JP3401147B2 - 低温焼成磁器組成物 - Google Patents
低温焼成磁器組成物Info
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- JP3401147B2 JP3401147B2 JP21758596A JP21758596A JP3401147B2 JP 3401147 B2 JP3401147 B2 JP 3401147B2 JP 21758596 A JP21758596 A JP 21758596A JP 21758596 A JP21758596 A JP 21758596A JP 3401147 B2 JP3401147 B2 JP 3401147B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は低温焼成磁器組成物
に関するもので、特に配線パターンの微細化が可能な小
型化された高周波用多層配線基板や半導体素子収納用パ
ッケージ等に好適な低温焼成磁器組成物に関するもので
ある。
に関するもので、特に配線パターンの微細化が可能な小
型化された高周波用多層配線基板や半導体素子収納用パ
ッケージ等に好適な低温焼成磁器組成物に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】従来よりエレクトロニクス分野における
混成集積回路装置や半導体素子収納用パッケージ等に用
いられる配線基板材料には、アルミナセラミックスが多
用されている。
混成集積回路装置や半導体素子収納用パッケージ等に用
いられる配線基板材料には、アルミナセラミックスが多
用されている。
【０００３】しかしながら、近年の高度情報化時代にあ
っては、情報伝達はより高速化、高周波化が進み、搭載
される半導体素子もより高速化、高集積化され、更に実
装のより高密度化が要求されるようになっており、従来
のアルミナセラミックスでは焼成温度が１５００〜１６
００℃と極めて高く、同時焼成可能な配線導体としては
導体抵抗の大きなタングステン（Ｗ）やモリブデン（Ｍ
ｏ）等の高融点金属を使用しなければならず、そのため
に高周波領域においては大きな導体抵抗が信号の伝送損
失を大としてしまい、前記諸要求を満足しないことか
ら、アルミナセラミックス自体が昨今の高周波用の配線
基板材料としては不適当であると言われている。
っては、情報伝達はより高速化、高周波化が進み、搭載
される半導体素子もより高速化、高集積化され、更に実
装のより高密度化が要求されるようになっており、従来
のアルミナセラミックスでは焼成温度が１５００〜１６
００℃と極めて高く、同時焼成可能な配線導体としては
導体抵抗の大きなタングステン（Ｗ）やモリブデン（Ｍ
ｏ）等の高融点金属を使用しなければならず、そのため
に高周波領域においては大きな導体抵抗が信号の伝送損
失を大としてしまい、前記諸要求を満足しないことか
ら、アルミナセラミックス自体が昨今の高周波用の配線
基板材料としては不適当であると言われている。
【０００４】そこで前記欠点を解消するものとして、ガ
ラスとセラミックスの混合物を１０００℃以下の低温で
焼成したガラスセラミックスを配線基板材料とするもの
が提案されており、例えば、ホウケイ酸ガラスとアルミ
ナフィラーを用い、配線導体として導体抵抗の小さい銅
（Ｃｕ）等を使用して１０００℃以下の低い温度で同時
焼成したものでは、比誘電率が５〜１０程度のものが得
られている。
ラスとセラミックスの混合物を１０００℃以下の低温で
焼成したガラスセラミックスを配線基板材料とするもの
が提案されており、例えば、ホウケイ酸ガラスとアルミ
ナフィラーを用い、配線導体として導体抵抗の小さい銅
（Ｃｕ）等を使用して１０００℃以下の低い温度で同時
焼成したものでは、比誘電率が５〜１０程度のものが得
られている。
【０００５】一般に、ＩＣやＬＳＩ、ＭＭＩＣ等の半導
体素子を多層配線基板や半導体素子収納用パッケージ等
に搭載する際、伝送線路がマイクロストリップラインの
場合には、信号線路と接地線路が同一面内に存在しない
ため、ボンディングワイヤにより接続されており、高周
波用として使用すると前記ボンディングワイヤのインダ
クタンスが大きいと信号の伝送損失も大となる傾向があ
った。
体素子を多層配線基板や半導体素子収納用パッケージ等
に搭載する際、伝送線路がマイクロストリップラインの
場合には、信号線路と接地線路が同一面内に存在しない
ため、ボンディングワイヤにより接続されており、高周
波用として使用すると前記ボンディングワイヤのインダ
クタンスが大きいと信号の伝送損失も大となる傾向があ
った。
【０００６】そこで、伝送線路として信号線路と接地線
路が同一面内に形成可能なコプレナー線路を用い、該コ
プレナー線路と前記半導体素子をフリップチップ接続法
で表面実装する方法が提案されている。
路が同一面内に形成可能なコプレナー線路を用い、該コ
プレナー線路と前記半導体素子をフリップチップ接続法
で表面実装する方法が提案されている。
【０００７】このように半導体素子を表面実装するため
に、同一面上に信号線路と該信号線路の両側に一定の間
隔で接地導体を設けたコプレナー線路は、前述の如く比
誘電率が５〜１０程度のガラスセラミックスの場合、例
えば特性インピーダンスが５０Ωのコプレナー線路を得
るために信号線路と接地導体の間隔を５０μｍとする
と、信号線路の幅は１３０〜３００μｍであることが必
要となり、高密度実装の妨げとなっていた。
に、同一面上に信号線路と該信号線路の両側に一定の間
隔で接地導体を設けたコプレナー線路は、前述の如く比
誘電率が５〜１０程度のガラスセラミックスの場合、例
えば特性インピーダンスが５０Ωのコプレナー線路を得
るために信号線路と接地導体の間隔を５０μｍとする
と、信号線路の幅は１３０〜３００μｍであることが必
要となり、高密度実装の妨げとなっていた。
【０００８】即ち、比誘電率が１０〜２０程度と高くな
ると、信号線路の幅を５０〜１３０μｍと狭くすること
が可能となり、より高密度実装が可能になるということ
である。
ると、信号線路の幅を５０〜１３０μｍと狭くすること
が可能となり、より高密度実装が可能になるということ
である。
【０００９】そこで、１０００℃以下の低温焼成で比誘
電率が大きく、緻密な焼結体を得るために、Ａｌ2 Ｏ3
−ＳｉＯ2 −ＺｎＯ−ＴｉＯ2 −ＣａＯ−Ｂ2 Ｏ3 −Ｍ
ｇＯ−Ｎａ2 Ｏ−Ｋ2 Ｏ系ガラスに、フィラーとしてス
トロンチウム（Ｓｒ）とカルシウム（Ｃａ）のチタン酸
塩等を用いたガラスセラミックスが提案されている（特
開平５−２７０８９９号公報参照）。
電率が大きく、緻密な焼結体を得るために、Ａｌ2 Ｏ3
−ＳｉＯ2 −ＺｎＯ−ＴｉＯ2 −ＣａＯ−Ｂ2 Ｏ3 −Ｍ
ｇＯ−Ｎａ2 Ｏ−Ｋ2 Ｏ系ガラスに、フィラーとしてス
トロンチウム（Ｓｒ）とカルシウム（Ｃａ）のチタン酸
塩等を用いたガラスセラミックスが提案されている（特
開平５−２７０８９９号公報参照）。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記提
案のガラスセラミックスは、Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −Ｚ
ｎＯ−ＴｉＯ2 −ＣａＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＭｇＯ−Ｎａ2 Ｏ
−Ｋ2 Ｏ系ガラスを使用しているため、９００〜１００
０℃の温度で焼成した場合、ガラスが溶融してフィラー
に濡れ、フィラーの結晶粒子間の間隙を満たして緻密な
焼結体を得るためには、ガラスに対するフィラーの量比
を小さくする必要があり、例えば、前記チタン酸塩では
４０重量％以下程度としなければならず、比誘電率を１
０以上とすることは困難であり、また、フィラーの量比
を問題としなければ、比誘電率が１０を越えるものが得
られるものの抗折強度が極めて低く、高密度実装用の配
線基板材料として使用するには限界があるという課題が
あった。
案のガラスセラミックスは、Ａｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −Ｚ
ｎＯ−ＴｉＯ2 −ＣａＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＭｇＯ−Ｎａ2 Ｏ
−Ｋ2 Ｏ系ガラスを使用しているため、９００〜１００
０℃の温度で焼成した場合、ガラスが溶融してフィラー
に濡れ、フィラーの結晶粒子間の間隙を満たして緻密な
焼結体を得るためには、ガラスに対するフィラーの量比
を小さくする必要があり、例えば、前記チタン酸塩では
