JP3391268B2 - 誘電体セラミックおよびその製造方法、ならびに、積層セラミック電子部品およびその製造方法 - Google Patents
誘電体セラミックおよびその製造方法、ならびに、積層セラミック電子部品およびその製造方法Info
- Publication number
- JP3391268B2 JP3391268B2 JP23673598A JP23673598A JP3391268B2 JP 3391268 B2 JP3391268 B2 JP 3391268B2 JP 23673598 A JP23673598 A JP 23673598A JP 23673598 A JP23673598 A JP 23673598A JP 3391268 B2 JP3391268 B2 JP 3391268B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- barium titanate
- dielectric ceramic
- ceramic
- based powder
- electronic component
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims description 150
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 25
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 118
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 107
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 65
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 claims description 65
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 29
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 29
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 18
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 16
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 12
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 claims description 9
- 239000010953 base metal Substances 0.000 claims description 8
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 claims description 7
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 claims description 6
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 claims description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 24
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 18
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 12
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 8
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 7
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 6
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 5
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 5
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 3
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 3
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 3
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000002411 thermogravimetry Methods 0.000 description 2
- 230000004580 weight loss Effects 0.000 description 2
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018054 Ni-Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018481 Ni—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003991 Rietveld refinement Methods 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003917 TEM image Methods 0.000 description 1
- 229910010252 TiO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- -1 alkoxide compound Chemical class 0.000 description 1
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- AOWKSNWVBZGMTJ-UHFFFAOYSA-N calcium titanate Chemical compound [Ca+2].[O-][Ti]([O-])=O AOWKSNWVBZGMTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000635 electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000005621 ferroelectricity Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000000344 soap Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
- C04B35/462—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
- C04B35/465—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates
- C04B35/468—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
- H01G4/1218—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates
- H01G4/1227—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates based on alkaline earth titanates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
- C04B35/462—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
- C04B35/465—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates
- C04B35/468—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates
- C04B35/4682—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates based on BaTiO3 perovskite phase
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、たとえばニッケ
ルまたはニッケル合金のような卑金属からなる内部導体
を有する積層セラミックコンデンサのような積層セラミ
ック電子部品において有利に用いられる誘電体セラミッ
クおよびその製造方法、ならびに、この誘電体セラミッ
クを用いて構成された積層セラミック電子部品およびそ
の製造方法に関するものである。
ルまたはニッケル合金のような卑金属からなる内部導体
を有する積層セラミックコンデンサのような積層セラミ
ック電子部品において有利に用いられる誘電体セラミッ
クおよびその製造方法、ならびに、この誘電体セラミッ
クを用いて構成された積層セラミック電子部品およびそ
の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】積層セラミック電子部品の小型化および
低コスト化が進んでいる。その一手段として、これまで
も、セラミック層の薄層化および内部導体の卑金属化が
進められている。たとえば、 積層セラミック電子部品の
１つである積層セラミックコンデンサにおいては、誘電
体セラミック層の厚みは３μm 近くまで薄層化が進行
し、また、内部導体すなわち内部電極のための材料とし
ても、Ｃｕ、Ｎｉなどの卑金属が使用されるようになっ
ている。
低コスト化が進んでいる。その一手段として、これまで
も、セラミック層の薄層化および内部導体の卑金属化が
進められている。たとえば、 積層セラミック電子部品の
１つである積層セラミックコンデンサにおいては、誘電
体セラミック層の厚みは３μm 近くまで薄層化が進行
し、また、内部導体すなわち内部電極のための材料とし
ても、Ｃｕ、Ｎｉなどの卑金属が使用されるようになっ
ている。
【０００３】ところが、このようにセラミック層が薄層
化してくると、セラミック層にかかる電界が高くなり、
電界による誘電率の変化が大きい誘電体をセラミック層
として使用することには問題がある。また、セラミック
層の厚み方向でのセラミック粒子数が少なくなり、信頼
性にも問題が生じてくる。
化してくると、セラミック層にかかる電界が高くなり、
電界による誘電率の変化が大きい誘電体をセラミック層
として使用することには問題がある。また、セラミック
層の厚み方向でのセラミック粒子数が少なくなり、信頼
性にも問題が生じてくる。
【０００４】このような状況に対応するため、セラミッ
ク粒子径を小さくすることによって、誘電体セラミック
層の厚み方向でのセラミック粒子数を増やし、それによ
って、信頼性を高めることを可能としたセラミック材料
が、たとえば、特開平９−２４１０７４号公報および特
開平９−２４１０７５号公報において提案されている。
このようにセラミック粒子径を制御することで、誘電率
の電界による変化あるいは温度による変化を小さくする
ことが可能になる。
ク粒子径を小さくすることによって、誘電体セラミック
層の厚み方向でのセラミック粒子数を増やし、それによ
って、信頼性を高めることを可能としたセラミック材料
が、たとえば、特開平９−２４１０７４号公報および特
開平９−２４１０７５号公報において提案されている。
このようにセラミック粒子径を制御することで、誘電率
の電界による変化あるいは温度による変化を小さくする
ことが可能になる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来技術では、誘電体セラミック層の厚みが１μｍ程
度あるいはそれよりも薄くなると、強誘電性を示すチタ
ン酸バリウム系材料を誘電体セラミック層の材料として
用いる場合、誘電体セラミック層にかかる電界強度の影
響が大きく現れ、電界強度による誘電率の低下が大きく
なる。したがって、これを用いて構成した積層セラミッ
ク電子部品の定格電圧を下げる必要がある。このため、
上述した従来技術に頼る限り、積層セラミック電子部品
において、１μｍ以下のような薄層化を図ることは、困
難または不可能である。
た従来技術では、誘電体セラミック層の厚みが１μｍ程
度あるいはそれよりも薄くなると、強誘電性を示すチタ
ン酸バリウム系材料を誘電体セラミック層の材料として
用いる場合、誘電体セラミック層にかかる電界強度の影
響が大きく現れ、電界強度による誘電率の低下が大きく
なる。したがって、これを用いて構成した積層セラミッ
ク電子部品の定格電圧を下げる必要がある。このため、
上述した従来技術に頼る限り、積層セラミック電子部品
において、１μｍ以下のような薄層化を図ることは、困
難または不可能である。
【０００６】そこで、この発明の目的は、１μｍ程度あ
るいはそれよりも薄いセラミック層を備える積層セラミ
ック電子部品において有利に用いられ得る、誘電体セラ
ミックおよびその製造方法、ならびに、このような誘電
体セラミックを用いて構成された積層セラミック電子部
品およびその製造方法を提供しようとすることである。
るいはそれよりも薄いセラミック層を備える積層セラミ
ック電子部品において有利に用いられ得る、誘電体セラ
ミックおよびその製造方法、ならびに、このような誘電
体セラミックを用いて構成された積層セラミック電子部
品およびその製造方法を提供しようとすることである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明に係る誘電体セ
ラミックは、ペロブスカイト構造のｃ軸／ａ軸比が１．
０００以上１．００３未満であり、結晶格子中のＯＨ基
量が２．０wt％以下（０wt％は含まず。）の、湿式合成
法で合成しかつ熱処理して得られたチタン酸バリウム系
粉末を焼成して得られたものである。
ラミックは、ペロブスカイト構造のｃ軸／ａ軸比が１．
０００以上１．００３未満であり、結晶格子中のＯＨ基
量が２．０wt％以下（０wt％は含まず。）の、湿式合成
法で合成しかつ熱処理して得られたチタン酸バリウム系
粉末を焼成して得られたものである。
【０００８】また、この発明に係る誘電体セラミックの
製造方法は、上述したペロブスカイト構造のｃ軸／ａ軸
比が１．０００以上１．００３未満であり、結晶格子中
のＯＨ基量が２．０wt％以下（０wt％は含まず。）の、
湿式合成法で合成しかつ熱処理して得られたチタン酸バ
リウム系粉末を用意する工程と、このチタン酸バリウム
系粉末を焼成する工程とを備えている。
製造方法は、上述したペロブスカイト構造のｃ軸／ａ軸
比が１．０００以上１．００３未満であり、結晶格子中
のＯＨ基量が２．０wt％以下（０wt％は含まず。）の、
湿式合成法で合成しかつ熱処理して得られたチタン酸バ
リウム系粉末を用意する工程と、このチタン酸バリウム
系粉末を焼成する工程とを備えている。
【０００９】なお、上述のＯＨ基量は、試料を熱重量分
析し、１５０℃以上の温度での減量値に基づいて求めた
ものである。
析し、１５０℃以上の温度での減量値に基づいて求めた
ものである。
【００１０】好ましくは、上述のチタン酸バリウム系粉
末は、最大粒子径が０．３μｍ以下、平均粒子径が０．
０５〜０．１５μｍとされる。
末は、最大粒子径が０．３μｍ以下、平均粒子径が０．
０５〜０．１５μｍとされる。
【００１１】また、好ましくは、上述のチタン酸バリウ
ム系粉末は、１つの粉体粒子において、結晶性の低い部
分と結晶性の高い部分とからなり、結晶性の低い部分の
直径が粉体粒径の０．５以上とされる。図２に示すチタ
ン酸バリウム系粉末の透過型電子顕微鏡写真および図３
に示すその説明図に見られるように、ここで言う結晶性
の低い部分２１とは、空隙２２などの格子欠陥を多く含
む領域のことであり、他方、結晶性の高い部分２３と
は、このような欠陥を含まない領域のことである。
ム系粉末は、１つの粉体粒子において、結晶性の低い部
分と結晶性の高い部分とからなり、結晶性の低い部分の
直径が粉体粒径の０．５以上とされる。図２に示すチタ
ン酸バリウム系粉末の透過型電子顕微鏡写真および図３
に示すその説明図に見られるように、ここで言う結晶性
の低い部分２１とは、空隙２２などの格子欠陥を多く含
む領域のことであり、他方、結晶性の高い部分２３と
は、このような欠陥を含まない領域のことである。
【００１２】また、好ましくは、（焼成後の誘電体セラ
ミックの平均粒径）／（用意されるチタン酸バリウム系
粉末の平均粒径）の比をＲとしたとき、Ｒは０．９０〜
１．２の範囲内にあるように選ばれる。
ミックの平均粒径）／（用意されるチタン酸バリウム系
粉末の平均粒径）の比をＲとしたとき、Ｒは０．９０〜
１．２の範囲内にあるように選ばれる。
【００１３】この発明に係る誘電体セラミックの複数の
粒子は、個々の粒子内で組成および結晶系が異なるコア
シェル構造を示している場合も、個々の粒子内で一様な
組成および結晶系を示している場合もある。
粒子は、個々の粒子内で組成および結晶系が異なるコア
シェル構造を示している場合も、個々の粒子内で一様な
組成および結晶系を示している場合もある。
【００１４】ここで言う結晶系とは、ペロブスカイト結
晶の晶系のことであり、ペロブスカイト構造におけるｃ
軸／ａ軸比が１の立方晶であるか、ｃ軸／ａ軸比が１以
上の正方晶であるかのことである。
晶の晶系のことであり、ペロブスカイト構造におけるｃ
軸／ａ軸比が１の立方晶であるか、ｃ軸／ａ軸比が１以
上の正方晶であるかのことである。
【００１５】この発明は、また、複数の積層された誘電
体セラミック層と、これら誘電体セラミック層間の特定
の界面に沿って形成された内部導体とを含む、積層体を
備える、積層セラミック電子部品およびその製造方法に
も向けられる。
体セラミック層と、これら誘電体セラミック層間の特定
の界面に沿って形成された内部導体とを含む、積層体を
備える、積層セラミック電子部品およびその製造方法に
も向けられる。
【００１６】より詳細には、積層セラミック電子部品に
備える誘電体セラミック層が、ペロブスカイト構造のｃ
軸／ａ軸比が１．０００以上１．００３未満であり、結
晶格子中のＯＨ基量が２．０wt％以下（０wt％は含ま
ず。）の、湿式合成法で合成しかつ熱処理して得られた
チタン酸バリウム系粉末を焼成して得られた、誘電体セ
ラミックから構成される。
備える誘電体セラミック層が、ペロブスカイト構造のｃ
軸／ａ軸比が１．０００以上１．００３未満であり、結
晶格子中のＯＨ基量が２．０wt％以下（０wt％は含ま
ず。）の、湿式合成法で合成しかつ熱処理して得られた
チタン酸バリウム系粉末を焼成して得られた、誘電体セ
ラミックから構成される。
【００１７】上述した積層セラミック電子部品におい
て、内部導体は、好ましくは、ニッケルまたはニッケル
合金のような卑金属を含む。
て、内部導体は、好ましくは、ニッケルまたはニッケル
合金のような卑金属を含む。
【００１８】また、積層セラミック電子部品は、積層体
の端面上の互いに異なる位置に設けられる複数の外部電
極をさらに備えていてもよく、この場合には、複数の内
部導体は、いずれかの外部電極に電気的に接続されるよ
うに、それぞれの端縁を端面に露出させた状態でそれぞ
れ形成されている。このような構成は、典型的には、積
層セラミックコンデンサにおいて適用される。
の端面上の互いに異なる位置に設けられる複数の外部電
極をさらに備えていてもよく、この場合には、複数の内
部導体は、いずれかの外部電極に電気的に接続されるよ
うに、それぞれの端縁を端面に露出させた状態でそれぞ
れ形成されている。このような構成は、典型的には、積
層セラミックコンデンサにおいて適用される。
【００１９】
【発明の実施の形態】この発明において用いられるチタ
ン酸バリウム系粉末は、一般式：（Ｂａ1-xＸx ）
m （Ｔｉ1-y Ｙy ）Ｏ3 で示される組成を有している。
より特定的な組成については、特に限定されるものでは
ない。たとえば、Ｘとしては、Ｃａおよび希土類元素の
単体あるいはそれらの２種以上を含むものでもよい。ま
た、Ｙとしては、Ｚｒ、Ｍｎなどの単体あるいはそれら
の２種以上を含むものでもよい。また、ｍは、チタン酸
バリウム系粉末の組成にもよるが、一般的に、１．００
０〜１．０３５の範囲であることが、非還元性の誘電体
セラミックを得るには好ましい。
ン酸バリウム系粉末は、一般式：（Ｂａ1-xＸx ）
m （Ｔｉ1-y Ｙy ）Ｏ3 で示される組成を有している。
より特定的な組成については、特に限定されるものでは
ない。たとえば、Ｘとしては、Ｃａおよび希土類元素の
単体あるいはそれらの２種以上を含むものでもよい。ま
た、Ｙとしては、Ｚｒ、Ｍｎなどの単体あるいはそれら
の２種以上を含むものでもよい。また、ｍは、チタン酸
バリウム系粉末の組成にもよるが、一般的に、１．００
０〜１．０３５の範囲であることが、非還元性の誘電体
セラミックを得るには好ましい。
【００２０】チタン酸バリウム系粉末は、ペロブスカイ
ト構造のｃ軸／ａ軸比が１．０００以上１．００３未満
であり、結晶格子中のＯＨ基量が２．０wt％以下（０wt
％は含まず。）であり、かつ、最大粒子径が０．３μｍ
以下であって、平均粒子径が０．０５〜０．１５μｍで
あるものが有利に用いられる。このようなチタン酸バリ
ウム系粉末は、水熱合成法、加水分解法、あるいはゾル
ゲル法などの湿式合成法で得られたチタン酸バリウム系
粉末を熱処理して得られたものである。
ト構造のｃ軸／ａ軸比が１．０００以上１．００３未満
であり、結晶格子中のＯＨ基量が２．０wt％以下（０wt
％は含まず。）であり、かつ、最大粒子径が０．３μｍ
以下であって、平均粒子径が０．０５〜０．１５μｍで
あるものが有利に用いられる。このようなチタン酸バリ
ウム系粉末は、水熱合成法、加水分解法、あるいはゾル
ゲル法などの湿式合成法で得られたチタン酸バリウム系
粉末を熱処理して得られたものである。
【００２１】上述した熱処理においては、ｃ軸／ａ軸比
が１．０００以上１．００３未満といった値になるよう
に、あまり粒成長させない熱処理条件が設定される。た
とえば、空気中で熱処理されたり、窒素気流中あるいは
Ｈ2 Ｏ気流中で熱処理温度と時間とを調整することによ
って、熱処理される。
が１．０００以上１．００３未満といった値になるよう
に、あまり粒成長させない熱処理条件が設定される。た
とえば、空気中で熱処理されたり、窒素気流中あるいは
Ｈ2 Ｏ気流中で熱処理温度と時間とを調整することによ
って、熱処理される。
【００２２】また、上述した熱処理後において、図２お
よび図３に示す、チタン酸バリウム系粉末は、１つの粉
体粒子において、結晶性の低い部分２１の直径比、すな
わち、粉体粒径に対する結晶性の低い部分２１の直径
が、０．５以上となるように設定される。このような直
径比は、たとえば、熱処理時の昇温速度を５℃／分以上
にすることなどによって得ることができる。
よび図３に示す、チタン酸バリウム系粉末は、１つの粉
体粒子において、結晶性の低い部分２１の直径比、すな
わち、粉体粒径に対する結晶性の低い部分２１の直径
が、０．５以上となるように設定される。このような直
径比は、たとえば、熱処理時の昇温速度を５℃／分以上
にすることなどによって得ることができる。
【００２３】このように用意されたチタン酸バリウム系
粉末の平均粒径と焼成後の誘電体セラミックの平均粒径
との関係、すなわち、（焼成後の誘電体セラミックの平
均粒径）／（用意されたチタン酸バリウム系粉末の平均
粒径）の比をＲとしたとき、このＲは、０．９０〜１．
２の範囲内にあることが好ましい。言い換えると、セラ
ミック焼結時に顕著な粒成長が生じないようにすること
が好ましく、そのため、チタン酸バリウム系粉末には、
たとえばＭｎおよび／またはＭｇ成分あるいはＳｉを主
成分とする焼結助材などが添加される。これらの添加物
は、一般的には、酸化物粉末あるいは炭酸化物粉末の形
態でチタン酸バリウム系粉末に混合する方法によって添
加される。あるいは、これら添加物成分を含む溶液をチ
タン酸バリウム系粉末の表面に付与し、熱処理するなど
の方法も可能である。
粉末の平均粒径と焼成後の誘電体セラミックの平均粒径
との関係、すなわち、（焼成後の誘電体セラミックの平
均粒径）／（用意されたチタン酸バリウム系粉末の平均
粒径）の比をＲとしたとき、このＲは、０．９０〜１．
２の範囲内にあることが好ましい。言い換えると、セラ
ミック焼結時に顕著な粒成長が生じないようにすること
が好ましく、そのため、チタン酸バリウム系粉末には、
たとえばＭｎおよび／またはＭｇ成分あるいはＳｉを主
成分とする焼結助材などが添加される。これらの添加物
は、一般的には、酸化物粉末あるいは炭酸化物粉末の形
態でチタン酸バリウム系粉末に混合する方法によって添
加される。あるいは、これら添加物成分を含む溶液をチ
タン酸バリウム系粉末の表面に付与し、熱処理するなど
の方法も可能である。
【００２４】このようなチタン酸バリウム系粉末を焼成
することによって誘電体セラミックが得られるが、この
誘電体セラミックは、積層セラミック電子部品、たとえ
ば、図１に示すような積層セラミックコンデンサ１にお
いて用いられる。
することによって誘電体セラミックが得られるが、この
誘電体セラミックは、積層セラミック電子部品、たとえ
ば、図１に示すような積層セラミックコンデンサ１にお
いて用いられる。
【００２５】図１を参照して、積層セラミックコンデン
サ１は、複数の積層された誘電体セラミック層２を有す
る積層体３と、この積層体３の第１および第２の端面４
および５上にそれぞれ設けられる第１および第２の外部
電極６および７とを備える。積層セラミックコンデンサ
１は、全体として直方体形状のチップタイプの電子部品
を構成する。
サ１は、複数の積層された誘電体セラミック層２を有す
る積層体３と、この積層体３の第１および第２の端面４
および５上にそれぞれ設けられる第１および第２の外部
電極６および７とを備える。積層セラミックコンデンサ
１は、全体として直方体形状のチップタイプの電子部品
を構成する。
【００２６】積層体３の内部には、内部導体としての第
１の内部電極８と第２の内部電極９とが交互に配置され
る。第１の内部電極８は、第１の外部電極６に電気的に
接続されるように、各端縁を第１の端面４に露出させた
状態で誘電体セラミック層２間の特定の複数の界面に沿
ってそれぞれ形成され、第２の内部電極９は、第２の外
部電極７に電気的に接続されるように、各端縁を第２の
端面５に露出させた状態で誘電体セラミック層２間の特
定の複数の界面に沿ってそれぞれ形成される。
１の内部電極８と第２の内部電極９とが交互に配置され
る。第１の内部電極８は、第１の外部電極６に電気的に
接続されるように、各端縁を第１の端面４に露出させた
状態で誘電体セラミック層２間の特定の複数の界面に沿
ってそれぞれ形成され、第２の内部電極９は、第２の外
部電極７に電気的に接続されるように、各端縁を第２の
端面５に露出させた状態で誘電体セラミック層２間の特
定の複数の界面に沿ってそれぞれ形成される。
【００２７】このような積層セラミックコンデンサ１に
おいて、その積層体３に備える誘電体セラミック層２
が、前述したような誘電体セラミックから構成される。
おいて、その積層体３に備える誘電体セラミック層２
が、前述したような誘電体セラミックから構成される。
【００２８】この積層セラミックコンデンサ１を製造す
るため、出発原料として、チタン酸バリウムなどの主成
分と特性および焼結性改質などを目的とした添加材とが
用意され、これらは、所定量秤量し湿式混合して混合粉
とされる。
るため、出発原料として、チタン酸バリウムなどの主成
分と特性および焼結性改質などを目的とした添加材とが
用意され、これらは、所定量秤量し湿式混合して混合粉
とされる。
【００２９】次いで、上述の混合粉に有機バインダおよ
び溶媒を添加することによって、スラリーが調製され、
このスラリーを用いて、誘電体セラミック層２となるセ
ラミックグリーンシートが作製される。
び溶媒を添加することによって、スラリーが調製され、
このスラリーを用いて、誘電体セラミック層２となるセ
ラミックグリーンシートが作製される。
【００３０】次いで、特定のセラミックグリーンシート
上に、内部電極８および９となるべき導電性ペースト膜
が形成される。この導電性ペースト膜は、たとえば、ニ
ッケル、銅などの卑金属またはその合金を含み、スクリ
ーン印刷法、蒸着法、めっき法などによって形成され
る。
上に、内部電極８および９となるべき導電性ペースト膜
が形成される。この導電性ペースト膜は、たとえば、ニ
ッケル、銅などの卑金属またはその合金を含み、スクリ
ーン印刷法、蒸着法、めっき法などによって形成され
る。
【００３１】次いで、上述のように導電性ペースト膜を
形成したセラミックグリーンシートを含む複数のセラミ
ックグリーンシートが積層され、プレスされた後、必要
に応じてカットされる。このようにして、複数のセラミ
ックグリーンシート、およびセラミックグリーンシート
間の特定の界面に沿ってそれぞれ形成された複数の内部
電極８および９を積層したものであって、内部電極８お
よび９の各端縁を端面４または５に露出させている、生
の状態の積層体３が作製される。
形成したセラミックグリーンシートを含む複数のセラミ
ックグリーンシートが積層され、プレスされた後、必要
に応じてカットされる。このようにして、複数のセラミ
ックグリーンシート、およびセラミックグリーンシート
間の特定の界面に沿ってそれぞれ形成された複数の内部
電極８および９を積層したものであって、内部電極８お
よび９の各端縁を端面４または５に露出させている、生
の状態の積層体３が作製される。
【００３２】次いで、この積層体３は還元性雰囲気下で
焼成され、チタン酸バリウム系粉末は誘電体セラミック
とされる。このとき、前述した粒径比Ｒは、０．９０≦
Ｒ≦１．２の範囲内にあるように制御される。
焼成され、チタン酸バリウム系粉末は誘電体セラミック
とされる。このとき、前述した粒径比Ｒは、０．９０≦
Ｒ≦１．２の範囲内にあるように制御される。
【００３３】次いで、焼成された積層体３における第１
および第２の内部電極８および９の露出した各端縁にそ
れぞれ電気的に接続されるように、積層体３の第１およ
び第２の端面４および５上に、それぞれ、第１および第
２の外部電極６および７が形成される。
および第２の内部電極８および９の露出した各端縁にそ
れぞれ電気的に接続されるように、積層体３の第１およ
び第２の端面４および５上に、それぞれ、第１および第
２の外部電極６および７が形成される。
【００３４】外部電極６および７の材料組成は、特に限
定されるものではない。具体的には、内部電極８および
９と同じ材料を使用することができる。また、たとえ
ば、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ、Ｃｕ、Ｃｕ合金などの種
々の導電性金属粉末の焼結層、または、上記導電性金属
粉末とＢ2 Ｏ3 −Ｌｉ2 Ｏ−ＳｉＯ2 −ＢａＯ系、Ｂ2
Ｏ3 −ＳｉＯ2 −ＢａＯ系、Ｌｉ2 Ｏ−ＳｉＯ2 −Ｂａ
Ｏ系、Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ 2 −ＺｎＯ系などの種々のガラ
スフリットとを配合した焼結層によって構成されること
ができる。このような外部電極６および７の材料組成
は、積層セラミックコンデンサ１の用途、使用場所など
を考慮して適宜選択される。
定されるものではない。具体的には、内部電極８および
９と同じ材料を使用することができる。また、たとえ
ば、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ、Ｃｕ、Ｃｕ合金などの種
々の導電性金属粉末の焼結層、または、上記導電性金属
粉末とＢ2 Ｏ3 −Ｌｉ2 Ｏ−ＳｉＯ2 −ＢａＯ系、Ｂ2
Ｏ3 −ＳｉＯ2 −ＢａＯ系、Ｌｉ2 Ｏ−ＳｉＯ2 −Ｂａ
Ｏ系、Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ 2 −ＺｎＯ系などの種々のガラ
スフリットとを配合した焼結層によって構成されること
ができる。このような外部電極６および７の材料組成
は、積層セラミックコンデンサ１の用途、使用場所など
を考慮して適宜選択される。
【００３５】なお、外部電極６および７は、前述のよう
に、その材料となる金属粉末ペーストを焼成後の積層体
３上に塗布して焼き付けることによって形成されてもよ
いが、焼成前の積層体３上に塗布して、積層体３の焼成
と同時に焼き付けることによって形成されるようにして
もよい。
に、その材料となる金属粉末ペーストを焼成後の積層体
３上に塗布して焼き付けることによって形成されてもよ
いが、焼成前の積層体３上に塗布して、積層体３の焼成
と同時に焼き付けることによって形成されるようにして
もよい。
【００３６】その後、必要に応じて、外部電極６および
７は、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｎｉ−Ｃｕ合金等からなるめっき層
１０および１１によってそれぞれ被覆される。また、さ
らに、これらめっき層１０および１１上に、半田、錫等
からなる第２のめっき層１２および１３が形成されても
よい。
７は、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｎｉ−Ｃｕ合金等からなるめっき層
１０および１１によってそれぞれ被覆される。また、さ
らに、これらめっき層１０および１１上に、半田、錫等
からなる第２のめっき層１２および１３が形成されても
よい。
【００３７】次に、この発明をより具体的な実施例に基
づき説明する。なお、言うまでもないが、この発明の範
囲内における実施可能な形態は、このような実施例のみ
に限定されるものではない。
づき説明する。なお、言うまでもないが、この発明の範
囲内における実施可能な形態は、このような実施例のみ
に限定されるものではない。
【００３８】
【実施例】この実施例において作製しようとする積層セ
ラミックコンデンサは、図１に示すような構造の積層セ
ラミックコンデンサ１である。
ラミックコンデンサは、図１に示すような構造の積層セ
ラミックコンデンサ１である。
【００３９】まず、以下の表１に示すような組成を有す
るチタン酸バリウム系原料を加水分解法で調製した。な
お、カルシウム含有量が１０ mol％と多いチタン酸バリ
ウム系原料については、加水分解法によって作製したチ
タン酸バリウムと水熱合成法によって作製したチタン酸
カルシウム原料とを混合して調製した（表１のＨおよび
Ｉ参照）。得られた原料粉末は、粒子径が５０〜７０ｎ
ｍであり、ペロブスカイト構造の格子中に多くのＯＨ基
を含む立方晶を示す粉末であった。これを、空気雰囲気
下において種々の熱処理条件で熱処理することによっ
て、表１に示すように、種々の「ｃ／ａ」（ｃ軸／ａ軸
比）、「平均粒径」、「最大粒径」、「ＯＨ基量」、お
よび「直径比」を有するチタン酸バリウム系粉末Ａ〜Ｎ
を得た。これら熱処理によって生成した粉末の凝集は、
熱処理後において、解砕した。
るチタン酸バリウム系原料を加水分解法で調製した。な
お、カルシウム含有量が１０ mol％と多いチタン酸バリ
ウム系原料については、加水分解法によって作製したチ
タン酸バリウムと水熱合成法によって作製したチタン酸
カルシウム原料とを混合して調製した（表１のＨおよび
Ｉ参照）。得られた原料粉末は、粒子径が５０〜７０ｎ
ｍであり、ペロブスカイト構造の格子中に多くのＯＨ基
を含む立方晶を示す粉末であった。これを、空気雰囲気
下において種々の熱処理条件で熱処理することによっ
て、表１に示すように、種々の「ｃ／ａ」（ｃ軸／ａ軸
比）、「平均粒径」、「最大粒径」、「ＯＨ基量」、お
よび「直径比」を有するチタン酸バリウム系粉末Ａ〜Ｎ
を得た。これら熱処理によって生成した粉末の凝集は、
熱処理後において、解砕した。
【００４０】
【表１】
なお、表１に示す「ｃ／ａ」は、チタン酸バリウム系粉
末のＸ線回折を行なうことによって求めた。すなわち、
Ｘ線回折を行ない、その結果をリートベルト解析してＸ
線プロファイルのフィッティングを行なうことによって
精密化して格子定数を求めた。また、「平均粒径」およ
び「最大粒径」は、チタン酸バリウム系粉末を走査型電
子顕微鏡で観察することによって求めた。また、「ＯＨ
基量」は、チタン酸バリウム系粉末の熱重量分析を行な
い、１５０℃以上の温度での減量値から求めた。
末のＸ線回折を行なうことによって求めた。すなわち、
Ｘ線回折を行ない、その結果をリートベルト解析してＸ
線プロファイルのフィッティングを行なうことによって
精密化して格子定数を求めた。また、「平均粒径」およ
び「最大粒径」は、チタン酸バリウム系粉末を走査型電
子顕微鏡で観察することによって求めた。また、「ＯＨ
基量」は、チタン酸バリウム系粉末の熱重量分析を行な
い、１５０℃以上の温度での減量値から求めた。
【００４１】また、表１に示す「直径比」は、結晶性の
低い部分の粉末直径に対する直径比であり、粉末を薄膜
状にカット加工し、透過型電子顕微鏡で観察することに
よって求めた。なお、粉末を薄膜状にカット加工した場
合、粉末のカットする場所によって、粉末粒子径および
粉末内に存在する結晶性の低い部分の直径が異なる。特
に、結晶性の低い部分は、粉末粒子の中心に存在すると
は限らないので、薄膜状の試料を得るためのカットの場
所によって、その大きさが異なって観察されてしまう。
したがって、ここでは、走査型電子顕微鏡で確認された
粒子径に近い粒子径を持った粒子を選びながら、そのよ
うな粒子について観察を行なうとともに、この観察を１
０個以上の粒子について行なうことにより、直径比の平
均を求めるようにした。
低い部分の粉末直径に対する直径比であり、粉末を薄膜
状にカット加工し、透過型電子顕微鏡で観察することに
よって求めた。なお、粉末を薄膜状にカット加工した場
合、粉末のカットする場所によって、粉末粒子径および
粉末内に存在する結晶性の低い部分の直径が異なる。特
に、結晶性の低い部分は、粉末粒子の中心に存在すると
は限らないので、薄膜状の試料を得るためのカットの場
所によって、その大きさが異なって観察されてしまう。
したがって、ここでは、走査型電子顕微鏡で確認された
粒子径に近い粒子径を持った粒子を選びながら、そのよ
うな粒子について観察を行なうとともに、この観察を１
０個以上の粒子について行なうことにより、直径比の平
均を求めるようにした。
【００４２】表１に示す「ＢａＴｉＯ3 系粉末の種類」
において、Ａ〜Ｆは、原料組成の（Ｂａ1-x Ｃａx ）m
ＴｉＯ3 における「ｘ」が「０．００」であるのでＣａ
を含有せず、他方、Ｇ〜Ｊは、「ｘ」が「０．０５」ま
たは「０．１０」であるのでＣａを含有している。
において、Ａ〜Ｆは、原料組成の（Ｂａ1-x Ｃａx ）m
ＴｉＯ3 における「ｘ」が「０．００」であるのでＣａ
を含有せず、他方、Ｇ〜Ｊは、「ｘ」が「０．０５」ま
たは「０．１０」であるのでＣａを含有している。
【００４３】また、表１に示したチタン酸バリウム系粉
末に添加されるべき添加物を、以下の表２または表３に
示すように、用意した。より詳細には、表２に示す試料
１〜１０に対しては、上述した種類Ａ〜Ｆのいずれかで
あるＢａＴｉＯ3 に添加されるべき添加物として、Ｒｅ
（Ｒｅは、Ｇｄ、Ｄｙ、ＨｏおよびＥｒのいずれか）、
ＭｇおよびＭｎ、ならびにＳｉを主成分とする焼結助剤
が用意された。他方、表３に示す試料１１〜１９に対し
ては、上述した種類Ｇ〜Ｊのいずれかである（Ｂａ1-x
Ｃａx ）ＴｉＯ3 に添加されるべき添加物として、Ｍｇ
およびＭｎ、ならびに（Ｓｉ，Ｔｉ）−Ｂａを主成分と
する焼結助剤が用意された。
末に添加されるべき添加物を、以下の表２または表３に
示すように、用意した。より詳細には、表２に示す試料
１〜１０に対しては、上述した種類Ａ〜Ｆのいずれかで
あるＢａＴｉＯ3 に添加されるべき添加物として、Ｒｅ
（Ｒｅは、Ｇｄ、Ｄｙ、ＨｏおよびＥｒのいずれか）、
ＭｇおよびＭｎ、ならびにＳｉを主成分とする焼結助剤
が用意された。他方、表３に示す試料１１〜１９に対し
ては、上述した種類Ｇ〜Ｊのいずれかである（Ｂａ1-x
Ｃａx ）ＴｉＯ3 に添加されるべき添加物として、Ｍｇ
およびＭｎ、ならびに（Ｓｉ，Ｔｉ）−Ｂａを主成分と
する焼結助剤が用意された。
【００４４】
【表２】
【００４５】
【表３】
表２および表３に示した各添加物は、それぞれ、有機溶
媒に可溶なアルコキシド化合物として、有機溶剤中に分
散させたチタン酸バリウム系粉末に添加した。より詳細
には、試料１〜１０においては、表２に示すような「Ｂ
ａＴｉＯ3
媒に可溶なアルコキシド化合物として、有機溶剤中に分
散させたチタン酸バリウム系粉末に添加した。より詳細
には、試料１〜１０においては、表２に示すような「Ｂ
ａＴｉＯ3
【００４６】＋αＲｅ＋βＭｇ＋γＭｎ」におけるモル
部「α」、「β」および「γ」、ならびに「Ｓｉ焼結助
剤」のモル部となるように、各添加物をチタン酸バリウ
ム系粉末に添加した。他方、試料１１〜１９において
は、表３に示すような「（Ｂａ 1-x Ｃａx ）ＴｉＯ3 ＋
βＭｇ＋γＭｎ」におけるモル部「β」および「γ」、
ならびに「（Ｓｉ，Ｔｉ）−Ｂａ焼結助剤」のモル部と
なるように、各添加物をチタン酸バリウム系粉末に添加
した。
部「α」、「β」および「γ」、ならびに「Ｓｉ焼結助
剤」のモル部となるように、各添加物をチタン酸バリウ
ム系粉末に添加した。他方、試料１１〜１９において
は、表３に示すような「（Ｂａ 1-x Ｃａx ）ＴｉＯ3 ＋
βＭｇ＋γＭｎ」におけるモル部「β」および「γ」、
ならびに「（Ｓｉ，Ｔｉ）−Ｂａ焼結助剤」のモル部と
なるように、各添加物をチタン酸バリウム系粉末に添加
した。
【００４７】なお、上述した各添加物を有機溶媒に可溶
な状態とするため、アルコキシドとする他、アセチルア
セトネートまたは金属石鹸のような化合物としてもよ
い。
な状態とするため、アルコキシドとする他、アセチルア
セトネートまたは金属石鹸のような化合物としてもよ
い。
【００４８】得られたスラリーは、有機溶剤を蒸発乾燥
し、さらに熱処理をすることで有機成分を除去した。
し、さらに熱処理をすることで有機成分を除去した。
【００４９】次に、上述のように各添加物が添加された
チタン酸バリウム系粉末の各試料にポリビニルブチラー
ル系バインダおよびエタノール等の有機溶剤を加えて、
ボールミルにより湿式混合し、セラミックスラリーを調
製した。このセラミックスラリーをドクターブレード法
によりシート成形し、厚み１．０μｍの矩形のグリーン
シートを得た。次に、このセラミックグリーンシート上
に、Ｎｉを主体とする導電性ペーストを印刷し、内部電
極を構成するための導電性ペースト膜を形成した。
チタン酸バリウム系粉末の各試料にポリビニルブチラー
ル系バインダおよびエタノール等の有機溶剤を加えて、
ボールミルにより湿式混合し、セラミックスラリーを調
製した。このセラミックスラリーをドクターブレード法
によりシート成形し、厚み１．０μｍの矩形のグリーン
シートを得た。次に、このセラミックグリーンシート上
に、Ｎｉを主体とする導電性ペーストを印刷し、内部電
極を構成するための導電性ペースト膜を形成した。
【００５０】次いで、セラミックグリーンシートを、上
述の導電性ペースト膜の引き出されている側が互い違い
となるように複数枚積層し、積層体を得た。この積層体
を、Ｎ2 雰囲気中にて３５０℃の温度に加熱し、バイン
ダを燃焼させた後、酸素分圧１０-9〜１０-12 ＭＰａの
Ｈ2 −Ｎ2 −Ｈ2 Ｏガスからなる還元性雰囲気中におい
て表４に示す温度で２時間焼成した。
述の導電性ペースト膜の引き出されている側が互い違い
となるように複数枚積層し、積層体を得た。この積層体
を、Ｎ2 雰囲気中にて３５０℃の温度に加熱し、バイン
ダを燃焼させた後、酸素分圧１０-9〜１０-12 ＭＰａの
Ｈ2 −Ｎ2 −Ｈ2 Ｏガスからなる還元性雰囲気中におい
て表４に示す温度で２時間焼成した。
【００５１】焼成後の積層体の両端面にＢ2 Ｏ3 −Ｌｉ
2 Ｏ−ＳｉＯ2 −ＢａＯ系のガラスフリットを含有する
銀ペーストを塗布し、Ｎ2 雰囲気中において６００℃の
温度で焼き付け、内部電極と電気的に接続された外部電
極を形成した。
2 Ｏ−ＳｉＯ2 −ＢａＯ系のガラスフリットを含有する
銀ペーストを塗布し、Ｎ2 雰囲気中において６００℃の
温度で焼き付け、内部電極と電気的に接続された外部電
極を形成した。
【００５２】このようにして得られた積層セラミックコ
ンデンサの外形寸法は、幅が５．０mm、長さが５．７m
m、厚さが２．４mmであり、内部電極間に介在する誘電
体セラミック層の厚みは０．６μｍであった。また、有
効誘電体セラミック層の総数は５であり、１層当たりの
対向電極の面積は１６．３×１０-6ｍ2 であった。
ンデンサの外形寸法は、幅が５．０mm、長さが５．７m
m、厚さが２．４mmであり、内部電極間に介在する誘電
体セラミック層の厚みは０．６μｍであった。また、有
効誘電体セラミック層の総数は５であり、１層当たりの
対向電極の面積は１６．３×１０-6ｍ2 であった。
【００５３】これら得られた試料について電気的特性を
測定した。
測定した。
【００５４】静電容量（Ｃ）および誘電損失（ｔａｎ
δ）は自動ブリッジ式測定器を用い、ＪＩＳ規格５１０
２に従って測定し、得られた静電容量から誘電率（ε）
を算出した。
δ）は自動ブリッジ式測定器を用い、ＪＩＳ規格５１０
２に従って測定し、得られた静電容量から誘電率（ε）
を算出した。
【００５５】また、絶縁抵抗（Ｒ）を測定するために、
絶縁抵抗計を用い、６Ｖの直流電圧を２分間印加して２
５℃での絶縁抵抗（Ｒ）を求め、比抵抗を算出した。
絶縁抵抗計を用い、６Ｖの直流電圧を２分間印加して２
５℃での絶縁抵抗（Ｒ）を求め、比抵抗を算出した。
【００５６】温度変化に対する静電容量の変化率につい
ては、２０℃での静電容量を基準とした−２５℃〜＋８
５℃の範囲での変化率（ΔＣ／Ｃ20）と、２５℃での静
電容量を基準とした−５５℃〜＋１２５℃の範囲での変
化率（ΔＣ／Ｃ25）とを示した。
ては、２０℃での静電容量を基準とした−２５℃〜＋８
５℃の範囲での変化率（ΔＣ／Ｃ20）と、２５℃での静
電容量を基準とした−５５℃〜＋１２５℃の範囲での変
化率（ΔＣ／Ｃ25）とを示した。
【００５７】また、高温負荷試験として、温度１５０℃
にて直流電圧を６Ｖ印加して、その絶縁抵抗の経時変化
を測定した。なお、高温負荷試験は、各試料の絶縁抵抗
値（Ｒ）が１０5 Ω以下になったときを故障とし、平均
寿命時間を評価した。
にて直流電圧を６Ｖ印加して、その絶縁抵抗の経時変化
を測定した。なお、高温負荷試験は、各試料の絶縁抵抗
値（Ｒ）が１０5 Ω以下になったときを故障とし、平均
寿命時間を評価した。
【００５８】さらに、絶縁破壊電圧は、昇圧速度１００
Ｖ／秒でＤＣ電圧をそれぞれ印加し、破壊電圧を測定し
た。
Ｖ／秒でＤＣ電圧をそれぞれ印加し、破壊電圧を測定し
た。
【００５９】また、得られた積層セラミックコンデンサ
に含まれる誘電体セラミックの平均粒径を、積層体の断
面研磨面を化学エッチングし、走査型電子顕微鏡で観察
することによって求め、この結果および前述した表１に
示す出発原料の平均粒径から、（誘電体セラミックの平
均粒径）／（出発原料の粉末の平均粒径）の粒径比Ｒを
求めた。
に含まれる誘電体セラミックの平均粒径を、積層体の断
面研磨面を化学エッチングし、走査型電子顕微鏡で観察
することによって求め、この結果および前述した表１に
示す出発原料の平均粒径から、（誘電体セラミックの平
均粒径）／（出発原料の粉末の平均粒径）の粒径比Ｒを
求めた。
【００６０】以上の各結果が、表４に示されている。
【００６１】
【表４】
この発明に係る誘電体セラミックは、ペロブスカイト構
造のｃ軸／ａ軸比が１．０００以上１．００３未満であ
り、結晶格子中のＯＨ基量が２．０wt％以下のチタン酸
バリウム系粉末を焼成して得られたものであり、好まし
くは、原料としてのチタン酸バリウム系粉末は、最大粒
子径が０．３μｍ以下、平均粒子径が０．０５〜０．１
５μｍであり、また、好ましくは、上述のチタン酸バリ
ウム系粉末は、１つの粉体粒子において、結晶性の低い
部分と結晶性の高い部分とからなり、結晶性の低い部分
の直径が粉体粒径の０．５以上であり、また、（誘電体
セラミックの平均粒径）／（チタン酸バリウム系粉末の
平均粒径）の比Ｒは、０．９０〜１．２の範囲内にあっ
て、セラミック焼結時に顕著な粒成長が生じていないこ
とを特徴としている。
造のｃ軸／ａ軸比が１．０００以上１．００３未満であ
り、結晶格子中のＯＨ基量が２．０wt％以下のチタン酸
バリウム系粉末を焼成して得られたものであり、好まし
くは、原料としてのチタン酸バリウム系粉末は、最大粒
子径が０．３μｍ以下、平均粒子径が０．０５〜０．１
５μｍであり、また、好ましくは、上述のチタン酸バリ
ウム系粉末は、１つの粉体粒子において、結晶性の低い
部分と結晶性の高い部分とからなり、結晶性の低い部分
の直径が粉体粒径の０．５以上であり、また、（誘電体
セラミックの平均粒径）／（チタン酸バリウム系粉末の
平均粒径）の比Ｒは、０．９０〜１．２の範囲内にあっ
て、セラミック焼結時に顕著な粒成長が生じていないこ
とを特徴としている。
【００６２】表４において試料番号に＊を付したもの、
および表１において種類記号に＊を付したものは、この
発明あるいは上述の好ましい範囲から外れたものであ
る。
および表１において種類記号に＊を付したものは、この
発明あるいは上述の好ましい範囲から外れたものであ
る。
【００６３】まず、表１に示す原料粉末Ａ〜Ｆのいずれ
かを用いて得られた、表４に示す試料１〜１０に関し
て、焼成後のセラミックを透過型電子顕微鏡で分析した
ところ、セラミック粒子の粒界近傍には、Ｒｅとしての
Ｇｄ、Ｄｙ、ＨｏまたはＥｒのような希土類元素が拡散
してシェル部を形成し、セラミック粒子の中心部には、
このような希土類元素が拡散していないコア部を形成し
ていること、すなわち個々の粒子内で組成および結晶系
が異なるコアシェル構造を示していることが確認され
た。
かを用いて得られた、表４に示す試料１〜１０に関し
て、焼成後のセラミックを透過型電子顕微鏡で分析した
ところ、セラミック粒子の粒界近傍には、Ｒｅとしての
Ｇｄ、Ｄｙ、ＨｏまたはＥｒのような希土類元素が拡散
してシェル部を形成し、セラミック粒子の中心部には、
このような希土類元素が拡散していないコア部を形成し
ていること、すなわち個々の粒子内で組成および結晶系
が異なるコアシェル構造を示していることが確認され
た。
【００６４】表１に示す原料粉末Ａのように、ＯＨ基量
が２．０wt％を超えたものを用いた場合、表４の試料１
からわかるように、添加成分の反応性が良すぎるため、
焼結したセラミックの粒子径が大きくなり、誘電率の温
度特性が大きく、また、平均寿命時間が短く、好ましく
ない。
が２．０wt％を超えたものを用いた場合、表４の試料１
からわかるように、添加成分の反応性が良すぎるため、
焼結したセラミックの粒子径が大きくなり、誘電率の温
度特性が大きく、また、平均寿命時間が短く、好ましく
ない。
【００６５】表１に示す原料粉末Ｅのように、最大粒径
が０．３μｍを超えたものを用いた場合、表４の試料９
からわかるように、平均寿命時間が短くなることがあ
り、また、この実施例のように誘電体セラミック層の厚
みを１μｍ以下と薄層にした場合には、信頼性が悪くな
ることがある。
が０．３μｍを超えたものを用いた場合、表４の試料９
からわかるように、平均寿命時間が短くなることがあ
り、また、この実施例のように誘電体セラミック層の厚
みを１μｍ以下と薄層にした場合には、信頼性が悪くな
ることがある。
【００６６】表１に示す原料粉末Ｆのように、平均粒径
が０．１５μｍを超え、かつ最大粒径が０．３μｍを超
えたものを用いた場合には、表４の試料１０からわかる
ように、誘電体セラミック層が薄層であるときの信頼性
が悪く、また、３ｋＶ／ｍｍでの静電容量の変化が大き
くなることがある。
が０．１５μｍを超え、かつ最大粒径が０．３μｍを超
えたものを用いた場合には、表４の試料１０からわかる
ように、誘電体セラミック層が薄層であるときの信頼性
が悪く、また、３ｋＶ／ｍｍでの静電容量の変化が大き
くなることがある。
【００６７】なお、表１に示す原料粉末Ｂのように、原
料粉末のｃ軸／ａ軸比が１．０００以上１．００３未
満、ＯＨ基量が２．０wt％以下、最大粒子径が０．３μ
ｍ以下、および平均粒径が０．０５〜０．１５μｍの各
範囲内にあっても、表４の試料２からわかるように、粒
径比Ｒが１．２を超える場合には、誘電率の温度変化が
大きく、また、信頼性も低くなることがある。
料粉末のｃ軸／ａ軸比が１．０００以上１．００３未
満、ＯＨ基量が２．０wt％以下、最大粒子径が０．３μ
ｍ以下、および平均粒径が０．０５〜０．１５μｍの各
範囲内にあっても、表４の試料２からわかるように、粒
径比Ｒが１．２を超える場合には、誘電率の温度変化が
大きく、また、信頼性も低くなることがある。
【００６８】また、同様に表１に示す原料粉末Ｂを用い
た場合において、表４の試料６からわかるように、調合
時の粉砕を進めて焼結体の粒径が原料の粒径に比べて小
さくなるようにして、粒径比Ｒを０．９０未満とした場
合には、誘電率は低く、静電容量の温度特性も悪くなる
ことがある。
た場合において、表４の試料６からわかるように、調合
時の粉砕を進めて焼結体の粒径が原料の粒径に比べて小
さくなるようにして、粒径比Ｒを０．９０未満とした場
合には、誘電率は低く、静電容量の温度特性も悪くなる
ことがある。
【００６９】これらに対して、表４の試料３、４、５、
７および８では、誘電体セラミック層の厚みが０．６μ
ｍと薄いにも関わらず、 温度に対する静電容量の変化率
が−２５℃〜＋８５℃の範囲でＪＩＳ規格に規定するＢ
特性を満足し、−５５℃〜＋１２５℃での範囲内でＥＩ
Ａ規格に規定するＸ７Ｒ特性を満足する。さらに、高温
負荷試験での故障に至る時間は６０時間以上と長く、ま
た、１２００℃以下の温度で焼成可能である。また、直
流電圧印加時の静電容量変化も５％以下と小さく、高い
定格電圧を確保できる。
７および８では、誘電体セラミック層の厚みが０．６μ
ｍと薄いにも関わらず、 温度に対する静電容量の変化率
が−２５℃〜＋８５℃の範囲でＪＩＳ規格に規定するＢ
特性を満足し、−５５℃〜＋１２５℃での範囲内でＥＩ
Ａ規格に規定するＸ７Ｒ特性を満足する。さらに、高温
負荷試験での故障に至る時間は６０時間以上と長く、ま
た、１２００℃以下の温度で焼成可能である。また、直
流電圧印加時の静電容量変化も５％以下と小さく、高い
定格電圧を確保できる。
【００７０】次に、表１に示す原料粉末Ｇ〜Ｊのいずれ
かを用いて得られた、表４に示す試料１１〜１９に関し
て、焼成後のセラミックを透過型電子顕微鏡で分析した
ところ、試料１〜１７のような個々のセラミック粒子内
での組成および結晶系の不均一が認められず、一様な組
成および結晶系を示していることが確認された。
かを用いて得られた、表４に示す試料１１〜１９に関し
て、焼成後のセラミックを透過型電子顕微鏡で分析した
ところ、試料１〜１７のような個々のセラミック粒子内
での組成および結晶系の不均一が認められず、一様な組
成および結晶系を示していることが確認された。
【００７１】表１に示す原料粉末ＧおよびＨは、原料粉
末のｃ軸／ａ軸比が１．０００以上１．００３未満、Ｏ
Ｈ基量が２．０wt％以下、最大粒子径が０．３μｍ以
下、および平均粒径が０．０５〜０．１５μｍの各範囲
内にあるものであるが、これら原料粉末ＧおよびＨのい
ずれかを用いた表４の試料１１および１３からわかるよ
うに、焼結体での粒子径が大きくなり、粒径比Ｒが１．
２を超える場合には、信頼性が低く、また、３ｋＶ／ｍ
ｍでの静電容量の変化も大きくなることがある。
末のｃ軸／ａ軸比が１．０００以上１．００３未満、Ｏ
Ｈ基量が２．０wt％以下、最大粒子径が０．３μｍ以
下、および平均粒径が０．０５〜０．１５μｍの各範囲
内にあるものであるが、これら原料粉末ＧおよびＨのい
ずれかを用いた表４の試料１１および１３からわかるよ
うに、焼結体での粒子径が大きくなり、粒径比Ｒが１．
２を超える場合には、信頼性が低く、また、３ｋＶ／ｍ
ｍでの静電容量の変化も大きくなることがある。
【００７２】また、同様に表１に示す原料粉末Ｈを用い
た場合において、表４の試料１６からわかるように、調
合時の粉砕を進めて焼結体の粒径が原料の粒径に比べて
小さくなるようにして、粒径比Ｒを０．９０未満とした
場合には、静電容量の温度変化が大きく、また、比誘電
率も小さくなることがある。
た場合において、表４の試料１６からわかるように、調
合時の粉砕を進めて焼結体の粒径が原料の粒径に比べて
小さくなるようにして、粒径比Ｒを０．９０未満とした
場合には、静電容量の温度変化が大きく、また、比誘電
率も小さくなることがある。
【００７３】表１に示す原料粉末Ｉのように、平均粒径
が０．１５μｍを超え、かつ最大粒径が０．３μｍを超
えたものを用いた場合には、表４の試料１７からわかる
ように、粒径比Ｒが０．９０〜１．２の範囲内にあって
も、信頼性は低くなることがある。
が０．１５μｍを超え、かつ最大粒径が０．３μｍを超
えたものを用いた場合には、表４の試料１７からわかる
ように、粒径比Ｒが０．９０〜１．２の範囲内にあって
も、信頼性は低くなることがある。
【００７４】また、同様に表１に示す原料粉末Ｉを用い
た場合において、表４の試料１８からわかるように、調
合時の粉砕を進めて焼結体の粒径が原料の粒径に比べて
小さくなるようにして、粒径比Ｒを０．９０未満とした
場合には、静電容量の温度変化が大きく、また、比誘電
率も小さくなることがある。
た場合において、表４の試料１８からわかるように、調
合時の粉砕を進めて焼結体の粒径が原料の粒径に比べて
小さくなるようにして、粒径比Ｒを０．９０未満とした
場合には、静電容量の温度変化が大きく、また、比誘電
率も小さくなることがある。
【００７５】また、チタン酸バリウム系粉末の１つの粉
体粒子において、結晶性の低い部分の直径比が粉体粒径
の０．５以上である、表１に示す原料粉末Ｊを用いた場
合、結晶性の高い部分が多いことにより、表４の試料１
９からわかるように、誘電性が強くなり、３ｋＶ／ｍｍ
での静電容量の変化が大きくなることがある。
体粒子において、結晶性の低い部分の直径比が粉体粒径
の０．５以上である、表１に示す原料粉末Ｊを用いた場
合、結晶性の高い部分が多いことにより、表４の試料１
９からわかるように、誘電性が強くなり、３ｋＶ／ｍｍ
での静電容量の変化が大きくなることがある。
【００７６】これらに対して、表４の試料１２、１４お
よび１５では、誘電体セラミック層の厚みが０．６μｍ
と薄いにも関わらず、 温度に対する静電容量の変化率が
−２５℃〜＋８５℃の範囲でＪＩＳ規格に規定するＢ特
性を満足し、−５５℃〜＋１２５℃での範囲内でＥＩＡ
規格に規定するＸ７Ｒ特性を満足する。さらに、高温負
荷試験での故障に至る時間は６０時間以上と長く、ま
た、１２００℃以下の温度で焼成可能である。また、直
流電圧印加時の静電容量変化も５％以下と小さく、高い
定格電圧を確保できる。
よび１５では、誘電体セラミック層の厚みが０．６μｍ
と薄いにも関わらず、 温度に対する静電容量の変化率が
−２５℃〜＋８５℃の範囲でＪＩＳ規格に規定するＢ特
性を満足し、−５５℃〜＋１２５℃での範囲内でＥＩＡ
規格に規定するＸ７Ｒ特性を満足する。さらに、高温負
荷試験での故障に至る時間は６０時間以上と長く、ま
た、１２００℃以下の温度で焼成可能である。また、直
流電圧印加時の静電容量変化も５％以下と小さく、高い
定格電圧を確保できる。
【００７７】このように、誘電体セラミックの複数の粒
子が個々の粒子内で一様な組成および結晶系を示すも
の、すなわちコアシェル構造でないものであっても、焼
結時の粒成長を制御することにより、たとえば試料１
２、１４および１５のように、誘電率の温度特性が優
れ、かつ信頼性も高い誘電体セラミックを得ることがで
きる。
子が個々の粒子内で一様な組成および結晶系を示すも
の、すなわちコアシェル構造でないものであっても、焼
結時の粒成長を制御することにより、たとえば試料１
２、１４および１５のように、誘電率の温度特性が優
れ、かつ信頼性も高い誘電体セラミックを得ることがで
きる。
【００７８】なお、上記実施例は、積層セラミック電子
部品が積層セラミックコンデンサである場合についての
ものであったが、製造方法がほとんど同じである多層セ
ラミック基板などの他の積層セラミック電子部品の場合
においても、同様の結果が得られることが確認されてい
る。
部品が積層セラミックコンデンサである場合についての
ものであったが、製造方法がほとんど同じである多層セ
ラミック基板などの他の積層セラミック電子部品の場合
においても、同様の結果が得られることが確認されてい
る。
【００７９】
【発明の効果】この発明に係る誘電体セラミックによれ
ば、湿式合成法で合成しかつ熱処理して得られた原料と
なるチタン酸バリウム系粉末において、ペロブスカイト
構造のｃ軸／ａ軸比および結晶格子中のＯＨ基量、より
好ましくは、さらに、最大粒子径、平均粒子径、結晶性
に基づく粉体粒子の構造、および焼成時の粒子成長を制
御することにより、チタン酸バリウム系材料の強誘電性
が抑制され、高い電界強度下で使用しても、誘電率の温
度特性が良く、また、静電容量の変化率が小さい、信頼
性の高い誘電体材料とすることができる。
ば、湿式合成法で合成しかつ熱処理して得られた原料と
なるチタン酸バリウム系粉末において、ペロブスカイト
構造のｃ軸／ａ軸比および結晶格子中のＯＨ基量、より
好ましくは、さらに、最大粒子径、平均粒子径、結晶性
に基づく粉体粒子の構造、および焼成時の粒子成長を制
御することにより、チタン酸バリウム系材料の強誘電性
が抑制され、高い電界強度下で使用しても、誘電率の温
度特性が良く、また、静電容量の変化率が小さい、信頼
性の高い誘電体材料とすることができる。
【００８０】したがって、この誘電体セラミックを用い
ると、誘電率の温度特性が良く、また、静電容量の変化
率が小さく、信頼性が高い、高性能の積層セラミック電
子部品を得ることができる。特に、積層セラミックコン
デンサのように、複数の誘電体セラミック層と複数の内
部電極とを積層した構造の積層体を備える積層セラミッ
ク電子部品に適用されたときには、セラミック層の厚み
が１μｍ以下といった薄層の場合においても、誘電率の
温度特性を安定させることができるので、積層セラミッ
ク電子部品の小型化および薄型化に有利である。
ると、誘電率の温度特性が良く、また、静電容量の変化
率が小さく、信頼性が高い、高性能の積層セラミック電
子部品を得ることができる。特に、積層セラミックコン
デンサのように、複数の誘電体セラミック層と複数の内
部電極とを積層した構造の積層体を備える積層セラミッ
ク電子部品に適用されたときには、セラミック層の厚み
が１μｍ以下といった薄層の場合においても、誘電率の
温度特性を安定させることができるので、積層セラミッ
ク電子部品の小型化および薄型化に有利である。
【００８１】また、この誘電体セラミックは、これを得
るため、還元性雰囲気中で焼成されても、還元されない
ので、この誘電体セラミックを用いて、この発明に係る
積層セラミック電子部品を構成すると、内部導体材料と
して卑金属であるニッケルおよびニッケル合金を用いる
ことができるようになり、積層セラミックコンデンサの
ような積層セラミック電子部品のコストダウンを図るこ
とができる。
るため、還元性雰囲気中で焼成されても、還元されない
ので、この誘電体セラミックを用いて、この発明に係る
積層セラミック電子部品を構成すると、内部導体材料と
して卑金属であるニッケルおよびニッケル合金を用いる
ことができるようになり、積層セラミックコンデンサの
ような積層セラミック電子部品のコストダウンを図るこ
とができる。
【００８２】この発明に係る誘電体セラミックによれ
ば、コアシェル構造であるか否かに関わりなく、誘電率
の温度特性および信頼性を良好なものとすることができ
る。したがって、コアシェル構造に頼らない場合には、
温度特性や信頼性が添加成分の拡散状態に影響されない
ため、焼成条件による特性の変動を少なくすることがで
きる。
ば、コアシェル構造であるか否かに関わりなく、誘電率
の温度特性および信頼性を良好なものとすることができ
る。したがって、コアシェル構造に頼らない場合には、
温度特性や信頼性が添加成分の拡散状態に影響されない
ため、焼成条件による特性の変動を少なくすることがで
きる。
【図１】この発明の一実施形態による積層セラミックコ
ンデンサ１を示す断面図である。
ンデンサ１を示す断面図である。
【図２】この発明に係る誘電体セラミックを得るために
用意されるチタン酸バリウム系粉末を撮影した透過型電
子顕微鏡写真である。
用意されるチタン酸バリウム系粉末を撮影した透過型電
子顕微鏡写真である。
【図３】図２に示した電子顕微鏡写真の説明図である。
１ 積層セラミックコンデンサ
２ 誘電体セラミック層
３ 積層体
４ 第１の端面
５ 第２の端面
６ 第１の外部電極
７ 第２の外部電極
８ 第１の内部電極（内部導体）
９ 第２の内部電極（内部導体）
２１ 結晶性の低い部分
２３ 結晶性の高い部分
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 浜地 幸生
京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株
式会社村田製作所内
(56)参考文献 特開 平４−349168（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01G 4/12
Claims (30)
- 【請求項１】 ペロブスカイト構造のｃ軸／ａ軸比が
１．０００以上１．００３未満であり、結晶格子中のＯ
Ｈ基量が２．０wt％以下（０wt％は含まず。）の、湿式
合成法で合成しかつ熱処理して得られたチタン酸バリウ
ム系粉末を焼成して得られた、誘電体セラミック。 - 【請求項２】 前記チタン酸バリウム系粉末は、最大粒
子径が０．３μｍ以下、平均粒子径が０．０５〜０．１
５μｍである、請求項１に記載の誘電体セラミック。 - 【請求項３】 前記チタン酸バリウム系粉末は、１つの
粉体粒子において、結晶性の低い部分と結晶性の高い部
分とからなり、前記結晶性の低い部分の直径が粉体粒径
の０．５以上である、請求項１または２に記載の誘電体
セラミック。 - 【請求項４】 （当該誘電体セラミックの平均粒径）／
（前記チタン酸バリウム系粉末の平均粒径）の比をＲと
したとき、Ｒは０．９０〜１．２の範囲内にある、請求
項１ないし３のいずれかに記載の誘電体セラミック。 - 【請求項５】 当該誘電体セラミックの複数の粒子は、
個々の粒子内で組成および結晶系が異なるコアシェル構
造を示している、請求項１ないし４のいずれかに記載の
誘電体セラミック。 - 【請求項６】 当該誘電体セラミックの複数の粒子は、
個々の粒子内で一様な組成および結晶系を示している、
請求項１ないし４のいずれかに記載の誘電体セラミッ
ク。 - 【請求項７】 ペロブスカイト構造のｃ軸／ａ軸比が
１．０００以上１．００３未満であり、結晶格子中のＯ
Ｈ基量が２．０wt％以下（０wt％は含まず。）の、湿式
合成法で合成しかつ熱処理して得られたチタン酸バリウ
ム系粉末を用意する工程と、 前記チタン酸バリウム系粉末を焼成する工程とを備え
る、誘電体セラミックの製造方法。 - 【請求項８】 前記チタン酸バリウム系粉末を用意する
工程において、最大粒子径が０．３μｍ以下、平均粒子
径が０．０５〜０．１５μｍであるチタン酸バリウム系
粉末が用意される、請求項７に記載の誘電体セラミック
の製造方法。 - 【請求項９】 前記チタン酸バリウム系粉末を用意する
工程において、１つの粉体粒子において、結晶性の低い
部分と結晶性の高い部分とからなり、前記結晶性の低い
部分の直径が粉体粒径の０．５以上である、チタン酸バ
リウム系粉末が用意される、請求項７または８に記載の
誘電体セラミックの製造方法。 - 【請求項１０】 （焼成後の前記誘電体セラミックの平
均粒径）／（用意される前記チタン酸バリウム系粉末の
平均粒径）の比をＲとしたとき、前記焼成する工程にお
いて、Ｒは０．９０〜１．２の範囲内にあるように制御
される、請求項７ないし９のいずれかに記載の誘電体セ
ラミックの製造方法。 - 【請求項１１】 焼成後の前記誘電体セラミックの複数
の粒子は、個々の粒子内で組成および結晶系が異なるコ
アシェル構造を示すようにされる、請求項７ないし１０
のいずれかに記載の誘電体セラミックの製造方法。 - 【請求項１２】 焼成後の前記誘電体セラミックの複数
の粒子は、個々の粒子内で一様な組成および結晶系を示
すようにされる、請求項７ないし１０のいずれかに記載
の誘電体セラミックの製造方法。 - 【請求項１３】 複数の積層された誘電体セラミック層
と、前記誘電体セラミック層間の特定の界面に沿って形
成された内部導体とを含む、積層体を備える、積層セラ
ミック電子部品であって、 前記誘電体セラミック層が、ペロブスカイト構造のｃ軸
／ａ軸比が１．０００以上１．００３未満であり、結晶
格子中のＯＨ基量が２．０wt％以下（０wt％は含ま
ず。）の、湿式合成法で合成しかつ熱処理して得られた
チタン酸バリウム系粉末を焼成して得られた、誘電体セ
ラミックからなる、積層セラミック電子部品。 - 【請求項１４】 前記チタン酸バリウム系粉末は、最大
粒子径が０．３μｍ以下、平均粒子径が０．０５〜０．
１５μｍである、請求項１３に記載の積層セラミック電
子部品。 - 【請求項１５】 前記チタン酸バリウム系粉末は、１つ
の粉体粒子において、結晶性の低い部分と結晶性の高い
部分とからなり、前記結晶性の低い部分の直径が粉体粒
径の０．５以上である、請求項１３または１４に記載の
誘電体セラミック。 - 【請求項１６】 （前記誘電体セラミックの平均粒径）
／（前記チタン酸バリウム系粉末の平均粒径）の比をＲ
としたとき、Ｒは０．９０〜１．２の範囲内にある、請
求項１３ないし１５のいずれかに記載の積層セラミック
電子部品。 - 【請求項１７】 前記誘電体セラミックの複数の粒子
は、個々の粒子内で組成および結晶系が異なるコアシェ
ル構造を示している、請求項１３ないし１６のいずれか
に記載の積層セラミック電子部品。 - 【請求項１８】 前記誘電体セラミックの複数の粒子
は、個々の粒子内で一様な組成および結晶系を示してい
る、請求項１３ないし１６のいずれかに記載の積層セラ
ミック電子部品。 - 【請求項１９】 前記内部導体は、卑金属を含む、請求
項１３ないし１８のいずれかに記載の積層セラミック電
子部品。 - 【請求項２０】 前記内部導体は、ニッケルまたはニッ
ケル合金を含む、請求項１９に記載の積層セラミック電
子部品。 - 【請求項２１】 前記積層体の端面上の互いに異なる位
置に設けられる複数の外部電極をさらに備え、複数の前
記内部導体は、いずれかの前記外部電極に電気的に接続
されるように、それぞれの端縁を前記端面に露出させた
状態でそれぞれ形成されている、請求項１３ないし２０
のいずれかに記載の積層セラミック電子部品。 - 【請求項２２】 ペロブスカイト構造のｃ軸／ａ軸比が
１．０００以上１．００３未満であり、結晶格子中のＯ
Ｈ基量が２．０wt％以下（０wt％は含まず。）の、湿式
合成法で合成しかつ熱処理して得られたチタン酸バリウ
ム系粉末を用意する工程と、 前記チタン酸バリウム系粉末を含む複数のセラミックグ
リーンシートと、前記セラミックグリーンシート間の特
定の界面に沿って形成された内部導体とを積層した、積
層体を作製する工程と、 前記チタン酸バリウム系粉末を焼結させて誘電体セラミ
ックとするように、前記積層体を焼成する工程とを備え
る、積層セラミック電子部品の製造方法。 - 【請求項２３】 前記チタン酸バリウム系粉末を用意す
る工程において、最大粒子径が０．３μｍ以下、平均粒
子径が０．０５〜０．１５μｍであるチタン酸バリウム
系粉末が用意される、請求項２２に記載の積層セラミッ
ク電子部品の製造方法。 - 【請求項２４】 前記チタン酸バリウム系粉末を用意す
る工程において、１つの粉体粒子において、結晶性の低
い部分と結晶性の高い部分とからなり、前記結晶性の低
い部分の直径が粉体粒径の０．５以上である、チタン酸
バリウム系粉末が用意される、請求項２２または２３に
記載の積層セラミック電子部品の製造方法。 - 【請求項２５】 （焼成後の前記誘電体セラミックの平
均粒径）／（用意される前記チタン酸バリウム系粉末の
平均粒径）の比をＲとしたとき、前記焼成する工程にお
いて、Ｒは０．９０〜１．２の範囲内にあるように制御
される、請求項２２ないし２４のいずれかに記載の積層
セラミック電子部品の製造方法。 - 【請求項２６】 焼成後の前記誘電体セラミックの複数
の粒子は、個々の粒子内で組成および結晶系が異なるコ
アシェル構造を示すようにされる、請求項２２ないし２
５のいずれかに記載の積層セラミック電子部品の製造方
法。 - 【請求項２７】 焼成後の前記誘電体セラミックの複数
の粒子は、個々の粒子内で一様な組成および結晶系を示
すようにされる、請求項２２ないし２５のいずれかに記
載の積層セラミック電子部品の製造方法。 - 【請求項２８】 前記内部導体は、卑金属を含む、請求
項２２ないし２７のいずれかに記載の積層セラミック電
子部品の製造方法。 - 【請求項２９】 前記内部導体は、ニッケルまたはニッ
ケル合金を含む、請求項２８に記載の積層セラミック電
子部品の製造方法。 - 【請求項３０】 前記積層体を作製する工程は、それぞ
れの端縁を前記積層体の端面に露出させた状態で、複数
の前記内部導体を前記セラミックグリーンシート間の特
定の界面に沿ってそれぞれ形成する工程を備え、さら
に、各前記内部導体の露出した前記端縁にそれぞれ電気
的に接続されるように前記積層体の前記端面上に複数の
外部電極を形成する工程を備える、請求項２２ないし２
９のいずれかに記載の積層セラミック電子部品の製造方
法。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23673598A JP3391268B2 (ja) | 1998-01-20 | 1998-08-24 | 誘電体セラミックおよびその製造方法、ならびに、積層セラミック電子部品およびその製造方法 |
| TW088100658A TW419685B (en) | 1998-01-20 | 1999-01-16 | Dielectric ceramic, method for producing the same, laminated ceramic electronic element, and method for producing the same |
| KR1019990001480A KR100278416B1 (ko) | 1998-01-20 | 1999-01-19 | 유전체 세라믹과 그 제조방법, 및 적층 세라믹 전자부품과 그 제조방법 |
| DE19964160A DE19964160B4 (de) | 1998-01-20 | 1999-01-20 | Laminiertes keramisches Elektronikelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
| US09/234,356 US6303529B1 (en) | 1998-01-20 | 1999-01-20 | Dielectric ceramic, method for producing the same, laminated ceramic electronic element, and method for producing the same |
| DE1999102153 DE19902153B4 (de) | 1998-01-20 | 1999-01-20 | Verfahren und Bariumtitanat-Pulver zur Herstellung von dielektrischer Keramik |
| NL1011084A NL1011084C2 (nl) | 1998-01-20 | 1999-01-20 | Diëlectrische keramiek, werkwijze voor het vervaardigen ervan, gelamineerd keramisch electronisch element, en werkwijze voor het vervaardigen ervan. |
| US09/935,611 US6383323B1 (en) | 1998-01-20 | 2001-08-23 | Dielectric ceramic, method for producing the same, laminated ceramic electronic element, and method for producing the same |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10-8419 | 1998-01-20 | ||
| JP841998 | 1998-01-20 | ||
| JP23673598A JP3391268B2 (ja) | 1998-01-20 | 1998-08-24 | 誘電体セラミックおよびその製造方法、ならびに、積層セラミック電子部品およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11273985A JPH11273985A (ja) | 1999-10-08 |
| JP3391268B2 true JP3391268B2 (ja) | 2003-03-31 |
Family
ID=26342932
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23673598A Ceased JP3391268B2 (ja) | 1998-01-20 | 1998-08-24 | 誘電体セラミックおよびその製造方法、ならびに、積層セラミック電子部品およびその製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6303529B1 (ja) |
| JP (1) | JP3391268B2 (ja) |
| KR (1) | KR100278416B1 (ja) |
| NL (1) | NL1011084C2 (ja) |
| TW (1) | TW419685B (ja) |
Families Citing this family (34)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3391268B2 (ja) * | 1998-01-20 | 2003-03-31 | 株式会社村田製作所 | 誘電体セラミックおよびその製造方法、ならびに、積層セラミック電子部品およびその製造方法 |
| CN1178240C (zh) * | 2000-02-03 | 2004-12-01 | 太阳诱电株式会社 | 叠层陶瓷电容器及其制造方法 |
| JP2001240466A (ja) * | 2000-02-28 | 2001-09-04 | Taiyo Yuden Co Ltd | 誘電体磁器と積層セラミック電子部品 |
| JP4627876B2 (ja) * | 2000-12-27 | 2011-02-09 | 京セラ株式会社 | 誘電体磁器および積層型電子部品 |
| JP4660935B2 (ja) * | 2001-02-05 | 2011-03-30 | 株式会社村田製作所 | 正方晶ペロブスカイト構造を有するチタン酸バリウム系セラミック粉末の製造方法 |
| JP4652595B2 (ja) * | 2001-03-21 | 2011-03-16 | 京セラ株式会社 | 温度特性に優れた誘電体磁器 |
| JP3987692B2 (ja) * | 2001-06-12 | 2007-10-10 | 太陽誘電株式会社 | 誘電体磁器組成物及び磁器コンデンサ |
| JP3804474B2 (ja) * | 2001-06-22 | 2006-08-02 | 株式会社村田製作所 | セラミック原料粉末の製造方法 |
| TW569254B (en) * | 2001-11-14 | 2004-01-01 | Taiyo Yuden Kk | Ceramic capacitor and its manufacturing method |
| JP3858717B2 (ja) * | 2002-02-13 | 2006-12-20 | 松下電器産業株式会社 | セラミックコンデンサとその製造方法 |
| JP4080799B2 (ja) * | 2002-06-28 | 2008-04-23 | 三井金属鉱業株式会社 | 金属材表面への誘電体フィラー含有ポリイミド被膜の形成方法並びにプリント配線板用のキャパシタ層形成用の銅張積層板の製造方法及びその製造方法で得られた銅張積層板 |
| US6977806B1 (en) * | 2003-02-26 | 2005-12-20 | Tdk Corporation | Multi-layered unit including electrode and dielectric layer |
| US6788522B1 (en) * | 2003-02-26 | 2004-09-07 | Tdk Corporation | Multi-layered unit including electrode and dielectric layer |
| KR20050100700A (ko) * | 2003-02-27 | 2005-10-19 | 티디케이가부시기가이샤 | 박막용량소자 및 그것을 포함한 전자회로 및 전자기기 |
| JP4182007B2 (ja) * | 2004-01-30 | 2008-11-19 | Ｔｄｋ株式会社 | 積層セラミックコンデンサ |
| JP4073416B2 (ja) | 2004-03-31 | 2008-04-09 | Ｔｄｋ株式会社 | 積層セラミックコンデンサ |
| JP2005294314A (ja) | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Tdk Corp | 積層セラミックコンデンサ |
| US20050253510A1 (en) * | 2004-05-11 | 2005-11-17 | Shogo Nasu | Light-emitting device and display device |
| US20060169389A1 (en) * | 2005-01-31 | 2006-08-03 | Barber Daniel E | Electrode paste for thin nickel electrodes in multilayer ceramic capacitors and finished capacitor containing same |
| JP2006248802A (ja) * | 2005-03-08 | 2006-09-21 | Kyocera Corp | 複合酸化物粉末の製法および複合酸化物粉末、並びに複合酸化物セラミックス |
| JP4782552B2 (ja) * | 2005-11-28 | 2011-09-28 | 京セラ株式会社 | 誘電体磁器 |
| JP2008078593A (ja) * | 2006-09-20 | 2008-04-03 | Taiyo Yuden Co Ltd | 積層セラミックコンデンサ及びその製造方法 |
| JP2008084914A (ja) * | 2006-09-26 | 2008-04-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 積層コンデンサ |
| JP5078307B2 (ja) * | 2006-09-27 | 2012-11-21 | 京セラ株式会社 | 誘電体磁器およびその製法、ならびにコンデンサ |
| JP2008162817A (ja) | 2006-12-27 | 2008-07-17 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 誘電体セラミックス材料及びその製造方法並びにセラミックコンデンサ |
| CN101970373A (zh) * | 2008-02-05 | 2011-02-09 | 株式会社村田制作所 | 介电陶瓷及层叠陶瓷电容器 |
| EP2445844B1 (en) | 2009-06-25 | 2018-10-31 | Eestor, Inc. | Fused quartz horizontal furnace and assembly |
| JP5445412B2 (ja) * | 2010-09-17 | 2014-03-19 | 株式会社村田製作所 | 複合酸化物粉末の製造方法 |
| KR101541505B1 (ko) | 2010-12-06 | 2015-08-03 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 적층 세라믹 전자부품 |
| JP5903989B2 (ja) * | 2012-03-30 | 2016-04-13 | Tdk株式会社 | 誘電体磁器組成物および積層セラミックコンデンサ |
| JP2013258230A (ja) * | 2012-06-12 | 2013-12-26 | Murata Mfg Co Ltd | セラミック電子部品 |
| KR20140020473A (ko) * | 2012-08-08 | 2014-02-19 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 전자부품 및 이의 제조방법 |
| JP7221718B2 (ja) * | 2019-02-13 | 2023-02-14 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサ及びその製造方法 |
| KR20200137820A (ko) | 2019-05-31 | 2020-12-09 | 삼성전기주식회사 | 유전체 자기 조성물 및 이를 포함하는 적층 세라믹 전자부품 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2193713B (en) * | 1986-07-14 | 1990-12-05 | Cabot Corp | Method of producing perovskite-type compounds. |
| US5445806A (en) * | 1989-08-21 | 1995-08-29 | Tayca Corporation | Process for preparing fine powder of perovskite-type compound |
| JP3183675B2 (ja) * | 1991-05-27 | 2001-07-09 | ティーディーケイ株式会社 | セラミック誘電体材料、積層セラミックコンデンサおよび積層セラミックコンデンサの経時劣化防止方法 |
| JP3180690B2 (ja) * | 1996-07-19 | 2001-06-25 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
| DE19737324A1 (de) * | 1997-08-28 | 1999-03-04 | Philips Patentverwaltung | Vielschichtkondensator mit silber- und seltenerdmetalldotiertem Bariumtitanat |
| JP3391269B2 (ja) * | 1998-01-20 | 2003-03-31 | 株式会社村田製作所 | 誘電体セラミックおよびその製造方法、ならびに、積層セラミック電子部品およびその製造方法 |
| JP3391268B2 (ja) * | 1998-01-20 | 2003-03-31 | 株式会社村田製作所 | 誘電体セラミックおよびその製造方法、ならびに、積層セラミック電子部品およびその製造方法 |
| JP2000327414A (ja) * | 1999-05-24 | 2000-11-28 | Murata Mfg Co Ltd | 耐還元性誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ |
| JP3780851B2 (ja) * | 2000-03-02 | 2006-05-31 | 株式会社村田製作所 | チタン酸バリウムおよびその製造方法ならびに誘電体セラミックおよびセラミック電子部品 |
-
1998
- 1998-08-24 JP JP23673598A patent/JP3391268B2/ja not_active Ceased
-
1999
- 1999-01-16 TW TW088100658A patent/TW419685B/zh not_active IP Right Cessation
- 1999-01-19 KR KR1019990001480A patent/KR100278416B1/ko active IP Right Grant
- 1999-01-20 NL NL1011084A patent/NL1011084C2/nl not_active IP Right Cessation
- 1999-01-20 US US09/234,356 patent/US6303529B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-08-23 US US09/935,611 patent/US6383323B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11273985A (ja) | 1999-10-08 |
| US6303529B1 (en) | 2001-10-16 |
| NL1011084C2 (nl) | 1999-07-21 |
| KR100278416B1 (ko) | 2001-01-15 |
| US6383323B1 (en) | 2002-05-07 |
| US20020020483A1 (en) | 2002-02-21 |
| KR19990067988A (ko) | 1999-08-25 |
| TW419685B (en) | 2001-01-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3391268B2 (ja) | 誘電体セラミックおよびその製造方法、ならびに、積層セラミック電子部品およびその製造方法 | |
| JP3391269B2 (ja) | 誘電体セラミックおよびその製造方法、ならびに、積層セラミック電子部品およびその製造方法 | |
| EP0992469B1 (en) | Dielectric ceramic composition and monolithic ceramic capacitor | |
| EP1662522B1 (en) | Dielectric ceramic composition with Core-Shell particles and electronic device | |
| CN109390152B (zh) | 层叠陶瓷电容器及层叠陶瓷电容器的制造方法 | |
| EP0794542B1 (en) | Dielectric ceramic and monolithic ceramic electronic part using the same | |
| JP3282520B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JP5077362B2 (ja) | 誘電体セラミック及び積層セラミックコンデンサ | |
| KR20040078565A (ko) | 유전체 세라믹 및 그 제조방법, 적층 세라믹 콘덴서 | |
| JP7186014B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 | |
| US6829137B2 (en) | Dielectric ceramic and monolithic ceramic capacitor including same | |
| JP2000143341A (ja) | 誘電体セラミック組成物及び積層セラミック部品 | |
| JP3146967B2 (ja) | 非還元性誘電体セラミック及びそれを用いた積層セラミック電子部品 | |
| JP2007063040A (ja) | 誘電体磁器組成物の製造方法、および電子部品 | |
| KR20190121143A (ko) | 적층 세라믹 커패시터 | |
| JP3882054B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JP3603607B2 (ja) | 誘電体セラミック、積層セラミックコンデンサおよび積層セラミックコンデンサの製造方法 | |
| JP3367479B2 (ja) | 誘電体セラミックおよび積層セラミック電子部品 | |
| KR102222606B1 (ko) | 유전체 조성물 및 이를 포함하는 적층 세라믹 커패시터 | |
| JP3945033B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサの製造方法 | |
| JP2005187296A (ja) | 誘電体セラミック組成物及び積層セラミックコンデンサ | |
| JP3130214B2 (ja) | 積層型セラミックチップコンデンサ | |
| US6479419B2 (en) | Electronic device, dielectric ceramic composition, and method for producing same | |
| JP3146966B2 (ja) | 非還元性誘電体セラミック及びそれを用いた積層セラミック電子部品 | |
| JP2001080959A (ja) | 誘電体セラミック組成物及び積層セラミック部品 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RVOP | Cancellation by post-grant opposition |