JP3367479B2 - 誘電体セラミックおよび積層セラミック電子部品 - Google Patents

誘電体セラミックおよび積層セラミック電子部品

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JP3367479B2
JP3367479B2 JP23239399A JP23239399A JP3367479B2 JP 3367479 B2 JP3367479 B2 JP 3367479B2 JP 23239399 A JP23239399 A JP 23239399A JP 23239399 A JP23239399 A JP 23239399A JP 3367479 B2 JP3367479 B2 JP 3367479B2
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博之 和田
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    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
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    • H01G4/002Details
    • H01G4/018Dielectrics
    • H01G4/06Solid dielectrics
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    • H01G4/12Ceramic dielectrics
    • H01G4/1209Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
    • H01G4/1218Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates
    • H01G4/1227Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates based on alkaline earth titanates

Description

【発明の詳細な説明】

【0001】

【発明の属する技術分野】この発明は、たとえばニッケ
ルまたは銅のような卑金属からなる内部電極を有する積
層セラミックコンデンサのような積層セラミック電子部
品において有利に用いられる誘電体セラミック、および
この誘電体セラミックを用いて構成された積層セラミッ
ク電子部品に関するものである。

【0002】

【従来の技術】積層セラミック電子部品の小型化および
低コスト化が進んでいる。その一手段として、これまで
も、セラミック層の薄層化および内部電極の卑金属化が
進められている。たとえば、 積層セラミック電子部品の
1つの典型例である積層セラミックコンデンサにおいて
は、誘電体セラミック層の厚みは3μm程度にまで薄層
化が進行し、また、内部電極のための材料としても、ニ
ッケル、銅などの卑金属が使用されるようになってい
る。

【0003】しかしながら、このように、誘電体セラミ
ック層の薄層化が進むと、これに応じて、誘電体セラミ
ック層に及ぼされる電界が高くなり、また、誘電率の温
度に対する変化が大きくなる等の問題が生じることが知
られている。そのため、誘電体セラミック層を構成する
誘電体セラミックは、特に高電界に対する高い信頼性を
有していることが望まれる。

【0004】誘電体セラミック層を構成する誘電体セラ
ミックとして、たとえば、ABO3ペロブスカイト型誘
電体セラミックが用いられる。この場合、コアシェル構
造の結晶粒子からなるものが通常用いられている。コア
シェル構造の結晶粒子は、中心部のコア部と表層部のシ
ェル部とからなり、コア部とシェル部とでは、結晶構造
および組成が互いに異なっている。

【0005】このようなコアシェル構造は、セラミック
の焼結過程において、結晶粒子表面から添加成分、多く
は希土類元素を拡散させることによりシェル部を形成す
るようにして得られるものである。従来の薄層化された
誘電体セラミック層においては、希土類元素をシェル部
に拡散させることによって、シェル部における信頼性を
高め、結果として、セラミック全体での信頼性を確保す
るようにしている。

【0006】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たように、希土類元素を拡散させることによって形成さ
れるシェル部は、希土類元素の拡散性あるいは分散性の
問題から、その厚みの薄いものが生じることがある。そ
のため、コアシェル構造の結晶粒子からなるセラミック
を、積層セラミック電子部品の誘電体セラミック層を構
成するために用いた場合、この誘電体セラミック層の厚
みがたとえば3μm以下のように薄くなると、誘電体セ
ラミック層において部分的に信頼性の低い箇所が生じ、
その結果として、積層セラミック電子部品の信頼性を低
下させるという問題が引き起こされる。

【0007】そこで、この発明の目的は、上述した問題
を解決し得る、誘電体セラミック、および、このような
誘電体セラミックを用いて構成された積層セラミックコ
ンデンサのような積層セラミック電子部品を提供しよう
とすることである。

