JP3367479B2 - 誘電体セラミックおよび積層セラミック電子部品 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、たとえばニッケ
ルまたは銅のような卑金属からなる内部電極を有する積
層セラミックコンデンサのような積層セラミック電子部
品において有利に用いられる誘電体セラミック、および
この誘電体セラミックを用いて構成された積層セラミッ
ク電子部品に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】積層セラミック電子部品の小型化および
低コスト化が進んでいる。その一手段として、これまで
も、セラミック層の薄層化および内部電極の卑金属化が
進められている。たとえば、 積層セラミック電子部品の
１つの典型例である積層セラミックコンデンサにおいて
は、誘電体セラミック層の厚みは３μｍ程度にまで薄層
化が進行し、また、内部電極のための材料としても、ニ
ッケル、銅などの卑金属が使用されるようになってい
る。

【０００３】しかしながら、このように、誘電体セラミ
ック層の薄層化が進むと、これに応じて、誘電体セラミ
ック層に及ぼされる電界が高くなり、また、誘電率の温
度に対する変化が大きくなる等の問題が生じることが知
られている。そのため、誘電体セラミック層を構成する
誘電体セラミックは、特に高電界に対する高い信頼性を
有していることが望まれる。

【０００４】誘電体セラミック層を構成する誘電体セラ
ミックとして、たとえば、ＡＢＯ₃ペロブスカイト型誘
電体セラミックが用いられる。この場合、コアシェル構
造の結晶粒子からなるものが通常用いられている。コア
シェル構造の結晶粒子は、中心部のコア部と表層部のシ
ェル部とからなり、コア部とシェル部とでは、結晶構造
および組成が互いに異なっている。

【０００５】このようなコアシェル構造は、セラミック
の焼結過程において、結晶粒子表面から添加成分、多く
は希土類元素を拡散させることによりシェル部を形成す
るようにして得られるものである。従来の薄層化された
誘電体セラミック層においては、希土類元素をシェル部
に拡散させることによって、シェル部における信頼性を
高め、結果として、セラミック全体での信頼性を確保す
るようにしている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たように、希土類元素を拡散させることによって形成さ
れるシェル部は、希土類元素の拡散性あるいは分散性の
問題から、その厚みの薄いものが生じることがある。そ
のため、コアシェル構造の結晶粒子からなるセラミック
を、積層セラミック電子部品の誘電体セラミック層を構
成するために用いた場合、この誘電体セラミック層の厚
みがたとえば３μｍ以下のように薄くなると、誘電体セ
ラミック層において部分的に信頼性の低い箇所が生じ、
その結果として、積層セラミック電子部品の信頼性を低
下させるという問題が引き起こされる。

【０００７】そこで、この発明の目的は、上述した問題
を解決し得る、誘電体セラミック、および、このような
誘電体セラミックを用いて構成された積層セラミックコ
ンデンサのような積層セラミック電子部品を提供しよう
とすることである。

【０００８】この発明のより特定的な目的は、コアシェ
ル構造でない構造を持ち、かつ誘電率の温度変化の小さ
い誘電体セラミックを提供しようとすること、および、
厚みがたとえば３μｍ以下のような薄い誘電体セラミッ
ク層を備え、小型で、大容量を得ることができ、高い信
頼性を有し、かつ低コストの積層セラミック電子部品を
提供しようとすることである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】この発明に係る誘電体セ
ラミックは、一般式ＡＢＯ₃ で表される主成分および添
加成分として希土類元素を含むものである。ここで、Ａ
は、Ｂａ、ＣａおよびＳｒのうちのＢａを含む少なくと
も１種である。また、Ｂは、Ｔｉ、ＺｒおよびＨｆのう
ちのＴｉを含む少なくとも１種である。なお、Ｏは、酸
素を示している。

