JPH0920555A - 誘電体磁器およびその製造方法ならびにこれを用いた電子部品 - Google Patents
誘電体磁器およびその製造方法ならびにこれを用いた電子部品Info
- Publication number
- JPH0920555A JPH0920555A JP7165912A JP16591295A JPH0920555A JP H0920555 A JPH0920555 A JP H0920555A JP 7165912 A JP7165912 A JP 7165912A JP 16591295 A JP16591295 A JP 16591295A JP H0920555 A JPH0920555 A JP H0920555A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric
- zno
- tio
- dielectric material
- mixed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 title abstract description 13
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 17
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 24
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 abstract description 28
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract description 24
- 239000000843 powder Substances 0.000 abstract description 20
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 18
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 14
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 abstract description 5
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 abstract description 5
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 abstract description 5
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 abstract description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 abstract description 5
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 abstract description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 4
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910010252 TiO3 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 abstract 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 18
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 14
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 14
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 11
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 11
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 6
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 6
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 4
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 4
- 101100513612 Microdochium nivale MnCO gene Proteins 0.000 description 3
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 2
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 2
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017493 Nd 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009766 low-temperature sintering Methods 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010587 phase diagram Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
- C04B35/462—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/453—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zinc, tin, or bismuth oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. zincates, stannates or bismuthates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
- H01G4/1218—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、ＡｇもしくはＣｕ、またはＡｇもし
くはＣｕを主成分とする合金を内部導体として使用が可
能となるような低温焼結性を有する、ＴｉＯ2とＺｎＯ
を主成分とする誘電体磁器およびその製造方法、ならび
にこれを用いた電子部品を提供する。 【構成】ＴｉＯ2とＺｎＯを主成分とする誘電体磁器に
Ｂ2Ｏ3またはＢ2Ｏ3を含むガラス成分を含有せしめるこ
とにより、ＡｇもしくはＣｕ、またはＡｇもしくはＣｕ
を主成分とする合金の融点以下で焼成を可能する。ま
た、ＴｉＯ2、ＺｎＯの組成比を選択することにより温
度係数の選択が可能であり、Ｂ2Ｏ3またはＢ2Ｏ3を含む
ガラス成分の含有量を選択することにより焼結温度の選
択が可能となる。さらにＣｕ酸化物、Ｎｉ酸化物、Ｍｎ
酸化物、Ｓｉ酸化物を添加してその含有量を調整するこ
とにより、結晶構造、比誘電率、Ｑ値、温度係数、絶縁
抵抗（ＩＲ）および結晶粒径の制御が可能となる。
くはＣｕを主成分とする合金を内部導体として使用が可
能となるような低温焼結性を有する、ＴｉＯ2とＺｎＯ
を主成分とする誘電体磁器およびその製造方法、ならび
にこれを用いた電子部品を提供する。 【構成】ＴｉＯ2とＺｎＯを主成分とする誘電体磁器に
Ｂ2Ｏ3またはＢ2Ｏ3を含むガラス成分を含有せしめるこ
とにより、ＡｇもしくはＣｕ、またはＡｇもしくはＣｕ
を主成分とする合金の融点以下で焼成を可能する。ま
た、ＴｉＯ2、ＺｎＯの組成比を選択することにより温
度係数の選択が可能であり、Ｂ2Ｏ3またはＢ2Ｏ3を含む
ガラス成分の含有量を選択することにより焼結温度の選
択が可能となる。さらにＣｕ酸化物、Ｎｉ酸化物、Ｍｎ
酸化物、Ｓｉ酸化物を添加してその含有量を調整するこ
とにより、結晶構造、比誘電率、Ｑ値、温度係数、絶縁
抵抗（ＩＲ）および結晶粒径の制御が可能となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＡｇもしくはＣｕ、ま
たはＡｇもしくはＣｕを主成分とする合金を内部導体と
して使用できるような低温焼結性を有する、ＴｉＯ2と
ＺｎＯを主成分とする誘電体磁器およびその製造方法、
ならびにこの誘電体磁器を用いた電子部品に関する。
たはＡｇもしくはＣｕを主成分とする合金を内部導体と
して使用できるような低温焼結性を有する、ＴｉＯ2と
ＺｎＯを主成分とする誘電体磁器およびその製造方法、
ならびにこの誘電体磁器を用いた電子部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＡＶ機器、コンピューター機器、
および移動体通信機器等の分野では製品の小型化、高性
能化が進み、それらに用いられる各種電子部品に関して
も小型化、高性能化、サーフェスマウントデバイス（Ｓ
ＭＤ）化に対する要求が非常に高まっている。そのため
コンデンサ部品は内部に層状に電極導体を構成する積層
チップコンデンサの市場が拡大している。
および移動体通信機器等の分野では製品の小型化、高性
能化が進み、それらに用いられる各種電子部品に関して
も小型化、高性能化、サーフェスマウントデバイス（Ｓ
ＭＤ）化に対する要求が非常に高まっている。そのため
コンデンサ部品は内部に層状に電極導体を構成する積層
チップコンデンサの市場が拡大している。
【０００３】これら積層チップコンデンサの内部導体と
してはＡｕ、Ｐｔ、Ｐｄ等の貴金属が用いられてきた
が、コストダウンの観点よりこれら導体材料より比較的
安価なＡｇもしくはＣｕ、またはＡｇもしくはＣｕを主
成分とする合金に変わりつつある。特にＡｇまたはＡｇ
を主成分とする合金はその直流抵抗が低いことから、コ
ンデンサのＱ特性を向上させることができる等の利点が
ありその要求が高まっている。しかし、ＡｇまたはＡｇ
を主成分とする合金は融点が９６０℃程度と低く、これ
より低い温度で安定に焼成できる誘電体材料が必要とな
る。
してはＡｕ、Ｐｔ、Ｐｄ等の貴金属が用いられてきた
が、コストダウンの観点よりこれら導体材料より比較的
安価なＡｇもしくはＣｕ、またはＡｇもしくはＣｕを主
成分とする合金に変わりつつある。特にＡｇまたはＡｇ
を主成分とする合金はその直流抵抗が低いことから、コ
ンデンサのＱ特性を向上させることができる等の利点が
ありその要求が高まっている。しかし、ＡｇまたはＡｇ
を主成分とする合金は融点が９６０℃程度と低く、これ
より低い温度で安定に焼成できる誘電体材料が必要とな
る。
【０００４】また、コンデンサと、他のコイル素子と回
路を形成するいわゆるＬＣ回路として用いる場合、また
はコンデンサとコイルを両方備えているような複合電子
部品を形成する場合においてはコンデンサ素子にコイル
素子の温度係数を補償するような温度係数を有するこ
と、いわゆる温度補償用コンデンサとして機能すること
が要求される。そのために誘電体磁器としてはその温度
係数を任意に調整できることが重要となる。
路を形成するいわゆるＬＣ回路として用いる場合、また
はコンデンサとコイルを両方備えているような複合電子
部品を形成する場合においてはコンデンサ素子にコイル
素子の温度係数を補償するような温度係数を有するこ
と、いわゆる温度補償用コンデンサとして機能すること
が要求される。そのために誘電体磁器としてはその温度
係数を任意に調整できることが重要となる。
【０００５】さらに、誘電体磁器を用いて誘電体フィル
ターを形成する場合、以下の事柄が重要となる。（１）
携帯電話等で使用されるマイクロ波付近では誘電体の比
誘電率により共振器の長さが制約を受けるために、素子
の小型化の実現にはその比誘電率がある程度高いこと。
（２）温度変化に対する特性の変動を極力少なくするた
め、誘電体の温度係数が小さいこと。（３）誘電体のＱ
値は誘電体フィルターに要求される挿入損失に影響を及
ぼすため、誘電体のＱ値が高いこと、である。また前記
したように低抵抗の内部導体を使用することが素子のＱ
値の向上に有効である。
ターを形成する場合、以下の事柄が重要となる。（１）
携帯電話等で使用されるマイクロ波付近では誘電体の比
誘電率により共振器の長さが制約を受けるために、素子
の小型化の実現にはその比誘電率がある程度高いこと。
（２）温度変化に対する特性の変動を極力少なくするた
め、誘電体の温度係数が小さいこと。（３）誘電体のＱ
値は誘電体フィルターに要求される挿入損失に影響を及
ぼすため、誘電体のＱ値が高いこと、である。また前記
したように低抵抗の内部導体を使用することが素子のＱ
値の向上に有効である。
【０００６】そこで、これらの要求を満たすために、こ
れまで９００℃程度で焼成可能な誘電体磁器としては、
特公昭６２−５７０４２号公報のＴｉＯ2を主成分とす
るもの、特開平１−２３６５１４号公報のＳｒＴｉＯ3
を主成分とするもの、特開平６−２４３７２５号公報の
の（ＳｒＣａ）ＴｉＯ3を主成分とするもの、また温度
係数の極めて小さな特性を有する誘電体フィルター用材
料としては特開平５−３２５６４１号公報のＢａＯ−Ｔ
ｉＯ2系を主成分とするもの、特開平５−２３４４２０
号公報のＢａＯ−ＴｉＯ2−Ｎｄ2Ｏ3系を主成分とする
ものなどの発明があるが、いずれのものも特定の温度係
数を有しており、広範な温度係数を任意に選択できるも
のではない。
れまで９００℃程度で焼成可能な誘電体磁器としては、
特公昭６２−５７０４２号公報のＴｉＯ2を主成分とす
るもの、特開平１−２３６５１４号公報のＳｒＴｉＯ3
を主成分とするもの、特開平６−２４３７２５号公報の
の（ＳｒＣａ）ＴｉＯ3を主成分とするもの、また温度
係数の極めて小さな特性を有する誘電体フィルター用材
料としては特開平５−３２５６４１号公報のＢａＯ−Ｔ
ｉＯ2系を主成分とするもの、特開平５−２３４４２０
号公報のＢａＯ−ＴｉＯ2−Ｎｄ2Ｏ3系を主成分とする
ものなどの発明があるが、いずれのものも特定の温度係
数を有しており、広範な温度係数を任意に選択できるも
のではない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ＴｉＯ2とＺｎＯを主
成分とする誘電体磁器はその配合比を変えることにより
任意の温度係数を選択でき、特にある特定の組成では温
度係数が極めて小さくなることが知られている（素木洋
一著、“ファインセラミックス”、技報堂出版株式会
社、７８８頁〜７８９頁）。よって、これは温度補償用
コンデンサ、磁性材と一体化したＬＣフィルターのコン
デンサ素子または誘電体フィルター等の誘電体材料とし
て非常に有用である。
成分とする誘電体磁器はその配合比を変えることにより
任意の温度係数を選択でき、特にある特定の組成では温
度係数が極めて小さくなることが知られている（素木洋
一著、“ファインセラミックス”、技報堂出版株式会
社、７８８頁〜７８９頁）。よって、これは温度補償用
コンデンサ、磁性材と一体化したＬＣフィルターのコン
デンサ素子または誘電体フィルター等の誘電体材料とし
て非常に有用である。
【０００８】しかし、その焼結温度は約１３００℃と高
く、そのためこれを用いて積層チップ部品を構成する場
合には、ＡｇもしくはＣｕ、またはＡｇもしくはＣｕを
主成分とする低融点の合金を内部導体として用いること
ができなかった。また、これまでＴｉＯ2とＺｎＯを主
成分とする誘電体においてこれら低融点の電極材料を用
いることができるような誘電体磁器の発明はなされてい
ない。
く、そのためこれを用いて積層チップ部品を構成する場
合には、ＡｇもしくはＣｕ、またはＡｇもしくはＣｕを
主成分とする低融点の合金を内部導体として用いること
ができなかった。また、これまでＴｉＯ2とＺｎＯを主
成分とする誘電体においてこれら低融点の電極材料を用
いることができるような誘電体磁器の発明はなされてい
ない。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、ＴｉＯ2とＺ
ｎＯを主成分とする誘電体磁器にＢ2Ｏ3またはＢ2Ｏ3を
含むガラス成分を含有せしめることにより、Ａｇもしく
はＣｕ、またはＡｇもしくはＣｕを主成分とする合金の
融点以下での焼成を可能とし、これにより、これら金属
を内部導体として電子部品を構成することが可能とな
り、結果として電気的諸特性の向上および製造コストの
低減が実現できる誘電体磁器を提供する。
ｎＯを主成分とする誘電体磁器にＢ2Ｏ3またはＢ2Ｏ3を
含むガラス成分を含有せしめることにより、Ａｇもしく
はＣｕ、またはＡｇもしくはＣｕを主成分とする合金の
融点以下での焼成を可能とし、これにより、これら金属
を内部導体として電子部品を構成することが可能とな
り、結果として電気的諸特性の向上および製造コストの
低減が実現できる誘電体磁器を提供する。
【００１０】また、ＴｉＯ2、ＺｎＯの組成比の選択に
より温度係数の選択が可能であり、Ｂ2Ｏ3またはＢ2Ｏ3
を含むガラス成分の含有量の選択により焼結温度の選択
が可能である。さらにＣｕ酸化物、Ｎｉ酸化物、Ｍｎ酸
化物、Ｓｉ酸化物を添加してその含有量を調整すること
により、結晶構造、比誘電率、Ｑ値、温度係数、絶縁抵
抗（ＩＲ）および結晶粒径の制御が可能である。
より温度係数の選択が可能であり、Ｂ2Ｏ3またはＢ2Ｏ3
を含むガラス成分の含有量の選択により焼結温度の選択
が可能である。さらにＣｕ酸化物、Ｎｉ酸化物、Ｍｎ酸
化物、Ｓｉ酸化物を添加してその含有量を調整すること
により、結晶構造、比誘電率、Ｑ値、温度係数、絶縁抵
抗（ＩＲ）および結晶粒径の制御が可能である。
【００１１】
【作用】ＴｉＯ2とＺｎＯを主成分とする誘電体磁器は
その組成比を選択することにより、任意の温度係数を広
範に得ることが可能であるが、その組成はＴｉＯ2が４
０〜９０ｍｏｌ％、ＺｎＯが６０〜１０ｍｏｌ％の範囲
であることが好ましい。ＴｉＯ2が９０ｍｏｌ％を越え
る場合、すなわちＺｎＯが１０ｍｏｌ％より少ない場合
は、温度係数がほぼ一定となり広範に選択できる効果が
十分に得られない。またＴｉＯ2が４０ｍｏｌ％より少
ない場合、すなわちＺｎＯが６０ｍｏｌ％を越える場合
は、その温度係数は大きな正の値をとるが、一般にコイ
ル素子の温度係数は正であることから、温度補償用誘電
体材料としては有用でない。
その組成比を選択することにより、任意の温度係数を広
範に得ることが可能であるが、その組成はＴｉＯ2が４
０〜９０ｍｏｌ％、ＺｎＯが６０〜１０ｍｏｌ％の範囲
であることが好ましい。ＴｉＯ2が９０ｍｏｌ％を越え
る場合、すなわちＺｎＯが１０ｍｏｌ％より少ない場合
は、温度係数がほぼ一定となり広範に選択できる効果が
十分に得られない。またＴｉＯ2が４０ｍｏｌ％より少
ない場合、すなわちＺｎＯが６０ｍｏｌ％を越える場合
は、その温度係数は大きな正の値をとるが、一般にコイ
ル素子の温度係数は正であることから、温度補償用誘電
体材料としては有用でない。
【００１２】また、Ｂ2Ｏ3またはＢ2Ｏ3を含むガラス成
分を含有することにより、誘電体材料の低温焼成が可能
となるが、Ｂ2Ｏ3の含有量は０．１〜６．０ｗｔ％が好
ましい。この範囲より少ない場合は焼結温度が、Ａｇも
しくはＣｕ、またはＡｇもしくはＣｕを主成分とする合
金の融点以上の温度となり、本発明の目的のひとつであ
るこれら電極の使用ができなくなる。またこの範囲を越
える場合は耐酸性が弱くなり、メッキ時に素地が酸に浸
食され誘電特性が劣化するため好ましくない。
分を含有することにより、誘電体材料の低温焼成が可能
となるが、Ｂ2Ｏ3の含有量は０．１〜６．０ｗｔ％が好
ましい。この範囲より少ない場合は焼結温度が、Ａｇも
しくはＣｕ、またはＡｇもしくはＣｕを主成分とする合
金の融点以上の温度となり、本発明の目的のひとつであ
るこれら電極の使用ができなくなる。またこの範囲を越
える場合は耐酸性が弱くなり、メッキ時に素地が酸に浸
食され誘電特性が劣化するため好ましくない。
【００１３】ここで、本発明における副成分の中で必須
成分であるＢ2Ｏ3はＴｉＯ2とＺｎＯを主成分とする誘
電体磁器の低温焼結化に効果的な成分でありＢ2Ｏ3単独
にても十分な効果が得られる他、ガラス化したＢ2Ｏ3成
分でもその効果は十分に得られる。Ｂ2Ｏ3を成分のひと
つとして含むガラスとしては、ＺｎＯ−ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ
3系、ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3系、Ｂｉ2Ｏ3−ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3系
などが挙げられ、本発明ではそれらいずれのガラスも有
用に利用することができる。
成分であるＢ2Ｏ3はＴｉＯ2とＺｎＯを主成分とする誘
電体磁器の低温焼結化に効果的な成分でありＢ2Ｏ3単独
にても十分な効果が得られる他、ガラス化したＢ2Ｏ3成
分でもその効果は十分に得られる。Ｂ2Ｏ3を成分のひと
つとして含むガラスとしては、ＺｎＯ−ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ
3系、ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3系、Ｂｉ2Ｏ3−ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3系
などが挙げられ、本発明ではそれらいずれのガラスも有
用に利用することができる。
【００１４】また、ＴｉＯ2とＺｎＯを主成分とする誘
電体磁器はＡｇもしくはＣｕ、またはＡｇもしくはＣｕ
を主成分とする合金を内部導体として使用可能な温度付
近にて焼成すると主にＺｎ2ＴｉＯ4＋ルチル、ＺｎＴｉ
Ｏ3＋ルチル、Ｚｎ2ＴｉＯ4+ＺｎＴｉＯ3の３つの相が
生成される。それぞれの相は異なった誘電特性を有して
おり、生成相を安定化させることはコンデンサ、誘電体
フィルターの品質を安定させる上で非常に重要である。
電体磁器はＡｇもしくはＣｕ、またはＡｇもしくはＣｕ
を主成分とする合金を内部導体として使用可能な温度付
近にて焼成すると主にＺｎ2ＴｉＯ4＋ルチル、ＺｎＴｉ
Ｏ3＋ルチル、Ｚｎ2ＴｉＯ4+ＺｎＴｉＯ3の３つの相が
生成される。それぞれの相は異なった誘電特性を有して
おり、生成相を安定化させることはコンデンサ、誘電体
フィルターの品質を安定させる上で非常に重要である。
【００１５】Ｃｕ酸化物またはＮｉ酸化物は必ずしも含
有せしめる必要はないが、これが誘電体磁器中に存在す
ることによりＺｎ2ＴｉＯ4＋ルチル相が安定して生成さ
れる。これら酸化物の含有量はＣｕＯまたはＮｉＯ換算
で１０ｗｔ％以下（ただし０ｗｔ％は含まず）の範囲で
あることが好ましい。Ｃｕ酸化物がこの範囲より多い場
合は、内部導体の拡散による断線やメッキ時に素地もメ
ッキされる等の不都合を生じる。一方、Ｎｉ酸化物がこ
の範囲より多い場合は、焼結温度が高くなりＡｇもしく
はＣｕ、またはＡｇもしくはＣｕを主成分とする合金を
内部導体として使用できなくなる。
有せしめる必要はないが、これが誘電体磁器中に存在す
ることによりＺｎ2ＴｉＯ4＋ルチル相が安定して生成さ
れる。これら酸化物の含有量はＣｕＯまたはＮｉＯ換算
で１０ｗｔ％以下（ただし０ｗｔ％は含まず）の範囲で
あることが好ましい。Ｃｕ酸化物がこの範囲より多い場
合は、内部導体の拡散による断線やメッキ時に素地もメ
ッキされる等の不都合を生じる。一方、Ｎｉ酸化物がこ
の範囲より多い場合は、焼結温度が高くなりＡｇもしく
はＣｕ、またはＡｇもしくはＣｕを主成分とする合金を
内部導体として使用できなくなる。
【００１６】Ｍｎ酸化物は必ずしも含有せしめる必要は
ないが、これが誘電体磁器中に存在することにより絶縁
抵抗を高める効果がある。Ｍｎ酸化物の含有量はＭｎＯ
換算で１０ｗｔ％以下（ただし０ｗｔ％を含まず）の範
囲であることが好ましい。この範囲を越える場合は焼結
温度が高くなり、積層チップ部品を構成する場合にＡｇ
もしくはＣｕ、またはＡｇもしくはＣｕを主成分とする
合金を内部導体として使用できなくなる。
ないが、これが誘電体磁器中に存在することにより絶縁
抵抗を高める効果がある。Ｍｎ酸化物の含有量はＭｎＯ
換算で１０ｗｔ％以下（ただし０ｗｔ％を含まず）の範
囲であることが好ましい。この範囲を越える場合は焼結
温度が高くなり、積層チップ部品を構成する場合にＡｇ
もしくはＣｕ、またはＡｇもしくはＣｕを主成分とする
合金を内部導体として使用できなくなる。
【００１７】製造工程に関しては、前記組成となるよう
に混合、成形、焼成により要求される誘電特性を得るこ
とができるが、全成分の混合に先んじてＴｉＯ2とＺｎ
Ｏの混合物を仮焼きすることが望ましい。この仮焼きに
より誘電特性は変化しないが、焼成後の結晶粒子の成長
が抑制され、積層チップコンデンサにした場合、薄層化
の面で有利である。
に混合、成形、焼成により要求される誘電特性を得るこ
とができるが、全成分の混合に先んじてＴｉＯ2とＺｎ
Ｏの混合物を仮焼きすることが望ましい。この仮焼きに
より誘電特性は変化しないが、焼成後の結晶粒子の成長
が抑制され、積層チップコンデンサにした場合、薄層化
の面で有利である。
【００１８】また、必ずしも必要ないが、仮焼き時にＴ
ｉＯ2とＺｎＯの混合物にＳｉＯ2を添加することにより
さらに焼成後の結晶粒子の成長を制御できる。ＳｉＯ2
の添加量は５ｗｔ％以下（ただし０ｗｔ％を含まず）の
範囲であることが望ましい。この範囲を越える場合は焼
結温度が高くなり、積層チップ部品を構成する場合にＡ
ｇもしくはＣｕ、またはＡｇもしくはＣｕを主成分とす
る合金を内部導体として使用できなくなる。
ｉＯ2とＺｎＯの混合物にＳｉＯ2を添加することにより
さらに焼成後の結晶粒子の成長を制御できる。ＳｉＯ2
の添加量は５ｗｔ％以下（ただし０ｗｔ％を含まず）の
範囲であることが望ましい。この範囲を越える場合は焼
結温度が高くなり、積層チップ部品を構成する場合にＡ
ｇもしくはＣｕ、またはＡｇもしくはＣｕを主成分とす
る合金を内部導体として使用できなくなる。
【００１９】
（実施例１）ＴｉＯ2、ＺｎＯおよびＢ2Ｏ3もしくはＢ2
Ｏ3を含むガラスを表１となるように秤量し、ボールミ
ルにて１６時間湿式混合しその後に乾燥した。次に乾燥
した粉末を空気中８００℃にて２時間仮焼きを行い、仮
焼き粉末をボールミルにて最終平均粒径が０．１〜０．
３μｍ程度になるまで湿式粉砕、後に乾燥して誘電体粉
末を得た。次にその誘電体粉末１００重量部に対し、バ
インダーとしてエチルセルロースを３．２重量部、ポリ
ビニルブチラールを２．８重量部加え、さらに溶剤とし
てテルピネオールを８７重量部、ブチルカルビトールを
５重量部加え、ライカイ機にて混合し、３本ロールにて
分散を行い誘電体ペーストを作成した。この誘電体ペー
ストおよびＡｇペーストをスクリーン印刷法により交互
に積層した後、４．５ｍｍ×３．２ｍｍのチップに切断
した。得られたグリーンチップを空気中８７０℃にて２
時間焼成し、外部電極としてＡｇを焼き付けしてチップ
コンデンサを作成した。
Ｏ3を含むガラスを表１となるように秤量し、ボールミ
ルにて１６時間湿式混合しその後に乾燥した。次に乾燥
した粉末を空気中８００℃にて２時間仮焼きを行い、仮
焼き粉末をボールミルにて最終平均粒径が０．１〜０．
３μｍ程度になるまで湿式粉砕、後に乾燥して誘電体粉
末を得た。次にその誘電体粉末１００重量部に対し、バ
インダーとしてエチルセルロースを３．２重量部、ポリ
ビニルブチラールを２．８重量部加え、さらに溶剤とし
てテルピネオールを８７重量部、ブチルカルビトールを
５重量部加え、ライカイ機にて混合し、３本ロールにて
分散を行い誘電体ペーストを作成した。この誘電体ペー
ストおよびＡｇペーストをスクリーン印刷法により交互
に積層した後、４．５ｍｍ×３．２ｍｍのチップに切断
した。得られたグリーンチップを空気中８７０℃にて２
時間焼成し、外部電極としてＡｇを焼き付けしてチップ
コンデンサを作成した。
【００２０】チップコンデンサの断面図を図１に示し、
得られた誘電特性を表１に示す。
得られた誘電特性を表１に示す。
【００２１】表１からわかるようにＢ2Ｏ3またはガラス
中のＢ2Ｏ3量が請求範囲内においては実用十分な誘電特
性を有している。請求範囲より少ない場合、８７０℃の
焼成温度では焼結後緻密化せず、本来の誘電特性が得ら
れない。また、請求範囲を越えた場合には耐酸性が低下
し、メッキ時の素地の浸食が大きくなり、誘電特性が大
幅に劣化する。
中のＢ2Ｏ3量が請求範囲内においては実用十分な誘電特
性を有している。請求範囲より少ない場合、８７０℃の
焼成温度では焼結後緻密化せず、本来の誘電特性が得ら
れない。また、請求範囲を越えた場合には耐酸性が低下
し、メッキ時の素地の浸食が大きくなり、誘電特性が大
幅に劣化する。
【００２２】（実施例２）ＴｉＯ2、ＺｎＯ、ＣｕＯ、
ＮｉＯおよびＢ2Ｏ3を含むガラスを表２となるように秤
量し、ボールミルにて１６時間湿式混合しその後に乾燥
した。次に乾燥した粉末を空気中８００℃にて２時間仮
焼きを行い、仮焼き粉末をボールミルにて最終平均粒径
が０．１〜０．３μｍ程度になるまで湿式粉砕、後に乾
燥して誘電体粉末を得た。次にその誘電体粉末１００重
量部に対し、バインダーとしてエチルセルロースを３．
２重量部、ポリビニルブチラールを２．８重量部加え、
さらに溶剤としてテルピネオールを８７重量部、ブチル
カルビトールを５重量部加え、ライカイ機にて混合し、
３本ロールにて分散を行い誘電体ペーストを作成した。
この誘電体ペーストおよびＡｇペーストをスクリーン印
刷法により交互に積層した後、４．５ｍｍ×３．２ｍｍ
のチップに切断した。得られたグリーンチップを空気中
８７０℃にて２時間焼成し、外部電極としてＡｇを焼き
付けしてチップコンデンサを作成した。
ＮｉＯおよびＢ2Ｏ3を含むガラスを表２となるように秤
量し、ボールミルにて１６時間湿式混合しその後に乾燥
した。次に乾燥した粉末を空気中８００℃にて２時間仮
焼きを行い、仮焼き粉末をボールミルにて最終平均粒径
が０．１〜０．３μｍ程度になるまで湿式粉砕、後に乾
燥して誘電体粉末を得た。次にその誘電体粉末１００重
量部に対し、バインダーとしてエチルセルロースを３．
２重量部、ポリビニルブチラールを２．８重量部加え、
さらに溶剤としてテルピネオールを８７重量部、ブチル
カルビトールを５重量部加え、ライカイ機にて混合し、
３本ロールにて分散を行い誘電体ペーストを作成した。
この誘電体ペーストおよびＡｇペーストをスクリーン印
刷法により交互に積層した後、４．５ｍｍ×３．２ｍｍ
のチップに切断した。得られたグリーンチップを空気中
８７０℃にて２時間焼成し、外部電極としてＡｇを焼き
付けしてチップコンデンサを作成した。
【００２３】得られた誘電特性を表２に、および焼結体
のＸ線回折パターンを図２に示す。
のＸ線回折パターンを図２に示す。
【００２４】図２のＸ線回折パターンからわかるように
ＣｕＯを含有する場合、Ｚｎ2ＴｉＯ4＋ルチル相とな
り、ＣｕＯ、ＮｉＯを含有しない場合はＺｎＴｉＯ3＋
ルチル相となる。図３にＴｉＯ2−ＺｎＯ系の状態図を
示すが、通常Ｚｎ2ＴｉＯ4＋ルチル相は９４５℃以上で
生成され、本実施例の焼成温度８７０℃ではこの相は現
れずＺｎＴｉＯ3＋ルチル相が生成するはずである。し
かし、ＣｕＯおよびＢ2Ｏ3もしくはＢ2Ｏ3を含むガラス
を含有することにより、９４５℃に満たない温度でもＺ
ｎ2ＴｉＯ4＋ルチル相を安定に生成することができる。
また図示していないがＮｉＯを含有する場合も同様の結
果が得られる。
ＣｕＯを含有する場合、Ｚｎ2ＴｉＯ4＋ルチル相とな
り、ＣｕＯ、ＮｉＯを含有しない場合はＺｎＴｉＯ3＋
ルチル相となる。図３にＴｉＯ2−ＺｎＯ系の状態図を
示すが、通常Ｚｎ2ＴｉＯ4＋ルチル相は９４５℃以上で
生成され、本実施例の焼成温度８７０℃ではこの相は現
れずＺｎＴｉＯ3＋ルチル相が生成するはずである。し
かし、ＣｕＯおよびＢ2Ｏ3もしくはＢ2Ｏ3を含むガラス
を含有することにより、９４５℃に満たない温度でもＺ
ｎ2ＴｉＯ4＋ルチル相を安定に生成することができる。
また図示していないがＮｉＯを含有する場合も同様の結
果が得られる。
【００２５】ＣｕＯまたはＮｉＯを含有する誘電体材料
は、表２から請求範囲において実用十分の誘電特性を示
すことがわかる。また、温度係数は＋１００〜−７２０
ｐｐｍ／℃の広範な値をとり得ることができ、すなわち
ＴｉＯ2とＺｎＯの組成比を選択することにより温度係
数を広範に選択することが可能である。特にＴｉＯ2が
４０〜５０ｍｏｌ％、すなわちＺｎＯが６０〜５０ｍｏ
ｌ％の範囲では、その温度係数が非常に小さな値とな
り、誘電体フィルター用の誘電体材料として好ましい。
は、表２から請求範囲において実用十分の誘電特性を示
すことがわかる。また、温度係数は＋１００〜−７２０
ｐｐｍ／℃の広範な値をとり得ることができ、すなわち
ＴｉＯ2とＺｎＯの組成比を選択することにより温度係
数を広範に選択することが可能である。特にＴｉＯ2が
４０〜５０ｍｏｌ％、すなわちＺｎＯが６０〜５０ｍｏ
ｌ％の範囲では、その温度係数が非常に小さな値とな
り、誘電体フィルター用の誘電体材料として好ましい。
【００２６】一方、ＣｕＯまたはＮｉＯを含有しない誘
電体材料もまた、表２から請求範囲において実用十分の
誘電特性を示すことがわかる。特にＴｉＯ2が５０〜６
０ｍｏｌ％、すなわちＺｎＯが５０〜４０ｍｏｌ％の範
囲では温度係数が非常に小さな値となり、この組成系も
また誘電体フィルター用の誘電体材料として好ましい。
さらにＺｎＴｉＯ3＋ルチル相はＺｎ2ＴｉＯ4＋ルチル
相に比して高いＱ値が得られる。
電体材料もまた、表２から請求範囲において実用十分の
誘電特性を示すことがわかる。特にＴｉＯ2が５０〜６
０ｍｏｌ％、すなわちＺｎＯが５０〜４０ｍｏｌ％の範
囲では温度係数が非常に小さな値となり、この組成系も
また誘電体フィルター用の誘電体材料として好ましい。
さらにＺｎＴｉＯ3＋ルチル相はＺｎ2ＴｉＯ4＋ルチル
相に比して高いＱ値が得られる。
【００２７】（実施例３）ＴｉＯ2、ＺｎＯ、ＣｕＯ、
ＮｉＯ、ＭｎＣＯ3（ただし表中はＭｎＯ換算）および
Ｂ2Ｏ3を含むガラスを表３に示すように秤量し、ボール
ミルにて１６時間湿式混合しその後に乾燥した。次に乾
燥した粉末を空気中８００℃にて２時間仮焼きを行い、
仮焼き粉末をボールミルにて最終平均粒径が０．１〜
０．３μｍ程度になるまで湿式粉砕、後に乾燥して誘電
体粉末を得た。次にその誘電体粉末１００重量部に対
し、バインダーとしてエチルセルロースを３．２重量
部、ポリビニルブチラールを２．８重量部加え、さらに
溶剤としてテルピネオールを８７重量部、ブチルカルビ
トールを５重量部加え、ライカイ機にて混合し、３本ロ
ールにて分散し誘電体ペーストを作成した。この誘電体
ペーストおよびＡｇペーストをスクリーン印刷法により
交互に積層した後、４．５ｍｍ×３．２ｍｍのチップに
切断した。得られたグリーンチップを空気中で８５０℃
および８９０℃にて２時間焼成し、外部電極としてＡｇ
を焼き付けしてチップコンデンサを作成した。
ＮｉＯ、ＭｎＣＯ3（ただし表中はＭｎＯ換算）および
Ｂ2Ｏ3を含むガラスを表３に示すように秤量し、ボール
ミルにて１６時間湿式混合しその後に乾燥した。次に乾
燥した粉末を空気中８００℃にて２時間仮焼きを行い、
仮焼き粉末をボールミルにて最終平均粒径が０．１〜
０．３μｍ程度になるまで湿式粉砕、後に乾燥して誘電
体粉末を得た。次にその誘電体粉末１００重量部に対
し、バインダーとしてエチルセルロースを３．２重量
部、ポリビニルブチラールを２．８重量部加え、さらに
溶剤としてテルピネオールを８７重量部、ブチルカルビ
トールを５重量部加え、ライカイ機にて混合し、３本ロ
ールにて分散し誘電体ペーストを作成した。この誘電体
ペーストおよびＡｇペーストをスクリーン印刷法により
交互に積層した後、４．５ｍｍ×３．２ｍｍのチップに
切断した。得られたグリーンチップを空気中で８５０℃
および８９０℃にて２時間焼成し、外部電極としてＡｇ
を焼き付けしてチップコンデンサを作成した。
【００２８】また、ＴｉＯ2、ＺｎＯ、ＭｎＣＯ3（ただ
し表中はＭｎＯ換算）およびＢ2Ｏ3を含むガラスを表４
に示すように秤量し、前記と同様な操作をしてチップコ
ンデンサを作成した。但し焼成温度は８７０℃である。
し表中はＭｎＯ換算）およびＢ2Ｏ3を含むガラスを表４
に示すように秤量し、前記と同様な操作をしてチップコ
ンデンサを作成した。但し焼成温度は８７０℃である。
【００２９】得られた誘電特性を表３、４に示す。
【００３０】表３からＺｎ2ＴｉＯ4＋ルチル相の場合に
は、ＣｕＯまたはＮｉＯを請求範囲において含有するこ
とにより、焼成温度に対する温度係数の変化が抑えら
れ、生成相が安定していることがわかる。この生成相の
安定は製品化した場合の諸特性の安定化を意味する。Ｃ
ｕＯ量が請求範囲を越える場合には内部導体の拡散によ
る断線があり好ましくない。またＮｉＯが請求範囲を越
える場合には焼結温度が高くなり、ＡｇもしくはＣｕ、
またはＡｇもしくはＣｕを主成分とする合金を内部導体
として使用できなくなる。特にＣｕＯ、ＮｉＯ量が１〜
１０ｗｔ％の範囲では焼成温度に対する温度係数、Ｑ値
の変化が少なく、すなわちＺｎ2ＴｉＯ4＋ルチル相をさ
らに安定して生成でき好ましい。
は、ＣｕＯまたはＮｉＯを請求範囲において含有するこ
とにより、焼成温度に対する温度係数の変化が抑えら
れ、生成相が安定していることがわかる。この生成相の
安定は製品化した場合の諸特性の安定化を意味する。Ｃ
ｕＯ量が請求範囲を越える場合には内部導体の拡散によ
る断線があり好ましくない。またＮｉＯが請求範囲を越
える場合には焼結温度が高くなり、ＡｇもしくはＣｕ、
またはＡｇもしくはＣｕを主成分とする合金を内部導体
として使用できなくなる。特にＣｕＯ、ＮｉＯ量が１〜
１０ｗｔ％の範囲では焼成温度に対する温度係数、Ｑ値
の変化が少なく、すなわちＺｎ2ＴｉＯ4＋ルチル相をさ
らに安定して生成でき好ましい。
【００３１】表４からわかるように、Ｍｎ酸化物を請求
範囲において含有することにより、絶縁抵抗特性が向上
する。請求範囲を越える場合焼結温度が高くなり、Ａｇ
もしくはＣｕ、またはＡｇもしくはＣｕを主成分とする
合金を内部導体として使用できなくなる。特にＭｎＯ量
が１ｗｔ％の場合絶縁抵抗だけでなく、比誘電率、Ｑ
値、温度係数等の誘電体諸特性向上に効果がある。
範囲において含有することにより、絶縁抵抗特性が向上
する。請求範囲を越える場合焼結温度が高くなり、Ａｇ
もしくはＣｕ、またはＡｇもしくはＣｕを主成分とする
合金を内部導体として使用できなくなる。特にＭｎＯ量
が１ｗｔ％の場合絶縁抵抗だけでなく、比誘電率、Ｑ
値、温度係数等の誘電体諸特性向上に効果がある。
【００３２】（実施例４）ＴｉＯ2、ＺｎＯ、ＳｉＯ2、
ＭｎＣＯ3（ただし表中はＭｎＯ換算）を表５となるよ
うに秤量し、ボールミルにて１６時間湿式混合しその後
に乾燥した。次に乾燥した粉末を空気中９５０℃にて２
時間仮焼きを行い、これを母材としこの母材にＣｕＯ、
およびＢ2Ｏ3またはＢ2Ｏ3を含むガラスを表５に示すよ
うに秤量し、ボールミルにて１６時間湿式混合しその後
に乾燥した。次に乾燥した粉末を空気中８００℃にて２
時間仮焼きを行い、仮焼き粉末をボールミルにて最終平
均粒径が０．１〜０．３μｍ程度になるまで湿式粉砕、
後に乾燥して誘電体粉末を得た。次にその誘電体粉末１
００重量部に対し、バインダーとしてエチルセルロース
を３．２重量部、ポリビニルブチラールを２．８重量部
加え、さらに溶剤としてテルピネオールを８７重量部、
ブチルカルビトールを５重量部加え、ライカイ機にて混
合し、３本ロールにて分散し誘電体ペーストを作成し
た。この誘電体ペーストおよびＡｇペーストをスクリー
ン印刷法により交互に積層した後、４．５ｍｍ×３．２
ｍｍのチップに切断した。得られたグリーンチップを空
気中８７０℃にて２時間焼成し、外部電極としてＡｇを
焼き付けしてチップコンデンサを作成した。
ＭｎＣＯ3（ただし表中はＭｎＯ換算）を表５となるよ
うに秤量し、ボールミルにて１６時間湿式混合しその後
に乾燥した。次に乾燥した粉末を空気中９５０℃にて２
時間仮焼きを行い、これを母材としこの母材にＣｕＯ、
およびＢ2Ｏ3またはＢ2Ｏ3を含むガラスを表５に示すよ
うに秤量し、ボールミルにて１６時間湿式混合しその後
に乾燥した。次に乾燥した粉末を空気中８００℃にて２
時間仮焼きを行い、仮焼き粉末をボールミルにて最終平
均粒径が０．１〜０．３μｍ程度になるまで湿式粉砕、
後に乾燥して誘電体粉末を得た。次にその誘電体粉末１
００重量部に対し、バインダーとしてエチルセルロース
を３．２重量部、ポリビニルブチラールを２．８重量部
加え、さらに溶剤としてテルピネオールを８７重量部、
ブチルカルビトールを５重量部加え、ライカイ機にて混
合し、３本ロールにて分散し誘電体ペーストを作成し
た。この誘電体ペーストおよびＡｇペーストをスクリー
ン印刷法により交互に積層した後、４．５ｍｍ×３．２
ｍｍのチップに切断した。得られたグリーンチップを空
気中８７０℃にて２時間焼成し、外部電極としてＡｇを
焼き付けしてチップコンデンサを作成した。
【００３３】得られた誘電特性を表５に示す。
【００３４】母材の仮焼きの有無、またはＳｉＯ2の添
加量にかかわらず誘電特性は変化しない。しかしこの仮
焼きの有無、請求範囲内でのＳｉＯ2の添加量に応じて
焼成後の結晶粒径を制御でき、チップコンデンサの薄層
化の面で有利である。しかし、請求範囲を越えてＳｉＯ
2を添加する場合、焼結温度が高くなり、Ａｇもしくは
Ｃｕ、またはＡｇもしくはＣｕを主成分とする合金を内
部導体を使用できなくなる。
加量にかかわらず誘電特性は変化しない。しかしこの仮
焼きの有無、請求範囲内でのＳｉＯ2の添加量に応じて
焼成後の結晶粒径を制御でき、チップコンデンサの薄層
化の面で有利である。しかし、請求範囲を越えてＳｉＯ
2を添加する場合、焼結温度が高くなり、Ａｇもしくは
Ｃｕ、またはＡｇもしくはＣｕを主成分とする合金を内
部導体を使用できなくなる。
【００３５】
【発明の効果】本発明の組成からなるＴｉＯ2とＺｎＯ
を主成分とする誘電体磁器を用いることにより、従来困
難であったＡｇもしくはＣｕ、またはＡｇもしくはＣｕ
を主成分とする合金の融点以下での焼成が可能となり、
電子チップ部品を構成する場合これら金属を内部導体と
して使用することができる。また組成により広範に温度
係数を有する温度補償用磁器コンデンサ、挿入損失が少
なく小型化可能な誘電体フィルター等への展開が可能と
なる。さらにこれら比較的安価な電極を使用することに
より、素子のコストダウン化が可能となる。
を主成分とする誘電体磁器を用いることにより、従来困
難であったＡｇもしくはＣｕ、またはＡｇもしくはＣｕ
を主成分とする合金の融点以下での焼成が可能となり、
電子チップ部品を構成する場合これら金属を内部導体と
して使用することができる。また組成により広範に温度
係数を有する温度補償用磁器コンデンサ、挿入損失が少
なく小型化可能な誘電体フィルター等への展開が可能と
なる。さらにこれら比較的安価な電極を使用することに
より、素子のコストダウン化が可能となる。
【００３６】
【表１】
【００３７】
【表２】
【００３８】
【表３】
【００３９】
【表４】
【００４０】
【表５】
【図１】積層チップコンデンサの断面図
【図２】焼結体のＸ線回折パターン
【図３】ＴｉＯ2−ＺｎＯ系の状態図
【符号の説明】 １．積層チップコンデンサ ２．誘電体 ３．内部導体 ４．外部導体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 川崎 邦彦 東京都中央区日本橋一丁目13番１号ティー ディーケイ株式会社内
Claims (8)
- 【請求項１】ＴｉＯ2とＺｎＯを主成分としＢ2Ｏ3また
はＢ2Ｏ3を含むガラス成分を含有することを特徴とする
誘電体磁器。 - 【請求項２】ＴｉＯ2が４０〜９０ｍｏｌ％、ＺｎＯが
６０〜１０ｍｏｌ％からなる誘電体磁器においてＢ2Ｏ3
またはＢ2Ｏ3を成分のひとつとして含むガラスをＢ2Ｏ3
量換算にて０．１〜６ｗｔ％の範囲で含有せしめた誘電
体磁器。 - 【請求項３】請求項１、請求項２の誘電体磁器にＣｕ酸
化物、Ｎｉ酸化物またはＭｎ酸化物の少なくとも１種以
上をそれぞれＣｕＯ、ＮｉＯまたはＭｎＯ換算にて１０
ｗｔ％以下（ただし０ｗｔ％を含まず）の範囲で含有せ
しめた誘電体磁器。 - 【請求項４】請求項１、請求項２または請求項３の誘電
体磁器を製造する際に、ＴｉＯ2とＺｎＯを混合した後
仮焼きし、これに他の成分を混合し焼成することを特徴
とする誘電体磁器の製造方法。 - 【請求項５】請求項１、請求項２または請求項３の誘電
体磁器を製造する際に、ＴｉＯ2とＺｎＯおよびＴｉＯ2
とＺｎＯに対してＳｉＯ2を５ｗｔ％以下（ただし０ｗ
ｔ％は含まず）を混合した後仮焼きし、これに他の成分
を混合し焼成することを特徴とする誘電体磁器の製造方
法。 - 【請求項６】請求項１、請求項２または請求項３の誘電
体磁器を用いた積層チップコンデンサ。 - 【請求項７】請求項１、請求項２または請求項３の誘電
体磁器を用いた誘電体フィルター。 - 【請求項８】請求項６のコンデンサおよび積層チップイ
ンダクタを備えている電子部品。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07165912A JP3103296B2 (ja) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 誘電体磁器およびその製造方法ならびにこれを用いた電子部品 |
| DE69611892T DE69611892T2 (de) | 1995-06-30 | 1996-06-26 | Dielektrisches porzellan, verfahren zu seiner herstellung und elektronische teile daraus |
| PCT/JP1996/001761 WO1997002221A1 (fr) | 1995-06-30 | 1996-06-26 | Porcelaine dielectrique, son procede de production et composants electroniques obtenus a partir de celle-ci |
| EP96921085A EP0779257B1 (en) | 1995-06-30 | 1996-06-26 | Dielectric porcelain, process for production thereof, and electronic parts produced therefrom |
| US08/672,330 US5723395A (en) | 1995-06-30 | 1996-06-28 | Dielectric ceramic composition, its preparation method, multilayer chip capacitor, dielectric filter, and electronic parts |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07165912A JP3103296B2 (ja) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 誘電体磁器およびその製造方法ならびにこれを用いた電子部品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0920555A true JPH0920555A (ja) | 1997-01-21 |
| JP3103296B2 JP3103296B2 (ja) | 2000-10-30 |
Family
ID=15821379
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07165912A Expired - Lifetime JP3103296B2 (ja) | 1995-06-30 | 1995-06-30 | 誘電体磁器およびその製造方法ならびにこれを用いた電子部品 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5723395A (ja) |
