JPH0794022A - 誘電体材料およびセラミック部品 - Google Patents
誘電体材料およびセラミック部品Info
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- JPH0794022A JPH0794022A JP6072479A JP7247994A JPH0794022A JP H0794022 A JPH0794022 A JP H0794022A JP 6072479 A JP6072479 A JP 6072479A JP 7247994 A JP7247994 A JP 7247994A JP H0794022 A JPH0794022 A JP H0794022A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 誘電損失が小さく（Ｑ値が大きく）、誘電率
の温度変化率が小さく、しかも低温焼成が可能な誘電体
材料を提供する。また、このような誘電体材料の絶縁抵
抗を向上させる。また、このような誘電体材料を用いる
ことにより、誘電体層をＡｇやＣｕを主体とする電極と
同時焼成することが可能なセラミック部品を提供する。 【構成】 Ｎｄ2 Ｏ3 およびＷＯ3 を含み、Ｎｄ2 Ｏ3
／（Ｎｄ2 Ｏ3 ＋ＷＯ3 ）が２８〜４３モル％であり、
Ｎｄ2 Ｗ2 Ｏ9 相を含む結晶構造とする。また、Ｐｂ3
Ｎｂ2 Ｏ8 およびＣｕＯの少なくとも一方を添加する。
の温度変化率が小さく、しかも低温焼成が可能な誘電体
材料を提供する。また、このような誘電体材料の絶縁抵
抗を向上させる。また、このような誘電体材料を用いる
ことにより、誘電体層をＡｇやＣｕを主体とする電極と
同時焼成することが可能なセラミック部品を提供する。 【構成】 Ｎｄ2 Ｏ3 およびＷＯ3 を含み、Ｎｄ2 Ｏ3
／（Ｎｄ2 Ｏ3 ＋ＷＯ3 ）が２８〜４３モル％であり、
Ｎｄ2 Ｗ2 Ｏ9 相を含む結晶構造とする。また、Ｐｂ3
Ｎｂ2 Ｏ8 およびＣｕＯの少なくとも一方を添加する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マイクロ波用の誘電体
材料と、これを含有する誘電体層を有するセラミック部
品とに関する。
材料と、これを含有する誘電体層を有するセラミック部
品とに関する。
【０００２】
【従来の技術】マイクロ波誘電体材料の開発に際して
は、下記〜が重要なポイントとされている。
は、下記〜が重要なポイントとされている。
【０００３】 誘電率（εs ）が大きいこと 誘電損失（ tanδ）が小さいこと（Ｑ＝１／ tanδ
が大きいこと） 誘電率の温度係数（τ・εs ）の変化が広い温度範
囲にわたって小さいこと
が大きいこと） 誘電率の温度係数（τ・εs ）の変化が広い温度範
囲にわたって小さいこと
【０００４】しかし、これらの特性はそれぞれが相反す
る関係にあり、全ての特性を同時に向上させることは極
めて困難である。このため現状では、用途を絞り、その
用途において最も重要である特性を選択し、その特性を
重点的に改善するかたちで開発が行なわれている。
る関係にあり、全ての特性を同時に向上させることは極
めて困難である。このため現状では、用途を絞り、その
用途において最も重要である特性を選択し、その特性を
重点的に改善するかたちで開発が行なわれている。
【０００５】従来のマイクロ波誘電体材料は、そのεs
の大きさから低誘電率系と高誘電率系の２種類に大別す
ることができる。εs が４０程度以下である低誘電率系
としては、複合ペロブスカイト型化合物のＢａ（Ｚｎ
1/3 Ｔａ2/3 ）Ｏ3 、Ｂａ（Ｚｎ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 、
Ｓｒ（Ｚｎ1/3 Ｔａ2/3 ）Ｏ3 、Ｂａ（ＺｒＴｉ）
Ｏ3、Ｃａ（ＺｒＴｉ）Ｏ3 などがあり、さらに、Ｂａ
Ｔｉ4 Ｏ9 、Ｂａ2 Ｔｉ9 Ｏ20なども知られている。こ
れら低誘電率系のマイクロ波誘電体材料は、上記のお
よびが特に要求される用途に用いられる。
の大きさから低誘電率系と高誘電率系の２種類に大別す
ることができる。εs が４０程度以下である低誘電率系
としては、複合ペロブスカイト型化合物のＢａ（Ｚｎ
1/3 Ｔａ2/3 ）Ｏ3 、Ｂａ（Ｚｎ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 、
Ｓｒ（Ｚｎ1/3 Ｔａ2/3 ）Ｏ3 、Ｂａ（ＺｒＴｉ）
Ｏ3、Ｃａ（ＺｒＴｉ）Ｏ3 などがあり、さらに、Ｂａ
Ｔｉ4 Ｏ9 、Ｂａ2 Ｔｉ9 Ｏ20なども知られている。こ
れら低誘電率系のマイクロ波誘電体材料は、上記のお
よびが特に要求される用途に用いられる。
【０００６】近年、マイクロ波誘電体材料には、上記
〜以外に低温焼成可能であることが要求されるように
なってきている。誘電体材料の低温焼成化によって低融
点の内部導体との同時焼成が可能になる。これにより、
高価格でしかも低ＱのＰｄに、低価格で高Ｑだが融点が
低いＡｇを混合することが可能となり、また、焼成炉の
熱疲労やエネルギーコストの低減が可能となる。しか
し、上記した従来の誘電体材料の焼成には１３００〜１
５００℃もの高温が必要であり、ＡｇやＣｕを主体とす
る導体との同時焼成は不可能である。
〜以外に低温焼成可能であることが要求されるように
なってきている。誘電体材料の低温焼成化によって低融
点の内部導体との同時焼成が可能になる。これにより、
高価格でしかも低ＱのＰｄに、低価格で高Ｑだが融点が
低いＡｇを混合することが可能となり、また、焼成炉の
熱疲労やエネルギーコストの低減が可能となる。しか
し、上記した従来の誘電体材料の焼成には１３００〜１
５００℃もの高温が必要であり、ＡｇやＣｕを主体とす
る導体との同時焼成は不可能である。
【０００７】また、近年、積層型セラミックコンデンサ
においては、小型でかつ大容量を得るために、誘電体層
の著しい薄層化が要求されている。このため、絶縁抵抗
が高いことも重要である。
においては、小型でかつ大容量を得るために、誘電体層
の著しい薄層化が要求されている。このため、絶縁抵抗
が高いことも重要である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような事
情からなされたものであり、誘電損失が小さく（Ｑ値が
大きく）、誘電率の温度変化率が小さく、しかも低温焼
成が可能な誘電体材料を提供することを目的とし、さら
に、このような誘電体材料の絶縁抵抗を向上させること
を目的とする。また、このような誘電体材料を用いるこ
とにより、誘電体層をＡｇやＣｕを主体とする電極と同
時焼成することが可能なセラミック部品を提供すること
を目的とする。
情からなされたものであり、誘電損失が小さく（Ｑ値が
大きく）、誘電率の温度変化率が小さく、しかも低温焼
成が可能な誘電体材料を提供することを目的とし、さら
に、このような誘電体材料の絶縁抵抗を向上させること
を目的とする。また、このような誘電体材料を用いるこ
とにより、誘電体層をＡｇやＣｕを主体とする電極と同
時焼成することが可能なセラミック部品を提供すること
を目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）〜（１０）の本発明により達成される。 （１）酸化ネオジムおよび酸化タングステンを含み、こ
れらをそれぞれＮｄ2Ｏ3 およびＷＯ3 に換算したと
き、Ｎｄ2 Ｏ3 ／（Ｎｄ2 Ｏ3 ＋ＷＯ3 ）が２８〜４３
モル％であり、Ｎｄ2 Ｗ2 Ｏ9 相を含むことを特徴とす
る誘電体材料。 （２）１０００℃以下で焼成されたものである上記
（１）の誘電体材料。 （３）酸化鉛および酸化ニオブを含み、これらをそれぞ
れＰｂＯおよびＮｂ2Ｏ5 に換算したとき、ＰｂＯ／
（ＰｂＯ＋Ｎｂ2 Ｏ5 ）が６０〜８５モル％であり、
（ＰｂＯ＋Ｎｂ2 Ｏ5 ）／（Ｎｄ2 Ｏ3 ＋ＷＯ3 ）が
５．０重量％以下である上記（１）または（２）の誘電
体材料。 （４）（ＰｂＯ＋Ｎｂ2 Ｏ5 ）／（Ｎｄ2 Ｏ3 ＋ＷＯ
3 ）が０．２重量％以上である上記（３）の誘電体材
料。 （５）Ｐｂ3 Ｎｂ2 Ｏ8 相を含む上記（３）または
（４）の誘電体材料。 （６）酸化銅を含み、酸化銅をＣｕＯに換算したとき、
ＣｕＯ／（Ｎｄ2 Ｏ3＋ＷＯ3 ）が１．０重量％以下で
ある上記（１）〜（５）のいずれかの誘電体材料。 （７）ＣｕＯ／（Ｎｄ2 Ｏ3 ＋ＷＯ3 ）が０．０１重量
％以上である上記（６）の誘電体材料。 （８）９６０℃以下で焼成されたものである上記（３）
〜（７）のいずれかの誘電体材料。 （９）誘電体層と電極とを有するセラミック部品であっ
て、前記誘電体層が上記（１）〜（８）のいずれかの誘
電体材料を含有することを特徴とするセラミック部品。 （１０）前記電極がＡｇおよび／またはＣｕを含有する
ものである上記（９）のセラミック部品。
（１）〜（１０）の本発明により達成される。 （１）酸化ネオジムおよび酸化タングステンを含み、こ
れらをそれぞれＮｄ2Ｏ3 およびＷＯ3 に換算したと
き、Ｎｄ2 Ｏ3 ／（Ｎｄ2 Ｏ3 ＋ＷＯ3 ）が２８〜４３
モル％であり、Ｎｄ2 Ｗ2 Ｏ9 相を含むことを特徴とす
る誘電体材料。 （２）１０００℃以下で焼成されたものである上記
（１）の誘電体材料。 （３）酸化鉛および酸化ニオブを含み、これらをそれぞ
れＰｂＯおよびＮｂ2Ｏ5 に換算したとき、ＰｂＯ／
（ＰｂＯ＋Ｎｂ2 Ｏ5 ）が６０〜８５モル％であり、
（ＰｂＯ＋Ｎｂ2 Ｏ5 ）／（Ｎｄ2 Ｏ3 ＋ＷＯ3 ）が
５．０重量％以下である上記（１）または（２）の誘電
体材料。 （４）（ＰｂＯ＋Ｎｂ2 Ｏ5 ）／（Ｎｄ2 Ｏ3 ＋ＷＯ
3 ）が０．２重量％以上である上記（３）の誘電体材
料。 （５）Ｐｂ3 Ｎｂ2 Ｏ8 相を含む上記（３）または
（４）の誘電体材料。 （６）酸化銅を含み、酸化銅をＣｕＯに換算したとき、
ＣｕＯ／（Ｎｄ2 Ｏ3＋ＷＯ3 ）が１．０重量％以下で
ある上記（１）〜（５）のいずれかの誘電体材料。 （７）ＣｕＯ／（Ｎｄ2 Ｏ3 ＋ＷＯ3 ）が０．０１重量
％以上である上記（６）の誘電体材料。 （８）９６０℃以下で焼成されたものである上記（３）
〜（７）のいずれかの誘電体材料。 （９）誘電体層と電極とを有するセラミック部品であっ
て、前記誘電体層が上記（１）〜（８）のいずれかの誘
電体材料を含有することを特徴とするセラミック部品。 （１０）前記電極がＡｇおよび／またはＣｕを含有する
ものである上記（９）のセラミック部品。
【００１０】
【作用および効果】本発明の誘電体材料は、酸化ネオジ
ムおよび酸化タングステンを所定比率で含有し、タング
ステン酸ネオジム（Ｎｄ2 Ｗ2 Ｏ9 ）相を主相として含
む。このため、誘電率の温度係数（τ・εs ）を小さく
した上で、誘電損失を極めて小さくすることができ、ま
た、絶縁抵抗を大きくすることができる。そして、低温
での焼成が可能なので、積層セラミックコンデンサなど
のセラミック部品に適用する場合に、安価で電気的特性
も良好なＡｇを主体とする導体を電極に用いることがで
きる。
ムおよび酸化タングステンを所定比率で含有し、タング
ステン酸ネオジム（Ｎｄ2 Ｗ2 Ｏ9 ）相を主相として含
む。このため、誘電率の温度係数（τ・εs ）を小さく
した上で、誘電損失を極めて小さくすることができ、ま
た、絶縁抵抗を大きくすることができる。そして、低温
での焼成が可能なので、積層セラミックコンデンサなど
のセラミック部品に適用する場合に、安価で電気的特性
も良好なＡｇを主体とする導体を電極に用いることがで
きる。
【００１１】なお、本明細書において低温での焼成が可
能であるとは、単に低温で焼結体が得られるという意味
ではなく、低温で焼成した場合でも誘電体材料として十
分な特性が得られることを意味する。
能であるとは、単に低温で焼結体が得られるという意味
ではなく、低温で焼成した場合でも誘電体材料として十
分な特性が得られることを意味する。
【００１２】タングステン酸ネオジムを主体とする誘電
体材料に酸化銅を添加することにより、誘電率が向上す
る。
体材料に酸化銅を添加することにより、誘電率が向上す
る。
【００１３】タングステン酸ネオジムを中心とする組成
の誘電体材料は、通常、誘電率の温度係数（τ・εs ）
がプラスであるが、ニオブ酸鉛（Ｐｂ3 Ｎｂ2 Ｏ8 ）を
中心とした比率の酸化鉛および酸化ニオブを添加するこ
とにより、τ・εs が減少する。
の誘電体材料は、通常、誘電率の温度係数（τ・εs ）
がプラスであるが、ニオブ酸鉛（Ｐｂ3 Ｎｂ2 Ｏ8 ）を
中心とした比率の酸化鉛および酸化ニオブを添加するこ
とにより、τ・εs が減少する。
【００１４】ニオブ酸鉛と酸化銅との複合添加により、
焼成可能温度をさらに低くすることができるので、Ａｇ
を主体とする電極との同時焼成が安定して行なえるよう
になり、Ｃｕを主体とする導体との同時焼成も可能とな
る。また、酸化銅添加によりτ・εs が増大するが、ニ
オブ酸鉛はこのτ・εs 増大を抑える。
焼成可能温度をさらに低くすることができるので、Ａｇ
を主体とする電極との同時焼成が安定して行なえるよう
になり、Ｃｕを主体とする導体との同時焼成も可能とな
る。また、酸化銅添加によりτ・εs が増大するが、ニ
オブ酸鉛はこのτ・εs 増大を抑える。
【００１５】
【具体的構成】以下、本発明の具体的構成について詳細
に説明する。
に説明する。
【００１６】本発明の誘電体材料は、酸化ネオジムおよ
び酸化タングステンを含有する。酸化ネオジムをＮｄ2
Ｏ3 に、酸化タングステンをＷＯ3 にそれぞれ換算した
とき、Ｎｄ2 Ｏ3 ／（Ｎｄ2 Ｏ3 ＋ＷＯ3 ）は、２８〜
４３モル％、好ましくは３０〜３６モル％である。Ｎｄ
2 Ｏ3 ／（Ｎｄ2 Ｏ3 ＋ＷＯ3 ）が小さすぎると、Ｑお
よび誘電率が低くなり、また、誘電率の温度係数（τ・
εs ）がプラス側に大きく傾いてしまう。一方、Ｎｄ2
Ｏ3 ／（Ｎｄ2 Ｏ3 ＋ＷＯ3 ）が大きすぎると、焼成温
度が高くなってしまう。
び酸化タングステンを含有する。酸化ネオジムをＮｄ2
Ｏ3 に、酸化タングステンをＷＯ3 にそれぞれ換算した
とき、Ｎｄ2 Ｏ3 ／（Ｎｄ2 Ｏ3 ＋ＷＯ3 ）は、２８〜
４３モル％、好ましくは３０〜３６モル％である。Ｎｄ
2 Ｏ3 ／（Ｎｄ2 Ｏ3 ＋ＷＯ3 ）が小さすぎると、Ｑお
よび誘電率が低くなり、また、誘電率の温度係数（τ・
εs ）がプラス側に大きく傾いてしまう。一方、Ｎｄ2
Ｏ3 ／（Ｎｄ2 Ｏ3 ＋ＷＯ3 ）が大きすぎると、焼成温
度が高くなってしまう。
【００１７】本発明の誘電体材料は、酸化鉛および酸化
ニオブを含むか、酸化銅を含むことが好ましく、酸化
鉛、酸化ニオブおよび酸化銅のすべてを含むことがより
好ましい。
ニオブを含むか、酸化銅を含むことが好ましく、酸化
鉛、酸化ニオブおよび酸化銅のすべてを含むことがより
好ましい。
【００１８】酸化鉛をＰｂＯに、酸化ニオブをＮｂ2 Ｏ
5 にそれぞれ換算したとき、ＰｂＯ／（ＰｂＯ＋Ｎｂ2
Ｏ5 ）は、好ましくは６５〜８０モル％、より好ましく
は７０〜７７モル％である。酸化鉛と酸化ニオブとを焼
成すると、通常、鉛系パイロクロア化合物であるニオブ
酸鉛が生成する。ニオブ酸鉛は複数種あり、ＰｂＯ／
（ＰｂＯ＋Ｎｂ2 Ｏ5 ）の大きい順に挙げると、Ｐｂ3
Ｎｂ2 Ｏ8 （７５モル％）、Ｐｂ5 Ｎｂ4 Ｏ15（７１モ
ル％）、Ｐｂ2 Ｎｂ2 Ｏ7 （６７モル％）、Ｐｂ3 Ｎｂ
4 Ｏ13（６０モル％）である。なお、括弧内の値は、Ｐ
ｂＯ／（ＰｂＯ＋Ｎｂ2 Ｏ5 ）である。後述するよう
に、酸化鉛および酸化ニオブは、仮焼体粉末とした後、
Ｎｄ2 Ｏ3 とＷＯ3 とを含む仮焼体粉末と混合されて焼
成される。ＰｂＯ／（ＰｂＯ＋Ｎｂ2 Ｏ5）が小さすぎ
ると、Ｐｂ3 Ｎｂ2 Ｏ8 に比べ鉛比率の低いＰｂ3 Ｎｂ
4 Ｏ13やＰｂ2 Ｎｂ2 Ｏ7 等が生成し、仮焼体粉末中に
おけるこれらの化合物の比率が高くなる。このような仮
焼体粉末を、主相となるタングステン酸ネオジムを含む
仮焼体粉末と混合して焼成した場合、焼成温度低下効果
が不十分となってしまう。一方、ＰｂＯ／（ＰｂＯ＋Ｎ
ｂ2 Ｏ5 ）が大きすぎると、余剰のＰｂＯによりＱの低
下や絶縁抵抗の低下が生じてしまう。したがって、Ｐｂ
3 Ｎｂ2 Ｏ8 が主体となるように、ＰｂＯ／（ＰｂＯ＋
Ｎｂ2 Ｏ5 ）が７５モル％付近となるように配合するこ
とが好ましい。
5 にそれぞれ換算したとき、ＰｂＯ／（ＰｂＯ＋Ｎｂ2
Ｏ5 ）は、好ましくは６５〜８０モル％、より好ましく
は７０〜７７モル％である。酸化鉛と酸化ニオブとを焼
成すると、通常、鉛系パイロクロア化合物であるニオブ
酸鉛が生成する。ニオブ酸鉛は複数種あり、ＰｂＯ／
（ＰｂＯ＋Ｎｂ2 Ｏ5 ）の大きい順に挙げると、Ｐｂ3
Ｎｂ2 Ｏ8 （７５モル％）、Ｐｂ5 Ｎｂ4 Ｏ15（７１モ
ル％）、Ｐｂ2 Ｎｂ2 Ｏ7 （６７モル％）、Ｐｂ3 Ｎｂ
4 Ｏ13（６０モル％）である。なお、括弧内の値は、Ｐ
ｂＯ／（ＰｂＯ＋Ｎｂ2 Ｏ5 ）である。後述するよう
に、酸化鉛および酸化ニオブは、仮焼体粉末とした後、
Ｎｄ2 Ｏ3 とＷＯ3 とを含む仮焼体粉末と混合されて焼
成される。ＰｂＯ／（ＰｂＯ＋Ｎｂ2 Ｏ5）が小さすぎ
ると、Ｐｂ3 Ｎｂ2 Ｏ8 に比べ鉛比率の低いＰｂ3 Ｎｂ
4 Ｏ13やＰｂ2 Ｎｂ2 Ｏ7 等が生成し、仮焼体粉末中に
おけるこれらの化合物の比率が高くなる。このような仮
焼体粉末を、主相となるタングステン酸ネオジムを含む
仮焼体粉末と混合して焼成した場合、焼成温度低下効果
が不十分となってしまう。一方、ＰｂＯ／（ＰｂＯ＋Ｎ
ｂ2 Ｏ5 ）が大きすぎると、余剰のＰｂＯによりＱの低
下や絶縁抵抗の低下が生じてしまう。したがって、Ｐｂ
3 Ｎｂ2 Ｏ8 が主体となるように、ＰｂＯ／（ＰｂＯ＋
Ｎｂ2 Ｏ5 ）が７５モル％付近となるように配合するこ
とが好ましい。
【００１９】酸化鉛および酸化ニオブを添加する場合、
（ＰｂＯ＋Ｎｂ2 Ｏ5 ）／（Ｎｄ2Ｏ3 ＋ＷＯ3 ）が、
５．０重量％以下、好ましくは２．０重量％以下、より
好ましくは１．６重量％以下、また、好ましくは０．２
重量％以上、より好ましくは０．５重量％以上、さらに
好ましくは０．８重量％以上となるように添加する。
（ＰｂＯ＋Ｎｂ2 Ｏ5 ）／（Ｎｄ2 Ｏ3 ＋ＷＯ3 ）が小
さすぎると、酸化鉛および酸化ニオブの添加による効果
が不十分となり、特に、酸化銅と複合添加した場合にτ
・εs がプラス側に大きく傾いてしまう。一方、（Ｐｂ
Ｏ＋Ｎｂ2 Ｏ5 ）／（Ｎｄ2 Ｏ3 ＋ＷＯ3 ）が大きすぎ
ると、τ・εs がマイナス側に傾き、また、Ｑ値が低く
なる。そして、焼成温度が高くなってしまうため、酸化
銅と複合添加した場合の焼成温度低下効果が阻害されて
しまう。
（ＰｂＯ＋Ｎｂ2 Ｏ5 ）／（Ｎｄ2Ｏ3 ＋ＷＯ3 ）が、
５．０重量％以下、好ましくは２．０重量％以下、より
好ましくは１．６重量％以下、また、好ましくは０．２
重量％以上、より好ましくは０．５重量％以上、さらに
好ましくは０．８重量％以上となるように添加する。
（ＰｂＯ＋Ｎｂ2 Ｏ5 ）／（Ｎｄ2 Ｏ3 ＋ＷＯ3 ）が小
さすぎると、酸化鉛および酸化ニオブの添加による効果
が不十分となり、特に、酸化銅と複合添加した場合にτ
・εs がプラス側に大きく傾いてしまう。一方、（Ｐｂ
Ｏ＋Ｎｂ2 Ｏ5 ）／（Ｎｄ2 Ｏ3 ＋ＷＯ3 ）が大きすぎ
ると、τ・εs がマイナス側に傾き、また、Ｑ値が低く
なる。そして、焼成温度が高くなってしまうため、酸化
銅と複合添加した場合の焼成温度低下効果が阻害されて
しまう。
【００２０】酸化銅を添加する場合、酸化銅をＣｕＯに
換算したとき、ＣｕＯ／（Ｎｄ2 Ｏ3 ＋ＷＯ3 ）が、
１．０重量％以下、好ましくは０．５重量％以下、より
好ましくは０．１重量％以下、また、好ましくは０．０
１重量％以上、より好ましくは０．０２重量％以上、さ
らに好ましくは０．０４重量％以上となるように添加す
る。ＣｕＯ／（Ｎｄ2 Ｏ3 ＋ＷＯ3 ）が小さすぎると、
焼成温度低下効果が不十分となる。ＣｕＯ／（Ｎｄ2 Ｏ
3 ＋ＷＯ3 ）が大きすぎると、τ・εs がプラス側に大
きく傾き、また、Ｑ値が低くなる。
換算したとき、ＣｕＯ／（Ｎｄ2 Ｏ3 ＋ＷＯ3 ）が、
１．０重量％以下、好ましくは０．５重量％以下、より
好ましくは０．１重量％以下、また、好ましくは０．０
１重量％以上、より好ましくは０．０２重量％以上、さ
らに好ましくは０．０４重量％以上となるように添加す
る。ＣｕＯ／（Ｎｄ2 Ｏ3 ＋ＷＯ3 ）が小さすぎると、
焼成温度低下効果が不十分となる。ＣｕＯ／（Ｎｄ2 Ｏ
3 ＋ＷＯ3 ）が大きすぎると、τ・εs がプラス側に大
きく傾き、また、Ｑ値が低くなる。
【００２１】なお、酸化ネオジム、酸化タングステン、
酸化鉛、酸化ニオブおよび酸化銅の化学量論組成は、そ
れぞれＮｄ2 Ｏ3 、ＷＯ3 、ＰｂＯ、Ｎｂ2 Ｏ5 および
ＣｕＯであるが、誘電体材料中では多少偏倚していても
よい。
酸化鉛、酸化ニオブおよび酸化銅の化学量論組成は、そ
れぞれＮｄ2 Ｏ3 、ＷＯ3 、ＰｂＯ、Ｎｂ2 Ｏ5 および
ＣｕＯであるが、誘電体材料中では多少偏倚していても
よい。
【００２２】本明細書では、誘電体材料中における各化
合物の含有量は、原料配合時の金属量から化学量論組成
に換算し、算出する。
合物の含有量は、原料配合時の金属量から化学量論組成
に換算し、算出する。
【００２３】本発明の誘電体材料は、Ｎｄ2 Ｗ2 Ｏ9 相
を主相とする。Ｎｄ2 Ｗ2 Ｏ9 相以外には、Ｎｄ2 （Ｗ
Ｏ4 ）3 相またはＮｄ2 ＷＯ6 相が存在し得る。Ｎｄ2
（ＷＯ4 ）3 相はＮｄ2 Ｏ3 の含有率が低い場合に現わ
れ、Ｎｄ2 ＷＯ6 相はＮｄ2Ｏ3 の含有率が高い場合に
現われる。誘電体材料中に存在する結晶相は、Ｘ線回折
により確認することができる。
を主相とする。Ｎｄ2 Ｗ2 Ｏ9 相以外には、Ｎｄ2 （Ｗ
Ｏ4 ）3 相またはＮｄ2 ＷＯ6 相が存在し得る。Ｎｄ2
（ＷＯ4 ）3 相はＮｄ2 Ｏ3 の含有率が低い場合に現わ
れ、Ｎｄ2 ＷＯ6 相はＮｄ2Ｏ3 の含有率が高い場合に
現われる。誘電体材料中に存在する結晶相は、Ｘ線回折
により確認することができる。
【００２４】また、酸化鉛および酸化ニオブを添加する
場合、これらは誘電体材料中において少なくともＰｂ3
Ｎｂ2 Ｏ8 相を構成していることが好ましいが、酸化鉛
および酸化ニオブの添加量は微量であるため、誘電体材
料のＸ線回折では確認できないこともある。
場合、これらは誘電体材料中において少なくともＰｂ3
Ｎｂ2 Ｏ8 相を構成していることが好ましいが、酸化鉛
および酸化ニオブの添加量は微量であるため、誘電体材
料のＸ線回折では確認できないこともある。
【００２５】本発明の誘電体材料の平均結晶粒径は、
０．７〜３．０μm 程度である。
０．７〜３．０μm 程度である。
【００２６】次に、本発明の誘電体材料の製造方法につ
いて説明する。
いて説明する。
【００２７】出発原料としては、誘電体材料を構成する
金属元素の酸化物、例えばＮｄ2 Ｏ3 、ＷＯ3 、Ｐｂ
Ｏ、Ｎｂ2 Ｏ5 、ＣｕＯ等を用いればよい。また、炭酸
塩など、熱処理後に酸化物となる化合物を用いてもよ
い。出発原料の配合比率は、最終組成に応じて決定す
る。
金属元素の酸化物、例えばＮｄ2 Ｏ3 、ＷＯ3 、Ｐｂ
Ｏ、Ｎｂ2 Ｏ5 、ＣｕＯ等を用いればよい。また、炭酸
塩など、熱処理後に酸化物となる化合物を用いてもよ
い。出発原料の配合比率は、最終組成に応じて決定す
る。
【００２８】出発原料の粉末を混合し、次いで仮焼す
る。酸化鉛および酸化ニオブを添加する場合、Ｎｄおよ
びＷを含む仮焼体とＰｂおよびＮｂを含む仮焼体とを独
立して製造し、これらを混合する。また、酸化銅を添加
する場合、通常、酸化銅は仮焼体粉末と混合する。出発
原料の粉末の混合は、ボールミルなどを用いて湿式で行
なうことが好ましい。ＮｄおよびＷを含む出発原料の仮
焼は、空気中において６５０〜８５０℃程度の温度で１
〜２時間程度行なうことが好ましい。また、Ｐｂおよび
Ｎｂを含む出発原料の仮焼は、空気中において、好まし
くは４００〜７００℃、より好ましくは５００〜６００
℃で１〜２時間程度行なうことが好ましい。Ｐｂおよび
Ｎｂを含む仮焼体は、Ｐｂ3 Ｎｂ2 Ｏ8 相を含み、実質
的にこの相だけから構成されていることが好ましいが、
Ｐｂ5 Ｎｂ4 Ｏ15相、Ｐｂ2 Ｎｂ2Ｏ7 相、Ｐｂ3 Ｎｂ4
Ｏ13相などが含まれていてもよい。仮焼後、ボールミ
ル等により粉砕する。仮焼体粉末の平均粒子径は、０．
５〜２．０μm 程度とすればよい。なお、２種以上の仮
焼体を混合する場合、各仮焼体を粉砕した後に混合する
ことが好ましいが、少なくとも１種の仮焼体を粉砕せず
に混合し、その後に粉砕してもよい。仮焼体あるいはそ
の粉末の混合は、ボールミルなどを用いて湿式で行なう
ことが好ましい。
る。酸化鉛および酸化ニオブを添加する場合、Ｎｄおよ
びＷを含む仮焼体とＰｂおよびＮｂを含む仮焼体とを独
立して製造し、これらを混合する。また、酸化銅を添加
する場合、通常、酸化銅は仮焼体粉末と混合する。出発
原料の粉末の混合は、ボールミルなどを用いて湿式で行
なうことが好ましい。ＮｄおよびＷを含む出発原料の仮
焼は、空気中において６５０〜８５０℃程度の温度で１
〜２時間程度行なうことが好ましい。また、Ｐｂおよび
Ｎｂを含む出発原料の仮焼は、空気中において、好まし
くは４００〜７００℃、より好ましくは５００〜６００
℃で１〜２時間程度行なうことが好ましい。Ｐｂおよび
Ｎｂを含む仮焼体は、Ｐｂ3 Ｎｂ2 Ｏ8 相を含み、実質
的にこの相だけから構成されていることが好ましいが、
Ｐｂ5 Ｎｂ4 Ｏ15相、Ｐｂ2 Ｎｂ2Ｏ7 相、Ｐｂ3 Ｎｂ4
Ｏ13相などが含まれていてもよい。仮焼後、ボールミ
ル等により粉砕する。仮焼体粉末の平均粒子径は、０．
５〜２．０μm 程度とすればよい。なお、２種以上の仮
焼体を混合する場合、各仮焼体を粉砕した後に混合する
ことが好ましいが、少なくとも１種の仮焼体を粉砕せず
に混合し、その後に粉砕してもよい。仮焼体あるいはそ
の粉末の混合は、ボールミルなどを用いて湿式で行なう
ことが好ましい。
【００２９】次に、仮焼体粉末あるいはその混合物にポ
リビニルアルコール等のバインダを加えて所定形状に成
形した後、焼成する。焼成は空気中で行なえばよいが、
必要に応じて酸素分圧を制御した雰囲気中あるいは還元
雰囲気中で焼成してもよい。本発明では１２００℃以下
の低温での焼成が可能であり、１０００℃以下、さらに
は９６０℃以下で焼成することもできる。特に、酸化
鉛、酸化ニオブおよび酸化銅を所定量添加した場合に
は、焼成温度が９６０℃以下であっても緻密で電気特性
の良好な誘電体材料が得られる。ただし、焼成温度は、
通常、８９０℃以上とする。焼成温度が低すぎると焼結
が不十分となる傾向にあり、高すぎるとタングステンの
蒸発により組成ずれが生じてしまう。焼成時の温度保持
時間は、１〜４時間とすることが好ましく、通常は２時
間程度とすればよい。
リビニルアルコール等のバインダを加えて所定形状に成
形した後、焼成する。焼成は空気中で行なえばよいが、
必要に応じて酸素分圧を制御した雰囲気中あるいは還元
雰囲気中で焼成してもよい。本発明では１２００℃以下
の低温での焼成が可能であり、１０００℃以下、さらに
は９６０℃以下で焼成することもできる。特に、酸化
鉛、酸化ニオブおよび酸化銅を所定量添加した場合に
は、焼成温度が９６０℃以下であっても緻密で電気特性
の良好な誘電体材料が得られる。ただし、焼成温度は、
通常、８９０℃以上とする。焼成温度が低すぎると焼結
が不十分となる傾向にあり、高すぎるとタングステンの
蒸発により組成ずれが生じてしまう。焼成時の温度保持
時間は、１〜４時間とすることが好ましく、通常は２時
間程度とすればよい。
【００３０】本発明の誘電体材料を積層型セラミックコ
ンデンサに適用する場合には、上記仮焼体粉末に、有機
バインダおよび有機溶媒を含むビヒクルを加えて誘電体
層用ペーストを調製し、これと内部電極層用ペーストと
を印刷法やシート法などにより積層した後、同時に焼成
し、さらに端子電極を設けて、誘電体層と内部電極層と
が交互に積層された積層型セラミックコンデンサとす
る。内部電極層に用いる導電性材料としては、安価な低
融点金属、例えばＡｇ系、Ｃｕ系、Ｎｉ系、Ａｌ系等を
用いることができるが、特にＡｇを主体とする金属また
はＣｕを主体とする金属が好ましい。Ａｇを主体とする
金属としては、例えばＡｇ−Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｔ等を用い
ることが好ましく、Ａｇを用いることもできる。なお、
Ａｇに対するＰｄやＰｔの比率は、焼成温度に応じて決
定すればよい。Ｃｕは、通常、単体で用いられるが、Ｃ
ｕ−Ａｇ合金などの合金として使用してもよい。Ｃｕを
主体とする金属を内部電極に用いる場合、電極の酸化を
防ぐために還元性雰囲気中で焼成する。
ンデンサに適用する場合には、上記仮焼体粉末に、有機
バインダおよび有機溶媒を含むビヒクルを加えて誘電体
層用ペーストを調製し、これと内部電極層用ペーストと
を印刷法やシート法などにより積層した後、同時に焼成
し、さらに端子電極を設けて、誘電体層と内部電極層と
が交互に積層された積層型セラミックコンデンサとす
る。内部電極層に用いる導電性材料としては、安価な低
融点金属、例えばＡｇ系、Ｃｕ系、Ｎｉ系、Ａｌ系等を
用いることができるが、特にＡｇを主体とする金属また
はＣｕを主体とする金属が好ましい。Ａｇを主体とする
金属としては、例えばＡｇ−Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｔ等を用い
ることが好ましく、Ａｇを用いることもできる。なお、
Ａｇに対するＰｄやＰｔの比率は、焼成温度に応じて決
定すればよい。Ｃｕは、通常、単体で用いられるが、Ｃ
ｕ−Ａｇ合金などの合金として使用してもよい。Ｃｕを
主体とする金属を内部電極に用いる場合、電極の酸化を
防ぐために還元性雰囲気中で焼成する。
【００３１】本発明の誘電体材料は、このような積層型
セラミックコンデンサに限らず、誘電体層と電極とを有
する各種セラミック部品、例えば積層型ＬＣ部品、コン
デンサ部を内蔵する多層配線基板、トリプレート線路を
有する共振器等に好適である。
セラミックコンデンサに限らず、誘電体層と電極とを有
する各種セラミック部品、例えば積層型ＬＣ部品、コン
デンサ部を内蔵する多層配線基板、トリプレート線路を
有する共振器等に好適である。
【００３２】
【実施例】以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明
をさらに詳細に説明する。
をさらに詳細に説明する。
【００３３】＜実施例１＞出発原料としてＮｄ2 Ｏ3 お
よびＷＯ3 を用い、Ｎｄ2 Ｏ3 ／（Ｎｄ2 Ｏ3 ＋ＷＯ
3 ）が下記表１に示されるモル比率となるようにポリエ
チレンポット中で湿式混合した後、空気中において７０
０〜９００℃で２時間仮焼した。得られた仮焼体をボー
ルミルで粉砕し、平均粒子径０．５μm の仮焼体粉末と
した。
よびＷＯ3 を用い、Ｎｄ2 Ｏ3 ／（Ｎｄ2 Ｏ3 ＋ＷＯ
3 ）が下記表１に示されるモル比率となるようにポリエ
チレンポット中で湿式混合した後、空気中において７０
０〜９００℃で２時間仮焼した。得られた仮焼体をボー
ルミルで粉砕し、平均粒子径０．５μm の仮焼体粉末と
した。
【００３４】得られた仮焼体粉末に有機バインダを加
え、２ton/cm2 の圧力で成形して、直径１２mm、厚さ
０．６mmの円板状成形体とした。この成形体を、表１に
示す温度で空気中において２時間焼成した。得られた焼
結体の平均結晶粒径は０．８〜２μm であった。各焼結
体の両主面にＡｇを蒸着して電極とし、表１に示す誘電
体サンプルを得た。
え、２ton/cm2 の圧力で成形して、直径１２mm、厚さ
０．６mmの円板状成形体とした。この成形体を、表１に
示す温度で空気中において２時間焼成した。得られた焼
結体の平均結晶粒径は０．８〜２μm であった。各焼結
体の両主面にＡｇを蒸着して電極とし、表１に示す誘電
体サンプルを得た。
【００３５】これらの誘電体サンプルについて、誘電率
（εs ）、誘電率の温度係数（τ・εs ）、Ｑ（１／ t
anδ）、Ｑ・ｆおよび絶縁抵抗（ρ）を測定した。結果
を表１に示す。εs およびＱは２０℃、１MHz における
値であり、Ｑ・ｆは（共振周波数におけるＱ）×（共振
周波数；単位GHz ）である。τ・εs は｛（８５℃、１
MHz におけるεs ）−（−２５℃、１MHz におけるε
s ）｝／（２０℃、１MHz におけるεs ）／｛８５−
（−２５）｝である。
（εs ）、誘電率の温度係数（τ・εs ）、Ｑ（１／ t
anδ）、Ｑ・ｆおよび絶縁抵抗（ρ）を測定した。結果
を表１に示す。εs およびＱは２０℃、１MHz における
値であり、Ｑ・ｆは（共振周波数におけるＱ）×（共振
周波数；単位GHz ）である。τ・εs は｛（８５℃、１
MHz におけるεs ）−（−２５℃、１MHz におけるε
s ）｝／（２０℃、１MHz におけるεs ）／｛８５−
（−２５）｝である。
【００３６】
【表１】
【００３７】表１に示される結果から本発明の効果が明
らかである。すなわち、本発明の誘電体材料は１２００
℃以下で焼結でき、組成を選択することにより１０００
℃以下での焼成が可能である。また、１MHz でのＱは１
６００以上、マイクロ波帯でのＱ・ｆは２６００以上を
示す。誘電率の温度係数（τ・εs ）はＪＩＳ規格のＣ
Ｋ特性（０±２５０ppm ／℃）を満足し、組成を選択す
ることによりＪＩＳ規格のＣＧ特性（０±３０ppm ／
℃）をも満足する。また、絶縁抵抗（ρ）は１×１０11
Ω・cm以上の十分な値を示している。なお、比較例のサ
ンプルNo. １では、Ｑが低すぎるためにＱ・ｆが測定不
能であった。
らかである。すなわち、本発明の誘電体材料は１２００
℃以下で焼結でき、組成を選択することにより１０００
℃以下での焼成が可能である。また、１MHz でのＱは１
６００以上、マイクロ波帯でのＱ・ｆは２６００以上を
示す。誘電率の温度係数（τ・εs ）はＪＩＳ規格のＣ
Ｋ特性（０±２５０ppm ／℃）を満足し、組成を選択す
ることによりＪＩＳ規格のＣＧ特性（０±３０ppm ／
℃）をも満足する。また、絶縁抵抗（ρ）は１×１０11
Ω・cm以上の十分な値を示している。なお、比較例のサ
ンプルNo. １では、Ｑが低すぎるためにＱ・ｆが測定不
能であった。
【００３８】次に、サンプルNo. ３についてＸ線回折を
行なった。得られたＸ線回折チャートを図１の上段に示
す。参考として、Ｎｄ2 Ｗ2 Ｏ9 のＪＣＰＤＳカードの
データを図１の下段に併記する。これらの比較から、サ
ンプルNo. ３がＮｄ2 Ｗ2 Ｏ9 相を含むことがわかる。
なお、他のサンプルについてもＸ線回折を行なった結
果、サンプルNo. ２には、Ｎｄ2 Ｗ2 Ｏ9 相とＮｄ2
（ＷＯ4 ）3 相とが存在し、サンプルNo. ４および５に
は、Ｎｄ2 Ｗ2 Ｏ9 相とＮｄ2 ＷＯ6 相とが存在してい
た。一方、比較例であるサンプルNo. １および６には、
Ｎｄ2 Ｗ2 Ｏ9 相の存在は認められなかった。
行なった。得られたＸ線回折チャートを図１の上段に示
す。参考として、Ｎｄ2 Ｗ2 Ｏ9 のＪＣＰＤＳカードの
データを図１の下段に併記する。これらの比較から、サ
ンプルNo. ３がＮｄ2 Ｗ2 Ｏ9 相を含むことがわかる。
なお、他のサンプルについてもＸ線回折を行なった結
果、サンプルNo. ２には、Ｎｄ2 Ｗ2 Ｏ9 相とＮｄ2
（ＷＯ4 ）3 相とが存在し、サンプルNo. ４および５に
は、Ｎｄ2 Ｗ2 Ｏ9 相とＮｄ2 ＷＯ6 相とが存在してい
た。一方、比較例であるサンプルNo. １および６には、
Ｎｄ2 Ｗ2 Ｏ9 相の存在は認められなかった。
【００３９】＜実施例２＞出発原料としてＰｂＯおよび
Ｎｂ2 Ｏ5 を用い、ＰｂＯ／（ＰｂＯ＋Ｎｂ2 Ｏ5 ）が
７５モル％となるようにポリエチレンポット中で湿式混
合した後、空気中において５５０℃で２時間仮焼した。
得られた仮焼体をボールミルで粉砕し、平均粒子径０．
５μm の仮焼体粉末とした。Ｘ線回折により、この仮焼
体粉末にＰｂ3 Ｎｂ2 Ｏ8 相が含まれることが確認され
た。
Ｎｂ2 Ｏ5 を用い、ＰｂＯ／（ＰｂＯ＋Ｎｂ2 Ｏ5 ）が
７５モル％となるようにポリエチレンポット中で湿式混
合した後、空気中において５５０℃で２時間仮焼した。
得られた仮焼体をボールミルで粉砕し、平均粒子径０．
５μm の仮焼体粉末とした。Ｘ線回折により、この仮焼
体粉末にＰｂ3 Ｎｂ2 Ｏ8 相が含まれることが確認され
た。
【００４０】次に、この仮焼体粉末と、実施例１のサン
プルNo. ３に用いた仮焼体粉末と、ＣｕＯとを、表２に
示す重量比となるようにポリエチレンポット中で湿式混
合した。
プルNo. ３に用いた仮焼体粉末と、ＣｕＯとを、表２に
示す重量比となるようにポリエチレンポット中で湿式混
合した。
【００４１】得られた混合物に有機バインダを加え、２
ton/cm2 の圧力で成形して、直径１２mm、厚さ０．６mm
の円板状成形体とした。この成形体を、表２に示す温度
で空気中において２時間焼成した。得られた焼結体の平
均結晶粒径は０．８〜２μmであった。各焼結体の両主
面にＡｇを蒸着して電極とし、表２に示す誘電体サンプ
ルを得た。
ton/cm2 の圧力で成形して、直径１２mm、厚さ０．６mm
の円板状成形体とした。この成形体を、表２に示す温度
で空気中において２時間焼成した。得られた焼結体の平
均結晶粒径は０．８〜２μmであった。各焼結体の両主
面にＡｇを蒸着して電極とし、表２に示す誘電体サンプ
ルを得た。
【００４２】これらの誘電体サンプルについて、実施例
１と同様にして電気特性を測定した。結果を表２に示
す。なお、比較のために、表２に実施例１のサンプルN
o. ３と、焼成温度を低くした以外はサンプルNo. ３と
同様にして作製したサンプルNo.３−２とを併記する。
１と同様にして電気特性を測定した。結果を表２に示
す。なお、比較のために、表２に実施例１のサンプルN
o. ３と、焼成温度を低くした以外はサンプルNo. ３と
同様にして作製したサンプルNo.３−２とを併記する。
【００４３】
【表２】
【００４４】表２に示される結果から、本発明の効果が
明らかである。すなわち、サンプルNo. １０１、１０２
では、ＣｕＯ添加によりεS が向上しており、サンプル
No.１０３、１０４では、ＰｂＯ＋Ｎｂ2 Ｏ5 添加によ
りτ・εS が小さくなっている。ＰｂＯ＋Ｎｂ2 Ｏ5 と
ＣｕＯとを複合添加したサンプルNo. １０５〜１０７で
は、εS が向上し、しかもτ・εS はほとんど増加して
いない。そして、ＰｂＯ＋Ｎｂ2 Ｏ5 添加量が０．２〜
５．０重量％の範囲で、かつＣｕＯ添加量が０．０１〜
１．０重量％の範囲であるサンプルNo. １０８〜１１
２、１１４、１１５では、９６０℃以下で焼成した場合
でも十分に高い特性が得られていることがわかる。しか
も、１MHz でのＱは１０００以上、組成を選択すること
により１５００以上、さらには２０００以上の値を示
し、マイクロ波帯でのＱ・ｆは２５００以上、組成を選
択することにより２７００以上、さらには３０００以上
という良好な値を示す。誘電率の温度係数（τ・εs ）
はＪＩＳ規格のＣＪ特性（０±１２０ppm ／℃）を満足
し、組成を選択することによりＪＩＳ規格のＣＨ特性
（０±６０ppm ／℃）をも満足する。また、絶縁抵抗
（ρ）は１×１０12Ω・cm以上の十分な値を示してい
る。
明らかである。すなわち、サンプルNo. １０１、１０２
では、ＣｕＯ添加によりεS が向上しており、サンプル
No.１０３、１０４では、ＰｂＯ＋Ｎｂ2 Ｏ5 添加によ
りτ・εS が小さくなっている。ＰｂＯ＋Ｎｂ2 Ｏ5 と
ＣｕＯとを複合添加したサンプルNo. １０５〜１０７で
は、εS が向上し、しかもτ・εS はほとんど増加して
いない。そして、ＰｂＯ＋Ｎｂ2 Ｏ5 添加量が０．２〜
５．０重量％の範囲で、かつＣｕＯ添加量が０．０１〜
１．０重量％の範囲であるサンプルNo. １０８〜１１
２、１１４、１１５では、９６０℃以下で焼成した場合
でも十分に高い特性が得られていることがわかる。しか
も、１MHz でのＱは１０００以上、組成を選択すること
により１５００以上、さらには２０００以上の値を示
し、マイクロ波帯でのＱ・ｆは２５００以上、組成を選
択することにより２７００以上、さらには３０００以上
という良好な値を示す。誘電率の温度係数（τ・εs ）
はＪＩＳ規格のＣＪ特性（０±１２０ppm ／℃）を満足
し、組成を選択することによりＪＩＳ規格のＣＨ特性
（０±６０ppm ／℃）をも満足する。また、絶縁抵抗
（ρ）は１×１０12Ω・cm以上の十分な値を示してい
る。
【００４５】一方、ＣｕＯが１．０重量％を超えている
サンプルNo. １１３では、測定不可能なほどにＱが著し
く低くなってしまっており、また、τ・εS が著しく大
きくなってしまっている。ＰｂＯ＋Ｎｂ2 Ｏ5 が５．０
重量％を超えているサンプルNo. １１６でも、Ｑが著し
く低くなってしまっている。
サンプルNo. １１３では、測定不可能なほどにＱが著し
く低くなってしまっており、また、τ・εS が著しく大
きくなってしまっている。ＰｂＯ＋Ｎｂ2 Ｏ5 が５．０
重量％を超えているサンプルNo. １１６でも、Ｑが著し
く低くなってしまっている。
【００４６】なお、焼成温度をサンプルNo. ３より５０
℃低くしたサンプルNo. ３−２では、誘電率および他の
電気特性がサンプルNo. ３に比べ低くなってしまってい
る。また、焼成温度をサンプルNo. １１０より５０℃低
くしたサンプルNo. １１０−２でも、誘電率および他の
電気特性がサンプルNo. １１０に比べやや低下してお
り、焼結が不十分なために機械的強度もやや低いもので
あった。
℃低くしたサンプルNo. ３−２では、誘電率および他の
電気特性がサンプルNo. ３に比べ低くなってしまってい
る。また、焼成温度をサンプルNo. １１０より５０℃低
くしたサンプルNo. １１０−２でも、誘電率および他の
電気特性がサンプルNo. １１０に比べやや低下してお
り、焼結が不十分なために機械的強度もやや低いもので
あった。
【００４７】＜実施例３＞表３に示す構成の積層セラミ
ックコンデンサを作製した。実施例２のサンプルNo. １
１０に用いた仮焼体粉末とＣｕＯとの混合物に、ビヒク
ルを加えて混練し、誘電体層用ペーストを調製した。ま
た、Ａｇ粒子またはＣｕ粒子にビヒクルを加えて混練
し、内部電極層用ペーストを調製した。誘電体層用ペー
ストをコーターを通してシート化し、このシートに内部
電極層用ペーストを印刷した。印刷後、シートを積層
し、熱プレスにより圧着した後、切断し、グリーンチッ
プとした。グリーンチップを空気中で加熱して脱バイン
ダを行なった後、表３に示す温度で焼成した。焼成は、
Ａｇ電極の場合には空気中で行ない、Ｃｕ電極の場合に
は還元性雰囲気中で行なった。焼成後、チップ端面に外
部電極を焼き付け、積層セラミックコンデンササンプル
とした。焼成後の寸法は、３２mm×１６mm×１０mmであ
った。
ックコンデンサを作製した。実施例２のサンプルNo. １
１０に用いた仮焼体粉末とＣｕＯとの混合物に、ビヒク
ルを加えて混練し、誘電体層用ペーストを調製した。ま
た、Ａｇ粒子またはＣｕ粒子にビヒクルを加えて混練
し、内部電極層用ペーストを調製した。誘電体層用ペー
ストをコーターを通してシート化し、このシートに内部
電極層用ペーストを印刷した。印刷後、シートを積層
し、熱プレスにより圧着した後、切断し、グリーンチッ
プとした。グリーンチップを空気中で加熱して脱バイン
ダを行なった後、表３に示す温度で焼成した。焼成は、
Ａｇ電極の場合には空気中で行ない、Ｃｕ電極の場合に
は還元性雰囲気中で行なった。焼成後、チップ端面に外
部電極を焼き付け、積層セラミックコンデンササンプル
とした。焼成後の寸法は、３２mm×１６mm×１０mmであ
った。
【００４８】これらのサンプルについて、容量、１MHz
におけるＱ、絶縁抵抗（ＩＲ）、誘電率の温度係数（τ
・εs ）を測定した。結果を表３に示す。
におけるＱ、絶縁抵抗（ＩＲ）、誘電率の温度係数（τ
・εs ）を測定した。結果を表３に示す。
【００４９】
【表３】
【００５０】表３に示される結果から、積層セラミック
コンデンサに本発明の誘電体材料を用いた場合、内部電
極層にＡｇまたはＣｕを用いることができ、良好な特性
が得られることがわかる。
コンデンサに本発明の誘電体材料を用いた場合、内部電
極層にＡｇまたはＣｕを用いることができ、良好な特性
が得られることがわかる。
【図１】上段は表１のサンプルNo. ３のＸ線回折チャー
トであり、下段はＮｄ2 Ｗ2 Ｏ9 のＪＣＰＤＳカードの
データである。
トであり、下段はＮｄ2 Ｗ2 Ｏ9 のＪＣＰＤＳカードの
データである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 澤村 建太郎 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内
Claims (10)
- 【請求項１】 酸化ネオジムおよび酸化タングステンを
含み、これらをそれぞれＮｄ2 Ｏ3 およびＷＯ3 に換算
したとき、Ｎｄ2 Ｏ3 ／（Ｎｄ2 Ｏ3 ＋ＷＯ3 ）が２８
〜４３モル％であり、Ｎｄ2 Ｗ2 Ｏ9 相を含むことを特
徴とする誘電体材料。 - 【請求項２】 １０００℃以下で焼成されたものである
請求項１の誘電体材料。 - 【請求項３】 酸化鉛および酸化ニオブを含み、これら
をそれぞれＰｂＯおよびＮｂ2 Ｏ5 に換算したとき、Ｐ
ｂＯ／（ＰｂＯ＋Ｎｂ2 Ｏ5 ）が６０〜８５モル％であ
り、 （ＰｂＯ＋Ｎｂ2 Ｏ5 ）／（Ｎｄ2 Ｏ3 ＋ＷＯ3 ）が
５．０重量％以下である請求項１または２の誘電体材
料。 - 【請求項４】 （ＰｂＯ＋Ｎｂ2 Ｏ5 ）／（Ｎｄ2 Ｏ3
＋ＷＯ3 ）が０．２重量％以上である請求項３の誘電体
材料。 - 【請求項５】 Ｐｂ3 Ｎｂ2 Ｏ8 相を含む請求項３また
は４の誘電体材料。 - 【請求項６】 酸化銅を含み、酸化銅をＣｕＯに換算し
たとき、ＣｕＯ／（Ｎｄ2 Ｏ3 ＋ＷＯ3 ）が１．０重量
％以下である請求項１〜５のいずれかの誘電体材料。 - 【請求項７】 ＣｕＯ／（Ｎｄ2 Ｏ3 ＋ＷＯ3 ）が０．
０１重量％以上である請求項６の誘電体材料。 - 【請求項８】 ９６０℃以下で焼成されたものである請
求項３〜７のいずれかの誘電体材料。 - 【請求項９】 誘電体層と電極とを有するセラミック部
品であって、前記誘電体層が請求項１〜８のいずれかの
誘電体材料を含有することを特徴とするセラミック部
品。 - 【請求項１０】 前記電極がＡｇおよび／またはＣｕを
含有するものである請求項９のセラミック部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6072479A JPH0794022A (ja) | 1993-06-07 | 1994-03-17 | 誘電体材料およびセラミック部品 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16309993 | 1993-06-07 | ||
| JP5-163099 | 1993-06-07 | ||
| JP6072479A JPH0794022A (ja) | 1993-06-07 | 1994-03-17 | 誘電体材料およびセラミック部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0794022A true JPH0794022A (ja) | 1995-04-07 |
Family
ID=26413609
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6072479A Withdrawn JPH0794022A (ja) | 1993-06-07 | 1994-03-17 | 誘電体材料およびセラミック部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0794022A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104671784A (zh) * | 2015-02-03 | 2015-06-03 | 桂林理工大学 | 温度稳定型高品质因数微波介电陶瓷Nd2La2W3O15及其制备方法 |
| CN109111229A (zh) * | 2018-09-14 | 2019-01-01 | 电子科技大学 | 一种高温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法 |
| CN114144261A (zh) * | 2019-05-17 | 2022-03-04 | 怡色公司 | 用于管理细颗粒浓度的设备和方法 |
-
1994
- 1994-03-17 JP JP6072479A patent/JPH0794022A/ja not_active Withdrawn
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