JP2000327414A - 耐還元性誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高周波かつ高電圧あるいは大電流下での使用
時の損失および発熱を小さくでき、交流負荷あるいは直
流負荷において安定した絶縁抵抗を示し、さらにはニッ
ケルのような卑金属を内部電極材料として問題なく用い
ることができる、積層セラミックコンデンサの誘電体セ
ラミック層を構成するための誘電体セラミックを提供す
る。 【解決手段】 誘電体セラミック層２ａ，２ｂを、一般
式ＡＢＯ₃ で表わされるペロブスカイト構造を示し、か
つ主結晶相がチタン酸バリウムを主成分としていて、−
２５℃以上の温度領域においてＸ線回折により求められ
る結晶軸比ｃ／ａが１．０００≦ｃ／ａ≦１．００３を
満足する、耐還元性誘電体セラミックによって構成す
る。この耐還元性誘電体セラミックの相転移点は−２５
℃未満であることが好ましく、また、希土類元素を含有
していることが好ましい。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、耐還元性誘電体
セラミックおよびこれによって構成された誘電体セラミ
ック層を備える積層セラミックコンデンサに関するもの
で、特に、高周波交流用または直流中高圧用の分野にお
いて有利に用いられ、かつ卑金属をもって内部電極を構
成した、積層セラミックコンデンサおよびその誘電体セ
ラミック層を構成するための耐還元性誘電体セラミック
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来より、積層セラミックコンデンサは
以下のようにして製造されるのが一般的である。

【０００３】まず、その表面に内部電極となる電極材料
を塗布した、誘電体セラミック層となるべき誘電体材料
を含むセラミックグリーンシートが準備される。誘電体
材料としては、たとえばＢａＴｉＯ₃ を主成分とする材
料が用いられる。次に、この電極材料を塗布したセラミ
ックグリーンシートを積層して熱圧着し、一体化したも
のを焼成することによって、内部電極を有するセラミッ
ク積層体が得られる。そして、このセラミック積層体の
端面に、内部電極と電気的に導通する外部電極を焼き付
けることにより、積層セラミックコンデンサが得られ
る。

【０００４】したがって、内部電極の材料として、一般
的には、セラミック積層体の焼成において酸化されない
材料が選ばれてきた。たとえば、白金、金、パラジウム
あるいは銀−パラジウム合金などの貴金属が、内部電極
の材料として用いられていた。しかしながら、これらの
内部電極材料は、優れた特性を有する反面、極めて高価
であるため、積層セラミックコンデンサの製造コストを
上昇させる最大の要因となっていた。

【０００５】そこで、製造コストを低下させるため、比
較的安価なニッケル、銅などの卑金属を内部電極材料と
する積層セラミックコンデンサが提案されている。

【０００６】しかしながら、このような卑金属は、高温
の酸化雰囲気中では容易に酸化されてしまい、内部電極
としての役目を果たさなくなってしまうため、積層セラ
ミックコンデンサの内部電極材料として使用するために
は、セラミック積層体を得るための焼成は、中性または
還元性雰囲気中で行なわなければならない。

【０００７】他方、このような中性または還元性雰囲気
中といった低酸素分圧下で焼成すると、誘電体セラミッ
ク層を構成すべきセラミックが著しく還元されてしま
い、その結果、半導体化してしまう、という問題があ
る。

【０００８】そのため、卑金属の酸化を防止するように
低酸素分圧下で焼成しても半導体化しない誘電体セラミ
ックとして、たとえば、特公昭６１−１４６１１号公報
に記載されるようなＢａＴｉＯ₃ −（Ｍｇ，Ｚｎ，Ｓ
ｒ，Ｃａ）Ｏ−Ｂ₂ Ｏ₃ −ＳｉＯ₂ 系誘電体セラミック
や、特開平７−２７２９７１号公報に記載されるような
（Ｂａ，Ｍ，Ｌ）（Ｔｉ，Ｒ）Ｏ₃ 系誘電体セラミック
（ただし、ＭはＭｇまたはＺｎ、ＬはＣａまたはＳｒ、
ＲはＳｃ、Ｙまたは希土類元素）などが提案されてい
る。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】電子機器の高集積化、
高機能化、低価格化が進む中、積層セラミックコンデン
サの使用条件は益々厳しいものとなっており、積層セラ
ミックコンデンサの低損失化、絶縁性の向上、絶縁耐力
の向上、信頼性の向上、大容量化、低価格化等の要求が
強くなっている。

【００１０】また、近年、高周波かつ高電圧あるいは大
電流下で使用できる積層セラミックコンデンサの需要が
高まってきている。この場合、積層セラミックコンデン
サにとって重要な特性は、低損失かつ低発熱であること
である。なぜなら、積層セラミックコンデンサの損失や
発熱が大きいと、この積層セラミックコンデンサ自体の
寿命を短くしてしまうからである。また、積層セラミッ
クコンデンサの損失や発熱によって、回路内の温度上昇
が起こり、周辺部品の誤作動や寿命の短縮をも引き起こ
す。

【００１１】さらに、高電圧直流下での積層セラミック
コンデンサの使用も増えてきている。しかしながら、特
にニッケルを内部電極材料として使用している従来の積
層セラミックコンデンサにあっては、比較的低い電界強
度下で使用されることが意図されているため、高い電界
強度下で使用すると、絶縁性、絶縁耐力および信頼性が
極端に低下するという問題が生じている。

【００１２】前述した特公昭６１−１４６１１号公報や
特開平７−２７２９７１号公報に記載される誘電体セラ
ミックを用いて積層セラミックコンデンサを構成する
と、静電容量の温度変化率は小さいものの、高周波かつ
高電圧あるいは大電流下での使用時における損失および
発熱が大きいという欠点がある。また、このような誘電
体セラミックは、耐還元性を有するため、低酸素分圧下
での焼成を採用することにより、ニッケルのような卑金
属を内部電極材料として用いることを可能にするもの
の、このような低酸素分圧下での焼成は、誘電体セラミ
ックにとっては、厳しい焼成条件となるので、得られた
積層セラミックコンデンサを高電圧直流下で使用したと
きには、絶縁抵抗値が低く、信頼性も低いという欠点が
ある。

【００１３】そこで、この発明の目的は、高周波かつ高
電圧あるいは大電流下での使用時の損失および発熱が小
さく、また、交流高温負荷または直流高温負荷におい
て、安定した絶縁抵抗を示す、たとえば積層セラミック
コンデンサにおける誘電体セラミック層を構成するため
に有利に用いられる耐還元性誘電体セラミックを提供し
ようとすることである。

【００１４】この発明の他の目的は、上述した目的を達
成しながらも、安価なニッケルまたはニッケル合金等の
卑金属を内部電極材料として使用できる積層セラミック
コンデンサを提供しようとすることである。

【００１５】

【課題を解決するための手段】この発明に係る耐還元性
誘電体セラミックは、一般式ＡＢＯ₃ で表わされるペロ
ブスカイト構造を示し、かつ主結晶相がチタン酸バリウ
ムを主成分としているものであって、−２５℃以上の温
度領域においてＸ線回折により求められる結晶軸比ｃ／
ａが１．０００≦ｃ／ａ≦１．００３の条件を満足する
こと、すなわち結晶構造が立方晶または立方晶に近いこ
とを特徴としている。

【００１６】この発明に係る耐還元性誘電体セラミック
は、好ましくは、周波数１ｋＨｚの交流であって２Ｖｒ
ｍｓ／ｍｍ以下の電界強度下で測定した比誘電率の温度
依存性に関して、大部分を構成する結晶の相転移点、す
なわち比誘電率の変化が急峻な極大値（山）を示す温度
として求められる相転移点が、−２５℃未満である。補
足的に説明すると、チタン酸バリウム系誘電体セラミッ
クにあっては、相転移点すなわちキュリー点以上では立
方晶となり、以下では正方晶となる。

