JP3978689B2 - 低温焼成磁器組成物、及びこれを用いたマイクロ波部品 - Google Patents
低温焼成磁器組成物、及びこれを用いたマイクロ波部品 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3978689B2 JP3978689B2 JP13353195A JP13353195A JP3978689B2 JP 3978689 B2 JP3978689 B2 JP 3978689B2 JP 13353195 A JP13353195 A JP 13353195A JP 13353195 A JP13353195 A JP 13353195A JP 3978689 B2 JP3978689 B2 JP 3978689B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- low
- porcelain composition
- temperature
- fired
- silver
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Description
【産業上の利用分野】
本発明は、低温焼成磁器組成物に関し、具体的には銀、銅などの内部電極材料と同時に焼成することが可能な電子機器の回路部品に使用される低温焼成磁器組成物に関する。
【0002】
【従来の技術】
コンデンサ、インダクタなどの電子部品は、小型化に対する要求から積層したチップ部品化が急速に進んでおり、特にUHF帯(300〜3000MHz)を中心とした高周波用チップ部品またそれらを組合せた受動素子を内部に形成した多層配線体においては、性能向上のために内部に形成出来る電極材料の導電率増加、部品の母材となる誘電体材料の誘電損失の低減が必要である。
従来グリーンシート積層法によるセラミック多層配線積層体においては、誘電体層にアルミナ、電極材料には、タングステン、モリブデンを使用し還元性雰囲気中で約1600℃の高温度で焼成を行っていた。
最近では、低温焼成用材料として誘電体材料にガラス材料や、ホウ酸チタン、スズバリウム系材料を用い、電極材料には、金、銀パラジウム、銅、ニッケルを使用し、1000℃以下で焼成出来るセラミック多層体の報告が成されている(エレクトロニク セラミックス 1985年3月号)。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながらアルミナ系多層基板においては焼成温度が1600℃程度と高く還元性雰囲気で焼成されるため工程費用が高く、積層内に実用的な受動素子を形成することは技術的、コスト的に困難が多い。
また、ガラス材料や、ホウ酸チタン、スズバリウム系材料においても高周波で性能の良好な受動素子を内部に構成するためには、なるべく導電率の高い電極材料を使用することが必要であるが、銅を用いる場合酸化銅に変化することを防止するため還元性雰囲気で焼成されるため、積層内に実用的な受動素子を形成することは技術的、コスト的に困難が多い。
また銀パラジウム、ニッケルを電極材料に使用すると導電率が低いため高周波用電子部品として十分な電磁気特性が発揮出来ない。金を電極材料に使用すると導電率に問題は無いが、高価な材料であるためコスト的に不利となる。
本発明の目的は、空気中の雰囲気下900℃付近の低温度で、導電率が高く高周波特性に優れた比較的安価な電極材料である銀と同時焼成可能な低温焼成磁器組成物を提供することである。
【0004】
【課題を解決するための手段】
第1の発明は、Al、Si、Pb、Na、K、Ca、Srの酸化物から構成される磁器組成物で組成比は、重量%でAl2O3 40〜60重量%、SiO2 25〜40重量%、PbO 5〜15重量%、Na2O 0.1〜3重量%、K2O 1〜3重量%、CaO 1〜6重量%、SrO 1〜6重量%から成り、焼結することによりf・Q値が3000GHz以上となる低温焼成磁器組成物である。本発明の低温焼成磁器組成物は、焼結することにより比誘電率は6.35以上となる。そして、最も特徴的なことは銀と同時焼成可能な低温焼成磁器組成物であることである。
第2の発明は、第1の発明の低温焼成磁器組成物をグリーンシートに成形し、導体ペーストを用いてパターン形成した前記グリーンシートを複数枚積層、圧着した成形体を焼結してなマイクロ波部品である。本発明によれば、前記導体ペーストとして、空気中の雰囲気下900℃付近の低温度で、導電率が高く高周波特性に優れた比較的安価な電極材料である銀を使用することが出来る。本発明によれば、電極材料として高い導電率を持つ銀を使用して空気中900℃付近の低温度で焼成可能である。これにより、コスト的にも有利で、かつ高い導電率が得られるため実用的な受動素子をセラミック積層体内部に構成することを容易化できる。また本発明の低温焼成磁器組成物は、電極材料として導電率の高い銅と組合せた場合、還元性雰囲気でも適用可能である。
【0005】
【作用】
Al2O3は、化学的にも安定で強度的にも有利、高周波特性にも優れたフィラーとしての役割を持ち、重量%で40%未満あるいは60%を超える場合、焼結が困難となり誘電損失が大きくなる。
SiO2は、低温焼成の要となるガラス成分の中核を担う成分で25%未満又は40%を超えた場合ガラス化が不十分あるいはガラスの軟化点が高いため焼結が困難となり緻密な材料が得られない。
PbOが5%未満の場合も焼結が困難となり緻密な材料が得られず、15%を超えるとガラスの軟化点が低くなり過ぎるためバインダーが十分に分解する温度に到達する前に緻密化が始まり、積層体の内部にバインダーの分解物であるカーボンが残留し電磁気特性が劣化する。
Na2Oが0.1%未満の場合ガラスの軟化点が高くなり焼結が困難となり緻密な材料が得られず、3%を超えると誘電損失が大きくなり過ぎ測定不能となる。 K2OもNa2Oと同様に1%未満の場合ガラスの軟化点が高くなり焼結が困難となり緻密な材料が得られず、3%を超えると誘電損失が大きくなり過ぎ測定不能となる。
CaOが1%未満の場合焼結が困難となり緻密な材料が得られず、6%を超えると誘電損失が大きくなり過ぎ測定不能となる。
SrOが1%未満の場合焼結が困難になると同時に誘電損失も大きくなる。6%を超えても誘電損失が大きくなり過ぎ測定不能となる。SrO量と誘電損失の程度を示すf・Q値との関係を図1に示す。f・Q値は、その数値が大きい程誘電損失が少なく優れた材料であることを意味する。
この図1は、SrOを0〜10重量%変化させたときのf・Q値を示しており、このときの成分は、Al2O3 55.0−x/2、SiO2 31.0−x/2、CaO 4.0、SrO x、PbO 7.5、Na2O 1.5、K2O 1.0の各重量%である。そして、SrOが1〜6重量%であると、f・Q値が3000GHz以上と、高い値を得ることができる。
【0006】
【実施例】
本発明の低温焼成セラミック組成物の実施例について以下詳細に説明する。
本発明の実施例と比較例の低温焼成セラミックの組成を表1に示す。
【0007】
【表1】
【0008】
(実施例1)
出発原料として、純度99.9%、平均粒径0.5μmのAl2O3粉末、純度99.9%以上、平均粒径0.1μm以下のSiO2粉末、純度99.9%、平均粒径2μmのPbO粉末、純度99.9%、平均粒径0.5〜5μmのCaCO3粉末、SrCO3粉末、Na2CO3粉末、K2CO3粉末を用い、表1に示す重量比率に従って秤量する。
これらの粉末をポリエチレン製のボールミルに投入し更に酸化ジルコニウム製のボールと純水を投入して20時間湿式混合を行う。
混合スラリーを加熱乾燥し水分を蒸発させた後ライカイ機で解砕し、アルミナ製のるつぼに入れて、700〜850℃で2時間仮焼する。仮焼粉末は、前述のボールミルに投入し20〜40時間湿式粉砕を行い、乾燥させ原料粉体とする。この粉体にバインダとしてポリビニルアルコールの10%水溶液を10〜15重量%添加し、乳鉢に混練後、32メッシュのふるいを通過させ整粒し、造粒粉末を得る。この粉末を金型に投入し、2ton/cm2の圧力で加圧成形し、円柱形状の成形体試料を得た。
この試料を空気中にて、600℃まで100℃/hで昇温し、2時間持続後800〜900℃まで200℃/hの速度で昇温し、さらに2時間持続後、200℃/hの速度で冷却して焼成を行い、得られた焼結体の寸法と重量から焼結密度を算出した。また、誘電体共振器法により、共振周波数f0と無負荷Q値Q0を求めた。焼成体の寸法とf0、Q0より、比誘電率及び誘電損失係数tanδの逆数とf0の積よりf・Q値を算出した。共振周波数は8〜14GHzであった。これらの結果を表2に示す。焼成雰囲気は空気中に限定されるものではなく、窒素などの還元性雰囲気下でも同じ誘電特性を示す。尚、試料番号に*印のないものが本発明の実施例であり、試料番号に*印のあるものは本発明の範囲外の比較例である。
【0009】
【表2】
【0010】
(実施例2)
実施例1で得られた粉砕粉を所定量のバインダー(例えばポリビニルブチラール)、可塑剤とともにポリエチレン製のボールミルに投入し更に酸化ジルコニウム製のボールと溶媒(例えばエチルアルコールとブタノール)を投入して20時間湿式混合を行ったスラリーを真空濃縮処理して粘度を調整した。
次に、このスラリーをドクターブレード法によりフィルム上に塗布、乾燥してグリーンシートを得た。このシートを所定の大きさに切断し、部品回路上必要なスルーホールを形成する。このシートのスルーホール部と表面に設計されたパターンに従ってAg電極ペーストを塗布した。電極を形成された各層は積層圧着され、所定の寸法に切断した。得られたチップは、脱脂焼成、バレル研磨を施された後回路基板に電気結合させるための外部電極を形成した。外部電極が銀系の場合、はんだ食われが生じて電気部品としての機械的、電気的信頼性に悪影響を及ぼす可能性があるので、Niめっきを被膜する。更に、はんだ濡れ性向上のために、はんだめっきを形成する。
