JP3792355B2 - 高強度セラミック焼結体及びその製造方法並びに配線基板 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば集積回路(IC)や電子部品を搭載した配線基板における絶縁基板に好適に使用され、応力による破壊、欠けなどの生じることのない高強度セラミック焼結体及びその製造方法に関するものである。
【0002】
【従来技術】
従来より、セラミック配線基板などの絶縁基板としては、アルミナ質焼結体からなる絶縁基板の表面または内部にタングステンやモリブデンなどの高融点金属からなる配線層が形成されたものが最も普及している。ところが、従来のタングステンや、モリブデンなどの高融点金属は導体抵抗が大きく、特に30GHz以上のミリ波領域において使用できないことから、これらの金属に代えて、銅、銀、金などの低抵抗金属を使用することが必要である。このような低抵抗金属からなる配線層は、アルミナと同時焼成することが不可能であるため、最近では、ガラス、あるいはガラスとセラミックフィラーとの複合材料からなる、いわゆるガラスセラミックスを絶縁基板として用いた配線基板が開発されつつある。
【0003】
例えば、特公平4−12639号のように、ガラスに、SiO2 系フィラーを添加し、銅、銀、金などの低抵抗金属からなる配線層と900〜1000℃の温度で同時焼成した多層配線基板等が提案されている。
【0004】
特開昭60−240135号のように、ホウケイ酸亜鉛系ガラスに、Al2 O3 、ZrO2 、ムライトなどのフィラーを添加してシート状成形体を作製し、その表面に低抵抗金属を含むペーストを塗布して同時焼成したガラスセラミック配線基板などが提案されている。その他、特開平5−298919号には、ムライトやコージェライトを結晶相として析出させたガラスセラミック焼結体も提案されている。
【0005】
一方、多層回路基板に種々の電子部品や入出力端子等を接続する工程上で基板に加わる応力から基板が破壊したり、欠けを生じたりすることを防止する為に、材料の機械的強度が高いことも要求されている。
【0006】
【発明が解決しようとする問題点】
しかしながら、従来のガラスセラミック焼結体は、金、銀、銅などのメタライズ層の多層化及び同時焼成が可能であるが、比誘電率が7以下と低く、小型化には不向きであった。また、高強度化に対しては、ガラスセラミック焼結体中に、ガーナイトなどのスピネル結晶相やZrO2 結晶相などを析出させたセラミック焼結体が種々提案されているが、それらの強度はせいぜい30kg/mm2 程度であり、電子部品や入出力端子等を接続する際に絶縁基板に割れや欠けが発生するなどの問題があった。また、従来のAl2 O3 などのセラミック材料に比較して格段に低いために、その用途が非常に限られ、ガラスセラミック焼結体の普及を阻害する大きな要因であった。
【0007】
従って、本発明は、金、銀、銅を配線導体として多層化が可能であるとともに、高強度、高誘電率を有するセラミック焼結体を提供することを目的とするものである。また、本発明は、高強度で高誘電率のセラミック焼結体を低温焼成して作成することのできるセラミック焼結体の製造方法を提供するものである。
【0008】
【問題点を解決するための手段】
本発明者等は、上記問題点を鋭意検討した結果、結晶相として、Al2 O3 と、SiO2 と、アルカリ土類酸化物を含む複合酸化物結晶相を主体とし、さらにZrO2 結晶相を含有する焼結体において、その結晶化度を95%以上に高めることにより、焼結体の強度を35kg/mm2 以上とこれまでにない非常に高い強度が得られることを見いだし、本発明に至った。
【0009】
即ち、本発明の高強度セラミック焼結体は、アノーサイト結晶と、スラウソナイト結晶と、ZrO 2 結晶相と、MgAl 2 O 4 結晶相と、TiO 2 結晶相と、ガーナイト結晶相とで構成されるセラミック焼結体からなり、該焼結体がアルミナ結晶相を含まず、且つ該焼結体の結晶化度が95%以上、抗折強度が35kg/mm2以上であることを特徴とするものでり、また、本発明の配線基板は、上記の高強度セラミック焼結体からなる絶縁基板の表面および/または内部に配線層を具備することを特徴とするものである。
【0010】
また、本発明の高強度セラミック焼結体の製造方法は、少なくともSiO2、Al2O3、アルカリ土類金属、ZnOおよびB2O3を含有するガラス粉末45〜80重量%と、CaOおよびZrO2、あるいはそれらの化合物を合量で5〜30重量%、SrOおよびTiO2あるいはそれらの化合物を合量で5〜30重量%の割合で含有する成形体を、730〜750℃の温度に保持して焼成した後、さらに800〜1000℃に昇温して焼成し、アノーサイト結晶と、スラウソナイト結晶と、ZrO 2 結晶相と、MgAl 2 O 4 結晶相と、TiO 2 結晶相と、ガーナイト結晶相とを析出させ、アルミナ結晶相を含まないセラミック焼結体を作製することを特徴とするものである。
【0011】
【発明の実施の形態】
本発明のセラミック焼結体は、図1の組織の概略図に示すように、結晶相として、SiO2、Al2O3およびアルカリ土類元素酸化物からなる複合酸化物結晶相(Sl)1を主結晶相とする。この主結晶相は、CaAl2Si2O8の化学式で表されるアノーサイト結晶及び(Ca,Sr)Al2Si2O8で表されるスラウソナイト結晶からなる。この主結晶相は、焼結体中に、平均粒径が1〜3μmの結晶粒子として存在する。この主結晶相は焼結体中に50重量%以上の割合で含有される。
【0012】
また、この主結晶相以外の第2の結晶相として、ZrO2 結晶相(Z)2を必須として含有する。このZrO2 結晶相は、主として正方晶および/または立方晶として存在する。このZrO2 結晶相は、主結晶相である前記複合酸化物結晶相の粒内および粒界に平均粒径100nm以下の微細な結晶粒子として分散して存在する。このように主結晶相内にZrO2 結晶が微細な粒子として存在することにより主結晶相の強度を高める作用をなし、セラミック焼結体全体の強度を高めることができる。また、ZrO2 は、それ自体の誘電率が高いことから、焼結体の誘電率を高める作用もなす。このZrO2 は、焼結体中において、10〜30重量%の割合で含有することが望ましく、特に10〜20重量%の割合で含む。従って、このZrO2 の含有量が10重量%より少ないと強度を高めることが難しく、また30重量%を越えると焼結性が低下しやすくなる。
【0013】
本発明のセラミック焼結体は、焼結体中の結晶相として、上記主結晶相およびZrO2 結晶相を不可欠の結晶相として含むものであるが、このような結晶相を含有するとともに、セラミック焼結体の結晶化度が95%以上、特に97%以上の高結晶化度の焼結体である。この結晶化度は、焼結体の強度を高める上で非常に重要であり、本発明では、結晶化度を95%以上とすることにより、抗折強度35kg/mm2 以上の優れた強度を発揮することができる。
【0014】
また、本発明のセラミック焼結体は、結晶化度を高める上で、上記主結晶相および第2の結晶相以外に、MgAl2O4(スピネル型)結晶相(SP)3、TiO2(ルチル型)結晶相(T)4及びガーナイト結晶相を含有することが重要である。これらは、焼結体中に含まれる種々の成分により、析出する結晶相であるとともに、前記主結晶相である複合酸化物結晶相とともに焼結体の誘電特性を制御するなどの作用を具備する。また、Al 2 O 3 結晶相を含有しない。
【0015】
また、本発明のセラミック焼結体は、ガラス相5をわずかな量で含有される場合もある。その場合、ガラス相は、SiO2 、アルカリ土類元素酸化物、アルミニウム等によって構成される。
【0016】
本発明のセラミック焼結体は、例えば、出発原料組成として、少なくともSiO2、Al2O3、MgO、ZnOおよびB2O3を含む結晶化ガラスを45〜80重量%、特に50〜70重量%と、フィラー成分としてCaOおよびZrO2、あるいはそれらの化合物を合量で5〜30重量%、特に10〜25重量%、さらには誘電率及び抗折強度の関係からZrはZrO2換算量で全量中4〜29重量%、CaはCaO換算で全量中1〜15重量%の範囲で配合する。さらにフイラーとしてSrOおよびTiO2あるいはそれらの化合物を合量で5〜30重量%、特に10〜20重量%の割合で配合する。そして、上記の比率が配合された混合粉末を含有する成形体を非酸化性雰囲気または酸化性雰囲気中で800℃〜1000℃の温度で焼成して緻密化することができるが、上記の焼成前に、非酸化性雰囲気または酸化性雰囲気中で730〜750℃で0.1〜1時間程度保持することにより、アノーサイト結晶と、スラウソナイト結晶と、ZrO 2 結晶相と、MgAl 2 O 4 結晶相と、TiO 2 結晶相と、ガーナイト結晶相とを析出させ、アルミナ結晶相を含まないセラミック焼結体を作製し、結晶化度を95%以上に高めることができる。これは、上記の一時保持によって結晶種が生成され、これにより結晶化が進行しやすくなるためと考えられる。
【0017】
なお、上記結晶化ガラスの好適な組成としてはSiO2 :40〜45重量%、Al2 O3 :25〜30重量%、MgO:8〜12重量%、ZnO:6〜9重量%、B2 O3 :8〜11重量%である。
【0018】
なお、出発原料組成において、ガラスおよびフィラー量を状上記の比率に限定したのは、上記ガラス量が45重量%より少ないか、言い換えればガラス以外のフィラー成分の合計量が55重量%より多いと、800〜1000℃の温度で磁器が十分に緻密化することができず、逆に、上記ガラス量が80重量%より多いか、言い換えればフィラー成分の合計量が20重量%より少ないと誘電率が8より低く、本発明の目的に合致しないためである。
【0019】
フィラー成分として、CaおよびZr量が、5重量%より少ない場合、焼結体の強度が低く、逆に30重量%より多いと焼成温度が1000℃より高くなり、金、銀、銅などの同時焼成ができなくなるためである。
【0020】
また、SrおよびTiは、誘電特性の制御する上で、必要であり、上記の範囲を逸脱すると、誘電率、誘電正接または誘電率の温度特性が大きくなるなどの弊害が生じる。
【0021】
さらに、本発明では、上記の出発原料組成物に対して、耐薬品性を高める上で、さらにAlの酸化物(Al2 O3 )、あるいはAlの酸化物とSiの酸化物(SiO2 )を合量で0.1〜20重量%、とくに1〜10重量%割合で含有することが望ましい。特に、SiはSiO2 換算量で全量中0〜15重量%の範囲であることが望ましい。それは、Al、あるいはAlおよびSi量が酸化物換算による合量で0.1重量%より少ないか、またはAl2 O3 量が0.1%重量より少ない場合、耐薬品性の向上効果が小さく、SiおよびAlの上記含有量が20重量%より多いか、またはAl2 O3 量が20重量%より多い場合、磁器の緻密化温度が1000℃より高くなり導体としての銅、金、銀の収縮曲線と大きくずれ導体が剥離してしまうという問題が発生するからである。
【0022】
また、本発明のセラミック焼結体を絶縁基板とする配線基板を作製するには、上記のようにして作製した混合粉末を公知のテープ成形法、例えばドクターブレード法、圧延法等に従い、絶縁層形成用のグリーンシートを作製した後、そのシートの表面に配線層用のメタライズとして、Ag、AuやCuの粉末、特にCu粉末を含む金属ペーストを用いて、シート表面に配線パターンにスクリーン印刷し、場合によってはシートにスルーホールを形成してホール内に上記ペーストを充填する。その後、複数のシートを積層圧着した後、上述した条件で焼成し、さらに結晶化度を高める処理を施すことにより、高強度の絶縁基板の表面および/または内部に配線層を具備する多層配線基板を作製することができる。
【0023】
【実施例】
SiO2 −Al2 O3 −MgO−ZnO−B2 O3 系結晶性ガラスとして
の2種のガラスと、平均粒径が1μm以下のZrO2 およびCaCO3 、平均粒径が1μm以下のSrTiO3 、平均粒径が1μm以下のAl2 O3 、SiO2 を表1、2の組成に従い混合した。なお、表1、2中、試料No.1〜17については平均粒径0.7μmのCaZrO3 粉末を添加した。
【0024】
そして、この混合物に有機バインダー、可塑剤、トルエンを添加し、ドクターブレード法により厚さ300μmのグリーンシートを作製した。そして、このグリーンシートを5枚積層し、50℃の温度で100kg/cm2 の圧力を加えて熱圧着した。得られた積層体を水蒸気含有/窒素雰囲気中で、500〜700℃で脱バインダーした後、730℃で30分間保持した後、さらに乾燥窒素中で表1、2の条件において焼成した。
【0025】
得られた焼結体について比誘電率、抗折強度、X線回折による結晶化度を以下の方法で評価した。比誘電率は、試料形状 直径50mm、厚み1mmの試料を切り出し、3.0GHzにてネットワークアナライザー、シンセサイズドスイーパーを用いて空洞共振器法により測定した。測定では、サファイヤを充填した円筒空洞共振器の間に試料の誘電体基板を挟んで測定した。共振器のTE011 モードの共振特性より、比誘電率を算出した。
【0026】
抗折強度は、試料形状 長さ70mm,厚さ3mm,幅4mmとし、JIS−C−2141の規定に準じて3点曲げ試験を行った。測定の結果は表1、2に示した。
【0027】
結晶化度の評価は、複数の結晶相が析出するため、リートベルト法を用いて評価した。リートベルト法では、得られた焼結体を粉砕した後、内部標準試料としてZnOを添加し、エタノールを加えて湿式混合を行った。この混合は、焼結体粉末と内部標準試料がほぼ均一になるまで行った。予めそれぞれの秤量しておいた重量とリートベルト法により得られる定量結果から焼結体に存在する結晶質の割合、すなわち結晶化度を評価した。また試料No.2とNo.4に対して各結晶相の定量結果と結晶化度の定量結果を表3に示した。
【0028】
また、比較例として、フィラー成分として、ZrO2 やCaOに代わり、Al2 O3 、フォルステライトを用いて同様に焼結体を作製し評価した(試料No.23、24)。
【0029】
また、上記結晶性ガラスに代わり、
のガラスを用いて、同様にして焼結体を作成し、同様に評価を行った。
【0030】
【表1】
【0031】
【表2】
【0032】
【表3】
【0033】
表1、2の結果から明らかなように、結晶化処理を施し、結晶相として(Ca,Sr)−Al−Si−O(スラウソナイト)系複合酸化物結晶相、ZrO2 結晶を含み、その結晶化度が95%以上の本発明の焼結体は、いずれも誘電率が8以上、強度が35kg/mm2 以上の高い値を示した。これに対して、結晶化処理を施さなかった試料No.1、3、5、7では、結晶化度を95%以上まで高めることができず、抗折強度が35kg/mm2 に満たないものであった。
【0034】
また、結晶相として、Al2 O3 、SiO2 およびアルカリ土類酸化物を含む複合酸化物結晶相や、ZrO2 結晶相を含有しない試料No.20〜25では、35kg/mm2 以上の強度を達成することができなかった。
【0035】
【発明の効果】
以上詳述した通り、本発明の高強度セラミック焼結体は、高い誘電率と優れた強度を有するために、マイクロ波用回路素子等において小型化が可能となり、さらに、基板材料の高強度化により入出力端子部に施すリードの接合や実装における基板の信頼性を向上できる。しかも、800〜1000℃で焼成されるため、Au、AgおよびCu等による配線を同時焼成により形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の高強度セラミック焼結体の組織の概略図である。
【符号の説明】
1 (Ca,Sr)−Al−Si−O(スラウソナイト)系複合酸化物結晶相
2 ZrO2 結晶相
3 スピネル型結晶相
4 TiO2 (ルチル型)結晶相
5 ガラス相
Claims (3)
- アノーサイト結晶と、スラウソナイト結晶と、ZrO 2 結晶相と、MgAl 2 O 4 結晶相と、TiO 2 結晶相と、ガーナイト結晶相とで構成されるセラミック焼結体からなり、該焼結体がアルミナ結晶相を含まず、且つ該焼結体の結晶化度が95%以上、抗折強度が35kg/mm2以上であることを特徴とする高強度セラミック焼結体。
- 少なくともSiO2、Al2O3、アルカリ土類金属、ZnOおよびB2O3を含有するガラス粉末45〜80重量%と、CaOおよびZrO2、あるいはそれらの化合物を合量で5〜30重量%、SrOおよびTiO2あるいはそれらの化合物を合量で5〜30重量%の割合で含有する成形体を、730〜750℃の温度に保持して焼成した後、さらに800〜1000℃に昇温して焼成し、アノーサイト結晶と、スラウソナイト結晶と、ZrO 2 結晶相と、MgAl 2 O 4 結晶相と、TiO 2 結晶相と、ガーナイト結晶相とを析出させ、アルミナ結晶相を含まないセラミック焼結体を作製することを特徴とする高強度セラミック焼結体の製造方法。
- 請求項1記載の高強度セラミック焼結体からなる絶縁基板の表面および/または内部に配線層を具備することを特徴とする配線基板。
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