【００１０】このような誘電体セラミックにおいて、こ
れを構成する結晶粒子のうちの任意の結晶粒子ｉ内にお
ける希土類元素の平均濃度をＤ_i で表わし、この誘電体
セラミック全体における希土類元素の平均濃度をＤで表
わし、かつ、前記結晶粒子ｉ内における希土類元素濃度
の標準偏差をＳ_i で表わすことによって、０．５≦Ｄ _i
／Ｄである結晶粒子の個数をＭで表わし、この誘電体セ
ラミックを構成する結晶粒子の個数をＮで表わし、か
つ、０．５≦Ｄ_i ／Ｄであるとともに、Ｓ_i ／Ｄ _i ≦
０．３である結晶粒子の個数をＬで表わしたとき、０．
７≦Ｍ／Ｎの条件、すなわち、結晶粒子間での希土類元
素の濃度のばらつきが小さい、という条件を満たすとと
もに、０．８≦Ｌ／Ｍの条件、すなわち、結晶粒子内で
の希土類元素の濃度のばらつきが小さい、という条件を
満たすことを特徴としている。

【００１１】なお、上記結晶粒子ｉは、特定の結晶粒子
のことではなく、誘電体セラミック内にある任意の結晶
粒子が対象である。すなわち、Ｎ個の結晶粒子が存在す
る場合、ｉは１〜Ｎの整数であり、Ｎ個の結晶粒子の各
々について、結晶粒子内における希土類元素の平均濃度
Ｄ_i および結晶粒子内における希土類元素濃度の標準偏
差Ｓ_i が求められる。

【００１２】さらに、この発明に係る誘電体セラミック
は、結晶粒子の平均粒径が０．０５〜０．７０μｍであ
り、結晶粒子の粒径の標準偏差が、平均粒径の３０％以
下であることを特徴としている。

【００１３】この発明は、また、上述したような誘電体
セラミックを用いて構成される積層セラミック電子部品
にも向けられる。より詳細には、この発明に係る積層セ
ラミック電子部品は、複数の積層された誘電体セラミッ
ク層と、誘電体セラミック層間の特定の界面に沿って形
成された内部電極とを含む、積層体を備えるもので、誘
電体セラミック層が、上述のような誘電体セラミックか
らなることを特徴としている。

【００１４】この発明に係る積層セラミック電子部品に
おいて、上述の内部電極は、好ましくは、ニッケルもし
くは銅またはこれらの合金を含む。

【００１５】この発明は、特に、積層セラミックコンデ
ンサに対して有利に適用することができる。この場合、
この発明に係る積層セラミック電子部品は、積層体の外
表面上に形成される第１および第２の外部電極をさらに
備え、この積層体の積層方向に互いに重なり合った状態
で複数の内部電極が形成され、これら複数の内部電極
は、第１の外部電極に電気的に接続されるものと第２の
外部電極に電気的に接続されるものとが交互に積層方向
に配置される。

【００１６】このように、この発明に係る誘電体セラミ
ックによれば、信頼性の向上に効果のある希土類元素が
ほぼ均一に分散した状態の結晶粒子が、誘電体セラミッ
ク内全域に存在する状態となるため、局所的な偏析を起
こさず、高い信頼性が得られ、かつ信頼性のばらつきも
小さくすることができる。

【００１７】また、結晶粒子の平均粒径を０．０５〜
０．７０μｍとし、かつ、結晶粒子の粒径の標準偏差
を、平均粒径の３０％以下とすることにより、誘電率の
電界依存性が抑えられ、積層セラミック電子部品に適用
されたとき、誘電体セラミック層の厚みがたとえば３μ
ｍ以下となっても、比較的平坦な誘電率温度依存性を実
現することができる。

【００１８】

【発明の実施の形態】この発明に係る誘電体セラミック
は、前述したように、一般式ＡＢＯ₃ で表わされる主成
分および添加成分として希土類元素を含み、０．７≦Ｍ
／Ｎというように、結晶粒子間での希土類元素の濃度の
ばらつきが小さく、かつ、０．８≦Ｌ／Ｍというよう
に、結晶粒子内の希土類元素の濃度のばらつきが小さい
ことを特徴としている。

【００１９】このような誘電体セラミックの原料粉末の
製造方法としては、上述したような希土類元素に関する
濃度の条件を満たす微細構造を実現できるものであれ
ば、どのような製造方法であってもよい。