【００１７】また、この発明に係る耐還元性誘電体セラ
ミックは、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇ
ｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｙお
よびＳｃから選ばれた少なくとも１種の希土類元素が含
有されていてもよい。このような希土類元素が含有され
ることによって、直流下で用いられる誘電体セラミック
の場合には、その寿命特性を良好なものとすることがで
きる。

【００１８】この発明は、また、複数の誘電体セラミッ
ク層と、この誘電体セラミック層間に形成された内部電
極と、内部電極に電気的に接続された外部電極とを備え
る、積層セラミックコンデンサにも向けられる。このよ
うな積層セラミックコンデンサにおいて、誘電体セラミ
ック層が上述したようなこの発明に係る耐還元性誘電体
セラミックによって構成される。

【００１９】この発明に係る積層セラミックコンデンサ
において、内部電極は、ニッケルもしくはニッケル合金
または銅もしくは銅合金で構成されることができる。

【００２０】また、この発明に係る積層セラミックコン
デンサにおいて、外部電極は、導電性金属粉末、または
ガラスフリットを添加した導電性金属粉末の焼結層から
なる第１層と、その上のめっき層からなる第２層とを備
える構成とすることができる。

【００２１】

【発明の実施の形態】図１は、この発明の一実施形態に
よる積層セラミックコンデンサ１を示す断面図であり、
図２は、図１に示した積層セラミックコンデンサ１に備
えるセラミック積層体３を分解して示す斜視図である。

【００２２】積層セラミックコンデンサ１は、内部電極
４を介して複数の誘電体セラミック層２ａおよび２ｂを
積層して得られた、直方体形状のセラミック積層体３を
備える。セラミック積層体３の両端面上には、内部電極
４の特定のものに電気的に接続されるように、外部電極
５がそれぞれ形成され、その上には、ニッケル、銅など
の第１のめっき層６が形成され、さらにその上には、半
田、錫などの第２のめっき層７が形成されている。

【００２３】次に、この積層セラミックコンデンサ１の
製造方法について製造工程順に説明する。

【００２４】まず、誘電体セラミック層２ａおよび２ｂ
の主成分となる、所定の組成比率に秤量し、混合したチ
タン酸バリウム系の原料粉末を用意する。

【００２５】この原料粉末は、これを焼成することによ
って、前述したように、一般式ＡＢＯ₃ で表わされるペ
ロブスカイト構造を示し、かつ主結晶相がチタン酸バリ
ウムを主成分としている、耐還元性誘電体セラミックと
なるもので、この耐還元性誘電体セラミックは、−２５
℃以上の温度領域においてＸ線回折により求められる結
晶軸比ｃ／ａが１．０００≦ｃ／ａ≦１．００３の条件
を満足するものである。また、この耐還元性誘電体セラ
ミックは、周波数１ｋＨｚの交流であって２Ｖｒｍｓ／
ｍｍ以下の電界強度下で測定した比誘電率の温度依存性
に関して、大部分を構成する結晶の相転移点が−２５℃
未満であることが好ましい。さらに、原料粉末には、必
要に応じて、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇ
ｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｙお
よびＳｃから選ばれた少なくとも１種の希土類元素が、
たとえば酸化物の状態で含有される。

【００２６】次いで、上述したような原料粉末に有機バ
インダを加えてスラリー化し、このスラリーをシート状
に成形して、誘電体セラミック層２ａおよび２ｂのため
のセラミックグリーンシートを得る。

【００２７】その後、誘電体セラミック層２ｂとなるセ
ラミックグリーンシートの各一方主面上に、ニッケルも
しくはニッケル合金または銅もしくは銅合金等の卑金属
を導電性成分として含む内部電極４を形成する。これら
内部電極４は、スクリーン印刷法などの印刷法によって
形成されても、蒸着法、めっき法などによって形成され
てもよい。