４０重量％以下程度としなければならず、比誘電率を１
０以上とすることは困難であり、また、フィラーの量比
を問題としなければ、比誘電率が１０を越えるものが得
られるものの抗折強度が極めて低く、高密度実装用の配
線基板材料として使用するには限界があるという課題が
あった。
【００１１】
【発明の目的】本発明は、前記課題を解消せんとして成
されたもので、その目的は、比誘電率が１０以上で、か
つ９００〜１０００℃の低い焼成温度で緻密な焼結体が
得られ、同時焼成でＣｕ、Ａｇ、Ａｕを配線導体とした
多層化が可能な、かつ微細な配線パターンの形成が可能
な小型化された高周波用多層配線基板や半導体素子収納
用パッケージ等の高密度実装用の配線基板材料に好適な
低温焼成磁器組成物を提供することにある。
されたもので、その目的は、比誘電率が１０以上で、か
つ９００〜１０００℃の低い焼成温度で緻密な焼結体が
得られ、同時焼成でＣｕ、Ａｇ、Ａｕを配線導体とした
多層化が可能な、かつ微細な配線パターンの形成が可能
な小型化された高周波用多層配線基板や半導体素子収納
用パッケージ等の高密度実装用の配線基板材料に好適な
低温焼成磁器組成物を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、前記課題
を鋭意検討した結果、比誘電率が１０以上を示す緻密な
ガラスセラミック焼結体を得るには、高誘電率のフィラ
ーを用いてガラスに対する該フィラーの量比を大きくす
れば良く、そのためにはフィラーに対するガラスの濡れ
性を改善すべくガラスの流動性を良好ならしめれば良
く、係るガラスはその軟化点が低い程、低温で流動性と
フィラーに対する濡れ性が優れていることから、フィラ
ーの量比も増加し得ることを知見し、本発明に至った。
を鋭意検討した結果、比誘電率が１０以上を示す緻密な
ガラスセラミック焼結体を得るには、高誘電率のフィラ
ーを用いてガラスに対する該フィラーの量比を大きくす
れば良く、そのためにはフィラーに対するガラスの濡れ
性を改善すべくガラスの流動性を良好ならしめれば良
く、係るガラスはその軟化点が低い程、低温で流動性と
フィラーに対する濡れ性が優れていることから、フィラ
ーの量比も増加し得ることを知見し、本発明に至った。
【００１３】即ち、本発明の低温焼成磁器組成物は、９
００〜１０００℃の焼成温度で緻密化する焼結体で、そ
の組成が２８〜３６重量％のＢ2 Ｏ3 −ＺｎＯ−ＳｉＯ
2 −Ｎａ2 Ｏ−Ａｌ2 Ｏ3 系ガラスと、酸化物換算で２
〜８重量％のＬｉと、総量で６０〜７０重量％のＭｇと
Ｃａのチタン酸塩から成り、得られた焼結体が１０〜１
５の比誘電率を有することを特徴とするものである。
００〜１０００℃の焼成温度で緻密化する焼結体で、そ
の組成が２８〜３６重量％のＢ2 Ｏ3 −ＺｎＯ−ＳｉＯ
2 −Ｎａ2 Ｏ−Ａｌ2 Ｏ3 系ガラスと、酸化物換算で２
〜８重量％のＬｉと、総量で６０〜７０重量％のＭｇと
Ｃａのチタン酸塩から成り、得られた焼結体が１０〜１
５の比誘電率を有することを特徴とするものである。
【００１４】また、前記Ｂ2 Ｏ3 −ＺｎＯ−ＳｉＯ2 −
Ｎａ2 Ｏ−Ａｌ2 Ｏ3 系ガラスが３１〜３５重量％と、
Ｌｉが酸化物換算で３〜４重量％と、ＭｇとＣａのチタ
ン酸塩が総量で６３〜６７重量％から成るものがより望
ましい。
Ｎａ2 Ｏ−Ａｌ2 Ｏ3 系ガラスが３１〜３５重量％と、
Ｌｉが酸化物換算で３〜４重量％と、ＭｇとＣａのチタ
ン酸塩が総量で６３〜６７重量％から成るものがより望
ましい。
【００１５】
【作用】本発明の低温焼成磁器組成物によれば、非鉛系
ガラスとしては軟化点が約５６０℃と最も低いＢ2 Ｏ3
−ＺｎＯ−ＳｉＯ2 −Ｎａ2 Ｏ−Ａｌ2 Ｏ3 系ガラスを
用いることから、該ガラスはフィラーの粒子中に少量分
散させることにより容易にフィラーの間隙を満たし、ま
たＬｉは前記ガラスの軟化点を更に低下するように作用
することから、前記ガラスとフィラーとして用いるＭｇ
とＣａのチタン酸塩との緻密化に有効に作用する。
ガラスとしては軟化点が約５６０℃と最も低いＢ2 Ｏ3
−ＺｎＯ−ＳｉＯ2 −Ｎａ2 Ｏ−Ａｌ2 Ｏ3 系ガラスを
用いることから、該ガラスはフィラーの粒子中に少量分
散させることにより容易にフィラーの間隙を満たし、ま
たＬｉは前記ガラスの軟化点を更に低下するように作用