このようにして得た積層体の斜視図を図2に、等価回路図を図3に示す。この積層体1は、例えば携帯電話等のマイクロ波部品として用いられる分配トランスであり、外形寸法が3.2mm×1.6mm、高さ1.0mmと非常に小型に構成でき、特性も700〜1100MHzにおいて挿入損失0.2dB以下と高品質のものが構成できた。尚、図中2は外部端子電極である。非常に低損失な磁器組成物を用い、導電率が高く高周波特性に優れた銀電極とにより、非常に低損失な積層部品を得ることができた。
【0011】
【発明の効果】
本発明により、安価な銀電極が使用できる空気中900℃程度の低温で焼結可能であり必要に応じて還元性雰囲気で焼成する銅電極も適用可能であり、低損失な誘電体材料が得られた。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る磁器組成物において、SrO量を変化したときのf・Q値のグラフである。
【図2】本発明に係る一実施例の積層体の斜視図である。
【図3】本発明に係る一実施例の積層体の等価回路図である。
Claims (6)
- Al、Si、Pb、Na、K、Ca、Srの酸化物から構成される磁器組成物で組成比は、重量%でAl2O3 40〜60重量%、SiO2 25〜40重量%、PbO 5〜15重量%、Na2O 0.1〜3重量%、K2O 1〜3重量%、CaO 1〜6重量%、SrO 1〜6重量%から成り、焼結することによりf・Q値が3000GHz以上となることを特徴とする低温焼成磁器組成物。
- 焼結することにより比誘電率が6.35以上となることを特徴とする請求項1に記載の低温焼結磁器組成物。
- 銀と同時焼成可能なことを特徴とする請求項1又は2に記載の低温焼結磁器組成物。
- 請求項1乃至3のいずれかに記載された低温焼成磁器組成物と、銀とを同時焼成してなることを特徴とするマイクロ波部品。
- 請求項1乃至3のいずれかに記載された低温焼成磁器組成物をグリーンシートに成形し、導体ペーストを用いてパターン形成した前記グリーンシートを複数枚積層、圧着した成形体を焼結してなることを特徴とするマイクロ波部品。
- 前記導体ペーストが銀であることを特徴とする請求項5に記載のマイクロ波部品。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13353195A JP3978689B2 (ja) | 1995-05-31 | 1995-05-31 | 低温焼成磁器組成物、及びこれを用いたマイクロ波部品 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13353195A JP3978689B2 (ja) | 1995-05-31 | 1995-05-31 | 低温焼成磁器組成物、及びこれを用いたマイクロ波部品 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08325055A JPH08325055A (ja) | 1996-12-10 |
JP3978689B2 true JP3978689B2 (ja) | 2007-09-19 |
Family
ID=15106985
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13353195A Expired - Fee Related JP3978689B2 (ja) | 1995-05-31 | 1995-05-31 | 低温焼成磁器組成物、及びこれを用いたマイクロ波部品 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3978689B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002368531A (ja) * | 2001-06-06 | 2002-12-20 | Hitachi Metals Ltd | 表面実装型アンテナとその製造方法 |
JP4747533B2 (ja) * | 2003-10-31 | 2011-08-17 | 株式会社村田製作所 | セラミック電子部品の製造方法 |
-
1995
- 1995-05-31 JP JP13353195A patent/JP3978689B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH08325055A (ja) | 1996-12-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5056528B2 (ja) | 絶縁体セラミック組成物およびそれを用いた絶縁体セラミック | |
EP0926107B1 (en) | Dielectric ceramic composition and ceramic electronic parts using the same | |
JP3223199B2 (ja) | 多層セラミック部品の製造方法および多層セラミック部品 | |
JP2001114554A (ja) | 低温焼成セラミック組成物及びセラミック多層基板 | |
JP4392633B2 (ja) | マイクロ波用誘電体磁器組成物およびその製造方法ならびにマイクロ波用誘電体磁器組成物を用いたマイクロ波用電子部品 | |
JP3523280B2 (ja) | 多層セラミック部品の製造方法 | |
US6436332B1 (en) | Low loss glass ceramic composition with modifiable dielectric constant | |
JP3978689B2 (ja) | 低温焼成磁器組成物、及びこれを用いたマイクロ波部品 | |
US8343883B2 (en) | Dielectric ceramic composition and electronic component using the same | |
KR100444225B1 (ko) | 유전체 자기 조성물, 이를 이용한 자기 커패시터 및 그 제조방법 | |
JP2002356371A (ja) | 誘電体磁器組成物及び積層セラミックコンデンサ | |
KR100444221B1 (ko) | 유전체 자기 조성물, 이를 이용한 자기 커패시터 및 그 제조방법 | |
KR100343523B1 (ko) | 세라믹 전자 장치의 제조 방법 | |
KR100359721B1 (ko) | 저온에서 금속전극과 동시 소성가능한 유전체 세라믹 조성물 | |
JP2000239061A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
JP2006056762A (ja) | セラミック原料組成物、セラミック基板およびその製造方法 | |
JP2005335986A (ja) | セラミック原料組成物、セラミック基板およびその製造方法 | |
JP3793557B2 (ja) | ガラスセラミック焼結体およびそれを用いた多層配線基板 | |
KR100452817B1 (ko) | 유전체 자기 조성물, 이를 이용한 자기 커패시터 및 그 제조방법 | |
KR100444220B1 (ko) | 유전체 자기 조성물, 이를 이용한 자기 커패시터 및 그 제조방법 | |
JP4618856B2 (ja) | 低温焼成磁器 | |
JP4129384B2 (ja) | 誘電体磁器およびそれを用いた多層配線基板 | |
JP4761647B2 (ja) | セラミック組成物およびそれを用いた多層配線基板 | |
JP2004231454A (ja) | 低温焼成磁器および配線基板 | |
KR20050091961A (ko) | 저온소성 세라믹 다층 패키지용 고유전율 유전체 세라믹조성물 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041012 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050318 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050428 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050826 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050913 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070223 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070302 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070601 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070614 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100706 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100706 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110706 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110706 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120706 Year of fee payment: 5 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |