KR20020084676A - 유전체 자기조성물, 이를 이용한 자기커패시터 및 그제조방법 - Google Patents
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Abstract
고주파수 대역에서도 비유전율이 높고, 유전손실이 적으며, 안정한 특성을 갖는 자기조성물과 이를 이용한 자기커패시터를 제공한다.
유전체 자기조성물로서는, xBaO-ySm2O3-zTiO2(단, x+y+z=1, 0.05≤x≤0.30, 0.05≤y≤0.20, 0.65≤z≤0.75)로 이루어지는 주조성물에, 부성분으로서 PbO를 0.1~10중량%와 Bi2O3을 0.05~15중량% 및 그라스조성물을 0.5~20중량% 첨가한 것을 채용한다. 유전체 자기조성물에는, Y2O3등의 희토류원소산화물을 미량 첨가하는 것이 좋다. 본 발명의 유전체 자기조성물은 850~1050℃로 종래 보다도 저온에서 소결하는 것에 의해 얻어진다.
Description
본 발명은 유전체 자기조성물과 이를 이용한 자기커패시터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 특히, 마이크로파영역에서도 높은 비유전율을 갖고, 유전손실이 적으면서 절연저항이 높고, 안정한 특성을 갖는 유전체 자기조성물과 이를 이용한 자기커패시터에 관한 것으로서, 더 한층 저온에서의 소성을 실현하므로, 전극재료로 비금속을 이용하는 것이 가능하여 제조코스트를 크게 저하시킬 수 있는 유전체 자기조성물과 자기커패시터의 제조방법에 관한 것이다.
근년, 예를 들면 휴대전화, 자동차전화, 퍼스날 무선기 등의 이동체통신이나, 위성방송수신기 등과 같이, 미리파나 마이크로파 등의 고주파영역에서 이용되는 전자기기가 급속히 진보하고 있다. 고주파영역에서 사용되는 전자기기에 탑재되는 커패시터, 필터 또는 공진기 등의 디바이스에서는 고주파특성의 향상이 더욱더 요구되고 있다.
고주파영역에서 사용되는 디바이스에 요구되는 고주파특성으로는 비유전율이 큰 것, Q치가 큰 것, 유전율의 온도변화가 적은 것, 더 한층 저온소결이 가능한 것 등이 있다.
예를 들어 고주파영역에서 사용하는 공진기의 경우, 유전체중에서 파장이 유전율의 제곱근의 역수에 비례하여 단축되는 것을 이용하는 경우가 많고, 비유전율이 크면 공진기의 길이는 유전율의 제곱근의 역수에 비례하여 짧아질 수 있기 때문이다.
또한, 고주파유전재료에서는 주파수에 의해 위상지연(δ)에 기인하는 유전에너지 손실의 평가기준으로, Q=1/tanδ로 정의되는 품질계수(Q)를 사용하고 있다.이 Q치가 크다는 것은, 유전손실이 작다는 것을 의미한다.
더욱이, 커패시터, 필터 또는 공진기 등의 디바이스에서는 공진주파수의 온도변화를 극력 작게 하기 때문에, 유전율의 온도변화도 극력 적게 하는 것(즉, 온도계수(TC)가 적어지는 것)이 바람직하다.
또한, 전자디바이스의 소형화를 실현하기 위해서는 내부에 동체전극을 내장한 표면실장형의 디바이스가 주류로 되고 있는데, 이 경우 디바이스의 특성손실을 억제하기 위해 도전전극으로는 Ag 또는 Cu을 이용하는 것이 바람직하다. 그러나, Ag 나 Cu는 융점이 낮고, 유전체 자기를 제조할 때 1200~1400℃의 고온소결에 견디지 못하는 난점이 있다. 따라서, 1000℃ 이하의 보다 저온에서 소결할 수 있다면 전극구성의 점에서도 또는 에너지 코스트의 관점으로도 바람직하다.
종래, 소형이면서도 대용량의 커패시터로서, 세라믹스의 유전특성을 이용한 자기커패시터(세라믹 커패시터)가 알려져 있다. 이 자기커패시터는 루틸(rutile)형의 TiO2, 페로브스카이트형의 BaTiO3, MgTiO3, CaTiO3, SrTiO3등의 유전체재료를 한가지, 또는 이들을 조합하여 소망의 특성을 갖는 커패시터로 만든다.
또한, 고주파영역에서 사용되는 디바이스에 요구되는 비유전율이 큰 것, Q치가 큰 것 및 유전율의 온도변화가 적은 것 등의 품질특성을 구비한 자기커패시터로서는 BaO-Sm2O3-TiO2-PbO계(일본 특공소 56-26321호 공보 참조)나 BaO-Sm2O3-TiO2-Bi2O3계(일본 특공소 59-51091호 공보참조) 등이 알려져 있다.
또한, 저온소성을 개선한 것으로는 BaO-Sm2O3-TiO2-CuO-ZnO계(일본 특개 2000-26471호 공보 참조) 나 BaO-Sm2O3-Sm2O3-PrO2-TiO계(일본 특개 2000-290068호 공보 참조) 등이 알려져 있다.
자기커패시터는 단층형과 적층형으로 분류된다.
단층 자기커패시터는 상술한 재료분말을 가압 성형하여 예를 들어 펠릿(원판상), 로드(원통상), 칩(각형상) 등의 성형체로 하고, 이 성형체를 대기중에서 1200∼1400℃의 온도로 소성하여 소결체로 하고, 이 소결체의 양표면에 전극을 형성하여 얻을 수 있다.
또한 적층 자기커패시터는 상술한 재료분말과 유기바인더 및 유기용제를 혼련하여 슬러리로 하고, 이 슬러리를 닥터브레이드(doctor blade)법에 의해 시트상으로 성형한 후 탈지하여 그린시트(green sheet)로 하고, 이 그린시트 상에 Pt나 Pd 등의 귀금속으로 이루어지는 전극을 인쇄한 후, 이들 그린시트를 두께방향으로 적층 가압하여 적층체로 하고, 이 적층체를 대기중 1200∼1400℃의 온도에서 소성하여 얻을 수 있다.
그런데, 상술한 종래의 자기 커패시터에 있어서는 마이크로파 영역에서 비유전율이 낮고, 유전손실이 크고, 절연저항이 낮은 결점이 있다. 전술한 바와 같이 고주파영역에서 사용되는 디바이스에서는 전기적 특성이 우수한 치밀한 소결체가 요구된다. 이러한 치밀한 소결체를 얻기 위해서는 1200∼1400℃라는 높은 온도에서의 소성이 필요하여 에너지 코스트가 높아져서 코스트가 높아지는 요인이 된다. 또한, 특히 적층 자기커패시터에서는 전극재료로 비금속을 이용한 경우 이 비금속이 고온소성시에 산화되어 세라믹층의 사이에 높은 저항층을 형성하기 때문에 높은 온도에서도 안정한 Pt나 Pd 등의 귀금속재료를 이용할 필요가 있어 코스트다운을 저해하는 문제점이 있다.
앞에서 서술한 공지의 고주파영역용의 유전체 자기조성물에서도, 소결온도는 기껏해야 920℃까지이고, 비율전율과 Q치가 높고, 유전율의 온도변화가 작고, 덧붙어 저온소결을 달성할 수 있는 특질을 전부 겸비한 유전체 자기조성물은 얻어지지 않는다.
본 발명은 상기의 사정을 감안한 것으로, 마이크로파 영역에서 사용되는 소형이면서 대용량의 자기커패시터에 있어서, 비유전율이 높고, 유전손실이 작으면서 안정한 특성을 갖고, 더구나 저온에서의 소성을 실현하는 것으로 전극재료로 비금속을 이용하는 것이 가능하고, 그리고 제조코스트를 대폭 낮출 수 있는 유전체 자기조성물과 이를 이용한 자기커패시터 및 그 제조방법을 제공하는데 목적이 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시형태의 단층 자기커패시터를 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 제2 실시형태의 적층 자기커패시터를 나타내는 단면도이다.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
1..... 유전체 자기조성물 소결체 2..... 단자전극
3..... 리드선 4..... 에폭시 수지
11.....유전체 자기조성물 소결체 12..... 내부전극
13, 14..... 단자전극
상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 유전체 자기조성물은 xBaO-ySm2O3-zTiO2(단, x+y+z=1, 0.05≤x≤0.30, 0.05≤y≤0.20, 0.65≤z≤0.75)로 이루어지는 주조성물에, 부성분으로서 PbO를 0.1~10중량%와 Bi2O3을 0.05~15중량% 및 그라스조성물을 0.5~20중량% 첨가하여 이루어지는 유전체 자기조성물로 한다.
이러한 유전체 자기조성물로 하는 것에 의해 높은 비유전율, 양호한 온도특성, 높은 품질계수를 실현하는 것이 가능하고, 마이크로파영역 등의 고주파수영역에서 특성이 안정화하는 것과 함께 고주파수 영역에서 신뢰성도 향상된다. 또한, 저온소성이 가능하여 비금속의 전극재료가 사용될 수 있고, 제조코스트도 대폭 절감할 수 있다.
본 발명의 유전체 자기조성물에서는 상기 유전체 자기조성물의 주조성물에 대해, 산화이트륨(Y2O3), 산화홀뮴(Ho2O3), 산화이스프로슘(Dy2O3), 산화이테르븀(Yb2O3), 또는 산화세륨(Ce2O3)에서 선택된 적어도 1종이상의 희토류원소화합물을 0.005~2.5중량% 첨가할 수 있다. 이들 미량의 희토류원소화합물을 첨가하는 것에 의해, Q치나 비율전율의 온도계수(TC)를 개선하는 유용한 효과가 나타난다.
본 발명의 유전체 자기조성물에서는, 상기 부성분을 함유한 유전체 자기조성물 100중량부에 대해, 다시 산화알루미늄(Al2O3)을 0.005~2중량부 첨가하여 되는 유전체 자기조성물로 할 수 있다. Al2O3을 소량 첨가하는 것에 의해, Q특성을 더욱 개선할 수 있다.
또한, 본 발명의 유전체 자기조성물에서는, 상기 그라스조성물로서 ZnO-SiO2계 그라스 또는 Li2O-Al2O3-SiO2계 그라스중 어느 것을 사용할 수 있다. 이들의 그라스조성물을 사용하는 것에 의해, 소성온도를 1050℃이하 850℃까지 낮출 수 있다.
본 발명의 자기커패시터는 상기의 본 발명의 유전체 자기조성물로 되는 소결체의 양면에 단자전극을 형성하여 자기커패시터로 된다. 또한, 본 발명의 자기커패시터는 상기의 본 발명의 유전체 자기조성물로 되는 시트상으로 성형한 소결체와 전극을 교대로 적층한 자기 커패시터로도 할 수 있다.
본 발명의 자기커패시터에서는 상기 전극으로서 Cu, Ni, W, Mo 등의 비금속 또는 흑연 등의 탄소계 물질을 사용할 수 있다. 이들 물질을 전극으로 사용하면, 가격이 저렴하고 소성시에 산화되어 자기조성물의 사이에 높은 저항층을 형성하지 않는다.
본 발명의 유전체 자기조성물의 제조방법은, xBaO-ySm2O3-zTiO2(단, x+y+z=1,0.05≤x≤0.30, 0.05≤y≤0.20, 0.65≤z≤0.75)로 이루어지는 주조성물에, 부성분으로서 PbO을 0.1~10중량%와 Bi2O3을 0.05~15중량% 및 그라스조성물을 0.5~20중량% 첨가하고, 필요에 따라 첨가물로서 0.005~2.5중량%의 Y2O3, Ho2O3, Dy2O3, Yb2O3또는 Ce2O3에서 선택된 적어도 1종이상의 희토류원소산화물, 또는 0.005~2중량부의 Al2O3을 첨가한 분체를 가압성형하여 벌크상 또는 시트상의 성형체로 하고, 이 성형체를 850~1050℃의 온도에서 성형하는 방법을 채용한다. 본 발명의 유전체 자기조성물의 제조방법에 의하면, 전기특성을 손상하지 않으면서 소성온도를 종래 보다도 350℃이상 낮출 수 있다.