| EP (1) | EP0779257B1 (ja) |
| JP (1) | JP3103296B2 (ja) |
| DE (1) | DE69611892T2 (ja) |
| WO (1) | WO1997002221A1 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100406351B1 (ko) * | 2000-07-27 | 2003-11-19 | 삼성전기주식회사 | 유전체 자기 조성물과 이를 이용한 자기커패시터 및 그제조방법 |
| KR100406350B1 (ko) * | 2000-07-27 | 2003-11-19 | 삼성전기주식회사 | 유전체 자기 조성물과 이를 이용한 자기커패시터 및 그제조방법 |
| US7276461B2 (en) | 2003-05-20 | 2007-10-02 | Ube Industries, Ltd. | Dielectric ceramic composition, method of manufacturing the same, and dielectric ceramics and laminated ceramic part using the same |
| KR100804925B1 (ko) * | 2005-10-24 | 2008-02-20 | 티디케이가부시기가이샤 | 유전체 분말의 제조방법, 복합 전자 부품 및 그 제조방법 |
| JP2008294163A (ja) * | 2007-05-23 | 2008-12-04 | Tdk Corp | 電極段差吸収用印刷ペーストおよび積層セラミック電子部品の製造方法 |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3767362B2 (ja) * | 1999-12-13 | 2006-04-19 | 株式会社村田製作所 | 積層型セラミック電子部品の製造方法 |
| JP2001345212A (ja) * | 2000-05-31 | 2001-12-14 | Tdk Corp | 積層電子部品 |
| KR100403957B1 (ko) * | 2001-05-03 | 2003-11-03 | 주식회사 하이닉스반도체 | 강유전체 메모리 소자의 제조 방법 |
| US20030104917A1 (en) * | 2001-11-21 | 2003-06-05 | Takafumi Kawano | Dielectric ceramic composition and laminated ceramic parts using the same |
| TWI265917B (en) * | 2004-10-05 | 2006-11-11 | Yageo Corp | Dielectric material and the method of preparing the same |
| CN100369162C (zh) * | 2004-11-12 | 2008-02-13 | 国巨股份有限公司 | 介电材料及其制备方法 |
| JP4246716B2 (ja) * | 2005-05-02 | 2009-04-02 | Ｔｄｋ株式会社 | 積層型フィルタ |
| JP2007210840A (ja) * | 2006-02-10 | 2007-08-23 | Tdk Corp | 誘電体磁器組成物の製造方法 |
| CN100417622C (zh) * | 2006-08-15 | 2008-09-10 | 浙江正原电气股份有限公司 | ZnO－TiO2系低温共烧陶瓷材料及其制备方法 |
| TWI420718B (zh) * | 2006-08-18 | 2013-12-21 | Inpaq Technology Co Ltd | 疊合式電子裝置及其製造方法 |
| JP4618383B2 (ja) * | 2008-05-12 | 2011-01-26 | Ｔｄｋ株式会社 | 誘電体磁器組成物、積層複合電子部品、積層コモンモードフィルタ、積層セラミックコイルおよび積層セラミックコンデンサ |
| JP4798231B2 (ja) * | 2009-01-30 | 2011-10-19 | 株式会社村田製作所 | 誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ |
| CN203734631U (zh) * | 2011-11-09 | 2014-07-23 | 株式会社村田制作所 | 层叠型lc滤波器 |
| KR101548823B1 (ko) * | 2013-12-16 | 2015-08-31 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 커패시터 및 그 실장 기판 |
| JP6231050B2 (ja) * | 2015-07-21 | 2017-11-15 | Tdk株式会社 | 複合電子部品 |
| CN110229002B (zh) * | 2019-07-04 | 2022-04-22 | 贵州振华电子信息产业技术研究有限公司 | 一种低温共烧陶瓷材料及制备方法 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1386509A (en) * | 1972-10-13 | 1975-03-05 | Secr Defence | Microwave attenuation |
| JPS60119010A (ja) * | 1983-11-30 | 1985-06-26 | 太陽誘電株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
| JPS60124306A (ja) * | 1983-12-06 | 1985-07-03 | 京セラ株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
| JPS6114611A (ja) * | 1984-06-29 | 1986-01-22 | Fujitsu Ltd | 光フアイバの接続部補強方法 |
| JPS6257042A (ja) * | 1985-09-06 | 1987-03-12 | Toshiba Corp | 半導体メモリ |
| JP3030557B2 (ja) * | 1987-11-28 | 2000-04-10 | ティーディーケイ株式会社 | 誘電体磁器材料を用いた電子部品 |
| JP2828731B2 (ja) * | 1990-05-11 | 1998-11-25 | 日本電信電話株式会社 | 像形成装置 |
| JP2577128B2 (ja) * | 1990-08-31 | 1997-01-29 | シャープ株式会社 | 溶着用ガラス組成物 |
| JP2613722B2 (ja) * | 1991-09-27 | 1997-05-28 | 日本碍子株式会社 | 低温焼成用誘電体磁器組成物の製造法 |
| JP3002613B2 (ja) * | 1991-11-06 | 2000-01-24 | 日本碍子株式会社 | マイクロ波用誘電体共振器若しくはフィルタ製造のための誘電体磁器組成物及びその製法並びに該誘電体磁器組成物を用いて得られるマイクロ波用誘電体共振器若しくはフィルタ及びそれらの製造方法 |
| JP3523280B2 (ja) * | 1991-12-28 | 2004-04-26 | Ｔｄｋ株式会社 | 多層セラミック部品の製造方法 |
| JPH05266709A (ja) * | 1992-03-18 | 1993-10-15 | Ngk Insulators Ltd | 高周波用誘電体磁器組成物及びその製法 |
| JP3471839B2 (ja) * | 1993-02-18 | 2003-12-02 | Ｔｄｋ株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
