JP2003347732A

JP2003347732A - セラミック基板及びその製造方法

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Publication number: JP2003347732A
Application number: JP2002154414A
Authority: JP
Inventors: Yoji Furukubo; 洋二古久保
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2002-05-28
Filing date: 2002-05-28
Publication date: 2003-12-05
Anticipated expiration: 2022-05-28
Also published as: JP4045127B2

Abstract

(57)【要約】【課題】内蔵コンデンサ以外の部位において信号遅延を
防止したセラミック基板とその製造方法を提供する。【解決手段】絶縁層２を主体とする積層体の表面及び／
又は内部にメタライズ配線層５が設けられ、コンデンサ
を内部に具備するセラミック基板１において、前記コン
デンサが誘電体層３と、該誘電体層３を挟持するように
設けられた一対の電極とからなり、該誘電体層３の周囲
に、比誘電率が該誘電体層３よりも低く、且つ前記絶縁
層２よりも高い中間層４が設けられてなることを特徴と
するもので、前記誘電体層３の比誘電率が、前記絶縁層
２の比誘電率よりも５以上大きく、前記中間層４が、前
記誘電体層２の少なくとも１成分と前記絶縁層２の少な
くとも１成分とを含有することが好ましい。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、コンデンサを内蔵
したセラミック基板とその製造方法に関するものであ
る。

【０００２】

【従来技術】従来、多層配線基板は、絶縁層が多層に積
層された絶縁基板の表面または内部にメタライズ配線層
が配設された構造からなり、代表的な例として、ＬＳＩ
等の半導体素子収納用パッケージが挙げられる。このよ
うなパッケージとしては、絶縁層がアルミナ等のセラミ
ックスからなるものが多用され、さらに最近では、銅メ
タライズと同時焼成を可能にしたガラスセラミックスを
絶縁基板とするものも実用化されている。

【０００３】このようなセラミック多層配線基板におい
ては、伝送速度が誘電率の平方根に反比例することか
ら、低誘電率化が進んでおり、絶縁材料の誘電率として
は４〜８が一般的である。

【０００４】また、このようなセラミック多層配線基板
においては通常、電源供給用のコンデンサがパッケージ
の上面に外付けされており、実装面積の増加による部品
の大型化やコストの増加を招いている。このようなコン
デンサを接続するためには、ヴィアホールあるいはメタ
ライズ配線層により引き回しをせねばならず、これら配
線によるインダクタンス機能により、伝送速度が低下す
るという問題（ループインダクタンス）も明らかになっ
ている。

【０００５】そこで、アルミナセラミックスを絶縁層と
し、この絶縁層の組成に高融点金属を加えることによっ
て誘電率を高めた高誘電率層を形成し、絶縁層と高誘電
率層とを一体化して焼成することによって、アルミナ質
絶縁基板の内部にコンデンサを形成した多層配線基板が
特開平３−８７０９１号公報に提案されている。

【０００６】そのようなセラミック基板２１は、図３に
示すように、絶縁層２２、誘電体層２３が積層され、内
部及び／又は表面にメタライズ配線層２５が形成されて
いる。内部には電極パターン２５ａ、配線パターン２５
ｂ、ヴィアパターン２５ｃが金属を主成分とする導体ペ
ーストにより形成されている。セラミック基板２１の内
部には、一対の電極パターン２５ａが誘電体層２３を挟
持してコンデンサが形成され、また、セラミック基板２
１の表面には、接続バンプ２７を介して半導体２８が搭
載されている。

【０００７】しかし、特開平３−８７０９１号公報に記
載の基板が、アルミナ質であり、配線材料がタングステ
ンまたはモリブデンであるため導体抵抗が大きくなると
いう問題点があった。

【０００８】このような背景から、本出願人は、硼珪酸
ガラスとＭｏ，Ｗ，Ｒｅ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｒ
ｈ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ａｕ，Ａｇのうち少なくとも一種とア
ルミナ、石英、コージェライト及びムライトのうち少な
くとも一種を含有することを特徴とする高誘電率ガラス
セラミックスを、特開平８−２１３２７１号公報で提案
した。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開平
８−２１３２７１号公報のセラミック基板は、低誘電率
層をベースとした多層セラミック基板の内部に高誘電率
層を形成し、かかる部分にコンデンサ機能を形成し、実
装面積やコスト、ループインダクタンスの低減を図るこ
とができたものの、コンデンサ機能を形成した高誘電体
層に、信号線を形成した場合、伝送速度が低下するとい
う問題が生じた。

【００１０】従って本発明は、内蔵コンデンサ以外の部
位において信号遅延を防止したセラミック基板とその製
造方法を提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明は、比誘電率の高
い誘電体層のうち、コンデンサの形成箇所の周囲におい
て、焼成時に誘電体層と絶縁層とを反応させて高誘電率
の誘電体層を低誘電率化することにより、十分なコンデ
ンサ機能を保持しつつ、コンデンサ周囲の比誘電率を低
下させ、高速伝送が可能な信号伝達に関与する部位を創
出したものであり、コンデンサを内蔵する高機能性を維
持しつつ、コンデンサ周囲の信号伝送の高速化によって
特性向上及び部品の小型化を実現したものである。

【００１２】即ち、本発明のセラミック基板は、絶縁層
を主体とする積層体の表面及び／又は内部にメタライズ
配線層が設けられ、且つ誘電体層と、該誘電体層を挟持
するように設けられた一対の電極とからなるコンデンサ
を内部に具備するセラミック基板において、前記誘電体
層の周囲に、比誘電率が該誘電体層よりも低く、且つ前
記絶縁層よりも高い中間層が設けられてなることを特徴
とする。

【００１３】特に、前記誘電体層の比誘電率が、前記絶
縁層の比誘電率よりも５以上大きいことが好ましい。こ
れにより、コンデンサとしての機能をさらに高め、且つ
より高速の伝送に寄与することができる。

【００１４】また、前記中間層が、前記誘電体層の少な
くとも１成分と前記絶縁層の少なくとも１成分とを含有
することが好ましい。これにより、誘電体層の成分と絶
縁層の成分とにより、比誘電率が誘電体層よりも低く、
且つ絶縁層よりも高い中間層を容易に形成でき、より高
速の信号伝送を実現できるとともに、絶縁層、中間層及
び誘電体層の界面の密着強度をより高めることができ
る。

【００１５】さらに、前記誘電体層がチタン酸塩を含む
ことが好ましい。これにより、コンデンサとしてのより
優れた機能を得ることが可能となる。

【００１６】さらにまた、前記絶縁層がＳｉＯ₂を含む
とともに、前記中間層がチタニウムシリケートを含むこ
とが好ましく、特に前記絶縁層に含まれるＳｉＯ₂量が
４０〜８０質量％であることが望ましい。ＳｉＯ₂とチ
タン酸塩との反応によって、比誘電率が絶縁層よりも高
く、且つ誘電体層よりも低いフレスノイト等のチタニウ
ムシリケートを容易に形成することができ、より優れた
特性を有するセラミック基板が得られる。

【００１７】また、本発明のセラミック基板の製造方法
は、誘電体層を形成するための誘電体グリーンシート
と、絶縁層を形成するための絶縁体グリーンシートを作
製し、各々のグリーンシートにスルーホール加工及び／
又は配線パターンを形成するとともに、複数の前記グリ
ーンシートを積層した際に前記誘電体グリーンシートの
両面の一部に一対の電極が対向するように、前記誘電体
グリーンシート及び／又は絶縁体グリーンシートの表面
に電極パターンを形成した後に、前記誘電体グリーンシ
ート及び第２の前記絶縁体グリーンシートを積層し、さ
らにこの積層体を焼成して焼結体を得るとともに、前記
電極を形成した周囲において、前記誘電体グリーンシー
トの一部と前記絶縁体グリーンシートの一部とを反応さ
せて中間層を形成することを特徴とするものであり、特
に、前記誘電体グリーンシートがチタン酸塩を主成分と
し、前記絶縁体グリーンシートがＳｉＯ₂を含むことが
好ましい。これは、焼成時の反応を利用する方法である
ため、本発明のセラミック基板を容易に形成できる。

【００１８】

【発明の実施の形態】本発明のセラミック基板１は、図
１に示すように、絶縁層２、誘電体層３及び中間層４と
が積層され、内部及び／又は表面にメタライズ配線層５
が形成されている。内部には電極パターン５ａ、配線パ
ターン５ｂ、ヴィアパターン５ｃが金属を主成分とする
導体ペーストにより形成されている。セラミック基板１
の表面に搭載される半導体８は、接続バンプ７を介して
セラミック基板１に接続されている。

【００１９】このように、積層体内部に設けられた一対
の電極パターン５ａが誘電体層３を挟持し、誘電体層３
と一対の電極パターン５ａでコンデンサと、誘電体層３
の周囲に、比誘電率が誘電体層３よりも低く、且つ絶縁
層２よりも高い中間層４とを具備していることが重要で
ある。

【００２０】中間層４は、後述するように絶縁層２と誘
電体層３との反応によって形成されたものであり、且つ
比誘電率が絶縁層２＜中間層４＜誘電体層３という関係
を成立させたものである。これにより、十分なコンデン
サ機能を保ったまま、コンデンサ以外の部位である中間
層４において信号遅延を効果的に防止することができ
る。

【００２１】本発明によれば、誘電体層３の比誘電率
は、絶縁層２の比誘電率よりも５以上、特に６以上、更
には７以上大きいことが好ましい。この比誘電率の差が
大きくなると、コンデンサとしての機能性を高め、高速
伝送に寄与することができる。

【００２２】また、本発明における中間層４は、誘電体
層３に含まれる成分のうち少なくとも１種の成分と、絶
縁層２に含まれる成分のうち少なくとも１種の成分とを
含有することが好ましく、これにより、中間層４の形成
が容易になるとともに、絶縁層２、中間層４及び誘電体
層３との間の密着強度を高めることができる。なお、上
記成分とは、元素単体でも、分子でも、化合物でも良
い。

【００２３】誘電体層３には、比誘電率を高くすること
によってコンデンサとしての機能を向上するため、チタ
ン酸塩を含むことが好ましい。チタン酸塩としては、チ
タン酸バリウム、チタン酸カルシウム、チタン酸ストロ
ンチウム等を例示できる。

【００２４】絶縁層２は、ＳｉＯ₂を含む低温焼成が可
能なセラミックス、特にガラス成分とフィラー成分によ
って構成されることが好ましい。即ち、絶縁層２がＳｉ
Ｏ₂成分を含むことが好ましく、誘電体層３中に含まれ
るチタン酸塩との反応によってチタニウムシリケートが
形成されていることが望ましく、例えば誘電体層３中に
チタン酸バリウムが含まれる場合、バリウムチタニウム
シリケート（フレスノイト）を形成することによって、
上記の関係を満足する中間層を容易に得ることができ
る。

【００２５】絶縁層２に含まれるＳｉＯ₂量の下限値
は、十分な反応により上記の中間層４を形成しやすくす
るため、４０質量％、特に４５質量％、更には５０質量
％が好ましい。また、ＳｉＯ₂含有量の上限値は、ガラ
スの屈伏点の上昇を防止し、焼結性を高めるため、８０
質量％、特に７５質量％、更には７０質量％が好まし
い。

【００２６】誘電体層３の比誘電率は、コンデンサとし
ての機能改善の観点から、１０以上、更には１５以上で
あることが望ましい。

【００２７】一方、絶縁層２中には、フィラー成分とし
て、Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、アルカリ酸化物、アルカリ土
類酸化物のうち少なくとも１種を含有することが好まし
く、所望の特性に応じてフィラーを使い分ける事が可能
である。例えば、高強度の焼結体が所望であればＡｌ₂
Ｏ₃、ディオプサイト、コージェライト、ムライトなど
が好適となり、高熱膨張が所望であれば石英、クリスト
バライト、セルジアン、フォルステライト、その他アル
カリ珪酸塩などが好適となる。

【００２８】絶縁層２の比誘電率は、高速信号を伝送す
るという観点から、８以下、特に７以下、更には比誘電
率６以下になるようにガラス成分とフィラー成分とを組
合せることが望ましい。

【００２９】以上のように構成した本発明のセラミック
基板１は、コンデンサ機能を基板内部に内蔵できると共
に、同一層内に高速信号を伝送させる配線を形成できる
という特徴を有し、外付けのコンデンサ部品の点数削減
によるコスト低下が達成できると共に基板自体の低背化
に貢献できる為、各種のＢＧＡ（ボールグリッドアレ
イ）やＣＳＰ（チップスケールパッケージ）、ＬＣＣ
（リードレスチップキャリア）等の用途として好適に利
用することができる。

【００３０】次に、本発明のセラミック基板の製造方法
を説明する。

【００３１】まず、絶縁層の原料として、ＳｉＯ₂を含
むガラス粉末、例えば硼珪酸ガラス、バリウム珪酸ガラ
ス、アルカリ珪酸ガラス等の群から選ばれるガラス２０
〜８０質量％と、フィラー２０〜８０質量％を好適に用
いることができる。フィラー成分としては、Ａｌ₂Ｏ₃、
ＳｉＯ₂、アルカリ酸化物、アルカリ土類酸化物のうち
少なくとも１種を含有する原料、例えば、Ａｌ₂Ｏ₃粉
末、ディオプサイト粉末、コージェライト粉末、ムライ
ト粉末、石英粉末、クリストバライト粉末、セルジアン
粉末、フォルステライト粉末、その他のアルカリ珪酸塩
粉末の群から選ばれる少なくとも１種を用いることがで
きる。

【００３２】また、誘電体層の原料として、絶縁層で用
いられたガラス２０〜８０質量％とチタン酸塩８０〜２
０質量％が好適に用いられ、チタン酸塩としてはチタン
酸バリウム粉末、チタン酸カルシウム粉末、チタン酸ス
トロンチウム粉末等の群から選ばれる少なくとも１種を
用意する。

【００３３】上記のガラスとフィラーを混合した後、適
当な有機樹脂バインダーを添加した後、所望の成形手
段、例えば、射出成形、押し出し成形、ドクターブレー
ド法、カレンダーロール法等の周知の成形方法により任
意のグリーンシートに成形する。

【００３４】得られたグリーンシートはＮＣパンチャー
や金型などによりスルーホール加工が施され、所望の金
属材料からなる導体ペーストを充填しヴィアホールと
し、更に所望のパターンを導体ペーストでスクリーン印
刷法やグラビア印刷法などの公知の手法により形成す
る。

【００３５】導体ペーストとしては導体抵抗の観点から
抵抗率が低いものが好適であり、金、銀、銅、白金、パ
ラジウムなどが上げられるが、コストや信頼性の観点か
ら銅が最も好適に用いられる。これら金属粉末に対し
て、所望により焼結抑制剤（セラミックフィラー）や焼
結助剤（ガラスあるいは金属）を混合し、所望のバイン
ダーや用材を加えペースト化したものを用いる。

【００３６】誘電体層も、絶縁層と同様にガラス成分と
フィラー成分によって構成されるが、誘電率を上昇させ
る為、種々の高誘電率フィラーを添加することによりコ
ンデンサとしての機能を高める事が出来る。高誘電率フ
ィラーとしては各種のチタン酸塩が好適であり、チタン
酸バリウム、チタン酸カルシウム、チタン酸ストロンチ
ウム等を例示できる。

【００３７】これら高誘電率フィラーは絶縁層のガラス
中に存在するＳｉＯ₂と反応し、チタニウムシリケート
を形成し、比誘電率が低下する。特にチタン酸バリウム
はＳｉＯ₂と反応しバリウムチタニウムシリケート（フ
レスノイト）となり絶縁層よりも比誘電率が高く、誘電
体層よりも比誘電率が低い中間層を形成しやすく、好適
である。

【００３８】上記のガラスとフィラーを混合した後、適
当な有機樹脂バインダーを添加した後、所望の成形手
段、例えば、射出成形、押し出し成形、ドクターブレー
ド法、カレンダーロール法等により任意のグリーンシー
トに成形する。得られたグリーンシートはＮＣパンチャ
ーや金型などによりスルーホール加工が施され、所望の
金属材料からなる導体ペーストを充填しヴィアホールと
し、更に所望のパターンを導体ペーストでスクリーン印
刷法やグラビア印刷法などにより形成する。特に、コン
デンサ機能を付与するためには、誘電体層の上下の対向
する位置に一対の電極部（ベタパターン）とヴィアホー
ルを形成することが肝要である。その際に、一対の電極
は、誘電体層の両面の全面に形成せず、所定の領域のみ
に形成し、電極を形成しない領域を形成することは言う
までもない。

【００３９】得られた絶縁層、誘電体層、及びそれらに
付与されたヴィアホールやパターンは、それぞれを所望
の層構成により積層し、一体化することにより、コンデ
ンサを内蔵するセラミック基板用グリーンシート積層体
を得ることができる。

【００４０】次に、グリーンシート積層体の焼成にあた
っては、まず、成形のために配合したバインダー成分を
除去する。バインダーの除去は、７００℃前後の大気雰
囲気中で行われるが、配線導体として、例えばＣｕを用
いる場合には、１００〜７００℃の水蒸気を含有する窒
素雰囲気中で行うことができる。この時、成形体の収縮
開始温度は７００〜８５０℃程度であることが望まし
く、かかる収縮開始温度がこれより低いとバインダーの
除去が困難となるため、成形体中の結晶化ガラスの特
性、特に屈伏点を前述したように制御することが必要と
なる。

【００４１】焼成は、８５０〜１０５０℃の酸性雰囲気
または非酸化性雰囲気中で行われ、これにより相対密度
９０％以上まで緻密化する。この焼成温度は、緻密化を
十分行い、且つメタライズ層が溶融せず、同時配線が可
能な温度範囲８５０〜１０５０℃、特に９００〜１００
０℃が好ましい。但し、Ｃｕ等の配線導体と同時焼成す
る場合には非酸化性雰囲気中で焼成される。

【００４２】本発明によれば、上記の焼成工程を経るこ
とにより、コンデンサの周囲において、電極が形成され
ず絶縁層と接している誘電体層が絶縁層中に含まれるＳ
ｉＯ ₂と反応することにより絶縁層よりも比誘電率が高
く、誘電体層よりも比誘電率が低い中間層を形成するこ
とができる。そのため、この中間層には誘電体層に含ま
れる成分のうち少なくとも１種の成分と、絶縁層に含ま
れる成分のうち少なくとも１種の成分とを含み、特にチ
タニウムシリケートを形成させることができる。

【００４３】なお、誘電体層中のコンデンサ部分につい
ては前記の電極パターンにより絶縁層と隔絶されている
為、前述のような比誘電率の低下は発生しない。

【００４４】

【実施例】実施例１ガラスの原料粉末として、ＳｉＯ₂粉末、Ａｌ₂Ｏ₃粉
末、Ｂ₂Ｏ₃粉末、ＣａＯ粉末、ＢａＯ粉末、ＺｒＯ₂粉
末、Ｎａ₂Ｏ粉末、Ｋ₂Ｏ粉末、Ｌｉ₂Ｏ粉末、ＺｎＯ粉
末、ＴｉＯ₂粉末を準備して表１の組成に混合し、それ
ぞれの混合粉末を坩堝内で溶融したものを水冷ロール板
で急令したものをボールミルにより平均粒径３．５μｍ
に粉砕したものをガラス粉末とした。

【００４５】

【表１】

【００４６】フィラーとしてはアルミナ、ディオプサイ
ト、コージェライト、ムライト、石英、クリストバライ
ト、セルジアン、フォルステライト、ガーナイトを、高
誘電率フィラーとしてはチタン酸バリウム、チタン酸カ
ルシウム、チタン酸ストロンチウムを用意した。

【００４７】これら原料を表２に示す割合に混合し、更
に溶剤を加えてボールミルを用いて粉砕混合した後、有
機バインダー、可塑材を加えて混合してスラリーを作製
した。次いで、得られたスラリーを用いてドクターブレ
ード法によりグリーンシートをそれぞれ作製した。グリ
ーンシートの厚みは、絶縁体グリーンシートが１８０μ
ｍ、誘電体グリーンシートが７０μｍに調整した。

【００４８】電極用ペーストとして、銅、銀、金、白金
粉末をそれぞれ主成分とし、これにガラス、フィラーを
混合したものに、アクリル樹脂、α―テルピネオール、
フタル酸ジブチル等を適宜混合し、ペースト化したもの
を用いた。

【００４９】得られた絶縁層と誘電体層をもちいて線幅
５０μｍ、線長２０ｍｍ、絶縁層厚み５０μｍのストリ
ップライン評価用パターンと直径３０ｍｍの内層パター
ン（ベタ）によるコンデンサ容量測定パターンを同一基
板で作製し、積層した。

【００５０】得られた積層体を、表２の焼成条件で焼成
し、図２に示すセラミック基板を作製した。なお、焼成
は、銅配線のサンプルについては水蒸気を含む窒素雰囲
気中で、銀、金、白金配線のサンプルについては空気中
で行った。また、焼成の保持時間はいずれも１時間であ
った。

【００５１】中間層の分析については、前述のメタライ
ズ配線層が無いサンプルの絶縁層部分を平面研削機によ
り削り落とし、残った中間層部分を乳鉢で粉砕しＸ線回
折法により同定した。

【００５２】相対密度の測定方法としては、アルキメデ
ス法にしたがって測定した。ただし、理論密度の値とし
ては、絶縁層と誘電体層の理論密度から算術的に導き出
したものを用い、アルキメデス法により得られた嵩密度
を上記理論密度で除した値の小数点以下を四捨五入した
値を用いた。

【００５３】絶縁層の比誘電率は、絶縁層のみで５０×
５０×１ｍｍの基板を作製しブリッジ回路法により求め
た。また、誘電体層の比誘電率については、前述の評価
基板中のコンデンサ容量評価パターンの静電容量を測定
し、誘電体層の厚みと面積値から算出した。次いで、誘
電体層の比誘電率と絶縁層の比誘電率の差Δεを算出し
た。

【００５４】また、中間層の比誘電率については、前述
のメタライズ配線層が無いサンプルの絶縁層部分を平面
研削機により削り落とし、ブリッジ回路法にて求めた。

【００５５】４０ＧＨｚでの伝送ロス（Ｓ２１）を、ス
トリップライン評価用パターンを用いてネットワークア
ナライザーにより測定した。判定としては−０．８ｄＢ
／ｃｍ以上を良好とし、それ以下をＮＧと判断した。結
果を表２に示した。

【００５６】

【表２】

【００５７】比誘電率が絶縁層＜中間層＜誘電体層の関
係で、且つ絶縁層と誘電体層の比誘電率差Δεが５以上
の本発明の試料Ｎｏ．１〜１９は、優れたコンデンサ機
能を発揮でき、更に、中間層部分に形成された配線には
伝送ロス−０．８ｄｂ／ｃｍ以上という優れた伝送特性
を示した。

【００５８】一方、中間層が形成されていない本発明の
範囲外の試料Ｎｏ．２０、２１は、Δεが５以上である
が、中間層が形成されておらず、比誘電率が絶縁層＜中
間層＜誘電体層の関係を満たしていないため、伝送ロス
が−０．８９ｄＢ／ｃｍ以下と劣化した。

【００５９】

【発明の効果】本発明のセラミック基板は、誘電体層と
メタライズ配線層で構成され、優れたコンデンサ機能を
内蔵するとともに、誘電体層の周囲に比誘電率の低い中
間層が形成されているため、信号遅延を低減し、高速化
を実現することができる。

【００６０】また、コンデンサを内蔵するため、外部回
路基板に実装されていたコンデンサが不要となり、外部
回路基板の小型化、および実装コストの削減に有効であ
り、急速に普及しつつある携帯用電子機器の小型化に、
大いに貢献できる。

【００６１】本発明のセラミック基板の製造方法は、誘
電体層と絶縁層とを積層し、メタライズ配線層を形成し
て焼成するだけで、誘電体層のコンデンサ以外の部位に
おいて誘電体層と絶縁層との反応という簡便な方法で、
比誘電率が誘電体層よりも低い中間層を形成することが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のセラミック基板を示す概略断面図であ
る。

【図２】本発明の他の構造のセラミック基板を示す概略
断面図である。

【図３】従来のセラミック基板を示す概略断面図であ
る。

【符号の説明】

１、１１・・・セラミック基板２、１２・・・絶縁層３、１３・・・誘電体層４、１４・・・中間層５、１５・・・メタライズ配線層５ａ、１５ａ・・・電極パターン５ｂ、１５ｂ・・・配線パターン５ｃ、１５ｃ・・・ヴィアパターン７、１７・・・接続バンプ８、１８・・・半導体

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁層を主体とする積層体の表面及び／又
は内部にメタライズ配線層が設けられ、且つ誘電体層
と、該誘電体層を挟持するように設けられた一対の電極
とからなるコンデンサを内部に具備するセラミック基板
において、前記誘電体層の周囲に、比誘電率が該誘電体
層よりも低く、且つ前記絶縁層よりも高い中間層が設け
られてなることを特徴とするセラミック基板。
【請求項２】前記誘電体層の比誘電率が、前記絶縁層の
比誘電率よりも５以上大きいことを特徴とする請求項１
記載のセラミック基板。
【請求項３】前記中間層が、前記誘電体層の少なくとも
１成分と前記絶縁層の少なくとも１成分とを含有するこ
とを特徴とする請求項１又は２記載のセラミック基板。
【請求項４】前記誘電体層がチタン酸塩を含むことを特
徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のセラミック
基板。
【請求項５】前記絶縁層がＳｉＯ₂を含むとともに、前
記中間層がチタニウムシリケートを含むことを特徴とす
る請求項４記載のセラミック基板。
【請求項６】前記絶縁層に含まれるＳｉＯ₂量が４０〜
８０質量％であることを特徴とする請求項５記載のセラ
ミック基板。
【請求項７】誘電体層を形成するための誘電体グリーン
シートと、絶縁層を形成するための絶縁体グリーンシー
トを作製し、各々のグリーンシートにスルーホール加工
及び／又は配線パターンを形成するとともに、複数の前
記グリーンシートを積層した際に前記誘電体グリーンシ
ートの両面の一部に一対の電極が対向するように、前記
誘電体グリーンシート及び／又は絶縁体グリーンシート
の表面に電極パターンを形成した後に、前記誘電体グリ
ーンシート及び第２の前記絶縁体グリーンシートを積層
し、さらにこの積層体を焼成して焼結体を得るととも
に、前記電極を形成した周囲において、前記誘電体グリ
ーンシートの一部と前記絶縁体グリーンシートの一部と
を反応させて中間層を形成することを特徴とするセラミ
ック基板の製造方法。
【請求項８】前記誘電体グリーンシートがチタン酸塩を
主成分とし、前記絶縁体グリーンシートがＳｉＯ₂を含
むことを特徴とする請求項７記載のセラミック基板の製
造方法。