【００２８】次いで、内部電極４を形成した誘電体セラ
ミック層２ｂのためのセラミックグリーンシートを、必
要数積層するとともに、図２に示すように、これらグリ
ーンシートを、内部電極が形成されない誘電体セラミッ
ク層２ａのためのセラミックグリーンシートによって挟
んだ状態とし、これらを圧着することによって、生の積
層体を得る。

【００２９】その後、この生の積層体を、所定の雰囲気
中で所定の温度にて焼成し、セラミック積層体３を得
る。

【００３０】次に、セラミック積層体３の両端面上に、
内部電極４の特定のものと電気的に接続されるように、
外部電極５を形成する。この外部電極５の材料として
は、内部電極４と同じ材料を使用することができる。ま
た、銀、パラジウム、銀−パラジウム合金、銅、銅合金
などが使用可能であり、また、これらの金属粉末にＢ₂
Ｏ₃ −ＳｉＯ₂ −ＢａＯ系ガラス、Ｌｉ₂ Ｏ−ＳｉＯ₂
−ＢａＯ系ガラスなどのガラスフリットを添加したもの
も使用されるが、積層セラミックコンデンサ１の用途、
使用場所などを考慮に入れて適当な材料が選択される。
また、外部電極５は、典型的には、材料となる金属粉末
ペーストを、焼成により得たセラミック積層体３に塗布
して、焼き付けることによって形成されるが、焼成前に
塗布して、セラミック積層体３と同時に焼き付けること
によって形成されてもよい。

【００３１】その後、外部電極５上に、ニッケル、銅な
どのめっきを施し、第１のめっき層６を形成する。最後
に、この第１のめっき層６の上に、半田、錫などの第２
のめっき層７を形成し、積層セラミックコンデンサ１を
完成させる。なお、このように外部電極５の上にさらに
めっきなどで導体層を形成することは、積層セラミック
コンデンサの用途によっては省略することもできる。

【００３２】以上のように、誘電体セラミック層２ａお
よび２ｂを構成するため、前述したような耐還元性誘電
体セラミックを用いることによって、得られた積層セラ
ミックコンデンサ１において、高周波かつ高電圧あるい
は大電流下での使用時の損失および発熱を小さくでき、
また、交流高温負荷または直流高温負荷での絶縁抵抗を
安定させることができ、さらには、ニッケルまたはニッ
ケル合金などの卑金属を内部電極４の材料として問題な
く用いることができるようになる。

【００３３】

【実施例】次に、この発明に係る耐還元性誘電体セラミ
ックおよび積層セラミックコンデンサを、実施例に基づ
き、さらに具体的に説明する。

【００３４】まず、出発原料として、純度９９％以上の
ＢａＣＯ₃ 、ＣａＣＯ₃ 、ＳｒＣＯ ₃ 、ＴｉＯ₂ 、Ｚｒ
Ｏ₂ 、ＢａＴｉＯ₃ 、ＣａＺｒＯ₃ 、ＳｒＴｉＯ₃ 、Ｌ
ａ₂Ｏ₃ 、ＣｅＯ₂ 、Ｐｒ₆ Ｏ₁₁、Ｎｄ₂ Ｏ₃ 、Ｓｍ₂
Ｏ₃ 、Ｈｏ₂ Ｏ₃ 、Ｄｙ₂ Ｏ ₃ 、Ｇｄ₂ Ｏ₃ 、Ｅｕ₂ Ｏ
₃ 、Ｔｂ₂ Ｏ₃ 、Ｅｒ₂ Ｏ₃ 、Ｔｍ₂ Ｏ₃ 、Ｙｂ
₂ Ｏ ₃ 、Ｌｕ₂ Ｏ₃ 、Ｙ₂ Ｏ₃ 、Ｓｃ₂ Ｏ₃ 、ＭｇＯ、
ＭｎＣＯ₃ およびＳｉＯ₂ の各粉末を用意した。

【００３５】これら原料粉末を、表１に示す組成および
モル比となるように秤量した。なお、表１において、試
料１４および１５については、出発原料として、複合金
属酸化物が用いられている。

【００３６】

【表１】

【００３７】次いで、上述したような各試料に係る秤量
物にポリビニルブチラール系バインダおよびエタノール
などの有機溶剤を加えて、ボールミルにより湿式混合
し、セラミックスラリーを得た。このセラミックスラリ
ーを、次いで、ドクターブレード法によりシート成形
し、厚み２５μｍの矩形のセラミックグリーンシートを
得た。

【００３８】次に、セラミックグリーンシートの特定の
ものの上に、ニッケルを主成分とする導電性ペーストを
印刷し、内部電極を構成するための導電性ペースト層を
形成した。

【００３９】その後、導電性ペースト層が形成されたセ
ラミックグリーンシートを、導電性ペースト層が引き出
されている側が互い違いとなるように複数積層するとと
もに、その上下に、導電性ペースト層が形成されていな
いセラミックグリーンシートを積層し、これらを圧着す
ることによって、生のセラミック積層体を得た。

【００４０】次に、上述の生のセラミック積層体を、窒
素雰囲気中にて３５０℃の温度に加熱し、バインダを除
去した後、酸素分圧１０^-9〜１０^-12 ＭＰａのＨ₂ −Ｎ
₂ −Ｈ₂ Ｏガスからなる還元性雰囲気中において、１２
００〜１３５０℃の範囲の任意の温度で２時間焼成し、
焼結されたセラミック積層体を得た。

【００４１】その後、焼結されたセラミック積層体の両
端面に、Ｂ₂ Ｏ₃ −Ｌｉ₂ Ｏ−ＳｉＯ₂ −ＢａＯ系のガ
ラスフリットおよび銀粉末を含有する導電性ペーストを
塗布し、窒素雰囲気中において６００℃の温度で焼き付
け、内部電極と電気的に接続された外部電極を形成し
た。

【００４２】次に、硫酸ニッケル、塩化ニッケルおよび
ホウ酸からなるニッケルめっき液を用意し、バレルめっ
き法にて、外部電極上にニッケルめっきを施した。最後
に、アルカノールスルホン酸浴（ＡＳ浴）からなる半田
めっき液を用意し、バレルめっき法にて、上述のニッケ
ルめっき膜上に半田めっきを施し、目的とする積層セラ
ミックコンデンサを得た。

【００４３】このようにして得られた積層セラミックコ
ンデンサの外形寸法は、幅３．２ｍｍ、長さ４．５ｍ
ｍ、および厚さ１．０ｍｍであり、内部電極間に介在す
る誘電体セラミック層の厚みは２０μｍであった。ま
た、各内部電極の有効対向面積は、８．８×１０^-6ｍ²
であり、有効誘電体セラミック層の総数については、静
電容量が５０ｎＦとなるように焼成した。

【００４４】次に、このようにして得られた積層セラミ
ックコンデンサおよび誘電体セラミック層を構成する誘
電体セラミックの特性を求め、その結果を表２に示し
た。

【００４５】

【表２】

【００４６】表２において、結晶軸比ｃ／ａは、−２５
℃と＋２５℃の各温度において、誘電体セラミック層を
構成する誘電体セラミックのＸ線回折を行ない、その結
果をリートベルト解析してＸ線プロファイルのフィッテ
ィングを行なうことによって精密化して格子定数を求め
算出したものである。

【００４７】また、相転移点については、積層セラミッ
クコンデンサの静電容量を自動ブリッジ式測定器を用い
て測定し、温度変化に対する静電容量の変化率を求め、
静電容量の変化率が急峻な極大値を示す温度を相転移点
としたものである。温度変化に対する静電容量の変化率
については、温度２５℃での静電容量を基準とし、周波
数１ｋＨｚおよび０．０２Ｖｒｍｓの条件で測定した。

【００４８】また、比誘電率については、積層セラミッ
クコンデンサの静電容量を自動ブリッジ式測定器を用い
て、周波数１ｋＨｚ、１Ｖｒｍｓ、および温度２５℃の
条件にて測定し、この静電容量から比誘電率を算出し
た。

【００４９】また、発熱特性については、温度上昇幅を
評価しようとするもので、２５℃に保たれた恒温槽内に
積層セラミックコンデンサを配置しながら、交流電源と
電気的に接続し、次に、１００ｋＨｚ、１００Ｖｐ−ｐ
の高周波かつ高電圧を積層セラミックコンデンサに５分
間連続して印加し、積層セラミックコンデンサの温度と
その周囲の環境温度との差を赤外線放射温度計によって
計測することによって求めた。

【００５０】また、交流負荷試験においては、絶縁抵抗
において不良を示した試料数の比率すなわち不良率を評
価しようとするもので、１００ｋＨｚ、１００Ｖｐ−ｐ
の高周波かつ高電圧を、１００℃の恒温槽の中で、積層
セラミックコンデンサに印加し、２５０時間経過後、恒
温槽から積層セラミックコンデンサを取り出して、２５
℃および直流５００Ｖの条件下で絶縁抵抗を測定し、１
０⁶ Ω以下の抵抗値のものを不良とした。

【００５１】また、高温負荷試験においては、各試料に
係る積層セラミックコンデンサを３６個ずつ、１５０℃
の温度にて５００Ｖの直流電圧を印加しながら、その絶
縁抵抗の経時変化を測定することによって、各試料の絶
縁抵抗が１０⁶ Ω以下になった時点での経過時間を求
め、これを寿命時間とし、この寿命時間の平均を算出し
た。

【００５２】表１および表２において、試料番号に＊を
付したものは、この発明の範囲外のものである。

【００５３】まず、この発明の範囲内にある試料１〜３
および８〜１５において、表２に示すような特性が得ら
れあるいは測定可能であったことから、この発明によれ
ば、ニッケルのような卑金属を内部電極材料として用い
ることができることがわかる。

【００５４】また、この発明の範囲内にある試料１〜３
および８〜１５によれば、−２５℃以上の温度領域にお
いてＸ線回折により求められる結晶軸比ｃ／ａが１．０
００≦ｃ／ａ≦１．００３の条件を満足しているので、
高周波かつ高電圧を印加した場合の発熱を、２０℃以内
の温度上昇幅に抑えることができ、また、高周波かつ高
電圧を長時間印加した後も絶縁抵抗不良率を０％に抑え
ることができ、さらに、直流中高圧の印加による高温負
荷試験において、試料１３を除いて、７５０時間以上の
寿命時間を確保することができる。

【００５５】これに対して、この発明の範囲外である試
料４〜７の場合には、相転移点が−２５℃以上の高温側
の値を示し、たとえば−２５℃でのｃ／ａ比が１．００
３を超える比較的大きい値となり、結果として、高周波
かつ高電圧を印加したときの発熱については、２０℃を
超える温度上昇幅となったり、あるいは、熱暴走して破
壊に至ることがある。

【００５６】また、試料１３のように、希土類元素を含
まない場合には、直流電圧印加による高温負荷試験での
寿命が極端に短くなるため、直流下で用いる場合には、
このような希土類元素を含むことが好ましいことがわか
る。

【００５７】なお、以上記載した実施例では、希土類元
素を原料粉末において酸化物の状態で含有させたが、こ
れに代えて、アルコキシドや金属有機化合物などの状態
で含有させてもよい。

【００５８】また、上述した実施例では、誘電体セラミ
ックの大部分を構成する結晶の相転移点について問題と
したが、たとえ二次相が存在していても、実質的な特性
に影響を与えるものではない。

【００５９】また、実施例では、焼結助剤として、Ｓｉ
Ｏ₂ を用いているが、低温焼結を目的としたガラスなど
を焼結助剤として用いても、実質的な特性に影響を与え
るものではない。

【００６０】

【発明の効果】以上のように、この発明に係る耐還元性
誘電体セラミックを誘電体セラミック層において用い
て、積層セラミックコンデンサを構成すれば、高周波か
つ高電圧あるいは大電流下での使用時の損失および発熱
を小さくでき、交流負荷あるいは直流負荷において安定
した絶縁抵抗を示す積層セラミックコンデンサを得るこ
とができ、また、このような積層セラミックコンデンサ
において、内部電極材料としてニッケルもしくはニッケ
ル合金または銅もしくは銅合金のような卑金属を問題な
く用いることができるようになる。

【００６１】この発明に係る耐還元性誘電体セラミック
において、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇ
ｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｙお
よびＳｃから選ばれた少なくとも１種の希土類元素を含
有させることにより、積層セラミックコンデンサを直流
において用いた場合の寿命特性を良好なものとすること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施形態による積層セラミックコ
ンデンサ１を示す断面図である。

【図２】図１に示した積層セラミックコンデンサ１に備
えるセラミック積層体３を分解して示す斜視図である。

【符号の説明】

１ 積層セラミックコンデンサ ２ａ，２ｂ 誘電体セラミック層 ３ セラミック積層体 ４ 内部電極 ５ 外部電極 ６，７ めっき層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐野 晴信 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 Ｆターム(参考） 4G031 AA06 AA07 AA08 AA09 AA11 AA39 BA09 CA01 CA03 5E001 AB03 AC04 AC09 AE00 AE01 AE02 AE03 AE04 AF00 AF06 AH01 AH05 AH09 AJ01 AJ02 AJ03 5E082 AA01 AB03 BB04 BB05 BC30 BC40 EE04 EE23 EE35 FG06 FG22 FG26 FG27 FG54 GG10 GG11 GG26 GG28 HH43 JJ03 JJ05 JJ12 JJ21 JJ23 LL02 MM22 MM24 PP06 PP10 5G303 AA01 AB01 AB02 AB06 AB14 AB20 BA12 CA01 CB03 CB08 CB15 CB22 CB26 CB35 CB40 CB41 CB43

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一般式ＡＢＯ₃ で表わされるペロブスカ
   イト構造を示し、かつ主結晶相がチタン酸バリウムを主
   成分としている、耐還元性誘電体セラミックであって、
   −２５℃以上の温度領域においてＸ線回折により求めら
   れる結晶軸比ｃ／ａが１．０００≦ｃ／ａ≦１．００３
   の条件を満足することを特徴とする、耐還元性誘電体セ
   ラミック。
2. 【請求項２】 周波数１ｋＨｚの交流であって２Ｖｒｍ
   ｓ／ｍｍ以下の電界強度下で測定した比誘電率の温度依
   存性に関して、大部分を構成する結晶の相転移点が−２
   ５℃未満であることを特徴とする、請求項１に記載の耐
   還元性誘電体セラミック。
3. 【請求項３】 Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、
   Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｙ
   およびＳｃから選ばれた少なくとも１種の希土類元素が
   含有されていることを特徴とする、請求項１または２に
   記載の耐還元性誘電体セラミック。
4. 【請求項４】 複数の誘電体セラミック層と、前記誘電
   体セラミック層間に形成された内部電極と、前記内部電
   極に電気的に接続された外部電極とを備える、積層セラ
   ミックコンデンサであって、前記誘電体セラミック層が
   請求項１ないし３のいずれかに記載の耐還元性誘電体セ
   ラミックで構成されていることを特徴とする、積層セラ
   ミックコンデンサ。
5. 【請求項５】 前記内部電極は、ニッケルもしくはニッ
   ケル合金または銅もしくは銅合金で構成されていること
   を特徴とする、請求項４に記載の積層セラミックコンデ
   ンサ。
6. 【請求項６】 前記外部電極は、導電性金属粉末、また
   はガラスフリットを添加した導電性金属粉末の焼結層か
   らなる第１層と、その上のめっき層からなる第２層とを
   備えることを特徴とする、請求項４または５に記載の積
   層セラミックコンデンサ。