-
1995
- 1995-06-30 JP JP07165912A patent/JP3103296B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-06-26 DE DE69611892T patent/DE69611892T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-06-26 WO PCT/JP1996/001761 patent/WO1997002221A1/ja active IP Right Grant
- 1996-06-26 EP EP96921085A patent/EP0779257B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-06-28 US US08/672,330 patent/US5723395A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100406351B1 (ko) * | 2000-07-27 | 2003-11-19 | 삼성전기주식회사 | 유전체 자기 조성물과 이를 이용한 자기커패시터 및 그제조방법 |
| KR100406350B1 (ko) * | 2000-07-27 | 2003-11-19 | 삼성전기주식회사 | 유전체 자기 조성물과 이를 이용한 자기커패시터 및 그제조방법 |
| US7276461B2 (en) | 2003-05-20 | 2007-10-02 | Ube Industries, Ltd. | Dielectric ceramic composition, method of manufacturing the same, and dielectric ceramics and laminated ceramic part using the same |
| KR100804925B1 (ko) * | 2005-10-24 | 2008-02-20 | 티디케이가부시기가이샤 | 유전체 분말의 제조방법, 복합 전자 부품 및 그 제조방법 |
| JP2008294163A (ja) * | 2007-05-23 | 2008-12-04 | Tdk Corp | 電極段差吸収用印刷ペーストおよび積層セラミック電子部品の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO1997002221A1 (fr) | 1997-01-23 |
| EP0779257A4 (en) | 1998-10-14 |
| DE69611892D1 (de) | 2001-04-05 |
| JP3103296B2 (ja) | 2000-10-30 |
| EP0779257A1 (en) | 1997-06-18 |
| US5723395A (en) | 1998-03-03 |
| EP0779257B1 (en) | 2001-02-28 |
| DE69611892T2 (de) | 2001-10-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3103296B2 (ja) | 誘電体磁器およびその製造方法ならびにこれを用いた電子部品 | |
| JP3391268B2 (ja) | 誘電体セラミックおよびその製造方法、ならびに、積層セラミック電子部品およびその製造方法 | |
| JP4108836B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP3471839B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP3523280B2 (ja) | 多層セラミック部品の製造方法 | |
| JP3698953B2 (ja) | 誘電体磁器組成物とそれを用いた磁器コンデンサ及びその製造方法 | |
| JP3698951B2 (ja) | 誘電体磁器組成物とそれを用いた磁器コンデンサ及びその製造方法 | |
| JP2006104044A (ja) | 誘電材料およびこれを調製する方法 | |
| JP4203176B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH10330161A (ja) | 低温焼結誘電体磁器の製造方法 | |
| JP4837204B2 (ja) | 誘電体磁器組成物及びそれを用いた磁器コンデンサ並びにそれらの製造方法 | |
| JP4066312B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP2000239061A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP2002326868A (ja) | 誘電体磁器組成物及びそれを用いた磁器コンデンサ並びにそれらの製造方法 | |
| JP3698952B2 (ja) | 誘電体磁器組成物とそれを用いた磁器コンデンサ及びその製造方法 | |
| JP6063729B2 (ja) | 誘電体磁器組成物の製造方法、積層チップ部品の製造方法 | |
| JP4235896B2 (ja) | 誘電体磁器組成物、並びにその製造方法、それを用いた誘電体磁器及び積層セラミック部品 | |
| JP3599645B2 (ja) | 誘電体磁器組成物とそれを用いた磁器コンデンサ及びその製造方法 | |
| JP2004345877A (ja) | 誘電体磁器組成物、並びにその製造方法、それを用いた誘電体磁器及び積層セラミック部品 | |
| JP2002326866A (ja) | 誘電体磁器組成物及びそれを用いた磁器コンデンサ並びにそれらの製造方法 | |
| JPH0794022A (ja) | 誘電体材料およびセラミック部品 | |
| JP2002326867A (ja) | 誘電体磁器組成物及びそれを用いた磁器コンデンサ並びにそれらの製造方法 | |
| KR100406350B1 (ko) | 유전체 자기 조성물과 이를 이용한 자기커패시터 및 그제조방법 | |
| JP2009007195A (ja) | 誘電体磁器組成物、複合電子部品および積層セラミックコンデンサ | |
| JPH08325055A (ja) | 低温焼成磁器組成物、成形体および積層体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20000815 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080825 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080825 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090825 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090825 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100825 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100825 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110825 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120825 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130825 Year of fee payment: 13 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |