JP4129384B2

JP4129384B2 - 誘電体磁器およびそれを用いた多層配線基板

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Publication number: JP4129384B2
Application number: JP2002314965A
Authority: JP
Inventors: 洋二古久保
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2002-10-29
Filing date: 2002-10-29
Publication date: 2008-08-06
Anticipated expiration: 2022-10-29
Also published as: JP2004149341A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、誘電体磁器および多層配線基板に関し、特に、高誘電率を有する誘電体磁器と、かかる誘電体磁器を具備した多層配線基板に関するものである。
【０００２】
【従来技術】
近年、移動通信端末やパーソナルコンピュータ等に代表される情報処理装置では、情報処理速度の高速化、装置の小型化、多機能化などが進められている。このような情報処理装置の性能向上は、主として、ＬＳＩ等の半導体素子の高集積化、高速化、高機能化によって実現されている。しかしながら、半導体素子が高速化、高性能化しても、このような半導体素子を搭載する多層配線基板での信号遅延や電源電圧変動等によるノイズによって、機器としての動作が制限されることがあった。
【０００３】
一方、半導体素子を搭載するために用いられる多層配線基板としては、従来、タングステンなど高融点金属をメタライズ配線層とし、アルミナ質の絶縁層により構成される多層配線基板が用いられていたが、高融点金属は導電性が低く、また、アルミナ質絶縁層は比誘電率が約１０と大きいことから、高い伝送特性が得られ難くなっていた。また、アルミナ質絶縁層の場合、多層配線基板が実装されるプリント基板等の外部回路基板との熱膨張係数差が大きいために、熱サイクルによる信頼性の低下等の問題も生じることがあった。
【０００４】
そこで、これらの問題を解決するため、導電性の高い銅や銀等の低融点金属をメタライズ配線層として用いることができ、アルミナ質の絶縁層に比較して比誘電率の低い低温焼成セラミックにより構成される多層配線基板の研究が活発に行われている。
【０００５】
さらに、多層配線基板では、半導体素子のクロック回路の高周波化と消費電力の増加に伴って、電源供給用としてデカップリングコンデンサが必要となってきている。
【０００６】
その方法としては、チップ部品である積層型コンデンサを多層配線基板の表面に半導体素子に隣接して設置する方法が採用されているが、近年、上記のチップ部品を多層配線基板の内部に取り込むこと、即ち、コンデンサ層を内層化することによって、多層配線基板自体に機能性を付与し、基板としても小型化しようとする試みがなされている。
【０００７】
例えば、特許文献１によれば、他の複数の絶縁セラミック層間に内層されるコンデンサ層として、ＢａＯ−ＴｉＯ₂−（Ｎｄ_1-mＭｅ_m）Ｏ_3/2（但し、Ｍｅはランタノイド系元素を示し、０≦ｍ≦１．０）で表わされる誘電体セラミック成分に、酸化バリウム、酸化けい素および酸化ホウ素からなるガラス成分を混合、焼成したものが用いられると、記載されている。
【０００８】
【特許文献１】
特開２０００−２８１４３６号公報
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記特許文献１に開示された誘電体磁器では、前記した高誘電率フィラーに対して、ＢａＯ、ＳｉＯ₂、およびＢ₂Ｏ₃等の金属酸化物を、それぞれ単味で添加し混合して焼成しているために高誘電率フィラーと金属酸化物とが反応しやすく、このため高いＱ値が得られているものの、半導体素子のさらなる高速、高周波化によって必要とされる静電容量に対して比誘電率が未だ低いという問題があった。
【００１０】
従って本発明は、誘電率の更なる向上を図った誘電体磁器とそれを用いた多層配線基板を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明の誘電体磁器は、ＢａＯを２０〜５０質量％、ＳｉＯ_２を１０〜５０質量％、Ｂ_２Ｏ_３を１０〜４０質量％およびＴｉＯ_２を２〜２０質量％の割合で構成されるガラス成分２０〜８０質量％と、Ｂａ_１−ＸＳｒ_ＸＴｉＯ_３（Ｘ＝０．０５〜０．２）からなる高誘電率フィラー２０〜８０質量％とを混合し、焼成して得られたものであることを特徴とする。
【００１２】
このような構成によれば、チタン酸塩からなる高誘電率フィラーに対して、ＢａＯ、ＳｉＯ₂、Ｂ₂Ｏ₃およびＴｉＯ₂からなるガラス成分を混合しているために、焼成時において、高誘電率フィラーとガラス成分とが反応しにくいことから、ガラス成分からなるガラスのマトリクス中に高誘電率フィラーを孤立して存在させ、混合された高誘電率フィラーの特性を充分に発現させることができ、高誘電率化を図ることができる。
【００１３】
また、ガラス成分中にＴｉＯ_２を含有せしめたことにより、ガラス成分自体の比誘電率を高めることでき、このため誘電体磁器の比誘電率をさらに高めることができる。また、高誘電率フィラーが、ＢａＴｉＯ_３のＢａ成分の一部をＳｒで置換したものであるので、熱膨張係数も高くでき、このためプリント基板などへの実装信頼性を向上させることができる。さらに、高誘電率フィラーが、Ｂａ_１−ＸＳｒ_ＸＴｉＯ_３（Ｘ＝０．０５〜０．２）であることにより、ガラス成分と混合して焼成したとしても、チタン酸塩の中でも特に高い比誘電率を有するＢａＴｉＯ_３系の材料を用いたのと同等の、高い比誘電率の誘電体磁器を形成できる。こうして、近年、高速、高周波化する半導体素子に対しても必要なデカップリングコンデンサに必要な高い静電容量のコンデンサ層を形成することができる。
【００１４】
上記誘電体磁器では、ガラス成分の屈伏点が４００〜７００℃であることが望ましい。ガラス成分の屈伏点がこのような温度範囲であれば、高誘電率フィラーとの反応を抑制でき、高誘電率フィラーの誘電特性を高く維持したままで焼結体を形成できる。
【００１７】
また、本発明の多層配線基板は、複数の絶縁層が積層された絶縁基板の表面および／または内部にメタライズ配線層が配設されてなる多層配線基板であって、前記絶縁層の少なくとも１層が、上記の誘電体磁器であることを特徴とする。このような構成によれば、多層配線基板に内層される絶縁層の少なくとも１層を高誘電率層とすることができ、静電容量の高いコンデンサ層を得ることができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
本発明の誘電体磁器は、ＢａＯを２０〜５０質量％、ＳｉＯ_２を１０〜５０質量％、Ｂ_２Ｏ_３を１０〜４０質量％およびＴｉＯ_２を２〜２０質量％の割合で構成されるガラス成分を２０〜８０質量％と、Ｂａ_１−ＸＳｒ_ＸＴｉＯ_３（Ｘ＝０．０５〜０．２）からなる高誘電率フィラーを２０〜８０質量％とを含有してなることが重要である。
【００１９】
一方、ガラス成分量が２０質量％より少ない場合には、磁器の焼結密度を高めることが困難となり、他方、８０質量％より多い場合には、磁器が溶融しやすく、また、高誘電率フィラー量が少なくなるために、磁器の比誘電率を高くできない。
【００２０】
ガラス成分量については、焼結密度を高めるという理由から、３０〜６０質量％、高誘電率フィラー量が４０〜７０質量％であることがより望ましい。
【００２１】
ガラス成分を構成するＢａＯは、ガラス成分中で、２０質量％より少ない場合には、高誘電率フィラーと混合して焼成される誘電体磁器の熱膨張係数を高くすることが困難となり、一方、５０質量％より多い場合には、磁器の耐薬品性が劣化しやすい。そして、ガラス成分中のＢａＯは２６〜４６質量％の範囲であることがより望ましい。
【００２２】