することから、前記ガラスとフィラーとして用いるＭｇ
とＣａのチタン酸塩との緻密化に有効に作用する。
【００１６】また、前記フィラーとして用いるＭｇのチ
タン酸塩は誘電正接が小さいが、他方のＣａのチタン酸
塩は、比誘電率が大きいという特性を有しており、その
量比をＭｇのチタン酸塩が大となるように選択すること
により比誘電率を１０以上と大きく、かつ誘電正接を小
さくすることができる。
タン酸塩は誘電正接が小さいが、他方のＣａのチタン酸
塩は、比誘電率が大きいという特性を有しており、その
量比をＭｇのチタン酸塩が大となるように選択すること
により比誘電率を１０以上と大きく、かつ誘電正接を小
さくすることができる。
【００１７】更に、本発明の低温焼成磁器組成物は、９
００〜１０００℃の低温度でＣｕ、Ａｇ、Ａｕの配線導
体と同時に焼成できることから、これらの配線導体を具
備した多層配線基板等の微細配線化が容易に達成でき
る。
００〜１０００℃の低温度でＣｕ、Ａｇ、Ａｕの配線導
体と同時に焼成できることから、これらの配線導体を具
備した多層配線基板等の微細配線化が容易に達成でき
る。
【００１８】
【発明の実施の形態】本発明の低温焼成磁器組成物は、
軟化点が約５６０℃とかなり低いＢ2 Ｏ3 −ＺｎＯ−Ｓ
ｉＯ2 −Ｎａ2 Ｏ−Ａｌ2 Ｏ3 系ガラスと、Ｌｉ及びＭ
ｇとＣａのチタン酸塩から成り、９００〜１０００℃の
焼成温度で緻密化する焼結体であり、、該焼結体の比誘
電率が１０〜１５を示すものである。
軟化点が約５６０℃とかなり低いＢ2 Ｏ3 −ＺｎＯ−Ｓ
ｉＯ2 −Ｎａ2 Ｏ−Ａｌ2 Ｏ3 系ガラスと、Ｌｉ及びＭ
ｇとＣａのチタン酸塩から成り、９００〜１０００℃の
焼成温度で緻密化する焼結体であり、、該焼結体の比誘
電率が１０〜１５を示すものである。
【００１９】本発明の低温焼成磁器組成物において、前
記Ｂ2 Ｏ3 −ＺｎＯ−ＳｉＯ2 −Ｎａ2 Ｏ−Ａｌ2 Ｏ3
系ガラスの量が２８重量％未満の場合、他の組成量が所
定範囲内であっても、フィラー粒子間がガラスで充填さ
れないため、焼結不良となり緻密な焼結体が得られず、
一方、３６重量％を越えると、過焼結となりボイドが発
生するため、緻密な焼結体が得られない。
記Ｂ2 Ｏ3 −ＺｎＯ−ＳｉＯ2 −Ｎａ2 Ｏ−Ａｌ2 Ｏ3
系ガラスの量が２８重量％未満の場合、他の組成量が所
定範囲内であっても、フィラー粒子間がガラスで充填さ
れないため、焼結不良となり緻密な焼結体が得られず、
一方、３６重量％を越えると、過焼結となりボイドが発
生するため、緻密な焼結体が得られない。
【００２０】従って、前記ガラスの量は、２８〜３６重
量％に特定され、特に焼結性に点からは３１〜３５重量
％がより望ましい。
量％に特定され、特に焼結性に点からは３１〜３５重量
％がより望ましい。
【００２１】また、前記ガラスとＭｇとＣａのチタン酸
塩の量がそれぞれ所定範囲内であっても、Ｌｉの量が酸
化物換算で２重量％未満の場合、前述の如きＬｉの作用
効果が望めず、焼結不良となり、逆に８重量％を越える
と過焼結となる。
塩の量がそれぞれ所定範囲内であっても、Ｌｉの量が酸
化物換算で２重量％未満の場合、前述の如きＬｉの作用
効果が望めず、焼結不良となり、逆に８重量％を越える
と過焼結となる。
【００２２】従って、前記Ｌｉの量は酸化物換算で２〜
８重量％となり、より望ましくは３〜４重量％となる。
８重量％となり、より望ましくは３〜４重量％となる。
【００２３】一方、ＭｇとＣａのチタン酸塩が総量で６
０重量％未満の場合、比誘電率が１０未満となり、また
ガラス量が多いことから過焼結となる。更に、７０重量
％を越えると逆にガラス量が少なくなり、焼結不良とな
り、いずれも誘電正接が大となる。
０重量％未満の場合、比誘電率が１０未満となり、また
ガラス量が多いことから過焼結となる。更に、７０重量
％を越えると逆にガラス量が少なくなり、焼結不良とな
り、いずれも誘電正接が大となる。
【００２４】従って、前記チタン酸塩の量は、６０〜７
０重量％に特定され、焼結性の点からは、６３〜６７重
量％がより好適である。
０重量％に特定され、焼結性の点からは、６３〜６７重
量％がより好適である。
【００２５】次に、焼成温度が９００℃未満の場合に
は、原料の配合量がそれぞれ所定範囲内であっても、焼
結不足となり、それらは比誘電率が小さく、誘電正接が
大となり、所期の目的を達成し得ない。
は、原料の配合量がそれぞれ所定範囲内であっても、焼
結不足となり、それらは比誘電率が小さく、誘電正接が
大となり、所期の目的を達成し得ない。
【００２６】逆に１０００℃を越えると、焼結性が向上
する反面、過焼結となりボイドを生じて緻密な焼結体が
得られず、かつ比誘電率も小さく、誘電正接が大となる
他、ＣｕやＡｇ、Ａｕの導体を用いて同時焼成すること
ができなくなる。
する反面、過焼結となりボイドを生じて緻密な焼結体が
得られず、かつ比誘電率も小さく、誘電正接が大となる
他、ＣｕやＡｇ、Ａｕの導体を用いて同時焼成すること
ができなくなる。
【００２７】また、かかる低温焼成磁器組成物を用いて
配線基板を作製する場合には、例えば、原料粉末の混合
物を公知のテープ成形法、即ちドクターブレード法や圧
延法等に従い、絶縁層形成用のグリーンシートを成形し
た後、そのシート表面に配線層用のメタライズとして、
ＣｕやＡｇ、Ａｕの粉末、特にＣｕ粉末を含む金属ペー
ストを用いて配線パターンをスクリーン印刷、グラビア
印刷、オフセット印刷等の手段により形成するととも
に、必要に応じてシートにスルーホールを形成して該ス
ルーホール内に前記ペーストを充填し、次いで複数のシ
ートを積層圧着した後、Ｎ2 やＡｒガス等の非酸化性雰
囲気中、前記焼成温度で焼成することにより、配線層と
絶縁層とを同時に焼成することができる。
配線基板を作製する場合には、例えば、原料粉末の混合
物を公知のテープ成形法、即ちドクターブレード法や圧
延法等に従い、絶縁層形成用のグリーンシートを成形し
た後、そのシート表面に配線層用のメタライズとして、
ＣｕやＡｇ、Ａｕの粉末、特にＣｕ粉末を含む金属ペー
ストを用いて配線パターンをスクリーン印刷、グラビア
印刷、オフセット印刷等の手段により形成するととも
に、必要に応じてシートにスルーホールを形成して該ス
ルーホール内に前記ペーストを充填し、次いで複数のシ
ートを積層圧着した後、Ｎ2 やＡｒガス等の非酸化性雰
囲気中、前記焼成温度で焼成することにより、配線層と
絶縁層とを同時に焼成することができる。
【００２８】
【実施例】以下、本発明の低温焼成磁器組成物について
具体的に詳述する。先ず、平均粒径が５μｍ以下のＢ2
Ｏ3 −ＺｎＯ−ＳｉＯ2 −Ｎａ2 Ｏ−Ａｌ2 Ｏ3 系ガラ
スと、平均粒径が１０μｍ以下のＬｉの炭酸塩、及び平
均粒径が７μｍ以下のＭｇのチタン酸塩と、平均粒径が
７μｍ以下のＣａのチタン酸塩の各粉末を表１に示す組
成に従って混合した。
具体的に詳述する。先ず、平均粒径が５μｍ以下のＢ2
Ｏ3 −ＺｎＯ−ＳｉＯ2 −Ｎａ2 Ｏ−Ａｌ2 Ｏ3 系ガラ
スと、平均粒径が１０μｍ以下のＬｉの炭酸塩、及び平
均粒径が７μｍ以下のＭｇのチタン酸塩と、平均粒径が
７μｍ以下のＣａのチタン酸塩の各粉末を表１に示す組
成に従って混合した。
【００２９】そして、前記混合物に有機バインダー、可
塑剤、有機溶媒を添加して泥漿を調製し、該泥漿を乾燥
してメッシュパスすることにより、成形用粉末を作製し
た後、該成形用粉末をプレス成形して厚さ６．５ｍｍの
円板状の成形体と、縦４５ｍｍ、横６ｍｍ、厚さ４．５
ｍｍの平板状の成形体を得た。
塑剤、有機溶媒を添加して泥漿を調製し、該泥漿を乾燥
してメッシュパスすることにより、成形用粉末を作製し
た後、該成形用粉末をプレス成形して厚さ６．５ｍｍの
円板状の成形体と、縦４５ｍｍ、横６ｍｍ、厚さ４．５
ｍｍの平板状の成形体を得た。
【００３０】かくして得られた成形体を、大気中、４５
０℃にて脱バインダー処理した後、表１に示す条件にて
焼成して低温焼成磁器組成物の焼結体を得た。
０℃にて脱バインダー処理した後、表１に示す条件にて
焼成して低温焼成磁器組成物の焼結体を得た。
【００３１】尚、ホウケイ酸系ガラスとチタン酸塩から
成るガラスセラミックスとして、平均粒径が５μｍ以下
のＡｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −ＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＭｇＯ系
ガラスに、平均粒径が７μｍ以下のＳｒのチタン酸塩を
用いて前記同様にして作製した焼結体を比較例とした。
成るガラスセラミックスとして、平均粒径が５μｍ以下
のＡｌ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −ＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＭｇＯ系
ガラスに、平均粒径が７μｍ以下のＳｒのチタン酸塩を
用いて前記同様にして作製した焼結体を比較例とした。
【００３２】
【表１】
【００３３】前記評価用の焼結体を用いて焼結性及び比
誘電率、誘電正接、抗折強度をそれぞれ以下の方法で測
定評価した。
誘電率、誘電正接、抗折強度をそれぞれ以下の方法で測
定評価した。
【００３４】先ず、焼結性は浸透探傷液に浸漬して該液
の浸透の有無を目視検査し、全く浸透の痕跡の認められ
ないもののみを良と評価した。
の浸透の有無を目視検査し、全く浸透の痕跡の認められ
ないもののみを良と評価した。
【００３５】一方、比誘電率及び誘電正接は、前記焼結
体から直径１０ｍｍ、厚さ５ｍｍの試料を切り出し、１
０〜３０ＧＨｚにてネットワークアナライザー、シンセ
サイズドスイーパーを用いて円柱共振器法により測定し
た。
体から直径１０ｍｍ、厚さ５ｍｍの試料を切り出し、１
０〜３０ＧＨｚにてネットワークアナライザー、シンセ
サイズドスイーパーを用いて円柱共振器法により測定し
た。
【００３６】具体的には、直径５０ｍｍの銅板治具の間
に前記評価用の焼結体から成る試料を挟んで測定し、共
振器のＴＥ０１１モードの共振特性から比誘電率、誘電
正接を算出した。
に前記評価用の焼結体から成る試料を挟んで測定し、共
振器のＴＥ０１１モードの共振特性から比誘電率、誘電
正接を算出した。
【００３７】また、抗折強度はＪＩＳＲ１６０１の規格
に準じて前記平板状焼結体から所定の４点曲げ試験片を
作製し、上スパン１０ｍｍ、下スパン３０ｍｍで４点曲
げ試験を行って求めた。
に準じて前記平板状焼結体から所定の４点曲げ試験片を
作製し、上スパン１０ｍｍ、下スパン３０ｍｍで４点曲
げ試験を行って求めた。
【００３８】
【表２】
【００３９】表の結果から明らかなように、本発明の請
求範囲外である試料番号１、７、８、１４、１５、２
１、２４、３１、３２、３３はいずれも焼結性が悪く、
抗折強度も２００ＭＰａ未満と低く、比誘電率も１０未
満のものもあり、比較例の試料番号３４は焼結性は良好
なるも、比誘電率が８．２と低く、抗折強度も２００Ｍ
Ｐａ未満と低く実用的でない。
求範囲外である試料番号１、７、８、１４、１５、２
１、２４、３１、３２、３３はいずれも焼結性が悪く、
抗折強度も２００ＭＰａ未満と低く、比誘電率も１０未
満のものもあり、比較例の試料番号３４は焼結性は良好
なるも、比誘電率が８．２と低く、抗折強度も２００Ｍ
Ｐａ未満と低く実用的でない。
【００４０】それに対して、本発明ではいずれも焼結性
に問題はなく、比誘電率も１２．０以上を、抗折強度も
２００ＭＰａ以上を示している。
に問題はなく、比誘電率も１２．０以上を、抗折強度も
２００ＭＰａ以上を示している。
【００４１】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明の低温焼成磁
器組成物は、比誘電率が高く誘電正接が小さい緻密な焼
結体が得られるので、配線パターンの微細化が可能とな
り、更に配線基板材料として高強度化により入出力端子
部でのリードの接合や、高密度実装における基板の信頼
性を向上できる上、９００〜１０００℃の低温度で焼成
可能なため、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ等による配線を同時焼成
により形成することができ、高密度実装が可能な各種高
周波用の小型化された多層配線基板や半導体素子収納用
パッケージの基板材料として好適である。
器組成物は、比誘電率が高く誘電正接が小さい緻密な焼
結体が得られるので、配線パターンの微細化が可能とな
り、更に配線基板材料として高強度化により入出力端子
部でのリードの接合や、高密度実装における基板の信頼
性を向上できる上、９００〜１０００℃の低温度で焼成
可能なため、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ等による配線を同時焼成
により形成することができ、高密度実装が可能な各種高
周波用の小型化された多層配線基板や半導体素子収納用