【００２０】たとえば、ＢａＣＯ₃ とＴｉＯ₂ と添加成
分の一部とを混合する工程と、この混合物を熱処理する
ことにより、ＢａＣＯ₃ とＴｉＯ₂ と添加成分を反応さ
せる工程と、添加成分の残部を加え混合する工程とを備
える製造方法によって、誘電体セラミックの原料粉末を
製造することができる。

【００２１】また、主成分として、ＢａＣＯ₃ およびＴ
ｉＯ₂ の代わりに、ＢａＴｉＯ₃ を用いても、同様の微
細構造を実現できることが、発明者によって確認されて
いる。

【００２２】また、添加成分の一部を主成分と予め混合
しておかなくても、同様の微細構造を実現できるよう
に、添加成分の添加量を適当に選び、焼結段階での焼成
条件を調整するようにしてもよい。

【００２３】また、水熱合成法、加水分解法、またはゾ
ルゲル法などの湿式合成によっても、同様の微細構造を
実現することができる。

【００２４】このような原料粉末を焼成することによっ
て、誘電体セラミックが得られる。この誘電体セラミッ
クは、積層セラミック電子部品、たとえば、図１に示す
ような積層セラミックコンデンサ１において有利に用い
られる。

【００２５】図１は、この発明の一実施形態による積層
セラミックコンデンサ１を示す断面図であり、図２は、
図１に示した積層セラミックコンデンサ１に備える積層
体２を分解して示す斜視図である。

【００２６】積層セラミックコンデンサ１は、複数の積
層された誘電体セラミック層３および４と、積層方向に
おける中間部に位置する誘電体セラミック層４間の特定
の界面に沿いかつ積層体２の積層方向に互いに重なり合
った状態で形成された複数の内部電極５および６とを含
む、直方体形状の積層体２を備える。

【００２７】積層体２の外表面上であって、その各端部
には、第１および第２の外部電極７および８がそれぞれ
形成される。外部電極７および８は、それぞれ、内部電
極５および６のうちの特定のものに電気的に接続される
もので、第１の外部電極７に電気的に接続される内部電
極５と第２の外部電極８に電気的に接続される内部電極
６とは、交互に積層方向に配置されている。

【００２８】外部電極７および８の各上には、ニッケ
ル、銅などからなる第１のめっき層９が形成され、さら
にその上には、半田、錫などからなる第２のめっき層１
０が形成されてもよい。

【００２９】次に、この積層セラミックコンデンサ１の
製造方法について製造工程順に説明する。

【００３０】まず、前述したような誘電体セラミック原
料粉末を用意し、これをスラリー化し、このスラリーを
シート状に成形して、誘電体セラミック層３および４の
ためのセラミックグリーンシートを得る。

【００３１】次いで、中間部に位置する誘電体セラミッ
ク層４となるセラミックグリーンシートの各一方主面上
に、ニッケルもしくはニッケル合金または銅もしくは銅
合金等の卑金属を導電性成分として含む内部電極５およ
び６を形成する。これら内部電極５および６は、スクリ
ーン印刷法などの印刷法によって形成されても、蒸着
法、めっき法などによって形成されてもよい。

【００３２】次いで、内部電極５または６を形成した誘
電体セラミック層４のためのセラミックグリーンシート
を、必要数積層するとともに、図２に示すように、これ
らセラミックグリーンシートを、外層部に位置する、内
部電極が形成されない誘電体セラミック層３のためのセ
ラミックグリーンシートによって挟んだ状態とし、これ
らをプレスすることによって、生の積層体を得る。

【００３３】その後、この生の積層体を、所定の非酸化
性雰囲気中で所定の温度にて焼成し、積層体２を得る。

【００３４】次に、積層体２の両端面上に、内部電極５
および６の特定のものと電気的に接続されるように、外
部電極７および８を形成する。この外部電極７および８
の材料としては、内部電極５および６と同じ材料、たと
えば、ニッケル、ニッケル合金、銅、銅合金を使用する
ことができるが、それら以外に、銀、パラジウム、銀−
パラジウム合金なども使用可能である。また、これらの
金属粉末に、Ｂ₂ Ｏ₃−ＳｉＯ₂ −ＢａＯ系ガラス、Ｌ
ｉ₂ Ｏ−ＳｉＯ₂ −ＢａＯ系ガラスなどのガラスフリッ
トを添加したものも使用されるが、積層セラミックコン
デンサ１の用途、使用場所などを考慮に入れて適当な材
料が選択される。