また、ＳｉＯ₂は、ガラス成分中で、１０質量％より少ない場合には、ガラスの形成が困難となり、一方、５０質量％より多い場合には、屈伏点が高くなり誘電体磁器の焼結性が劣化するとともに、チタン酸塩との反応により、シリケート化合物を形成しやすく、比誘電率の低下を招く恐れがある。そして、ＳｉＯ₂は１９〜３９質量％の範囲であることが望ましい。
【００２３】
また、Ｂ₂Ｏ₃は、１０質量％より少ない場合には、ガラス成分の屈伏点が高くなり、４０質量％より多い場合には、屈伏点が所望の温度範囲よりも低下してしまう。そして、Ｂ₂Ｏ₃は１５〜３５質量％の範囲であることが望ましい。
【００２４】
さらに、ガラス成分を構成するＴｉＯ₂は、２質量％より少ない場合は、ガラスの比誘電率が低くなる恐れがある。２０質量％より多い場合は、他の金属酸化物との関係で屈伏点の変化をきたす恐れがある。
【００２５】
そして、上記の組成で構成されるガラス成分の屈伏点は、ガラス成分と混合される高誘電率フィラーとの濡れ性を高めるという理由から、４００〜７００℃であることが望ましく、特には、５００〜５８０℃であることがより望ましい。
【００２６】
本発明の誘電体磁器を構成する高誘電率フィラーとしては、チタン酸塩の中でも、特に、比誘電率の高い強誘電性を示すＢａ_１−ＸＳｒ_ＸＴｉＯ_３（Ｘ＝０．０５〜０．２）を用いる。Ｂａの一部をＳｒで置換することにより、チタン酸塩単体での比誘電率が高いことから誘電体磁器の比誘電率を高く維持することができるとともに熱膨張係数を高めることができる。
【００２７】
つまり、Ｂａ_１−ＸＳｒ_ＸＴｉＯ_３化合物の特性は、Ｘの値によることが知られ、所望の熱膨張係数および比誘電率を達成するためには、高誘電率フィラーとしての組成も適宜調整することが必要であり、Ｘ＝０．０５〜０．１５が望ましく、このような高誘電率フィラー単体の比誘電率は２０００以上、特には３０００以上であることが望ましい。
【００２８】
また、上記したように、Ｂａの一部をＳｒで置換した化合物では、誘電体磁器の熱膨張係数を高めることができることため、プリント基板への２次実装信頼性を向上させることができる。
【００２９】
本発明の誘電体磁器は、前述した組成からなるガラス粉末２０〜８０質量％と、チタン酸塩として、例えば、Ｂａ_１−ＸＳｒ_ＸＴｉＯ_３粉末（ただしＸ＝０．０５〜０．２）２０〜８０質量％とを混合し、成形し、焼成して作製される。
【００３０】
本発明のＢａ_1-XＳｒ_XＴｉＯ₃粉末は、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＴｉＯ₂を所定の組成になるように混合したものを一旦、温度１２００〜１４００℃で１〜３時間仮焼を行いＢａ_1-XＳｒ_XＴｉＯ₃粉末を合成する。この後、アルミナ製磁器のボールミルを用い、溶媒にアセトンを使用して平均粒径１〜３μｍになるまで粉砕することにより調製する。
【００３１】
本発明のガラス成分は、ＢａＯ、ＳｉＯ₂、Ｂ₂Ｏ₃およびＴｉＯ₂それぞれの混合粉末を坩堝内で溶融したものを水冷ロール板で急令したものをボールミルにより平均粒径１〜１０μｍに粉砕したものをガラス粉末とする。
【００３２】
上記のガラス粉末と、フィラー粉末との混合物は、適当な有機樹脂バインダーを添加した後、所望の成形手段、例えば、金型プレス、冷間静水圧プレス、射出成形、押し出し成形、ドクターブレード法、カレンダーロール法、圧延法等により任意の形状に成形する。
【００３３】
その後、上記の成形体を、還元雰囲気中１０００℃以下で焼成する。この時、成形体の収縮開始温度は７００℃以上程度であることが望ましく、かかる収縮開始温度がこれより低いとバインダーの除去が困難となるため、成形体中の結晶化ガラスの特性、特に屈伏点を前述したように制御するとともに、適正なガラス量を選択することが必要となる。しかも１０００℃以下での焼成温度で焼成可能であるため、銅等の低抵抗金属との同時焼成が可能である。
【００３４】
このようにして作製された本発明の誘電体磁器は、４０〜４００℃における熱膨張係数が１３×１０^−６〜１８×１０^−６／℃以上であり、かつ１ＭＨｚ〜３ＧＨｚにおける比誘電率が１００以上であることがより望ましい。
【００３５】
また、本発明によれば、上記誘電体磁器は、高絶縁性、高誘電率、高熱膨張性を有することから多層配線基板の絶縁基板材料として好適に用いることができ、特に、本発明では、ガラス成分中にＢａＯおよびＴｉＯ₂を含有しており、高誘電率フィラーとして混合されるＢａＴｉＯ₃と同じ成分であることから、高誘電率フィラーとガラス成分とが反応したとしても誘電体磁器の比誘電率を高く維持できる。
【００３６】
図１に本発明の誘電体磁器を具備する多層配線基板の一例を概略断面図に示す。
【００３７】
図１の多層配線基板によれば、絶縁層１ａ、１ｂ、１ｃが多層に積層された絶縁基板１の表面および／また内部にメタライズ配線層２が配設されている。そして、絶縁層１ａ〜１ｃのうち絶縁層１ｂを上記高誘電率の誘電体磁器によって形成する。また、この高誘電率層１ｂの上下にＣｕなどの導体から成る電極３を形成してコンデンサ層を形成し、スルーホール導体４などを経由して絶縁基板１表面のメタライズ配線層２と接続することにより静電容量を取り出すことができる。
【００３８】
即ち、本発明の多層配線基板は、絶縁基板１の内部に設けられた一対の電極３が高誘電率層１ｂを挟持し、高誘電率層１ｂと一対の電極３でコンデンサ層を具備していることを特徴とするものであり、特に、絶縁層１ａ、１ｂ、１ｃうちの少なくとも１層が、本発明の誘電体磁器であることが重要である。
【００３９】
この場合、絶縁層１ａ、１ｃは、４０〜４００℃における熱膨張係数が６〜１８×１０^-6／℃の範囲であり、かつ１ＭＨｚ〜３ＧＨｚにおける比誘電率が１０未満、誘電正接が５０×１０^-4以下であることが、前記高誘電率層１ｂとの同時焼結性、積層安定性などの点から望ましい。
【００４０】
この絶縁層１ａ、１ｃを形成する誘電体磁器は、前記高誘電率層１ｂを構成する前記誘電体磁器におけるチタン酸塩に換えて、前記他のフィラー成分を配合したもの、特に、クオーツ、クリストバライト、フォルステライト、エンスタタイト、リチウムシリケート、セルジアンによって置換した組成物からなることが高熱膨張化の点で望ましい。これによって、同一のガラス成分から形成されることから、絶縁層１ａ、１ｃと高誘電率層１ｂとを同時焼成によって形成することが可能となる。
【００４１】
このような絶縁層１ａ、１ｃを具備する多層配線基板は、前述したガラス粉末、およびフィラー粉末からなる低誘電率のセラミックス組成物に、適当な有機バインダー、溶剤、可塑材を添加混合することによりスラリーを作製し、かかるスラリーを周知のドクターブレード等の塗工方式によるグリーンシート成形法により、絶縁層１ａ、１ｃ用の絶縁層用グリーンシート（低誘電率グリーンシート）を作製する。
【００４２】
そして、メタライズ配線層２として、適当な金属粉末に有機バインダー、溶剤、可塑材を添加混合して得た金属ペーストを前記低誘電率グリーンシートに周知のスクリーン印刷法により、所定のパターンに印刷塗布する。また、場合によっては、前記グリーンシートに適当な打ち抜き加工によって貫通孔を形成し、この貫通孔内に導体ペーストを充填する。
【００４３】
一方、上記と同様の方法により高誘電率層１ｂ形成用のグリーンシートを作製し、打ち抜き加工による貫通孔の形成や、導体ペーストの印刷によって電極３を形成する。
【００４４】
そして、上記絶縁層用セラミックグリーンシートと誘電体層用グリーンシートとを積層し、グリーンシート積層体とメタライズを同時焼成することにより、コンデンサとして機能する高誘電率層１ｂを内蔵する多層配線基板を得ることができる。
【００４５】
本発明によって、コンデンサとして機能する高誘電率層１ｂを内蔵した多層配線基板は、４０〜４００℃における熱膨張係数が１３×１０^−６〜１８×１０^−６／℃、特に、１３×１０^−６〜１６×１０^−６／℃の範囲であることから、有機樹脂を含有するプリント基板（４０〜４００℃における熱膨張係数が約１２〜１５×１０^−６／℃）に、ＢＧＡやＬＣＣなどのボール状半田端子や半田を介して実装した場合においても、温度サイクルに対する長期信頼性の実装が可能である。しかも、コンデンサとして機能する高誘電率層１ｂを内蔵することにより、配線基板やプリント基板の表面にコンデンサ素子などを別途実装する必要がないために、配線基板やプリント基板などの外部回路基板の小型化を同時に図ることができる。
【００４６】
また、本発明の多層配線基板は、半導体素子を搭載するための半導体素子収納用パッケージ等として利用するだけでなく、弾性表面波、水晶振動子などを搭載可能な配線基板としても利用でき、さらに誘電体磁器は、ＬＣフィルタなどの積層電子部品における絶縁体としても活用することもできる。
【００４７】
以上のように構成した本発明の誘電体磁器およびこれを用いた多層配線基板は、コンデンサ機能を基板内部に内蔵でき、外付けの積層型コンデンサの点数削減によるコスト低下が達成できると共に基板自体の低背化および小型化に貢献できるため、各種のＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）やＣＳＰ（チップスケールパッケージ）、ＬＣＣ（リードレスチップキャリア）等の用途として好適に利用することができる。さらには、前記メタライズ配線層２は、金、銀、銅のうち少なくとも１種類以上を主成分とすることが好ましく、これにより、配線抵抗を小さくする事ができ、このことにより多層配線基板の伝送特性を高めることができる。
【００４８】
【実施例】
ガラス粉末の原料粉末として、ＳｉＯ₂粉末、Ｂ₂Ｏ₃粉末、ＢａＯ粉末、ＴｉＯ₂粉末を準備して表１の組成に混合し、それぞれの混合粉末を坩堝内で溶融したものを水冷ロール板で急令したものをボールミルにより平均粒径３．５μｍに粉砕したものをガラス粉末とした。
【００４９】
【表１】

【００５０】
高誘電率フィラーとしてはＢａＴｉＯ₃、Ｂａ_1-XＳｒ_XＴｉＯ₃（Ｘ＝０〜０．２）、ＳｒＴｉＯ₃およびＣａＴｉＯ₃を用意した。これらは、ＢａＯ、ＣａＯ、ＳｒＯおよびＴｉＯ₂を所定量混合して、温度１３００℃で２時間仮焼を行って合成した。
【００５１】
これら原料を表２に示す割合に混合し、更に溶剤を加えてボールミルを用いて粉砕混合した後、有機バインダー、可塑材を加えて混合してスラリーを作製した。次いで、得られたスラリーを用いてドクターブレード法により誘電体層用グリーンシートをそれぞれ作製した。この誘電体層用グリーンシートの厚みは７０μｍに調整した。
【００５２】
電極用ペーストとして、金、銀、銅粉末をそれぞれ主成分とし、これにガラス粉末、フィラーを混合したものに、アクリル樹脂、α―テルピネオール、フタル酸ジブチル等を適宜混合し、ペースト化したものを用いた。
【００５３】
得られた絶縁層と誘電体層を用いてコンデンサ容量測定サンプルとして直径３０ｍｍの内層パターン（ベタ）を印刷し焼成し作製した。コンデンサ容量測定サンプルは、ブリッジ回路法にて、１ＭＨｚでの比誘電率を測定した。判定基準としては比誘電率２０以上を合格とした。また、熱膨張率測定サンプルとして、３×４×１０ｍｍの直方体を作製した。熱膨張率測定サンプルは、ＴＭＡ法により、１０℃／分で加熱し、４０〜４００℃の線熱膨張係数を測定した。
【００５４】
次に、上記のガラス成分５０質量％に対して、フィラーとしてクオーツを５０質量％添加してなる組成物（焼成後の４０〜４００℃における線熱膨張係数：９．０×１０^-6／℃、１ＭＨｚにおける比誘電率：５．７）を用意し、上記誘電体磁器と全く同様な方法で厚さ１８０μｍの絶縁層用グリーンシートを作製した。
【００５５】
また、前記した誘電体磁器の作製で用いた厚み７０μｍの高誘電率層用のグリーンシートの両面および、前記絶縁層用グリーンシートに電極用ペーストをスクリーン印刷法で塗布した。また、各グリーンシートの所定箇所にビアホールを形成しその中にも銅メタライズペーストを充填した。
【００５６】
次に、上記高誘電率層用のグリーンシートの上下に、上記絶縁層用グリーンシートを１枚ずつ、計３枚を積層圧着した後、外形４７．５ｍｍ×４７．５ｍｍの大きさに切断し焼成して多層配線基板を作製した。なお、この多層配線基板には、２次実装信頼性試験用評価サンプルとして、パッド数は１３６９ピンを有する評価パターン（デージーチェーン）を形成した。このようにして作製した多層配線基板にはクラックは見られなかった。そこで、この多層配線基板をプリント配線板との２次実装信頼性評価サンプルとして使用した。２次実装信頼性測定サンプルは共晶半田ボールによりプリント配線板に実装し、−４０〜１２５℃の温度サイクル試験に投入した。判断基準としては１０００サイクル以上を合格とした。