パッケージの基板材料として好適である。
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(56)参考文献 特開 平９−315852（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−235157（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−208330（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−53461（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−36166（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C04B 35/42 - 35/50
ＣＡ（ＳＴＮ)
ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ)
Claims (2)
- 【請求項１】ホウケイ酸亜鉛系（Ｂ2 Ｏ3 −ＺｎＯ−Ｓ
ｉＯ2 −Ｎａ2 Ｏ−Ａｌ2 Ｏ3 系）ガラスが２８〜３６
重量％と、リチウム（Ｌｉ）が酸化物換算で２〜８重量
％と、マグネシウム（Ｍｇ）とカルシウム（Ｃａ）のチ
タン酸塩が総量で６０〜７０重量％とから成り、９００
〜１０００℃の焼成温度で緻密化する焼結体であって、
該焼結体の比誘電率が１０〜１５であることを特徴とす
る低温焼成磁器組成物。 - 【請求項２】前記ホウケイ酸亜鉛系（Ｂ2 Ｏ3 −ＺｎＯ
−ＳｉＯ2 −Ｎａ2Ｏ−Ａｌ2 Ｏ3 系）ガラスが３１〜
３５重量％と、リチウム（Ｌｉ）が酸化物換算で３〜４
重量％と、マグネシウム（Ｍｇ）とカルシウム（Ｃａ）
のチタン酸塩が総量で６３〜６７重量％とから成ること
を特徴とする請求項１記載の低温焼成磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21758596A JP3401147B2 (ja) | 1996-08-19 | 1996-08-19 | 低温焼成磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21758596A JP3401147B2 (ja) | 1996-08-19 | 1996-08-19 | 低温焼成磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1059767A JPH1059767A (ja) | 1998-03-03 |
| JP3401147B2 true JP3401147B2 (ja) | 2003-04-28 |
Family
ID=16706598
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21758596A Expired - Fee Related JP3401147B2 (ja) | 1996-08-19 | 1996-08-19 | 低温焼成磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3401147B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6348424B1 (en) | 1998-11-11 | 2002-02-19 | Nec Corporation | Low-temperature calcined glass ceramic and a manufacturing process therefor |
| CN114988865B (zh) * | 2022-06-10 | 2023-03-21 | 深圳顺络电子股份有限公司 | 一种低温共烧的陶瓷材料及制备方法 |
-
1996
- 1996-08-19 JP JP21758596A patent/JP3401147B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1059767A (ja) | 1998-03-03 |
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