【0008】この発明のより特定的な目的は、コアシェ
ル構造でない構造を持ち、かつ誘電率の温度変化の小さ
い誘電体セラミックを提供しようとすること、および、
厚みがたとえば3μm以下のような薄い誘電体セラミッ
ク層を備え、小型で、大容量を得ることができ、高い信
頼性を有し、かつ低コストの積層セラミック電子部品を
提供しようとすることである。

【0009】

【課題を解決するための手段】この発明に係る誘電体セ
ラミックは、一般式ABO3 で表される主成分および添
加成分として希土類元素を含むものである。ここで、A
は、Ba、CaおよびSrのうちのBaを含む少なくと
も1種である。また、Bは、Ti、ZrおよびHfのう
ちのTiを含む少なくとも1種である。なお、Oは、酸
素を示している。

【0010】このような誘電体セラミックにおいて、こ
れを構成する結晶粒子のうちの任意の結晶粒子i内にお
ける希土類元素の平均濃度をDi で表わし、この誘電体
セラミック全体における希土類元素の平均濃度をDで表
わし、かつ、前記結晶粒子i内における希土類元素濃度
の標準偏差をSi で表わすことによって、0.5≦D i
/Dである結晶粒子の個数をMで表わし、この誘電体セ
ラミックを構成する結晶粒子の個数をNで表わし、か
つ、0.5≦Di /Dであるとともに、Si /D i
0.3である結晶粒子の個数をLで表わしたとき、0.
7≦M/Nの条件、すなわち、結晶粒子間での希土類元
素の濃度のばらつきが小さい、という条件を満たすとと
もに、0.8≦L/Mの条件、すなわち、結晶粒子内で
の希土類元素の濃度のばらつきが小さい、という条件を
満たすことを特徴としている。

【0011】なお、上記結晶粒子iは、特定の結晶粒子
のことではなく、誘電体セラミック内にある任意の結晶
粒子が対象である。すなわち、N個の結晶粒子が存在す
る場合、iは1〜Nの整数であり、N個の結晶粒子の各
々について、結晶粒子内における希土類元素の平均濃度
i および結晶粒子内における希土類元素濃度の標準偏
差Si が求められる。

【0012】さらに、この発明に係る誘電体セラミック
、結晶粒子の平均粒径が0.05〜0.70μmであ
り、結晶粒子の粒径の標準偏差が、平均粒径の30%以
下であることを特徴としている。

【0013】この発明は、また、上述したような誘電体
セラミックを用いて構成される積層セラミック電子部品
にも向けられる。より詳細には、この発明に係る積層セ
ラミック電子部品は、複数の積層された誘電体セラミッ
ク層と、誘電体セラミック層間の特定の界面に沿って形
成された内部電極とを含む、積層体を備えるもので、誘
電体セラミック層が、上述のような誘電体セラミックか
らなることを特徴としている。

【0014】この発明に係る積層セラミック電子部品に
おいて、上述の内部電極は、好ましくは、ニッケルもし
くは銅またはこれらの合金を含む。

【0015】この発明は、特に、積層セラミックコンデ
ンサに対して有利に適用することができる。この場合、
この発明に係る積層セラミック電子部品は、積層体の外
表面上に形成される第1および第2の外部電極をさらに
備え、この積層体の積層方向に互いに重なり合った状態
で複数の内部電極が形成され、これら複数の内部電極
は、第1の外部電極に電気的に接続されるものと第2の
外部電極に電気的に接続されるものとが交互に積層方向
に配置される。

【0016】このように、この発明に係る誘電体セラミ
ックによれば、信頼性の向上に効果のある希土類元素が
ほぼ均一に分散した状態の結晶粒子が、誘電体セラミッ
ク内全域に存在する状態となるため、局所的な偏析を起
こさず、高い信頼性が得られ、かつ信頼性のばらつきも
小さくすることができる。

【0017】また、結晶粒子の平均粒径を0.05〜
0.70μmとし、かつ、結晶粒子の粒径の標準偏差
を、平均粒径の30%以下とすることにより、誘電率の
電界依存性が抑えられ、積層セラミック電子部品に適用
されたとき、誘電体セラミック層の厚みがたとえば3μ
m以下となっても、比較的平坦な誘電率温度依存性を実
現することができる。

【0018】

【発明の実施の形態】この発明に係る誘電体セラミック
は、前述したように、一般式ABO3 で表わされる主成
分および添加成分として希土類元素を含み、0.7≦M
/Nというように、結晶粒子間での希土類元素の濃度の
ばらつきが小さく、かつ、0.8≦L/Mというよう
に、結晶粒子内の希土類元素の濃度のばらつきが小さい
ことを特徴としている。

【0019】このような誘電体セラミックの原料粉末の
製造方法としては、上述したような希土類元素に関する
濃度の条件を満たす微細構造を実現できるものであれ
ば、どのような製造方法であってもよい。

【0020】たとえば、BaCO3 とTiO2 と添加成
分の一部とを混合する工程と、この混合物を熱処理する
ことにより、BaCO3 とTiO2 と添加成分を反応さ
せる工程と、添加成分の残部を加え混合する工程とを備
える製造方法によって、誘電体セラミックの原料粉末を
製造することができる。

【0021】また、主成分として、BaCO3 およびT
iO2 の代わりに、BaTiO3 を用いても、同様の微
細構造を実現できることが、発明者によって確認されて
いる。

【0022】また、添加成分の一部を主成分と予め混合
しておかなくても、同様の微細構造を実現できるよう
に、添加成分の添加量を適当に選び、焼結段階での焼成
条件を調整するようにしてもよい。

【0023】また、水熱合成法、加水分解法、またはゾ
ルゲル法などの湿式合成によっても、同様の微細構造を
実現することができる。

【0024】このような原料粉末を焼成することによっ
て、誘電体セラミックが得られる。この誘電体セラミッ
クは、積層セラミック電子部品、たとえば、図1に示す
ような積層セラミックコンデンサ1において有利に用い
られる。

【0025】図1は、この発明の一実施形態による積層
セラミックコンデンサ1を示す断面図であり、図2は、
図1に示した積層セラミックコンデンサ1に備える積層
体2を分解して示す斜視図である。

【0026】積層セラミックコンデンサ1は、複数の積
層された誘電体セラミック層3および4と、積層方向に
おける中間部に位置する誘電体セラミック層4間の特定
の界面に沿いかつ積層体2の積層方向に互いに重なり合
った状態で形成された複数の内部電極5および6とを含
む、直方体形状の積層体2を備える。

【0027】積層体2の外表面上であって、その各端部
には、第1および第2の外部電極7および8がそれぞれ
形成される。外部電極7および8は、それぞれ、内部電
極5および6のうちの特定のものに電気的に接続される
もので、第1の外部電極7に電気的に接続される内部電
極5と第2の外部電極8に電気的に接続される内部電極
6とは、交互に積層方向に配置されている。

【0028】外部電極7および8の各上には、ニッケ
ル、銅などからなる第1のめっき層9が形成され、さら
にその上には、半田、錫などからなる第2のめっき層1
0が形成されてもよい。

【0029】次に、この積層セラミックコンデンサ1の
製造方法について製造工程順に説明する。

【0030】まず、前述したような誘電体セラミック原
料粉末を用意し、これをスラリー化し、このスラリーを
シート状に成形して、誘電体セラミック層3および4の
ためのセラミックグリーンシートを得る。

【0031】次いで、中間部に位置する誘電体セラミッ
ク層4となるセラミックグリーンシートの各一方主面上
に、ニッケルもしくはニッケル合金または銅もしくは銅
合金等の卑金属を導電性成分として含む内部電極5およ
び6を形成する。これら内部電極5および6は、スクリ
ーン印刷法などの印刷法によって形成されても、蒸着
法、めっき法などによって形成されてもよい。

【0032】次いで、内部電極5または6を形成した誘
電体セラミック層4のためのセラミックグリーンシート
を、必要数積層するとともに、図2に示すように、これ
らセラミックグリーンシートを、外層部に位置する、内
部電極が形成されない誘電体セラミック層3のためのセ
ラミックグリーンシートによって挟んだ状態とし、これ
らをプレスすることによって、生の積層体を得る。

【0033】その後、この生の積層体を、所定の非酸化
性雰囲気中で所定の温度にて焼成し、積層体2を得る。

【0034】次に、積層体2の両端面上に、内部電極5
および6の特定のものと電気的に接続されるように、外
部電極7および8を形成する。この外部電極7および8
の材料としては、内部電極5および6と同じ材料、たと
えば、ニッケル、ニッケル合金、銅、銅合金を使用する
ことができるが、それら以外に、銀、パラジウム、銀−
パラジウム合金なども使用可能である。また、これらの
金属粉末に、B2 3−SiO2 −BaO系ガラス、L
2 O−SiO2 −BaO系ガラスなどのガラスフリッ
トを添加したものも使用されるが、積層セラミックコン
デンサ1の用途、使用場所などを考慮に入れて適当な材
料が選択される。

【0035】また、外部電極7および8は、典型的に
は、材料となる金属粉末ペーストを、焼成により得た積
層体2に塗布して、焼き付けることによって形成される
が、焼成前に塗布して、積層体2を得るための焼成と同
時に焼き付けることによって形成されてもよい。

【0036】その後、外部電極7および8の各々上に、
ニッケル、銅などのめっきを施し、第1のめっき層9を
形成する。最後に、この第1のめっき層9の上に、半
田、錫などの第2のめっき層10を形成し、積層セラミ
ックコンデンサ1を完成させる。

【0037】このようにして得られた積層セラミックコ
ンデンサ1において、誘電体セラミック層3および4
が、前述した誘電体セラミックから構成される。

【0038】この誘電体セラミックにおいて、結晶粒子
内に分散させる添加成分としての希土類元素の量につい
ては、特に限定されるものではなく、所望の特性を満足
するように調整すればよい。

【0039】また、誘電体セラミックは、微量添加物の
種類および添加量によって、誘電特性を微調整すること
ができる。たとえば、Mn成分、Mg成分もしくはBa
成分を添加したり、Siを主成分とする焼結助剤を添加
したりすることも可能である。

【0040】

【実施例】次に、この発明に係る誘電体セラミックおよ
び積層セラミックコンデンサを、実施例に基づき、さら
に具体的に説明する。

【0041】まず、純度99.0%以上の主成分として
の炭酸バリウム(BaCO3 )、炭酸カルシウム(Ca
CO3 )、炭酸ストロンチウム(SrCO3 )、二酸化
チタン(TiO2 )、二酸化ジルコニウム(Zr
2 )、酸化ハフニウム(HfO2)およびチタン酸バ
リウム(BaTiO3 )、ならびに、添加成分としての
酸化ディスプロシウム(Dy2 3 )、酸化ネオジウム
(Nd2 3 )、酸化ガドリニウム(Gd2 3 )、酸
化エルビウム(Er2 3 )および酸化イッテルビウム
(Yb2 3 )をそれぞれ用意し、これらを、表1に示
すモル部となるように秤量し、純水を加えて、ボールミ
ルによって、表1の「混合時間」に示した時間の間、湿
式混合した後、蒸発乾燥して、混合粉末を得た。

【0042】得られた混合粉末を、自然雰囲気中におい
て、表1の仮焼温度および保持時間でそれぞれ示した温
度および時間の間、熱処理し、それによって、希土類元
素が固溶した種々の変性BaTiO3 (以下、変性B
T)を得た。

【0043】

【表1】

【0044】次に、表1に示した種々の変性BTに、表
2に示すような添加量をもって、Dy2 3 、MnCO
3 、MgCO3 およびSiO2 の各微量添加物を加え、
さらに、ポリビニルブチラール系の有機バインダと、ト
ルエンおよびエチルアルコールなどの有機溶剤とを加
え、スラリーを作製した。このスラリーを用いて、ドク
ターブレード法によって、有機フィルム上に、焼成後3
μmになる薄層のセラミックグリーンシートを成形し
た。

