た、ＢａＯが３０ｍｏｌ％以上では比誘電率が大きくな
るものの、比誘電率の温度係数（ＴＣ）の増大とＱ値の
低下を招く。Ｓｍ2Ｏ3が５ｍｏｌ％以下では比誘電率が
増加するが、比誘電率の温度係数（ＴＣ）が増大し、Ｑ
値の低下を招く。また、Ｓｍ2Ｏ3が２０ｍｏｌ％以上で
は比誘電率が低下し、製造する際の低温焼結が困難にな
る。ＴｉＯ2 が６５ｍｏｌ％以下では比誘電率の温度係
数（ＴＣ）が増大し、Ｑ値の低下を招く。また、ＴｉＯ
2 が７５ｍｏｌ％以上では、製造する際の低温焼結が困
難になる。従って主組成物の適正なモル分率範囲は、上
記のように定める。
【００１８】本発明の誘電体磁器組成物は、上記の主組
成物に加え、副成分として酸化鉛（ＰｂＯ）を主成分に
対して０．１〜１０ｗｔ％、酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3）
を主成分に対して０．０５〜１５ｗｔ％及びガラス組成
物を主成分に対して０．５〜２０ｗｔ％含んだものとす
る。これらの副成分は、いずれも焼結助剤として作用す
るものであり、これらの副成分を適正範囲含有すること
により、焼成温度を従来の１，２００〜１，４００℃の
高温から、８５０〜１０５０℃といった低温で焼成する
ことが可能となる。ＰｂＯは、０．１ｗｔ％以下では低
温焼結性の効果が得られず、Ｑ値の低下を招く。また、
１０ｗｔ％以上ではＱ値の低下、絶縁抵抗の低下及び誘
電率の温度係数の増大を引き起こす。Ｂｉ2Ｏ3は、０．
０５ｗｔ％以下では低温焼結性の効果が得られず、Ｑ値
の低下を招く。また、１５ｗｔ％以上ではＱ値の低下及
び絶縁抵抗の低下を引き起こす。
成物に加え、副成分として酸化鉛（ＰｂＯ）を主成分に
対して０．１〜１０ｗｔ％、酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3）
を主成分に対して０．０５〜１５ｗｔ％及びガラス組成
物を主成分に対して０．５〜２０ｗｔ％含んだものとす
る。これらの副成分は、いずれも焼結助剤として作用す
るものであり、これらの副成分を適正範囲含有すること
により、焼成温度を従来の１，２００〜１，４００℃の
高温から、８５０〜１０５０℃といった低温で焼成する
ことが可能となる。ＰｂＯは、０．１ｗｔ％以下では低
温焼結性の効果が得られず、Ｑ値の低下を招く。また、
１０ｗｔ％以上ではＱ値の低下、絶縁抵抗の低下及び誘
電率の温度係数の増大を引き起こす。Ｂｉ2Ｏ3は、０．
０５ｗｔ％以下では低温焼結性の効果が得られず、Ｑ値
の低下を招く。また、１５ｗｔ％以上ではＱ値の低下及
び絶縁抵抗の低下を引き起こす。
【００１９】また、本発明の誘電体磁器組成物におい
て、前記ガラス組成物としては、添加しても特性に悪影
響を及ぼすことが無く、主組成物の成分とのぬれ性が良
く、しかも８５０〜１０５０℃の温度で軟化および／ま
たは溶融するガラスが好ましく、例えば、Ｂｉ2Ｏ3−Ｓ
ｉＯ2 系ガラスまたはＬｉ2Ｏ−Ａｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガ
ラス等を使用する。ガラス組成物は低温焼結性を促進さ
せる効果があり、焼結助剤として添加するものである。
その添加量は０．５〜２０ｗｔ％が適する。その理由
は、添加量が０．５ｗｔ％以下では低温焼結性を促進さ
せる効果がなく、２０ｗｔ％以上ではＱ値の低下及び絶
縁抵抗の低下を引き起こすからである。従って、副成分
の成分範囲は上記の通りに設定した。
て、前記ガラス組成物としては、添加しても特性に悪影
響を及ぼすことが無く、主組成物の成分とのぬれ性が良
く、しかも８５０〜１０５０℃の温度で軟化および／ま
たは溶融するガラスが好ましく、例えば、Ｂｉ2Ｏ3−Ｓ
ｉＯ2 系ガラスまたはＬｉ2Ｏ−Ａｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガ
ラス等を使用する。ガラス組成物は低温焼結性を促進さ
せる効果があり、焼結助剤として添加するものである。
その添加量は０．５〜２０ｗｔ％が適する。その理由
は、添加量が０．５ｗｔ％以下では低温焼結性を促進さ
せる効果がなく、２０ｗｔ％以上ではＱ値の低下及び絶
縁抵抗の低下を引き起こすからである。従って、副成分
の成分範囲は上記の通りに設定した。
【００２０】本発明の誘電体磁器組成物においては、前
記誘電体磁器組成物の主組成物に対して、第１の添加物
として酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3）、酸化ホロニウム
（Ｈｏ 2Ｏ3）、酸化ジスプロシウム（Ｄｙ2Ｏ3）、酸化
イッテルビウム（Ｙｂ2Ｏ3）又は酸化セリウム（ Ｃｅ2
Ｏ3 ）から選ばれた少なくとも１種以上の希土類元素酸
化物を０．００５〜２．５ｗｔの範囲で％加えることが
できる。これらの希土類元素酸化物を微量添加すること
により、Ｑ値や比誘電率の温度係数（ＴＣ）を改善する
のに役立つ効果を発揮する。希土類元素酸化物を添加す
ることによりＱ値を大きくすることができるが、添加量
が０．００５ｗｔ％以下では効果が認められず、２．５
ｗｔ％以上では低温焼結性が阻害されるようになる。
記誘電体磁器組成物の主組成物に対して、第１の添加物
として酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3）、酸化ホロニウム
（Ｈｏ 2Ｏ3）、酸化ジスプロシウム（Ｄｙ2Ｏ3）、酸化
イッテルビウム（Ｙｂ2Ｏ3）又は酸化セリウム（ Ｃｅ2
Ｏ3 ）から選ばれた少なくとも１種以上の希土類元素酸
化物を０．００５〜２．５ｗｔの範囲で％加えることが
できる。これらの希土類元素酸化物を微量添加すること
により、Ｑ値や比誘電率の温度係数（ＴＣ）を改善する
のに役立つ効果を発揮する。希土類元素酸化物を添加す
ることによりＱ値を大きくすることができるが、添加量
が０．００５ｗｔ％以下では効果が認められず、２．５
ｗｔ％以上では低温焼結性が阻害されるようになる。
【００２１】本発明の誘電体磁器組成物は、上記の第１
の添加物に加え、第２の添加物としてさらに酸化アルミ
ニウム（Ａｌ2Ｏ3）を添加したものであってもよい。Ａ
ｌ2Ｏ3を微量添加することにより、品質係数（Ｑ値）を
大きくすることができる。Ａｌ2Ｏ3の適正な添加量は、
上記主組成物及び副組成物からなる誘電体磁器組成物１
００重量部に対して０．００５〜２重量部である。ある
いはまた上記第１の添加物を含む場合には、主組成物、
副組成物及び第１の添加物からなる誘電体磁器組成物１
００重量部に対して０．００５〜２重量部である。Ａｌ
2Ｏ3の添加量は、０．００５重量部以下では効果を発揮
させることはできず、２重量部以上ではかえってＱ値を
低下させるからである。従って、Ａｌ2Ｏ3の適正な添加
量は、０．００５〜２重量部とする。
の添加物に加え、第２の添加物としてさらに酸化アルミ
ニウム（Ａｌ2Ｏ3）を添加したものであってもよい。Ａ
ｌ2Ｏ3を微量添加することにより、品質係数（Ｑ値）を
大きくすることができる。Ａｌ2Ｏ3の適正な添加量は、
上記主組成物及び副組成物からなる誘電体磁器組成物１
００重量部に対して０．００５〜２重量部である。ある
いはまた上記第１の添加物を含む場合には、主組成物、
副組成物及び第１の添加物からなる誘電体磁器組成物１
００重量部に対して０．００５〜２重量部である。Ａｌ
2Ｏ3の添加量は、０．００５重量部以下では効果を発揮
させることはできず、２重量部以上ではかえってＱ値を
低下させるからである。従って、Ａｌ2Ｏ3の適正な添加
量は、０．００５〜２重量部とする。
【００２２】本発明の誘電体磁器組成物を得るには、上
記主成分組成となるようにそれぞれの成分を所定量秤量
し、所定量の水、エタノールもしくはアセトンなどの有
機溶媒からなる分散媒とともにボールミルに収容し、所
定時間、例えば４〜２４時間混合・粉砕し、その後脱水
もしくは脱有機溶媒したのち乾燥する。次いで、この乾
燥粉末を１０００〜１４００℃の温度で１〜２４時間仮
焼成を行い、ライカイ機もしくは自動乳鉢を用いて１〜
２４時間粉砕し、所定の粒度の仮焼粉とする。次いで、
この主成分の仮焼粉に、所定量の副成分及び必要により
添加物を加え、水等の分散媒を加えてライカイ機等を用
いて均一に混合・粉砕し、平均粒径が１μｍ以下の微粉
末とする。その後、この微粉末を脱水乾燥し、再度６０
０〜８００℃の温度で１〜１５時間仮焼する。その後、
平均粒径が０．８μｍ以下になるまで微粉砕する。次
に、得られた仮焼微粉末に適量の有機バインダー等を加
えて均一に混合した後、例えば直径２０ｍｍ、厚さ２ｍ
ｍ程度のペレット状あるいはロッド状もしくはチップ状
に加圧成形し、大気中で８５０〜１０５０℃の温度で１
〜２４時間焼成して誘電体磁器組成物を得る。有機バイ
ンダーとしては、ＰＶＡ（ polyvinyl alcohol）水溶液
の他、エチルセルロース水溶液、アクリル樹脂水溶液
（アクリルバインダー）等を用いることができる。
記主成分組成となるようにそれぞれの成分を所定量秤量
し、所定量の水、エタノールもしくはアセトンなどの有
機溶媒からなる分散媒とともにボールミルに収容し、所
定時間、例えば４〜２４時間混合・粉砕し、その後脱水
もしくは脱有機溶媒したのち乾燥する。次いで、この乾
燥粉末を１０００〜１４００℃の温度で１〜２４時間仮
焼成を行い、ライカイ機もしくは自動乳鉢を用いて１〜
２４時間粉砕し、所定の粒度の仮焼粉とする。次いで、
この主成分の仮焼粉に、所定量の副成分及び必要により
添加物を加え、水等の分散媒を加えてライカイ機等を用
いて均一に混合・粉砕し、平均粒径が１μｍ以下の微粉
末とする。その後、この微粉末を脱水乾燥し、再度６０
０〜８００℃の温度で１〜１５時間仮焼する。その後、
平均粒径が０．８μｍ以下になるまで微粉砕する。次
に、得られた仮焼微粉末に適量の有機バインダー等を加
えて均一に混合した後、例えば直径２０ｍｍ、厚さ２ｍ
ｍ程度のペレット状あるいはロッド状もしくはチップ状
に加圧成形し、大気中で８５０〜１０５０℃の温度で１
〜２４時間焼成して誘電体磁器組成物を得る。有機バイ
ンダーとしては、ＰＶＡ（ polyvinyl alcohol）水溶液
の他、エチルセルロース水溶液、アクリル樹脂水溶液
（アクリルバインダー）等を用いることができる。
【００２３】本発明の誘電体磁器組成物は、８５０〜１
０５０℃と従来よりも低い温度で焼成して得られる特徴
がある。上記のようにして得られた誘電体磁器組成物
は、マイクロ波領域において高い比誘電率を有し、誘電
損失が低くしかも高い絶縁抵抗を有しているので、マイ
クロ波領域用のコンデンサをはじめとするデバイス用と
して極めて有用である。
０５０℃と従来よりも低い温度で焼成して得られる特徴
がある。上記のようにして得られた誘電体磁器組成物
は、マイクロ波領域において高い比誘電率を有し、誘電
損失が低くしかも高い絶縁抵抗を有しているので、マイ
クロ波領域用のコンデンサをはじめとするデバイス用と
して極めて有用である。
【００２４】次に、本発明の磁器コンデンサについて説
明する。本発明の磁器コンデンサは、上述の本発明にな
る誘電体磁器組成物を用いることにより、マイクロ波の
ような高周波数帯域においても比誘電率が高く、誘電損
出が小さく、しかも比誘電率の温度係数が小さな安定し
た特性を有する磁器コンデンサである。また、前記誘電
体磁器組成物を用いるため、８５０〜１０５０℃の従来
よりも低温で焼成することが可能になり、内部電極に安
価な卑金属または炭素系物質を用いることが可能となる
とともに、製造コストを低減することができる。
明する。本発明の磁器コンデンサは、上述の本発明にな
る誘電体磁器組成物を用いることにより、マイクロ波の
ような高周波数帯域においても比誘電率が高く、誘電損
出が小さく、しかも比誘電率の温度係数が小さな安定し
た特性を有する磁器コンデンサである。また、前記誘電
体磁器組成物を用いるため、８５０〜１０５０℃の従来
よりも低温で焼成することが可能になり、内部電極に安
価な卑金属または炭素系物質を用いることが可能となる
とともに、製造コストを低減することができる。
【００２５】前記卑金属としては、導体としての特性を
有し、しかも信頼性の高い金属、例えば、銅（Ｃｕ）、
ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン
（Ｍｏ）等の金属から選択された１種、または２種以上
を含む金属又は合金が好ましい。また、炭素系物質とし
ては、カーボン（無定形炭素）、グラファイト（石墨、
黒鉛）、またはこれらの混合物が好適である。
有し、しかも信頼性の高い金属、例えば、銅（Ｃｕ）、
ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン
（Ｍｏ）等の金属から選択された１種、または２種以上
を含む金属又は合金が好ましい。また、炭素系物質とし
ては、カーボン（無定形炭素）、グラファイト（石墨、
黒鉛）、またはこれらの混合物が好適である。
【００２６】本発明の磁器コンデンサは、前記本発明に
なる誘電体磁器組成物の焼結体表面に、上述の卑金属か
らなる端子電極を形成して構成したものである。以下に
具体的実施形態を挙げて、本発明の磁器コンデンサを説
明する。 （第１の実施形態）図１は本発明の第１の実施形態の磁
器コンデンサ（セラミックコンデンサ）を示す断面図で
あり、単層型の磁器コンデンサの例を示している。図に
おいて、符号１はバルク状の本発明になる誘電体磁器組
成物、２は誘電体磁器組成物１の両面に形成された端子
電極、３は端子電極２に接続されたリード線、４は誘電
体磁器組成物１及び端子電極２を封止するエポキシ樹脂
である。
なる誘電体磁器組成物の焼結体表面に、上述の卑金属か
らなる端子電極を形成して構成したものである。以下に
具体的実施形態を挙げて、本発明の磁器コンデンサを説
明する。 （第１の実施形態）図１は本発明の第１の実施形態の磁
器コンデンサ（セラミックコンデンサ）を示す断面図で
あり、単層型の磁器コンデンサの例を示している。図に
おいて、符号１はバルク状の本発明になる誘電体磁器組
成物、２は誘電体磁器組成物１の両面に形成された端子
電極、３は端子電極２に接続されたリード線、４は誘電
体磁器組成物１及び端子電極２を封止するエポキシ樹脂
である。
【００２７】誘電体磁器組成物１は、ｘＢａＯ−ｙＳｍ
2Ｏ3−ｚＴｉＯ2 （ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０．０５
≦ｘ≦０．３０、０．０５≦ｙ≦０．２０、０．６５≦
ｚ≦０．７５）からなる主組成物に、副成分としてＰｂ
Ｏを０．１〜１０ｗｔ％とＢｉ2Ｏ3 を０．０５〜１５
ｗｔ％及びガラス組成物を０．５〜２０重量％添加し、
さらに必要に応じて０．００５〜２．５ｗｔ％のＹ
2Ｏ3、Ｈｏ2Ｏ3、Ｄｙ2Ｏ3、Ｙｂ2Ｏ3もしくはＣｅ2Ｏ3
のうちからから選ばれた少なくとも１種以上の希土類元
素酸化物、又は０．００５〜２重量部のＡｌ2Ｏ3を添加
してなる誘電体磁器組成物を、板状に加圧成形して８５
０〜１０５０℃で１〜２４時間焼成したものである。
2Ｏ3−ｚＴｉＯ2 （ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０．０５
≦ｘ≦０．３０、０．０５≦ｙ≦０．２０、０．６５≦
ｚ≦０．７５）からなる主組成物に、副成分としてＰｂ
Ｏを０．１〜１０ｗｔ％とＢｉ2Ｏ3 を０．０５〜１５
ｗｔ％及びガラス組成物を０．５〜２０重量％添加し、
さらに必要に応じて０．００５〜２．５ｗｔ％のＹ
2Ｏ3、Ｈｏ2Ｏ3、Ｄｙ2Ｏ3、Ｙｂ2Ｏ3もしくはＣｅ2Ｏ3
のうちからから選ばれた少なくとも１種以上の希土類元
素酸化物、又は０．００５〜２重量部のＡｌ2Ｏ3を添加
してなる誘電体磁器組成物を、板状に加圧成形して８５
０〜１０５０℃で１〜２４時間焼成したものである。
【００２８】端子電極２としては、導体としての特性を
有し、しかも信頼性の高い材料、例えば、Ａｇもしくは
Ａｇ−１０Ｐｄ合金等を用いることができる。又は、例
えば卑金属であるＣｕ、Ｎｉ、ＷもしくはＭｏまたはこ
れらの合金、あるいは、カーボン、グラファイト、これ
らの混合物等の炭素質材料を用いても良い。
有し、しかも信頼性の高い材料、例えば、Ａｇもしくは
Ａｇ−１０Ｐｄ合金等を用いることができる。又は、例
えば卑金属であるＣｕ、Ｎｉ、ＷもしくはＭｏまたはこ
れらの合金、あるいは、カーボン、グラファイト、これ
らの混合物等の炭素質材料を用いても良い。
【００２９】次に、この磁器コンデンサの製造方法につ
いて説明する。まず、前述したように、特定組成を有す
る誘電体磁器組成物の板状焼結体を製造し、該板状焼結
体の両面に端子電極を形成する。端子電極は、Ｃｕ、Ｎ
ｉ、Ｗ、Ｍｏ等の卑金属若しくはこれらの合金、また
は、カーボン、グラファイト、カーボンとグラファイト
の混合物等の導電材料の粉末に、有機バインダー、分散
剤、有機溶剤、必要に応じて還元剤等を所定量加えた後
に混練し、所定の粘度とした導電ペーストを、所定のパ
ターンに印刷して窒素ガス等の不活性ガス雰囲気中ある
いは窒素−水素還元性ガス雰囲気中で、焼成し端子電極
を形成する。この磁器コンデンサは、高周波領域におい
ても安定した比誘電率（ε）、品質係数（Ｑ値）、比誘
電率の温度係数（ＴＣ）を有する。
いて説明する。まず、前述したように、特定組成を有す
る誘電体磁器組成物の板状焼結体を製造し、該板状焼結
体の両面に端子電極を形成する。端子電極は、Ｃｕ、Ｎ
ｉ、Ｗ、Ｍｏ等の卑金属若しくはこれらの合金、また
は、カーボン、グラファイト、カーボンとグラファイト
の混合物等の導電材料の粉末に、有機バインダー、分散
剤、有機溶剤、必要に応じて還元剤等を所定量加えた後
に混練し、所定の粘度とした導電ペーストを、所定のパ
ターンに印刷して窒素ガス等の不活性ガス雰囲気中ある
いは窒素−水素還元性ガス雰囲気中で、焼成し端子電極
を形成する。この磁器コンデンサは、高周波領域におい
ても安定した比誘電率（ε）、品質係数（Ｑ値）、比誘
電率の温度係数（ＴＣ）を有する。
【００３０】（第２の実施形態）図２は、本発明の第２
の実施形態である積層型の磁器コンデンサを示す断面図
である。図において、符号１１はシート状の本発明にな
る誘電体磁器組成物焼結体、１２は薄厚の内部電極、１
３、１４は端子電極であり、誘電体磁器組成物焼結体１
１を８層、内部電極１２を７層交互に積層した構成にな
っている。
の実施形態である積層型の磁器コンデンサを示す断面図
である。図において、符号１１はシート状の本発明にな
る誘電体磁器組成物焼結体、１２は薄厚の内部電極、１
３、１４は端子電極であり、誘電体磁器組成物焼結体１
１を８層、内部電極１２を７層交互に積層した構成にな
っている。
【００３１】誘電体磁器組成物焼結体１１は、先の第１
の実施形態と同様のｘＢａＯ−ｙＳｍ2Ｏ3−ｚＴｉＯ2
（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０．０５≦ｘ≦０．３０、
０．０５≦ｙ≦０．２０、０．６５≦ｚ≦０．７５）か
らなる主組成物に、副成分としてＰｂＯを０．１〜１０
ｗｔ％とＢｉ2Ｏ3を０．０５〜１５ｗｔ％及びガラス組
成物を０．５〜２０重量％添加し、さらに必要に応じて
０．００５〜２．５ｗｔ％のＹ2Ｏ3、Ｈｏ2Ｏ3、Ｄｙ2
Ｏ3、Ｙｂ2Ｏ3もしくはＣｅ2Ｏ3のうちからから選ばれ
た少なくとも１種以上の希土類元素酸化物、又は０．０
０５〜２重量部のＡｌ2Ｏ3を添加してなる誘電体磁器組
成物を、シート状に加圧成形して８５０〜１０５０℃で
焼成したものである。
の実施形態と同様のｘＢａＯ−ｙＳｍ2Ｏ3−ｚＴｉＯ2
（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０．０５≦ｘ≦０．３０、
０．０５≦ｙ≦０．２０、０．６５≦ｚ≦０．７５）か
らなる主組成物に、副成分としてＰｂＯを０．１〜１０
ｗｔ％とＢｉ2Ｏ3を０．０５〜１５ｗｔ％及びガラス組
成物を０．５〜２０重量％添加し、さらに必要に応じて
０．００５〜２．５ｗｔ％のＹ2Ｏ3、Ｈｏ2Ｏ3、Ｄｙ2
Ｏ3、Ｙｂ2Ｏ3もしくはＣｅ2Ｏ3のうちからから選ばれ
た少なくとも１種以上の希土類元素酸化物、又は０．０
０５〜２重量部のＡｌ2Ｏ3を添加してなる誘電体磁器組
成物を、シート状に加圧成形して８５０〜１０５０℃で
焼成したものである。
【００３２】内部電極１２及び端子電極１３、１４も、
先の第１の実施形態と同様の電極材料を使用して形成し
たものである。先の第１の実施形態と異なる点は、電極
を有する誘電体磁器組成物が１枚ではなく、シート状に
して複数枚積層して構成した点である。この積層磁器コ
ンデンサの製造方法について説明すると、まず前述した
ように、特定組成を有する誘電体磁器組成物のシート状
焼結体を製造し、該シート状焼結体の両面に端子電極を
形成する
先の第１の実施形態と同様の電極材料を使用して形成し
たものである。先の第１の実施形態と異なる点は、電極
を有する誘電体磁器組成物が１枚ではなく、シート状に
して複数枚積層して構成した点である。この積層磁器コ
ンデンサの製造方法について説明すると、まず前述した
ように、特定組成を有する誘電体磁器組成物のシート状
焼結体を製造し、該シート状焼結体の両面に端子電極を
形成する
【００３３】シート状焼結体を得るには、特定組成を有
する粉体を所定量の水もしくはエタノール、アセトン等
の有機溶媒等の分散媒とともにボールミルに収容し、所
定時間、例えば２４時間混合・粉砕し、その後脱水もし
くは脱有機溶媒した後乾燥する。次いで、この乾燥粉に
所定量の有機バインダー及び有機溶剤を加えた後、ライ
カイ機、混練機等を用いて混練し、所定の粘度を有する
スラリーとする。有機バインダーとしては、ＰＶＡ（ p
olyvinyl alcohol）水溶液の他、エチルセルロース水溶
液、アクリル樹脂水溶液等を用いることができる。次い
で、ドクターブレード法により、このスラリーをシート
状に成形し脱脂してグリーンシートとし、このグリーン
シート状の誘電体磁器組成物の両面に、先の第１の実施
形態と同様に導電ペーストを使用して内部電極を形成す
る。
する粉体を所定量の水もしくはエタノール、アセトン等
の有機溶媒等の分散媒とともにボールミルに収容し、所
定時間、例えば２４時間混合・粉砕し、その後脱水もし
くは脱有機溶媒した後乾燥する。次いで、この乾燥粉に
所定量の有機バインダー及び有機溶剤を加えた後、ライ
カイ機、混練機等を用いて混練し、所定の粘度を有する
スラリーとする。有機バインダーとしては、ＰＶＡ（ p
olyvinyl alcohol）水溶液の他、エチルセルロース水溶
液、アクリル樹脂水溶液等を用いることができる。次い
で、ドクターブレード法により、このスラリーをシート
状に成形し脱脂してグリーンシートとし、このグリーン
シート状の誘電体磁器組成物の両面に、先の第１の実施
形態と同様に導電ペーストを使用して内部電極を形成す
る。
【００３４】さらに、このようにして得られた内部電極
付きのグリーンシートを厚み方向に重ね合わせ、厚み方
向に加圧して積層体とする。次いで、この積層体を窒素
ガス等の不活性ガス雰囲気中あるいは窒素−水素還元性
ガス雰囲気中で、８５０〜１０５０℃の温度で１〜２４
時間焼成して、シート状の誘電体磁器組成物を得る。そ
の後、両側面に端子電極１３、１４を形成し、全体をエ
ポキシ樹脂等の封止材で覆って積層型の磁器コンデンサ
とする。この磁器コンデンサも、高周波領域において高
い比誘電率（ε）、品質係数（Ｑ値）、小さな比誘電率
の温度係数（ＴＣ）を有する安定した特性を示すものと
なる。
付きのグリーンシートを厚み方向に重ね合わせ、厚み方
向に加圧して積層体とする。次いで、この積層体を窒素
ガス等の不活性ガス雰囲気中あるいは窒素−水素還元性
ガス雰囲気中で、８５０〜１０５０℃の温度で１〜２４
時間焼成して、シート状の誘電体磁器組成物を得る。そ
の後、両側面に端子電極１３、１４を形成し、全体をエ
ポキシ樹脂等の封止材で覆って積層型の磁器コンデンサ
とする。この磁器コンデンサも、高周波領域において高
い比誘電率（ε）、品質係数（Ｑ値）、小さな比誘電率
の温度係数（ＴＣ）を有する安定した特性を示すものと
なる。
【００３５】
【実施例】次に、実施例及び比較例を挙げて本発明をよ
り具体的に説明する。 （実施例、比較例）図１に示すような構造の単層型の磁
器コンデンサを作成した。まず、表１及び表２に示す組
成となるように、主成分となる粉末状のＢａＯ、Ｓｍ2
Ｏ3、ＴｉＯ2 をそれぞれ所定料秤量して配合し、これ
らの粉末原料を分散材として使用した所定量の水と共に
ボールミルに装入し、６時間混合・粉砕し、その後脱水
・乾燥を行った。その後１１００℃で３時間仮焼した。
次いでこの仮焼した主成分粉末に、第１の添加物として
表１及び表２に示すＰｂＯ、Ｂｉ2Ｏ3、及びガラス組成
物を配合し、水を加えて混合粉砕して平均粒径１μｍ以
下の微粉末になるまで粉砕した。ここではガラス組成物
としてＺｎＯ−ＳｉＯ2 系ガラスを使用した。さらにＡ
ｌ2Ｏ3を添加する場合には、上記の所定量の主組成物と
第１の添加物の混合物に対して、表１及び表２に示す量
のＡｌ2Ｏ3 を添加した。
り具体的に説明する。 （実施例、比較例）図１に示すような構造の単層型の磁
器コンデンサを作成した。まず、表１及び表２に示す組
成となるように、主成分となる粉末状のＢａＯ、Ｓｍ2
Ｏ3、ＴｉＯ2 をそれぞれ所定料秤量して配合し、これ
らの粉末原料を分散材として使用した所定量の水と共に
ボールミルに装入し、６時間混合・粉砕し、その後脱水
・乾燥を行った。その後１１００℃で３時間仮焼した。
次いでこの仮焼した主成分粉末に、第１の添加物として
表１及び表２に示すＰｂＯ、Ｂｉ2Ｏ3、及びガラス組成
物を配合し、水を加えて混合粉砕して平均粒径１μｍ以
下の微粉末になるまで粉砕した。ここではガラス組成物
としてＺｎＯ−ＳｉＯ2 系ガラスを使用した。さらにＡ
ｌ2Ｏ3を添加する場合には、上記の所定量の主組成物と
第１の添加物の混合物に対して、表１及び表２に示す量
のＡｌ2Ｏ3 を添加した。
【００３６】
【表１】
【００３７】
【表２】
【００３８】次いで、この微粉末を再度６５０〜７５０
℃の温度で３時間仮焼成した後、自動乳鉢を用いて１〜
２４時間粉砕し、平均粒径０．８μｍ以下の仮焼した微
粉末とした。次いで、この仮焼微粉末に所定量の有機バ
インダーを加えて均一混合した後、加圧成型器を使用し
て直径２０ｍｍ，厚さ２ｍｍのペレットとした。有機バ
インダーとしては、ＰＶＡ（polyvinyl alcohol）水溶
液を用いた。次いで、成形機を用いて、この造粒粉を直
径２０ｍｍ、厚さ２ｍｍのペレットに成形した。次に、
このペレットを大気中で８３０〜１０５０℃の温度で１
〜２４時間焼成し、円板状の誘電体磁器組成物焼結体を
得た。
℃の温度で３時間仮焼成した後、自動乳鉢を用いて１〜
２４時間粉砕し、平均粒径０．８μｍ以下の仮焼した微
粉末とした。次いで、この仮焼微粉末に所定量の有機バ
インダーを加えて均一混合した後、加圧成型器を使用し
て直径２０ｍｍ，厚さ２ｍｍのペレットとした。有機バ
インダーとしては、ＰＶＡ（polyvinyl alcohol）水溶
液を用いた。次いで、成形機を用いて、この造粒粉を直
径２０ｍｍ、厚さ２ｍｍのペレットに成形した。次に、
このペレットを大気中で８３０〜１０５０℃の温度で１
〜２４時間焼成し、円板状の誘電体磁器組成物焼結体を
得た。
【００３９】次に、上記のようにして得られた誘電体磁
器組成物焼結体の両表面に、グラファイト粉末に所定量
の有機バインダ、分散剤、有機溶剤を加えて混練し、適
当な粘度とした導電ペーストを、所定のパターンに印刷
して窒素ガス中で焼成し、端子電極を形成した。このよ
うにして単層型の磁器コンデンサを得た。このようにし
て得た磁器コンデンサの電気特性を測定した。測定結果
を表３及び表４に示す。
器組成物焼結体の両表面に、グラファイト粉末に所定量
の有機バインダ、分散剤、有機溶剤を加えて混練し、適
当な粘度とした導電ペーストを、所定のパターンに印刷
して窒素ガス中で焼成し、端子電極を形成した。このよ
うにして単層型の磁器コンデンサを得た。このようにし
て得た磁器コンデンサの電気特性を測定した。測定結果
を表３及び表４に示す。
【００４０】
【表３】
【００４１】
【表４】
【００４２】ここでは、比誘電率（ε）は、２５℃にお
いて、１ＭＨｚ、１Ｖrms の条件下で測定を行った。品
質係数（Ｑ）は、１ＭＨｚ、２５℃の条件下で測定し
た。温度特性（ＴＣ）は、２５℃での静電容量Ｃ１及び
１２５℃での静電容量Ｃ２をそれぞれ測定し、これらの
測定値を次式に代入することで温度特性（Ｔc ）を算出
した。 ＴＣ（ｐｐｍ／℃）＝（（Ｃ２−Ｃ１）×１０6）／
（Ｃ１×（１２５−２５）） 比抵抗（Ｒ（Ω・ｃｍ））は、２５℃において１０００
Ｖの直流電圧を印加したときの１分後の電流値を測定
し、これら電圧値及び電流値より比抵抗を算出した。
いて、１ＭＨｚ、１Ｖrms の条件下で測定を行った。品
質係数（Ｑ）は、１ＭＨｚ、２５℃の条件下で測定し
た。温度特性（ＴＣ）は、２５℃での静電容量Ｃ１及び
１２５℃での静電容量Ｃ２をそれぞれ測定し、これらの
測定値を次式に代入することで温度特性（Ｔc ）を算出
した。 ＴＣ（ｐｐｍ／℃）＝（（Ｃ２−Ｃ１）×１０6）／
（Ｃ１×（１２５−２５）） 比抵抗（Ｒ（Ω・ｃｍ））は、２５℃において１０００
Ｖの直流電圧を印加したときの１分後の電流値を測定
し、これら電圧値及び電流値より比抵抗を算出した。
【００４３】表３及び表４を見ると、試料番号１及び２
は主成分のＴｉＯ2 の量が不適正なため、焼結体の密度
が低く、比誘電率の温度係数の大きなものがある。試料
番号４及び５は主成分のＳｍ2Ｏ3の量が不適正なため、
比誘電率の温度係数の大きく、焼結体の密度が低いもの
がある。試料番号１２は、第２の添加物であるＡｌ2Ｏ3
の添加量が多すぎるため、低温焼結が困難となって焼結
体の密度が低くなっている。試料番号１３は、焼結温度
が低すぎて充分な焼結密度が得られていない。試料番号
１７は、ガラス成分の添加量が多すぎるため、Ｑ値及び
絶縁抵抗が低く、比誘電率の温度係数が大きくなってい
る。試料番号１８は、ガラス成分の添加量が少なすぎる
ため、低温焼結性が改善されておらず、焼結体の密度が
低くなっている。
は主成分のＴｉＯ2 の量が不適正なため、焼結体の密度
が低く、比誘電率の温度係数の大きなものがある。試料
番号４及び５は主成分のＳｍ2Ｏ3の量が不適正なため、
比誘電率の温度係数の大きく、焼結体の密度が低いもの
がある。試料番号１２は、第２の添加物であるＡｌ2Ｏ3
の添加量が多すぎるため、低温焼結が困難となって焼結
体の密度が低くなっている。試料番号１３は、焼結温度
が低すぎて充分な焼結密度が得られていない。試料番号
１７は、ガラス成分の添加量が多すぎるため、Ｑ値及び
絶縁抵抗が低く、比誘電率の温度係数が大きくなってい
る。試料番号１８は、ガラス成分の添加量が少なすぎる
ため、低温焼結性が改善されておらず、焼結体の密度が
低くなっている。
【００４４】試料番号１９は、副成分であるＰｂＯの添
加量が少ないのでＱ値が低く、低温焼結性も改善されて
おらず、焼結体の密度が低くて比誘電率やＱ値も低くな
っている。逆に試料番号２０は、副成分であるＰｂＯの
添加量が多いのでＱ値がやや低く、絶縁抵抗が低下し、
比誘電率の温度係数の大きくなっている。試料番号２１
は、副成分であるＢｉ2Ｏ3の添加量が多すぎるため、Ｑ
値や絶縁抵抗がやや低く、比誘電率の温度係数の大きく
なっている。試料番号２２は、副成分であるＢｉ2Ｏ3の
添加量が少ないため、低温焼結性も改善されておらず、
焼結体の密度が低くなっている。このため比誘電率やＱ
値がやや低く、比誘電率の温度係数の大きくなってい
る。試料番号２３、２４、２５は及び２６、第１の添加
物成分である希土類元素酸化物の量が不適正なため、低
温焼結性が悪化して焼結体の密度が低くなっており、比
誘電率も低くなっている。以上のように比較例の磁器コ
ンデンサは、比誘電率（ε）、品質係数（Ｑ）、温度特
性（ＴＣ）のいずれかが本発明の磁器コンデンサに比べ
て劣っていることが明かである。
加量が少ないのでＱ値が低く、低温焼結性も改善されて
おらず、焼結体の密度が低くて比誘電率やＱ値も低くな
っている。逆に試料番号２０は、副成分であるＰｂＯの
添加量が多いのでＱ値がやや低く、絶縁抵抗が低下し、
比誘電率の温度係数の大きくなっている。試料番号２１
は、副成分であるＢｉ2Ｏ3の添加量が多すぎるため、Ｑ
値や絶縁抵抗がやや低く、比誘電率の温度係数の大きく
なっている。試料番号２２は、副成分であるＢｉ2Ｏ3の
添加量が少ないため、低温焼結性も改善されておらず、
焼結体の密度が低くなっている。このため比誘電率やＱ
値がやや低く、比誘電率の温度係数の大きくなってい
る。試料番号２３、２４、２５は及び２６、第１の添加
物成分である希土類元素酸化物の量が不適正なため、低
温焼結性が悪化して焼結体の密度が低くなっており、比
誘電率も低くなっている。以上のように比較例の磁器コ
ンデンサは、比誘電率（ε）、品質係数（Ｑ）、温度特
性（ＴＣ）のいずれかが本発明の磁器コンデンサに比べ
て劣っていることが明かである。
【００４５】これに対して表３及び表４から明かなよう
に、本発明の磁器コンデンサは、高周波領域においても
比誘電率（ε）、品質係数（Ｑ）及び絶縁抵抗が共に高
く、比誘電率の温度係数（ＴＣ）が小さく、しかもいず
れも安定していることが分かる。また、８５０〜９００
℃の低温焼結でも充分密度の高い焼結体が得られ、電気
特性も満足のいく値が得られている。さらに、金属顕微
鏡を用いて、本発明の磁器コンデンサの表面状態を観察
したところ、粒界に空孔等が認められず、緻密な焼結体
であることが確認された。
に、本発明の磁器コンデンサは、高周波領域においても
比誘電率（ε）、品質係数（Ｑ）及び絶縁抵抗が共に高
く、比誘電率の温度係数（ＴＣ）が小さく、しかもいず
れも安定していることが分かる。また、８５０〜９００
℃の低温焼結でも充分密度の高い焼結体が得られ、電気
特性も満足のいく値が得られている。さらに、金属顕微
鏡を用いて、本発明の磁器コンデンサの表面状態を観察
したところ、粒界に空孔等が認められず、緻密な焼結体
であることが確認された。
【００４６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の磁器コン
デンサによれば、高周波数領域においても高い比誘電率
と高い品質係数を実現し、しかも比誘電率の温度係数が
小さく、良好な特性を発現させることができる。したが
って、マイクロ波等の高周波数領域における特性が安定
化して、高周波数領域におけるデバイスの信頼性が向上
する。
デンサによれば、高周波数領域においても高い比誘電率
と高い品質係数を実現し、しかも比誘電率の温度係数が
小さく、良好な特性を発現させることができる。したが
って、マイクロ波等の高周波数領域における特性が安定
化して、高周波数領域におけるデバイスの信頼性が向上
する。
【００４７】また、８５５〜１０５０℃の低い温度で焼
成可能であるので、内部電極に安価な卑金属または炭素
系物質を用いることができ、特性を低下させずに製造コ
ストを低減することができる。さらに、低温焼成が可能
なので焼成に要するエネルギーコストと焼成時間が大幅
に節減できるので、安価にデバイスを供給することがで
きるようになる。
成可能であるので、内部電極に安価な卑金属または炭素
系物質を用いることができ、特性を低下させずに製造コ
ストを低減することができる。さらに、低温焼成が可能
なので焼成に要するエネルギーコストと焼成時間が大幅
に節減できるので、安価にデバイスを供給することがで
きるようになる。
【図１】 本発明の第１の実施形態の単層磁器コンデン
サを示す断面図である。
サを示す断面図である。
【図２】 本発明の第２の実施形態の積層磁器コンデン
サを示す断面図である。
サを示す断面図である。
１・・・・・・誘電体磁器組成物焼結体、 ２・・・・・・端子電極、 ３・・・・・・リード線、 ４・・・・・・エポキシ樹脂 １１・・・・・・誘電体磁器組成物焼結体、 １２・・・・・・内部電極 １３、１４・・・・・・端子電極
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｇ 4/12 ３６４ Ｈ０１Ｇ 4/12 ３６４ ４１５ ４１５ ４２７ ４２７ ４４８ ４４８ (72)発明者 鄭 勝教 大韓民国京畿道水原八達梅灘洞314番地 三星電機株式会社内 (72)発明者 呉 濬禄 大韓民国京畿道水原八達梅灘洞314番地 三星電機株式会社内 (72)発明者 張 炳圭 大韓民国京畿道水原八達梅灘洞314番地 三星電機株式会社内 Ｆターム(参考） 4G031 AA01 AA06 AA07 AA08 AA11 AA26 AA29 AA30 AA32 AA35 BA09 CA03 CA08 GA11 5E001 AB01 AB03 AC09 AE00 AE02 AE03 AE04 AH05 AH09 AJ01 AJ02 5G303 AA01 AB10 BA12 CA01 CB01 CB03 CB05 CB08 CB16 CB25 CB30 CB35 CB38 CB40 CB41 CB43 CD01 CD07 DA05
Claims (10)
- 【請求項１】 ｘＢａＯ−ｙＳｍ2Ｏ3−ｚＴｉＯ2 （た
だし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０．０５≦ｘ≦０．３０、０．
０５≦ｙ≦０．２０、０．６５≦ｚ≦０．７５）からな
る主組成物に、副成分としてＰｂＯを０．１〜１０ｗｔ
％とＢｉ2Ｏ3を０．０５〜１５ｗｔ％及びガラス組成物
を０．５〜２０重量％添加してなることを特徴とする誘
電体磁器組成物。 - 【請求項２】 前記請求項１記載の誘電体磁器組成物主
組成物に対して、Ｙ 2Ｏ3、Ｈｏ2Ｏ3、Ｄｙ2Ｏ3、Ｙｂ2
Ｏ3又はＣｅ2Ｏ3のうちからから選ばれた少なくとも１
種以上の希土類元素酸化物を０．００５〜２．５ｗｔ％
添加してなることを特徴とする誘電体磁器組成物。 - 【請求項３】 前記請求項１または請求項２に記載の誘
電体磁器組成物１００重量部に対して、さらにＡｌ2Ｏ3
を０．００５〜２重量部添加してなることを特徴とする
誘電体磁器組成物。 - 【請求項４】 前記ガラス組成物は、ＺｎＯ−ＳｉＯ2
系ガラスまたはＬｉ 2Ｏ−Ａｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2系ガラスで
あることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれ
か１項に記載の誘電体磁器組成物。 - 【請求項５】 請求項１ないし請求項４のいずれか１項
に記載の誘電体磁器組成物焼結体の両面に、電極を形成
してなることを特徴とする磁器コンデンサ。 - 【請求項６】 請求項１ないし請求項４のいずれか１項
に記載の誘電体磁器組成物からなるシート状の焼結体と
電極とを交互に積層してなることを特徴とする磁器コン
デンサ。 - 【請求項７】 前記電極は、卑金属または炭素系物質か
らなることを特徴とする請求項５または請求項６に記載
の磁器コンデンサ。 - 【請求項８】 ｘＢａＯ−ｙＳｍ2Ｏ3−ｚＴｉＯ2 （た
だし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０．０５≦ｘ≦０．３０、０．
０５≦ｙ≦０．２０、０．６５≦ｚ≦０．７５）からな
る主組成物に、副成分としてＰｂＯを０．１〜１０ｗｔ
％とＢｉ2Ｏ3を０．０５〜１５ｗｔ％及びガラス組成物
を０．５〜２０重量％添加し、さらに必要に応じて添加
物として０．００５〜２．５ｗｔ％のＹ2Ｏ3、Ｈｏ
2Ｏ3、Ｄｙ 2Ｏ3、Ｙｂ2Ｏ3もしくはＣｅ2Ｏ3のうちから
から選ばれた少なくとも１種以上の希土類元素酸化物、
又は０．００５〜２重量部のＡｌ2Ｏ3を添加した粉体
を、加圧成形してバルク状もしくはシート状の成形体と
し、この成形体を８５０〜１０５０℃の温度で焼成する
ことを特徴とする誘電体磁器組成物の製造方法。 - 【請求項９】 ｘＢａＯ−ｙＳｍ2Ｏ3−ｚＴｉＯ2 （た
だし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０．０５≦ｘ≦０．３０、０．
０５≦ｙ≦０．２０、０．６５≦ｚ≦０．７５）からな
る主組成物に、副成分としてＰｂＯを０．１〜１０ｗｔ
％とＢｉ2Ｏ3を０．０５〜１５ｗｔ％及びガラス組成物
を０．５〜２０重量％添加しさらに必要に応じて添加物
として０．００５〜２．５ｗｔ％のＹ2Ｏ3、Ｈｏ2Ｏ3、
Ｄｙ2Ｏ3、Ｙｂ2Ｏ3もしくはＣｅ2Ｏ3のうちからから選
ばれた少なくとも１種以上の希土類元素酸化物、又は
０．００５〜２重量部のＡｌ2Ｏ3を添加した粉体をバル
ク状に加圧成形した後、該バルク状の成形体の一主面に
電極を形成し、次いで、この成形体を８５０〜１０５０
℃の温度で焼成することを特徴とする磁器コンデンサの
製造方法。 - 【請求項１０】 ｘＢａＯ−ｙＳｍ2Ｏ3−ｚＴｉＯ
2 （ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０．０５≦ｘ≦０．３
０、０．０５≦ｙ≦０．２０、０．６５≦ｚ≦０．７
５）からなる主組成物に、副成分としてＰｂＯを０．１
〜１０ｗｔ％とＢｉ2Ｏ3 を０．０５〜１５ｗｔ％及び
ガラス組成物を０．５〜２０重量％添加し、さらに必要
に応じて添加物として０．００５〜２．５ｗｔ％のＹ2
Ｏ3、Ｈｏ2Ｏ3、Ｄｙ2Ｏ3、Ｙｂ2Ｏ3もしくはＣｅ2Ｏ3
のうちからから選ばれた少なくとも１種以上の希土類元
素酸化物、又は０．００５〜２重量部のＡｌ2Ｏ3を添加
した粉体をシート状に加圧成形した後、該シート状の成
形体の一主面に電極を形成し、次いで、この成形体を複
数枚厚み方向に重ね合わせ、加圧して積層体とし、この
積層体を８５０〜１０５０℃の温度で焼成することを特
徴とする磁器コンデンサの製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001134722A JP2002326868A (ja) | 2001-05-01 | 2001-05-01 | 誘電体磁器組成物及びそれを用いた磁器コンデンサ並びにそれらの製造方法 |
| KR10-2001-0062838A KR100444221B1 (ko) | 2001-05-01 | 2001-10-12 | 유전체 자기 조성물, 이를 이용한 자기 커패시터 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001134722A JP2002326868A (ja) | 2001-05-01 | 2001-05-01 | 誘電体磁器組成物及びそれを用いた磁器コンデンサ並びにそれらの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002326868A true JP2002326868A (ja) | 2002-11-12 |
Family
ID=18982353
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001134722A Pending JP2002326868A (ja) | 2001-05-01 | 2001-05-01 | 誘電体磁器組成物及びそれを用いた磁器コンデンサ並びにそれらの製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002326868A (ja) |
| KR (1) | KR100444221B1 (ja) |
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2001
- 2001-05-01 JP JP2001134722A patent/JP2002326868A/ja active Pending
- 2001-10-12 KR KR10-2001-0062838A patent/KR100444221B1/ko not_active IP Right Cessation
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20020084676A (ko) | 2002-11-09 |
| KR100444221B1 (ko) | 2004-08-16 |
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Legal Events
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| A02 | Decision of refusal |
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