【００５７】
一方、比較例として、高誘電率フィラーとしてＢａＴｉＯ₃を用い、ガラス成分として、ＢａＯ４０質量％、ＳｉＯ₂４０質量％、Ｂ₂Ｏ₃２０質量％からなるガラス粉末を用いた試料を作製して本発明品と同様の評価を行った。その結果を表２に示した。
【００５８】
【表２】

【００５９】
表２の結果から明らかなように、試料Ｎｏ．２〜６、８〜１４では、何れも比誘電率が２０以上と高く、かつ熱膨張率も８×１０^−６／℃以上と大きく、２次実装信頼性も優れる結果となった。特に、本発明の範囲内の試料番号１０では、比誘電率が１７０と高いとともに、熱膨張係数が１３×１０^−６と特に大きいため、２次実装信頼性でも特によい結果となった。
【００６０】
また、ガラス成分がＢａＯ、ＳｉＯ₂、Ｂ₂Ｏ₃およびＴｉＯ₂を含み屈伏点が５６０〜６８０℃のガラス成分Ａ、Ｃ、ＤおよびＥを用いた試料Ｎｏ．２〜６、８〜１０、１２〜１４では、誘電体磁器の比誘電率が２５以上、ガラス成分の屈伏点が５６０〜６５０℃のガラス成分Ａ、Ｄ、Ｅに対し、高誘電率フィラーとしてＢａＴｉＯ₃あるいはＢａ_0.95Ｓｒ_0.5ＴｉＯ₃を用いた試料Ｎｏ．２〜６、８〜１０、１３、１４では比誘電率が５０以上、特に、屈伏点が５６０℃のガラス成分Ａを用い、かつ高誘電率フィラーとして、ＢａＴｉＯ₃もしくはＢａ_0.95Ｓｒ_0.05ＴｉＯ₃を用いた試料Ｎｏ．２〜６、１０では比誘電率が７５以上、１７０以上となり、最高で２６５と極めて高い比誘電率が得られた。
【００６１】
一方、本発明外の試料Ｎｏ．１では、ガラス成分量が少ないために試料が未焼結となり、試料Ｎｏ．７では、高誘電率フィラー量が少ないために比誘電率が低かった。また、試料Ｎｏ．１５では、ＴｉＯ₂を含有しないガラス成分を用いて作製したために、高誘電率フィラーとしてＢａＴｉＯ₃を含有させても比誘電率が１３と低かった。
【００６２】
【発明の効果】
以上詳述したように、本発明の誘電体磁器は、Ｂａ_１−ＸＳｒ_ＸＴｉＯ_３（Ｘ＝０．０５〜０．２）からなる高誘電率フィラーに対して、ＢａＯ、ＳｉＯ_２、Ｂ_２Ｏ_３およびＴｉＯ_２からなるガラス成分を混合しているために、焼成時において、高誘電率フィラーとガラス成分とが反応しにくいことから、ガラス成分からなるガラスのマトリクス中に高誘電率フィラーを孤立して存在させ、混合された高誘電率フィラーの特性を充分に発現させることができ、高誘電率化を図ることができる。
【００６３】
特に、用いているガラス成分中にＴｉＯ₂を含有せしめたことにより、ガラス成分自体の比誘電率をも高めることでき、このため誘電体磁器の比誘電率をさらに高めることができる。こうして、近年、高速、高周波化する半導体素子に対しても必要なデカップリングコンデンサに必要な高い静電容量のコンデンサ層を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の多層配線基板を示す概略断面図である。
【符号の説明】
１絶縁基板
１ａ、１ｃ絶縁層（低誘電率層）
１ｂ絶縁層（高誘電率層）
２メタライズ配線層
３電極
４スルーホール導体
５・・・半導体
６・・・接続バンプ

Claims

ＢａＯを２０〜５０質量％、ＳｉＯ_２を１０〜５０質量％、Ｂ_２Ｏ_３を１０〜４０質量％およびＴｉＯ_２を２〜２０質量％の割合で構成されるガラス成分２０〜８０質量％と、Ｂａ _１−ＸＳｒ _ＸＴｉＯ _３（Ｘ＝０．０５〜０．２）からなる高誘電率フィラー２０〜８０質量％とを混合し、焼成して得られたものであることを特徴とする誘電体磁器。
前記ガラス成分の屈伏点が４００〜７００℃であることを特徴とする請求項１に記載の誘電体磁器。
複数の絶縁層が積層された絶縁基板の表面および／または内部にメタライズ配線層が配設されてなる多層配線基板であって、前記絶縁層の少なくとも１層が、請求項１または２に記載の誘電体磁器であることを特徴とする多層配線基板。