【００３５】また、外部電極７および８は、典型的に
は、材料となる金属粉末ペーストを、焼成により得た積
層体２に塗布して、焼き付けることによって形成される
が、焼成前に塗布して、積層体２を得るための焼成と同
時に焼き付けることによって形成されてもよい。

【００３６】その後、外部電極７および８の各々上に、
ニッケル、銅などのめっきを施し、第１のめっき層９を
形成する。最後に、この第１のめっき層９の上に、半
田、錫などの第２のめっき層１０を形成し、積層セラミ
ックコンデンサ１を完成させる。

【００３７】このようにして得られた積層セラミックコ
ンデンサ１において、誘電体セラミック層３および４
が、前述した誘電体セラミックから構成される。

【００３８】この誘電体セラミックにおいて、結晶粒子
内に分散させる添加成分としての希土類元素の量につい
ては、特に限定されるものではなく、所望の特性を満足
するように調整すればよい。

【００３９】また、誘電体セラミックは、微量添加物の
種類および添加量によって、誘電特性を微調整すること
ができる。たとえば、Ｍｎ成分、Ｍｇ成分もしくはＢａ
成分を添加したり、Ｓｉを主成分とする焼結助剤を添加
したりすることも可能である。

【００４０】

【実施例】次に、この発明に係る誘電体セラミックおよ
び積層セラミックコンデンサを、実施例に基づき、さら
に具体的に説明する。

【００４１】まず、純度９９．０％以上の主成分として
の炭酸バリウム（ＢａＣＯ₃ ）、炭酸カルシウム（Ｃａ
ＣＯ₃ ）、炭酸ストロンチウム（ＳｒＣＯ₃ ）、二酸化
チタン（ＴｉＯ₂ ）、二酸化ジルコニウム（Ｚｒ
Ｏ₂ ）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ₂）およびチタン酸バ
リウム（ＢａＴｉＯ₃ ）、ならびに、添加成分としての
酸化ディスプロシウム（Ｄｙ₂ Ｏ₃ ）、酸化ネオジウム
（Ｎｄ₂ Ｏ₃ ）、酸化ガドリニウム（Ｇｄ₂ Ｏ₃ ）、酸
化エルビウム（Ｅｒ₂ Ｏ₃ ）および酸化イッテルビウム
（Ｙｂ₂ Ｏ₃ ）をそれぞれ用意し、これらを、表１に示
すモル部となるように秤量し、純水を加えて、ボールミ
ルによって、表１の「混合時間」に示した時間の間、湿
式混合した後、蒸発乾燥して、混合粉末を得た。

【００４２】得られた混合粉末を、自然雰囲気中におい
て、表１の仮焼温度および保持時間でそれぞれ示した温
度および時間の間、熱処理し、それによって、希土類元
素が固溶した種々の変性ＢａＴｉＯ₃ （以下、変性Ｂ
Ｔ）を得た。

【００４３】

【表１】

【００４４】次に、表１に示した種々の変性ＢＴに、表
２に示すような添加量をもって、Ｄｙ₂ Ｏ₃ 、ＭｎＣＯ
₃ 、ＭｇＣＯ₃ およびＳｉＯ₂ の各微量添加物を加え、
さらに、ポリビニルブチラール系の有機バインダと、ト
ルエンおよびエチルアルコールなどの有機溶剤とを加
え、スラリーを作製した。このスラリーを用いて、ドク
ターブレード法によって、有機フィルム上に、焼成後３
μｍになる薄層のセラミックグリーンシートを成形し
た。

【００４５】次に、セラミックグリーンシートの特定の
ものの上に、ニッケルを主成分とする導電性ペーストを
印刷し、内部電極を与える導電性ペースト層を形成し
た。

【００４６】その後、導電性ペースト層が形成されたセ
ラミックグリーンシートを、この導電性ペースト層が引
き出されている側が互い違いとなるように複数積層する
とともに、その上下に、導電性ペースト層が形成されて
いないセラミックグリーンシートを積層し、これらをプ
レスすることによって生の積層体を得た。

【００４７】次に、生の積層体を、窒素雰囲気中にて３
５０℃の温度に加熱し、バインダを除去した後、酸素分
圧１０^-9〜１０^-12 ＭＰａのＨ₂ −Ｎ₂ −Ｈ₂ Ｏガスか
らなる還元性雰囲気中において、表２の焼結温度に示す
温度で２時間焼成し、焼結された積層体を得た。

【００４８】その後、焼結後の積層体の両端面に、Ｂ₂
Ｏ₃ −Ｌｉ₂ Ｏ−ＳｉＯ₂ −ＢａＯ系のガラスフリット
および銀粉末を含有する導電性ペーストを塗布し、窒素
雰囲気中において６００℃の温度で焼き付け、内部電極
と電気的に接続された外部電極を形成し、目的とする積
層セラミックコンデンサを得た。

【００４９】

【表２】

【００５０】表２ならびに後の表３および表４におい
て、試料番号に＊を付したものは、この発明の範囲から
外れたものである。また、表２、表３および表４におい
て、試料番号に△を付したものは、誘電体セラミックを
構成する結晶粒子の平均粒径および／または結晶粒子の
粒径の標準偏差の点で、この発明の範囲から外れたもの
である。すなわち、試料１〜８は、この発明の範囲外の
比較例であり、試料９〜２７は、この発明の範囲内の実
施例である。

【００５１】前述のようにして得られた積層セラミック
コンデンサについて、誘電体セラミック層を薄片状に研
磨した後、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）観察を行なっ
た。これによって、この発明の実施例である試料５〜２
７においては、従来のコアシェル構造を有するセラミッ
クの微細構造において見られたような１つの結晶粒子内
におけるコアシェル構造を有していないことが確認され
た。

【００５２】また、各試料に係る積層セラミックコンデ
ンサに関して、無作為に２０個ずつ結晶粒子を選択し、
選択した各々の結晶粒子中の無作為に選択した１０箇所
における単位体積あたりの希土類元素の含有量ｄ
_i,j （ｉ＝１〜２０、ｊ＝１〜１０）を、エネルギー分
散型Ｘ線分光法（ＥＤＸ）による分析に従って測定し
た。そして、各結晶粒子内における希土類元素の平均濃
度Ｄ_i 、各結晶粒子内における希土類元素濃度の標準偏
差Ｓ_i 、および誘電体セラミック全体における希土類元
素の平均濃度Ｄを、次の各式に基づき算出した。

【００５３】

【数１】

【００５４】次いで、上述のようにして算出された
Ｄ_i 、Ｓ_i およびＤより、測定した２０個の結晶粒子の
うち、０．５≦Ｄ_i ／Ｄである結晶粒子の個数、および
０．５≦Ｄ_i ／ＤかつＳ_i ／Ｄ_i ≦０．３である結晶粒
子の個数をそれぞれ求めた。さらに、測定した２０個の
結晶粒子に対する０．５≦Ｄ_i ／Ｄである結晶粒子の個
数の割合Ｍ／Ｎを求めるとともに、測定した２０個の結
晶粒子のうち、０．５≦Ｄ _i ／Ｄである結晶粒子の数に
対するＳ_i ／Ｄ_i ≦０．３である結晶粒子の個数の割合
Ｌ／Ｍを求めた。これらの結果が、表３に示されてい
る。

【００５５】

【表３】

【００５６】また、各試料に係る積層セラミックコンデ
ンサについて、セラミック誘電体層を露出させた後、走
査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）観察を行なった。これによっ
て、無作為に選択した３００個の結晶粒子の粒径ｒ
_i （ｉ＝１〜３００）を１個ずつ測定した。そして、平
均粒径および粒径の標準偏差を、それぞれ、次の各式に
より算出した。

【００５７】

【数２】

【００５８】上述の平均粒径および粒径の標準偏差は、
前掲の表２に示されている。

【００５９】また、各試料に係る積層セラミックコンデ
ンサについて、表４に示すように、誘電率（ε_r ）、誘
電損失（ｔａｎδ）、容量温度変化率、比抵抗ρ（ｌｏ
ｇρ）および平均寿命時間をそれぞれ評価した。

【００６０】より詳細には、誘電率、誘電損失および容
量温度変化率を求めるため、自動ブリッジ型測定器を用
いながら「ＪＩＳ Ｃ５１０２」に従って静電容量を測
定し、この測定された静電容量から誘電率、誘電損失お
よび容量温度変化率を求めた。

【００６１】ここで、誘電率および誘電損失は、試料数
２０個について求め、その平均値を表４に示した。ま
た、容量温度変化率は、試料数４個について求め、その
平均値を表４に示した。

【００６２】また、誘電率および誘電損失は、室温にお
いて測定された静電容量に基づき求めたものである。ま
た、容量温度変化率は、静電容量を−２５℃から８５℃
の温度範囲において測定し、２０℃での静電容量を基準
として求めたものである。

【００６３】比抵抗ρは、誘電体セラミック層の厚み１
μｍあたり１０Ｖの直流電圧を２０℃において印加し、
印加開始１２０秒後に絶縁抵抗を測定し、この測定され
た絶縁抵抗から比抵抗ρ（ｌｏｇρ）を算出し、これを
２０個の試料について行ない、その平均値を表４に示し
た。

【００６４】平均寿命時間は、３６個の試料について、
温度１５０℃において、誘電体セラミック層の厚み１μ
ｍあたり１０Ｖの直流電圧を印加しながら、印加開始時
点からショートする時点までの時間を寿命時間とし、３
６個の試料についての寿命時間の平均値を平均寿命時間
としたものである。

【００６５】

【表４】

【００６６】表４に示すように、試料５〜２７によれ
ば、誘電体セラミック層の厚みが３μｍと薄いにもかか
わらず、４０時間以上の長い平均寿命時間を示してい
る。

【００６７】これに対して、この発明の範囲外にある試
料１および２では、表３に示すように、０．７≦Ｍ／Ｎ
であっても、Ｌ／Ｍ＜０．８であるので、表４に示すよ
うに、平均寿命時間が短い。

【００６８】また、この発明の範囲外にある試料３およ
び４では、表３に示すように、０．８≦Ｌ／Ｍであって
も、Ｍ／Ｎ＜０．７であるので、表４に示すように、平
均寿命時間が短い。

【００６９】なお、試料５〜８も、この発明の範囲から
逸脱したものである。

【００７０】より具体的には、試料５および６では、表
２からわかるように、粒径の標準偏差が平均粒径の３０
％より大きいため、表４に示すように、容量温度変化率
が比較的大きくなっている。

【００７１】また、試料７では、表２に示すように、平
均粒径が０．０５μｍより小さいため、表４に示すよう
に、平均寿命時間は、全試料中において最も長いが、誘
電率が比較的小さくなるだけでなく、容量温度変化率が
比較的大きくなる。

【００７２】また、試料８では、表２に示すように、平
均粒径が０．７０μｍより大きいため、表４に示すよう
に、誘電率は大きいが、容量温度変化率が比較的大きく
なる。

【００７３】これらに対して、試料９〜２７では、容量
温度変化率が、ＪＩＳ規格に規定するＢ特性を満足し、
また、誘電率についても大きい値が得られている。

【００７４】なお、以上の実施例は、積層セラミックコ
ンデンサに関するものであったが、積層セラミックコン
デンサ以外の積層セラミック電子部品においても、同様
の特性が得られることが確認されている。

【００７５】

【発明の効果】以上のように、この発明に係る誘電体セ
ラミックによれば、当該誘電体セラミックを構成する結
晶粒子がコアシェル構造とは異なる微細構造を有し、前
述したように、０．７≦Ｍ／Ｎの条件で規定されるよう
に、結晶粒子間での希土類元素の濃度のばらつきが小さ
くされ、かつ、０．８≦Ｌ／Ｍの条件で規定されるよう
に、結晶粒子内の希土類元素の濃度のばらつきが小さく
されているので、電界に対する信頼性を高めることがで
きる。

【００７６】特に、この発明に係る誘電体セラミックに
おいて、結晶粒子の平均粒径を０．０５〜０．７０μｍ
の範囲とし、粒径の標準偏差を、平均粒径の３０％以下
となるようにすれば、上述した信頼性を高めることがで
きるばかりでなく、誘電率の温度特性を優れたものとす
ることができる。

【００７７】したがって、この発明に係る誘電体セラミ
ックを用いて、積層セラミックコンデンサのような積層
セラミック電子部品を構成すると、誘電体セラミック層
の厚みを、問題なく、より薄くすることが可能となり、
積層セラミック電子部品の薄型化および低コスト化を図
ることができ、また、積層セラミックコンデンサに適用
された場合には、大容量化を図ることに寄与させること
ができる。

【００７８】また、積層セラミック電子部品の内部電極
において、卑金属が用いられると、積層セラミック電子
部品のさらなる低コスト化を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施形態による積層セラミックコ
ンデンサ１を示す断面図である。

【図２】図１に示した積層セラミックコンデンサ１に備
える積層体２を分解して示す斜視図である。

【符号の説明】

１ 積層セラミックコンデンサ ２ 積層体 ３，４ 誘電体セラミック層 ５，６ 内部電極 ７，８ 外部電極

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 浜地 幸生 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株 式会社村田製作所内 (56)参考文献 特開 平10−330160（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−241075（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01G 4/12

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 Ａが、Ｂａ、ＣａおよびＳｒのうちのＢ
   ａを含む少なくとも１種であり、かつ、Ｂが、Ｔｉ、Ｚ
   ｒおよびＨｆのうちのＴｉを含む少なくとも１種である
   とき、一般式ＡＢＯ₃ で表わされる主成分および添加成
   分として希土類元素を含む、誘電体セラミックであっ
   て、 当該誘電体セラミックを構成する結晶粒子のうちの任意
   の結晶粒子ｉ内における希土類元素の平均濃度をＤ_i で
   表わし、当該誘電体セラミック全体における希土類元素
   の平均濃度をＤで表わし、かつ、前記結晶粒子ｉ内にお
   ける希土類元素濃度の標準偏差をＳ_i で表わすことによ
   って、 ０．５≦Ｄ_i ／Ｄである結晶粒子の個数をＭで表わし、
   当該誘電体セラミックを構成する結晶粒子の個数をＮで
   表わし、かつ、０．５≦Ｄ_i ／Ｄであるとともに、Ｓ_i
   ／Ｄ_i ≦０．３である結晶粒子の個数をＬで表わしたと
   き、 ０．７≦Ｍ／Ｎ、および ０．８≦Ｌ／Ｍ の各条件を満たし、かつ 前記結晶粒子の平均粒径が０．
   ０５〜０．７０μｍであり、前記結晶粒子の粒径の標準
   偏差が、前記平均粒径の３０％以下である、 誘電体セラミック。
2. 【請求項２】 複数の積層された誘電体セラミック層
   と、前記誘電体セラミック層間の特定の界面に沿って形
   成された内部電極とを含む、積層体を備える、積層セラ
   ミック電子部品であって、 前記誘電体セラミック層が、請求項１に記載の誘電体セ
   ラミックからなる、積層セラミック電子部品。
3. 【請求項３】 前記内部電極は、卑金属を含む、請求項
   ２に記載の積層セラミック電子部品。
4. 【請求項４】 前記積層体の外表面上に形成される第１
   および第２の外部電極をさらに備え、前記積層体の積層
   方向に互いに重なり合った状態で複数の前記内部電極が
   形成され、前記複数の内部電極は、前記第１の外部電極
   に電気的に接続されるものと前記第２の外部電極に電気
   的に接続されるものとが交互に前記積層方向に配置さ
   れ、それによって、積層セラミックコンデンサを構成し
   ている、請求項２または３に記載の積層セラミック電子
   部品。