본 발명의 자기커패시터의 제조방법은, xBaO-ySm2O3-zTiO2(단, x+y+z=1, 0.05≤x≤0.30, 0.05≤y≤0.20, 0.65≤z≤0.75)로 이루어지는 주조성물에, 부성분으로서 PbO를 0.1~10중량%와 Bi2O3를 0.05~15중량% 및 그라스조성물을 0.5~20중량% 첨가하고, 필요에 따라 첨가물로서 0.005~2.5중량%의 Y2O3, Ho2O3, Dy2O3, Yb2O3또는 Ce2O3에서 선택된 적어도 1종이상의 희토류원소산화물, 또는 0.005~2중량부의 Al2O3을 첨가한 분체를 벌크상으로 가압성형한 후, 이 벌크상의 성형체의 한쌍의 주된 면에 전극을 형성하고, 이어서 이 성형체를 850~1050℃의 온도에서 소성하는 것을 특징으로 하는 자기커패시터의 제조방법이다. 본 발명의 자기커패시터의 제조방법에 따르면, 전기특성을 손상하지 않고 소성온도를 350℃이상 낮출 수 있다.
본 발명의 자기커패시터의 다른 제조방법은, xBaO-ySm2O3-zTiO2(단, x+y+z=1, 0.05≤x≤0.30, 0.05≤y≤0.20, 0.65≤z≤0.75)로 이루어지는 주조성물에, 부성분으로서 PbO를 0.1~10중량%와 Bi2O3을 0.05~15중량% 및 그라스조성물을 0.5~20중량% 첨가하고, 필요에 따라 첨가물로서 0.005~2.5중량%의 Y2O3, Ho2O3, Dy2O3, Yb2O3또는 Ce2O3에서 선택된 적어도 1종이상의 희토류원소산화물, 또는 0.005~2중량부의 Al2O3을 첨가한 분체를 시트상으로 가압성형한 후, 이 시트상의 성형체의 하나의 주된 면에 전극을 형성하고, 이어서 이 성형체를 복수개 두께 방향으로 적층 가압하여 적층체로 하고, 이 적층체를 850~1050℃의 온도에서 소성하는 것을 특징으로 하는 자기커패시터의 제조방법이다.
이 자기커패시터의 제조방법에 따르면, 전기특성을 손상하지 않고 소성온도를 350℃이하로 낮출 수 있으며, 적층형의 자기커패시터를 얻을 수 있다.
이하, 본 발명을 상세히 설명한다.
먼저, 본 발명의 유전체 자기조성물의 조성한정이유에 대해 설명한다.
본 발명의 유전체 자기조성물은, 주조성물로서 산화바륨(BaO), 산화사마륨(Sm2O3), 및 산화티타늄(TiO2)의 3성분으로 구성된다. BaO, Sm2O3및 TiO2각 성분의 몰비율 x, y, z은 각각 0.05≤x≤0.30, 0.05≤y≤0.20, 0.65≤z≤0.75(단, x+y+z=1)이다.
BaO가 5mol%이하에서는 비유전율 및 Q치의 저하를 초래한다. 또한, BaO가30mol% 이상에서는 비유전율이 높게 되고 비유전율의 온도계수(TC)의 증대와 Q치의 저하를 초래한다.
Sm2O3가 5mol%이하에서는 비유전율이 증가되지만 비유전율의 온도계수(TC)가 증대하고, Q치의 저하를 초래한다. 또한, Sm2O3가 20mol%이상에서는 비유전율이 저하되고, 제조할 때의 저온소결이 곤란하게 된다.
TiO2가 65mol%이하에서는 유전율의 온도계수(TC)가 증대하고, Q치의 저하를 초래한다. 또한, TiO2가 75mol%이상에서는 제조할 때의 저온소결이 곤란하게 된다.
따라서, 주조성물의 적정한 몰비율 범위는 상기와 같이 정한다.
본 발명의 유전체 자기조성물은, 상기의 주조성물에 더하여, 부성분으로서 산화납(PbO)을 주성분에 대해 0.1~10중량%, 산화비스무스(Bi2O3)를 주성분에 대해 0.05~15중량% 및 그라스조성물을 주성분에 대해 0.5~20중량%를 함유시키는 것으로 한다. 이들의 부성분은, 어느 것도 소결조제로서 작용하고, 이들의 부성분을 적정범위 함유하는 것에 의해 소성온도를 종래의 1,200~1,400℃의 고온으로 부터 850~1050℃의 저온에서 소성할 수 있다.
PbO는, 0.1중량%이하에서는 저온소결성의 효과가 얻어지지 않으며, Q치의 저하를 초래한다. 또한, 10중량%이상에서는 Q치의 저하, 절연저항의 저하 및 유전율의 온도계수의 증대를 일으킨다.
Bi2O3는 0.05중량% 이하에서는 저온소결성의 효과가 얻어지지 않으며, Q치의 저하를 초래한다. 또한, 15중량%이상에서는 Q치의 저하 및 절연저항의 저하를 일으킨다.
또한, 본 발명의 유전체 자기조성물에서, 상기 그라스조성물로서는 첨가하더라도 특성에 악영향을 미치지 않고, 주조성물성분과의 젖음성이 좋고, 더욱이 850~1050℃의 온도에서 연화 및/또는 용융하는 그라스가 바람직하다. 예를 들면, Bi2O3-SiO2계 그라스 또는 Li2O-Al2O3-SiO2계 그라스 등을 사용한다.
그라스조성물은 저온소결성을 촉진시키는 효과가 있어 소결조제로서 첨가하는 것이다. 이 첨가량은 0.5~20중량%가 적정한다. 그 이유는, 첨가량이 0.5중량% 이하에서는 저온소결성을 촉진시키는 효과가 없고, 20중량%이상에서는 Q치의 저하 및 절연저항의 저하를 일으키기 때문이다.
따라서, 부성분의 성분범위는 상기와 같이 설정한다.
본 발명의 유전체 자기조성물에서는, 상기 유전체 자기조성물의 주조성물에 대해, 제 1의 첨가물로서 산화이트륨(Y2O3), 산화홀뮴(Ho2O3), 산화디스프로슘(Dy2O3), 산화이테르븀(Yb2O3), 또는 산화세륨(Ce2O3)에서 선택된 적어도 1종이상의 희토류원소화합물을 0.005~2.5중량%범위에서 첨가할 수 있다.
이들 희토류원소산화물을 미량첨가하는 것에 의해 Q치나 비유전율의 온도계수(TC)를 개선하는 유용한 효과를 나타낸다. 희토류원소산화물을 첨가하는 것에 의해 Q치를 크게 할 수 있지만, 첨가량이 0.005중량%이하에서는 효과가 인지되지 않으며, 2.5중량%이상에서는 저온 소결성이 저해된다.
본 발명의 유전체 자기조성물은, 상기 제1의 첨가물에 더하여, 제2의 첨가물로서 산화알루미늄(Al2O3)을 첨가하는 것도 좋다. Al2O3을 미량 첨가하는 것에 의해 품질계수(Q치)를 크게 할 수 있다. Al2O3의 적정한 첨가량은, 상기 주조성물 및 부조성물로 되는 유전체 자기조성물 100중량부에 대해 0.005~2중량부로 한다. 또는 상기 제1의 첨가물을 함유하는 경우에는 주조성물, 부조성물 및 제1의 첨가물로 되는 유전체 자기조성물 100중량부에 대해 0.005~2중량부로 된다. Al2O3의 첨가량은 0.005중량부 이하에서는 효과를 발휘할 수 없고, 2중량부 이상에서는 오히려 Q치를 저하시킨다. 따라서, Al2O3의 적정한 첨가량은 0.005~2중량부로 한다.
본 발명의 유전체 자기조성물을 얻으려면, 상기 주성분조성으로 되는 각각의 성분을 소정량 평량하고, 소정량의 물, 에탄올 또는 아세트 등의 유기용매로 되는 분산매와 함께 볼밀에 수용하고, 소정시간, 예를 들면 4~24시간 혼합·분쇄하고, 그 후 탈수 또는 탈유기용매한 후 건조한다. 이어서, 이 건조분말을 1000~1400℃의 온도에서 1~24시간 하소를 하고, 라이카이기 또는 자동유발를 이용하여 1~24시간분쇄하고, 소정의 입도의 하소분으로 한다. 이어서, 이 주성분의 하소분에 소정량의 부성분 및 필요에 따라 첨가물을 첨가하고, 물 등의 분산매를 첨가하여 라이카이기 등을 이용하여 균일하게 혼합·분쇄하고, 평균입경이 1㎛이하의 미분말로 한다. 그 후, 이 미분말을 탈수건조하고, 두 번째 600~800℃의 온도에서 1~15시간 하소한다. 그 후 평균입경이 0.8㎛이하로 될 때가지 분쇄한다.
다음에, 얻어진 하소분말에 적량의 유기바인더 등을 첨가하여 균일하게 혼합한 후, 예를 들면 직경 20mm, 두께 2mm정도의 펠릿상 또는 로드 상 또는 칩상으로 가압성형하고, 대기중에서 850~1050℃의 온도에서 1~24시간 소성하고 유전체 자기조성물을 얻는다.
유기바인더로서는 PVA(polyvinyl alcohol) 수용액이외에 다른 에틸셀룰로스 수용액, 아크릴수지 수용액(아크릴바인더) 등을 이용할 수 있다.
본 발명의 유전체 자기조성물은, 850~1050℃로 종래 보다 낮은 온도에서 소성하여 얻는데 특징이 있다. 상기에 의해 얻어진 유전체 자기조성물은, 마이크로파영역에서 높은 비유전율을 갖고, 유전손실이 낮고 더욱이 높은 절연저항을 갖고 있기 때문에 마이크로파영역용의 커패시터를 비롯한 디바이스용에 더없이 유용하다.
다음, 본 발명의 자기커패시터에 대해 설명한다.
본 발명의 자기커패시터는, 상술의 본 발명으로 되는 유전체 자기조성물을 이용하는 것에 의해, 마이크로파와 같은 고주파수대역에서도 비유전율이 높고, 유전손출이 적고, 더욱이 비유전율의 온도계수가 작고 안정한 특성을 갖는 자기커패시터이다.
또한, 상기 유전체 자기조성물을 이용하기 때문, 850~1050℃의 종래 보다도 저온에서 소성하는 것이 가능하고, 내부전극으로 저렴한 비금속 또는 탄소계물질을 이용할 수 있는 것과 함께 제조코스트를 낮출 수 있다.
상기 비금속으로서는 도체로서의 특성을 갖으면서 신뢰성의 높은 금속, 예를 들면, 동(Cu), 니켈(Ni), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo) 등의 금속에서 선택된 1종 또는 2종이상을 함유한 금속 또는 합금이 바람직하다.
또한, 탄소계물질로서는 카본(무정형탄소), 그라파이트(석묵, 흑연), 또는 이들의 혼합물이 바람직하다.
본 발명의 자기커패시터는, 상기 본 발명으로 되는 유전체 자기조성물의 소결체표면에 상술의 비금속으로 되는 단자전극을 형성하여 구성되는 것이다. 이하에 구체적으로 실시형태를 예를 들어 본 발명의 자기커패시터를 설명한다.
[제1의 실시형태]
도 1은 본 발명의 제1의 실시형태인 자기커패시터(세라믹 커패시터)를 나타내는 단면도로서, 단층형의 자기커패시터의 예를 나타낸다. 도면에서 부호1은 벌크상의 본 발명으로 되는 유전체 자기조성물, 2는 유전체 자기조성물(1)의 양면에 형성된 단자전극, 3은 단자전극(2)에 접속된 리드선, 4는 유전체 자기조성물(1) 및단자전극(2)을 밀봉하는 에폭시수지이다.
유전체 자기조성물(1)은, xBaO-ySm2O3-zTiO2(단, x+y+z=1, 0.05≤x≤0.30, 0.05≤y≤0.20, 0.65≤z≤0.75)로 이루어지는 주조성물에, 부성분으로서 PbO를 0.1~10중량%와 Bi2O3을 0.05~15중량% 및 그라스조성물을 0.5~20중량% 첨가하고, 필요에 따라 0.005~2.5중량%의 Y2O3, Ho2O3, Dy2O3, Yb2O3또는 Ce2O3에서 선택된 적어도 1종이상의 희토류원소산화물, 또는 0.005~2중량부의 Al2O3을 첨가하여 이루어지는 분체자기조성물을, 판상으로 가압성형하여 850~1050℃에서 1~24시간 소성한 것이다
단자전극(2)로서는, 도체로서의 특성을 갖으면서 신뢰성이 높은 재료 예를 들어 Ag 또는 Ag-10Pd 합금 등을 이용할 수 있다. 또는 예를 들어 비금속으로 되는 Cu, Ni, W, Mo 또는 이들의 합금, 또는 카본, 그라파이트, 이들의 혼합물 등의 탄소질재료를 이용해도 좋다.
다음으로, 이 자기커패시터의 제조방법에 대해 설명한다.
먼저, 전술한 바와 같이, 특정조성을 갖는 유전체 자기조성물의 판상소결체를 제조하고, 그 판상소결체의 양면에 단자전극을 형성한다.
단자전극은, Cu, Ni, W, Mo 등의 비금속 또는 이들의 합금, 또는 카본, 그라파이트, 카본과 그라파이트의 혼합물 등의 도전재료의 분말에, 유기바인더, 분산제, 유기용제, 필요에 따라 환원제 등을 소정량 첨가하여 혼련하고, 소정이 점도로 된 도전페이스트를 소정의 패턴으로 인쇄하고 질소가스 등의 불활성가스 분위기중 또는 질소-수소 환원성 가스 분위기중에서 소성하여 단자전극을 형성한다.
이 자기커패시터는 고주파영역에서도 안정한 비유전율(ε), 품질계수(Q치), 유전율의 온도계수(TC)를 갖는다.
[제2의 실시형태]
도 2는 본 발명의 제2의 실시형태인 적층형의 자기커패시터를 나타내는 단면도이다.
도면에서 부호11은 시트상의 본 발명으로 되는 유전체자기 조성물 소결체, 12는 박두께의 내부전극, 13, 14는 단자전극이고, 유전체 자기조성물 소결체(11)을 8층, 내부전극(12)을 7층 교대로 적층하여 구성하고 있다
유전체 자기조성물 소결체(11)은, 앞서 제1의 실시형태와 같은 xBaO-ySm2O3-zTiO2(단, x+y+z=1, 0.05≤x≤0.30, 0.05≤y≤0.20, 0.65≤z≤0.75)로 이루어지는 주조성물에, 부성분으로서 PbO를 0.01~10중량%와 Bi2O3을 0.05~15중량% 및 그라스조성물을 0.5~20중량% 첨가하고, 필요에 따라 0.005~2.5중량%의 Y2O3, Ho2O3, Dy2O3, Yb2O3또는 Ce2O3에서 선택된 적어도 1종이상의 희토류원소산화물, 또는 0.005~2중량부의 Al2O3을 첨가한 유전체 자기조성물을, 시트상으로 가압성형하여 850~1050℃에서 소성한 것이다
내부전극(12) 및 단자전극(13, 14)도 앞의 제1의 실시형태와 같은 전극재료를 사용하여 성형한 것이다. 앞의 제1의 실시형태와 다른 점은, 전극을 갖는 유전체 자기조성물이 1개이지 않고, 시트상으로 하여 복수개 적층하여 구성되는 점이다.
이 적층자기커패시터의 제조방법에 대해서 설명하면, 먼저 전술한 대로 특정조성을 갖는 유전체 자기조성물의 시트상 소결체를 제조하고, 그 시트상 소결체의 양면에 단자전극을 형성한다.
시트상 소결체를 얻으려면, 특정조성을 갖는 분체를 소정량의 물 또는 에탄올, 아세트 등의 유기용매 등의 분산매와 함께 볼밀에서 수용하고, 소정시간, 예를 들어 24시간 혼합·분쇄하고, 그 후 탈수 또는 탈유기용매한 후 건조한다.
다음으로, 이 건조분에 소정량의 유기바인더 및 유기용제를 가한 후, 라이카이기 혼련기 등을 이용하여 혼련하고 소정의 점도를 갖는 슬러리로 한다. 유기바인더로서는 PVA(polyvinyl alcohol)수용액외의 다른 에틸셀룰로스 수용액, 아크릴수지 수용액(아크릴바인더) 등을 이용할 수 있다.
다음으로, 닥터브레이드법에 의해, 이 슬러리를 시트상으로 성형하고 탈지하여 그린시트로 하고, 이 그린시트상의 유전체 자기조성물의 양면에 앞의 제1의 실시형태와 같은 도전페이스트를 사용하여 내부전극을 형성한다.
이와 같이 하여 얻은 내부전극부착 그린시트를 두께 방향으로 적층하여 두께 방향으로 가압하여 적층체로 한다.
다음으로, 이 적층체를 질소가스 등의 불활성가스 분위기중 또는 질소-수소환원성 가스분위기중에서 850~1050℃의 온도에서 1~24시간 소성하여, 시트상의 유전체 자기조성물을 얻는다. 그 후 양측면에 단자전극(13, 14)을 형성하고, 전체를 에폭시수지 등의 봉지재로 덮어서 적층형의 자기커패시터로 한다.
이 자기커패시터도 고주파수영역에서 높은 비유전율(ε), 품질계수(Q치), 작은 유전율의 온도계수(TC)를 갖는 안정한 특성을 나타낸다.
[실시예]
이하, 실시예 및 비교예를 들어 본 발명을 보다 구체적으로 설명한다.
(실시예, 비교예)
도 1에 표시와 같은 구조의 단층형의 자기커패시터를 만들었다.
먼저, 표 1 및 표 2에 표시한 조성으로 되도록 주성분으로 되는 분말상의 BaO, Sm2O3, TiO2를 각각 소정량 평량하여 배합하고, 이들의 분말원료를 분산재로 사용한 소정량의 물과 함께 볼밀에 장입하고, 6시간 혼합·분쇄하고, 그 후 탈수·건조하였다. 그 후 1100℃에서 3시간 하소하였다.
다음으로 이 하소한 주성분분말에 제1의 첨가물로서 표 1 및 표 2에 표시한 PbO,Bi2O3및 그라스조성물을 배합하고 물을 첨가하여 혼합분쇄하여 평균입경 1㎛이하의 미분말로 될 때까지 분쇄하였다. 여기서는 그라스 조성물로서 ZnO-SiO2계 그라스를 사용하였다. 또한, Al2O3을 첨가하는 경우에는 상기의 소정량의 주조성물과 제1의 첨가물의 혼합물에 대해 표 1 및 표 2에 표시한 양의 Al2O3을 첨가하였다.
| 시료번호 | 구분 | 주조성분(mol%) | 부조성분(mol%) | 첨가물1(중량%) | 첨가물2(중량부) | 소성온도(℃) | ||||||
| 실시예 | 비교예 | BaO | Sm2O3 | TiO2 | PbO | Bi2O3 | 그라스 | Y2O3 | Ho2O3 | Al2O3 | ||
| 1 | ○ | 4 | 20 | 76 | 1.5 | 2.5 | 6.5 | 0 | 0 | 0 | 890 | |
| 2 | ○ | 31 | 5 | 64 | 1.5 | 2.5 | 6.5 | 0 | 0 | 0 | 890 | |
| 3 | ○ | 24 | 8 | 68 | 1.5 | 2.5 | 6.5 | 0 | 0 | 0 | 890 | |
| 4 | ○ | 21 | 4 | 75 | 1.5 | 2.5 | 6.5 | 0 | 0 | 0 | 890 | |
| 5 | ○ | 14 | 21 | 65 | 1.5 | 2.5 | 6.5 | 0 | 0 | 0 | 890 | |
| 6 | ○ | 21 | 8 | 71 | 1.5 | 2.5 | 6.5 | 0.25 | 0.25 | 0.02 | 890 | |
| 7 | ○ | 25 | 10 | 65 | 1.5 | 2.5 | 6.5 | 0 | 0 | 0 | 890 | |
| 8 | ○ | 24 | 8 | 68 | 1.5 | 2.5 | 6.5 | 0.25 | 0 | 0 | 890 | |
| 9 | ○ | 24 | 8 | 68 | 1.5 | 2.5 | 6.5 | 0 | 0.25 | 0 | 890 | |
| 10 | ○ | 24 | 8 | 68 | 1.5 | 2.5 | 6.5 | 0 | 0 | 0.02 | 890 | |
| 11 | ○ | 24 | 8 | 68 | 1.5 | 2.5 | 6.5 | 0.25 | 0.25 | 0 | 890 | |
| 12 | ○ | 24 | 8 | 68 | 1.5 | 2.5 | 6.5 | 0.25 | 0.25 | 2.1 | 890 | |
| 13 | ○ | 24 | 8 | 68 | 1.5 | 2.5 | 6.5 | 0.25 | 0.25 | 0.02 | 830 | |
| 14 | ○ | 24 | 8 | 68 | 1.5 | 2.5 | 6.5 | 0.25 | 0.25 | 0.02 | 1050 |
| 시료번호 | 구분 | 주조성분(mol%) | 부조성분(mol%) | 첨가물1(중량%) | 첨가물2(중량부) | 소성온도(℃) | ||||||
| 실시예 | 비교예 | BaO | Sm2O3 | TiO2 | PbO | Bi2O3 | 그라스 | Y2O3 | Ho2O3 | Al2O3 | ||
| 15 | ○ | 24 | 8 | 68 | 1.5 | 2.5 | 6.5 | 0.25 | 0.25 | 0.02 | 890 | |
| 16 | ○ | 24 | 8 | 68 | 1.5 | 2.5 | 6.5 | 0.25 | 0.25 | 0.02 | 850 | |
| 17 | ○ | 24 | 8 | 68 | 1.5 | 2.5 | 21 | 0.25 | 0.25 | 0.02 | 890 | |
| 18 | ○ | 24 | 8 | 68 | 1.5 | 2.5 | 0.4 | 0.25 | 0.25 | 0.02 | 890 | |
| 19 | ○ | 24 | 8 | 68 | 0.005 | 2.5 | 6.5 | 0.25 | 0.25 | 0.02 | 890 | |
| 20 | ○ | 24 | 8 | 68 | 11 | 2.5 | 6.5 | 0.25 | 0.25 | 0.02 | 890 | |
| 21 | ○ | 24 | 8 | 68 | 1.5 | 16 | 6.5 | 0.25 | 0.25 | 0.02 | 890 | |
| 22 | ○ | 24 | 8 | 68 | 1.5 | 0.04 | 6.5 | 0.25 | 0.25 | 0.02 | 890 | |
| 23 | ○ | 24 | 8 | 68 | 1.5 | 2.5 | 6.5 | 2.6 | 0.25 | 0.02 | 890 | |
| 24 | ○ | 24 | 8 | 68 | 1.5 | 2.5 | 6.5 | 0.25 | 2.6 | 0.02 | 890 | |
| 25 | ○ | 24 | 8 | 68 | 1.5 | 2.5 | 6.5 | 0.25 | 2.6 | 0.02 | 890 | |
| 26 | ○ | 24 | 8 | 68 | 1.5 | 2.5 | 6.5 | 2.6 | 0.25 | 0.02 | 890 | |
| 27 | ○ | 24 | 8 | 68 | 1.5 | 2.5 | 6.5 | 0.25 | 0 | 0.02 | 890 | |
| 28 | ○ | 24 | 8 | 68 | 1.5 | 2.5 | 6.5 | 0 | 0.25 | 0.02 | 890 |
다음으로 이 미분말을 두번째 650~750℃의 온도에서 3시간 하소한 후, 자동유발을 이용하여 1~24시간 분쇄하고, 평균입경 0.8㎛이하의 하소한 미분말로 하였다.
그 다음으로 이 하소미분말에 소정량의 유기바인더를 첨가하여 균일하게 혼합한 후, 가압성형기를 사용하여 직경 20mm, 두께 2mm의 펠릿으로 하였다. 유기바인더로서는 PVA(polyvinyl alcohol) 수용액을 이용하였다.
그 다음으로, 성형기를 이용하여 이 조립분을 직경 20mm, 두께 2mm의 펠릿으로 성형하였다.
다음으로, 이 펠릿을 대기중에서 830~1050℃의 온도에서 1~24시간 소성하고, 원판상의 유전체 자기조성물소결체를 얻었다.
다음, 상기의 의하여 얻어진 유전체 자기조성물 소결체의 양표면에 그라파이트분말에 소정량의 유기바인더, 분산제, 유기용제를 첨가하여 혼련하고, 적당한 점도로 된 도전페이스트를 소정의 패턴으로 인쇄하여 질소가스중에 소성하고, 단자전극을 형성하였다. 이것에 의해 단층형의 자기커패시터를 얻었다.
이와 같이 하여 얻어진 자기커패시터의 전기특성을 측정하였다. 측정결과를 표 3 및 표 4에 나타내었다.
| 시료번호 | 구분 | 비유전율ε | 품질계수Q | 절연저항IR(Ω) | 온도특성TC(ppm/℃) | 밀도р(g/㎤) | |
| 실시예 | 비교예 | ||||||
| 1 | ○ | 11 | 210 | 1.7×1012 | 43 | 3.7 | |
| 2 | ○ | 56 | 125 | 1.5×1012 | 567 | 3.5 | |
| 3 | ○ | 29 | 1480 | 1.9×1011 | 105 | 4.9 | |
| 4 | ○ | 18 | 108 | 1.9×1011 | 430 | 4.9 | |
| 5 | ○ | 20 | 78 | 1.8×1011 | 380 | 3.9 | |
| 6 | ○ | 39 | 1680 | 1.2×1012 | 82 | 5.3 | |
| 7 | ○ | 30 | 1460 | 1.7×1011 | 112 | 4.9 | |
| 8 | ○ | 46 | 1350 | 1.4×1012 | 126 | 5.1 | |
| 9 | ○ | 40 | 1470 | 4.8×109 | 146 | 5.6 | |
| 10 | ○ | 36 | 1520 | 4.6×1010 | 113 | 5.2 | |
| 11 | ○ | 26 | 1650 | 1.2×1011 | 121 | 4.7 | |
| 12 | ○ | 17 | 320 | 1.2×1011 | 79 | 3.1 | |
| 13 | ○ | 20 | 220 | 1.5×1010 | 106 | 3.7 | |
| 14 | ○ | 34 | 1010 | 2.5×1011 | 122 | 5.2 |
| 시료번호 | 구분 | 비유전율ε | 품질계수Q | 절연저항IR(Ω) | 온도특성TC(ppm/℃) | 밀도р(g/㎤) | |
| 실시예 | 비교예 | ||||||
| 15 | ○ | 30 | 1650 | 2.1×1012 | 91 | 5.1 | |
| 16 | ○ | 27 | 350 | 2.2×1011 | 101 | 4.6 | |
| 17 | 33 | 75 | 2.1×108 | 275 | 5.4 | ||
| 18 | ○ | 21 | 124 | 1.5×1011 | 93 | 3.8 | |
| 19 | ○ | 19 | 76 | 1.2×1011 | 64 | 3.9 | |
| 20 | ○ | 40 | 125 | 2.4×107 | 511 | 5.1 | |
| 21 | ○ | 34 | 100 | 2.6×107 | 423 | 5.0 | |
| 22 | ○ | 23 | 113 | 1.6×1011 | 75 | 3.7 | |
| 23 | ○ | 16 | 77 | 1.4×1011 | 81 | 3.2 | |
| 24 | ○ | 22 | 82 | 1.2×1012 | 93 | 3.8 | |
| 25 | ○ | 22 | 82 | 1.2×1011 | 93 | 3.8 | |
| 26 | ○ | 19 | 110 | 1.1×1011 | 102 | 3.6 | |
| 27 | ○ | 46 | 1410 | 1.4×1012 | 125 | 5.0 | |
| 28 | ○ | 40 | 1540 | 4.8×109 | 145 | 5.5 |
여기서, 비유전율(ε)은, 25℃에서 1MHz, 1Vrms의 조건하에서 측정하였다.
품질계수(Q)는 1MHz, 25℃의 조건하에서 측정하였다.
온도특성(TC)는 25℃에서의 정전용량C1 및 125℃에서의 정전용량C2를 각각 측정하고, 이들의 측정치를 다음식에 대입하여 온도특성(Tc)을 산출하였다.
Tc(ppmm/℃)
=((C2-C1)×106)/(C1×(125-25))
비저항(R(Ω·cm))은 25℃에서 1000V의 직류전압을 인가할 때의 1분후의 전류치를 측정하고, 이들 전압치 및 전류치에서 비저항을 산출하였다.
표 3∼4에서 밝혀진 바와 같이, 시료번호1 및 2는 주성분의 TiO2의 양이 부적정하기 때문에 소결체의 밀도가 낮고, 비유전율의 온도계수가 큰 것이다.
시료번호 4 및 5는 주성분의 Sm2O3의 양이 부적정하기 때문에 비유전율의 온도계수가 크고, 소결체의 밀도가 낮아진다.
시료번호 12는 제2의 첨가물인 Al2O3의 첨가량이 많아지기 때문에 저온소결이 곤란하여 소결체의 밀도가 저하된다.
시료번호 13은 소결온도가 너무 낮아서 충분한 소결밀도가 얻어지지 않는다.
시료번호 17은 그라스성분의 첨가량이 너무 많기 때문에 Q치 및 절연저항이 낮고, 비유전율의 온도계수가 크게 된다.
시료번호 18은 그라스성분의 첨가량이 적기 때문에 저온소결성이 개선되지 않아, 소결체의 밀도가 낮아진다.
시료번호 19는 부성부인 PbO의 첨가량이 너무 적기 때문에 Q치가 낮고, 저온소결성도 개선되지 않아, 소결체의 밀도가 낮아진다.
역으로 시료번호 20은 부성분인 PbO의 첨가량이 많기 때문에 Q치가 약간 낮고, 절연저항이 저하되고, 비유저율의 온도계수가 커진다.
시료번호 21은, 부성분인 Bi2O3의 첨가량이 부적정하기 때문에 Q치나 절연저항이 저하되고, 비유전율의 온도계수가 크게 된다.
시료번호 22는 부성분인 Bi2O3의 첨가량이 적기 때문에 저온소결성도 개선되지 않고 소결체의 밀도가 저하된다. 이때문 비유전이나 Q치가 약간 저하되고 비유전율의 온도계수가 커진다.
시료번호 23, 24, 25는 제1의 첨가물성분인 희토류원소산화물의 양이 부적적하기 때문에 저온소결성이 악화되어 소결체의 밀도가 저하되어 비유전율도 저하된다.
이상과 같이 비교예의 자기커패시터는, 비유전율(ε), 품질계수(Q), 온도특성(TC)중 어느 것이 본 발명의 자기커패시터에 비해 뒤떨어지는 것이 명백하다.
이에 반해 표 3 및 표 4에서 명확한 바와 같이, 본 발명의 자기커패시터는, 고주파수영역에서도 비유전율(ε), 품질계수(Q) 및 절연저항이 함께 높고, 비유전율의 온도계수(TC)가 낮고, 더욱이 어느 것도 안정한 것으로 판명되었다.
또한, 850~900℃의 저온소결에서도 충분한 밀도의 높은 소결체가 얻어져, 전기특성도 만족할 만한 좋은 값이 얻어진다. 금속현미경을 이용하여 본 발명의 자기커패시터의 표면상태를 관찰한 결과, 입계에 공공 등이 확인되지 않으며 치밀한 소결체로 되는 것이 확인되었다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 자기커패시터에 따르면 고주파수영역에서도 높은 비유전율과 높은 품질계수를 실현하면서 비유전율의 온도계수가 작고, 양호한 특성을 발휘시키는 것이 가능하다. 또한, 마이크로파 등의 고주파수영역에서 특성이 안정하고, 고주파수영역에서 디바이스의 신뢰성이 형상된다.
또한, 855~1050℃의 낮은 온도에서 소성가능하기 때문, 내부전극으로 저렴한 비금속 또는 탄소계물질을 이용하는 것이 가능하고, 특성을 저하시키 않고 제조코스를 낮출수 있다.
더욱이, 저온소성이 가능한 것으로 소성에 요구되는 에너지 코스트와 소성시간이 대폭으로 절감할 수 있기 때문에 저렴한 디바이스를 제공할 수 있다.
Claims (15)
- xBaO-ySm2O3-zTiO2(단, x+y+z=1, 0.05≤x≤0.30, 0.05≤y≤0.20, 0.65≤z≤0.75)로 이루어지는 주조성물에, 부성분으로서 PbO를 0.1~10중량%와 Bi2O3을 0.05~15중량% 및 그라스조성물을 0.5~20중량% 첨가하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유전체 자기조성물.
- 제 1항에 있어서, 상기 주조성물에 대해 Y2O3, Ho2O3, Dy2O3, Yb2O3또는 Ce2O3에서 선택된 적어도 1종이상의 희토류원소산화물을 0.005~2.5중량% 첨가하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유전체 자기조성물.
- 제 1항에 있어서, 상기 유전체 자기조성물 100중량부에 대해 Al2O3을 0.005~2중량부 첨가하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유전체 자기조성물.
- 제 2항에 있어서, 상기 유전체 자기조성물 100중량부에 대해 Al2O3을 0.005~2중량부 첨가하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유전체 자기조성물.
- 제 1 항에 있어서, 상기 그라스조성물은, ZnO-SiO2계 그라스 또는 Li2O-Al2O3-SiO2계 그라스로 되는 것을 특징으로 하는 유전체 자기조성물.
- 제 2항에 있어서, 상기 그라스조성물은, ZnO-SiO2계 그라스 또는 Li2O-Al2O3-SiO2계 그라스로 되는 것을 특징으로 하는 유전체 자기조성물.
- 제 3항에 있어서, 상기 그라스조성물은, ZnO-SiO2계 그라스 또는 Li2O-Al2O3-SiO2계 그라스로 되는 것을 특징으로 하는 유전체 자기조성물.
- 제 4항에 있어서, 상기 그라스조성물은, ZnO-SiO2계 그라스 또는 Li2O-Al2O3-SiO2계 그라스로 되는 것을 특징으로 하는 유전체 자기조성물.
- 청구항 1 내지 청구항 8중 어느 한 항 기재의 유전체 자기조성물 소결체의 양면에, 전극을 형성하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 자기커패시터.
- 제 9항에 있어서, 상기 전극은 비금속 또는 탄소계물질로 이루어진 것임을 특징으로 하는 자기커패시터.
- 청구항1 내지 청구항 8중 어느 한 항 기재의 유전체 자기조성물로 이루어진시트상의 소결체와 전극을 교대로 적층하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 자기커패시터.
- 제 11항에 있어서, 상기 전극은 비금속 또는 탄소계물질로 이루어진 것임을 특징으로 하는 자기커패시터.
- xBaO-ySm2O3-zTiO2(단, x+y+z=1, 0.05≤x≤0.30, 0.05≤y≤0.20, 0.65≤z≤0.75)로 이루어지는 주조성물에, 부성분으로서 PbO를 0.1~10중량%와 Bi2O3을 0.05~15중량% 및 그라스조성물을 0.5~20중량% 첨가하고, 필요에 따라 첨가물로서 0.005~2.5중량%의 Y2O3, Ho2O3, Dy2O3, Yb2O3또는 Ce2O3에서 선택된 적어도 1종 이상의 희토류원소산화물, 또는 0.005~2중량부의 Al2O3을 첨가한 분체를 가압성형하여 벌크상 또는 시트상의 성형체로 하고, 이 성형체를 850~1050℃의 온도에서 소성하는 것을 특징으로 하는 유전체 자기조성물의 제조방법.
- xBaO-ySm2O3-zTiO2(단, x+y+z=1, 0.05≤x≤0.30, 0.05≤y≤0.20, 0.65≤z≤0.75)로 이루어지는 주조성물에, 부성분으로서 PbO를 0.01~10중량%와 Bi2O3을 0.05~15중량% 및 그라스조성물을 0.5~20중량% 첨가하고, 필요에 따라 첨가물로서 0.005~2.5중량%의 Y2O3, Ho2O3, Dy2O3, Yb2O3또는 Ce2O3에서 선택된 적어도 1종이상의 희토류원소산화물, 또는 0.005~2중량부의 Al2O3을 첨가한 분체를 벌크상으로 가압성형한 후, 이 벌크상의 성형체의 하나의 주된 면에 전극을 형성하고, 이 성형체를 850~1050℃의 온도에서 소성하는 것을 특징으로 하는 자기커패시터의 제조방법.
- xBaO-ySm2O3-zTiO2(단, x+y+z=1, 0.05≤x≤0.30, 0.05≤y≤0.20, 0.65≤z≤0.75)로 이루어지는 주조성물에, 부성분으로서 PbO를 0.01~10중량%와 Bi2O3을 0.05~15중량% 및 그라스조성물을 0.5~20중량% 첨가하고, 필요에 따라 첨가물로서 0.005~2.5중량%의 Y2O3, Ho2O3, Dy2O3, Yb2O3또는 Ce2O3에서 선택된 적어도 1종이상의 희토류원소산화물, 또는 0.005~2중량부의 Al2O3을 첨가한 분체를 시트상으로 가압성형한 후, 이 시트상의 성형체의 하나의 주된 면에 전극을 형성하고, 이 성형체를 복수개 두께 방향으로 적층 가압하여 적층체로 하고, 이 적층체를 850~1050℃의 온도에서 소성하는 것을 특징으로 하는 자기커패시터의 제조방법.
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