【0045】次に、セラミックグリーンシートの特定の
ものの上に、ニッケルを主成分とする導電性ペーストを
印刷し、内部電極を与える導電性ペースト層を形成し
た。

【0046】その後、導電性ペースト層が形成されたセ
ラミックグリーンシートを、この導電性ペースト層が引
き出されている側が互い違いとなるように複数積層する
とともに、その上下に、導電性ペースト層が形成されて
いないセラミックグリーンシートを積層し、これらをプ
レスすることによって生の積層体を得た。

【0047】次に、生の積層体を、窒素雰囲気中にて3
50℃の温度に加熱し、バインダを除去した後、酸素分
圧10-9〜10-12 MPaのH2 −N2 −H2 Oガスか
らなる還元性雰囲気中において、表2の焼結温度に示す
温度で2時間焼成し、焼結された積層体を得た。

【0048】その後、焼結後の積層体の両端面に、B2
3 −Li2 O−SiO2 −BaO系のガラスフリット
および銀粉末を含有する導電性ペーストを塗布し、窒素
雰囲気中において600℃の温度で焼き付け、内部電極
と電気的に接続された外部電極を形成し、目的とする積
層セラミックコンデンサを得た。

【0049】

【表2】

【0050】表2ならびに後の表3および表4におい
て、試料番号に*を付したものは、この発明の範囲から
外れたものである。また、表2、表3および表4におい
て、試料番号に△を付したものは、誘電体セラミックを
構成する結晶粒子の平均粒径および/または結晶粒子の
粒径の標準偏差の点で、この発明の範囲から外れたもの
である。すなわち、試料1〜は、この発明の範囲外の
比較例であり、試料〜27は、この発明の範囲内の実
例である。

【0051】前述のようにして得られた積層セラミック
コンデンサについて、誘電体セラミック層を薄片状に研
磨した後、透過型電子顕微鏡(TEM)観察を行なっ
た。これによって、この発明の実施例である試料5〜2
7においては、従来のコアシェル構造を有するセラミッ
クの微細構造において見られたような1つの結晶粒子内
におけるコアシェル構造を有していないことが確認され
た。

【0052】また、各試料に係る積層セラミックコンデ
ンサに関して、無作為に20個ずつ結晶粒子を選択し、
選択した各々の結晶粒子中の無作為に選択した10箇所
における単位体積あたりの希土類元素の含有量d
i,j (i=1〜20、j=1〜10)を、エネルギー分
散型X線分光法(EDX)による分析に従って測定し
た。そして、各結晶粒子内における希土類元素の平均濃
度Di 、各結晶粒子内における希土類元素濃度の標準偏
差Si 、および誘電体セラミック全体における希土類元
素の平均濃度Dを、次の各式に基づき算出した。

【0053】

【数1】

【0054】次いで、上述のようにして算出された
i 、Si およびDより、測定した20個の結晶粒子の
うち、0.5≦Di /Dである結晶粒子の個数、および
0.5≦Di /DかつSi /Di ≦0.3である結晶粒
子の個数をそれぞれ求めた。さらに、測定した20個の
結晶粒子に対する0.5≦Di /Dである結晶粒子の個
数の割合M/Nを求めるとともに、測定した20個の結
晶粒子のうち、0.5≦D i /Dである結晶粒子の数に
対するSi /Di ≦0.3である結晶粒子の個数の割合
L/Mを求めた。これらの結果が、表3に示されてい
る。

【0055】

【表3】

【0056】また、各試料に係る積層セラミックコンデ
ンサについて、セラミック誘電体層を露出させた後、走
査型電子顕微鏡(SEM)観察を行なった。これによっ
て、無作為に選択した300個の結晶粒子の粒径r
i (i=1〜300)を1個ずつ測定した。そして、平
均粒径および粒径の標準偏差を、それぞれ、次の各式に
より算出した。

【0057】

【数2】

【0058】上述の平均粒径および粒径の標準偏差は、
前掲の表2に示されている。

【0059】また、各試料に係る積層セラミックコンデ
ンサについて、表4に示すように、誘電率(εr )、誘
電損失(tanδ)、容量温度変化率、比抵抗ρ(lo
gρ)および平均寿命時間をそれぞれ評価した。

【0060】より詳細には、誘電率、誘電損失および容
量温度変化率を求めるため、自動ブリッジ型測定器を用
いながら「JIS C5102」に従って静電容量を測
定し、この測定された静電容量から誘電率、誘電損失お
よび容量温度変化率を求めた。

【0061】ここで、誘電率および誘電損失は、試料数
20個について求め、その平均値を表4に示した。ま
た、容量温度変化率は、試料数4個について求め、その
平均値を表4に示した。

【0062】また、誘電率および誘電損失は、室温にお
いて測定された静電容量に基づき求めたものである。ま
た、容量温度変化率は、静電容量を−25℃から85℃
の温度範囲において測定し、20℃での静電容量を基準
として求めたものである。

【0063】比抵抗ρは、誘電体セラミック層の厚み1
μmあたり10Vの直流電圧を20℃において印加し、
印加開始120秒後に絶縁抵抗を測定し、この測定され
た絶縁抵抗から比抵抗ρ(logρ)を算出し、これを
20個の試料について行ない、その平均値を表4に示し
た。

【0064】平均寿命時間は、36個の試料について、
温度150℃において、誘電体セラミック層の厚み1μ
mあたり10Vの直流電圧を印加しながら、印加開始時
点からショートする時点までの時間を寿命時間とし、3
6個の試料についての寿命時間の平均値を平均寿命時間
としたものである。

【0065】

【表4】

【0066】表4に示すように、試料5〜27によれ
ば、誘電体セラミック層の厚みが3μmと薄いにもかか
わらず、40時間以上の長い平均寿命時間を示してい
る。

【0067】これに対して、この発明の範囲外にある試
料1および2では、表3に示すように、0.7≦M/N
であっても、L/M<0.8であるので、表4に示すよ
うに、平均寿命時間が短い。

【0068】また、この発明の範囲外にある試料3およ
び4では、表3に示すように、0.8≦L/Mであって
も、M/N<0.7であるので、表4に示すように、平
均寿命時間が短い。

【0069】なお、試料5〜8、この発明の範囲か
逸脱したものである。

【0070】より具体的には、試料5および6では、表
2からわかるように、粒径の標準偏差が平均粒径の30
%より大きいため、表4に示すように、容量温度変化率
が比較的大きくなっている。

【0071】また、試料7では、表2に示すように、平
均粒径が0.05μmより小さいため、表4に示すよう
に、平均寿命時間は、全試料中において最も長いが、誘
電率が比較的小さくなるだけでなく、容量温度変化率が
比較的大きくなる。

【0072】また、試料8では、表2に示すように、平
均粒径が0.70μmより大きいため、表4に示すよう
に、誘電率は大きいが、容量温度変化率が比較的大きく
なる。

【0073】これらに対して、試料9〜27では、容量
温度変化率が、JIS規格に規定するB特性を満足し、
また、誘電率についても大きい値が得られている。

【0074】なお、以上の実施例は、積層セラミックコ
ンデンサに関するものであったが、積層セラミックコン
デンサ以外の積層セラミック電子部品においても、同様
の特性が得られることが確認されている。

【0075】

【発明の効果】以上のように、この発明に係る誘電体セ
ラミックによれば、当該誘電体セラミックを構成する結
晶粒子がコアシェル構造とは異なる微細構造を有し、前
述したように、0.7≦M/Nの条件で規定されるよう
に、結晶粒子間での希土類元素の濃度のばらつきが小さ
くされ、かつ、0.8≦L/Mの条件で規定されるよう
に、結晶粒子内の希土類元素の濃度のばらつきが小さく
されているので、電界に対する信頼性を高めることがで
きる。

【0076】特に、この発明に係る誘電体セラミックに
おいて、結晶粒子の平均粒径を0.05〜0.70μm
の範囲とし、粒径の標準偏差を、平均粒径の30%以下
となるようにすれば、上述した信頼性を高めることがで
きるばかりでなく、誘電率の温度特性を優れたものとす
ることができる。

【0077】したがって、この発明に係る誘電体セラミ
ックを用いて、積層セラミックコンデンサのような積層
セラミック電子部品を構成すると、誘電体セラミック層
の厚みを、問題なく、より薄くすることが可能となり、
積層セラミック電子部品の薄型化および低コスト化を図
ることができ、また、積層セラミックコンデンサに適用
された場合には、大容量化を図ることに寄与させること
ができる。

【0078】また、積層セラミック電子部品の内部電極
において、卑金属が用いられると、積層セラミック電子
部品のさらなる低コスト化を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図1】この発明の一実施形態による積層セラミックコ
ンデンサ1を示す断面図である。

【図2】図1に示した積層セラミックコンデンサ1に備
える積層体2を分解して示す斜視図である。

【符号の説明】

1 積層セラミックコンデンサ 2 積層体 3,4 誘電体セラミック層 5,6 内部電極 7,8 外部電極

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 浜地 幸生 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株 式会社村田製作所内 (56)参考文献 特開 平10−330160(JP,A) 特開 平9−241075(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01G 4/12

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 Aが、Ba、CaおよびSrのうちのB
    aを含む少なくとも1種であり、かつ、Bが、Ti、Z
    rおよびHfのうちのTiを含む少なくとも1種である
    とき、一般式ABO3 で表わされる主成分および添加成
    分として希土類元素を含む、誘電体セラミックであっ
    て、 当該誘電体セラミックを構成する結晶粒子のうちの任意
    の結晶粒子i内における希土類元素の平均濃度をDi
    表わし、当該誘電体セラミック全体における希土類元素
    の平均濃度をDで表わし、かつ、前記結晶粒子i内にお
    ける希土類元素濃度の標準偏差をSi で表わすことによ
    って、 0.5≦Di /Dである結晶粒子の個数をMで表わし、
    当該誘電体セラミックを構成する結晶粒子の個数をNで
    表わし、かつ、0.5≦Di /Dであるとともに、Si
    /Di ≦0.3である結晶粒子の個数をLで表わしたと
    き、 0.7≦M/N、および 0.8≦L/M の各条件を満たし、かつ 前記結晶粒子の平均粒径が0.
    05〜0.70μmであり、前記結晶粒子の粒径の標準
    偏差が、前記平均粒径の30%以下である、 誘電体セラミック。
  2. 【請求項2】 複数の積層された誘電体セラミック層
    と、前記誘電体セラミック層間の特定の界面に沿って形
    成された内部電極とを含む、積層体を備える、積層セラ
    ミック電子部品であって、 前記誘電体セラミック層が、請求項1に記載の誘電体セ
    ラミックからなる、積層セラミック電子部品。
  3. 【請求項3】 前記内部電極は、卑金属を含む、請求項
    に記載の積層セラミック電子部品。
  4. 【請求項4】 前記積層体の外表面上に形成される第1
    および第2の外部電極をさらに備え、前記積層体の積層
    方向に互いに重なり合った状態で複数の前記内部電極が
    形成され、前記複数の内部電極は、前記第1の外部電極
    に電気的に接続されるものと前記第2の外部電極に電気
    的に接続されるものとが交互に前記積層方向に配置さ
    れ、それによって、積層セラミックコンデンサを構成し
    ている、請求項またはに記載の積層セラミック電子
    部品。
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